KR20080067485A - 액정 표시 장치 - Google Patents

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KR20080067485A
KR20080067485A KR1020070004854A KR20070004854A KR20080067485A KR 20080067485 A KR20080067485 A KR 20080067485A KR 1020070004854 A KR1020070004854 A KR 1020070004854A KR 20070004854 A KR20070004854 A KR 20070004854A KR 20080067485 A KR20080067485 A KR 20080067485A
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electrode
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이상헌
김병주
허철
김관수
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삼성전자주식회사
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Abstract

측면에서의 시야각을 개선할 수 있는 액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는, 서로 절연되어 교차하는 다수의 게이트선과 데이터선과, 상기 다수의 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에 형성된 다수 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며 각각 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 포함하는 다수의 화소를 포함하는 제1 기판과, 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성되어 있는 색필터와 및 상기 색필터 위에 형성되는 공통 전극을 포함하는 제2 기판 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함하는 액정 표시 장치로서, 상기 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 다른 각도를 갖도록 패터닝된다.
화소 전극, 공통 전극, 시야각, 액정 표시 장치

Description

액정 표시 장치{Liquid crystal display}
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 공통 전극 표시판의 배치도이다.
도 1c는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판과 도 1b의 공통 전극 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 2a는 도 1a의 Ⅱa-Ⅱa' 선에 대한 단면도이다.
도 2b는 도 1a의 Ⅱb-Ⅱb'선 및 Ⅱb'-Ⅱb''선에 대한 단면도이다.
도 2c는 도 1c의 Ⅱc-Ⅱc'선에 대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 계조 레벨에 따른 투과율을 나타낸 그래프이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10: 절연 기판 22: 게이트선
24: 게이트 끝단 25: 유지 전극
26: 게이트 전극 40: 반도체 패턴
55, 56: 저항성 접촉층 62: 데이터선
65: 소스 전극 66: 드레인 전극
68: 데이터 끝단 70: 보호막
74, 77, 78: 콘택홀 82a: 제1 화소 전극
82b: 제2 화소 전극 84: 보조 게이트 끝단
88: 보조 데이터 끝단 90: 공통 전극
92a, 92b: 절개부 94: 블랙 매트릭스
95: 색필터 96: 오버코트막
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 측면에서의 시야각을 개선할 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전계 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
그 중에서도 전계가 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 모드 액정 표시 장치는 대비비가 크고 넓은 기준 시야각 구현이 용이하여 각광받고 있다.
수직 배향 모드 액정 표시 장치에서 광시야각을 구현하기 위한 수단으로는 전계 생성 전극에 절개부를 형성하는 방법과 전계 생성 전극 위에 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 절개부와 돌기로 액정 분자가 기우는 방향을 결정할 수 있으므로, 이들을 사용하여 액정 분자의 경사 방향을 여러 방향으로 분산시킴으로써 기준 시야각을 넓힐 수 있다.
그러나 수직 배향 방식의 액정 표시 장치는 정면 시인성에 비하여 측면 시인성이 떨어지는 문제점이 있다. 이는 정면의 감마 곡선과 측면의 감마 곡선이 달라 계조간의 색 간격과 색 왜곡이 나타나게 된다. 예를 들면, 낮은 계조의 휘도가 급격히 상승하여 색의 왜곡이 발생하여 시인성이 떨어지게 된다.
이를 해결하기 위해 하나의 화소를 두 개의 서브 화소로 나누어 각각의 서브 화소에 전압을 다르게 인가하여 액정 분자의 각도를 조절하고 있다. 이 경우에는 시인성이 개선되는 효과가 있으나, 박막 트랜지스터가 2배로 필요하게 되고, 이로 인해 구조가 복잡해지며, 개구율이 감소된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 측면에서의 시야각을 개선할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는, 서로 절연되어 교차하는 다수의 게이트선과 데이터선과, 상기 다수의 게이 트선과 데이터선이 교차하는 부분에 형성된 다수 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며 각각 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 포함하는 다수의 화소를 포함하는 제1 기판과, 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성되어 있는 색필터와 및 상기 색필터 위에 형성되는 공통 전극을 포함하는 제2 기판 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함하는 액정 표시 장치로서, 상기 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 다른 각도를 갖도록 패터닝된다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있을 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것으로, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 1c는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판과 도 1b의 공통 전극 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2a는 도 1a의 Ⅱa-Ⅱa' 선에 대한 단면도이고, 도 2b는 도 1a의 Ⅱb-Ⅱb'선 및 Ⅱb'-Ⅱb''선에 대한 단면도이고, 도 2c는 도 1c의 Ⅱc-Ⅱc'선에 대한 단면도이다.
