KR20080065392A - 기판 지지 유닛, 기판 지지 방법 이를 포함하는 기판 처리장치 - Google Patents

기판 지지 유닛, 기판 지지 방법 이를 포함하는 기판 처리장치 Download PDF

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Abstract

기판지지 유닛은 제1 진공력으로 기판을 홀딩하는 리프트 핀 및 리프트 핀을 수용하는 개구가 형성되며, 리프트 핀이 개구에 수용될 때 개구에 형성된 제2 진공력을 이용하여 기판을 지지하는 스테이지를 포함한다. 따라서, 별도로 스테이지에 미끄럼 방지턱을 설치하지 않고 진공력을 이용하여 기판을 스테이지에 견고하게 고정시킴으로써 기판 처리 공정이 안전하게 진행될 수 있다.

Description

기판 지지 유닛, 기판 지지 방법 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT, METHOD OF SUPPORTING A SUBSTRATE AND APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE HAVING THE SAME}
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛에 포함된 리프트 핀이 상승한 상태를 도시한 단면도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛에 포함된 리프트 핀이 하강한 상태를 도시한 단면도이다.
도 2는 도1a에 도시된 리프트 핀들이 기판을 지지하는 상태를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판지지 유닛 110 : 리프트 핀
120 : 스테이지 125 : 개구
130 : 실링 부재 140 : 진공 펌프
141 : 진공 라인 145 : 제1 밸브
150 : 가스 공급부 151 : 가스 공급 라인
155: 제2 밸브
본 발명은 기판 지지 유닛, 기판을 지지하는 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 진공력을 이용하여 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 기판을 지지하는 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 박막을 형성하고, 상기 박막으로부터 전기적 특성을 갖는 박막 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 박막 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들에서는 웨이퍼를 지지하고, 고정시키는 척이 사용된다. 반도체 장치의 미세화 및 대용량화를 요구하는 웨이퍼 가공 기술에서는 매엽식 가공 공정 및 건식 가공이 선호됨에 따라 웨이퍼를 고정하는 방법도 크게 변하고 있다.
종래의 경우 단순히 클램프 또는 진공을 이용하여 웨이퍼를 고정시키는 척(chuck)이 주로 사용되고 있다. 특히, 플라즈마 방전을 이용한 식각 장비의 경우 상기 척과 상기 웨이퍼를 상승 또는 하강시키는 리프트 핀(lift pin)이 필수적인 장치로 사용되고 있다.
반도체 식각 장치에서 웨이퍼의 식각은 플라즈마에 의해 이루어지는데, 웨이퍼의 미끄러짐을 방지하기 위하여 상기 웨이퍼를 측면을 둘러싸는 미끄럼 방지턱이 척의 외측벽으로 돌출되어 형성된다. 하지만 상기 미끄럼 방지턱은 상기 웨이퍼와 물리적으로 접촉할 수 있으며, 이에 따라 웨이퍼의 손상 또는 오염등을 야기할 수 있다. 특히, 반도체 식각 장치가 웨이퍼의 가장자리의 상면 및 하면과, 측면의 이물질을 제거하는 데 이용될 경우, 상기 미끄럼 방지턱이 웨이퍼의 측면에 잔류하는 이물질을 제거하는 데 어려움이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 기판의 측면과의 접촉없이 기판의 슬라이딩을 억제할 수 있는 기판 지지 유닛을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판의 측면과의 접촉없이 기판의 슬라이딩을 억제할 수 있는 기판의 지지 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판의 측면과의 접촉없이 기판의 슬라이딩을 억제할 수 있는 기판 지지 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판지지 유닛은 기판에 제1 진공력을 제공하여 상기 기판을 홀딩하는 리프트 핀 및 상기 리프트 핀을 수용하는 개구가 형성되며, 상기 리프트 핀이 상기 개구에 수용될 때 상 기 개구에 형성된 제2 진공력을 이용하여 상기 기판을 지지하는 스테이지를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판 지지 