KR20080051637A - Shift register - Google Patents

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KR20080051637A
KR20080051637A KR1020060123113A KR20060123113A KR20080051637A KR 20080051637 A KR20080051637 A KR 20080051637A KR 1020060123113 A KR1020060123113 A KR 1020060123113A KR 20060123113 A KR20060123113 A KR 20060123113A KR 20080051637 A KR20080051637 A KR 20080051637A
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stage
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김범준
이종환
주영길
한상윤
김희준
한혜리
이종혁
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삼성전자주식회사
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Abstract

A shift register is provided to enhance aperture rates without adding sensing lines by implementing a sensing circuit for detecting coordinates of touch position in the shift register. A shift register includes plural stages for outputting sequentially gate on/off signals. Each of the stage includes an input unit(100), an output unit(200), pull-up and pull-down drivers(300,400), a sensing unit(600), and a gate off unit. The input unit receives a first carry signal and outputs a control signal. The output unit, which is connected to the input unit, outputs the gate on/off signal and a second carry signal according to the first clock and control signals. The pull-up driver is driven by the first clock signal. The pull-down driver, which is connected to the input unit, the output unit, and the pull-up driver, is driven by the first and second clock signals and a gate on/off signal of an (n+1)-th stage. The sensing unit outputs a sensing signal corresponding to a touch position according to the gate on/off signal. The gate off unit outputs an off signal according to the gate on/off signal of the (n+1)-th stage.

Description

쉬프트 레지스터{Shift register}Shift register

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 블록도의 한 예이다.1 is an example of a block diagram showing a shift register according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.2 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.3 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.4 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.5 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fourth embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.6 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fifth embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.7 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the sixth embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

10: 쉬프트 레지스터 100: 입력부10: shift register 100: input

200: 출력부 300: 풀업구동부200: output unit 300: pull-up driving unit

400: 풀다운구동부 500: 게이트 오프부400: pull-down drive part 500: gate off part

600: 센싱부600: sensing unit

본 발명은 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 개구율을 향상시키고 터치 지점의 좌표를 정확히 감지할 수 있는 쉬프트 레지스터에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register, and more particularly, to a shift register capable of improving the aperture ratio and accurately detecting the coordinates of a touch point.

화상을 표시하는 디스플레이(Display)는 음극선관, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널 등과 같이 종류가 다양하다. 이러한 디스플레이들은 화면 상에서 입력 정보를 손쉽게 입력하기 위하여 사용자가 펜 또는 손가락으로 표면을 가압하면 그 위치에 대응하는 정보를 입력시키는 터치 패널을 설치하여 입력 장치로 이용한다.There are various types of displays that display images, such as cathode ray tubes, liquid crystal displays, plasma display panels, and the like. In order to easily input the input information on the screen, such displays are used as an input device by installing a touch panel for inputting information corresponding to the position when the user presses the surface with a pen or finger.

터치 패널의 두께 및 크기 문제에 대응하기 위하여 터치 패널을 내장한 액정 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 터치 패널을 내장한 액정 디스플레이 장치는 외부에서 압력이 인가된 경우 터치 지점의 좌표를 감지하는 센싱 트랜지스터가 단위 화소마다 형성되어 있어 개구율이 저하된다. In order to cope with thickness and size problems of the touch panel, a liquid crystal display device having a touch panel is being developed. In a liquid crystal display including a touch panel, when a pressure is applied from the outside, a sensing transistor that senses coordinates of a touch point is formed for each unit pixel, thereby reducing the aperture ratio.

또한, 단위 화소마다 센싱 트랜지스터가 형성된 경우, 박막 트랜지스터 표시판에 형성되어 있는 화소 전극과 공통 전극 표시판에 형성되어 있는 공통 전극의 커플링에 의해 공통 전압이 왜곡되는 현상이 발생하게 되는데, 이는 데이터선에 인가되는 데이터 전압이 변할 때마다 공통 전압을 심하게 왜곡시킨다. 이로 인해, 왜곡된 공통 전압이 센서 라인을 통해 비교기로 제공되고, 센서에서는 두 신호의 상대적인 극성을 오판하게 되어 외부에서 압력이 인가되지 않은 경우 외부에서 압력이 인가되었다고 판단하거나 또는 외부에서 압력이 인가된 경우에도 터치 지점의 좌표 신호를 알 수 없게 된다. In addition, when the sensing transistor is formed for each unit pixel, the common voltage is distorted due to the coupling between the pixel electrode formed on the thin film transistor array panel and the common electrode formed on the common electrode display panel. Every time the applied data voltage changes, the common voltage is severely distorted. As a result, a distorted common voltage is provided to the comparator through the sensor line, and the sensor misjudges the relative polarity of the two signals, so that the external pressure is applied or the external pressure is applied when no pressure is applied from the outside. In this case, the coordinate signal of the touch point is unknown.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 개구율을 향상시키고 터치 지점의 좌표를 정확히 감지할 수 있는 쉬프트 레지스터를 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide a shift register that can improve the aperture ratio and accurately detect the coordinates of a touch point.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는, 게이트 온/오프 신호를 순차적으로 출력하는 n개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터로서, 상기 각 스테이지는 제1 캐리 신호를 입력받아 제어 신호를 출력하는 입력부, 상기 입력부에 연결되고, 제1 클럭 신호 및 상기 제어 신호에 따라 상기 게이트 온/오프 신호 및 제2 캐리 신호를 출력하는 출력부, 상기 제1 클럭 신호에 동작하는 풀업 구동부, 상기 입력부, 상기 풀업 구동부 및 상기 출력부에 연결되고, 상기 제1 클럭 신호, 제2 클럭 신호 및 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 동작하는 풀다운 구동부, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 터치 지점에 해당하는 센싱 신호를 출력하는 센싱부 및 상기 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 게이트 오프부를 포함한다.The shift register according to an embodiment of the present invention for achieving the technical problem is a shift register including n stages for sequentially outputting a gate on / off signal, each stage receives a first carry signal An input unit for outputting a control signal, an output unit connected to the input unit and outputting the gate on / off signal and the second carry signal according to a first clock signal and the control signal, and a pull-up driving unit operating on the first clock signal A pull-down driving unit connected to the input unit, the pull-up driving unit, and the output unit and operating according to the first clock signal, the second clock signal, and a gate on / off signal of the (n + 1) th stage; The sensing unit outputs a sensing signal corresponding to a touch point according to the off signal and the gate on / off signal of the (n + 1) th stage. And a gate off part for outputting a pre-signal.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 나타낸 블록도의 한 예이다.1 is an example of a block diagram illustrating a shift register according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 쉬프트 레지스터(10)는 서로 종속적으로 연결되어 있으며, 순차적으로 게이트 온/오프 신호(Gout1,…,Gout(n+1))를 출력하는 다수의 스테이지(ST1,…,STn +1)를 포함하며, 게이트 오프 전압(Voff), 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB), 초기화 신호(INT)가 입력된다. 마지막 스테이지(STn +1)를 제외한 모든 스테이지는 액정 패널(미도시)의 게이트 라인(미도시)과 일대일로 연결되어 있다.Referring to FIG. 1, the shift registers 10 are dependently connected to each other, and a plurality of stages ST 1 ,... Which sequentially output gate on / off signals Gout 1 ,..., Gout (n + 1) . , ST n +1 ), and a gate-off voltage Voff, a first clock signal CKV, a second clock signal CKVB, and an initialization signal INT are input. All stages except the last stage ST n +1 are connected one-to-one with a gate line (not shown) of the liquid crystal panel (not shown).

