KR20080051637A - Shift register - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 블록도의 한 예이다.1 is an example of a block diagram showing a shift register according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.2 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.3 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the second embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.4 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.5 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fourth embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.6 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fifth embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.7 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the sixth embodiment of the present invention.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
10: 쉬프트 레지스터 100: 입력부10: shift register 100: input
200: 출력부 300: 풀업구동부200: output unit 300: pull-up driving unit
400: 풀다운구동부 500: 게이트 오프부400: pull-down drive part 500: gate off part
600: 센싱부600: sensing unit
본 발명은 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 개구율을 향상시키고 터치 지점의 좌표를 정확히 감지할 수 있는 쉬프트 레지스터에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register, and more particularly, to a shift register capable of improving the aperture ratio and accurately detecting the coordinates of a touch point.
화상을 표시하는 디스플레이(Display)는 음극선관, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널 등과 같이 종류가 다양하다. 이러한 디스플레이들은 화면 상에서 입력 정보를 손쉽게 입력하기 위하여 사용자가 펜 또는 손가락으로 표면을 가압하면 그 위치에 대응하는 정보를 입력시키는 터치 패널을 설치하여 입력 장치로 이용한다.There are various types of displays that display images, such as cathode ray tubes, liquid crystal displays, plasma display panels, and the like. In order to easily input the input information on the screen, such displays are used as an input device by installing a touch panel for inputting information corresponding to the position when the user presses the surface with a pen or finger.
터치 패널의 두께 및 크기 문제에 대응하기 위하여 터치 패널을 내장한 액정 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 터치 패널을 내장한 액정 디스플레이 장치는 외부에서 압력이 인가된 경우 터치 지점의 좌표를 감지하는 센싱 트랜지스터가 단위 화소마다 형성되어 있어 개구율이 저하된다. In order to cope with thickness and size problems of the touch panel, a liquid crystal display device having a touch panel is being developed. In a liquid crystal display including a touch panel, when a pressure is applied from the outside, a sensing transistor that senses coordinates of a touch point is formed for each unit pixel, thereby reducing the aperture ratio.
또한, 단위 화소마다 센싱 트랜지스터가 형성된 경우, 박막 트랜지스터 표시판에 형성되어 있는 화소 전극과 공통 전극 표시판에 형성되어 있는 공통 전극의 커플링에 의해 공통 전압이 왜곡되는 현상이 발생하게 되는데, 이는 데이터선에 인가되는 데이터 전압이 변할 때마다 공통 전압을 심하게 왜곡시킨다. 이로 인해, 왜곡된 공통 전압이 센서 라인을 통해 비교기로 제공되고, 센서에서는 두 신호의 상대적인 극성을 오판하게 되어 외부에서 압력이 인가되지 않은 경우 외부에서 압력이 인가되었다고 판단하거나 또는 외부에서 압력이 인가된 경우에도 터치 지점의 좌표 신호를 알 수 없게 된다. In addition, when the sensing transistor is formed for each unit pixel, the common voltage is distorted due to the coupling between the pixel electrode formed on the thin film transistor array panel and the common electrode formed on the common electrode display panel. Every time the applied data voltage changes, the common voltage is severely distorted. As a result, a distorted common voltage is provided to the comparator through the sensor line, and the sensor misjudges the relative polarity of the two signals, so that the external pressure is applied or the external pressure is applied when no pressure is applied from the outside. In this case, the coordinate signal of the touch point is unknown.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 개구율을 향상시키고 터치 지점의 좌표를 정확히 감지할 수 있는 쉬프트 레지스터를 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide a shift register that can improve the aperture ratio and accurately detect the coordinates of a touch point.