KR20080062077A - Method and apparatus for treating the substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 특징과 형상, 효과는 이하의 상세한 설명 및 특허청구범위, 그리고 첨부된 도면을 통하여 쉽게 이해할 수 있을 것이다.Features, shapes, and effects of the present invention will be readily understood from the following detailed description, claims, and appended drawings.
도 1a 및 1b는 금속라인들 사이에 형성된 갭을 채우는 모습을 나타내는 웨이퍼의 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views of a wafer showing a gap formed between metal lines.
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치를 포함하는 반도체 제조설비를 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a schematic view showing a semiconductor manufacturing apparatus including a substrate processing apparatus according to the present invention.
도 3은 도 2의 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a diagram schematically illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2.
도 4는 도 3의 제1 가스공급부재를 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a view schematically showing the first gas supply member of FIG. 3.
도 5는 도 3의 노즐을 개략적으로 나타내는 도면이다.5 is a view schematically illustrating the nozzle of FIG. 3.
도 6 및 도 7은 도 3의 지지부재를 개략적으로 나타내는 도면이다.6 and 7 are views schematically showing the support member of FIG. 3.
도 8은 도 3의 지지부재를 개략적으로 나타내는 사시도이다.8 is a perspective view schematically illustrating the support member of FIG. 3.
도 9는 도 7의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 구성한 단면도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 7.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다.10 is a flowchart showing a substrate processing method according to the first embodiment of the present invention.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다.11 is a flowchart showing a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다.12 is a flowchart showing a substrate processing method according to a third embodiment of the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
1 : 반도체 제조설비 10 : 기판처리장치(공정챔버)1: semiconductor manufacturing equipment 10: substrate processing apparatus (process chamber)
100 : 본체 130 : 도어100: body 130: door
200 : 지지부재 220 : 지지플레이트200: support member 220: support plate
240 : 구동축 260 : 구동기240: drive shaft 260: driver
280 : 제어기 300 : 제1 가스공급부재280: controller 300: the first gas supply member
400 : 커버 500 : 플라스마 생성부재400: cover 500: plasma generating member
600 : 제2 가스공급부재600: second gas supply member
본 발명은 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a method and apparatus for processing a substrate using plasma.
반도체 장치는 실리콘 기판 상에 많은 층들(layers)을 가지고 있으며, 이와 같은 층들은 증착공정을 통하여 기판 상에 증착된다. 이와 같은 증착공정은 몇가지 중요한 이슈들을 가지고 있으며, 이와 같은 이슈들은 증착된 막들을 평가하고 증착방법을 선택하는 데 있어서 중요하다.The semiconductor device has many layers on a silicon substrate, and these layers are deposited on the substrate through a deposition process. This deposition process has several important issues, which are important in evaluating the deposited films and selecting the deposition method.
첫번째는 증착된 막의 '질'(qulity)이다. 이는 조성(composition), 오염도(contamination levels), 손실도(defect density), 그리고 기계적·전기적 특성(mechanical and electrical properties)을 의미한다. 막들의 조성은 증착조건에 따라 변할 수 있으며, 이는 특정한 조성(specific composition)을 얻기 위하여 매우 중요하다.The first is the 'qulity' of the deposited film. This means composition, contamination levels, defect density, and mechanical and electrical properties. The composition of the films can vary depending on the deposition conditions, which is very important for obtaining a specific composition.
두번째는, 웨이퍼를 가로지르는 균일한 두께(uniform thickness)이다. 특히, 단차(step)가 형성된 비평면(nonplanar) 형상의 패턴 상부에 증착된 막의 두께가 매우 중요하다. 증착된 막의 두께가 균일한지 여부는 단차진 부분에 증착된 최소 두께를 패턴의 상부면에 증착된 두께로 나눈 값으로 정의되는 스텝 커버리지(step coverage)를 통하여 판단할 수 있다.The second is uniform thickness across the wafer. In particular, the thickness of the film deposited on the nonplanar pattern on which the step is formed is very important. Whether the thickness of the deposited film is uniform may be determined through step coverage defined by dividing the minimum thickness deposited on the stepped portion by the thickness deposited on the upper surface of the pattern.
증착과 관련된 또 다른 이슈는 공간을 채우는 것(filling space)이다. 이는 금속라인들 사이를 산화막을 포함하는 절연막으로 채우는 갭 필링(gap filling)을 포함한다. 갭은 금속라인들을 물리적 및 전기적으로 절연시키기 위하여 제공된다.Another issue with deposition is filling space. This includes gap filling between the metal lines with an insulating film including an oxide film. The gap is provided to physically and electrically insulate the metal lines.
도 1a 및 1b는 금속라인들(a) 사이에 형성된 갭을 채우는 모습을 나타내는 웨이퍼의 단면도이다. 도 1a 및 도 1b는 불완전한(incomplete) 갭 필링 과정을 보여주고 있다. 금속라인들(a) 사이의 갭은 절연막(b)으로 채워진다. 이때, 갭 내에 절연막(b)이 채워짐과 동시에, 갭 내의 상부에는 오버행들(overhang)(h)이 빵덩어리(breadloafing) 형태로 성장하며, 오버행(h)의 성장속도는 갭 내에 채워지는 절연막(b)의 성장속도보다 빠르다. 결국, 오버행(h)들은 서로 만나 갭의 상부를 폐쇄하여 갭 내에 보이드(void)를 형성하며, 절연막(b)이 갭 내에 증착되는 것을 방해한다. 형성된 보이드는 높은 접촉저항(contact resistance) 및 높은 면저항(sheet resistance)을 가져오며, 파손을 일으키기도 한다. 또한, 보이드는 처리액 또는 수분을 함유하여, 안정성 문제를 일으키기도 한다.1A and 1B are cross-sectional views of a wafer showing a gap formed between metal lines a. 1A and 1B show an incomplete gap filling process. The gap between the metal lines a is filled with the insulating film b. At this time, while the insulating film b is filled in the gap, an overhang h grows in the form of breadloafing in the upper portion of the gap, and the growth rate of the overhang h is an insulating film filled in the gap. It is faster than the growth rate of b). As a result, the overhangs h meet with each other to close the top of the gap to form voids in the gap, preventing the insulating film b from being deposited in the gap. The formed voids result in high contact resistance and high sheet resistance, and also cause breakage. In addition, the voids may contain a treatment liquid or water, causing stability problems.
