KR20080051569A - In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof - Google Patents

In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20080051569A
KR20080051569A KR1020060122953A KR20060122953A KR20080051569A KR 20080051569 A KR20080051569 A KR 20080051569A KR 1020060122953 A KR1020060122953 A KR 1020060122953A KR 20060122953 A KR20060122953 A KR 20060122953A KR 20080051569 A KR20080051569 A KR 20080051569A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
pixel
crystal display
electrode
Prior art date
Application number
KR1020060122953A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
윤선영
김광민
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060122953A priority Critical patent/KR20080051569A/en
Publication of KR20080051569A publication Critical patent/KR20080051569A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

An in-plane switching mode liquid crystal display device and a method for fabricating thereof are provided to form the liquid crystal display device having high quality without reducing opening ratio. An in-plane switching mode liquid crystal display device includes a first substrate, a thin transistor(T), a common electrode(360) and a pixel electrode(370), a first orientation film, a second substrate, a black matrix(312), a color filter of red, green and blue, a column spacer, a second orientation film, and a negative liquid crystal layer. The first substrate divides a pixel area and a non-pixel area. The thin transistor is formed between a gate line and a data line. The second substrate is located with interval from the first substrate. The black matrix is formed corresponding to the non-pixel area of the second substrate. The negative liquid crystal layer is located between the first substrate and the second substrate.

Description

횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법{In-Plane Switching Mode Liquid Crystal Display Device and the method for fabricating thereof}In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating

도 1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판을 나타낸 평면도.1 is a plan view showing an array substrate for a general transverse electric field type liquid crystal display device.

도 2a와 도 2b는 액정의 전기적인 특성을 나타낸 도면.2A and 2B are diagrams showing electrical characteristics of liquid crystals.

도 3은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치를 나타낸 평면도.3 is a plan view showing a general transverse electric field type liquid crystal display device.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 절단한 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 3.

도 5는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 단위 화소를 나타낸 평면도.5 is a plan view illustrating unit pixels of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6d는 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 절단한 공정 단면도.6A to 6D are cross-sectional views taken along the line VI-VI of FIG. 5.

도 7a와 도 7b는 액정의 전기적인 특성을 나타낸 도면.7A and 7B illustrate electrical characteristics of liquid crystals.

도 8은 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치를 나타낸 평면도.8 is a plan view showing a transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention.

도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ선을 따라 절단한 단면도.9 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 8.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *

300 : 어레이 기판 310 : 컬러필터 기판300: array substrate 310: color filter substrate

312 : 블랙 매트릭스 320 : 게이트 배선312: black matrix 320: gate wiring

325 : 게이트 전극 326 : 컬러필터325: gate electrode 326: color filter

330 : 데이터 배선 331 : 데이터 연결배선330 data wiring 331 data connection wiring

332 : 소스 전극 334 : 드레인 전극332: source electrode 334: drain electrode

340 : 액티브층 350 : 공통 배선340 active layer 350 common wiring

360 : 화소 전극 370 : 공통 전극360: pixel electrode 370: common electrode

395 : 컬럼 스페이서 CH4 : 드레인 콘택홀395: column spacer CH4: drain contact hole

CH5 : 공통 콘택홀 ← : 러빙 방향CH5: common contact hole ←: rubbing direction

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배향막의 러빙 공정시 러빙포에 밀린 컬럼 스페이서(column spacer)에 의해 발생되는 빛샘을 방지하여 고화질을 구현하는 액정표시장치를 제작하는 것에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to manufacturing a liquid crystal display device which realizes high quality by preventing light leakage caused by column spacers pushed on a rubbing cloth during a rubbing process of an alignment layer.

특히, 본 발명은 액정표시장치의 액정을 구동하는 제 1 및 제 2 전극이 동일한 평면 상에 형성된 횡전계 방식 액정표시장치에 관한 것이다.In particular, the present invention relates to a transverse electric field type liquid crystal display device in which the first and second electrodes for driving the liquid crystal of the liquid crystal display device are formed on the same plane.

일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 지니고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.In general, the driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the liquid crystal may be artificially applied to control the direction of the molecular arrangement.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다. Accordingly, if the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular arrangement direction of the liquid crystal due to optical anisotropy to express image information.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치에 대해 설명한다.Hereinafter, a general transverse electric field type liquid crystal display device will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판을 나타낸 평면도로, 이를 참조하여 설명한다.1 is a plan view illustrating an array substrate for a general transverse electric field type liquid crystal display device, which will be described with reference to the drawings.

도시한 바와 같이, 투명 기판(10) 상부에 일 방향으로 게이트 배선(20)이 구성되고, 상기 게이트 배선(20)의 일부가 게이트 전극(25)으로 활용된다.As shown, the gate wiring 20 is formed in one direction on the transparent substrate 10, and a part of the gate wiring 20 is used as the gate electrode 25.

상기 게이트 배선(20)과는 수직하게 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(30)은 데이터 연결 배선(31)을 통해 U자 형상으로 구성되는 소스 전극(32)과 접촉된다. 이때, 상기 소스 전극(32)은 게이트 전극(25)의 일부와 중첩되게 구성되고, 이와는 이격되게 I자 형상으로 드레인 전극(34)이 구성된다.The data line 30 defining the pixel region P by crossing the gate line 20 perpendicular to the gate line 20 is in contact with the source electrode 32 having a U shape through the data connection line 31. In this case, the source electrode 32 is configured to overlap a part of the gate electrode 25, and the drain electrode 34 is formed in an I-shape to be spaced apart from the source electrode 32.