각 스테이지(ST1,…,STn +1)는 제1 클럭 단자(CK1), 제2 클럭 단자(CK2), 셋 단자(S), 리셋 단자(R), 전원 전압 단자(GV), 프레임 리셋 단자(FR), 게이트 출력 단자(OUT1)와 캐리 출력 단자(OUT2) 및 센싱 출력 단자(OUT3)를 가지고 있다.Each stage ST 1 , ..., ST n +1 includes a first clock terminal CK1, a second clock terminal CK2, a set terminal S, a reset terminal R, a power supply voltage terminal GV, and a frame. It has a reset terminal FR, a gate output terminal OUT1 and a carry output terminal OUT2 and a sensing output terminal OUT3.

각 스테이지(ST1,…,STn+1), 예를 들면, j번째 스테이지(STj)의 셋 단자(S)에는 전단 스테이지(STj-1)의 캐리 신호(Cout(j-1))가, 리셋 단자(R)에는 후단 스테이지(STj +1)의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 제1 클럭 단자(CK1) 및 제2 클럭 단자(CK2)에는 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB)가 입력되며, 전원 전압 단자(GV)에는 초기화 신호(INT)가 입력되며, 프레임 리셋 단자(FR)에는 게이트 오프 전압(Voff)이 입력된다. 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 캐리 출력 단자(OUT2)는 캐리 신호(Cout(j-1))를 출력하며, 센싱 출력 단자(OUT3)는 센싱 신호(Sout(j))를 출력한다. 마지막 스테이지(STn +1)의 캐리 신호(Cout(n+1))는 초기화 신호로서 각 스테이지(ST1,…,STn+1)에 제공된다.The carry signal Cout (j-1) of the front stage ST j-1 is provided to the set terminal S of each stage ST1, ..., STn + 1, for example, the j-th stage ST j . The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the rear stage ST j +1 is input to the reset terminal R, and the first clock terminal CK1 and the second clock terminal CK2 are input to the reset terminal R. The first clock signal CKV and the second clock signal CKVB are input, an initialization signal INT is input to the power supply voltage terminal GV, and a gate off voltage Voff is input to the frame reset terminal FR. . The gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , the carry output terminal OUT2 outputs the carry signal Cout (j-1) , and the sensing output terminal OUT3 is output. The sensing signal Sout (j ) is output. A final stage carry signal (Cout (n + 1)) of the (n +1 ST) is provided for each stage (ST1, ..., STn + 1 ) as an initialization signal.

단, 첫 번째 스테이지(ST1)에는 전단 캐리 신호 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력되며, 마지막 스테이지(STn +1)에는 후단 게이트 온/오프 신호 대신 주사 시작 신호(STV)가 입력된다. However, the scan start signal STV is input to the first stage ST 1 instead of the front carry signal, and the scan start signal STV is input to the last stage ST n +1 instead of the rear gate on / off signal.

여기서 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB)는 액정 패널(미도시)의 화소(미도시)를 구성하는 트랜지스터(미도시)를 구동할 수 있도록, 하이 레벨인 경우는 게이트 온 전압(Von)과 같고, 로우 레벨인 경우에는 게이트 오프 전압(Voff)과 같을 수 있으며, 제1 클럭 신호(CKV) 및 제2 클럭 신호(CKVB)의 듀티비가 50%이고, 그 위상차는 180°일 수 있다.In this case, the first clock signal CKV and the second clock signal CKVB may be gate-on in a high level so as to drive a transistor (not shown) constituting a pixel (not shown) of the liquid crystal panel (not shown). The voltage Von may be equal to the gate-off voltage Voff in the case of the low level, and the duty ratio of the first clock signal CKV and the second clock signal CKVB is 50%, and the phase difference thereof is 180 °. Can be.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.2 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, j번째 스테이지(STj)는 입력부(100), 출력부(200), 풀업 구동부(300), 풀다운 구동부(400), 게이트 오프부(500) 및 센싱부(600)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the j th stage ST j includes the input unit 100, the output unit 200, the pull-up driver 300, the pull-down driver 400, the gate off unit 500, and the sensing unit 600. Include.