고밀도 플라스마 화학기상증착(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition:HDPCVD) 방법은 플라스마를 이용하여 갭 내에 막을 증착하고, 막의 증착시 성장한 오버행을 에칭하며, 이후 다시 막을 증착하는 증착/에칭/증착 방법을 사용하여 보이드가 형성되는 것을 방지한다. 즉, 부분적으로 채워진 갭을 재형상화하여 갭을 개방시키고, 갭 내에 보이드가 형성되기 이전에 갭 내에 막을 증착시킨다. 이와 같은 방법은 큰 종횡비(Aspect Ratio:AR)를 가지는 갭 내에 보이드 없이 막을 증착시킬 수 있다.The High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDPCVD) method uses a deposition / etching / deposition method that deposits a film in a gap using plasma, etches overhang grown during deposition of the film, and then deposits the film again. To prevent the formation of voids. That is, the partially filled gap is reshaped to open the gap, and a film is deposited in the gap before voids are formed in the gap. This method can deposit a film without voids in a gap having a large Aspect Ratio (AR).
그러나, 이와 같은 종래의 기판처리장치는 균일도(uniformity) 문제를 고려하지 않았으므로, 생성된 플라스마는 웨이퍼 상에 불균일하게 공급되었으며, 웨이퍼 상에 증착된 막의 두께는 균일하지 않았다.However, such a conventional substrate processing apparatus did not take into account uniformity problems, so that the resulting plasma was unevenly supplied on the wafer, and the thickness of the film deposited on the wafer was not uniform.
앞서 본 바와 같이, 균일도는 증착공정과 관련된 중요한 이슈 중 하나이며, 불균일한 막은 금속배선(metal line) 상에서 높은 전기저항(electrical resistance)을 가져왔으며, 기계적인 파손의 가능성을 증가시켰다.As previously seen, uniformity is one of the important issues associated with the deposition process, and non-uniform films resulted in high electrical resistance on the metal line and increased the probability of mechanical failure.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 전면에 대하여 공정균일도를 증가시킬 수 있는 기판을 처리하는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method and apparatus for processing a substrate that can increase the process uniformity with respect to the entire surface of the wafer.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 상에 균일한 두께의 막을 증착할 수 있는 기판을 처리하는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method and apparatus for processing a substrate capable of depositing a film of uniform thickness on a wafer.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 장치의 성능을 향상시킬 수 있는 기판을 처리하는 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method and apparatus for processing a substrate that can improve the performance of a semiconductor device.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.Still other objects of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 고밀도 플라스마 화학기상증착(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition:HDPCVD) 방법을 이용하여 기판을 처리하는 방법은 공정챔버 내에 소스가스를 공급하고, 상기 소스가스를 여기시켜 플라스마를 생성한 후, 생성된 상기 플라스마를 이용하여 상기 공정챔버 내에 설치된 지지플레이트 상에 놓여진 기판에 막을 증착하며, 상기 기판에 상기 막이 증착되는 동안 상기 기판은 상기 지지플레이트와 함께 회전하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a method of treating a substrate by using a high-density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) method may be performed by supplying a source gas into a process chamber and exciting the source gas. After the plasma is generated, a film is deposited on a substrate placed on a support plate installed in the process chamber by using the generated plasma, and the substrate rotates together with the support plate while the film is deposited on the substrate. do.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 방법은 공정진행 전에 복수의 공정변수들을 설정하되, 상기 공정변수들은 상부에 기판이 놓여지는 지지플레이트의 회전변위를 포함하며, 공정진행시 상기 지지플레이트는 고정되는 것을 특징으로 한다.According to another embodiment of the present invention, a method of processing a substrate may include setting a plurality of process variables before the process proceeds, wherein the process variables include a rotational displacement of the support plate on which the substrate is placed, and the support during the process proceeds. The plate is fixed.
상기 지지플레이트는 상부에 상기 기판이 놓여지기 전에 설정된 상기 회전변위만큼 회전된 후 고정될 수 있다. 또한, 상기 지지플레이트는 상부에 상기 기판이 놓여진 후에 설정된 상기 회전변위만큼 회전된 후 고정될 수 있다.The support plate may be fixed after being rotated by the rotational displacement set before the substrate is placed thereon. In addition, the support plate may be fixed after being rotated by the rotational displacement set after the substrate is placed thereon.
상기 공정은 상기 공정챔버 내에 소스가스를 공급하고, 상기 소스가스를 여기시켜 플라스마를 생성한 후, 생성된 상기 플라스마를 이용하여 상기 기판의 패턴면에 막을 증착하는 고밀도 플라스마 화학기상증착(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition:HDPCVD) 공정일 수 있다.The process includes supplying a source gas into the process chamber, exciting the source gas to generate a plasma, and then depositing a film on the patterned surface of the substrate using the generated plasma (High-Density). Plasma Chemical Vapor Deposition (HDPCVD) process.
본 발명에 의하면, 기판처리장치는 공정이 이루어지며 일측에 기판이 출입하는 통로가 형성된 공정챔버, 상기 공정챔버 내에 설치되며 상기 기판이 놓여지는 지지플레이트, 상기 공정챔버의 바닥벽을 관통하여 상기 지지플레이트의 하부에 연결되며 회전가능한 구동축, 상기 공정챔버의 바닥벽과 상기 구동축 사이에 제공되며 상기 공정챔버 내부의 기밀을 유지하는 씰링부재, 상기 공정챔버 내에 설치되며 상기 공정챔버의 내부에 소스가스를 공급하는 가스공급부재, 상기 소스가스에 에너지를 인가하여 플라스마를 생성하는 플라스마 생성부재, 그리고 상기 공정챔버에 연결되어 상기 공정챔버 내부를 진공상태로 유지하는 배기부재를 포함한다.According to the present invention, the substrate processing apparatus is a process chamber is made of a process chamber is formed on the one side passage passage, the support chamber is installed in the process chamber, the substrate is placed, the support through the bottom wall of the process chamber A rotatable drive shaft connected to the lower part of the plate, a sealing member provided between the bottom wall of the process chamber and the drive shaft to maintain airtightness in the process chamber, and installed in the process chamber and source gas in the process chamber. It includes a gas supply member for supplying, a plasma generating member for generating energy by applying energy to the source gas, and an exhaust member connected to the process chamber to maintain the inside of the process chamber in a vacuum state.