먼저 도 1a, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 상세하게 설명한다.
투명한 유리 등으로 이루어진 절연 기판 위에 게이트선(22)과 유지 전극(25)이 형성되어 있다. 게이트선(22)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 물리적, 전기적으로 서로 분리되어 있으며 게이트 신호를 전달하며, 각각 하나의 화소에 대하여 아래쪽에 배치되어 있다. 그리고, 게이트선(22)에는 각각 위로 돌출한 게이트 전극(26)이 형성되어 있고, 게이트선(22)의 끝에 연결되어 다른 층 또는 외부로부터 게이트 신호를 인가받아 게이트선(22)에 전달하는 게이트선 끝단(24)이 형성되어 있다. 게이트선 끝단(24)은 외부와의 연결을 위하여 면적이 넓으며 화소 영역에 대하여 왼쪽 또는 오른쪽에 배치되어 있다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 게이트선(22)은 하나의 게이트선 끝단(24)에 연결되어 외부로부터 게이트 신호를 인가받을 수도 있다.
유지 전극(25)은 게이트선(22)과 함께 형성되고, 추후 설명할 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)을 따라 역 U자 형태로 형성되어 있으며, 유지 전극(25)의 모양 및 배치는 여러 형태로 변형될 수 있다.
게이트선(22)과 유지 전극(25)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 따위로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트선(22)과 유지 전극(25)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 게이트선(22)과 유지 전극(25)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트선(22)과 유지 전극(25)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트선(22) 및 유지 전극(25) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon) 또는 다결정 규소 등으로 이루어진 반도체층(40)이 형성되어 있다. 반도체층(40)은 섬모양, 선형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있으며, 예를 들어 본 실시예에서와 같이 섬모양으로 형성될 수 있다.
반도체층(40)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항성 접촉층(55, 56)가 형성되어 있다. 저항성 접촉층은 반도체층(40) 위에 위치한다.
저항 접촉층(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 데이터선(62)과, 데이터선(62)에 대응하는 드레인 전극(66)이 형성되어 있다.
데이터선(62)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(22)과 교차하며 데이터 전압을 전달한다. 데이터선(62)에는 드레인 전극(66)을 향하여 뻗은 소스 전극(65)이 형성되어 있다. 그리고, 데이터선(62)의 끝에는 다른 층 또는 외부로부터 데이터 신호를 인가 받아 각각 데이터선(62)에 전달하는 데이터선 끝단(68)이 형성되어 있다. 이때, 데이터선 끝단(68)은 외부 회로와의 연결을 위하여 폭이 확장되어 있다. 그리고, 데이터선 끝단(68)은 위쪽 또는 아래쪽에 배치될 수 있으나, 본 실시예에서와 같이 데이터선 끝단(68)은 위쪽에 배치될 수 있다.
데이터선(62), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)은 크롬, 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속 따위의 하부막(미도시)과 그 위에 위치한 저저항 물질 상부막(미도시)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다. 다층막 구조의 예로는 앞서 설명한 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 또는 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막의 이중막 외에도 몰리브덴막-알루미늄막-몰리브덴막의 삼중막을 들 수 있다.
소스 전극(65)은 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩되고, 드레인 전극(66)은 게이트 전극(26)을 중심으로 소스 전극(65)과 대향하며 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩된다. 여기서, 앞서 언급한 저항성 접촉층은 그 하부의 반도체층(40)과, 그 상부의 소스 전극(65) 및 데이터선(62) 사이에 존재하며 접촉 저항 을 낮추어 주는 역할을 한다.
데이터선(62) 및 드레인 전극(66)과 노출된 반도체층(40) 부분의 위에는 보호막(70)이 형성되어 있다. 보호막(70)은 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 무기물, 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기물 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등으로 이루어진다. 또한, 보호막(70)은 유기막의 우수한 특성을 살리면서도 노출된 반도체층(40) 부분을 보호하기 위하여 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(70)에는 콘택홀(76)을 통하여 각각 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되어 있으며 화소 영역에 위치하는 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)이 형성되어 있다. 또한, 보호막(70) 위에는 콘택홀(74, 78)을 통하여 각각 게이트선 끝단(24)과 데이터선 끝단(68)과 연결되어 있는 보조 게이트선 끝단(84) 및 보조 데이터선 끝단(88)이 형성되어 있다. 여기서, 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)과 보조 게이트 및 데이터선 끝단(84, 88)은 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전체 또는 알루미늄 따위의 반사성 도전체로 이루어진다.
제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)은 콘택홀(76)을 통하여 드레인 전극(66)과 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(66)으로부터 서로 다른 데이터 전압을 인가 받는다.