유닛은 상기 개구의 내측벽과 상기 리프트 핀의 외벽 사이에 개재되어 상기 제2 진공력을 유지시키는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판 지지 유닛은 상기 리프트 핀에 형성된 홀과 연결되어, 상기 제1 진공력 및 제2 진공력을 형성하는 진공 펌프 및 상기 제2 진공력들을 감소시켜 상기 기판을 상기 스테이지로부터 분리시키기 위하여 상기 홀을 통해 상기 개구에 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 리프트 핀이 하강하여 상기 스테이지의 상면과 상기 기판이 접촉할 때, 상기 가스 공급부는 상기 홀을 통하여 상기 가스를 공급하여 상기 제1 진공력을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 리프트 핀이 상승하여 상기 스테이지의 상면과 상기 기판을 이격시키기 위하여 상기 가스 공급부는 상기 개구에 상기 가스를 공급하여 상기 제2 진공력을 감소시킬 수 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판을 지지하는 방법에 있어서, 제1 진공력으로 기판을 리프트 핀에 홀딩시킨다. 이후, 상기 리프트 핀을 하강시켜, 상기 기판을 스테이지에 접촉시킨다. 이후, 상기 스테이지에 형성된 개구에 제2 진공력을 형성하여 상기 기판을 상기 스테이지에 고정시킨다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법에 있어서 상기 제2 진공력을 감 소시켜, 상기 기판을 상기 스테이지로부터 이격시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법에 있어서, 상기 기판을 스테이지에 접촉시킨 후, 상기 제1 진공력을 감소시켜 상기 리프트 핀을 상기 기판으로부터 이격시킬 수 있다.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판지지 유닛은 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되며, 기판에 제1 진공력을 제공하여 상기 기판을 홀딩하는 리프트 핀, 상기 리프트 핀을 수용하는 개구가 형성되며, 상기 리프트 핀이 상기 개구에 수용될 때 상기 개구에 형성된 제2 진공력을 이용하여 상기 기판의 이면을 지지하는 스테이지, 상기 리프트 핀에 연결되어, 상기 제1 진공력 및 제2 진공력을 기판에 제공하는 진공 펌프 및 상기 제1 및 제2 진공력들을 감소시켜 상기 기판을 스테이지로부터 분리시키기 위하여 상기 개구에 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.
본 발명의 기판 지지 유닛, 기판 지지 방법 및 기판 처리 장치에 의하면 별도로 스테이지에 미끄럼 방지턱을 설치하지 않고 진공력을 이용하여 기판을 스테이지에 견고하게 고정시킴으로써 기판 처리 공정이 안전하게 진행될 수 있다. 그 결과 반도체 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 기판지지 유닛 및 기판지지 방법은 반도체 소자의 제조에 적극적으로 활용할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명 하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 리프트 핀, 스테이지, 실링 부재 등은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 될 것이다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판을 대상으로 한정하고 있지만, 유리 기판 등에도 본 발명의 실시예를 확장시킬 수도 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛에 포함된 리프트 핀이 상승한 상태를 도시한 단면도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛에 포함된 리프트 핀이 하강한 상태를 도시한 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛(100)은 리프트 핀(110) 및 스테이지(120)를 포함한다.
리프트 핀(lift pin) (110)은 반도체 기판(W)에 제1 진공력을 제공하여 상기 반도체 기판(W)을 홀딩한다. 리프트 핀(110)은, 예를 들면, 원기둥 형상을 가질 수 있다. 리프트 핀(110)에는 진공력을 반도체 기판(W)에 제공할 수 있는 홀(미도시)이 형성된다. 리프트 핀(110)은 상기 홀을 통하여 진공 펌핑에 연결되어 반도체 기판(W)에 제1 진공력을 제공한다. 따라서, 상승한 리프트 핀(110)은 반도체 기판(W)에 제1 진공력을 제공하여 반도체 기판(W)을 홀딩한다.