상기 씰링부재는 마그네틱 씰(magnetic seal)일 수 있다.The sealing member may be a magnetic seal.
상기 장치는 상기 구동축을 기설정된 각도로 구동하는 제어기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a controller for driving the drive shaft at a predetermined angle.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 12를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 12. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.
이하에서는 기판의 일례로 웨이퍼(W)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정 되지 않는다. 또한, 이하에서는 증착 공정을 수행하는 기판처리장치(또는 공정챔버)(10)를 가지는 반도체 제조설비(1)를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 애싱 공정, 에칭 공정, 또는 세정 공정에 응용될 수 있다.Hereinafter, the wafer W will be described as an example of the substrate, but the present invention is not limited thereto. In addition, hereinafter, a
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치(10)를 포함하는 반도체 제조설비(1)를 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a diagram schematically showing a
도 2를 살펴보면, 반도체 제조설비(1)는 공정설비(2), 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module:EFEM)(3), 그리고 경계벽(interface wall)(4)을 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(3)은 공정설비(2)의 전방에 장착되어, 웨이퍼들(W)이 수용된 용기(도시안됨)와 공정설비(2) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(3)은 복수의 로드포트들(loadports)(60)과 프레임(frame)(50)을 가진다. 프레임(50)은 로드포트(60)와 공정 설비(2) 사이에 위치한다. 웨이퍼(W)를 수용하는 용기는 오버헤드 트랜스퍼(overhead transfer), 오버헤드 컨베이어(overhead conveyor), 또는 자동 안내 차량(automatic guided vehicle)과 같은 이송 수단(도시안됨)에 의해 로드포트(60) 상에 놓여진다. 용기는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 프레임(50) 내에는 로드포트(60)에 놓여진 용기와 공정설비(2) 간에 웨이퍼(W)를 이송하는 프레임 로봇(70)이 설치된다. 프레임(50) 내에는 용기의 도어를 자동으로 개폐하는 도어 오프너(도시안됨)가 설치될 수 있다. 또한, 프레임(50)에는 청정 공기가 프레임(50) 내 상부에서 하부로 흐르도록 청정 공기를 프레임(50) 내로 공급하는 팬필터 유닛(Fan Filter Unit:FFU)(도시안됨)이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 2, the
웨이퍼(W)는 공정설비(20) 내에서 소정의 공정이 수행된다. 공정설비(2)는 로드록 챔버(loadlock chamber)(20), 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)(30), 그리고 공정챔버(process chamber)(10)를 가진다. 트랜스퍼 챔버(30)는 상부에서 바라볼 때 대체로 다각의 형상을 가진다. 트랜스퍼 챔버(30)의 측면에는 로드록 챔버(20) 또는 공정챔버(10)가 위치된다. 로드록 챔버(20)는 트랜스퍼 챔버(30)의 측부들 중 설비 전방 단부 모듈(3)과 인접한 측부에 위치되고, 공정챔버(10)는 다른 측부에 위치된다. 로드록 챔버(20)는 공정 진행을 위해 공정설비(2)로 유입되는 웨이퍼들(W)이 일시적으로 머무르는 로딩 챔버(20a)와 공정이 완료되어 공정설비(2)로부터 유출되는 웨이퍼들(W)이 일시적으로 머무르는 언로딩 챔버(20b)를 가진다. 트랜스퍼 챔버(30) 및 공정챔버(10) 내부는 진공으로 유지되고, 로드록 챔버(20) 내부는 진공 및 대기압으로 전환된다. 로드록 챔버(20)는 외부 오염물질이 트랜스퍼 챔버(30) 및 공정챔버(10)로 유입되는 것을 방지한다. 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 사이, 그리고 로드록 챔버(20)와 설비 전방 단부 모듈(3) 사이에는 게이트 밸브(도시안됨)가 설치된다. 설비 전방 단부 모듈(3)과 로드록 챔버(20) 간에 웨이퍼(W)가 이동하는 경우, 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 사이에 제공된 게이트 밸브가 닫히고, 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 간에 웨이퍼(W)가 이동되는 경우, 로드록 챔버(20)와 설비 전방 단부 모듈(3) 사이에 제공되는 게이트 밸브가 닫힌다.The wafer W is subjected to a predetermined process in the
트랜스퍼 챔버(30) 내에는 이송 로봇(40)이 장착된다. 이송 로봇(40)은 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 로딩하거나 공정챔버(10)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩한다. 또한, 이송 로봇(40)은 공정챔버(10)와 로드록 챔버(20) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다.The
공정챔버(10)는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 공정, 예컨대 증착, 에칭과 같은 공정을 수행하며, 이하에서는 공정챔버(10)를 기판처리장치(10)로 부르기로 한다. 기판처리장치(10)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.The
