KR20080071816A - 반도체 소자 검사 장치 - Google Patents

반도체 소자 검사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080071816A
KR20080071816A KR1020070010143A KR20070010143A KR20080071816A KR 20080071816 A KR20080071816 A KR 20080071816A KR 1020070010143 A KR1020070010143 A KR 1020070010143A KR 20070010143 A KR20070010143 A KR 20070010143A KR 20080071816 A KR20080071816 A KR 20080071816A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
chamber
compressed air
semiconductor device
vortex tube
Prior art date
Application number
KR1020070010143A
Other languages
English (en)
Inventor
하승수
허용강
이종철
김중현
최시돈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020070010143A priority Critical patent/KR20080071816A/ko
Publication of KR20080071816A publication Critical patent/KR20080071816A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

반도체 소자 검사 장치가 개시된다. 개시된 반도체 소자 검사 장치는 반도체 소자를 제1 온도에서 에이징하는 소크 챔버; 상기 소크 챔버에서 에이징된 반도체 소자를 제2 온도에서 테스트하는 테스트 챔버; 압축 공기 공급구, 냉기 출구 및 온기 출구가 마련된 보텍스 튜브를 이용하여 상기 소크 챔버를 제1 온도로 제어하거나 상기 테스트 챔버를 제2 온도로 제어하는 온도 조절 수단; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자 검사 장치{Semiconductor device test apparatus}
도 1은 본 발명의 반도체 소자 검사 장치의 주요부를 도시한 블럭도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 보텍스 튜브의 구조 및 동작을 순차적으로 도시한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100...로딩부 200...소크 챔버(soak chamber)
300...테스트 챔버(test chamber) 400...디소크 챔버(de-soak chamber)
500...언로딩부 600...에어 공급부
610...수분 방지 필터 700...제어부
800...보텍스 튜브(vortex tube) 801...압축 공기 공급구
803...온기 출구 805...냉기 출구
810...에어 공급 라인 820...온기 배출 라인
830...압축 공기 조절 밸브 840...온도 센서
850...온기 조절 밸브
860...디소크 챔버 인렛(de-soak chamber inlet)
본 발명은 반도체 소자 검사 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 테스트 챔버에서 저온 또는 고온으로 검사하는 것으로 반도체 소자의 로딩, 검사, 분류 및 언로딩을 자동으로 수행하는 반도체 소자 검사 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 성능 검사에 있어서 검사 장치는, 반도체 소자를 테스터(tester)와 전기적으로 연결시키기 위하여 반도체 소자를 로딩하고, 로딩된 반도체 소자를 테스터와 전기적으로 연결시켜 자동 검사를 수행하고, 상기 전기적 검사 결과에 따라 반도체 소자를 분류하고, 분류가 완료된 반도체 소자를 외부로 언로딩시키는 일종의 자동 검사 로봇이다.
일반적으로 반도체 소자의 검사에 사용되는 검사 장치의 구성은, 복수개의 반도체 소자가 트레이(tray)에 담겨져 투입되는 로딩부와, 상기 로딩부에서 테스트 트레이를 이송하여 정해진 온도조건에서 일정시간 동안 에이징(aging)시키는 소크 챔버와, 상기 소크 챔버로부터 테스트 트레이를 이송하여 테스터와 직접 연결시켜 전기적 검사를 수행하는 테스트 챔버와, 상기 전기적 검사가 완료된 테스트 트레이를 대기 온도에서 에이징시키는 디소크 챔버(de-soak chamber)와, 상기 테스트 챔버에서의 전기적 검사 결과에 따라, 피검사 소자를 분류하고 언로딩하는 언로딩부로 이루어진다.
