KR20080062141A - 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광감지 소자영역, 게이트 전극, 층간 절연막, 금속배선의 하부 구조물이 구비된 반도체 기판상에 다수의 컬러 필터층을 연속하여 형성하는 단계와,상기 다수의 컬러 필터층 상에 오버코팅층을 형성하는 단계와, 상기 오버코팅층 상에서 상기 컬러 필터 각각에 대응하여 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 오버코팅층을 소정의 깊이로 식각하여 다수의 연결된 오버코팅층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 오버코팅층 패턴 상의 표면을 따라 상기 컬러 필터층 각각에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법에 관한 것이다.
씨모스 이미지 센서, 마이크로 렌즈
Description
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법을 설명하기 위한 공정 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
200 : 반도체 기판
210 : 청색 컬러필터 패턴
220 : 적색 컬러필터 패턴
230 : 녹색 컬러필터 패턴
240 : 오버코팅층
241 : 오버코팅층 패턴
250 : 마이크로 렌즈
본 발명은 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 및 그 형성 방법에 관한 것으로. 특히 마이크로 렌즈를 형성하는 과정에서 발생하는 파티클(particle)로 인한 패키지(package) 수율의 저하 문제를 해소할 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 장치로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device, CCD)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS) 이미지 센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소(pixel)의 개수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 이미지 센서는 외부로부터의 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부분 상부에 컬러필터가 배열되어 있으며, 컬러필터어레이(Color Filter Array, CFA)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 컬러로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 컬러로 이루어진다.
또한, 이미지 센서는 빛을 감지하는 광감지 부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지 부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거 할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다.
따라서, 광감도를 높여주기 위하여 광감지 부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지 부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 컬러필터 상에 마이크로렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 공정 단면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100)상에 도시하지 않았지만, 광감지 소자영역, 게이트 전극, 층간 절연막, 금속배선등 필요한 구성요소를 형성하고, 소자 보호막(passivation layer)(110)을 적층하고, 소자 보호막(110) 상에 청색 컬러필터 패턴(120), 적색 컬러필터 패턴(130) 및 녹색 컬러필터 패턴(140)을 순차적으로 형성한다.
다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이, 청색 컬러필터 패턴(120), 적색 컬러필터 패턴(130) 및 녹색 컬러필터 패턴(140) 상에 오버코팅층(overcoating layer)(150)을 형성하고, 오버코팅층(150) 상에 마이크로 렌즈 패턴(160)을 형성한다.
이어서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 마이크로 렌즈 패턴(160)에 대해 브리칭(bleaching)공정을 진행하고, 플로우(flow)시켜 마이크로 렌즈(170)를 형성한다.
하지만, 감광막을 이용한 마이크로 렌즈 패턴(160) 형성 후, 열적 플로우(thermal flow) 형태의 마이크로 렌즈 사용으로 인하여 웨이퍼의 이면을 백 그라 인드(back grind) 시 파티클(particle) 발생이 많고, 또는 다이 소잉(die sawing) 시 발생하는 파티클이 마이크로 렌즈에 흡착되어 쉽게 제거되지 않아 치명적인 파티클로 작용하여 패키지(package) 수율을 저하시키는 문제점이 있다.
전술한 문제를 해결하기 위해 본 발명은, 마이크로 렌즈를 형성하는 과정에서 발생하는 파티클(particle)로 인한 패키지(package) 수율의 저하 문제를 해소할 수 있는 씨모스 이미지 센서의 형성 방법을 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 마이크로 렌즈 사이의 간극이 존재하지 않아 광감지 소자 영역 밖에서 유도되는 빛에 대해서도 최종적으로 광감지 소자 영역 내부로 유도하여 광감응도를 개선할 수 있는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈를 제공하는 데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 광감지 소자영역, 게이트 전극, 층간 절연막, 금속배선의 하부 구조물이 구비된 반도체 기판상에 다수의 컬러 필터층을 연속하여 형성하는 단계와,상기 다수의 컬러 필터층 상에 오버코팅층을 형성하는 단계와, 상기 오버코팅층 상에서 상기 컬러 필터 각각에 대응하여 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 오버코팅층을 소정의 깊이로 식각하여 다수의 연결된 오버코팅층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 오버코팅층 패턴 상의 표면을 따라 상기 컬러 필터층 각각에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법을 제공한다.