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치(10)를 개략적으로 나타내는 정면도이다.3 is a front view schematically showing a
도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 대한 공정을 수행하기 위한 기판처리장치(10)는 상부가 개방된 원통형의 하부챔버와 하부챔버의 개방된 상부를 덮는 커버(400)를 포함하며, 하부챔버는 원통형의 본체(100), 본체(100)의 상단에 연결되는 제1 가스공급부재(300)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the
본 실시예에서 기판처리장치(10)를 이용하여 수행하는 공정은 증착 공정이며, 이하에서는 고밀도 플라스마 화학 기상 증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition:HDPCVD) 공정을 예로 들어 설명한다. 앞서 본 바와 같이, 고밀도 플라스마 화학 기상 증착 공정은 높은 밀도의 플라스마를 형성하여 금속배선들 사이에 형성된 갭 내에 막을 증착시키는 증착(deposition) 공정과, 갭 상부의 오버행들(overhang)을 에칭하는 에칭(etching) 공정을 포함한다. 갭의 상부에서 성장한 오버행들은 갭의 입구를 폐쇄하여 갭 내에 보이드(void)를 형성한다. 따라서, 에칭 공정을 통하여 오버행들을 제거함으로써, 갭 내에 보이드가 형성되는 것을 방지한다.In the present embodiment, the process performed using the
본체(100)의 내부공간에는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 지지부재(200)가 설치된다. 지지부재(200)는 정전기력을 이용하여 웨이퍼(W)를 고정할 수 있는 정전척(ESC)이 사용될 수 있으며, 선택적으로 기계적인 구조를 통하여 클램핑이 가능한 기계척 또는 진공으로 웨이퍼(W)를 흡착하는 진공척이 사용될 수 있다. 한편, 지지부재(200)에는 플라즈마 상태의 소스가스를 웨이퍼(W)로 유도할 수 있도록 바이어스 전원이 인가될 수 있다. 지지부재(200)에 대한 상세한 내용은 후술하기로 한다.The
다음으로, 본체(100)의 측벽에는 웨이퍼(W)가 드나들 수 있는 통로(122) 및 통로(122)와 연통되어 웨이퍼(W)가 본체(100)의 내부로 진입하는 입구(124)가 형성된다. 입구(124)의 단면적은 통로(122)의 단면적보다 크다. 웨이퍼(W)는 입구(124) 및 통로(122)를 통하여 본체(100)의 내부로 진입하거나 본체(100)의 외부로 빠져나간다.Next, a sidewall of the
입구(124) 상에는 입구(124)와 연결되는 통로(122)의 일단을 개폐하는 도어(130)가 설치된다. 도어(130)는 구동기(132)에 연결되며, 구동기(132)의 작동에 의하여 통로(122)의 길이방향과 대체로 수직한 방향으로 이동하면서 통로(122)의 일단을 개폐한다.The
본체(100)의 바닥벽에는 복수의 배기홀들(102)이 형성되며, 배기홀들(102)에는 각각 배기라인들(104)이 연결된다. 배기라인(104) 상에는 펌프(도시안됨)가 설치될 수 있다. 배기라인들(104)은 본체(100) 내부의 가스를 외부로 배출하기 위한 통로가 된다. 본체(100)의 내부에서 발생된 반응가스 및 미반응가스, 그리고 반응부산물 등은 배기라인들(104)을 통하여 본체(100)의 외부로 배출되며, 본체(100) 내부의 압력을 진공 상태로 유지하기 위하여 배기라인들(104)을 통하여 본체(100) 내부의 가스를 외부로 배출할 수 있다.A plurality of
본체(100)의 상단에는 증착 또는 식각공정을 수행할 수 있도록 본체(100)의 내부에 소스가스를 공급하는 제1 가스공급부재(300)가 제공된다. 제1 가스공급부재(300)는 가스분배링(320) 및 가스분배링(320)에 체결된 복수의 인젝터(340)를 구비한다.The upper end of the
도 4는 도 3의 제1 가스공급부재(300)를 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a diagram schematically illustrating the first
도 4에 도시한 바와 같이, 가스분배링(320)은 링 형상이며, 가스분배링(320) 상에는 안쪽에 배치된 제1 유로(322) 및 제1 유로(322)의 바깥쪽에 배치된 제2 유로(324)가 형성된다. 제1 소스가스가 흐르는 제1 소스가스라인(382)은 제1 유로(322)에 연결되며, 제1 소스가스라인(382)은 밸브(382a)에 의하여 개폐된다. 제2 소스가스가 흐르는 제2 소스가스라인(384)은 제2 유로(324)에 연결되며, 제2 소스가스라인(384)은 밸브(384a)에 의하여 개폐된다. 따라서, 제1 유로(322)에는 제1 소스가스가 흐르며, 제2 유로(324)에는 제2 소스가스가 흐른다. 제1 소스가스는 실 란(silane)(SiH4)을 포함하는 실리콘-함유(silicon-containing) 가스이며, 제2 소스가스는 산소(O2)를 포함하는 산소-포함(oxygen-containing) 가스이다.As shown in FIG. 4, the
가스분배링(320) 상에는 복수의 인젝터들(340)이 등간격으로 설치되며, 인젝터들(340)은 가스분배링(320)의 내측으로부터 가스분배링(320)의 중심을 향하여 돌출된다. 인젝터들(340)은 제1 내지 제3 인젝터(342, 344, 346)가 한 조를 이루며, 한 조를 이룬 제1 내지 제3 인젝터(342, 344, 346)가 복수개 제공된다. 제2 인젝터(344)는 제1 및 제3 인젝터(342, 346)의 사이에 배치되며, 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 제2 인젝터(344)를 기준으로 대칭되도록 배치된다. 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 제1 및 제3 라인(362, 366)을 통하여 각각 제1 유로(322)에 연결되며, 제2 인젝터(344)는 제2 라인(364)을 통하여 제2 유로(324)에 연결된다. 따라서, 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 제1 유로(322)를 흐르는 제1 소스가스를 공급하며, 제2 인젝터(344)는 제2 유로(324)를 흐르는 제2 소스가스를 공급한다.The plurality of
