KR20080059800A - Device of driving organic electro-luminescence display device and method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 유기전계발광표시장치의 구동 장치를 도시한 도면.1 is a view illustrating a driving apparatus of a conventional organic light emitting display device.
도 2는 열화에 따른 휘도를 도시한 그래프.2 is a graph showing luminance according to deterioration.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 구동 장치를 도시한 도면.3 is a view illustrating a driving device of an organic light emitting display device according to the present invention;
도 4는 도 3의 유기전계발광표시장치의 구동 장치를 구동하기 위한 파형도.4 is a waveform diagram for driving a driving device of the organic light emitting display device of FIG. 3.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
TR1, TR2: 제어 박막트랜지스터 TR3: 포토 박막트랜지스터TR1, TR2: Controlled Thin Film Transistor TR3: Photo Thin Film Transistor
TR4: 구동 박막트랜지스터 C1, C2: 스토리지 캐패시터TR4: Driven Thin Film Transistor C1, C2: Storage Capacitor
OLED: 유기발광다이오드소자OLED: organic light emitting diode device
본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 특히 열화를 방지하고 개구율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치의 구동 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to a driving device and a method of driving the organic light emitting display device which can prevent degradation and improve an aperture ratio.
경박 단소를 갖는 평판표시장치(flat panel display device)가 널리 사용되고 있다. 상기 평판표시장치는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광표시장치 및 플라즈마디스플레이패널(plasma display panel)을 포함한다.BACKGROUND A flat panel display device having a light and thin end is widely used. The flat panel display device includes a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and a plasma display panel.
이 중에서, 유기전계발광표시장치는, 액정표시장치에 비해 자체 발광형이기 때문에 시야각, 콘트라스트비 등이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고 무게가 가벼우며 저소비전력을 갖는다.Among them, the organic light emitting display device has better self-emission type than the liquid crystal display device, and thus has excellent viewing angle, contrast ratio, and the like.
특히, 유기전계발광소자의 제조공정에는, 액정표시장치나 PDP(Plasma display Panel)와 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에, 공정이 매우 단순하다.In particular, in the manufacturing process of the organic light emitting device, since the deposition and encapsulation equipment are all different from the liquid crystal display device or the plasma display panel (PDP), the process is very simple.
도 1은 종래의 유기전계발광표시장치의 구동 장치를 도시한 도면으로서, 설명의 편의를 위해 단위 서브픽셀을 도시한다. 1 is a view illustrating a driving apparatus of a conventional organic light emitting display device, and illustrates unit subpixels for convenience of description.
도 1을 참조하면, 제1방향으로 게이트라인(GL)이 배치되어 있고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격된 데이터라인(DL) 및 전원공급라인(VDD)이 배치되어 있다.Referring to FIG. 1, a gate line GL is disposed in a first direction, and a data line DL and a power supply line VDD are spaced apart from each other in a second direction crossing the first direction.
상기 게이트라인(GL)과 상기 데이터라인(DL)의 교차에 의해 서브픽셀이 정의된다.The subpixel is defined by the intersection of the gate line GL and the data line DL.
상기 게이트라인(GL)과 상기 데이터라인이 교차하는 지점에는 제어 박막트랜지스터(TR1)가 접속되어 있다.The control thin film transistor TR1 is connected to the intersection of the gate line GL and the data line.
상기 제어 박막트랜지스터(TR1)는 상기 게이트라인(GL)으로 공급된 게이트신호에 의해 스위칭 제어되어 단위 서브픽셀을 선택하는 역할을 한다.The control thin film transistor TR1 is switched and controlled by a gate signal supplied to the gate line GL to select a unit subpixel.
예컨대, 상기 제어 박막트랜지스터(TR1)는 상기 게이트신호에 의해 턴온될 수 있다. For example, the control thin film transistor TR1 may be turned on by the gate signal.
상기 제어 박막트랜지스터(TR1)와 상기 전원공급라인(VDD)에는 스토리지 캐패시터(Cst)가 접속되어 있다.A storage capacitor Cst is connected to the control thin film transistor TR1 and the power supply line VDD.
상기 스토리지 캐패시터는 제어 박막트랜지스터(TR1)가 턴-온되어 상기 데이터라인(DL)으로 데이터신호가 공급되는 경우, 상기 데이터라인을 한 프레임동안 유지시켜주기 위해 충전하는 역할을 한다.The storage capacitor charges to maintain the data line for one frame when the control thin film transistor TR1 is turned on and the data signal is supplied to the data line DL.