스테이지(stage)(120)는 반도체 기판(W)의 이면과 접촉하여 반도체 기판(W)을 전체적으로 지지한다. 스테이지(120)에는 상기 리프트 핀(110)을 수용할 수 있는 개구(125)가 형성된다. 개구(125)를 통하여 리프트 핀(110)은 상승하거나 하강할 수 있다.
한편, 스테이지(120)에 형성된 개구(125)에는 리프트 핀(110)이 스테이지(120)의 상면 아래로 하강할 경우, 스테이지(120)의 상면과 반도체 기판(W)의 이면이 상호 접촉하여 스테이지(120)가 반도체 기판(W)을 지지하고 개구(125) 내에 진공이 형성된다. 또한, 상기 개구(125) 내에 형성된 진공으로 인하여 제2 진공력이 발생하고 스테이지(120)는 상기 제2 진공력을 이용하여 반도체 기판(W)을 지지한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛(100)은 실링 부재(sealing member) (130)를 더 포함할 수 있다. 실링 부재(130)는 개구(125)의 내측벽과 리프트 핀(110)의 외벽 사이에 개재된다. 예를 들면, 실링 부재(130)는 개구(125)의 상부에 배치될 수 있다. 개구(125)의 상부에 배치된 실링 부재(130)는 상기 제2 진공력을 형성하는 공간을 확장시킬 수 있다. 실링 부재(130)는 탄성 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 실링 부재(130)는 러버(rubber)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛(100)은 진공 펌프(140) 및 가스 공급부(150)를 더 포함할 수 있다.
진공 펌프(140)는 리프트 핀(110)에 형성된 상기 홀과 연결되어 제1 진공력 및 제2 진공력을 발생한다. 진공 펌프(140)와 리프트 핀(110)의 상기 홀을 연결하는 진공 라인(141) 및 진공 라인(141)의 일부에는 제1 밸브(145)가 배치된다.
가스 공급부(150)는 리프트 핀(110) 및 개구(125)에 형성된 상기 제1 진공력 및 제2 진공력을 감소시켜, 반도체 기판(W)을 리프트 핀(110) 및 스테이지(120)로부터 분리시킨다. 가스 공급부(150)와 리프트 핀(110)의 상기 홀을 연결하는 가스 공급 라인(151) 및 가스 공급 라인(151)의 일부에는 제2 밸브(155)가 배치된다. 가스는 챔버의 내부에 공정 가스를 제거하기 위한 퍼지 가스(purge gas)를 포함한다. 예를 들면, 가스는 질소 가스 및 아르곤 가스를 포함할 수 있다.
이하, 진공 펌프(140) 및 가스 공급부(150)를 이용하여 반도체 기판(W)을 스테이지(120)에 안착시키는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
진공 펌프(140)가 가동되고 제1 밸브(145)가 오픈되고, 제2 밸브(155)는 클 로즈될 경우, 진공 라인(141) 및 상기 홀을 통하여 리프트 핀(110)이 제1 진공력을 이용하여 반도체 기판(W)을 홀딩한다. 이후, 반도체 기판(W)을 홀딩한 상태에서 리프트 핀(110)은 하강하여 반도체 기판(W)이 스테이지(120)의 상면과 접촉하게 된다. 이어서, 가스 공급부(150)가 가동되고 제1 밸브(145)가 클로즈되고, 제2 밸브(155)는 오픈될 경우, 가스는 가스 공급 라인(151) 및 상기 홀을 통하여 유동하게 되어 제1 진공력이 감소하게 됨에 따라 리프트 핀(110)과 반도체 기판(W)은 상호 분리된 후 계속하여 리프트 핀(110)은 하강한다. 따라서, 개구(125) 내에 후속하는 제2 진공력을 형성하기 위한 진공 공간이 제공된다.