도 3에 도시한 바와 같이, 결합부재(150)는 가스분배링(320)과 대응되는 크기의 링 형상이고, 가스분배링(320)의 하단에 결합되어 제1 및 제2 유로(322, 324)를 외부로부터 폐쇄하며, 제1 및 제2 유로(322, 324) 내의 제1 및 제2 소스가스가 외부로 누설되는 것을 방지한다. 이를 위하여, 가스분배링(320)과 결합부재(150)의 사이에 오링(도시안됨)이 제공될 수 있다.As shown in FIG. 3, the
커버(400)는 제1 가스공급부재(300)의 상부에 결합되며, 본체(100)의 개방된 상부를 폐쇄한다. 커버(400)의 상부에는 본체(100) 내부로 공급되는 소스가스를 플라스마 상태로 만들기 위한 플라스마 생성부재(500)가 설치된다. 플라스마 생성부재(500)는 커버(400)의 상부에 제공되어 전자기장을 형성하는 코일(540) 및 코일(540)을 고정하는 고정체(520)를 가지며, 코일(540)에는 고주파전원(도시안됨)이 연결된다. 한편 커버(400)는 고주파 에너지가 전달되는 절연체 재료, 바람직하게는 산화 알루미늄과 세라믹 재질로 만들어진다.The
본 실시예에서는 코일(540)이 커버(400)의 상부에 제공되는 것으로 설명하고 있다. 그러나, 코일(540)의 위치는 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 본체(100)의 측면 또는 가스분배링(320)의 측면에 제공될 수 있다.In this embodiment, the
도 3에 도시한 바와 같이, 커버(400)의 중앙에는 제2 가스공급부재(600)가 설치된다. 제2 가스공급부재(600)는 본체(100)의 내부에 소스가스 및 세정가스를 공급한다. 제2 가스공급부재(600)는 제1 가스공급관(620) 및 제2 가스공급관(640)을 구비한다. 제1 가스공급관(620)은 커버(400)의 중앙에 연결되며, 제1 공급라인(622)을 통하여 공급된 세정가스를 본체(100)의 내부로 공급한다. 제1 공급라인(622)은 밸브(622a)를 이용하여 개폐한다. 제2 가스공급관(640)은 제1 가스공급관(620)의 내부에 설치되며, 제2 공급라인(642)을 통하여 공급된 소스가스를 본체(100)의 내부로 공급한다. 제2 공급라인(642)은 밸브(642a)를 이용하여 개폐한다. 제2 가스공급관(640)의 끝단에는 노즐(660)이 연결된다.As shown in FIG. 3, the second
도 5는 도 3의 노즐(660)을 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram schematically illustrating the
도 5에 도시한 바와 같이, 노즐(660)은 삽입관(662), 확산부재(664), 가이드판(666), 그리고 분사기(668)를 포함한다. 삽입관(662)은 속이 빈 원통 형상이며, 삽입관(662)의 상단은 제2 가스공급관(640)의 내부에 삽입연결되고, 삽입관(662)의 하단은 확산부재(664)에 연결된다. 확산부재(664)는 삽입관(662)의 하단으로부터 하부를 향하여 연장되며, 하부로 갈수록 횡단면의 단면적이 점차로 증가한다. 도 8에 도시한 바와 같이, 확산부재(664)의 외면은 원호(arc) 형상을 가진다. 확산부재(664)의 하단에는 가이드판(666)이 연결된다. 가이드판(666)은 확산부재(664)의 하단 면적보다 큰 면적을 가지는 원판 형상이다. 가이드판(666)의 하단 중앙에는 첨단 형상의 분사기(668)가 연결된다.As shown in FIG. 5, the
한편, 삽입관(662) 및 확산부재(664)의 중심에는 분사통로(663)가 형성된다. 분사통로(663)는 제2 가스공급관(640)과 대체로 나란하게 제공되며, 분사통로(663)의 내부에는 소스가스가 흐른다. 가이드판(666)의 중심에는 분사통로(663)와 연통되는 관통홀(665)이 형성되며, 관통홀(665)은 분사기(668)에 형성된 제1 및 제2 분사구(667a, 667b)와 연통한다. 따라서, 분사통로(663)를 통하여 유입된 소스가스는 관통홀(665)과 제1 및 제2 분사구(667a, 667b)을 통하여 지지부재(200)의 상부에 공급된다. 소스가스는 실란(silane)(SiH4)을 포함하는 실리콘-함유 가스이다.On the other hand, the
또한, 제1 가스공급관(620)의 내부를 흐르는 세정가스는 노즐(660)의 확산부재(664) 및 가이드판(666)의 표면을 따라 흐르며, 지지부재(200)의 상부로 확산된 다. 세정가스는 삼불화질소(NF3) 및 아르곤(Ar)을 포함한다. 세정가스는 공정완료 후 본체(100)의 내부를 세정하기 위하여 제공된다.In addition, the cleaning gas flowing inside the first
본 실시예에서는 인젝터(340)를 이용하여 본체(100) 내부의 가장자리 영역에 소스가스를 공급하며, 노즐(660)을 이용하여 본체(100) 내부의 중앙 영역에 소스가스를 공급하는 것으로 설명하고 있으며, 이는 웨이퍼(W)의 상부에 소스가스를 균일하게 공급하므로써 웨이퍼(W)의 전면(全面)에 대하여 공정이 균일하게 이루어지도록 하기 위함이다. 그러나, 이와 달리 소스가스를 인젝터(340)와 노즐(660) 중 어느 하나를 이용하여 공급할 수도 있다.In this embodiment, the source gas is supplied to the edge region inside the
도 6 및 도 7은 도 3의 지지부재(200)를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 8은 도 3의 지지부재를 개략적으로 나타내는 사시도이며, 도 9는 도 7의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 구성한 단면도이다.6 and 7 are views schematically showing the
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 지지부재(200)는 지지플레이트(220), 구동축(240), 구동기(260), 그리고 제어기(280)를 포함한다.As shown in FIGS. 6 and 7, the
웨이퍼(W)는 지지플레이트(220)의 상부에 지지플레이트(220)와 나란하게 놓여진다. 지지플레이트(220)는 알루미늄 재질이며, 이로 인하여 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴은 지지플레이트(220)와 반응할 가능성이 있다. 따라서, 세라믹 재질의 보호층(221)을 지지플레이트(220)의 상부면에 형성할 수 있으며, 세라믹 재질은 산 화알루미늄(aluminium oxide:Al2O3)를 포함한다.The wafer W is placed side by side with the