상기 스토리지 캐패시터(Cst) 및 전력공급라인(P)에는 구동 박막트랜지스터(TR2)가 접속되어 있다.The driving thin film transistor TR2 is connected to the storage capacitor Cst and the power supply line P.
상기 구동 박막트랜지스터(TR2)는 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터신호에 상응하는 구동 전류를 상기 전원공급라인으로 공급된 공급 전압으로부터 생성한다.The driving thin film transistor TR2 generates a driving current corresponding to the data signal supplied to the data line DL from the supply voltage supplied to the power supply line.
상기 구동 박막트랜지스터(TR2)에는 유기발광다이오드소자(OLED)가 접속되어 있다. An organic light emitting diode element OLED is connected to the driving thin film transistor TR2.
상기 유기발광다이오드소자(OLED)는 상기 구동 박막트랜지스터(TR2)로부터 생성된 구동 전류에 상응하는 휘도를 갖는 광을 발광한다. The organic light emitting diode OLED emits light having a luminance corresponding to a driving current generated from the driving thin film transistor TR2.
이러한 종래의 유기전계발광표시장치에서 유기발광다이오드소자(OLED)는 한 프레임 단위로 발광하게 된다. In the conventional organic light emitting display device, the organic light emitting diode OLED emits light in one frame unit.
이를 위해 상기 구동 박막트랜지스터(TR2)의 게이트전극은 항상 메 프레임마다 하이 레벨 전압을 유지해야 하므로, 장시간 구동하는 경우 상기 구동 박막트랜지스터(TR2)에 열화가 발생하는 문제가 있다.To this end, since the gate electrode of the driving thin film transistor TR2 must maintain a high level voltage every frame every time, there is a problem in that the driving thin film transistor TR2 deteriorates when driving for a long time.
도 2에 도시한 바와 같이, 열화가 없는 구동 박막트랜지스터(TR2)에 의해 구동된 유기발광다이오드소자(OLED)의 휘도(A)에 비해 열화가 발생한 구동 박막트랜지스터(TR2)에 의해 구동된 유기발광다이오드소자(OLED)의 휘도(B)가 현저히 저하됨을 알 수 있다.As shown in FIG. 2, the organic light emitting diodes driven by the driving thin film transistor TR2 that have deteriorated compared to the luminance A of the organic light emitting diode elements OLED driven by the driving thin film transistor TR2 without deterioration. It can be seen that the luminance B of the diode device OLED is significantly reduced.
최근에 이러한 열화를 감소시키기 위한 연구가 진행되고는 있지만, 이러한 경우 박막트랜지스터가 많이 사용되게 되어 서브픽셀의 개구율을 감소시키는 문제가 있다.Recently, researches for reducing such deterioration have been conducted, but in this case, a thin film transistor is used a lot and there is a problem of reducing the aperture ratio of the subpixel.
본 발명은 열화를 방지할 수 있는 유기전계발광표시장치의 구동 장치 및 그 구동 방법을 제공함에 있다.The present invention provides a driving apparatus and a driving method thereof of an organic light emitting display device capable of preventing deterioration.
본 발명의 다른 목적은 박막트랜지스터의 개수를 줄여 개구율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치의 구동 장치 및 그 구동 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a driving apparatus and a driving method thereof of an organic light emitting display device capable of improving the aperture ratio by reducing the number of thin film transistors.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 유기전계발광표시장치의 구동 장치는, 게이트라인, 데이터라인 및 제1 노드에 접속된 제1 트랜지 스터; 상기 제1 노드, 제2 노드 및 제3 노드에 접속된 제2 트랜지스터; 상기 제1 노드 및 전원공급라인에 접속된 제3 트랜지스터; 상기 제2 노드, 상기 제3 노드 및 상기 전원공급라인에 접속된 제4 트랜지스터; 상기 제1 및 제3 노드에 접속된 제1 캐패시터; 상기 제2 노드 및 상기 전원공급라인에 접속된 제2 캐패시터; 및 상기 제3 노드에 접속된 유기발광다이오드소자를 포함하고, 상기 유기발광다이오드소자는 그 발광 지속 시간에 의해 휘도가 결정된다.According to a first embodiment of the present invention for achieving the above object, a driving device of an organic light emitting display device includes: a first transistor connected to a gate line, a data line and a first node; A second transistor connected to the first node, a second node, and a third node; A third transistor connected to the first node and a power supply line; A fourth transistor connected to the second node, the third node and the power supply line; A first capacitor connected to the first and third nodes; A second capacitor connected to the second node and the power supply line; And an organic light emitting diode element connected to the third node, the luminance of which is determined by the emission duration of the organic light emitting diode element.