본 발명에서, 상기 오버코팅층을 형성하는 단계에서, 상기 오버 코팅층은 산화막을 이용하여 PECVD(Plasma Enhanced Chamical Vapor Deposition) 방식으로 20 ~ 200℃의 온도에서 3000 ~ 8000Å 두께로 형성한다.
본 발명에서, 상기 오버코팅층 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 오버코팅층을 식각하는 소정의 깊이는 상기 오버코팅층 전체 두께에 40 ~ 50%의 깊이이다.
본 발명에서, 상기 마이크로 렌즈를 형성하는 단계에서, 상기 마이크로 렌즈는 상기 다수의 연결된 오버코팅층 패턴 상의 표면을 따라 질화막을 이용하여 PECVD 방식으로 20 ~ 200℃의 온도에서 2000 ~ 8000Å 두께로 형성한다.
또한, 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈는, 광감지 소자영역, 게이트 전극, 층간 절연막, 금속배선의 하부 구조물이 구비된 반도체 기판상의 연속하는 다수의 컬러 필터층과, 상기 컬러 필터 각각에 대응하여 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 오버코팅층이 소정의 깊이로 식각되여 형성된 다수의 연결된 오버코팅층 패턴과, 상기 오버코팅층 패턴 상의 표면을 따라 상기 컬러 필터층 각각에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈를 포함한다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법을 자세히 설명한다.
본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.
먼저, 도 2a를 참조하면, 도면에 도시하지는 않았지만 광감지 소자영역, 게 이트 전극, 층간 절연막, 금속배선 등의 하부 구조물이 구비된 반도체 기판(200)상에 다수의 컬러 필터층을 연속하여 형성한다. 이때, 다수의 컬러 필터층은 청색 컬러필터 패턴(210), 적색 컬러필터 패턴(220), 녹색 컬러필터 패턴(230)을 포함하여 구성될 수 있다.
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 다수의 컬러 필터층 상에 오버코팅층(240)을 형성한다. 여기서, 오버코팅층(240)은 산화막을 이용하여 PECVD(Plasma Enhanced Chamical Vapor Deposition) 방식으로 20 ~ 200℃의 온도에서 3000 ~ 8000Å 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 오버코팅층(240) 상에서 다수의 컬러 필터 각각에 대응하여 형성된 포토레지스트 패턴(미도시)을 이용하여 오버코팅층(240)에 대해 소정의 깊이로 식각하여 다수의 연결된 오버코팅층 패턴(241)을 형성한다. 이때, 오버코팅층(240)에 대해 식각하는 소정의 깊이는 오버코팅층(240) 전체 두께에 40 ~ 50%의 깊이로 식각하는 것이 적합하다.
다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이, 다수의 연결된 오버코팅층 패턴(241) 상의 표면을 따라 컬러 필터층 각각에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈(250)를 형성한다. 여기서, 마이크로 렌즈(250)는 다수의 연결된 오버코팅층 패턴(241) 상에 비교적 매우 견고한 물질의 질화막을 이용하여 PECVD 방식으로 20 ~ 200℃의 온도에서 2000 ~ 8000Å 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 질화막 대신 옥시 나이트라이드 물질을 이용할 수 있다.
따라서, 전술한 바와 같이, 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 물질로 통상적으 로 사용되는 감광막 대신 산화막으로 형성된 오버코팅층 상에 비교적 매우 견고한 질화막을 사용함으로써, 웨이퍼의 이면을 백 그라인드(back grind) 시 발생하는 파티클(particle) 또는 다이 소잉(die sawing) 시 발생하는 파티클이 마이크로 렌즈에 흡착되어 쉽게 제거되지 않아 치명적인 파티클로 작용하여 패키지(package) 수율을 저하시키는 문제를 해소할 수 있다.