지지플레이트(220)의 하부에는 구동축(240)의 일단이 연결되며, 구동축(240)의 타단은 구동기(260)에 연결된다. 구동기(260)는 모터를 포함하는 회전장치이며, 외부로부터 인가된 전류에 의하여 회전력을 발생시킨다. 발생된 회전력은 구동축(240)에 전달되며, 구동축(240)은 지지플레이트(220)와 함께 회전한다.One end of the
구동축(240)과 본체(100)의 바닥벽 사이에는 씰링부재(241)가 제공된다. 씰링부재(241)는 본체(100) 내부의 기밀을 유지함과 동시에 구동축(240)의 회전이 가능하도록 돕는다. 씰링부재(241)는 마그네틱 씰(magnetic seal)을 포함한다.A sealing
구동기(260)는 제어기(280)에 연결되며, 제어기(280)는 구동기(260)의 동작을 제어한다. 제어기(280)는 구동기(260)의 회전속도, 회전량, 회전방향을 포함한 구동기(260)의 동작을 모두 제어할 수 있다.The
도 7에 도시한 바와 같이, 지지플레이트(220)의 내부에는 냉각가스가 흐르는 제1 냉각라인 및 냉각유체가 흐르는 제2 냉각라인(232)이 형성된다.As illustrated in FIG. 7, a first cooling line through which a cooling gas flows and a second cooling line through which a cooling fluid flows are formed in the
제1 냉각라인은 지지플레이트(220)의 상부에 놓여진 웨이퍼(W)의 배면에 냉각가스를 공급하며, 웨이퍼(W)는 냉각가스에 의하여 기설정된 온도로 냉각된다. 공정 중에는 고온의 열이 발생하며, 특히, 고밀도 플라스마 화학 기상 증착공정 중의 스퍼터링에 의한 에칭 공정에서 고온의 열이 발생한다. 이로 인하여 웨이퍼(W)의 온도가 상승할 수 있으며, 제1 냉각라인은 냉각가스를 이용하여 웨이퍼(W)를 냉각 시킨다.The first cooling line supplies a cooling gas to the rear surface of the wafer W placed on the
제1 냉각라인은 냉각가스유로(222), 분배라인(224), 그리고 복수의 분기라인들(226)을 포함한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 냉각가스유로(222)는 지지플레이트(220)의 중심에 형성되며, 냉각가스유로(222)의 하단은 구동축(240)의 중심에 형성된 냉각가스유로(242)의 상단과 연결된다. 분배라인(224)은 냉각가스유로(222)로부터 지지플레이트(220)의 반경방향으로 연장된다. 분기라인들(226)은 분배라인(224)으로부터 분기되어 지지플레이트(220)의 상부를 향하여 연장되며, 보호층(221) 상에 형성된 복수의 분출구들(228)에 각각 연결된다.The first cooling line includes a cooling
구동축(240)의 중심에 형성된 냉각가스유로(242)의 하단은 냉각가스라인(244)에 연결되며, 냉각가스라인(244) 내에는 웨이퍼(W)의 배면에 공급되는 냉각가스가 흐른다. 냉각가스는 불활성기체(inert gas)를 포함하며, 불활성기체는 헬륨(He)을 포함한다.A lower end of the cooling
냉각가스라인(244)을 통하여 냉각가스유로(242)에 공급된 냉각가스는 냉각가스유로(222) 및 분배라인(224)을 통하여 각각의 분기라인(226)으로 공급되며, 공급된 냉각가스는 분출구들(228)을 통하여 웨이퍼(W)의 배면에 공급된다.The cooling gas supplied to the cooling
도 8에 도시한 바와 같이, 복수의 지지돌기들(229)은 보호층(221)의 상부에 설치된다. 복수의 지지돌기들(229)은 지지플레이트(220)의 중심 및 중심을 기준으로 네방향에 등간격으로 배치되며, 지지플레이트(220)의 상부에 놓여진 웨이퍼(W)의 배면을 지지한다.As shown in FIG. 8, the plurality of
따라서, 웨이퍼(W)는 복수의 지지돌기들(229)에 의하여 지지되어 보호 층(221)의 상부면으로부터 일정거리 이격된 상태를 유지하며, 웨이퍼(W)는 배면에 공급된 냉각가스에 의하여 일정한 온도로 조절된다.Therefore, the wafer W is supported by the plurality of
제2 냉각라인(232)은 분배라인(224)의 하부에 위치하며, 도 9에 도시한 바와 같이, 제2 냉각라인(232)은 냉각가스유로(222)를 감싸도록 배치된 나선 형상이다. 제2 냉각라인(232)은 지지플레이트(220)의 온도를 기설정된 온도로 냉각한다. 앞서 말한 바와 같이, 증착공정, 특히 고밀도 플라스마 화학기상증착공정에서 발생한 고온의 열로 인하여 지지플레이트(220)의 온도가 상승할 수 있다. 따라서, 제2 냉각라인(232)을 이용하여 지지플레이트(220)를 냉각시킨다.The
도 7에 도시한 바와 같이, 제2 냉각라인(232)의 일단은 냉각유체공급라인(234)에 연결되며, 제2 냉각라인(232)의 타단은 냉각유체회수라인(236)에 연결된다. 냉각유체공급라인(234)은 냉각유체공급라인(234) 상에 설치된 밸브(234a)에 의하여 개폐된다. 냉각유체공급라인(234) 내에는 냉각유체가 흐르며, 제2 냉각라인(232)에 냉각유체를 공급한다. 냉각유체공급라인(234)을 통하여 공급된 냉각유체는 제2 냉각라인(232)을 따라 냉각유체회수라인(236)이 연결된 끝단까지 이동하면서 지지플레이트(220)를 기설정된 온도로 냉각한다. 이후, 냉각유체는 냉각유체회수라인(236)을 통해 회수되며, 회수된 냉각유체는 칠러(chiller)(도시안됨)를 통하여 일정 온도로 냉각된 이후에 냉각유체공급라인(234)으로 재공급될 수 있다.As shown in FIG. 7, one end of the
도 10 내지 도 12는 본 발명에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다. 이하, 도 10 내지 도 12를 참고하여 본 발명에 따른 기판처리방법을 상세히 설명하기로 한다.10 to 12 are flowcharts illustrating a substrate processing method according to the present invention. Hereinafter, the substrate treating method according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 10 to 12.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다.10 is a flowchart showing a substrate processing method according to the first embodiment of the present invention.