본 발명의 제2 실시예에 따르면, 게이트라인, 데이터라인 및 제1 노드에 접속된 제1 트랜지스터와, 상기 제1 노드, 제2 노드 및 제3 노드에 접속된 제2 트랜지스터와, 상기 제1 노드 및 전원공급라인에 접속된 제3 트랜지스터와, 상기 제2 노드, 상기 제3 노드 및 상기 전원공급라인에 접속된 제4 트랜지스터와, 상기 제1 및 제3 노드에 접속된 제1 캐패시터와, 상기 제2 노드 및 상기 전원공급라인에 접속된 제2 캐패시터와, 상기 제3 노드에 접속된 유기발광다이오드소자를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동 장치의 구동 방법은, 상기 게이트라인으로 공급된 게이트신호에 의해 상기 제1 트랜지스터를 턴온하는 단계; 상기 제1 트랜지스터를 경유하여 상기 데이터라인으로 공급된 데이터신호를 제1 캐패시터에 충전하는 단계; 상기 전원공급라인으로부터 공급된 공급전압을 제2캐패시터에 충전하는 단계; 상기 제4 트랜지스터로부터 상기 공급전압에 상응하는 구동 전류를 생성하는 단계; 상기 구동 전류에 의해 상기 유기발광다이오드소자를 발광하는 단계; 상기 제3 트랜지스터로부터 상기 유기발광다이오드소자의 광의 세기에 상응하는 광 전류를 생성하는 단계; 상기 제1 캐패시터에 충전된 데이터신호를 상기 제3 트랜지스터를 경유하여 공급된 상기 공급전압으로 충전하는 단계; 상기 공급전압 중 소정의 전압에 의해 상기 제2 트랜지스터를 턴온하는 단계; 상기 제2 캐패시터에 저장된 상기 공급전압을 상기 제2 트랜지스터를 경유하여 방전시켜 상기 제4 트랜지스터를 턴오프하는 단계; 및 상기 제4 트랜지스터의 턴오프에 의해 상기 유기발광다이오드소자의 발광을 중지하는 단계를 포함한다.According to a second embodiment of the present invention, a first transistor connected to a gate line, a data line, and a first node, a second transistor connected to the first node, a second node, and a third node, and the first A third transistor connected to a node and a power supply line, a fourth transistor connected to the second node, the third node and the power supply line, a first capacitor connected to the first and third nodes, A driving method of a driving apparatus of an organic light emitting display device comprising a second capacitor connected to the second node and the power supply line, and an organic light emitting diode element connected to the third node, is supplied to the gate line. Turning on the first transistor by a gate signal; Charging a first capacitor with a data signal supplied to the data line via the first transistor; Charging a second capacitor with a supply voltage supplied from the power supply line; Generating a driving current corresponding to the supply voltage from the fourth transistor; Emitting the organic light emitting diode device by the driving current; Generating a photocurrent corresponding to the light intensity of the organic light emitting diode device from the third transistor; Charging the data signal charged in the first capacitor to the supply voltage supplied via the third transistor; Turning on the second transistor by a predetermined voltage among the supply voltages; Turning off the fourth transistor by discharging the supply voltage stored in the second capacitor via the second transistor; And stopping light emission of the organic light emitting diode device by turning off the fourth transistor.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 구동 장치를 도시한 도면으로서, 설명의 편의를 위해 단위 서브픽셀을 도시한다. 3 is a diagram illustrating a driving device of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 제1방향, 예컨대 가로 방향으로 게이트라인(GL)이 배치되어 있고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 예컨대 세로 방향으로 서로 이격된 데이터라인(DL) 및 전원공급라인(SL)이 배치되어 있다.Referring to FIG. 3, a data line DL and a power supply line are disposed in a first direction, for example, a horizontal direction, and are spaced apart from each other in a second direction, for example, a vertical direction, which intersects the first direction. SL is arrange | positioned.