이러한 종래 기술에 의한 검사 장치는 반도체 소자의 전기적 검사가 고온 혹은 저온에서 수행되는 경우, 소크 챔버, 테스트 챔버 또는 디소크 챔버 내부 온도를 일정하게 유지하기 위해 온도 조절 수단을 구비한다. 이하에서 저온이라 함은 상온보다 낮은 온도를 의미하여 고온이라 함은 상온보다 높은 온도를 의미한다. 그 중에서 저온 검사시에는 소크 챔버 또는 테스트 챔버 내부에 냉매로서 액화 질소 가스(이하 LN2로 부른다.)나 다른 저온의 가스를 유입시키고 그 기화열을 이용하여 냉각한다. 여기서 예를 들면, LN2의 지속적인 공급을 위하여 교체 가능한 배럴(barrel)을 이용하거나, 검사 장치 외부에 대형의 LN2 탱크를 설치한 후 배관을 연결하여 검사 장치 내부에 LN2를 지속적으로 공급할 수 있다.
그러나, 지속적으로 LN2를 공급해주려면 배럴 또는 LN2탱크의 유지 비용이 소모되며, LN2와 인체가 접촉될 때 화상 염려가 있고, 검사 장치의 위치를 이동할 때 배관을 새로 설치해야 하는 문제점이 발생된다.
배럴에 담아서 LN2를 공급하는 경우, 배럴 교체 주기가 짧다면 장치 관리에 세심한 주의가 필요하고, 교체하는 순간에 검사 장치에 냉매가 공급되지 않으므로 챔버의 온도를 제어할 수 없으며, 장치의 비사용 시간이 증가되는 문제점이 있다. 그리고, 대략 100kg정도의 무게를 갖는 배럴을 교체해야 하므로 작업자의 위험이 뒤따르며, 배럴의 접속 또는 분리시에 LN2의 누설로 작업자가 화상을 입을 수 있다.
한편, 배관을 이용하여 LN2를 공급하는 경우, 배관이 진공 상태를 유지해야 하고, 배관이 고정식으로 설치되므로 작업장의 레이 아웃(lay out) 변경에 제약이 발생하며, 배관의 누설로 인한 위험이 문제될 수 있다.
본 발명의 기술적 과제는 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로, 별도의 냉 매를 공급하지 않더라도 검사 장치 내부에서 냉기 또는 온기를 생성함으로써 챔버의 온도를 독자적으로 조절할 수 있는 검사 장치를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 반도체 소자 검사 장치는,
반도체 소자를 제1 온도에서 에이징하는 소크 챔버;
상기 소크 챔버에서 에이징된 반도체 소자를 제2 온도에서 테스트하는 테스트 챔버;
압축 공기 공급구, 냉기 출구 및 온기 출구가 마련된 보텍스 튜브를 이용하여 상기 소크 챔버를 제1 온도로 제어하거나 상기 테스트 챔버를 제2 온도로 제어하는 온도 조절 수단; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제1 온도 및 제2 온도는 저온이며, 상기 소크 챔버 및 상기 테스트 챔버는 상기 보텍스 튜브의 냉기 출구와 각각 연결됨으로써 상기 제1 온도 및 제2 온도로 냉각되는 것이 바람직하다.
일 실시예로서, 상기 반도체 소자 검사 장치는 상기 테스트 챔버에서 검사가 완료된 반도체 소자를 상온으로 회복되도록 에이징하는 디소크 챔버; 를 더 포함하며, 상기 디소크 챔버는 상기 보텍스 튜브의 온기 출구와 연결됨으로써 가열된다.
일 실시예로서, 상기 반도체 소자 검사 장치는 상기 보텍스 튜브의 압축 공기 공급구에 압축 공기를 공급하는 에어 공급부; 를 더 포함하며, 상기 에어 공급부 및 압축 공기 공급구 사이에 수분 방지 필터가 마련된다.
일 실시예로서, 상기 에어 공급부는, 상기 반도체 소자 검사 장치에 내장되 어 공기를 압축하는 컴프레서 또는 상기 반도체 소자 검사 장치의 외부에서 압축 공기를 공급받는 에어 공급관으로 이루어진다.
일 실시예로서, 상기 반도체 소자 검사 장치는, 상기 소크 챔버 및 테스트 챔버 중 적어도 하나에 마련되는 온도 센서와 연결되고 상기 보텍스 튜브에 유입되는 압축 공기의 양을 조절하는 압축 공기 조절 밸브와 연결되며 상기 온도 센서의 측정값에 따라 상기 압축 공기 조절 밸브를 조절하여 상기 소크 챔버 및 테스트 챔버의 온도를 제어하는 제어부; 를 더 포함한다.