먼저, 웨이퍼(W)가 본체(100) 내의 지지부재(200) 상에 놓여진다. 구동기(132)에 의하여 도어(130)가 개방되면, 웨이퍼(W)는 통로(122)를 통하여 본체(100)의 내부로 유입되며, 지지부재(200) 상의 지지돌기(229) 상에 놓여진다. 앞서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 정전기력에 의하여 지지플레이트(220) 상에 고정될 수 있다.First, the wafer W is placed on the
다음, 제1 가스공급부재(300) 및 제2 가스공급부재(600)를 이용하여 웨이퍼(W)의 상부에 소스가스를 공급한다(S10). 제1 가스공급부재(300)의 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 실란을 포함하는 실리콘-함유 가스를 공급하며, 제2 인젝터(344)는 산소를 포함하는 산소-함유 가스를 공급한다. 또한, 제2 가스공급부재(600)의 노즐(660)은 실란을 포함하는 실리콘-함유 가스를 공급한다.Next, the source gas is supplied to the upper portion of the wafer W by using the first
다음, 웨이퍼(W)의 상부에 전자기장을 형성한다(S20). 코일(540)에 연결된 고주파전원을 작동시키면, 코일(540)에서 고주파 에너지가 발생되며, 발생된 에너지는 커버(400)를 통하여 웨이퍼(W)의 상부로 전달되어 웨이퍼(W)의 상부에 전자기장을 형성한다. 이때, 형성된 전자기장은 웨이퍼(W)의 상부에 공급된 실리콘-함유 가스 및 산소-함유 가스로부터 플라스마를 생성한다(S30).Next, an electromagnetic field is formed on the wafer W (S20). When the high frequency power source connected to the
다음, 지지플레이트(220) 상에 놓여진 웨이퍼(W)를 회전시킨다(S40). 구동기(260)를 작동하면, 구동기(260)는 구동축(240)을 회전시키며, 지지플레이트(220) 는 구동축(240)과 함께 회전한다. 따라서, 웨이퍼(W)도 지지플레이트(220)와 함께 회전한다. 생성된 플라스마는 회전하는 웨이퍼(W) 상에 공급되며, 웨이퍼(W)의 갭 내에는 막이 증착된다(S50).Next, the wafer W placed on the
이후, 앞서 설명한 바와 같이, 갭 상부에서 성장한 오버행을 제거하기 위한 에칭이 이루어지며, 에칭이 완료되면 동일한 방법으로 증착과정이 반복된다. 이와 같은 방법을 통하여 웨이퍼(W)의 갭은 채워진다.Thereafter, as described above, etching is performed to remove the overhang grown on the gap, and when the etching is completed, the deposition process is repeated in the same manner. Through this method, the gap of the wafer W is filled.
상술한 방법에 의하면, 생성된 플라스마를 회전하는 웨이퍼(W) 상에 공급하므로, 플라스마를 웨이퍼(W)의 전면에 대하여 균일하게 공급할 수 있다. 즉, 상술한 방법에 의하면, 웨이퍼(W) 상의 위치에 따라 플라스마가 불균일하게 공급되는 문제를 해결할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 지지플레이트(220)가 계속적으로 회전하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 지지플레이트(220)는 일정한 주기를 가지고 회전과 정지를 반복할 수 있으며, 정회전과 역회전을 반복할 수 있다.According to the above method, since the generated plasma is supplied onto the rotating wafer W, the plasma can be uniformly supplied to the entire surface of the wafer W. FIG. That is, according to the method mentioned above, the problem that a plasma is unevenly supplied according to the position on the wafer W can be solved. On the other hand, in the present embodiment has been described as the
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이며, 도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다.11 is a flowchart showing a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a flowchart showing a substrate processing method according to a third embodiment of the present invention.
본 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 기판처리방법은 웨이퍼(W)에 대한 공정이 이루어지기 이전에 공정변수들을 미리 설정하는 것을 특징으로 한다. 공정변수란 사용자가 의도한 공정결과를 얻기 위하여 조절할 수 있는 변수들을 말하며, 공정온도, 공정압력, 공정시간 등의 공정조건들을 포함한다.The substrate processing method according to the second and third embodiments of the present invention is characterized in that the process parameters are set in advance before the process for the wafer W is performed. Process variables refer to variables that can be adjusted by the user to obtain the intended process results, and include process conditions such as process temperature, process pressure, and process time.