상기 게이트라인(GL)과 상기 데이터라인(DL)의 교차에 의해 서브픽셀이 정의된다.The subpixel is defined by the intersection of the gate line GL and the data line DL.
상기 게이트라인(GL)과 상기 데이터라인이 교차하는 지점에는 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)가 접속되어 있다. 즉, 상기 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)는 게이트라인(GL), 데이터라인(DL) 및 제1 노드(n1)에 접속되어 있다. 상기 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)는 게이트전극이 게이트라인(GL)에 접속되고 소오스전극이 데이터라인(DL)에 접속되며 드레인전극이 제1 노드(n1)에 접속되어 있다.A first control thin film transistor TR1 is connected to a point where the gate line GL and the data line cross each other. That is, the first control thin film transistor TR1 is connected to the gate line GL, the data line DL, and the first node n1. The first control thin film transistor TR1 has a gate electrode connected to the gate line GL, a source electrode connected to the data line DL, and a drain electrode connected to the first node n1.
상기 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)는 게이트라인(GL)으로 공급된 게이트신호에 의해 스위칭 제어되어 단위 서브픽셀을 선택하는 역할을 한다. 예컨대, 상기 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)는 상기 게이트신호에 의해 턴온될 수 있다. 상기 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)가 턴온되는 경우, 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터신호가 상기 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)를 경유하여 제1 노드(n1)로 인가된다. The first control thin film transistor TR1 is switched and controlled by a gate signal supplied to the gate line GL to select a unit subpixel. For example, the first control thin film transistor TR1 may be turned on by the gate signal. When the first control thin film transistor TR1 is turned on, the data signal supplied to the data line DL is applied to the first node n1 via the first control thin film transistor TR1.
상기 제1 노드(n1)와 제3 노드(n3) 사이에 제1 스토리지 캐패시터(C1)가 접속되어 있다. 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)는 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 데이터 신호를 충전한다.A first storage capacitor C1 is connected between the first node n1 and the third node n3. The first storage capacitor C1 charges the data signal supplied to the data line DL.
상기 제1 노드(n1)와 상기 전원공급라인(SL) 사이에 포토 박막트랜지스터(TR3)가 접속되어 있다. 상기 포토 박막트랜지스터(TR3)는 게이트전극은 광 감지부의 역할을 하며 소오스전극이 전원공급라인(SL)에 접속되며 드레인전극이 제1 노드(n1)에 접속되어 있다. 상기 포토 박막트랜지스터(TR3)는 외부 광, 예컨대 유기발광다이오드소자(OLED)의 광을 감지하여 광의 세기에 상응하는 광 전류를 생성한다. A photo thin film transistor TR3 is connected between the first node n1 and the power supply line SL. The photo thin film transistor TR3 has a gate electrode serving as a light sensing unit, a source electrode connected to the power supply line SL, and a drain electrode connected to the first node n1. The photo thin film transistor TR3 senses external light, for example, light of the organic light emitting diode device OLED, and generates a light current corresponding to the light intensity.
상기 제1 내지 제3 노드(n1, n2, n3) 사이에 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)가 접속되어 있다. 상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)는 게이트전극이 제1 노드(n1)에 접속되고 소오스전극이 제2 노드(n2)에 접속되며 드레인전극이 제3 노드(n3)에 접속되어 있다. The second control thin film transistor TR2 is connected between the first to third nodes n1, n2 and n3. In the second control thin film transistor TR2, a gate electrode is connected to the first node n1, a source electrode is connected to the second node n2, and a drain electrode is connected to the third node n3.
상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)는 상기 제1 노드(n1)에 인가된 전압에 의해 스위칭 제어될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 박막트랜지스터(TR2)는 상기 제1 노드(n1)에 인가된 전압이 상기 제2 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압(Vth) 이상이 될 때 턴온될 수 있다. The second control thin film transistor TR2 may be controlled to be switched by a voltage applied to the first node n1. For example, the second thin film transistor TR2 may be turned on when the voltage applied to the first node n1 becomes equal to or greater than the threshold voltage Vth of the second thin film transistor TR2.