여기서, 상기 제어부는, 상기 소크 챔버, 테스트 챔버 및 디소크 챔버 중 적어도 하나에 마련되는 온도 센서와 연결되고 상기 보텍스 튜브의 압축 공기 공급구 쪽에 마련되는 압축 공기 조절 밸브와 연결되며 상기 보텍스 튜브의 온기 출구 쪽에 마련되는 온기 조절 밸브와 연결되고 상기 온도 센서의 측정값에 따라 상기 압축 공기 조절 밸브 및 온기 조절 밸브를 조절하여 상기 소크 챔버, 테스트 챔버 및 디소크 챔버의 온도를 제어한다.
다른 실시예로서, 상기 제1 온도 및 제2 온도는 고온이며, 상기 소크 챔버 및 상기 테스트 챔버는 상기 보텍스 튜브의 온기 출구와 각각 연결됨으로써 상기 제1 온도 및 제2 온도로 가열되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 반도체 소자 검사 장치는 상기 테스트 챔버에서 검사가 완료된 반도체 소자를 상온으로 회복되도록 에이징하는 디소크 챔버; 를 더 포함하며, 상기 디소크 챔버는 상기 보텍스 튜브의 냉기 출구와 연결됨으로써 냉각되는 것이 바람직하다.
이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 첨부 도면에 도시된 바에 국한되지 않으며, 동일한 발명의 범위내에서 다양하게 변형될 수 있음을 밝혀둔다.
도 1은 본 발명의 반도체 소자 검사 장치의 주요부를 도시한 블럭도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 반도체 소자 검사 장치는 로딩부(100), 소크 챔버(200), 테스트 챔버(300), 디소크 챔버(400), 언로딩부(500), 온도 조절 수단을 구비한다. 트레이(tray)(미도시)는 반도체 소자가 매트릭스 형태로 담겨지는 운반 및 취급 도구로서, 사용자에게 반도체 소자를 전달할 때 사용되는 커스토머 트레이(customer tray)와, 반도체 소자와 테스터를 연결하기 위해 검사 장치 내부에서만 사용되는 테스트 트레이(test tray)로 분류된다.
로딩부(100)에는 복수개의 반도체 소자가 트레이에 적재된 상태로 투입된다. 소크 챔버(200)는 로딩부(100)로부터 이송받은 테스트 트레이를 정해진 온도조건(이하에서 이를 제1 온도로 부른다.)에서 일정시간 동안 에이징(aging)시킨다. 제1 온도는 상온보다 높은 고온 또는 상온보다 낮은 저온이 될 수 있다.
소크 챔버(200)는 고온 혹은 저온에서 반도체 소자에 대한 전기적 특성을 검사하거나, 테스트 챔버(300)에 투입되기 전에 테스트 트레이를 미리 냉각 또는 가열할 때 사용된다.
테스트 챔버(300)는 소크 챔버(200)로부터 테스트 트레이를 이송하여 테스트 챔버(300) 내부에 설치된 테스터와 직접 연결시켜 전기적 검사를 수행하기 위하여 마련된다. 테스트 챔버(300)는 제2 온도로 유지되며 반도체 소자를 테스터에 연결 시킨다. 제2 온도 역시 저온 또는 고온이 될 수 있다. 아울러 제1 온도 및 제2 온도는 서로 동일하여도 무방하지만 대부분의 경우에 서로 구별된다.
디소크 챔버(400)는 테스트 챔버(300)로부터 검사가 완료된 반도체 소자를 대기 온도에서 일정 시간 에이징시킴으로써 검사용 반도체 소자를 상온으로 회복시킨다. 디소크 챔버(400)의 위치는 테스트 트레이의 이송중 테스트 챔버(300)의 온도 변화를 최소화시킬 수 있는 위치가 적당하다.
언로딩부(500)는 테스트 챔버(300)에서의 전기적 검사 결과에 따라, 검사용 반도체 소자를 양품과 불량으로 분류하고 반도체 검사 장치 외부로 언로딩한다.