입력부(100)는 소스와 게이트가 공통 연결되어 이전 스테이지의 캐리 신호(Cout(j-1))를 입력받는 제4 트랜지스터(T4)를 포함하며, 전단 캐리 신호(Cout(j-1))를 입력받아 드레인을 통하여 제어 신호(CONT)를 출력한다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트와 소스는 셋 단자(S)에 공통으로 연결되어 있으며 드레인은 제1 노드(N1)에 연결되어 있다.The input unit 100 includes a fourth transistor T4 having a source and a gate connected in common and receiving a carry signal Cout (j-1) of a previous stage, and the front carry signal Cout (j-1) . It receives the input and outputs the control signal CONT through the drain. The gate and the source of the fourth transistor T4 are commonly connected to the set terminal S, and the drain thereof is connected to the first node N1.

출력부(200)는 입력부(100)에 연결되고, 제1 클럭 신호(CKV) 및 제어 신호(CONT)에 따라 게이트 온/오프 신호(Gout(j)) 및 캐리 신호(Cout(j))를 출력한다. The output unit 200 is connected to the input unit 100 and outputs a gate on / off signal Gout (j ) and a carry signal Cout (j) according to the first clock signal CKV and the control signal CONT. Output

이러한 출력부(200)는 게이트는 제어 신호(CONT)에 연결되고, 드레인은 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 있으며, 소스는 제2 노드(N2)에 연결되어 있는 제1 트랜지스터(T1)와, 소스는 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되고, 드레인은 캐리 출력 단자(OUT2)에 연결되어 있으며, 게이트는 제1 노드에 연결되어 있는 제15 트랜지스터(T15)와, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제1 커패시터(C1), 제15 트랜지스터(T15)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제2 커패시터(C2)를 포함한다. The output unit 200 has a gate connected to the control signal CONT, a drain connected to the first clock terminal CK1, and a source connected to the second node N2. And a fifteenth transistor T15 and a source connected to a first clock terminal CK1, a drain connected to a carry output terminal OUT2, and a gate connected to a first node, and a first transistor T1. The first capacitor C1 is connected between the gate and the drain of the transistor), and the second capacitor C2 is connected between the gate and the drain of the fifteenth transistor T15.

풀업 구동부(300)는 제1 클럭 신호(CKV)에 따라 동작하는데, 풀다운 구동부(400)가 출력부(200)를 풀다운시키는 것을 방지한다.The pull-up driver 300 operates according to the first clock signal CKV, and prevents the pull-down driver 400 from pulling down the output unit 200.

이러한 풀업 구동부(300)는, 제1 클럭 단자(CK1)와 제3 노드(N3) 사이에 연결되어 있는 제12 트랜지스터(T12), 제1 클럭 단자(CK1)와 제4 노드(N4) 사이에 연결되어 있는 제7 트랜지스터(T7)를 포함한다. 제12 트랜지스터(T12)의 게이트와 소스는 제1 클럭 단자(CK1)에 공통으로 연결되어 있고, 드레인은 제3 노드(N3)에 연결되어 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트는 제3 노드(N3)에 연결됨과 동시에 제3 커패시터(C3)를 통하여 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 있고, 소스는 제1 클럭 단자(CK1)에 드레인은 제4 노드(N4)에 연결되어 있으며, 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4) 사이에 제4 커패시터(C4)가 연결되어 있다.The pull-up driving unit 300 is disposed between the twelfth transistor T12, the first clock terminal CK1, and the fourth node N4, which are connected between the first clock terminal CK1 and the third node N3. And a seventh transistor T7 connected thereto. A gate and a source of the twelfth transistor T12 are commonly connected to the first clock terminal CK1, and a drain thereof is connected to the third node N3. The gate of the seventh transistor T7 is connected to the third node N3 and to the first clock terminal CK1 through the third capacitor C3, and the source is drained to the first clock terminal CK1. Is connected to the fourth node N4, and the fourth capacitor C4 is connected between the third node N3 and the fourth node N4.

풀다운 구동부(400)는 입력부(100), 풀업 구동부(300) 및 출력부(200)에 연결되고, 제1 클럭 신호(CKV), 제2 클럭 신호(CKVB) 및 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))에 따라 동작하여, 출력부(200)를 풀다운 시킨다.The pull-down driving unit 400 is connected to the input unit 100, the pull-up driving unit 300, and the output unit 200, and includes the first clock signal CKV, the second clock signal CKVB, and the (j + 1) th stage. The output unit 200 is pulled down by operating according to the gate on / off signal Gout (j + 1) .

이러한 풀다운 구동부(400)는, 셋 단자(S)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 직렬로 연결되어 있는 세 개의 트랜지스터(T5, T10, T11), 제1 노드(N1)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 병렬로 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T6, T9), 풀업 구동부(300)의 제3 노드(N3) 및 제4 노드(N4)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 각각 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T13, T8) 그리고 제2 노드(N2)와 프레임 리셋 단자(FR) 사이에 병렬로 연결되어 있는 한 쌍의 트랜지스터(T2, T3)를 포함한다.The pull-down driving unit 400 includes three transistors T5, T10, and T11 connected in series between the set terminal S and the frame reset terminal FR, the first node N1, and the frame reset terminal FR. Are connected between the pair of transistors T6 and T9 connected in parallel, the third node N3 of the pull-up driver 300, and the fourth node N4 and the frame reset terminal FR, respectively. A pair of transistors T13 and T8 and a pair of transistors T2 and T3 connected in parallel between the second node N2 and the frame reset terminal FR are included.

게이트 오프부(500)는 게이트가 리셋 단자(R)에 연결되어 있고, 드레인은 제2 노드(N2)에 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제 14 트랜지스터(T14)를 포함하며, 게이트는 (j+1)번째 스테이지(STj +1)의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))를 입력받아 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 드레인을 통해 게이트 오프 전압(Voff)을 게이트 출력 단자(OUT1)로 출력한다. The gate off part 500 has a gate connected to the reset terminal R, a drain connected to the second node N2, and a source connected to the frame reset terminal FR. The gate includes the gate on / off signal Gout (j + 1) of the (j + 1) th stage (ST j +1 ) to turn on the fourteenth transistor T14 and to gate through the drain. The off voltage Voff is output to the gate output terminal OUT1.

센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 리셋 단자(R)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2) 및 반전 입력 단자(-)는 제5 노드와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. The sensing unit 600 has a gate connected to the second node N2, a drain connected to the sensing line SL1, and a source connected to the fifth node N5. The second sensing transistor ST2 and the inverting input terminal are connected to the reset terminal R, the drain is connected to the fifth node N5, and the source is connected to the frame reset terminal FR. (-) Is connected to the fifth node, the non-inverting input terminal (+) is connected to the reference voltage (Vref), by comparing the sensing signal input through the sensing line (SL1) and the reference voltage (Vref), The comparator AMP outputs the comparison result to the output terminal OUT3.

여기에서, 센싱 라인(SL1)은 박막 트랜지스터 표시판(미도시) 상에 형성되어 있는 센싱 전극(미도시)과 연결되어 있으며, 외부에서 압력을 인가하게 되면 공통 전극 표시판(미도시) 상에 형성되어 있는 센서 스페이서(미도시)와 박막 트랜지스터 표시판의 센싱 전극(미도시)과 통전되어 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)에는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))가 출력되고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 센싱 라인(SL1)의 센싱 신호는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력된다. Here, the sensing line SL1 is connected to a sensing electrode (not shown) formed on the thin film transistor array panel (not shown), and is formed on the common electrode display panel (not shown) when a pressure is applied from the outside. The sensor spacer (not shown) and the sensing electrode (not shown) of the thin film transistor array panel are energized to transmit a sensing signal to the sensing line SL1. At this time, a gate on / off signal Gout (j) is output to the gate output terminal OUT1, and the signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal of the sensing line SL1 is input to the inverting input terminal (−) of the comparator AMP.

그리고, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and this signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off.

또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에는 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 1) of the (j + 1) th stage is input to the gate of the second sensing transistor ST2 to turn on the second sensing transistor ST2, and through the drain. The gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.3 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되는 것을 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 2 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of a j-th stage according to the second embodiment of the present invention, the second to the gate of the sensing transistor (ST2) (j + 2) gate on the second stage (ST (j + 2)) / off signal (Gout ( j + 2) is identical to the internal circuit diagram (see FIG. 2) of the j-th stage according to the first embodiment of the present invention except that the gate off unit 500 and the sensing unit 600 are excluded. The remaining parts will be omitted for convenience of description.

도 3을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2) 및 반전 입력 단자(-)는 제5 노드와 연결되어 있 고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the sensing unit 600 has a gate connected to the second node N2, a drain connected to the sensing line SL1, and a source connected to the fifth node N5. The second sensing transistor ST1, the gate is connected to the first dummy terminal D1, the drain is connected to the fifth node N5, and the source is connected to the frame reset terminal FR. The transistor ST2 and the inverting input terminal (-) are connected to the fifth node, the non-inverting input terminal (+) is connected to the reference voltage Vref, and the sensing signal input through the sensing line SL1 And a comparator AMP for comparing the reference voltage Vref and outputting the comparison result to the output terminal OUT3.

외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 센싱 라인(SL1)의 센싱 신호는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력된다. When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, the gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , which is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1, The sensing signal of the sensing line SL1 is input to the inverting input terminal (−) of the comparator AMP.

그리고, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and this signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off.

또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2, so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.4 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention.

본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와 제5 캐패시터(C5)를 더 포함하는 것을 제외하고는 본 발명의 제2 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 3 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention is the j-th stage according to the second embodiment of the present invention except that the third sensing transistor ST3 and the fifth capacitor C5 are further included. Since it is the same as the internal circuit diagram (see FIG. 3), other portions except for the gate off unit 500 and the sensing unit 600 will be omitted for convenience of description.

도 4을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트는 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 제5 캐패시터(C5)에 연결되어 있고, 소스는 리셋 단자(S)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제5 캐패시터(C5) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 4, the sensing unit 600 has a gate connected to the second node N2, a drain connected to the sensing line SL1, and a source connected to the fifth node N5. The second sensing transistor ST1, the gate is connected to the first dummy terminal D1, the drain is connected to the fifth node N5, and the source is connected to the frame reset terminal FR. The third sensing transistor ST3 has a transistor ST2, a gate connected to a fifth node N5, a drain connected to a fifth capacitor C5, and a source connected to a reset terminal S. And the fifth capacitor C5 and the inverting input terminal (-) connected between the gate and the drain of the third sensing transistor ST3 are connected to the drain terminal of the third sensing transistor ST3 and have a non-inverting input. Terminal (+) is connected to the reference voltage (Vref), the sensing scene is input through the sensing line (SL1) And a comparator AMP for comparing the call with the reference voltage Vref and outputting the comparison result to the output terminal OUT3.

외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)에는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))가 출력되고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 드레인으로 게 이트 오프 신호(Voff)를 출력한다. When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, a gate on / off signal Gout (j) is output to the gate output terminal OUT1, and the signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and outputs a gate-off signal Voff to the drain.

이후, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. 그리고, 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 사이의 제5 노드(N5)가 플로팅(floating) 상태가 되는데, 이때에 제5 캐패시터(C5)에 의해 제5 노드(N5)의 전압이 부스트업(boost up)되어 제3 센싱 트랜지스터(ST3)를 턴온시키고, 드레인을 통해 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 출력된다. 이때, 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 기준 전압(Vref)과 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))를 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다.Thereafter, the gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and the signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off. In addition, the fifth node N5 between the first sensing transistor ST1 and the third sensing transistor ST3 is in a floating state. At this time, the fifth node C5 is moved by the fifth capacitor C5. Is boosted up to turn on the third sensing transistor ST3, and the gate on / off signal Gout (j + 1 ) is output through the drain. At this time, the gate on / off signal Gout (j + 1) is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, and the comparator AMP is connected with the reference voltage Vref and the gate on / off signal Gout ( j + 1) ) is compared and the comparison result is output to the output terminal OUT3.

또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2, so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.5 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fourth embodiment of the present invention.

본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+3)번째 스테이지(ST(j+3))의 게이트 온/오프 신 호(Gout(j+3))가 입력되는 것과, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 소스에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되는 것을 제외하고는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 4 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of the j-th stage according to the fourth embodiment of the present invention is a gate on / off signal Gout of the (j + 3) th stage ST (j + 3) to the gate of the second sensing transistor ST2. (j + 3) ) is input , and the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2) to the source of the third sensing transistor ST3. Except is input, since it is the same as the internal circuit diagram (see FIG. 4) of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention, the remaining parts except for the gate off unit 500 and the sensing unit 600 will be described. It will be omitted for convenience.

도 5를 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제2 더미 단자(D2)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트는 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 제5 캐패시터(C5)에 연결되어 있고, 소스는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제5 캐패시터(C5) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 5, the sensing unit 600 has a gate connected to the second node N2, a drain connected to the sensing line SL1, and a source connected to the fifth node N5. The second sensing transistor ST1, the gate is connected to the second dummy terminal D2, the drain is connected to the fifth node N5, and the source is connected to the frame reset terminal FR. The third sensing transistor having a transistor ST2, a gate connected to a fifth node N5, a drain connected to a fifth capacitor C5, and a source connected to a first dummy terminal D1. The third capacitor C5 and the inverting input terminal (−) connected between the ST3, the gate and the drain of the third sensing transistor ST3 are connected to the drain terminal of the third sensing transistor ST3, and Inverting input terminal (+) is connected to the reference voltage (Vref), the sense input through the sensing line (SL1) By comparing the signal with a reference voltage (Vref), a comparator (AMP) for outputting a comparison result to the output terminal (OUT3).

외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)에는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))가 출력되고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 드레인으로 게이트 오프 신호(Voff)를 출력한다. When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, a gate on / off signal Gout (j) is output to the gate output terminal OUT1, and the signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and outputs the gate off signal Voff to the drain.

이후, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. 그리고, 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 사이의 제5 노드(N5)가 플로팅(floating) 상태가 되는데, 이때에 제5 캐패시터(C5)에 의해 제5 노드(N5)의 전압이 부스트업(boost up)되어 제3 센싱 트랜지스터(ST3)를 턴온시키고, 소스에는 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 드레인을 통해 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 출력된다. 이때, 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 기준 전압(Vref)과 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))를 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다.Thereafter, the gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and the signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off. In addition, the fifth node N5 between the first sensing transistor ST1 and the third sensing transistor ST3 is in a floating state. At this time, the fifth node C5 is moved by the fifth capacitor C5. Is boosted up to turn on the third sensing transistor ST3, and the gate on / off signal Gout (j + 2 ) of the (j + 2) th stage ST (j + 2) is applied to the source. ) ) Is input to output the gate on / off signal Gout (j + 2) through the drain. At this time, the gate on / off signal Gout (j + 2) is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, and the comparator AMP is connected to the reference voltage Vref and the gate on / off signal Gout ( j + 2) ) is compared and the comparison result is output to the output terminal OUT3.

또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+3)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 3) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2 so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.

도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.6 is an internal circuit diagram of the j th stage according to the fifth embodiment of the present invention.

본 발명의 제5 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되는 것과, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 소스가 공통으로 연결되어 있다는 것을 제외하고는 본 발명의 제4 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 5 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of a j-th stage according to the fifth embodiment of the present invention, the second to the gate of the sensing transistor (ST2) (j + 2) gate on the second stage (ST (j + 2)) / off signal (Gout ( j + 2) ) and the internal circuit diagram of the j-th stage according to the fourth embodiment of the present invention except that the gate and the source of the third sensing transistor ST3 are connected in common (see FIG. 5). Since it is the same as), other portions except for the gate off unit 500 and the sensing unit 600 will be omitted for convenience of description.

도 6을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트와 소스는 공통으로 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 6, the sensing unit 600 has a gate connected to the second node N2, a drain connected to the sensing line SL1, and a source connected to the fifth node N5. The second sensing transistor ST1, the gate is connected to the first dummy terminal D1, the drain is connected to the fifth node N5, and the source is connected to the frame reset terminal FR. The transistor ST2, the gate and the source are commonly connected to the fifth node N5, and the drain thereof is the third sensing transistor ST3 and the inverting input connected to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP. The terminal (-) is connected to the drain terminal of the third sensing transistor ST3, the non-inverting input terminal (+) is connected to the reference voltage Vref, and the sensing signal and the reference input through the sensing line SL1. Comparator AMP for comparing the voltage (Vref), and outputs the comparison result to the output terminal (OUT3) The.

외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 이 신호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 게이트로 입력되는 센싱 신호를 드레인으로 출력하고, 이 센싱 신호는 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다. 여기서, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)는 게이트로 입력되는 센싱 신호를 드레인으로 그대로 출력하는 다이오드(diode) 역할을 한다.When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, the gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , which is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1, The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and outputs a sensing signal input to the gate as a drain, which is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, and the comparator AMP is sensed. The signal is compared with the reference voltage Vref, and the comparison result is output to the output terminal OUT3. Here, the third sensing transistor ST3 serves as a diode for outputting a sensing signal input to the gate as a drain.

그리고, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 드레인은 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. The gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and this signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on and the drain outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off.

또한, 제2 센싱 트랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+2)번째 스테이지(ST(j+2))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+2))가 입력되어 제2 센싱 트랜지스터(ST2)를 턴온시키고, 드레인을 통해 제5 노드(N5)에 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하여 노이즈로 인해 임의의 신호가 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되는 것을 방지한다.In addition, the gate on / off signal Gout (j + 2) of the (j + 2) th stage ST (j + 2 ) is input to the gate of the second sensing transistor ST2, so that the second sensing transistor ST2 is input. ) Is turned on and the gate-off signal Voff is output to the fifth node N5 through the drain to prevent any signal from being input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP due to noise.

도 7은 본 발명의 제6 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도이다.7 is an internal circuit diagram of the j-th stage according to the sixth embodiment of the present invention.

본 발명의 제6 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도는 제2 센싱 트 랜지스터(ST2)의 게이트에 (j+1)번째 스테이지(ST(j+1))의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되는 것과 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 소스에는 외부에서 입력 전압(Vin)이 입력되는 것을 제외하고는 본 발명의 제3 실시예에 따른 j번째 스테이지의 내부 회로도(도 4 참조)와 동일하므로, 게이트 오프부(500)와 센싱부(600)를 제외한 나머지 부분에 대해서는 설명의 편의상 생략하기로 한다.The internal circuit diagram of the j-th stage according to the sixth embodiment of the present invention is a gate on / off signal (j + 1) of the (j + 1) th stage ST (j + 1) to the gate of the second sensing transistor ST2. Internal circuit diagram of the j-th stage according to the third embodiment of the present invention except that Gout (j + 1) is input and the input voltage Vin is externally input to the source of the third sensing transistor ST3. Since it is the same as (see FIG. 4), the rest of portions except for the gate off unit 500 and the sensing unit 600 will be omitted for convenience of description.

도 7을 참조하면, 센싱부(600)는 게이트는 제2 노드(N2)에 연결되어 있고, 드레인은 센싱 라인(SL1)과 연결되어 있으며, 소스는 제5 노드(N5)와 연결되어 있는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와, 게이트는 리셋 단자(R)에 연결되어 있고, 드레인은 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 소스는 프레임 리셋 단자(FR)에 연결되어 있는 제2 센싱 트랜지스터(ST2)와, 게이트는 제5 노드(N5)와 연결되어 있으며, 드레인은 제5 캐패시터(C5)에 연결되어 있고, 소스는 별도의 외부 전압이 입력되는 제1 더미 단자(D1)에 연결되어 있는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)와, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제5 캐패시터(C5) 및 반전 입력 단자(-)는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 드레인 단자와 연결되어 있고, 비반전 입력 단자(+)는 기준 전압(Vref)에 연결되어 있으며, 센싱 라인(SL1) 통해 입력되는 센싱 신호와 기준 전압(Vref)을 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력하는 비교기(AMP)를 포함한다. Referring to FIG. 7, the sensing unit 600 has a gate connected to the second node N2, a drain connected to the sensing line SL1, and a source connected to the fifth node N5. The second sensing transistor ST1, the gate is connected to the reset terminal R, the drain is connected to the fifth node N5, and the source is connected to the frame reset terminal FR. ST2), the gate is connected to the fifth node N5, the drain is connected to the fifth capacitor C5, and the source is connected to the first dummy terminal D1 to which a separate external voltage is input. The third capacitor ST3, the fifth capacitor C5 and the inverting input terminal (−) connected between the gate and the drain of the third sensing transistor ST3 are connected to the drain terminal of the third sensing transistor ST3. Non-inverting input terminal (+) is connected to a reference voltage (Vref), and A (SL1) by comparing the sensing signal with a reference voltage (Vref) is input through, a comparator (AMP) for outputting a comparison result to the output terminal (OUT3).

외부에서 압력을 인가하게 되면, 센싱 라인(SL1)으로 센싱 신호가 전달된다. 이때에 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 온/오프 신호(Gout(j))를 출력하고, 이 신 호는 제1 센싱 트랜지스터(ST1)의 게이트에 입력되어 제1 센싱 트랜지스터(ST1)를 턴온시키고, 드레인을 통해 출력되는 센싱 신호는 제3 센싱 트랜지스터(ST3)의 게이트로 입력된다. 그러면, 제3 센싱 트랜지스터(ST3)가 턴온되고, 드레인으로 외부에서 제공되는 입력 전압(Vin)이 출력된다. 이때, 입력 전압(Vin)은 게이트 오프 신호(Voff)와 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다.When pressure is applied from the outside, a sensing signal is transmitted to the sensing line SL1. At this time, the gate output terminal OUT1 outputs the gate on / off signal Gout (j) , and this signal is input to the gate of the first sensing transistor ST1 to turn on the first sensing transistor ST1. The sensing signal output through the drain is input to the gate of the third sensing transistor ST3. Then, the third sensing transistor ST3 is turned on and an input voltage Vin provided from the outside to the drain is output. In this case, the input voltage Vin may have the same voltage level as the gate off signal Voff.

이후, 리셋 단자(R)에 (j+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호(Gout(j+1))가 입력되고, 이 신호가 제14 트랜지스터(T14)의 게이트에 입력되어 제14 트랜지스터(T14)를 턴온시키고, 게이트 출력 단자(OUT1)는 게이트 오프 신호(Voff)를 출력하고, 이때에 제1 센싱 트랜지스터(ST1)는 턴오프된다. 그리고, 제1 센싱 트랜지스터(ST1)와 제3 센싱 트랜지스터(ST3) 사이의 제5 노드(N5)가 플로팅(floating) 상태가 되는데, 이때에 제5 캐패시터(C5)에 의해 제5 노드(N5)의 전압이 부스트업(boost up)되어 제3 센싱 트랜지스터(ST3)를 턴온시키고, 드레인으로 외부에서 제공되는 입력 전압(Vin)이 출력된다. 이때, 입력 전압(Vin)은 게이트 온/오프 신호(Gout(j)와 동일한 전압 레벨을 가질 수 있다. 여기서, 입력 전압(Vin)은 비교기(AMP)의 반전 입력 단자(-)로 입력되고, 비교기(AMP)는 기준 전압(Vref)과 게이트 온 신호를 비교하여, 비교 결과를 출력 단자(OUT3)로 출력한다. Thereafter, the gate on / off signal Gout (j + 1 ) of the (j + 1) th stage is input to the reset terminal R, and the signal is input to the gate of the fourteenth transistor T14 to provide the fourteenth transistor. The T14 is turned on, and the gate output terminal OUT1 outputs the gate off signal Voff. At this time, the first sensing transistor ST1 is turned off. In addition, the fifth node N5 between the first sensing transistor ST1 and the third sensing transistor ST3 is in a floating state. At this time, the fifth node C5 is moved by the fifth capacitor C5. The voltage of boosts up to turn on the third sensing transistor ST3 and outputs an input voltage Vin externally provided as a drain. In this case, the input voltage Vin may have the same voltage level as the gate on / off signal Gout (j ), where the input voltage Vin is input to the inverting input terminal (-) of the comparator AMP, The comparator AMP compares the reference voltage Vref with the gate-on signal and outputs a comparison result to the output terminal OUT3.

본 발명에서는 쉬프트 레지스터에 내부에 터치 지점의 X좌표를 감지하는 센싱 회로를 구비하여 센싱 라인을 통해 센싱 신호를 비교기로 전달하여 비교 결과를 출력하는 것에 대해 설명하였으나, 쉬프트 레지스터는 Y좌표를 감지하는 센싱 회로 를 구비하여 센싱 라인을 통해 센싱 신호를 비교기로 전달하여 비교 결과를 출력하는 것도 가능하다.In the present invention, the shift register is provided with a sensing circuit for sensing the X coordinate of the touch point inside the shift register, and the sensing signal is transmitted to the comparator through the sensing line. However, the shift register detects the Y coordinate. A sensing circuit may be provided to transmit a sensing signal to a comparator through a sensing line to output a comparison result.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터에 의하면, 쉬프트 레지스터 내부에 외부에서 압력이 인가된 경우 터치 지점의 좌표를 감지하는 센싱 회로를 구비하여 액정 표시 장치의 화소 영역에 X축 및 Y축에 해당하는 센싱 라인을 추가하지 않아도 되므로 개구율을 향상시킬 수 있으며, 또한 센싱 라인으로 인해 팬 아웃 저항이 커져 센싱 신호가 왜곡되는 현상을 방지하여 터치 지점의 좌표를 정확히 감지할 수 있다.As described above, the shift register according to the present invention includes a sensing circuit that senses coordinates of a touch point when a pressure is applied from the inside of the shift register to correspond to the X and Y axes in the pixel area of the liquid crystal display. Since it is not necessary to add a sensing line, the aperture ratio can be improved, and the sensing line increases the fan out resistance, thereby preventing the sensing signal from being distorted, thereby accurately detecting the coordinates of the touch point.

Claims (10)

게이트 온/오프 신호를 순차적으로 출력하는 n개의 스테이지를 포함하는 쉬프트 레지스터로서,A shift register including n stages for sequentially outputting a gate on / off signal, 상기 각 스테이지는Each stage 제1 캐리 신호를 입력받아 제어 신호를 출력하는 입력부;An input unit configured to receive a first carry signal and output a control signal; 상기 입력부에 연결되고, 제1 클럭 신호 및 상기 제어 신호에 따라 상기 게이트 온/오프 신호 및 제2 캐리 신호를 출력하는 출력부;An output unit connected to the input unit and outputting the gate on / off signal and the second carry signal according to a first clock signal and the control signal; 상기 제1 클럭 신호에 동작하는 풀업 구동부;A pull-up driver configured to operate on the first clock signal; 상기 입력부, 상기 풀업 구동부 및 상기 출력부에 연결되고, 상기 제1 클럭 신호, 제2 클럭 신호 및 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 동작하는 풀다운 구동부;A pull-down driving unit connected to the input unit, the pull-up driving unit, and the output unit and operating according to the first clock signal, the second clock signal, and a gate on / off signal of an (n + 1) th stage; 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 터치 지점에 해당하는 센싱 신호를 출력하는 센싱부; 및A sensing unit configured to output a sensing signal corresponding to a touch point according to the gate on / off signal; And 상기 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 게이트 오프부를 포함하는 쉬프트 레지스터.And a gate off part configured to output an off signal according to the gate on / off signal of the (n + 1) th stage. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱부는,The sensing unit, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 상기 센싱 신호를 출력하는 제1 센싱 트랜 지스터;A first sensing transistor configured to output the sensing signal according to the gate on / off signal; 상기 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 제2 센싱 트랜지스터; 및A second sensing transistor configured to output an off signal according to the gate on / off signal of the (n + 1) th stage; And 상기 센싱 신호와 기준 전압을 비교하여 비교 결과를 출력하는 비교기를 포함하는 쉬프트 레지스터.And a comparator configured to compare the sensing signal with a reference voltage and output a comparison result. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱부는,The sensing unit, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 센싱 신호를 출력하는 제1 센싱 트랜지스터;A first sensing transistor configured to output a sensing signal according to the gate on / off signal; 상기 (n+2)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 제2 센싱 트랜지스터; 및A second sensing transistor configured to output an off signal according to the gate on / off signal of the (n + 2) th stage; And 상기 센싱 신호와 기준 전압을 비교하여 비교 결과를 출력하는 비교기를 포함하는 쉬프트 레지스터.And a comparator configured to compare the sensing signal with a reference voltage and output a comparison result. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱부는,The sensing unit, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 센싱 신호를 출력하는 제1 센싱 트랜지스터;A first sensing transistor configured to output a sensing signal according to the gate on / off signal; 상기 (n+2)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하 는 제2 센싱 트랜지스터; A second sensing transistor configured to output an off signal according to the gate on / off signal of the (n + 2) th stage; 상기 (n+2)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호를 출력하는 제3 센싱 트랜지스터;A third sensing transistor configured to output a gate on / off signal of the (n + 2) th stage; 상기 제3 센싱 트랜지스터의 게이트와 드레인에 연결되어 있는 캐패시터; 및A capacitor connected to the gate and the drain of the third sensing transistor; And 상기 (n+2)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호와 기준 전압을 비교하여 비교 결과를 출력하는 비교기를 포함하는 쉬프트 레지스터.And a comparator configured to compare the gate on / off signal of the (n + 2) th stage with a reference voltage and output a comparison result. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제3 센싱 트랜지스터는 상기 제1 센싱 트랜지스터 턴온시 상기 캐패시터에 저장된 전압에 의해 턴온되는 쉬프트 레지스터.And the third sensing transistor is turned on by a voltage stored in the capacitor when the first sensing transistor is turned on. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱부는,The sensing unit, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 센싱 신호를 출력하는 제1 센싱 트랜지스터;A first sensing transistor configured to output a sensing signal according to the gate on / off signal; 상기 (n+3)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 제2 센싱 트랜지스터;A second sensing transistor configured to output an off signal according to the gate on / off signal of the (n + 3) th stage; 상기 (n+2)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호를 출력하는 제3 센싱 트랜지스터;A third sensing transistor configured to output a gate on / off signal of the (n + 2) th stage; 상기 제3 센싱 트랜지스터의 게이트와 드레인에 연결되어 있는 캐패시터; 및A capacitor connected to the gate and the drain of the third sensing transistor; And 상기 (n+2)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호와 기준 전압을 비교하여 비교 결과를 출력하는 비교기를 포함하는 쉬프트 레지스터.And a comparator configured to compare the gate on / off signal of the (n + 2) th stage with a reference voltage and output a comparison result. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제3 센싱 트랜지스터는 상기 제1 센싱 트랜지스터 턴온시 상기 캐패시터에 저장된 전압에 의해 턴온되는 쉬프트 레지스터.And the third sensing transistor is turned on by a voltage stored in the capacitor when the first sensing transistor is turned on. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱부는,The sensing unit, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 센싱 신호를 출력하는 제1 센싱 트랜지스터;A first sensing transistor configured to output a sensing signal according to the gate on / off signal; 상기 (n+2)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 제2 센싱 트랜지스터; A second sensing transistor configured to output an off signal according to the gate on / off signal of the (n + 2) th stage; 소스와 게이트가 연결되어 있으며, 상기 게이트에 입력되는 신호를 출력하는 제3 센싱 트랜지스터; 및A third sensing transistor connected to a source and a gate and outputting a signal input to the gate; And 상기 센싱 신호와 기준 전압을 비교하여 비교 결과를 출력하는 비교기를 포함하는 쉬프트 레지스터.And a comparator configured to compare the sensing signal with a reference voltage and output a comparison result. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센싱부는,The sensing unit, 상기 게이트 온/오프 신호에 따라 센싱 신호를 출력하는 제1 센싱 트랜지스터;A first sensing transistor configured to output a sensing signal according to the gate on / off signal; 상기 (n+1)번째 스테이지의 게이트 온/오프 신호에 따라 오프 신호를 출력하는 제2 센싱 트랜지스터; A second sensing transistor configured to output an off signal according to the gate on / off signal of the (n + 1) th stage; 외부로부터 제공되는 입력 전압을 출력하는 제3 센싱 트랜지스터;A third sensing transistor configured to output an input voltage provided from the outside; 상기 제3 센싱 트랜지스터의 게이트와 드레인에 연결되어 있는 캐패시터; 및A capacitor connected to the gate and the drain of the third sensing transistor; And 상기 입력 전압과 기준 전압을 비교하여 비교 결과를 출력하는 비교기를 포함하는 쉬프트 레지스터.And a comparator configured to compare the input voltage with a reference voltage and output a comparison result. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제3 센싱 트랜지스터는 상기 제1 센싱 트랜지스터 턴온시 상기 캐패시터에 저장된 전압에 의해 턴온되는 쉬프트 레지스터.And the third sensing transistor is turned on by a voltage stored in the capacitor when the first sensing transistor is turned on.
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