상기 전원공급라인(SL)과 제2 노드(n2) 사이에 제2 스토리지 캐패시터(C2)가 접속되어 있다. 상기 제2 스트로지 캐패시터(C2)는 상기 전원공급라인(SL)으로 공급된 공급전압을 충전한다.A second storage capacitor C2 is connected between the power supply line SL and the second node n2. The second storage capacitor C2 charges the supply voltage supplied to the power supply line SL.
상기 제2 및 제3 노드(n2, n3) 그리고 전원공급라인(SL) 사이에 구동 박막트랜지스터(TR4)가 접속되어 있다. 상기 구동 박막트랜지스터(TR4)는 게이트전극이 제2 노드(n2)에 접속되고 소오스전극이 전원공급라인(SL)에 접속되며 드레인전극이 제3 노드(n3)에 접속되어 있다. The driving thin film transistor TR4 is connected between the second and third nodes n2 and n3 and the power supply line SL. The driving thin film transistor TR4 has a gate electrode connected to the second node n2, a source electrode connected to the power supply line SL, and a drain electrode connected to the third node n3.
상기 구동 박막트랜지스터(TR4)는 제2 노드(n2)에 인가된 전압에 상응하는 구동 전류를 생성한다.The driving thin film transistor TR4 generates a driving current corresponding to the voltage applied to the second node n2.
제3 노드(n3)와 접지라인 사이에 유기발광다이오드소자(OLED)가 접속되어 있다. 상기 유기발광다이오드소자(OLED)는 상기 구동 박막트랜지스터(TR4)로부터 공급된 구동 전류에 의해 발광된다. An organic light emitting diode OLED is connected between the third node n3 and the ground line. The organic light emitting diode OLED emits light by a driving current supplied from the driving thin film transistor TR4.
상기 유기발광다이오드소자(OLED)는 상기 제3 노드(n3)에 접속된 애노드전극, 접지라인에 접속되는 캐소드전극 및 상기 캐소드전극과 애노드전극사이에 형성된 유기발광층으로 구성된다. 상기 유기발광층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode OLED includes an anode electrode connected to the third node n3, a cathode electrode connected to a ground line, and an organic light emitting layer formed between the cathode electrode and the anode electrode. The organic light emitting layer may include a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer.
상기 포토 박막트랜지스터(TR3)는 상기 유기발광다이오드소자(OLED)로부터 발광된 광을 감지하여 광의 세기에 상응하는 광 전류를 생성한다.The photo thin film transistor TR3 senses light emitted from the organic light emitting diode OLED and generates a photocurrent corresponding to the light intensity.
도 4를 참조하여 상기와 구성된 유기전계발광표시장치의 구동 장치의 동작을 설명한다.An operation of the driving device of the organic light emitting display device configured as described above will be described with reference to FIG. 4.
먼저, 제1 기간(S1)동안 게이트라인(GL)으로 로우 레벨 전압을 갖는 게이트신호(Vg)가 공급되며, 전원공급라인(SL)으로 로우 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)이 공급된다. First, the gate signal Vg having the low level voltage is supplied to the gate line GL during the first period S1, and the supply voltage VDD having the low level voltage is supplied to the power supply line SL.
제1 노드(n1)의 전압(Vn1)이 하이 레벨 전압을 가지게 되어 이러한 하이 레벨 전압에 의해 제2 제어 박막트랜지스터(T2)가 턴온된다. 상기 제1 노드(n1)의 전압(Vn1)은 포토 박막트랜지스터(TR3)의 스위칭 제어와 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 의해 결정될 수 있다. The voltage Vn1 of the first node n1 has a high level voltage, and the second control thin film transistor T2 is turned on by the high level voltage. The voltage Vn1 of the first node n1 may be determined by the switching control of the photo thin film transistor TR3 and the first storage capacitor C1.
원래, 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)에는 이전 프레임에서 상기 데이터라인(DL1)으로부터 공급된 로우 레벨 전압의 데이터 신호(Vd)가 충전되어 있다. 유기발광다이오드소자(OLED)가 발광되는 경우, 포토 박막트랜지스터(TR3)는 유기발광다이오드소자(OLED)의 광을 감지하여 그에 상응하는 광 전류를 생성한다. 이에 따라 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 충전된 로우 레벨 전압의 데이터 신호(Vd)는 전원공급라인(SL)으로 공급되어 상기 포토 박막트랜지스터(TR3)를 통해 공급된 하이 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)으로 충전되게 된다. 이와 같이 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 공급전압(VDD)이 서서히 충전되게 된다. Originally, the first storage capacitor C1 is charged with the data signal Vd of the low level voltage supplied from the data line DL1 in the previous frame. When the organic light emitting diode OLED emits light, the photo thin film transistor TR3 senses light of the organic light emitting diode OLED and generates a corresponding photo current. Accordingly, the data signal Vd of the low level voltage charged in the first storage capacitor C1 is supplied to the power supply line SL and has a supply voltage having the high level voltage supplied through the photo thin film transistor TR3. Charge to (VDD). As such, the supply voltage VDD is gradually charged to the first storage capacitor C1.