온도 조절 수단은 종래의 냉각 또는 가열수단과 구별되는 점으로서 보텍스 튜브(800)를 구비하며 이를 이용하여 소크 챔버(200), 테스트 챔버(300)를 제1 온도 및 제2 온도로 제어하거나 디소크 챔버(400)를 소정의 목표 온도로 제어한다.
보텍스 튜브(800)는 압축공기가 유입되는 압축공기 유입구, 압축공기 유입구에서 유입된 공기를 저온으로 배출하는 냉기 출구(805), 압축공기 유입구에서 유입된 공기를 고온으로 배출하는 온기 출구(803)를 구비한다.
보텍스 튜브(800)는 압축 공기의 원활한 공급만을 전제로 할 뿐 추가적인 열발생 또는 열흡수 기구를 필요로 하지 않으며, 압축 공기의 보텍스 에너지를 열에너지로 변환함으로써 냉각 또는 가열 특성을 손쉽게 얻을 수 있는 획기적인 장점을 갖는다. 본 발명에서는 인체에 유해한 LN2등의 냉매를 이용하지 않고 검사 장치 내부에 마련되는 보텍스 튜브(800)의 냉각 또는 가열 특성을 이용함으로써, 종래 LN2의 기화열을 이용하여 냉각하는 장치의 문제점을 개선할 수 있다. 보텍스 튜 브(800)의 상세 구조 및 동작에 관한 설명은 이하에서 다시 하기로 한다.
도시된 실시예로서, 반도체 소자를 저온 테스트하는 경우, 소크 챔버(200) 및 테스트 챔버(300)는 보텍스 튜브(800)의 냉기 출구(805)와 연결됨으로써 냉각된다. 디소크 챔버(400)는 테스트 챔버(300)에서 냉각된 반도체 소자를 상온으로 회복시키기 위하여 상온 또는 고온을 유지하며, 보텍스 튜브(800)의 온기 출구(803)와 연결됨으로써 가열될 수 있다.
반면에 도시되지 않은 실시예로서, 반도체 소자를 고온 테스트하는 경우, 소크 챔버 및 테스트 챔버는 보텍스 튜브의 온기 출구와 연결됨으로써 가열된다. 디소크 챔버는 테스트 챔버에서 가열된 반도체 소자를 냉각하기 위하여 상온 또는 저온을 유지하며, 보텍스 튜브의 냉기 출구와 연결됨으로써 냉각될 수 있다.
에어 공급부(600)는 에어 공급 라인(810)을 통하여 보텍스 튜브(800)의 압축 공기 공급구(801)에 압축 공기를 공급한다. 에어 공급부(600)는, 컴프레서 또는 검사 장치 외부로부터 압축 공기를 공급받는 형태 등 다양한 실시예가 가능하다. 에어 공급부(600)에서 공급되는 압축 공기의 수분을 제거하기 위하여 수분 방지 필터(610)가 에어 공급 라인(810)에 마련되는 것이 바람직하다. 수분 방지 필터(610)는 소수성 재질로 구성되어 공기를 통과시키고 수분은 차단하는 필터이며 당업자에게 공지된 사항에 해당하므로 상세한 설명은 생략한다.
소크 챔버(200)를 제1 온도로 제어하기 위하여 소크 챔버(200) 내부의 실제 온도를 측정하는 온도 센서(840)와, 보텍스 튜브(800)의 압축 공기 유입량을 조절하는 압축 공기 조절 밸브(830)가 마련된다. 제어부(700)는 온도 센서(840)에서 측 정된 측정값에 따라 압축 공기의 유입량을 조절함으로써 소크 챔버(200)를 제1 온도로 유지한다.
이와 마찬가지로 테스트 챔버(300)를 제2 온도로 제어하기 위하여 테스트 챔버(300) 내주의 실제 온도를 측정하는 온도 센서(840)와, 보텍스 튜브(800)의 압축 공기 유입량을 조절하는 압축 공기 조절 밸브(830)가 마련된다. 역시 제어부(700)는 온도 센서(840)의 측정값에 따라 압축 공기의 유입량을 조절함으로써 테스트 챔버(300)를 제2 온도로 제어한다.