이후, 진공 펌프(140)가 가동되고 제1 밸브(145)가 오픈되고, 제2 밸브(155)는 클로즈될 경우, 진공 라인(141) 및 상기 홀을 통하여 개구(125)에 형성된 제2 진공력을 이용하여 스테이지(120)가 반도체 기판(W)을 지지한다. 따라서, 제2 진공력에 의하여 스테이지(120)가 반도체 기판(W)을 견고하게 지지함에 따라 후속하는 기판 처리 공정에서 반도체 기판(W)의 슬라이딩을 억제할 수 있다.
반도체 기판(W)에 대한 처리 공정이 완료된 후, 가스 공급부(150)가 가동되고 제1 밸브(145)가 클로즈되고 제2 밸브(155)는 오픈될 경우, 가스는 가스 공급 라인(151) 및 상기 홀을 통하여 유동하게 되어 제2 진공력이 감소하게 됨에 따라 스테이지(120)와 반도체 기판(W)은 상호 분리 가능하게 된 후 리프트 핀(110)은 상승한다. 따라서, 리프트 핀(110)은 스테이지(120)로부터 반도체 기판(W)을 안전하게 언로딩시킬 수 있다.
도 2는 도1a에 도시된 리프트 핀들이 반도체 기판을 지지하는 상태를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 복수의 리프트 핀(110)들이 반도체 기판(W)을 홀딩한다. 예를 들면 세 개의 리프트 핀(110)이 반도체 기판(W)의 주변부를 각각 지지함으로써 반도체 기판(W)을 스테이지(120)에 안전하게 로딩할 수 있다.
이 경우, 복수의 리프트 핀(110)들은 각각 진공 펌프(140) 및 가스 공급부(150)에 병렬적으로 연결될 수 있다. 따라서, 하나의 진공 펌프(140) 및 하나의 가스 공급부(150)가 복수의 리프트에 병렬적으로 연결될 수 있으므로, 기판 지지 유닛(100)의 구성이 단순화될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛(100)은 진공 펌프(140) 및 가스 공급부(150)를 제어할 수 있는 제어부를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부는 진공 펌프(140), 가스 공급부(150) 및 제1 및 제2 밸브들(145, 155)을 제어하여 이들을 구동시킬 수 있다. 또한, 제어부는 리프트 핀(110)과 연결되어 리프트 핀(110)의 상승 및 하강을 제어할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1a, 1b 및 도 3을 참조하면, 챔버내로 반도체 기판(W)이 로딩된다. 이후, 리프트 핀(110)은 스테이지(120)에 형성된 개구(125)를 관통하여 상승한다. 리프트 핀(110)의 상단부는 반도체 기판(W)에 접촉한 후 제1 진공력을 이용하여 반도체 기판(W)을 리프트 핀(110)으로 홀딩한다.(S10) 이 경우, 진공 펌프(140)가 가동되고 제1 밸브(145)가 오픈되고 제2 밸브(155)는 클로즈되어, 진공 라인(141) 및 상기 홀을 통하여 리프트 핀(110)이 제1 진공력을 이용하여 반도체 기판(W)을 홀딩한다.
이어서, 리프트 핀(110)은 하강하여 반도체 기판(W)의 이면이 스테이지(120)의 상면과 접촉한다 (S20). 이때, 가스 공급부(150)가 가동되고 제1 밸브(145)가 클로즈되고, 제2 밸브(155)는 오픈될 경우, 가스는 가스 공급 라인(151) 및 상기 홀을 통하여 유동하게 되어 제1 진공력이 감소하게 됨에 따라 리프트 핀(110)과 반도체 기판(W)은 상호 분리된다. 계속하여 리프트 핀(110)은 개구(125)의 하부로 하강한다. 따라서, 개구(125) 내에 후속하는 제2 진공력을 형성하기 위한 진공 공간이 제공된다.