따라서, 상기 제1 노드(n1)의 전압(Vn1)이 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압에 도달할 때 상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)는 턴온된다. 이에 따라, 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3) 사이는 쇼트가 되어 구동 박막트랜지스터(TR4)의 게이트전극과 드레인전극이 공통 접속되게 된다. 이에 따라, 제3 노드(n3)는 과 드레 인전극은 유기발광다이오드소자(OLED)를 경유하여 접지라인에 접속되게 된다.Accordingly, when the voltage Vn1 of the first node n1 reaches the threshold voltage of the second control thin film transistor TR2, the second control thin film transistor TR2 is turned on. As a result, the second node n2 and the third node n3 are shorted so that the gate electrode and the drain electrode of the driving thin film transistor TR4 are commonly connected. Accordingly, the third node n3 and the drain electrode are connected to the ground line via the organic light emitting diode (OLED).
이때, 제2 스토리지 캐패시터(C2)에는 하이 전압 레벨을 갖는 공급전압(VDD)이 충전되어 있다. 하지만, 제2 스토리지 캐패시터(C2)에 충전된 하이 전압 레벨을 갖는 공급전압(VDD)은 제2 및 제3 노드(n2, n3)를 통해 유기발광다이오드소자(OLED)에 접속된 접지라인으로 방전되게 된다.At this time, the second storage capacitor C2 is charged with a supply voltage VDD having a high voltage level. However, the supply voltage VDD having the high voltage level charged in the second storage capacitor C2 is discharged to the ground line connected to the organic light emitting diode device OLED through the second and third nodes n2 and n3. Will be.
따라서, 상기 구동 박막트랜지스터(TR4)는 턴오프되게 된다.Therefore, the driving thin film transistor TR4 is turned off.
이에 대해서는 나중에 보다 상세히 설명한다.This will be described later in more detail.
따라서, 제1 기간(S1)동안 구동 박막트랜지스터(TR4)는 턴오프되어 유기발광다이오드소자(OLED)는 발광하지 않게 된다.Therefore, the driving thin film transistor TR4 is turned off during the first period S1 so that the organic light emitting diode OLED does not emit light.
제2 기간(S2)동안 게이트라인(GL)으로 하이 레벨 전압을 갖는 게이트신호(Vg)가 공급되고, 데이터라인(DL)으로 로우 레벨 전압을 갖는 데이터신호(Vd)가 공급되며, 전원공급라인(SL)으로 로우 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)이 공급된다. The gate signal Vg having the high level voltage is supplied to the gate line GL during the second period S2, the data signal Vd having the low level voltage is supplied to the data line DL, and the power supply line is supplied. The supply voltage VDD having the low level voltage is supplied to the SL.
상기 로우 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)은 제2 스토리지 캐패시터(C2)에 충전된다. The supply voltage VDD having the low level voltage is charged in the second storage capacitor C2.
이에 따라, 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)는 하이 전압 레벨을 갖는 게이트신호(Vg)에 의해 턴온되고 상기 제1 제어 박막트랜지스터(TR1)를 경유하여 상기 데이터라인(DL)으로 공급된 로우 레벨 전압을 갖는 데이터신호(Vd)가 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 충전된다. Accordingly, the first control thin film transistor TR1 is turned on by the gate signal Vg having the high voltage level and is supplied to the data line DL via the first control thin film transistor TR1. The data signal Vd is charged to the first storage capacitor C1.