반도체 소자를 저온으로 테스트하는 경우, 도시된 바에 의하면 디소크 챔버(400)는 보텍스 튜브(800)의 온기 출구(803)와 연결됨으로써 고온으로 가열된다. 이때 보텍스 튜브(800)의 온기 출구(803) 및 디소크 챔버(400)의 디소크 챔버 인렛(860)은 온기의 통로가 되는 온기 배출 라인(820)에 의하여 연결되며, 디소크 챔버(400)의 온기 유입량은 제어부(700)에 연결된 온기 조절 밸브(850)에 의하여 조절된다.
반면에 도시되지 않은 실시예로서, 디소크 챔버(400)를 상온으로 방치하면서 반도체 소자를 상온으로 회복시키는 경우, 디소크 챔버(400)와 온기 출구(803)가 서로 연결되지 않을 수 있다. 또한, 도시되지 않은 실시예로서, 반도체 소자를 고온으로 테스트하는 경우, 디소크 챔버 및 냉기 출구를 연결하여 디소크 챔버를 냉각하는 경우는 물론, 디소크 챔버를 상온으로 방치하는 실시예도 가능하다.
또한, 도시된 바에 의하면 디소크 챔버(400)에 온도 센서(840)가 마련되고, 디소크 챔버 인렛(860)을 통하여 보텍스 튜브(800)의 온기가 유입되며, 디소크 챔 버(400)의 온도가 제어부(700)에 의하여 정확하게 제어된다. 그러나 이에 한정되지 않고, 디소크 챔버(400)는 저온 또는 고온에서 테스트 완료된 반도체 소자를 상온으로 회복시키는 기능을 할 뿐이며 일정한 온도로 정확하게 제어되지 않아도 무방하므로, 제어부(700)에 연결되지 않을 수 있다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 보텍스 튜브(800)의 구조 및 동작을 순차적으로 도시한 단면도이다. 도 1 내지 도 5를 함께 참조하며 보텍스 튜브(800)의 구조 및 동작을 설명한다. 에어 공급부(600)로부터 에어 공급 라인(810)을 통하여 압축 공기가 압축 공기 공급구(801)로 공급된다. 압축 공기는 도 3과 같이 온기 출구(803) 방향으로 이동되며 약 백만 RPM 정도의 속도로 와류 유동된다. 이를 1차 보텍스라고 부른다. 1차 보텍스는 온기 출구(803) 방향으로 이동하면서 일부는 온기 출구(803)로 배출되고 나머지는 되튕겨져 냉기 출구(805) 방향을 향한다. 이를 2차 보텍스라고 부르며, 도 4에 도시된 바와 같이 1차 보텍스의 내부에 형성된다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 2차 보텍스는 1차 보텍스의 안쪽에 존재하는 보다 낮은 압력 지역을 통과하면서 열량을 잃고 냉기 출구(805)로 배출된다. 회전하는 두개의 보텍스 유동에 있어서 2차 보텍스에 속한 공기 입자는 1차 보텍스에 속한 공기 입자와 동일한 각속도를 가지므로, 실제 운동 속도는 2차 보텍스가 더 낮다. 이러한 운동 속도의 차이는 운동 에너지가 줄었음을 의미하며 상실된 운동 에너지는 열 에너지로 변환되어 1차 보텍스의 온도를 상승시키고 2차 보텍스의 온도를 하강시킨다. 다음의 표는 보텍스 튜브(800)의 특성을 구체적으로 나타내었다.
Figure 112007009621526-PAT00001
표 1에서 파란색으로 음영처리된 숫자는 압축 공기 공급구(801)로 공급되는 공급 공기의 온도 대비 냉기 출구(805)에서의 온도의 차이를 ℃ 단위로 나타낸다. 그리고, 분홍색으로 음영 처리된 숫자는 압축 공기 공급구(801)로 공급되는 공급 공기의 온도 대비 온기 출구(803)에서의 온도의 크기를 ℃ 단위로 나타낸다. 예를 들어 공급 공기가 7kg/cm², 25℃일 경우 냉기 비율을 20%로 맞추면 온도강하는 68.6℃이고 온도 상승은 14.4℃이므로 냉기 출구(805)에서 냉기의 온도는 25℃ - 68.6℃ = 영하 43.6℃가 된다. 그리고, 온기 출구(803)에서 온기의 온도는 25℃ + 14.4℃ = 영상 39.4℃가 된다.