데이터 전압이 인가된 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)은 상부 표시판의 공통 전극과 함께 전기장을 생성함으로써 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)과 공통 전 극 사이의 액정층의 액정 분자들의 배열을 결정한다.
또한 앞서 설명하였듯이, 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)과 공통 전극은 액정 축전기(미도시)를 이루어 박막 트랜지스터(미도시)가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지하며, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기와 병렬로 연결된 유지 축전기(미도시)는 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)과 유지 전극(25)의 중첩에 의해 만들어진다.
하나의 화소 전극을 이루는 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)은 소정의 간극(gap)(83)을 사이에 두고 서로 맞물려 있으며, 그 바깥 경계는 대략 사각형 형태이다. 제2 화소 전극(82b)은 회전한 등변 사다리꼴로서, 데이터선(62) 부근에 위치한 왼쪽 변과 그 맞은편의 오른쪽 변, 그리고 게이트선(22)과 대략 45°를 이루는 위쪽 빗변 및 아래쪽 빗변을 가진다. 제1 화소 전극(82a)은 제2 화소 전극(82b)의 빗변과 마주보는 한 쌍의 사다리꼴부와 제2 화소 전극(82b)의 왼쪽 변과 마주보는 세로부를 포함한다. 따라서 제1 화소 전극(82a)과 제2 화소 전극(82b) 사이의 간극(gap)은 대략 균일한 너비를 가지며, 게이트선(22)과 소정의 각도를 이루는 상부 사선부 및 하부 사선부와 이들 사이를 연결하는 세로부를 포함한다. 이때, 상부 사선부와 하부 사선부는 보통 게이트선(22)에 대하여 45°를 이루도록 형성되어 있다. 이하에서, 45°를 기준 각도라고 한다. 본 발명에서는 상부 사선부와 하부 사선부가 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 형성할 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 5°의 각도 차이를 갖는 것이 바람직하다. 이때, 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)의 크기 및 형태는 설계 요소에 따라서 다양하게 변화될 수 있다.
보조 게이트선 및 데이터선 끝단(84, 88)은 콘택홀(74, 78)을 통하여 게이트선(22)의 게이트선 끝단(24) 및 데이터선(62)의 각 데이터선 끝단(68)과 각각 연결된다. 보조 게이트선 및 데이터선 끝단(84, 88)은 게이트선(22)의 게이트선 끝단(24) 및 데이터선(62)의 데이터선 끝단(68)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 한다.
제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b), 보조 게이트선 및 데이터선 끝단(84, 88) 및 보호막(70) 위에는 액정층을 배향할 수 있는 배향막(미도시)이 도포되어 있다.
다음, 도 1b, 도 1c 및 도 2c를 참조로 하여, 공통 전극 표시판에 대하여 설명한다.
투명한 유리 등으로 이루어진 절연 기판(10)의 아래 면에 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(94)와 화소에 순차적으로 배열되어 있는 적색, 녹색, 청색의 색필터(95)가 형성되어 있고, 색필터(95) 위에는 유기 물질로 이루어진 오버코트막(96)이 형성되어 있다. 오버코트막(96)의 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있으며, 절개부(92a, 92b)를 가지는 공통 전극(90)이 형성되어 있다. 여기서, 블랙 매트릭스(94)는 게이트선(22)과 데이터선(62)에 대응하는 부분과 박막 트랜지스터에 대응하는 부분으로 형성될 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스(94)는 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)과 박막 트랜지스터 부근에서의 빛샘을 차단하기 위하여 다양한 모양을 가질 수 있다.
여기서, 공통 전극(90)은 제1 및 제2 화소 전극(82a, 82b)과 마주보며, 각 절개부(92a, 92b)는 게이트선(22)에 대하여 소정 각도를 이루는 사선부를 가지고 있다. 이때, 사선부는 보통 게이트선(22)에 대하여 대략 45°를 이루도록 형성되어 있다. 본 발명에서는 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 사선부를 형성할 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 5°의 각도 차이를 갖는 것이 바람직하다. 이때, 절개부(92a, 92b)는 도메인 규제 수단으로서 작용한다. 또한 도메인 규제 수단으로 절개부(92a, 92b) 대신 유기물 돌기를 형성하는 것도 가능하다.
공통 전극(90) 위에는 액정 분자들을 배향하는 배향막(미도시)이 도포될 수 있다.
도 1c는 도 1a의 박막 트랜지스터 표시판과 도 1b의 공통 전극 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도로서, 공통 전극(90)의 절개부(92a, 92b) 중 사선부는 제1 화소 전극(82a)과 제2 화소 전극(82b) 사이의 간극 중 상부 사선부 및 하부 사선부를 가운데에 끼고 배열된다.