이때, 포토 박막트랜지스터(TR3)는 유기발광다이오드소자(OLED)가 발광되지 않게 됨에 따라 광을 감지하지 못하게 되어 턴오프되어 있다. 상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)는 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 충전된 로우 레벨 전압을 갖는 데이터신호(Vd)에 의해 턴오프된다. At this time, the photo thin film transistor TR3 is turned off because the organic light emitting diode OLED does not emit light and thus cannot sense light. The second control thin film transistor TR2 is turned off by the data signal Vd having the low level voltage charged in the first storage capacitor C1.
제2 노드(n2)가 상기 제2 스토리지 캐패시터(C2)에 충전된 공급전압(VDD)에 의해 로우 레벨 전압을 유지하게 되므로, 구동 박막트랜지스터(T4)는 턴-오프된다.Since the second node n2 maintains the low level voltage by the supply voltage VDD charged in the second storage capacitor C2, the driving thin film transistor T4 is turned off.
제3 기간(S3)동안, 게이트라인(GL)으로 로우 레벨 전압을 갖는 게이트신호(Vg)가 공급되며, 전원공급라인(SL)으로 하이 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)이 공급된다.During the third period S3, the gate signal Vg having the low level voltage is supplied to the gate line GL, and the supply voltage VDD having the high level voltage is supplied to the power supply line SL.
상기 제2 스토리지 캐패시터(C2)에 하이 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)이 충전된다. 이에 따라, 구동 박막트랜지스터(TR4)는 상기 하이 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)에 의해 턴온되고 상기 하이 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)에 상응하는 구동 전류를 생성한다. 상기 구동 전류는 상기 유기발광다이오드소자(OLED)로 공급되어 상기 유기발광다이오드소자(OLED)가 발광된다.The second storage capacitor C2 is charged with a supply voltage VDD having a high level voltage. Accordingly, the driving thin film transistor TR4 is turned on by the supply voltage VDD having the high level voltage and generates a driving current corresponding to the supply voltage VDD having the high level voltage. The driving current is supplied to the organic light emitting diode (OLED) to emit the organic light emitting diode (OLED).
상기 유기발광다이오드소자(OLED)로부터 발광된 광의 세기는 포토 박막트랜지스터(TR3)에 의해 감지된다. 상기 포토 박막트랜지스터(TR3)는 상기 광의 세기를 감지하여 광의 세기에 상응하는 광 전류를 생성한다.The intensity of light emitted from the organic light emitting diode OLED is sensed by the photo thin film transistor TR3. The photo thin film transistor TR3 senses the light intensity and generates a photocurrent corresponding to the light intensity.
이에 따라 상기 포토 박막트랜지스터(TR3)를 경유하여 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 전원공급라인(SL)으로 공급된 공급전압(VDD)이 충전된다. 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)에는 이미 로우 레벨 전압을 갖는 데이터신호(Vd)가 충전되어 있으므로, 로우 레벨 전압을 갖는 데이터신호(Vd)가 하리 레벨 전압을 갖는 공급전 압(VDD)으로 충전되게 된다.Accordingly, the supply voltage VDD supplied to the power supply line SL is charged to the first storage capacitor C1 via the photo thin film transistor TR3. Since the data signal Vd having the low level voltage is already charged in the first storage capacitor C1, the data signal Vd having the low level voltage is charged with the supply voltage VDD having the low level voltage. do.
상기 로우 레벨 전압을 갖는 데이터신호(Vd)에서 상기 하이 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)으로 충전되는 동안, 상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압(Vth)이 위치하게 된다. While the data signal Vd having the low level voltage is charged to the supply voltage VDD having the high level voltage, the threshold voltage Vth of the second control thin film transistor TR2 is positioned.
상기 제1 노드(n1)는 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)의 전압에 의해 결정되므로, 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 충전되는 공급전압(VDD)이 상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압(Vth)이 되는 경우, 상기 제1 노드(n1) 또한 상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압(Vth)이 된다. 이러한 경우, 상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)는 턴온된다. Since the first node n1 is determined by the voltage of the first storage capacitor C1, a supply voltage VDD charged in the first storage capacitor C1 is applied to the second control thin film transistor TR2. When the threshold voltage Vth is reached, the first node n1 also becomes the threshold voltage Vth of the second control thin film transistor TR2. In this case, the second control thin film transistor TR2 is turned on.