이후, 진공 펌프(140)가 가동되고 제1 밸브(145)가 오픈되고, 제2 밸브(155)는 클로즈될 경우, 진공 라인(141) 및 상기 홀을 통하여 개구(125)에 형성된 제2 진공력을 이용하여 스테이지(120)에 반도체 기판(W)을 고정한다(S30). 따라서, 제2 진공력에 의하여 스테이지(120)가 반도체 기판(W)을 견고하게 지지함에 따라 후속하는 기판 처리 공정에서 반도체 기판(W)의 슬라이딩을 억제할 수 있다.
반도체 기판(W)에 대한 처리 공정이 완료된 후, 가스 공급부(150)가 가동되고 제1 밸브(145)가 클로즈되고 제2 밸브(155)는 오픈될 경우, 가스는 가스 공급 라인(151) 및 상기 홀을 통하여 유동하게 되어 제2 진공력이 감소하게 됨에 따라 스테이지(120)와 반도체 기판(W)은 상호 분리 가능하게 된 후 리프트 핀(110)은 상승한다. 따라서, 리프트 핀(110)은 스테이지(120)로부터 반도체 기판(W)을 안전하게 언로딩시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버, 리프트 핀(110), 스테이지(120), 진공 펌프(140) 및 가스 공급부(150)를 포함한다.
챔버는 반도체 기판(W)을 수용하여 반도체 기판(W)을 처리하기 위한 공정을 수행하기 위한 공간을 제공한다.
리프트 핀(lift pin)(110)은 반도체 기판(W)에 제1 진공력을 제공하여 상기 반도체 기판(W)을 홀딩한다. 리프트 핀(110)은, 예를 들면, 원기둥 형상을 가질 수 있다. 리프트 핀(110)에는 진공력을 반도체 기판(W)에 제공할 수 있는 상기 홀이 형성된다. 리프트 핀(110)은 상기 홀을 통하여 진공 펌핑에 연결되어 반도체 기판(W)에 제1 진공력을 제공한다. 따라서, 상승한 리프트 핀(110)은 반도체 기판(W)에 제1 진공력을 제공하여 반도체 기판(W)을 홀딩한다.
스테이지(stage)(120)는 반도체 기판(W)의 이면과 접촉하여 반도체 기판(W)을 전체적으로 지지한다. 스테이지(120)에는 상기 리프트 핀(110)을 수용할 수 있는 개구(125)가 형성된다. 개구(125)를 통하여 리프트 핀(110)은 상승하거나 하강할 수 있다.
한편, 스테이지(120)에 형성된 개구(125)에는 리프트 핀(110)이 스테이지(120)의 상면 아래로 하강할 경우, 스테이지(120)의 상면과 반도체 기판(W)의 이면이 상호 접촉하여 스테이지(120)가 반도체 기판(W)을 지지하고 개구(125) 내에 진공이 형성된다. 또한, 상기 개구(125) 내에 형성된 진공으로 인하여 제2 진공력이 발생하고 스테이지(120)는 제2 진공력을 이용하여 반도체 기판(W)을 지지한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 유닛(100)은 실링 부재(sealing member) (130)를 더 포함할 수 있다. 실링 부재(130)는 개구(125)의 내측벽과 리프트 핀(110)의 외벽 사이에 개재된다. 예를 들면, 실링 부재(130)는 개구(125)의 상부에 배치될 수 있다. 개구(125)의 상부에 배치된 실링 부재(130)는 상기 제2 진공력을 형성하는 공간을 확장시킬 수 있다. 실링 부재(130)는 탄성 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 실링 부재(130)는 러버(rubber)를 포함할 수 있다.
진공 펌프(140)는 리프트 핀(110)에 형성된 상기 홀과 연결되어 제1 진공력 및 제2 진공력을 발생한다. 진공 펌프(140)와 리프핀의 상기 홀을 연결하는 진공 라인(141) 및 진공 라인(141)의 일부에는 제1 밸브(145)가 배치된다.