이와 같은 구조의 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판을 정렬하여 결합하고 그 사이에 액정 물질을 주입하여 수직 배향하면 액정 표시 장치의 기본 구조가 마련된다. 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판을 정렬했을 때, 제1 화소 전극(82a)과 제2 화소 전극(82b) 사이의 간극과 공통 전극(90)의 절개부(92a, 92b)는 화소 영역을 다수의 소도메인으로 분할한다.
여기서, 적어도 하나의 절개부(92a, 92b)는 돌기나 함몰부로 대체할 수 있으며, 절개부(92a, 92b)의 모양 및 배치는 다양하게 변형될 수 있다.
본 발명에서는 액정이 배열되는 방향을 결정하는 화소 전극의 사선부와 공통 전극의 사선부의 각도를 조절하여 각각의 화소에서 액정이 배열되는 각도를 조절하 여 측면에서의 시인성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 서브 R, G 및 B 화소를 포함하는 단위 화소는 기준 각도를 갖도록 제1 및 제2 화소 전극과 공통 전극을 패터닝하고, 인접한 단위 화소는 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 제1 및 제2 화소 전극과 공통 전극을 패텅할 수 있다. 예를 들어, 한 행의 박막 트랜지스터와 연결되는 단위 화소들 중에서 홀수 단위 화소들을 기준 각도로 패터닝한 경우, 짝수 단위 화소들은 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 제1 및 제2 화소 전극과 공통 전극을 패텅할 수 있다. 이와 반대로, 짝수 단위 화소들을 기준 각도로 패터닝한 경우, 홀수 단위 화소들은 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 제1 및 제2 화소 전극과 공통 전극을 패텅할 수 있다.
이렇게 단위 화소들을 기준 각도와 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 패터닝하게 되면, 각각 4개의 도메인으로 분할되어 전체 8개의 도메인으로 분할된 효과가 나타나게 된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 계조 레벨에 따른 투과율을 나타낸 그래프로서, 제1 및 제2 화소 전극과 공통 전극을 기준 각도로 패터닝한 기존 구조와 제1 및 제2 화소 전극과 공통 전극을 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 패터닝한 개선 구조는 서로 다른 감마 곡선을 나타낼 수 있으며, 이를 통해 측면 시인성 왜곡량을 줄일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수 적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해되어야만 한다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 의하면, 화소 전극과 공통 전극의 패터닝 각도를 조절하여 측면에서의 시야각을 개선할 수 있다.

Claims (12)

  1. 서로 절연되어 교차하는 다수의 게이트선과 데이터선과, 상기 다수의 게이트선과 데이터선이 교차하는 부분에 형성된 다수 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며 각각 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 포함하는 다수의 화소를 포함하는 제1 기판과, 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성되어 있는 색필터와 및 상기 색필터 위에 형성되는 공통 전극을 포함하는 제2 기판 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함하는 액정 표시 장치로서,
    상기 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 다른 각도를 갖도록 패터닝된 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극을 구분하는 간극을 포함하며, 상기 간극은 상기 게이트선에 대하여 소정의 각도를 이루는 상부 사선부와 하부 사선부 및 이들 사이를 연결하는 세로부를 포함하는 액정 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 상부 사선부와 하부 사선부는 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 패터닝된 액정 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 사선부와 하부 사선부는 기준 각도에서 2 내지 5°의 각도 차이를 갖도록 패터닝된 액정 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기준 각도는 상기 게이트선에 대하여 45°를 이루는 각도인 액정 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 절개부를 포함하며,
    상기 절개부는 상기 게이트선에 대하여 소정 각도를 이루는 사선부를 포함하는 액정 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 사선부는 기준 각도에서 10° 이하의 각도 차이를 갖도록 패터닝된 액정 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 사선부는 기준 각도에서 2 내지 5°의 각도 차이를 갖도록 패터닝된 액 정 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기준 각도는 상기 게이트선에 대하여 45°를 이루는 각도인 액정 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 화소는 서브 R, G 및 B 화소를 포함하며,
    상기 다수의 화소는 교대로 번갈아 가면서 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 다른 각도를 갖도록 패터닝된 액정 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 다수의 화소 중에서 홀수 화소는 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 같은 각도를 갖도록 패터닝되며, 짝수 화소는 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 다른 각도를 갖도록 패터닝된 액정 표시 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 다수의 화소 중에서 홀수 화소는 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 다른 각도를 갖도록 패터닝되며, 짝수 화소는 제1 및 제2 화소 전극과 상기 공통 전극은 서로 같은 각도를 갖도록 패터닝된 액정 표시 장치.
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