보텍스 튜브(800)의 장점을 열거하면 다음과 같다. 먼저, 냉매나 전기 또는 화학 약품을 일체 사용하지 않아 근본적으로 안전하다. 단지 압축 공기를 공급하는 즉시 초저온 공기(-65℃까지)를 발생시킨다. 냉각용량은 32kcal/Hr ~ 2,500kcal/Hr 정도로서 충분한 수준이다. 예를 들어 테스트 챔버(300)와 같이 상대적으로 큰 냉각 용량이 필요한 챔버에는 보텍스 튜브(800)가 복수개 병렬적으로 설치되면 된다. 다음으로, 작고 가벼우며 움직이는 부분이 없어 고장이 전혀 없다. 또한, 작은 용량으로도 국부 냉각에 특히 효과적이고 설치비, 운영비가 매우 저렴하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 반도체 소자 검사 장치는, 보텍스 튜브에서 발생하는 냉기 및 온기를 필요에 따라 모두 활용할 수 있으므로 인체에 유해한 냉매를 핸들링함으로써 발생하는 손실과 위험을 줄일 수 있으며, 챔버의 온도를 정확하게 제어할 수 있고 검사 장치의 중단 없이 에어 공급을 핸들링할 수 있으므로 품질 및 생산성 향상을 얻을 수 있다. 보텍스 튜브를 복수로 설치하면 냉각 또는 가열 용량을 원하는 수준으로 증가시킬 수 있으므로 작업 공정의 세팅(setting)이 매우 간결해진다. 그리고, 수분 방지 필터가 마련되며 보텍스 튜브에 유입되는 압축 공기의 유량이 조절 밸브에 의하여 조절 가능하므로, 에어 공급부에서 공급되는 압축 공기의 압력 및 불순물에 크게 영향을 받지 않고 냉기 및 온기를 동시에 얻을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 반도체 소자를 제1 온도에서 에이징하는 소크 챔버;
    상기 소크 챔버에서 에이징된 반도체 소자를 제2 온도에서 테스트하는 테스트 챔버;
    압축 공기 공급구, 냉기 출구 및 온기 출구가 마련된 보텍스 튜브를 이용하여 상기 소크 챔버를 제1 온도로 제어하거나 상기 테스트 챔버를 제2 온도로 제어하는 온도 조절 수단; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 온도 및 제2 온도는 저온이며,
    상기 소크 챔버 및 상기 테스트 챔버는 상기 보텍스 튜브의 냉기 출구와 각각 연결됨으로써 상기 제1 온도 및 제2 온도로 냉각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 테스트 챔버에서 검사가 완료된 반도체 소자를 상온으로 회복되도록 에이징하는 디소크 챔버; 를 더 포함하며,
    상기 디소크 챔버는 상기 보텍스 튜브의 온기 출구와 연결됨으로써 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 보텍스 튜브의 압축 공기 공급구에 압축 공기를 공급하는 에어 공급부; 를 더 포함하며,
    상기 에어 공급부 및 압축 공기 공급구 사이에 수분 방지 필터가 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 에어 공급부는,
    상기 반도체 소자 검사 장치에 내장되어 공기를 압축하는 컴프레서 또는 상기 반도체 소자 검사 장치의 외부에서 압축 공기를 공급받는 에어 공급관인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소크 챔버 및 테스트 챔버 중 적어도 하나에 마련되는 온도 센서와 연결되고, 상기 보텍스 튜브에 유입되는 압축 공기의 양을 조절하는 압축 공기 조절 밸브와 연결되며, 상기 온도 센서의 측정값에 따라 상기 압축 공기 조절 밸브를 조절하여 상기 소크 챔버 및 테스트 챔버의 온도를 제어하는 제어부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 소크 챔버, 테스트 챔버 및 디소크 챔버 중 적어도 하나에 마련되는 온도 센서와 연결되고, 상기 보텍스 튜브의 압축 공기 공급구 쪽에 마련되는 압축 공기 조절 밸브와 연결되며, 상기 보텍스 튜브의 온기 출구 쪽에 마련되는 온기 조절 밸브와 연결되고, 상기 온도 센서의 측정값에 따라 상기 압축 공기 조절 밸브 및 온기 조절 밸브를 조절하여 상기 소크 챔버, 테스트 챔버 및 디소크 챔버의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 온도 및 제2 온도는 고온이며,
    상기 소크 챔버 및 상기 테스트 챔버는 상기 보텍스 튜브의 온기 출구와 각각 연결됨으로써 상기 제1 온도 및 제2 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 테스트 챔버에서 검사가 완료된 반도체 소자를 상온으로 회복되도록 에이징하는 디소크 챔버; 를 더 포함하며,
    상기 디소크 챔버는 상기 보텍스 튜브의 냉기 출구와 연결됨으로써 냉각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 검사 장치.
