KR101222541B1 - Light Emitting Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드와, 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 저장하는 저장 캐패시터와, 구동박막트랜지스터와, 입력스위칭부와, 구동박막트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제2스캔라인과 연결되어 제2스캔라인을 통해 인가되는 제2스캔신호에 의해 저장 캐패시터에 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 반영한 게이트 전압을 일시적으로 저장하였다가 구동박막트랜지스터가 발광 다이오드에 출력전류를 공급할 때 구동박막트랜지스터의 문턱전압에 상관없이 데이터 신호를 전달하는 문턱전압 보상부를 포함하는 전계 발광 소자를 제공한다.The present invention is connected between a light emitting diode, a storage capacitor for storing a data signal applied through a data line, a driving thin film transistor, an input switching unit, a gate and a drain of the driving thin film transistor, and the gate is connected to a second scan line. The gate voltage reflecting the threshold voltage of the driving thin film transistor is temporarily stored in the storage capacitor by the second scanning signal applied through the second scanning line, and the driving thin film is supplied when the driving thin film transistor supplies the output current to the light emitting diode. Provided is an electroluminescent device including a threshold voltage compensator for transmitting a data signal regardless of a threshold voltage of a transistor.

전계 발광 소자, 문턱전압 보상부, 문턱전압 회복부 EL, threshold voltage compensator, threshold voltage recovery part

Description

전계발광소자{Light Emitting Device}Light Emitting Device

도 1은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 등가회로도.1 is an equivalent circuit diagram of a conventional active matrix organic light emitting display device.

도 2는 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 구동박막트랜지스터의 열화에 의한 전압-전류특성의 변화를 도시한 그래프.2 is a graph showing changes in voltage-current characteristics due to deterioration of a driving thin film transistor of an active matrix organic light emitting display device according to the related art.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도.3 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention;

도 4는 도 3의 구동 타이밍도.4 is a drive timing diagram of FIG. 3;

도 5는 도 3의 T1 구간 동안 전류 프로그래밍시 등가회로도.FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of current programming during the T1 section of FIG. 3. FIG.

도 6은 도 3의 T2 구간 동안 출력전류 공급시 등가회로도.6 is an equivalent circuit diagram when an output current is supplied during a section T2 of FIG. 3.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도.7 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 구동 타이밍도.8 is a drive timing diagram of FIG. 7.

도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도.9 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도.10 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도.11 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 12는 도 11의 구동 타이밍도.12 is a drive timing diagram of FIG. 11;

도 13은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동박막트랜지스터의 전압-전류특성의 변화를 도시한 그래프.FIG. 13 is a graph showing changes in voltage-current characteristics of a driving thin film transistor of an organic light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention; FIG.

도 14는 본 발명의 제6실시예에 따른 전계발광소자의 등가회로도.14 is an equivalent circuit diagram of an electroluminescent device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 15는 도 14의 구동 타이밍도.15 is a drive timing diagram of FIG. 14;

도 16은 본 발명의 제7실시예에 따른 전계발광소자의 등가회로도.16 is an equivalent circuit diagram of an electroluminescent device according to a seventh embodiment of the present invention.

도 17은 도 16의 구동 타이밍도.17 is a drive timing diagram of FIG. 16;

본 발명은 전계발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent device.

유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes, OLED)는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발광시키는 자발광소자이었다. 이 유기전계발광소자를 포함하는 유기전계발광 표시장치는, 액정 디스플레이장치와 같이 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자에 비하여 응답속도가 빠르고 직류구동전압이 낮고 초박막화가 가능하기 때문에 벽걸이형 또는 휴대용으로 응용이 가능하였다.Organic light emitting diodes (OLEDs) were self-luminous devices that emit fluorescent materials by recombination of electrons and holes. The organic light emitting display device including the organic light emitting display device is a wall-mounted or portable device because the response speed is faster, the DC driving voltage is lower, and the ultra-thin film is possible than the passive light emitting device which requires a separate light source like the liquid crystal display device. Application was possible.

이와 같은 유기전계발광소자는 적색, 청색, 녹색의 서브픽셀들이 하나의 색을 표현하는 픽셀들을 이용하여 칼라를 구현하였다. 이때 유기전계발광소자는 서브픽셀을 구동하는 방식으로 단순매트릭스형 유기전계발광소자(Passive Matrix OLED, PMOLED)와 박막트랜지스터(TFT)를 이용하여 구동하는 방식인 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(Active Matrix OLED, AMOLED)로 나눌 수 있었다.Such an organic light emitting display device implements color using pixels in which red, blue, and green subpixels represent one color. At this time, the organic light emitting diode is an active matrix organic light emitting diode (active matrix) which is a method of driving using a simple matrix type organic light emitting diode (PMOLED) and a thin film transistor (TFT) as a method of driving a subpixel. OLED, AMOLED).

액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(AMOLED)의 구동방법으로 전류구동방식과 전압구동방식, 디지털구동방식 등이 있었다.As the driving method of the active matrix organic light emitting diode (AMOLED), there are a current driving method, a voltage driving method, and a digital driving method.

도 1은 종래 전류구동방식의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 등가회로도이다. 종래 전류구동방식의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)는 구동박막트랜지스터(DT)와 스위칭박막트랜지스터(ST), 저장 캐패시터(capacitor, Cst)로 구성된 2T1C(2개 TFT와 1개 캐패시터) 화소 또는 픽셀구조였다. 이때 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DT, ST)는 n타입 모스 트랜지스터들이었다.1 is an equivalent circuit diagram of a conventional active matrix type organic electroluminescent device of a current driving method. Conventional current drive type active matrix organic light emitting display device 10 is a 2T1C (two TFT and one capacitor) pixel composed of driving thin film transistor DT, switching thin film transistor ST, and storage capacitor Cst. Or pixel structure. At this time, the driving and switching thin film transistors DT and ST were n-type MOS transistors.

또한, 종래 유기전계발광소자(10)는 전하수송층 사이에 형성된 유기발광층의 유기발광 다이오드(OLED)를 포함하고 있었다. 유기발광 다이오드(OLED)는 전원전압(VDD)와 구동박막트랜지스터(DT) 사이에 형성되어 있었다. 이 유기발광 다이오드(OLED)는 구동박막트랜지스터(DT)으로부터 인가되는 출력전류(IOLED)의 양에 대응하는 빛을 발광하였다.In addition, the conventional organic light emitting display device 10 includes an organic light emitting diode (OLED) of an organic light emitting layer formed between the charge transport layer. The organic light emitting diode OLED was formed between the power supply voltage VDD and the driving thin film transistor DT. The organic light emitting diode OLED emits light corresponding to the amount of the output current I OLED applied from the driving thin film transistor DT.

구동박막트랜지스터(DT)는 유기발광 다이오드(OLED)와 접지전원(GND) 사이에 형성되었고, 게이트가 저장 캐패시터(Cst)의 일단에 접속되어 있었다. 구동박막트랜지스터(DT)은 유기발광 다이오드(OLED)에 출력전류(IOLED)를 공급하는 구동박막트랜지스터(Driving Transistor)였다.The driving thin film transistor DT was formed between the organic light emitting diode OLED and the ground power supply GND, and a gate thereof was connected to one end of the storage capacitor Cst. The driving thin film transistor DT is a driving thin film transistor (Driving Transistor) for supplying an output current I OLED to the organic light emitting diode OLED.

스위칭 박막트랜지스터(ST)는 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트와 데이터라인(12) 사이에 연결되어 있으며 게이트가 스캔라인(14)에 연결되어 있었다. 따라서, 스위칭 박막트랜지스터(ST)의 게이트에 스캔라인(14)을 통해 스캔신호가 인가되면, 스위칭 박막트랜지스터(ST)가 온상태가 되어 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트에 데이터신호를 인가하여 저장 캐패시터(Cst)에 데이터신호가 저장되었다.The switching thin film transistor ST is connected between the gate of the driving thin film transistor DT and the data line 12, and the gate is connected to the scan line 14. Therefore, when the scan signal is applied to the gate of the switching thin film transistor ST through the scan line 14, the switching thin film transistor ST is turned on to apply and store a data signal to the gate of the driving thin film transistor DT. The data signal is stored in the capacitor Cst.

저장 캐패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(ST)에 의해 스위칭된 데이터신호를 저장하였다가 스캔신호가 소거되어 스위칭 박막트랜지스터(ST)가 오프상태가 되더라도 저장한 데이터신호에 의해 구동박막트랜지스터(DT)를 온상태가 되도록 하였다.The storage capacitor Cst stores the data signal switched by the switching thin film transistor ST, but the scan signal is erased so that the driving thin film transistor DT is stored by the stored data signal even when the switching thin film transistor ST is turned off. Was turned on.

결과적으로 종래 유기전계발광소자(10)는 데이터신호를 저장 캐패시터(Cst)에 저장하였다가 저장된 데이터신호로 구동박막트랜지스터(DT)를 구동하여 데이터신호에 대응하는 출력전류(IOLED)로 유기발광 다이오드(OLED)를 발광하였다.As a result, the conventional organic light emitting display device 10 stores the data signal in the storage capacitor Cst and drives the driving thin film transistor DT with the stored data signal, thereby emitting organic light with an output current I OLED corresponding to the data signal. The diode OLED was emitted.

그러나 종래 유기전계발광소자(10)는 구동박막트랜지스터(DT)를 사용함에 따라 다양한 원인에 의해 열화현상이 발생하였다. 따라서, 구동박막트랜지스터(DT)가 도 2에 도시한 바와 같이 전압-전류 특성곡선이 오른쪽으로 이동하여 문턱전압(Vth)이 증가하는 문제점이 있었다. 예를 들어 문턱전압(Vth)이 2V에서 2.5V로 증가하였다.However, as the conventional organic light emitting device 10 uses the driving thin film transistor DT, deterioration occurs due to various causes. Therefore, as shown in FIG. 2, the driving thin film transistor DT has a problem in that the voltage-current characteristic curve is shifted to the right to increase the threshold voltage Vth. For example, the threshold voltage (Vth) increased from 2V to 2.5V.

종래 유기전계발광소자(10)는 문턱전압(Vth)이 증가함에 따라 수학식1과 같이 구동박막트랜지스터(DT)의 출력전류(IOLED)가 감소하여 유기발광 다이오드(OLED)의 휘도를 떨어뜨렸다.In the conventional organic light emitting diode 10, as the threshold voltage Vth increases, the output current I OLED of the driving thin film transistor DT decreases as shown in Equation 1, thereby lowering the luminance of the organic light emitting diode OLED. .

Figure 112006044497109-pat00001
Figure 112006044497109-pat00001

여기서, IOLED는 구동박막트랜지스터(DT)의 출력전류를, β는 구동박막트랜지 스터(DT)의 상수를, Vgs는 구동박막트랜지스터(DT)의 소스-게이트간 전압을, Vth는 구동박막트랜지스터(DT)의 문턱전압을 나타내었다.Where I OLED is the output current of the driving thin film transistor DT, β is the constant of the driving thin film transistor DT, Vgs is the source-gate voltage of the driving thin film transistor DT, and Vth is the driving thin film. The threshold voltage of the transistor DT is shown.

따라서, 종래 유기전계발광소자(10)는 문턱전압(Vth)의 증가로 유기발광 다이오드(OLED)의 휘도를 떨어뜨리므로, 종래 유기전계발광소자(10)들로 구성된 유기전계발광 표시장치의 수명을 감소시키는 치명적인 문제점을 야기하였다.Therefore, since the organic light emitting diode 10 reduces the luminance of the organic light emitting diode OLED due to an increase in the threshold voltage Vth, the lifespan of the organic light emitting display device composed of the conventional organic light emitting diodes 10 is reduced. It has caused a fatal problem of reducing.

상기 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것으로서, 본 발명은 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 보상하여 구동박막트랜지스터가 열화되더라도 휘도가 떨어지지 않는 전계발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an electroluminescent device in which luminance does not decrease even when the driving thin film transistor is deteriorated by compensating the threshold voltage of the driving thin film transistor.

또한, 본 발명의 다른 목적은 소비전력을 낮춰 전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 전계발광소자를 제공하는데 있다.In addition, another object of the present invention to provide an electroluminescent device that can improve the life of the electroluminescent device by lowering the power consumption.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 출력전류에 의해 발광하는 발광 다이오드와 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 저장하는 저장 캐패시터와 전원전압과 발광 다이오드 사이에 연결되어 있으며 게이트가 저장 캐패시터의 일단에 접속되어 있어 저장 캐패시터에 저장된 데이터신호를 이용하여 발광 다이오드에 출력전류를 공급하는 구동박막트랜지스터와 저장 캐패시터의 일단과 데이터라인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제1스캔라인과 접속되어 있어 제1스캔라인을 통해 인가되는 제1스캔신호에 의해 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 전달하는 입력스위칭부와 구동박막트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있으 며 게이트가 제2스캔라인과 연결되어 제2스캔라인을 통해 인가되는 제2스캔신호에 의해 저장 캐패시터에 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 반영한 게이트 전압을 일시적으로 저장하였다가 구동박막트랜지스터가 발광 다이오드에 출력전류를 공급할 때 구동박막트랜지스터의 문턱전압에 상관없이 데이터 신호를 전달하는 문턱전압 보상부를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a light emitting diode that emits light by an output current and a storage capacitor that stores a data signal applied through a data line, and is connected between a power supply voltage and the light emitting diode, and a gate is connected to one end of the storage capacitor. Connected to the driving thin film transistor for supplying the output current to the light emitting diode by using the data signal stored in the storage capacitor, and one end of the storage capacitor and the data line, and the gate is connected to the first scan line so that the first scan It is connected between the input switching unit which transfers the data signal applied through the data line by the first scan signal applied through the line and the gate and the drain of the driving thin film transistor. Low by the second scan signal applied through the scan line It includes a threshold voltage compensator that temporarily stores a gate voltage reflecting the threshold voltage of the driving thin film transistor in the long capacitor, and delivers a data signal regardless of the threshold voltage of the driving thin film transistor when the driving thin film transistor supplies the output current to the light emitting diode. do.

또 다른 측면에서, 본 발명은 출력전류에 의해 발광하는 발광 다이오드와 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 저장하는 저장 캐패시터와 접지전압과 발광 다이오드 사이에 연결되어 있으며 게이트가 저장 캐패시터의 일단에 접속되어 있어 저장 캐패시터에 저장된 데이터신호를 이용하여 발광 다이오드에 출력전류를 공급하는 구동박막트랜지스터와 저장 캐패시터의 일단과 데이터라인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제1스캔라인과 접속되어 있어 제1스캔라인을 통해 인가되는 제1스캔신호에 의해 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 전달하는 입력스위칭부와 구동박막트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제2스캔라인과 연결되어 제2스캔라인을 통해 인가되는 제2스캔신호에 의해 저장 캐패시터에 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 반영한 게이트 전압을 일시적으로 저장하였다가 구동박막트랜지스터가 발광 다이오드에 출력전류를 공급할 때 구동박막트랜지스터의 문턱전압에 상관없이 데이터 신호를 전달하는 문턱전압 보상부를 포함한다.In another aspect, the present invention is connected between a storage capacitor for storing a light emitting diode that emits light by an output current and a data signal applied through the data line and a ground voltage and the light emitting diode, and a gate is connected to one end of the storage capacitor. And a driving thin film transistor for supplying an output current to the light emitting diode by using the data signal stored in the storage capacitor, and one end of the storage capacitor and the data line. The gate is connected to the first scan line. It is connected between the gate and the drain of the driving thin film transistor and the input switching unit for transmitting the data signal applied through the data line by the first scan signal is applied, the gate is connected to the second scan line through the second scan line Drive to the storage capacitor by the applied second scan signal The film was temporarily stores the driving thin film transistor including a light-emitting diode to the output threshold voltage compensation for transmitting a data signal regardless of the threshold voltage of the driving TFT the current supply to parts of the gate voltage that reflects the threshold voltage of the transistor.

이때, 구동박막트랜지스터, 상기 입력스위칭부, 상기 문턱전압 보상부는 P타입 모스 트랜지스터일 수 있다.In this case, the driving thin film transistor, the input switching unit, and the threshold voltage compensating unit may be a P-type MOS transistor.

또한, 구동박막트랜지스터, 입력스위칭부, 문턱전압 보상부는 N타입 모스 트랜지스터일 수 있다.In addition, the driving thin film transistor, the input switching unit, and the threshold voltage compensating unit may be an N-type MOS transistor.

또한, 제1스캔라인과 제2스캔라인은 동일한 라인이며 제1스캔신호와 제2스캔신호는 동일한 신호일 수 있다.In addition, the first scan line and the second scan line may be the same line, and the first scan signal and the second scan signal may be the same signal.

또한, 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호는 정전류이며, 데이터 신호는 제1스캔신호 및 제2스캔신호가 ON 상태일 때, 구동박막트랜지스터를 구동시킬 수 있다.The data signal applied through the data line is a constant current, and the data signal may drive the driving thin film transistor when the first scan signal and the second scan signal are in an ON state.

또한, 정전류는 제1스캔신호 및 제2스캔신호가 ON 상태일 때, 구동박막트랜지스터에 공급될 수 있다.In addition, the constant current may be supplied to the driving thin film transistor when the first scan signal and the second scan signal are in an ON state.

또한, 구동박막트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 접지전압보다 낮은 게이트 전압을 인가하여 상기 문턱전압을 회복시키기 위한 문턱전압 회복부가 추가될 수 있다.In addition, a threshold voltage recovery unit may be added to be connected to the gate of the driving thin film transistor to apply a gate voltage lower than the ground voltage to recover the threshold voltage.

또한, 문턱전압 회복부는 구동박막트랜지스터의 게이트와 보조 데이터라인 사이에 연결되어 있으며, 게이트가 보조 스캔라인과 연결되어 있을 수 있다.In addition, the threshold voltage recovery unit may be connected between the gate of the driving thin film transistor and the auxiliary data line, and the gate may be connected to the auxiliary scan line.

또한, 문턱전압 회복부는 구동박막트랜지스터의 게이트와 전단의 접지전압 사이에 연결되어 있으며, 게이트가 전단의 제1스캔라인과 연결되어 있을 수 있다.The threshold voltage recovery unit may be connected between the gate of the driving thin film transistor and the ground voltage of the previous stage, and the gate may be connected to the first scan line of the previous stage.

또한, 문턱전압 회복부는 구동박막트랜지스터의 게이트와 제1스캔라인 사이에 연결되어 있으며, 게이트가 전단의 제1스캔라인과 연결되어 있을 수 있다.The threshold voltage recovery unit may be connected between the gate of the driving thin film transistor and the first scan line, and the gate may be connected to the first scan line of the previous stage.

또한, 문턱전압 회복부는 N타입 모스 트랜지스터일 수 있다.In addition, the threshold voltage recovery unit may be an N-type MOS transistor.

또한, 발광 다이오드는 유기 발광층을 포함한다.The light emitting diode also includes an organic light emitting layer.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제 1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도이다.3 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(20)는 구동박막트랜지스터(DT)와 제1 및 제 2스위칭박막트랜지스터(ST1, ST2), 저장 캐패시터(capacitor, Cst), 유기발광 다이오드(OLED)를 포함하고 있다.Referring to FIG. 3, the active matrix type organic light emitting display device 20 according to the first embodiment of the present invention may include a driving thin film transistor DT, first and second switching thin film transistors ST1 and ST2, and a storage capacitor. capacitor, Cst), and an organic light emitting diode (OLED).

이때 구동박막트랜지스터 및 제1 스위칭 박막트랜지스터와 제 2스위칭박막트랜지스터 (DT, ST1, ST2)는 n타입 모스 트랜지스터들이다. 여기서, 제 2 스위칭박막트랜지스터(ST2)는 문턱전압을 보상하기 위한 문턱전압보상부를 말한다.In this case, the driving thin film transistor, the first switching thin film transistor, and the second switching thin film transistor DT, ST1, and ST2 are n-type MOS transistors. Here, the second switching thin film transistor ST2 refers to a threshold voltage compensator for compensating the threshold voltage.

유기발광 다이오드(OLED)는 전하수송층 사이에 형성된 유기발광층을 포함하여 전자와 정공의 재결합에 의해 발광한다. 유기발광 다이오드(OLED)는 전원전압(VDD)와 구동박막트랜지스터(DT) 사이에 형성되어 있다.The organic light emitting diode OLED includes an organic light emitting layer formed between the charge transport layers and emits light by recombination of electrons and holes. The organic light emitting diode OLED is formed between the power supply voltage VDD and the driving thin film transistor DT.

이 유기발광 다이오드(OLED)는 구동박막트랜지스터(DT)로부터 인가되는 출력전류(IOLED)의 양에 대응하는 빛을 발광한다. 유기발광 다이오드(OLED)는 다양한 적층구조와 발광재료로 이루어질 수 있으나 구체적인 설명은 생략한다.The organic light emitting diode OLED emits light corresponding to the amount of the output current I OLED applied from the driving thin film transistor DT. The organic light emitting diode OLED may be formed of various stacked structures and light emitting materials, but a detailed description thereof will be omitted.

구동박막트랜지스터(DT)는 유기발광 다이오드(OLED)와 접지전원(GND) 사이에 형성되어 있고, 게이트가 저장 캐패시터(Cst)의 일단에 접속되어 있다.The driving thin film transistor DT is formed between the organic light emitting diode OLED and the ground power source GND, and a gate thereof is connected to one end of the storage capacitor Cst.

구동박막트랜지스터(DT)는 유기발광 다이오드(OLED)에 출력전류(IOLED)를 공급하는 구동박막트랜지스터(Driving Transistor)이다.The driving thin film transistor DT is a driving thin film transistor which supplies an output current I OLED to the organic light emitting diode OLED.

특히, 구동박막트랜지스터(DT)는 드레인과 게이트 사이에 제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)가 형성되어 있다. 따라서, 제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)가 온상태가 되면 구동박막트랜지스터(DT)는 다이오드와 동일한 동작특성을 나타내므로 구동박막트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)를 저장 캐패시터(Cst)에 저장한다.In particular, in the driving thin film transistor DT, a second switching thin film transistor ST2 is formed between the drain and the gate. Therefore, when the second switching thin film transistor ST2 is turned on, the driving thin film transistor DT exhibits the same operating characteristics as the diode, and thus stores the threshold voltage Vth of the driving thin film transistor DT in the storage capacitor Cst. do.

제1스위칭 박막트랜지스터(ST1)는 구동박막트랜지스터(DT)의 드레인과 데이터라인(22) 사이에 연결되어 있으며 게이트가 스캔라인(24)에 접속되어 있다. 따라서, 제1스위칭 박막트랜지스터(ST1)의 게이트에 스캔라인(24)을 통해 스캔신호가 인가되면, 제1스위칭 박막트랜지스터(ST1)가 온상태가 되어 구동박막트랜지스터(DT)의 드레인에 데이터신호를 인가하여 저장 캐패시터(Cst)에 위에 설명한 구동박막트랜지스터(DT)의 문턱전압과 함께 데이터신호를 저장한다.The first switching thin film transistor ST1 is connected between the drain of the driving thin film transistor DT and the data line 22, and a gate thereof is connected to the scan line 24. Therefore, when a scan signal is applied to the gate of the first switching thin film transistor ST1 through the scan line 24, the first switching thin film transistor ST1 is turned on to provide a data signal to the drain of the driving thin film transistor DT. The data signal is stored in the storage capacitor Cst together with the threshold voltage of the driving thin film transistor DT described above.

제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)는 문턱전압보상부로써 위에서 설명한 바와 같이 구동박막트랜지스터(DT)의 드레인과 게이트 사이에 형성되어 있으며, 게이트가 스캔라인(24)에 접속되어 있다.As described above, the second switching thin film transistor ST2 is formed between the drain and the gate of the driving thin film transistor DT, and the gate is connected to the scan line 24.

스캔라인(24)를 통해 스캔신호가 인가되어 제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)가 온상태가 되면, 제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)는 제1스위칭 박막트랜지스터(ST1)를 통해 스위칭된 데이터신호와 구동박막트랜지스터 (DT)의 문턱전압(Vth)를 저장 캐패시터(Cst)에 저장한다.When the scan signal is applied through the scan line 24 to turn on the second switching thin film transistor ST2, the second switching thin film transistor ST2 is connected to the data signal switched through the first switching thin film transistor ST1. The threshold voltage Vth of the driving thin film transistor DT is stored in the storage capacitor Cst.

저장 캐패시터(Cst)는 제1스위칭 박막트랜지스터(ST1)에 의해 스위칭된 데이터신호와 구동박막트랜지스터(DT)의 문턱전압을 반영한 게이트 전압을 저장하였다가 스캔신호가 소거되어 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)가 오프상태가 되 더라도 저장한 데이터신호와 문턱전압(Vth)에 의해 구동박막트랜지스터(DT)를 구동한다.The storage capacitor Cst stores the data signal switched by the first switching thin film transistor ST1 and the gate voltage reflecting the threshold voltage of the driving thin film transistor DT, and then the scan signal is erased to erase the first and second switching thin film transistors. Even when ST1 and ST2 are turned off, the driving thin film transistor DT is driven by the stored data signal and the threshold voltage Vth.

이때 구동박막트랜지스터(DT)는 저장 캐패시터(Cst)에 저장된 문턱전압(Vth)에 의해 수학식1의 문턱전압(Vth)를 보상하므로 문턱전압(Vth)과 관계없이 일정한 출력전류(IOLED)를 유기발광 다이오드(OLED)에 공급하게 된다.At this time, the driving thin film transistor DT compensates the threshold voltage Vth of Equation 1 by the threshold voltage Vth stored in the storage capacitor Cst, so that the constant output current I OLED is independent of the threshold voltage Vth. The organic light emitting diode OLED is supplied to the OLED.

이와 같이 구동박막트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 보상되어 구동박막트랜지스터(DT)가 열화되더라도 휘도가 떨어지지 않게된다. 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자(20)의 동작을 도4 내지 도6을 참조하여 아래에 설명한다.As such, the threshold voltage Vth of the driving thin film transistor DT is compensated so that the luminance does not decrease even when the driving thin film transistor DT is deteriorated. An operation of the organic light emitting display device 20 according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 4 to 6.

도 4는 도 3의 구동 타이밍도이며, 도 5는 도 4의 T1 구간 동안 전류 프로그래밍시 등가회로도이며, 도 6은 도 4의 T2 구간 동안 출력전류 공급시 등가회로도이다.4 is a driving timing diagram of FIG. 3, FIG. 5 is an equivalent circuit diagram during current programming during the T1 section of FIG. 4, and FIG. 6 is an equivalent circuit diagram during output current supply during the T2 section of FIG. 4.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자(20)는 스캔라인(24)을 통해 스캔신호가 인가될 때(전류 프로그래밍 구간(T1)) 전원전압(VDD)이 소거되며, 반대로 스캔신호가 소거될 때(출력전류 공급 구간(T2)) 전원전압(VDD)이 인가된다.Referring to FIG. 4, when the scan signal is applied through the scan line 24 (current programming section T1), the organic light emitting diode 20 according to the first embodiment of the present invention has a power supply voltage VDD. On the contrary, when the scan signal is erased (output current supply section T2), the power supply voltage VDD is applied.

전원전압(VDD)은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광소자(20)가 형성된 패널 외부에 유기전계발광소자(20)와 미도시한 전원공급부 사이에 형성된 외부 스위치에 의해 스위칭된다. 즉, 외부 스위치에 스캔신호와 동기화된 제어신호가 인가되어 스캔신호가 인가될 때 전원전압을 소거하고 스캔신호가 소거될 때 전원전압 을 인가한다.The power supply voltage VDD is switched by an external switch formed between the organic light emitting diode 20 and a power supply unit (not shown) outside the panel on which the organic light emitting diode 20 according to the first embodiment of the present invention is formed. That is, the control signal synchronized with the scan signal is applied to the external switch to erase the power supply voltage when the scan signal is applied, and apply the power supply voltage when the scan signal is erased.

도 5를 참조하면, 전류 프로그래밍 구간(T1) 동안, 스캔라인(24)를 통해 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)의 게이트에 스캔신호가 인가되며 전원전압(VDD)은 소거된다. 스캔신호에 의해 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)가 온상태가 되면, 데이터라인(22)을 통해 데이터신호, 즉 데이터전류(Idata)가 구동박막트랜지스터(DT)에 공급되어 구동박막트랜지스터 (DT)를 구동한다.Referring to FIG. 5, a scan signal is applied to the gates of the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2 through the scan line 24 and the power supply voltage VDD is erased through the scan line 24. When the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2 are turned on by the scan signal, a data signal, that is, data current I data , is supplied to the driving thin film transistor DT through the data line 22 to be driven. The thin film transistor DT is driven.

이때 구동박막트랜지스터 (DT)의 드레인과 게이트가 연결되어 있으므로, 구동박막트랜지스터는 다이오드와 동일한 동작특성을 나타내므로, 구동박막트랜지스터의 게이트와 접속된 저장 캐패시터(Cst)에는 데이터전류(Idata)에 의한 전압과 함께 구동박막트랜지스터 (DT)의 문턱전압(Vth)이 저장되게 된다.In this case, since the drain and the gate of the driving thin film transistor DT are connected to each other, the driving thin film transistor has the same operating characteristics as the diode. Therefore, the storage capacitor Cst connected to the gate of the driving thin film transistor is connected to the data current I data . Along with the voltage, the threshold voltage Vth of the driving thin film transistor DT is stored.

도 6을 참조하면, 출력전류 공급 구간(T2) 동안, 스캔신호가 소거되고 전원전압(VDD)가 인가되므로 구동박막트랜지스터(DT)는 저장 캐패시터(Cst)에 저장된 데이터전류에 의한 전압에 의해 구동되어 출력전류(IOLED)를 유기발광 다이오드(OLED)에 공급하게 된다.Referring to FIG. 6, during the output current supply period T2, since the scan signal is erased and the power supply voltage VDD is applied, the driving thin film transistor DT is driven by the voltage by the data current stored in the storage capacitor Cst. The output current I OLED is supplied to the organic light emitting diode OLED.

이때, 출력전류(IOLED)는 전류 프로그램밍 구간(T1)에 저장 캐패시터(Cst)에 저장되었던 문턱전압(Vth) 때문에 수학식1의 후단에 있는 문턱전압 항목이 보상되어 문턱전압과 무관한 값을 갖게 된다.At this time, the output current (I OLED ) is compensated for the threshold voltage item at the rear end of Equation 1 due to the threshold voltage Vth stored in the storage capacitor Cst in the current programming section T1, so that a value independent of the threshold voltage is obtained. Will have

결과적으로 구동박막트랜지스터(DT)가 열화되어 문턱전압(Vth)이 증가하더라 도 출력전류(IOLED)는 일정한 양을 유지하여 유기발광 다이오드(OLED)의 일정한 휘도를 유지할 수 있다.As a result, even when the driving thin film transistor DT is deteriorated and the threshold voltage Vth is increased, the output current I OLED may be maintained at a constant amount to maintain a constant luminance of the organic light emitting diode OLED.

<제 2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도이며, 도 8은 도 7의 구동 타이밍도이다.7 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a driving timing diagram of FIG.

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광소자(30)는 제1실시예에 따른 유기전계발광소자(20)와 제1스위칭 박막트랜지스터(ST1)와 제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)의 게이트에 두개의 스캔라인들(24, 26)을 통해 다른 스캔신호들이 인가되는 점을 제외하고 동일하다.7 and 8, the organic light emitting display device 30 according to the second exemplary embodiment of the present invention may include the organic light emitting display device 20, the first switching thin film transistor ST1 and the first switching device according to the first exemplary embodiment. The same is true except that different scan signals are applied to the gate of the two switching thin film transistor ST2 through the two scan lines 24 and 26.

이때, 제1스위칭 박막트랜지스터(ST1)과 제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)의 게이트에 두개의 스캔라인들(24, 26)을 통해 다른 스캔신호들이 인가되더라도 전류 프로그래밍 구간(T1) 동안, 스캔신호들이 인가될 때 전원전압이 소거되는 점은 동일하다.At this time, even if different scan signals are applied to the gates of the first switching thin film transistor ST1 and the second switching thin film transistor ST2 through two scan lines 24 and 26, the scan signal during the current programming period T1. The same is true for the power supply voltage being erased when the power supply is applied.

<제 3, 4실시예>Third and Fourth Embodiments

도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도이며, 도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도이다.9 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명의 제3, 4실시예에 따른 유기전계발광소자(40, 50)는 구동박막트랜지스터 (DT)와 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)가 p타입 모스 트랜지트터인 점에서 제1, 2실시예에 따른 유기전계발광소자(20, 30)와 근본적으로 차이가 있다.In the organic light emitting diodes 40 and 50 according to the third and fourth exemplary embodiments of the present invention, the driving thin film transistor DT and the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2 are p-type MOS transistors. There is a fundamental difference from the organic light emitting diodes 20 and 30 according to the first and second embodiments.

그러나, 구동박막트랜지스터 (DT)와 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2), 저장 캐패시터(Cst)의 역할은 동일하다.However, the driving thin film transistor DT, the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2, and the storage capacitor Cst have the same role.

이때, 본 발명의 제3, 4실시예에 따른 유기전계발광소자(40, 50)가 n타입 모스 트랜지트터들로 구성된 제1, 2실시예에 따른 유기전계발광소자(20, 30)와 동일한 동작을 하기 위하여, 유기발광 다이오드(OLED)는 구동박막트랜지스터(DT)와 접지전원(GND) 사이에 형성되고, 저장 캐패시터(Cst)는 구동박막트랜지스터(DT)의 소스와 게이트 사이에 형성되고, 제2스위칭 박막트랜지스터(ST2)는 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트와 드레인 사이에 형성되어 있다.At this time, the organic light emitting diodes 40 and 50 according to the third and fourth exemplary embodiments of the present invention are the same as the organic light emitting diodes 20 and 30 according to the first and second exemplary embodiments including n-type MOS transistors. In order to operate, the organic light emitting diode OLED is formed between the driving thin film transistor DT and the ground power supply GND, and the storage capacitor Cst is formed between the source and the gate of the driving thin film transistor DT. The second switching thin film transistor ST2 is formed between the gate and the drain of the driving thin film transistor DT.

본 발명의 제3, 4실시예에 따른 유기전계발광소자(40, 50)는 각각 하나의 스캔라인(24)에 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)의 게이트가 접속되어 있거나 서로 두개의 스캔라인들(24, 26)에 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)의 게이트가 접속된 점에서 서로 차이가 있으나, 실제적인 동작은 동일하다.In the organic light emitting diodes 40 and 50 according to the third and fourth exemplary embodiments of the present invention, the gates of the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2 are respectively connected to one scan line 24 or two are connected to each other. Although the gates of the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2 are connected to the scan lines 24 and 26, the actual operation is the same.

<제 5 실시예><Fifth Embodiment>

도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도이고, 도 12는 도 11의 구동 타이밍도이다.FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a driving timing diagram of FIG.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자(110)는 구동박막트랜지스터(DT)와 제1, 2 스위칭박막트랜지스터(ST1, ST2), 저장 캐패시터(capacitor, Cst), 유기발광 다이오드(OLED), 문턱전압회복부(ST3)를 포함하고 있다.11 and 12, the organic light emitting display device 110 according to the fifth embodiment of the present invention includes a driving thin film transistor DT, first and second switching thin film transistors ST1 and ST2, and a storage capacitor. , Cst), an organic light emitting diode (OLED), and a threshold voltage recovery unit ST3.

이러한, 구동박막트랜지스터(DT)와 제1, 2 스위칭박막트랜지스터(ST1, ST2), 저장 캐패시터(capacitor, Cst), 유기발광 다이오드(OLED)는 제1실시예에 따른 유기전계발광소자(20)의 구동박막트랜지스터(DT)와 제1, 2 스위칭박막트랜지스터(ST1, ST2), 저장 캐패시터(capacitor, Cst), 유기발광 다이오드(OLED)와 기능 및 실제적인 동작이 동일하므로, 이하 생략하기로 한다.The driving thin film transistor DT, the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2, the storage capacitor Cst, and the organic light emitting diode OLED are the organic light emitting diode 20 according to the first embodiment. Since the functions and the actual operation of the driving thin film transistor DT, the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2, the storage capacitor Cst, and the organic light emitting diode OLED are the same, the description thereof will be omitted. .

문턱전압 회복부(ST3)는 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트와 보조 데이터라인(118) 사이에 연결되어 있으며, 게이트가 보조 스캔라인(116)에 접속되어 있다. 따라서, 문턱전압 회복부(ST3)의 게이트에 보조 스캔라인(116)을 통해 보조 스캔신호가 인가되면, 온(ON)상태가 된다. 여기서, 문턱전압 회복부(ST3)는 N 모스 트랜지스터이나 이에 제한되지 않는다.The threshold voltage recovery unit ST3 is connected between the gate of the driving thin film transistor DT and the auxiliary data line 118, and the gate is connected to the auxiliary scan line 116. Therefore, when the auxiliary scan signal is applied to the gate of the threshold voltage recovery unit ST3 through the auxiliary scan line 116, the state is turned on. Here, the threshold voltage recovery unit ST3 is an N MOS transistor, but is not limited thereto.

이러한, 문턱전압 회복부(ST3)는 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트와 연결되어 접지전압(GNDn)보다 낮은 게이트 전압을 미리 인가하여 역바이어스(negavive bias) 전압으로 문턱전압(Vth)을 회복시키게 된다.The threshold voltage recovery unit ST3 is connected to the gate of the driving thin film transistor DT to apply a gate voltage lower than the ground voltage GND n in advance to recover the threshold voltage Vth with a negative bias voltage. Let's go.

이에 따라, 전원전압(VDD)을 증가시키지 않더라도 일정한 휘도를 얻을 수가 있어, 소비전력을 낮출 수가 있게 된다.As a result, a constant luminance can be obtained without increasing the power supply voltage VDD, and power consumption can be lowered.

본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자(110)의 동작을 도 12와 도 13을 참조하여 아래에 설명한다.An operation of the organic light emitting display device 110 according to the fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 12 and 13.

도 13은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자의 구동박막트랜지스터의 전압-전류특성의 변화를 도시한 그래프이다.FIG. 13 is a graph showing changes in voltage-current characteristics of a driving thin film transistor of an organic light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자(110)는 제 1실시예에 따른 유기전계발광소자(20)와 동일하게 스캔라인(114)을 통해 스캔신호(Scan1 Signal)가 인가될 때(전류 프로그래밍 구간(T1)) 전원전압(VDD)이 소거되며, 반대로 스캔신호(Scan1 Signal)가 소거될 때(출력전류 공급 구간(T2)) 전원전압(VDD)이 인가된다.Referring to FIG. 12, the organic light emitting diode 110 according to the fifth exemplary embodiment of the present invention scans through the scan line 114 in the same manner as the organic light emitting diode 20 according to the first exemplary embodiment. When the signal is applied (current programming section T1), the power supply voltage VDD is cleared, and conversely, when the scan signal Scan1 signal is cleared (output current supply section T2), the power supply voltage VDD is applied. do.

본 발명의 제5실시예에 따른 유기전계발광소자(110)는 문턱전압(Vth)을 회복시키기 위한 역전압 공급구간(T3) 동안, 보조 스캔라인(116)을 통해 문턱전압 회복부(ST3)의 게이트에 보조 스캔신호(Scan2 Signal)가 인가된다. 보조 스캔신호(Scan2 Signal)에 의해 문턱전압 회복부(ST3)가 온(ON)상태가 되면, 보조 데이터라인(118)을 통해 보조 데이터신호, 즉 접지전압(GNDn)보다 낮은 게이트 전압이 인가된다.The organic light emitting diode 110 according to the fifth exemplary embodiment of the present invention has the threshold voltage recovery unit ST3 through the auxiliary scan line 116 during the reverse voltage supply section T3 for recovering the threshold voltage Vth. An auxiliary scan signal (Scan2 Signal) is applied to the gate. When the threshold voltage recovery unit ST3 is turned on by the auxiliary scan signal Scan2, an auxiliary data signal, that is, a gate voltage lower than the ground voltage GND n is applied through the auxiliary data line 118. do.

결과적으로, 도 13에 도시된 바와 같이 구동박막트랜지스터(DT)의 전압-전류 특성곡선이 왼쪽으로 이동하여 문턱전압(Vth)이 회복된다.As a result, as shown in FIG. 13, the voltage-current characteristic curve of the driving thin film transistor DT is shifted to the left to recover the threshold voltage Vth.

따라서, 구동박막트랜지스터(DT)가 열화되어 문턱전압(Vth)이 증가하더라도문턱전압 회복부(ST3)의 역바이어스 전압에 의해 문턱전압(Vth)의 이동을 줄임으로써, 증가된 문턱전압(Vth)이 회복된다.Therefore, even when the driving thin film transistor DT is deteriorated and the threshold voltage Vth increases, the threshold voltage Vth is increased by reducing the shift of the threshold voltage Vth by the reverse bias voltage of the threshold voltage recovery unit ST3. Is recovered.

<제 6 실시예><Sixth Embodiment>

도 14는 본 발명의 제6실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도이고, 도 15는 도 14의 구동 타이밍도이다.14 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a driving timing diagram of FIG.

도 14 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 제6실시예에 따른 유기전계발광소 자(150)는 제5실시예에 따른 전계발광소자(110)와 동일하게 구동박막트랜지스터(DT)와 제1, 2 스위칭박막트랜지스터(ST1, ST2), 저장 캐패시터(capacitor, Cst), 유기발광 다이오드(OLED) 및 문턱전압 회복부(ST3)를 포함하고 있다.14 and 15, the organic light emitting diode 150 according to the sixth embodiment of the present invention is formed of the driving thin film transistor DT and the same as the electroluminescent device 110 according to the fifth embodiment. 1 and 2 switching thin film transistors ST1 and ST2, a storage capacitor Cst, an organic light emitting diode OLED, and a threshold voltage recovery unit ST3 are included.

이러한, 문턱전압 회복부(ST3)는 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트와 전단의 접지전압(GNDn-1)사이에 연결된다.The threshold voltage recovery unit ST3 is connected between the gate of the driving thin film transistor DT and the ground voltage GND n-1 of the previous stage.

이때, 문턱전압 회복부(ST3)의 게이트가 전단의 스캔라인(Scann-1, 154)과 연결되어 전단의 스캔라인(Scann-1, 154)을 통해 인가되는 전단의 스캔신호에 의해 구동박막트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 회복시킨다.At this time, it is driven by a scanning signal of the front end and the gate of the threshold voltage recovery part (ST3) is connected to the front end of scan lines (Scan n-1, 154) is applied through the front end of scan lines (Scan n-1, 154) The threshold voltage Vth of the thin film transistor DT is restored.

본 발명의 제6실시예에 따른 유기전계발광소자(150)의 동작을 도 15를 참조하여 아래에 설명한다.An operation of the organic light emitting diode 150 according to the sixth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 15.

도 15를 참조하면, 전류 프로그래밍 구간(T1) 동안, 스캔라인(154)을 통해 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)의 게이트에 스캔신호(Scann Signal)가 인가될때 전원전압(VDD)은 소거된다.Referring to FIG. 15, when a scan signal (Scan n Signal) is applied to the gates of the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2 through the scan line 154, the power supply voltage VDD during the current programming period T1. ) Is erased.

출력전류 공급 구간(T2) 동안, 스캔신호(Scann Signal)가 소거되고 전원전압(VDD)이 인가되므로, 구동박막트랜지스터(DT)는 저장 캐패시터(Cst)에 저장된 데이터전류에 의한 전압에 의해 구동되어 출력전류(IOLED)를 유기발광 다이오드(OLED)에 공급하게 된다.Output driven by a voltage due to the data current stored in the current supply period (T2) during a scan signal (Scan n Signal) that it will be deleted, and the power supply voltage (VDD) is applied, the driving TFT (DT) is a storage capacitor (Cst) The output current I OLED is supplied to the organic light emitting diode OLED.

역전압 공급구간(T3) 동안, 전단의 스캔신호(Scann-1 Signal)가 인가될때 전 단의 접지전압(GNDn -1)이 소거되고 접지전압(GNDn)이 인가되므로, 접지전압(GNDn)과 접지전압(GNDn)보다 낮은 전단의 접지전압(GNDn -1)과의 차이(VSSL-VSSH)만큼 역전압이 인가된다.During the reverse voltage supply section T3, when the previous scan signal Scan n-1 signal is applied, the ground voltage GND n -1 of the front stage is erased and the ground voltage GND n is applied. GND n) and by the difference (VSSL-VSSH) of the ground voltage (GND n) the ground voltage of the lower front end (GND n -1) is applied with a reverse voltage.

이와 같이, 보조 스캔라인이나 보조 데이터라인을 별도로 형성하지 않고 전단의 스캔라인(Scann-1)과 전단의 접지전압(GNDn -1)을 이용할 수 있다.In this manner, the scan line Scan n-1 at the front end and the ground voltage GND n −1 at the front end may be used without separately forming the auxiliary scan line or the auxiliary data line.

<제 7 실시예>Seventh Example

도 16은 본 발명의 제7실시예에 따른 유기전계발광소자의 등가회로도이고, 도 17은 도 16의 구동 타이밍도이다.FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting display device according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a driving timing diagram of FIG.

도 16 및 도 17을 참조하면, 본 발명의 제7실시예에 따른 유기전계발광소자(170)는 구동박막트랜지스터(DT)와 제1, 2 스위칭박막트랜지스터(ST1, ST2), 저장 캐패시터(capacitor, Cst), 유기발광 다이오드(OLED)및 문턱전압 회복부(ST3)를 포함하고 있다.16 and 17, the organic light emitting diode 170 according to the seventh embodiment of the present invention includes a driving thin film transistor DT, first and second switching thin film transistors ST1 and ST2, and a storage capacitor. , Cst), an organic light emitting diode (OLED), and a threshold voltage recovery unit ST3.

이러한, 문턱전압 회복부(ST3)는 구동박막트랜지스터(DT)의 게이트와 스캔라인(Scann, 174)사이에 연결된다.The threshold voltage recovery part ST3 is connected between the gate of the driving thin film transistor DT and the scan line Scan n 174.

이때, 문턱전압 회복부(ST3)의 게이트가 전단의 스캔라인(Scann-1, 174)과 연결되어 전단의 스캔라인(Scann-1, 174)을 통해 인가되는 전단의 스캔신호에 의해 구동박막트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)을 회복시킨다.At this time, it is driven by a scanning signal of the front end and the gate of the threshold voltage recovery part (ST3) is connected to the front end of scan lines (Scan n-1, 174) is applied through the front end of scan lines (Scan n-1, 174) The threshold voltage Vth of the thin film transistor DT is restored.

본 발명의 제7실시예에 따른 유기전계발광소자(170)의 동작을 도 17을 참조 하여 아래에 설명한다.An operation of the organic light emitting diode 170 according to the seventh embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 17.

도 17을 참조하면, 전류 프로그래밍 구간(T1) 동안, 스캔라인(174)을 통해 제1, 2스위칭 박막트랜지스터(ST1, ST2)의 게이트에 스캔신호(Scann Signal)가 인가될때 전원전압(VDD)은 소거된다.Referring to FIG. 17, when a scan signal (Scan n Signal) is applied to the gates of the first and second switching thin film transistors ST1 and ST2 through the scan line 174, the power supply voltage VDD during the current programming period T1. ) Is erased.

출력전류 공급 구간(T2) 동안, 스캔신호(Scann Signal)가 소거되고 전원전압(VDD)이 인가되므로 구동박막트랜지스터(DT)는 저장 캐패시터(Cst)에 저장된 데이터전류에 의한 전압에 의해 구동되어 출력전류(IOLED)를 유기발광 다이오드(OLED)에 공급하게 된다.During the output current supply interval (T2), a scan signal (Scan n Signal) is erased, because the power supply voltage (VDD) is applied to the driving TFT (DT) is driven by the voltage due to the data current stored in the storage capacitor (Cst) The output current I OLED is supplied to the organic light emitting diode OLED.

역전압 공급구간(T3) 동안, 전단의 스캔신호(Scann-1 Signal)가 인가될때 스캔신호(Scann Signal)가 소거되고 접지전압(GNDn)이 인가되므로, 접지전압(GNDn)과 접지전압(GNDn)보다 낮은 스캔신호(Scann Signal)의 전압과의 차이(VSSL-VSSH)만큼 역전압이 인가된다.Inverse voltage supply section (T3) for, since is applied when the scan signal (Scan n Signal) the scan signal (Scan n-1 Signal) of the front end and erased applying the ground voltage (GND n), the ground voltage (GND n) and as a ground voltage (GND n) difference between the lowest voltage of the scan signal (scan n signal) than (VSSL-VSSH) it is applied with a reverse voltage.

이와 같이, 보조 스캔라인이나 보조 데이터라인을 별도로 형성하지 않고 전단의 스캔라인(Scann-1)과 스캔라인(Scann)을 이용할 수 있다.Thus, without forming the auxiliary scanning line and the auxiliary data line it may be used separately to the front end of the scan line (Scan n-1) and scan lines (Scan n).

한편, 위 실시예에서, 전계발광소자는 유기 발광층을 포함하는 유기전계발광 소자이다.On the other hand, in the above embodiment, the electroluminescent device is an organic electroluminescent device comprising an organic light emitting layer.

한편, 구동박막트랜지스터(DT)에 인가되는 역바이어스(negative bias) 전압은 출력 전류 공급 구간(T2)후에 인가된다고 설명하였으나, 전류 프로그래밍 구 간(T1)전에 인가될 수도 있고, 출력 전류 공급 구간(T2) 동안에 인가될 수도 있다.Meanwhile, the negative bias voltage applied to the driving thin film transistor DT is applied after the output current supply period T2. However, the negative bias voltage may be applied before the current programming period T1. May be applied during T2).

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. I can understand that. Therefore, since the embodiments described above are provided to fully inform the scope of the invention to those skilled in the art, it should be understood that they are exemplary in all respects and not limited. The invention is only defined by the scope of the claims.

이러한 구성에 의하여 본 발명은 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 보상하여 구동박막트랜지스터가 열화되더라도 휘도가 떨어지지 않는 효과가 있다.By such a configuration, the present invention has the effect of compensating the threshold voltage of the driving thin film transistor so that the luminance does not decrease even when the driving thin film transistor is deteriorated.

또한, 본 발명은 소비전력을 낮춰 전계발광소자의 수명을 향상시킬 수 있는 다른 효과가 있다.In addition, the present invention has another effect that can lower the power consumption to improve the life of the electroluminescent device.

Claims (13)

접지전압에 캐소드전극이 연결되고 출력전류에 의해 발광하는 발광 다이오드와;A light emitting diode having a cathode electrode connected to the ground voltage and emitting light by an output current; 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 저장하는 저장 캐패시터와;A storage capacitor for storing a data signal applied through the data line; 전원전압과 상기 발광 다이오드 사이에 연결되어 있으며 게이트가 상기 저장 캐패시터의 일단에 접속되어 있어 상기 저장 캐패시터에 저장된 데이터신호를 이용하여 상기 발광 다이오드에 출력전류를 공급하는 구동박막트랜지스터와;A driving thin film transistor connected between a power supply voltage and the light emitting diode and having a gate connected to one end of the storage capacitor to supply an output current to the light emitting diode using a data signal stored in the storage capacitor; 상기 저장 캐패시터의 일단과 상기 데이터라인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제1스캔라인과 접속되어 있어 상기 제1스캔라인을 통해 인가되는 제1스캔신호에 의해 상기 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 전달하는 입력스위칭부와;A data signal applied through the data line by a first scan signal connected between one end of the storage capacitor and the data line and a gate connected to the first scan line to be applied through the first scan line. An input switching unit; 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제2스캔라인과 연결되어 제2스캔라인을 통해 인가되는 제2스캔신호에 의해 상기 저장 캐패시터에 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 반영한 게이트 전압을 일시적으로 저장하였다가 상기 구동박막트랜지스터가 상기 발광 다이오드에 출력전류를 공급할 때 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압에 상관없이 상기 데이터 신호를 전달하는 문턱전압 보상부와; A gate connected between the gate and the drain of the driving thin film transistor, the gate being connected to a second scan line to reflect the threshold voltage of the driving thin film transistor on the storage capacitor by a second scan signal applied through the second scan line. A threshold voltage compensator for temporarily storing a voltage and transferring the data signal regardless of the threshold voltage of the driving thin film transistor when the driving thin film transistor supplies an output current to the light emitting diode; 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 접지전압보다 상대적으로 낮은 게이트 전압을 인가하는 문턱전압 회복부를 포함하는 전계발광소자.And a threshold voltage recovery unit connected to the gate of the driving thin film transistor to apply a gate voltage relatively lower than the ground voltage. 전원전압에 애노드전극이 연결되고 출력전류에 의해 발광하는 발광 다이오드와;A light emitting diode having an anode connected to the power supply voltage and emitting light by an output current; 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 저장하는 저장 캐패시터와;A storage capacitor for storing a data signal applied through the data line; 접지전압과 상기 발광 다이오드 사이에 연결되어 있으며 게이트가 저장 캐패시터의 일단에 접속되어 있어 상기 저장 캐패시터에 저장된 데이터신호를 이용하여 발광 다이오드에 출력전류를 공급하는 구동박막트랜지스터와;A driving thin film transistor connected between a ground voltage and the light emitting diode and having a gate connected to one end of the storage capacitor to supply an output current to the light emitting diode using a data signal stored in the storage capacitor; 상기 구동박막트랜지스터의 드레인과 상기 데이터라인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제1스캔라인과 접속되어 있어 상기 제1스캔라인을 통해 인가되는 제1스캔신호에 의해 상기 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호를 전달하는 입력스위칭부와;A data signal is applied between the drain of the driving thin film transistor and the data line, and a gate is connected to the first scan line, and thus a data signal applied through the data line by a first scan signal applied through the first scan line. An input switching unit to transfer; 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있으며 게이트가 제2스캔라인과 연결되어 제2스캔라인을 통해 인가되는 제2스캔신호에 의해 상기 저장 캐패시터에 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압을 반영한 게이트 전압을 일시적으로 저장하였다가 상기 구동박막트랜지스터가 상기 발광 다이오드에 출력전류를 공급할 때 상기 구동박막트랜지스터의 문턱전압에 상관없이 상기 데이터 신호를 전달하는 문턱전압 보상부와;A gate connected between the gate and the drain of the driving thin film transistor, the gate being connected to a second scan line to reflect the threshold voltage of the driving thin film transistor on the storage capacitor by a second scan signal applied through the second scan line. A threshold voltage compensator for temporarily storing a voltage and transferring the data signal regardless of the threshold voltage of the driving thin film transistor when the driving thin film transistor supplies an output current to the light emitting diode; 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 접지전압보다 상대적으로 낮은 게이트 전압을 인가하는 문턱전압 회복부를 포함하는 전계발광소자.And a threshold voltage recovery unit connected to the gate of the driving thin film transistor to apply a gate voltage relatively lower than the ground voltage. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동박막트랜지스터, 상기 입력스위칭부, 상기 문턱전압 보상부는 P타입 모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The driving thin film transistor, the input switching unit, and the threshold voltage compensating unit are P-type MOS transistors. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 구동박막트랜지스터, 상기 입력스위칭부, 상기 문턱전압 보상부는 N타입 모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The driving thin film transistor, the input switching unit, and the threshold voltage compensating unit are N-type MOS transistors. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1스캔라인과 상기 제2스캔라인은 동일한 라인이며 상기 제1스캔신호와 상기 제2스캔신호는 동일한 신호인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.And the first scan line and the second scan line are the same line, and the first scan signal and the second scan signal are the same signal. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 데이터라인을 통해 인가되는 데이터신호는 정전류이며, 상기 데이터 신호는 제1스캔신호 및 제2스캔신호가 ON 상태일 때, 상기 구동박막트랜지스터를 구동시키는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The data signal applied through the data line is a constant current, and the data signal drives the driving thin film transistor when the first scan signal and the second scan signal are in an ON state. 제 6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 정전류는 상기 제1스캔신호 및 제2스캔신호가 ON 상태일 때, 상기 구동박막트랜지스터에 공급되는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.The constant current is supplied to the driving thin film transistor when the first scan signal and the second scan signal are in an ON state. 삭제delete 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 문턱전압 회복부는,The threshold voltage recovery unit, 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 보조 데이터라인 사이에 연결되어 있으며, 게이트가 보조 스캔라인과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.And a gate connected between the gate of the driving thin film transistor and the auxiliary data line, and the gate connected to the auxiliary scan line. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 문턱전압 회복부는,The threshold voltage recovery unit, 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 전단의 접지전압 사이에 연결되어 있으며, 게이트가 전단의 제1스캔라인과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.And a gate connected between the gate of the driving thin film transistor and the ground voltage of the front end, and the gate connected to the first scan line of the front end. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 문턱전압 회복부는,The threshold voltage recovery unit, 상기 구동박막트랜지스터의 게이트와 제1스캔라인 사이에 연결되어 있으며, 게이트가 전단의 제1스캔라인과 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.And a gate connected between the gate of the driving thin film transistor and the first scan line, and the gate connected to the first scan line of the front end. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 문턱전압 회복부는 N타입 모스 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The threshold voltage recovery unit is an N-type MOS transistor. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 발광 다이오드는 유기 발광층을 포함하는 전계발광소자.The light emitting diode is an electroluminescent device comprising an organic light emitting layer.
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