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 게이트 온/오프 신호를 순차적으로 출력하는 n개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터로서, 상기 각 스테이지는 제1 캐리 신호를 입력받아 제어 신호를 출력하는 입력부, 상기 입력부에 연결되고, 제1 클럭 신호 및 상기 제어 신호에 따라 상기 게이트 온/오프 신호 및 제2 캐리 신호를 출력하는 출력부, 상기 제1 클럭 신호에 동작하는 풀업 구동부, 상기 입력부, 상기 풀업 구동부 및 상기 출력부에 연결되고, 상기 제1 클럭 신호, 제2 클럭 신호 및 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 동작하는 풀다운 구동부, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 터치 지점에 해당하는 센싱 신호를 출력하는 센싱부 및 상기 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 게이트 오프부를 포함한다.The shift register according to an embodiment of the present invention for achieving the technical problem is a shift register including n stages for sequentially outputting a gate on / off signal, each stage receives a first carry signal An input unit for outputting a control signal, an output unit connected to the input unit and outputting the gate on / off signal and the second carry signal according to a first clock signal and the control signal, and a pull-up driving unit operating on the first clock signal A pull-down driving unit connected to the input unit, the pull-up driving unit, and the output unit and operating according to the first clock signal, the second clock signal, and a gate on / off signal of the (n + 1) th stage; The sensing unit outputs a sensing signal corresponding to a touch point according to the off signal and the gate on / off signal of the (n + 1) th stage. And a gate off part for outputting a pre-signal.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 블록도의 한 예이다.1 is an example of a block diagram illustrating a shift register according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 쉬프트 레지스터(10)는 서로 종속적으로 연결되어 있으며, 순차적으로 게이트 온/오프 신호(Gout1,…,Gout(n+1))를 출력하는 다수의 스테이지(ST1,…,STn +1)를 포함하며, 게이트 오프 전압(Voff), 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB), 초기화 신호(INT)가 입력된다. 마지막 스테이지(STn +1)를 제외한 모든 스테이지는 액정 패널(미도시)의 게이트 라인(미도시)과 일대일로 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, the
각 스테이지(ST1,…,STn +1)는 제1 클럭 단자(CK1), 제2 클럭 단자(CK2), 셋 단자(S), 리셋 단자(R), 전원 전압 단자(GV), 프레임 리셋 단자(FR), 게이트 출력 단자(OUT1)와 캐리 출력 단자(OUT2) 및 센싱 출력 단자(OUT3)를 가지고 있다.Each stage ST 1 , ..., ST n +1 includes a first clock terminal CK1, a second clock terminal CK2, a set terminal S, a reset terminal R, a power supply voltage terminal GV, and a frame. It has a reset terminal FR, a gate output terminal OUT1 and a carry output terminal OUT2 and a sensing output terminal OUT3.
각 스테이지(ST1,…,STn+1), 예를 들면, j번째 스테이지(STj)의 셋 단자(S)에는 전단 스테이지(STj-1)의 캐리 신호(Cout(j-1))가, 리셋 단자(R)에는 후단 스테이지(STj +1)의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CK1) 및 제2 클럭 단자(CK2)에는 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB)가 입력되며, 전원 전압 단자(GV)에는 초기화 신호(INT)가 입력되며, 프레임 리셋 단자(FR)에는 게이트 오프 전압(Voff)이 입력된다. 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 캐리 출력 단자(OUT2)는 캐리 신호(Cout(j-1))를 출력하며, 센싱 출력 단자(OUT3)는 센싱 신호(Sout(j))를 출력한다. 마지막 스테이지(STn +1)의 캐리 신호(Cout(n+1))는 초기화 신호로서 각 스테이지(ST1,…,STn+1)에 제공된다.The carry signal Cout (j-1) of the front stage ST j-1 is provided to the set terminal S of each stage ST1, ..., STn + 1, for example, the j-th stage ST j . The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the rear stage ST j +1 is input to the reset terminal R, and the first clock terminal CK1 and the second clock terminal CK2 are input to the reset terminal R. The first clock signal CKV and the second clock signal CKVB are input, an initialization signal INT is input to the power supply voltage terminal GV, and a gate off voltage Voff is input to the frame reset terminal FR. . The gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , the carry output terminal OUT2 outputs the carry signal Cout (j-1) , and the sensing output terminal OUT3 is output. The sensing signal Sout (j ) is output. A final stage carry signal (Cout (n + 1)) of the (n +1 ST) is provided for each stage (ST1, ..., STn + 1 ) as an initialization signal.
단, 첫 번째 스테이지(ST1)에는 전단 캐리 신호 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력되며, 마지막 스테이지(STn +1)에는 후단 게이트 온/오프 신호 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력된다. However, the scan start signal STV is input to the first stage ST 1 instead of the front carry signal, and the scan start signal STV is input to the last stage ST n +1 instead of the rear gate on / off signal.
여기서 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB)는 액정 패널(미도시)의 화소(미도시)를 구성하는 트랜지스터(미도시)를 구동할 수 있도록, 하이 레벨인 경우는 게이트 온 전압(Von)과 같고, 로우 레벨인 경우에는 게이트 오프 전압(Voff)과 같을 수 있으며, 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB)의 듀티비가 50%이고, 그 위상차는 180°일 수 있다.In this case, the first clock signal CKV and the second clock signal CKVB may be gate-on in a high level so as to drive a transistor (not shown) constituting a pixel (not shown) of the liquid crystal panel (not shown). The voltage Von may be equal to the gate-off voltage Voff in the case of the low level, and the duty ratio of the first clock signal CKV and the second clock signal CKVB is 50%, and the phase difference thereof is 180 °. Can be.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.2 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the first embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, j번째 스테이지(STj)는 입력부(100), 출력부(200), 풀업 구동부(300), 풀다운 구동부(400), 게이트 오프부(500) 및 센싱부(600)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the j th stage ST j includes the
입력부(100)는 소스와 게이트가 공통 연결되어 이전 스테이지의 캐리 신호(Cout(j-1))를 입력받는 제4 트랜지스터(T4)를 포함하며, 전단 캐리 신호(Cout(j-1))를 입력받아 드레인을 통하여 제어 신호(CONT)를 출력한다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트와 소스는 셋 단자(S)에 공통으로 연결되어 있으며 드레인은 제1 노드(N1)에 연결되어 있다.The
출력부(200)는 입력부(100)에 연결되고, 제1 클럭 신호(CKV) 및 제어 신호(CONT)에 따라 게이트 온/오프 신호(Gout(j)) 및 캐리 신호(Cout(j))를 출력한다. The
이러한 출력부(200)는 게이트는 제어 신호(CONT)에 연결되고, 드레인은 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 있으며, 소스는 제2 노드(N2)에 연결되어 있는 제1 트랜지스터(T1)와, 소스는 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되고, 드레인은 캐리 출력 단자(OUT2)에 연결되어 있으며, 게이트는 제1 노드에 연결되어 있는 제15 트랜지스터(T15)와, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제1 커패시터(C1), 제15 트랜지스터(T15)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제2 커패시터(C2)를 포함한다. The
풀업 구동부(300)는 제1 클럭 신호(CKV)에 따라 동작하는데, 풀다운 구동부(400)가 출력부(200)를 풀다운시키는 것을 방지한다.The pull-
이러한 풀업 구동부(300)는, 제1 클럭 단자(CK1)와 제3 노드(N3) 사이에 연결되어 있는 제12 트랜지스터(T12), 제1 클럭 단자(CK1)와 제4 노드(N4) 사이에 연결되어 있는 제7 트랜지스터(T7)를 포함한다. 제12 트랜지스터(T12)의 게이트와 소스는 제1 클럭 단자(CK1)에 공통으로 연결되어 있고, 드레인은 제3 노드(N3)에 연결되어 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트는 제3 노드(N3)에 연결됨과 동시에 제3 커패시터(C3)를 통하여 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 있고, 소스는 제1 클럭 단자(CK1)에 드레인은 제4 노드(N4)에 연결되어 있으며, 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4) 사이에 제4 커패시터(C4)가 연결되어 있다.The pull-up
풀다운 구동부(400)는 입력부(100), 풀업 구동부(300) 및 출력부(200)에 연결되고, 제1 클럭 신호(CKV), 제2 클럭 신호(CKVB) 및 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))에 따라 동작하여, 출력부(200)를 풀다운 시킨다.The pull-down
이러한 풀다운 구동부(400)는, 셋 단자(S)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 직렬로 연결되어 있는 세 개의 트랜지스터(T5, T10, T11), 제1 노드(N1)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 병렬로 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T6, T9), 풀업 구동부(300)의 제3 노드(N3) 및 제4 노드(N4)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 각각 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T13, T8) 그리고 제2 노드(N2)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 병렬로 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T2, T3)를 포함한다.The pull-down
게이트 오프부(500)는 게이트가 리셋 단자(R)에 연결되어 있고, 드레인은 제2 노드(N2)에 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제 14 트랜지스터(T14)를 포함하며, 게이트는 (j+1)번째 스테이지(STj +1)의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))를 입력받아 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 드레인을 통해 게이트 오프 전압(Voff)을 게이트 출력 단자(OUT1)로 출력한다. The gate off
센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 리셋 단자(R)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2) 및 반전 입력 단자(-)는 제5 노드와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. The
여기에서, 센싱 라인(SL1)은 박막 트랜지스터 표시판(미도시) 상에 형성되어 있는 센싱 전극(미도시)과 연결되어 있으며, 외부에서 압력을 인가하게 되면 공통 전극 표시판(미도시) 상에 형성되어 있는 센서 스페이서(미도시)와 박막 트랜지스터 표시판의 센싱 전극(미도시)과 통전되어 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)에는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))가 출력되고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 센싱 라인(SL1)의 센싱 신호는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력된다. Here, the sensing line SL1 is connected to a sensing electrode (not shown) formed on the thin film transistor array panel (not shown), and is formed on the common electrode display panel (not shown) when a pressure is applied from the outside. The sensor spacer (not shown) and the sensing electrode (not shown) of the thin film transistor array panel are energized to transmit a sensing signal to the sensing line SL1. At this time, a gate on / off signal Gout (j) is output to the gate output terminal OUT1, and the signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal of the sensing line SL1 is input to the inverting input terminal (−) of the comparator AMP.
그리고, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and this signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off.
또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에는 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 1) of the (j + 1) th stage is input to the gate of the second sensing transistor ST2 to turn on the second sensing transistor ST2, and through the drain. The gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.3 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the second embodiment of the present invention.
본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되는 것을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 2 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of a j-th stage according to the second embodiment of the present invention, the second to the gate of the sensing transistor (ST2) (j + 2) gate on the second stage (ST (j + 2)) / off signal (Gout ( j + 2) is identical to the internal circuit diagram (see FIG. 2) of the j-th stage according to the first embodiment of the present invention except that the gate off
도 3을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2) 및 반전 입력 단자(-)는 제5 노드와 연결되어 있 고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the
외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 센싱 라인(SL1)의 센싱 신호는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력된다. When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, the gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , which is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1, The sensing signal of the sensing line SL1 is input to the inverting input terminal (−) of the comparator AMP.
그리고, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and this signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off.
또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2, so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.4 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention.
본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와 제5 캐패시터(C5)를 더 포함하는 것을 제외하고는 본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 3 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention is the j-th stage according to the second embodiment of the present invention except that the third sensing transistor ST3 and the fifth capacitor C5 are further included. Since it is the same as the internal circuit diagram (see FIG. 3), other portions except for the gate off
도 4을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트는 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 제5 캐패시터(C5)에 연결되어 있고, 소스는 리셋 단자(S)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제5 캐패시터(C5) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 4, the
외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)에는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))가 출력되고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 드레인으로 게 이트 오프 신호(Voff)를 출력한다. When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, a gate on / off signal Gout (j) is output to the gate output terminal OUT1, and the signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and outputs a gate-off signal Voff to the drain.
이후, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. 그리고, 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 사이의 제5 노드(N5)가 플로팅(floating) 상태가 되는데, 이때에 제5 캐패시터(C5)에 의해 제5 노드(N5)의 전압이 부스트업(boost up)되어 제3 센싱 트랜지스터(ST3)를 턴온시키고, 드레인을 통해 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 출력된다. 이때, 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 기준 전압(Vref)과 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))를 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다.Thereafter, the gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and the signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off. In addition, the fifth node N5 between the first sensing transistor ST1 and the third sensing transistor ST3 is in a floating state. At this time, the fifth node C5 is moved by the fifth capacitor C5. Is boosted up to turn on the third sensing transistor ST3, and the gate on / off signal Gout (j + 1 ) is output through the drain. At this time, the gate on / off signal Gout (j + 1) is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, and the comparator AMP is connected with the reference voltage Vref and the gate on / off signal Gout ( j + 1) ) is compared and the comparison result is output to the output terminal OUT3.
또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2, so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.5 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fourth embodiment of the present invention.
본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+3)번째 스테이지(ST(j+3))의 게이트 온/오프 신 호(Gout(j+3))가 입력되는 것과, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 소스에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되는 것을 제외하고는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 4 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of the j-th stage according to the fourth embodiment of the present invention is a gate on / off signal Gout of the (j + 3) th stage ST (j + 3) to the gate of the second sensing transistor ST2. (j + 3) ) is input , and the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2) to the source of the third sensing transistor ST3. Except is input, since it is the same as the internal circuit diagram (see FIG. 4) of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention, the remaining parts except for the gate off
도 5를 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제2 더미 단자(D2)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트는 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 제5 캐패시터(C5)에 연결되어 있고, 소스는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제5 캐패시터(C5) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 5, the
외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)에는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))가 출력되고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 드레인으로 게이트 오프 신호(Voff)를 출력한다. When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, a gate on / off signal Gout (j) is output to the gate output terminal OUT1, and the signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and outputs the gate off signal Voff to the drain.
이후, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. 그리고, 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 사이의 제5 노드(N5)가 플로팅(floating) 상태가 되는데, 이때에 제5 캐패시터(C5)에 의해 제5 노드(N5)의 전압이 부스트업(boost up)되어 제3 센싱 트랜지스터(ST3)를 턴온시키고, 소스에는 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 드레인을 통해 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 출력된다. 이때, 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 기준 전압(Vref)과 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))를 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다.Thereafter, the gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and the signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off. In addition, the fifth node N5 between the first sensing transistor ST1 and the third sensing transistor ST3 is in a floating state. At this time, the fifth node C5 is moved by the fifth capacitor C5. Is boosted up to turn on the third sensing transistor ST3, and the gate on / off signal Gout (j + 2 ) of the (j + 2) th stage ST (j + 2) is applied to the source. ) ) Is input to output the gate on / off signal Gout (j + 2) through the drain. At this time, the gate on / off signal Gout (j + 2) is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, and the comparator AMP is connected to the reference voltage Vref and the gate on / off signal Gout ( j + 2) ) is compared and the comparison result is output to the output terminal OUT3.
또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+3)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 3) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2 so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.6 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fifth embodiment of the present invention.
본 발명의 제5 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되는 것과, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 소스가 공통으로 연결되어 있다는 것을 제외하고는 본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 5 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of a j-th stage according to the fifth embodiment of the present invention, the second to the gate of the sensing transistor (ST2) (j + 2) gate on the second stage (ST (j + 2)) / off signal (Gout ( j + 2) ) and the internal circuit diagram of the j-th stage according to the fourth embodiment of the present invention except that the gate and the source of the third sensing transistor ST3 are connected in common (see FIG. 5). Since it is the same as), other portions except for the gate off
도 6을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트와 소스는 공통으로 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 6, the
외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 게이트로 입력되는 센싱 신호를 드레인으로 출력하고, 이 센싱 신호는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다. 여기서, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)는 게이트로 입력되는 센싱 신호를 드레인으로 그대로 출력하는 다이오드(diode) 역할을 한다.When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, the gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , which is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1, The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and outputs a sensing signal input to the gate as a drain, which is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, and the comparator AMP is sensed. The signal is compared with the reference voltage Vref, and the comparison result is output to the output terminal OUT3. Here, the third sensing transistor ST3 serves as a diode for outputting a sensing signal input to the gate as a drain.
그리고, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 드레인은 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and this signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on and the drain outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off.
또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2, so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.
도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.7 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the sixth embodiment of the present invention.
본 발명의 제6 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트 랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+1)번째 스테이지(ST(j+1))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되는 것과 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 소스에는 외부에서 입력 전압(Vin)이 입력되는 것을 제외하고는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 4 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of the j-th stage according to the sixth embodiment of the present invention is a gate on / off signal (j + 1) of the (j + 1) th stage ST (j + 1) to the gate of the second sensing transistor ST2. Internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention except that Gout (j + 1) is input and the input voltage Vin is externally input to the source of the third sensing transistor ST3. Since it is the same as (see FIG. 4), the rest of portions except for the gate off
도 7을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 리셋 단자(R)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트는 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 제5 캐패시터(C5)에 연결되어 있고, 소스는 별도의 외부 전압이 입력되는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제5 캐패시터(C5) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 7, the
외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 이 신 호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 드레인으로 외부에서 제공되는 입력 전압(Vin)이 출력된다. 이때, 입력 전압(Vin)은 게이트 오프 신호(Voff)와 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, the gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , and this signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and an input voltage Vin provided from the outside to the drain is output. In this case, the input voltage Vin may have the same voltage level as the gate off signal Voff.
이후, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. 그리고, 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 사이의 제5 노드(N5)가 플로팅(floating) 상태가 되는데, 이때에 제5 캐패시터(C5)에 의해 제5 노드(N5)의 전압이 부스트업(boost up)되어 제3 센싱 트랜지스터(ST3)를 턴온시키고, 드레인으로 외부에서 제공되는 입력 전압(Vin)이 출력된다. 이때, 입력 전압(Vin)은 게이트 온/오프 신호(Gout(j)와 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다. 여기서, 입력 전압(Vin)은 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 기준 전압(Vref)과 게이트 온 신호를 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다. Thereafter, the gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and the signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off. In addition, the fifth node N5 between the first sensing transistor ST1 and the third sensing transistor ST3 is in a floating state. At this time, the fifth node C5 is moved by the fifth capacitor C5. The voltage of boosts up to turn on the third sensing transistor ST3 and outputs an input voltage Vin externally provided as a drain. In this case, the input voltage Vin may have the same voltage level as the gate on / off signal Gout (j ), where the input voltage Vin is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, The comparator AMP compares the reference voltage Vref with the gate-on signal and outputs a comparison result to the output terminal OUT3.
본 발명에서는 쉬프트 레지스터에 내부에 터치 지점의 X좌표를 감지하는 센싱 회로를 구비하여 센싱 라인을 통해 센싱 신호를 비교기로 전달하여 비교 결과를 출력하는 것에 대해 설명하였으나, 쉬프트 레지스터는 Y좌표를 감지하는 센싱 회로 를 구비하여 센싱 라인을 통해 센싱 신호를 비교기로 전달하여 비교 결과를 출력하는 것도 가능하다.In the present invention, the shift register is provided with a sensing circuit for sensing the X coordinate of the touch point inside the shift register, and the sensing signal is transmitted to the comparator through the sensing line. However, the shift register detects the Y coordinate. A sensing circuit may be provided to transmit a sensing signal to a comparator through a sensing line to output a comparison result.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 의하면, 쉬프트 레지스터 내부에 외부에서 압력이 인가된 경우 터치 지점의 좌표를 감지하는 센싱 회로를 구비하여 액정 표시 장치의 화소 영역에 X축 및 Y축에 해당하는 센싱 라인을 추가하지 않아도 되므로 개구율을 향상시킬 수 있으며, 또한 센싱 라인으로 인해 팬 아웃 저항이 커져 센싱 신호가 왜곡되는 현상을 방지하여 터치 지점의 좌표를 정확히 감지할 수 있다.As described above, the shift register according to the present invention includes a sensing circuit that senses coordinates of a touch point when a pressure is applied from the inside of the shift register to correspond to the X and Y axes in the pixel area of the liquid crystal display. Since it is not necessary to add a sensing line, the aperture ratio can be improved, and the sensing line increases the fan out resistance, thereby preventing the sensing signal from being distorted, thereby accurately detecting the coordinates of the touch point.
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