KR1020070010143A 2007-01-31 2007-01-31 반도체 소자 검사 장치 KR20080071816A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070010143A KR20080071816A (ko) 2007-01-31 2007-01-31 반도체 소자 검사 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070010143A KR20080071816A (ko) 2007-01-31 2007-01-31 반도체 소자 검사 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080071816A true KR20080071816A (ko) 2008-08-05

Family

ID=39882420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070010143A KR20080071816A (ko) 2007-01-31 2007-01-31 반도체 소자 검사 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080071816A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076710A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 세메스 주식회사 노즐 조립체 및 이를 포함하는 테스트 핸들러
CN114439650A (zh) * 2022-01-17 2022-05-06 西安航天动力试验技术研究所 一种单组元姿轨控发动机身部降温装置及方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180076710A (ko) * 2016-12-28 2018-07-06 세메스 주식회사 노즐 조립체 및 이를 포함하는 테스트 핸들러
CN114439650A (zh) * 2022-01-17 2022-05-06 西安航天动力试验技术研究所 一种单组元姿轨控发动机身部降温装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4996184B2 (ja) ウエハの温度制御装置及びウエハの温度制御方法
US6257319B1 (en) IC testing apparatus
CN101738415B (zh) 多功能燃烧实验系统
US8937482B1 (en) Apparatus and method for ramping and controlling the temperature of a component using a vortex tube
JP2014139429A (ja) ガス・タービン・エンジンに対する能動的構成部品寿命管理のためのシステムおよび方法
JP2003194874A (ja) 半導体素子テストハンドラの素子加熱及び冷却装置
JP2014020373A (ja) ガスタービンエンジンのサージング制御のための方法および装置
CN111426482A (zh) 一种航空发动机燃烧室试验台
CN109147970A (zh) 燃料包壳loca模拟试验装置
KR20080071816A (ko) 반도체 소자 검사 장치
KR101925936B1 (ko) 연료 공급 장치
JP6649464B2 (ja) 発電システム、管理装置および基板処理装置
JP2015117385A (ja) 負圧循環型微粉炭吹込み設備、並びにその冷却、パージ及びリークチェック方法
TW201917393A (zh) 具防結露單元之測試裝置及其應用之測試分類設備
CN109398769B (zh) 大型步入式载人航天器的常压热试验系统
JP2000510218A (ja) セラミック製フィルタの入口温度の制御
CN107576559A (zh) 一种用于高频疲劳试验中预防试样过热的冷却系统
JP2013167474A (ja) ハンドラー、及び部品検査装置
JP2013221911A (ja) ハンドラー、及び部品検査装置
JP4072250B2 (ja) Ｉｃ試験装置
JP4065059B2 (ja) Ｉｃ試験装置
JP6089410B2 (ja) ハンドラー、及び部品検査装置
CN113565801B (zh) 低温压缩机密封保温装置及其控制方法
TWI715014B (zh) 能源回收溫控結構及其應用之電子元件作業設備
CN114798591B (zh) 基于晶片清理仓的气压调控装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination