KR101142786B1 - AMOLED and driving method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 디스플레이장치와 그 구동방법에 관한 것으로서, 특히 구동용 박막트랜지스터의 열화를 방지할 수 있도록 개선된 화소구조와 이에 따른 구동방법을 가지는 유기전계 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a driving method thereof, and more particularly to an organic light emitting display device having an improved pixel structure to prevent degradation of a driving thin film transistor and a driving method thereof.
이러한 목적의 본 발명은, 유기전계 발광다이오드와; 제1스캔신호에 응답하여 데이터를 출력하는 제1스위칭소자와; 제2스캔신호에 응답하여 구동전압을 출력하는 제2스위칭소자와; 상기 제1스위칭소자로부터 입력된 데이터에 응답하여 상기 유기전계 발광다이오드에 전류를 공급하는 제3스위칭소자와; 상기 제3스위칭소자에 공급되는 데이터를 저장하는 저장소자를 포함하는 유기전계 발광 디스플레이 장치로 제안되며, 지속적인 동일 극성의 데이터 인가에 의해 점차 열화되는 특성을 가지는 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 열화에 의한 특성변화를 회복하도록 하는 구동특징이 있다. The present invention for this purpose, the organic light emitting diode; A first switching element configured to output data in response to the first scan signal; A second switching element configured to output a driving voltage in response to the second scan signal; A third switching device for supplying current to the organic light emitting diode in response to data input from the first switching device; It is proposed as an organic light emitting display device including a reservoir for storing data supplied to the third switching element, and changes in characteristics due to deterioration of an amorphous silicon thin film transistor having a characteristic gradually deteriorated by continuous data application of the same polarity. There is a driving feature to recover.
Description
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 유기전계 발광 디스플레이 장치의 화소구조를 도시한 화소구조도1 is a pixel structure diagram illustrating a pixel structure of a conventional active matrix organic electroluminescent display device.
도 2는 도 1의 화소구조의 패널 구동을 위한 스캔신호 타이밍도2 is a scan signal timing diagram for driving a panel of the pixel structure of FIG.
도 3은 박막트랜지스터의 열화에 따른 문턱전압(Vth) 변화를 도시한 그래프3 is a graph illustrating a change in threshold voltage (Vth) according to deterioration of a thin film transistor
도 4는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이장치의 화소구조를 도시한 화소구조도4 is a pixel structure diagram illustrating a pixel structure of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이장치의 구동을 위한 신호 타이밍도5 is a signal timing diagram for driving an organic light emitting display device according to the present invention.
도 6은 도 5는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이장치의 구동방법을 설명하기 위한 흐름도6 is a flowchart illustrating a method of driving an organic light emitting display device according to the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이장치의 구동에 의한 문턱전압(Vth) 변화를 도시한 그래프7 is a graph showing a change in the threshold voltage (Vth) by the drive of the organic light emitting display device according to the present invention
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>
T1 : 제1스위칭소자 T2 : 제2스위칭소자T1: first switching element T2: second switching element
T3 : 제3스위칭소자 OLED : 유기전계 발광다이오드T3: third switching element OLED: organic light emitting diode
VDD: 구동전압 D : 데이터VDD: drive voltage D: data
SC1, SC2 : 제1, 제2스캔신호 C : 커패시터SC1, SC2: first and second scan signals C: capacitor
본 발명은 디스플레이장치와 그 구동방법에 관한 것으로서, 특히 구동용 박막트랜지스터의 열화를 방지할 수 있도록 개선된 화소구조와 이에 따른 구동방법을 가지는 유기전계 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
요즈음 많이 사용되고 있는 디스플레이 장치인 액티브 매트릭스 액정 디스플레이(AMLCD; Active Matrix Liquid Crystal Display) 장치는 경박, 저 소비 전력의 특성을 가지고 있지만, 자체의 발광 특성이 없으므로 백라이트(backlight)를 이용해야 한다는 단점이 있다. The active matrix liquid crystal display (AMLCD) device, which is a display device that is widely used these days, has the characteristics of low light and low power consumption, but has a disadvantage of using a backlight because it does not have its own light emitting property. .
AMLCD의 단점을 해소하기 위한 디스플레이 장치가 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 장치인데, 유기 EL(electro luminescence) 디스플레이 장치의 EL은 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광성 디스플레이 장치로서, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점을 갖는다.A display device for solving the drawbacks of AMLCD is an active matrix organic EL display device. The EL of an organic electroluminescence (EL) display device is a self-luminous display device that electrically excites fluorescent organic compounds to emit light. It is possible and has advantages such as thinness.
도 1은 종래의 액티브 매트릭스 유기전계 발광 디스플레이 장치의 화소구조를 나타내는 것으로, 2-트랜지스터 1 커패시터의 화소 구조를 도시하고 있다. 1 illustrates a pixel structure of a conventional active matrix organic electroluminescent display device, and illustrates a pixel structure of a two-transistor one capacitor.
스캔라인(S)과 데이터라인(D) 사이에 스위칭용NMOS트랜지스터(N1), 커패시터(C), 전류구동용NMOS트랜지스터(N2) 및 유기전계 발광소자(OLED)를 구비하여 구성되어 있다. 여기서 상기 각 트랜지스터(N1, N2)는 비정실 실리콘(a-Si:H)으로 제작된 박막트랜지스터(TFT)이다.A switching NMOS transistor (N1), a capacitor (C), a current driving NMOS transistor (N2), and an organic light emitting diode (OLED) are provided between the scan line (S) and the data line (D). The transistors N1 and N2 are thin film transistors TFT made of amorphous silicon (a-Si: H).
상기 스위칭용NMOS트랜지스터(N1)의 게이트는 스캔라인(S)에 연결되고, 소스는 데이터라인(D)에 연결되어 있다. 커패시터(C)의 일 측은 상기 스위칭용NMOS트랜지스터(N1)의 드레인에 연결되고 타 측은 접지(GND)되어 있다. The gate of the switching NMOS transistor N1 is connected to the scan line S, and the source is connected to the data line D. One side of the capacitor C is connected to the drain of the switching NMOS transistor N1 and the other side is grounded (GND).
전류구동용NMOS트랜지스터(N2)의 드레인은 구동전압(VDD)이 인가되는 유기전계발광소자(OLED)의 캐소드와 연결되고, 게이트는 상기 스위칭용NMOS트랜지스터(N1)의 드레인에 연결되며, 소스는 접지(GND)되어 있다. The drain of the current driving NMOS transistor N2 is connected to the cathode of the organic light emitting diode OLED to which the driving voltage VDD is applied, the gate is connected to the drain of the switching NMOS transistor N1, and the source is It is grounded (GND).
도 1에 나타낸 화소의 구동방법을 도 2의 신호타이밍도와 같이 설명하면 다음과 같다.The driving method of the pixel illustrated in FIG. 1 will be described with reference to the signal timing diagram of FIG. 2.
n 번째 스캔 라인{S(n)}으로 인가되는 포지티브 선택전압(VGH)에 의해서 스위칭용NMOS트랜지스터(N1)가 온(on)되면 데이터라인(D)으로 인가된 데이터전압(Vdata)에 의해서 커패시터(C)에 전하가 축적된다. 이후 상기 커패시터(C)에 충전된 전압과 상기 구동전압(VDD)과의 전위차에 따라 상기 전류구동용NMOS트랜지스터(N2)에 흐르는 전류의 양이 결정되며, 결정된 전류의 양에 의해서 발광량이 결정되어 유기전계 발광소자(OLED)가 발광된다. When the switching NMOS transistor N1 is turned on by the positive selection voltage VGH applied to the nth scan line S (n), the capacitor is turned on by the data voltage Vdata applied to the data line D. Charges accumulate in (C). Thereafter, the amount of current flowing through the current driving NMOS transistor N2 is determined according to the potential difference between the voltage charged in the capacitor C and the driving voltage VDD, and the amount of light emitted is determined by the determined amount of current. The organic light emitting diode OLED emits light.
그런데 상기한 구조와 같이 2T-1C 화소구조(즉, 2 트랜지스터-1커패시터)는 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 제조된 상기 전류구동용NMOS트랜지스터(N2)의 지속적인 온(on) 상태 유지를 위해 게이트로 지속적인 양극성 전압(positive voltage)를 인가하게 되는데, 이는 상기 전류구동용NMOS트랜지스터(N2)의 열화를 가중시켜 트랜지스터 문턱전압(Vth)이 변화되는 현상을 유발한다.However, as described above, the 2T-1C pixel structure (ie, 2 transistor-1 capacitor) maintains the continuous on state of the current driving NMOS transistor N2 made of amorphous silicon (a-Si: H). A continuous positive voltage is applied to the gate to increase the deterioration of the current driving NMOS transistor N2, causing a change in the transistor threshold voltage Vth.
도 3은 박막트랜지스터의 열화에 따른 문턱전압(Vth) 변화를 도시한 그래프로서, 열화에 의한 박막트랜지스터 전류-전압 특성의 변화를 나타내고 있다.FIG. 3 is a graph illustrating a change in threshold voltage (Vth) according to deterioration of a thin film transistor, and illustrates a change in thin film transistor current-voltage characteristics due to deterioration.
도시된 그래프를 보면, 박막트랜지스터의 게이트에 지속적으로 인가된 양극성의 전압에 의해 문턱전압(Vth)이 더욱 높아지는(즉 ①->②) 것을 볼 수 있으며, 이러한 현상이 지속될 경우 결국 박막트랜지스터는 열화되어 유기전계 발광소자(OLED)의 휘도저하 및 박막트랜지스터의 수명단축을 유발하여 제품 경쟁력을 저하시키는 요인이 된다.In the graph shown, it can be seen that the threshold voltage Vth becomes higher due to the bipolar voltage continuously applied to the gate of the thin film transistor (ie, ①-> ②). If this phenomenon persists, the thin film transistor eventually deteriorates. As a result, the luminance of the organic light emitting diode (OLED) and the lifespan of the thin film transistor are shortened, thereby degrading product competitiveness.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 열화 현상을 개선하여 소자수명의 증대 및 휘도의 저감 없는 유기전계 발광소자(OLED)의 안정된 구동을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and aims at stable driving of an organic light emitting diode (OLED) without improving the deterioration phenomenon of the amorphous silicon thin film transistor and increasing device life and reducing luminance.
또한 본 발명은, 박막트랜지스터 소자의 신뢰성을 상승시켜 표시장치의 수명향상 및 고품위 유지를 목적으로 한다.In addition, the present invention aims to increase the reliability of the thin film transistor element to improve the lifetime of the display device and maintain high quality.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 유기전계 발광다이오드와; 제1스캔신호에 응답하여 데이터를 출력하는 제1스위칭소자와; 제2스캔신호에 응답하여 구동전압을 출력하는 제2스위칭소자와; 상기 제1스위칭소자로부터 입력된 데이터에 응답하여 상기 유기전계 발광다이오드에 전류를 공급하는 제3스위칭소자와; 상기 제3스위칭소자에 공급되는 데이터를 저장하는 저장소자를 포함하는 유기전계 발광 디스플레이 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, an organic light emitting diode; A first switching element configured to output data in response to the first scan signal; A second switching element configured to output a driving voltage in response to the second scan signal; A third switching device for supplying current to the organic light emitting diode in response to data input from the first switching device; An organic light emitting display device including a reservoir for storing data supplied to the third switching device is provided.
상기 제1 내지 제3스위칭소자는 비정질 실리콘으로 제작된 박막트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The first to third switching elements are thin film transistors made of amorphous silicon.
상기 박막트랜지스터는 N 타입인 것을 특징으로 한다.The thin film transistor is characterized in that the N type.
상기 저장소자는 커패시터이고, 상기 제3스위칭소자의 게이트와 접지단 사이에 구성되는 것을 특징으로 한다.The reservoir is a capacitor, characterized in that configured between the gate and the ground terminal of the third switching element.
또한 본 발명은, 유기전계 발광다이오드와, 데이터의 입력을 제어하는 제1스위칭소자와, 구동전압의 입력을 제어하는 제2스위칭소자와, 상기 데이터에 의해 상기 유기전계 발광다이오드로의 전류공급을 제어하는 제3스위칭소자를 구비한 유기전계 발광 디스플레이 장치의 구동방법으로서, The present invention also provides an organic light emitting diode, a first switching element for controlling input of data, a second switching element for controlling input of a driving voltage, and supplying current to the organic light emitting diode based on the data. A driving method of an organic electroluminescent display device having a third switching element for controlling,
상기 제1스위칭소자와 제2스위칭소자를 턴온시키는 제1단계와; 상기 제1스위칭소자로 제1데이터를 인가하는 제2단계와; 상기 제1스위칭소자를 턴오프시키는 제3단계와; 상기 제2스위칭소자를 턴오프시키고 상기 제1스위칭소자를 턴온시키는 제4단계와; 상기 제1스위칭소자로 제2데이터를 인가하는 제5단계와; 상기 제1스위칭 소자를 턴오프시키는 제6단계를 포함하는 유기전계 발광 디스플레이장치의 구동방법을 제공한다.A first step of turning on the first switching element and the second switching element; A second step of applying first data to the first switching element; A third step of turning off the first switching element; A fourth step of turning off the second switching element and turning on the first switching element; A fifth step of applying second data to the first switching element; It provides a method of driving an organic electroluminescent display device comprising a sixth step of turning off the first switching element.
상기 제1단계 내지 제6단계의 구동방법은 1 프레임 표시주기 동안 수행되는 것을 특징으로 한다.The driving methods of the first to sixth steps are performed during one frame display period.
상기 제1단계 내지 제6단계의 구동방법은 매 프레임마다 반복되는 것을 특징으로 한다.The driving methods of the first to sixth steps are repeated every frame.
상기 제1데이터와 제2데이터는 서로 다른 극성의 전압인 것을 특징으로 한다.The first data and the second data may be voltages having different polarities.
상기 제1데이터는 양극성 전압이고, 상기 제2데이터는 음극성 전압인 것을 특징으로 한다. The first data is a positive voltage, and the second data is a negative voltage.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이장치의 화소구조를 도시한 화소구조도이다.4 is a pixel structure diagram illustrating a pixel structure of an organic light emitting display device according to the present invention.
구조를 설명하면, 제1스캔신호(SC1)에 스위칭이 수행되고 데이터(D)를 입력받는 제1스위칭소자(T1)와, 제2스캔신호(SC2)에 스위칭이 수행되고 구동전압(VDD)을 입력받는 제2스위칭소자(T2)와, 상기 제1스위칭소자(T1)에서 출력되는 데이터(D)에 스위칭이 수행되어 유기전계 발광다이오드(OLED)에 전류를 공급하여 발광시키는 제3스위칭소자(T3)로 구성된다. 또한, 상기 제1스위칭소자(T1)에서 출력된 데이터(D)를 저장하는 커패시터(C)를 포함한다.Referring to the structure, switching is performed on the first scan signal SC1 and the first switching element T1 receiving the data D, and switching on the second scan signal SC2 and the driving voltage VDD. Switching is performed on the second switching device T2 and the data D output from the first switching device T1 to supply the current to the organic light emitting diode OLED to emit light. It consists of (T3). In addition, it includes a capacitor (C) for storing the data (D) output from the first switching element (T1).
여기서 상기 각 스위칭소자(T1, T2, T3)는 트랜지스터(transistor)이고, 특 히 비정질 실리콘(s-Si)으로 제작된 박막트랜지스터(TFT)로서 도시된 회로에 응용된 박막트랜지스터는 N-타입이나 P-타입으로도 구성가능하다.Wherein each switching element (T1, T2, T3) is a transistor (transistor), in particular, a thin film transistor (TFT) made of amorphous silicon (s-Si) applied to the circuit shown in the circuit shown in the N-type It is also configurable as a P-type.
상기한 화소구조를 가지는 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이 장치는, 구동용 트랜지스터인 제3스위칭소자(T3)로의 지속적인 동일 극성 신호전압 인가로 인한 열화를 방지하기 위해 인가된 데이터의 극성과 상반된 극성의 데이터를 유기전계 발광다이오드(OLED)의 발광구동 없이 인가한다.In the organic light emitting display device according to the present invention having the pixel structure described above, a polarity opposite to the polarity of data applied to prevent deterioration due to continuous application of the same polarity signal voltage to the third switching element T3, which is a driving transistor, is applied. Is applied without the light emission driving of the organic light emitting diode (OLED).
즉, 상기 제3스위칭소자(T3)로 지속적인 양극성 데이터전압(+Vdata)이 인가될 경우 열화로부터 회복하기 위한 음극성 데이터전압(-Vdata)을 다시 인가해 주는 방법으로써, 인가되는 데이터전압 극성의 특징으로 인해 AC구동으로 칭할 수 있다.That is, when the continuous positive polarity data voltage (+ Vdata) is applied to the third switching device (T3), the negative data voltage (-Vdata) is applied again to recover from degradation. Due to its characteristics, it can be called AC drive.
이하 전술한 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이장치의 구동방법을 도 6의 흐름도를 참조하여 설명하는 바, 도 5의 화소 구동 신호타이밍도 역시 동시에 참조한다. Hereinafter, the driving method of the organic light emitting display device according to the present invention will be described with reference to the flowchart of FIG. 6, and the pixel driving signal timing of FIG. 5 is also referred to at the same time.
먼저, 도 5에 도시된 타이밍도에서와 같이, 상기 제1스위칭소자(T1)와 제2스위칭소자(T2)로 각각 하이레벨의 제1스캔신호(SC1)와 제2스캔신호(SC2)를 인가한다.(S1) First, as shown in the timing diagram of FIG. 5, the first scan signal SC1 and the second scan signal SC2 of high level are respectively provided by the first switching device T1 and the second switching device T2. (S1)
상기 제1스캔신호(SC1)와 제2스캔신호(SC2)의 인가에 의해 상기 제1스위칭소자(T1)와 제2스위칭소자(T2)는 턴온(turn on) 상태로 전환되고, 이에 상기 제1스위칭소자(T1)는 제1데이터(D1)를 출력하고 상기 제2스위칭소자(T2)는 구동전압(VDD)을 출력하게 된다.(S2) 이때, 상기 제1데이터(D1)는 양극성의 전압이고 따라서 상기 유기전계 발광다이오드(OLED)는 턴온된 제3스위칭소자(T3)를 통해 공급되어진 전류에 의해 발광 상태로 전환된다. The first switching element T1 and the second switching element T2 are turned on by applying the first scan signal SC1 and the second scan signal SC2, and thus the first scan signal SC1 and the second scan signal SC2 are turned on. The first switching device T1 outputs the first data D1 and the second switching device T2 outputs the driving voltage VDD. (S2) In this case, the first data D1 is bipolar. The organic light emitting diode OLED is converted into a light emitting state by a current supplied through the turned-on third switching device T3.
다음으로 상기 제1스캔신호(SC1)는 로우 레벨로 전환되어 상기 제1스위칭소자(T1)는 제1데이터(D1)의 출력을 중지하며(S3), 상기 제2스캔신호(SC2)는 하이 레벨을 유지하여 상기 유기전계 발광다이오드(OLED)는 계속 발광되는 상태이다. Next, the first scan signal SC1 is switched to a low level so that the first switching device T1 stops outputting the first data D1 (S3), and the second scan signal SC2 is high. By maintaining the level, the organic light emitting diode OLED is continuously emitting light.
이후 상기 제1스캔신호(SC1)는 하이레벨로 전환되고, 제2스캔신호(SC2)는 로우 레벨로 전환된다.(S4) 즉, 상기 제2스위칭소자(T2)는 턴오프 상태로 전환되고, 상기 제1스위칭소자(T1)는 턴온되어 상기 제3스위칭소자(T3)로의 데이터 출력이 가능한 상태이다.Thereafter, the first scan signal SC1 is switched to the high level, and the second scan signal SC2 is turned to the low level. In other words, the second switching device T2 is turned to the turn-off state. The first switching device T1 is turned on to output data to the third switching device T3.
이에 상기 턴온된 제1스위칭소자(T1)로 제2데이터(D2)를 인가하는데(S5), 상기 제2데이터(D2)는 음극성의 전압으로서 이전 입력된 양극성의 제1데이터(D1)에 의한 제3스위칭소자(T3)의 열화에 의한 특성 변화를 회복시키기 위한 데이터이다. Accordingly, the second data D2 is applied to the turned-on first switching device T1 (S5), and the second data D2 is a negative voltage and is generated by the first positive data D1 previously input. Data for restoring the characteristic change due to deterioration of the third switching element T3.
즉, 도 7에 도시한 문턱전압(Vth) 특성 그래프와 같이, 이전 구동단계에서 제3스위칭소자(T3)로 입력된 양극성의 제1데이터(D1)에 의한 스트레스로 인해 상기 제3스위칭소자(T3)의 문턱전압(Vth) 특성곡선이 ①->②로 이동되었던 것을 이번 구동단계에서 상기 제1데이터(D1)와 극성이 상반된 음극성의 제2데이터(D2)를 인가하여 줌으로써 상기 제3스위칭소자(T3)의 문턱전압(Vth) 특성 곡선을 ②->③으로 회복시켜 주는 것이다. That is, as shown in the threshold voltage (Vth) characteristic graph shown in FIG. 7, the third switching device may be caused by stress caused by the first polarity data D1 input to the third switching device T3 in the previous driving step. The third switching is performed by applying the second data D2 having a negative polarity opposite to that of the first data D1 in this driving step that the threshold voltage Vth characteristic curve of T3 is shifted from 1 to 2). The threshold voltage Vth characteristic curve of the element T3 is restored to?-> ③.
상기 (S5) 단계 이후, 상기 제1스캔신호(SC1)는 로우 레벨로 전환되고 상기 제2스캔신호(SC2)는 지속적으로 로우 레벨을 유지한다.(S6) 즉, 제1스위칭소자(T1)와 제2스위칭소자(T2) 모두 턴오프 상태를 유지하며 이때의 시간은 상기 제3스위칭 소자(T3)의 특성이 회복되는 시간이다.After the step S5, the first scan signal SC1 is switched to a low level and the second scan signal SC2 is continuously maintained at a low level. That is, the first switching device T1 is performed. And the second switching device T2 maintain the turn-off state, and the time at this time is a time for recovering the characteristics of the third switching device T3.
상기 전술한 바와 같이 (S1)~(S6)단계로 설명되는 본 발명의 유기전계 발광 디스플레이장치의 구동은 디스플레이장치의 1프레임 표시주기 동안 수행되는 구동이며, 상기 (S1)~(S6)단계의 구동은 매 프레임마다 반복 수행되어 상기 제3스위칭소자(T3)의 열화에 의한 특성 변화를 방지하게 된다. As described above, the driving of the organic light emitting display device of the present invention described in the steps (S1) to (S6) is the driving performed during the display period of one frame of the display device, and the steps of (S1) to (S6) The driving is repeatedly performed every frame to prevent the characteristic change caused by the deterioration of the third switching element T3.
상기와 같이 설명한 본 발명에 따른 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법은, 지속적인 동일 극성의 데이터 인가에 의해 점차 열화되는 특성을 가지는 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 열화에 의한 특성변화를 회복하도록 하는 구동특징이 있다. 이러한 구동특징은 매 프레임마다 수행되어 박막트랜지스터 소자의 구동 신뢰성을 높여주고 아울러 디스플레이 장치의 수명을 연장시켜 줌으로써 제품 경쟁력을 제고시켜주는 효과가 있다.The organic light emitting display device and the driving method thereof according to the present invention described above have a driving feature for recovering the characteristic change caused by the deterioration of the amorphous silicon thin film transistor having a characteristic that is gradually deteriorated by continuous data application of the same polarity. have. This driving feature is performed every frame to increase driving reliability of the thin film transistor element and to extend the life of the display device, thereby enhancing product competitiveness.
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