또한, 마이크로 렌즈 사이의 간극이 존재하지 않아 광감지 소자 영역 밖에서 유도되는 빛에 대해서도 최종적으로 광감지 소자 영역 내부로 유도하여 광감응도를 개선할 수 있다.
지금까지 본 발명의 구체적인 구현예를 도면을 참조로 설명하였지만 이것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 평균적 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이고 발명의 기술적 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의하여 정하여지며, 도면을 참조로 설명한 구현예는 본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 얼마든지 변형하거나 수정할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 물질로 통상적으로 사용되는 감광막 대신 산화막으로 형성된 오버코팅층 상에 비교적 매우 견고한 질화막을 사용함으로써, 웨이퍼의 이면을 백 그라인드(back grind) 시 발생하는 파티클(particle) 또는 다이 소잉(die sawing) 시 발생하는 파티클이 마이크로 렌즈에 흡착되어 쉽게 제거되지 않아 치명적인 파티클로 작용하여 패키지(package) 수율을 저하시키는 문제를 해소할 수 있다.
또한, 마이크로 렌즈 사이의 간극이 존재하지 않아 광감지 소자 영역 밖에서 유도되는 빛에 대해서도 최종적으로 광감지 소자 영역 내부로 유도하여 광감응도를 개선할 수 있다.
Claims (8)
- 광감지 소자영역, 게이트 전극, 층간 절연막, 금속배선의 하부 구조물이 구비된 반도체 기판상에 다수의 컬러 필터층을 연속하여 형성하는 단계와,상기 다수의 컬러 필터층 상에 오버코팅층을 형성하는 단계와,상기 오버코팅층 상에서 상기 컬러 필터 각각에 대응하여 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 오버코팅층을 소정의 깊이로 식각하여 다수의 연결된 오버코팅층 패턴을 형성하는 단계와,상기 오버코팅층 패턴 상의 표면을 따라 상기 컬러 필터층 각각에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 오버코팅층을 형성하는 단계에서, 상기 오버 코팅층은 산화막을 이용하여 PECVD(Plasma Enhanced Chamical Vapor Deposition) 방식으로 20 ~ 200℃의 온도에서 3000 ~ 8000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 오버코팅층 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 오버코팅층을 식각하는 소 정의 깊이는 상기 오버코팅층 전체 두께에 40 ~ 50%의 깊이인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 마이크로 렌즈를 형성하는 단계에서, 상기 마이크로 렌즈는 상기 다수의 연결된 오버코팅층 패턴 상의 표면을 따라 질화막을 이용하여 PECVD 방식으로 20 ~ 200℃의 온도에서 2000 ~ 8000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법.
- 광감지 소자영역, 게이트 전극, 층간 절연막, 금속배선의 하부 구조물이 구비된 반도체 기판상의 연속하는 다수의 컬러 필터층과,상기 컬러 필터 각각에 대응하여 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 오버코팅층이 소정의 깊이로 식각되여 형성된 다수의 연결된 오버코팅층 패턴과,상기 오버코팅층 패턴 상의 표면을 따라 상기 컬러 필터층 각각에 대응하는 다수의 마이크로 렌즈를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈.
- 제 5 항에 있어서,상기 오버코팅층 패턴은 3000 ~ 8000Å 두께의 산화막인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈.
- 제 5 항에 있어서,상기 마이크로 렌즈는 2000 ~ 8000Å 두께의 질화막인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈.
- 제 5 항에 있어서,상기 오버코팅층 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 소정의 깊이로 식각된 오버 코팅층의 깊이는 40 ~ 50%의 깊이인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262458A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR20020037114A (ko) * | 2000-11-13 | 2002-05-18 | 윤종용 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| JP2007128966A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法、及びこれを用いて製造した固体撮像素子 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60262458A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR20020037114A (ko) * | 2000-11-13 | 2002-05-18 | 윤종용 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| JP2007128966A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法、及びこれを用いて製造した固体撮像素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080919 Effective date: 20091027 |