상기 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)가 턴온됨에 따라 상기 제2 스토리지 캐패시터(C2)에 충전된 하이 레벨 전압을 갖는 공급전압(VDD)이 제2 및 제3 노드(n2, n3)를 통해 유기발광다이오드소자(OLED)에 접속된 접지라인으로 방전되게 된다.As the second control thin film transistor TR2 is turned on, the supply voltage VDD having the high level voltage charged in the second storage capacitor C2 is organic light-emitted through the second and third nodes n2 and n3. It is discharged to the ground line connected to the diode device (OLED).
따라서, 구동 박막트랜지스터(TR4)가 턴오프되게 되어 상기 구동 박막트랜지스터(TR4)로부터 더 이상 구동 전류가 생성되지 않게 된다. 그러므로, 상기 유기발광다이오드소자(OLED)는 발광되지 않게 된다.Therefore, the driving thin film transistor TR4 is turned off so that the driving current is no longer generated from the driving thin film transistor TR4. Therefore, the organic light emitting diode OLED does not emit light.
결국, 상기 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 충전된 데이터신호(Vd)의 레벨에 따라 제1 노드(n1)가 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압(Vth)에 도달하는 시간이 상이해지게 되고, 이에 따라 제2 박막트랜지스터(TR2)의 턴오프 시점이 달라지게 되어 결국 유기발광다이오드소자(OLED)의 발광 지속 시간을 조절할 수 있다. As a result, the time at which the first node n1 reaches the threshold voltage Vth of the second control thin film transistor TR2 is different depending on the level of the data signal Vd charged in the first storage capacitor C1. As a result, the turn-off time point of the second thin film transistor TR2 is changed so that the duration of light emission of the organic light emitting diode OLED may be adjusted.
본 발명은 유기발광다이오드소자(OLED)의 발광 지속 시간에 의해 유기발광다이오드의 휘도 레벨을 조절하게 된다. 즉, 유기발광다이오드소자(OLED)의 발광 지속 시간을 길게 하여 주는 경우, 유기발광다이오드소자(OLED)의 휘도는 증가하고, 반대로 유기발광다이오드소자(OLED)의 발광 지속 시간을 짧게 하여 주는 경우, 유기발광다이오드소자(OLED)의 휘도는 감소하게 된다.According to the present invention, the luminance level of the organic light emitting diode is controlled by the light emission duration of the organic light emitting diode (OLED). That is, when the emission duration of the organic light emitting diode OLED is increased, the luminance of the organic light emitting diode OLED is increased, and conversely, when the emission duration of the organic light emitting diode OLED is shortened, The luminance of the organic light emitting diode OLED is reduced.
이러한 유기발광다이오드소자(OLED)의 발광 지속 시간은 제1 스토리지 캐패시터(C1)에 충전되는 데이터신호(Vd)의 레벨을 이용하여 조절될 수 있다.The emission duration of the organic light emitting diode OLED may be adjusted by using the level of the data signal Vd charged in the first storage capacitor C1.
상기 제1 노드(n1)가 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압에 도달하는 시간은 적어도 한 프레임보다는 작아지도록 하기 위해 전원공급라인(SL)으로 공급된 공급전압(VDD)을 조절될 수 있다. The supply voltage VDD supplied to the power supply line SL may be adjusted so that the time at which the first node n1 reaches the threshold voltage of the second control thin film transistor TR2 is smaller than at least one frame. have.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의하면, 한 프레임동안 유기발광다이오드소자(OLED)를 발광시키는 대신, 제1 노드(n1)가 제2 제어 박막트랜지스터(TR2)의 문턱전압에 도달할 때까지만 유기발광다이오드소자(OLED)를 발광시킴으로써, 구동 박막트랜지스터(TR4)의 열화를 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, instead of emitting the organic light emitting diode OLED for one frame, the organic light emitting diode is organically maintained until the first node n1 reaches the threshold voltage of the second control thin film transistor TR2. By emitting light from the light emitting diode OLED, deterioration of the driving thin film transistor TR4 can be prevented.
본 발명에 의하면, 2개의 제어 박막트랜지스터, 하나의 포토 박막트랜지스터 및 하나의 구동 박막트랜지스터를 구비하여 줌으로써, 종래에 비해 박막트랜지스터의 개수를 줄여 주어 서브픽셀의 개구율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by providing two control thin film transistors, one photo thin film transistor, and one driving thin film transistor, the number of thin film transistors can be reduced compared to the prior art, thereby improving the aperture ratio of the subpixel.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니 하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
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|---|---|---|---|---|
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