본 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 처리방법은 공정변수에 지지플레이트의 회전변위를 포함시키며, 공정이 이루어지기 이전에 지지플레이트의 회전변위를 설정하는 것을 특징으로 한다. 이 점에서, 공정진행 중 웨이퍼(W)가 지지플레이트(220)와 함께 계속하여 회전되는 제1 실시예와 구별된다. 공정변수에 지지플레이트의 회전변위를 포함시키는 이유는 공정진행 중 웨이퍼(W)를 계속하여 회전시키는 이유와 동일하며, 웨이퍼(W)의 전면에 균일한 두께의 막을 증착하기 위한 것이다.The treatment method according to the second and third embodiments of the present invention includes the rotational displacement of the support plate in the process variable, and sets the rotational displacement of the support plate before the process is performed. In this respect, the wafer W is distinguished from the first embodiment in which the wafer W is continuously rotated together with the
본 발명의 제2 실시예는 웨이퍼(W)를 지지부재(200) 상에 놓기 이전에, 지지플레이트(220)를 설정된 회전변위만큼 회전시킨다(S110). 이는 지지플레이트(220)의 특성으로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것을 방지하기 위한 것이다.According to the second embodiment of the present invention, before placing the wafer W on the
예를 들면, 앞서 설명한 바와 같이, 지지부재(220) 내에는 제1 냉각라인 및 제2 냉각라인(232)이 설치되며, 제1 냉각라인 및 제2 냉각라인(232)은 각각 웨이퍼(W) 및 지지플레이트(220)를 냉각시킨다. 웨이퍼(W)의 전면에 증착되는 막의 두께는 온도의 영향을 받을 수 있으며, 제1 냉각라인 및 제2 냉각라인(232)의 배치에 따라 웨이퍼(W)의 온도는 불균일할 수 있으며, 웨이퍼(W)의 전면에 증착된 막의 두께는 불균일할 수 있다. 또한, 이밖에도 지지부재(220) 내에는 여러 가지의 불균일요소들이 있을 수 있으며, 이로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에는 불균일한 두께의 막이 증착될 수 있다.For example, as described above, the first cooling line and the
따라서, 동일한 패턴을 가진 복수의 웨이퍼들(W)에 대하여 지지플레이트(220)의 회전위치(회전변위)를 달리하여 반복적으로 공정을 수행한 이후에, 웨이 퍼들(W)의 전면에 증착된 막의 균일한 정도를 각각 비교한다. 비교결과에 따라, 웨이퍼(W)의 전면에 가장 균일한 두께의 막이 증착된 지지플레이트(220)의 회전위치(회전변위)인 최적위치를 데이터베이스에 저장하고, 공정진행 전 지지플레이트(220)를 회전위치(회전변위) 만큼 회전시켜 지지플레이트(220)를 최적위치에 배치시킨다.Therefore, after repeatedly performing the process by changing the rotation position (rotational displacement) of the
상술한 방법에 의하면, 반복적인 실험에 따라 지지플레이트(220)의 최적위치를 결정할 수 있으며, 공정진행 전 지지플레이트(220)를 최적위치로 회전시킨 상태에서 공정을 수행할 수 있으므로, 지지플레이트(220)의 불균일 요소로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.According to the above-described method, it is possible to determine the optimum position of the
이후, 지지플레이트(220)를 고정한 상태에서 지지플레이트(220) 상에 웨이퍼(W)를 올려 놓는다(S120). 이후의 단계는 도 10에 대한 설명과 동일하며, 다만 웨이퍼(W)는 도 10에 대한 설명과 달리 회전하지 않는다.Thereafter, the wafer W is placed on the
본 발명의 제3 실시예는 웨이퍼(W)를 지지부재(200) 상에 놓은 후(S210), 지지플레이트(220)를 설정된 회전변위만큼 회전시킨다(S220). 이는 웨이퍼(W)의 특성으로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것을 방지하기 위한 것이다.According to the third embodiment of the present invention, after placing the wafer W on the support member 200 (S210), the
사용자는 웨이퍼(W) 상에 다양한 형상의 패턴들을 형성한다. 이와 같은 패턴들은 완성된 반도체 장치가 사용자의 의도와 일치하는 전기적 특성을 가지도록 배치된다. 이와 같은 패턴들은 웨이퍼(W)의 전면에 대하여 비대칭적으로 또는 불균일 하게 배치되며, 패턴들의 형상으로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에는 불균일한 두께의 막이 증착될 수 있다.The user forms patterns of various shapes on the wafer (W). Such patterns are arranged such that the completed semiconductor device has electrical characteristics consistent with the intention of the user. Such patterns are arranged asymmetrically or nonuniformly with respect to the front surface of the wafer W, and a film having a non-uniform thickness may be deposited on the front surface of the wafer W due to the shape of the patterns.
따라서, 동일한 패턴을 가진 복수의 웨이퍼들(W)에 대하여 웨이퍼들(W)의 회전위치(회전변위)를 달리하여 반복적으로 공정을 수행한 이후에, 웨이퍼들(W)의 전면에 증착된 막의 균일한 정도를 각각 비교한다. 비교결과에 따라, 웨이퍼(W)의 전면에 가장 균일한 두께의 막이 증착된 웨이퍼(W)의 회전위치(회전변위)인 최적위치를 데이터베이스에 저장하고, 공정진행 전 웨이퍼(W)를 지지플레이트(220)에 올려놓은 상태에서 지지플레이트(220)를 회전위치(회전변위) 만큼 회전시켜 웨이퍼(W)를 최적위치에 배치시킨다.Therefore, after repeatedly performing the process by changing the rotational position (rotational displacement) of the wafers W with respect to the plurality of wafers W having the same pattern, the film deposited on the front surface of the wafers W Compare each degree of uniformity. According to the comparison result, the optimum position, which is the rotational position (rotational displacement) of the wafer W on which the film having the most uniform thickness is deposited on the entire surface of the wafer W, is stored in the database, and the wafer W is supported on the support plate before the process proceeds. The
상술한 방법에 의하면, 반복적인 실험에 따라 웨이퍼(W)의 최적위치를 결정할 수 있으며, 공정진행 전 지지플레이트(220)를 회전시켜 웨이퍼(W)를 최적위치로 회전시킨 상태에서 공정을 수행할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 불균일 요소로 인하여 웨이퍼(W)의 전면에 불균일한 두께의 막이 증착되는 것을 방지할 수 있다.According to the above method, it is possible to determine the optimum position of the wafer (W) according to the repetitive experiment, and to perform the process while rotating the
이후에 소스가스를 공급하여 생성된 플라스마를 이용하여 갭 내에 막을 증착하는 방법은 도 10 및 도 11에 대한 설명과 동일하며, 다만 웨이퍼(W)는 도 10에 대한 설명과 달리 회전하지 않는다.Subsequently, a method of depositing a film in the gap using the plasma generated by supplying the source gas is the same as that described with reference to FIGS. 10 and 11, except that the wafer W does not rotate unlike the description of FIG. 10.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, other forms of embodiments are possible. Therefore, the spirit and scope of the claims set forth below are not limited to the preferred embodiments.
본 발명에 의하면, 기판의 전면에 대하여 공정균일도를 증가시킬 수 있다.According to the present invention, the process uniformity can be increased with respect to the entire surface of the substrate.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 상에 균일한 두께의 막을 증착할 수 있다.According to the present invention, a film of uniform thickness can be deposited on the wafer.
본 발명에 의하면, 성능이 향상된 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, a semiconductor device having improved performance can be provided.
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