가스 공급부(150)는 리프트 핀(110) 및 개구(125)에 형성된 상기 제1 진공력 및 제2 진공력을 감소시켜, 반도체 기판(W)을 리프트 핀(110) 및 스테이지(120)로부터 분리시킨다. 가스 공급부(150)와 리프핀의 상기 홀을 연결하는 가스 공급 라인(151) 및 가스 공급 라인(151)의 일부에는 제2 밸브(155)가 배치된다. 가스는 챔버의 내부에 공정 가스를 제거하기 위한 퍼지 가스(purge gas)를 포함한다. 예를 들면, 가스는 질소 가스 및 아르곤 가스를 포함할 수 있다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버, 리프트 핀(110), 스테이지(120), 진공 펌프(140) 및 가스 공급부(150) 등을 운용함으로써 상기 반도체 기판(W)의 처리 공정 중 반도체 기판(W)이 스테이지로부터 미끄러지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 별도로 스테이지에 미끄럼 방지턱을 설치하지 않고 진공력을 이용하여 기판을 스테이지에 견고하게 고정시킴으로써 기판 처리 공정이 안전하게 진행될 수 있다.
언급한 바와 같이, 본 발명의 기판 지지 유닛, 기판 지지 방법 및 기판 처리 장치에 의하면 별도로 스테이지에 미끄럼 방지턱을 설치하지 않고 진공력을 이용하여 기판을 스테이지에 견고하게 고정시킴으로써 기판 처리 공정이 안전하게 진행될 수 있다. 그 결과 반도체 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 기판에 제1 진공력을 제공하여 상기 기판을 홀딩하는 리프트 핀; 및
    상기 리프트 핀을 수용하는 개구가 형성되며, 상기 리프트 핀이 상기 개구에 수용될 때 상기 개구에 형성된 제2 진공력을 이용하여 상기 기판을 지지하는 스테이지를 포함하는 기판 지지 유닛.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개구의 내측벽과 상기 리프트 핀의 외벽 사이에 개재되어 상기 제2 진공력을 유지시키는 실링 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리프트 핀에 형성된 홀과 연결되어, 상기 제1 진공력 및 제2 진공력을 형성하는 진공 펌프; 및
    상기 제2 진공력들을 감소시켜 상기 기판을 상기 스테이지로부터 분리시키기 위하여 상기 홀을 통해 상기 개구에 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  4. 제3항에 있어서, 상기 리프트 핀이 하강하여 상기 스테이지의 상면과 상기 기판이 접촉할 때, 상기 가스 공급부는 상기 홀을 통하여 상기 가스를 공급하여 상기 제1 진공력을 감소시키고, 상기 리프트 핀이 상승하여 상기 스테이지의 상면과 상기 기판을 이격시키기 위하여 상기 가스 공급부는 상기 개구에 상기 가스를 공급하여 상기 제2 진공력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 기판 지지 유닛.
  5. 기판에 제1 진공력을 제공하여 기판을 리프트 핀에 홀딩시키는 단계;
    상기 리프트 핀을 하강시켜, 상기 기판을 스테이지에 접촉시키는 단계; 및
    상기 스테이지에 형성된 개구에 제2 진공력을 형성하여 상기 기판을 상기 스테이지에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 지지 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 진공력을 감소시켜, 상기 기판을 상기 스테이지로부터 이격시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 지지 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 기판을 스테이지에 접촉시킨 후, 상기 제1 진공력을 감소시켜, 상기 리프트 핀을 상기 기판으로부터 이격시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 지지 방법.
  8. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며, 기판에 제1 진공력을 제공하여 상기 기판을 홀딩하는 리프트 핀; 및
    상기 리프트 핀을 수용하는 개구가 형성되며, 상기 리프트 핀이 상기 개구에 수용될 때 상기 개구에 형성된 제2 진공력을 이용하여 상기 기판의 이면을 지지하 는 스테이지;
    상기 리프트 핀에 연결되어, 상기 제1 진공력 및 제2 진공력을 기판에 제공하는 진공 펌프; 및
    상기 제1 및 제2 진공력들을 감소시켜 상기 기판을 스테이지로부터 분리시키기 위하여 상기 개구에 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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