상기 게이트 전극(25)과 소스 및 드레인 전극(32, 34) 사이에는 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(40)과 불순물 비정질 실리콘층으로 이루어진 오믹 콘택층(미도시)이 적층 구성되며, 상기 소스 및 드레인 전극(32, 34)이 이격된 사이로 드러난 오믹 콘택층을 제거하여 액티브층(40)이 노출되도록 한다.An active layer 40 made of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer (not shown) made of an impurity amorphous silicon layer are stacked between the gate electrode 25 and the source and drain electrodes 32 and 34. The ohmic contact layer exposed between the drain electrodes 32 and 34 is removed to expose the active layer 40.

상기 드레인 전극(34)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(CH1)을 통해 상기 드레인 전극(34)과 접촉되는 화소 전극(60)이 화소 영역(P)에 구성된다.The pixel electrode 60, which is in contact with the drain electrode 34 through the drain contact hole CH1 exposing a part of the drain electrode 34, is configured in the pixel region P.

이때, 상기 화소 전극(60)은 드레인 전극(34)과 연결되는 연장부(60a)와 상기 연장부(60a)에서 화소 영역(P)으로 수직하게 분기되는 다수의 수직부(60b)를 포 함한다.In this case, the pixel electrode 60 includes an extension part 60a connected to the drain electrode 34 and a plurality of vertical parts 60b vertically branched to the pixel area P from the extension part 60a. do.

그리고, 상기 게이트 배선(20)과는 평행하게 이격하여 공통 배선(50)이 구성되고, 상기 공통 배선(50)에서 다수개 분기된 공통 전극(70)은 상기 화소 전극 수직부(60b)와 평행하게 엇갈려 구성된다.The common wiring 50 is spaced apart from the gate wiring 20 in parallel, and the common electrodes 70 branched from the common wiring 50 are parallel to the pixel electrode vertical part 60b. It is composed of staggered.

이러한 구성을 갖는 어레이 기판은 컬러필터 기판과 합착되며, 이러한 양 기판 사이에 구성되는 액정 주입구를 통해 액정을 주입하고, 열경화성 수지로 봉지하게 된다.The array substrate having such a configuration is bonded to the color filter substrate, and the liquid crystal is injected through the liquid crystal injection hole formed between the two substrates, and sealed with a thermosetting resin.

여기서, 전술한 액정은 전기적인 특성분류에 따라 유전이방성이 양(+)인 포지티브 액정과 음(-)인 네거티브 액정으로 구분될 수 있으며, 유전이방성이 양(+)인 액정분자는 전기장이 인가되는 방향으로 액정분자의 장축이 평행하게 배열하고, 유전이방성이 음(-)인 액정분자는 전기장이 인가되는 방향과 액정분자의 장축이 수직하게 배열한다.Here, the liquid crystal described above may be classified into positive liquid crystals having positive dielectric anisotropy and negative liquid crystals having negative dielectric anisotropy according to the electrical characteristic classification, and liquid crystal molecules having positive dielectric anisotropy are applied with an electric field. The long axis of the liquid crystal molecules is arranged in parallel in the direction of the direction, and the liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy are arranged in the direction in which the long axis of the liquid crystal molecules is perpendicular to the direction in which the electric field is applied.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 전술한 액정의 전기적인 특성에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the electrical characteristics of the liquid crystal described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a와 도 2b는 액정의 전기적인 특성을 나타낸 도면으로, 설명의 편의를 위해 화소 전극과 공통 전극이 구성된 어레이 기판을 중점적으로 도시하였다.2A and 2B illustrate electrical characteristics of liquid crystals. For the convenience of description, the array substrate including the pixel electrode and the common electrode will be mainly shown.

도 2a에 도시한 바와 같이, 배향막(미도시)의 러빙 방향을 y축 방향으로 진행하고 포지티브 액정(positive liquid crystal)을 적용한 경우를 나타내고 있다.As shown in FIG. 2A, the rubbing direction of an alignment film (not shown) advances to the y-axis direction, and the case where positive liquid crystal is applied is shown.

이때, 전압을 인가하게 되면, 공통 전극(70)과 화소 전극 수직부(60b) 간에 수평 전계가 발생되어 전술한 전기적인 특성에 의해 액정 분자(80)가 반시계 방향 으로 움직이게 된다.In this case, when a voltage is applied, a horizontal electric field is generated between the common electrode 70 and the pixel electrode vertical part 60b to move the liquid crystal molecules 80 in the counterclockwise direction due to the aforementioned electrical characteristics.

이에 반해, 도 2b에 도시한 바와 같이, 배향막의 러빙 방향을 y축 방향으로 진행하고 네거티브 액정(positive liquid crystal)을 적용한 경우에는 공통 전극(70)과 화소 전극 수직부(60b) 간에 전계가 발생하더라도, 전술한 전기적인 특성에 의해 액정 분자(85)의 움직임은 발생하지 않게 된다.In contrast, as shown in FIG. 2B, when the rubbing direction of the alignment layer is moved in the y-axis direction and a negative liquid crystal is applied, an electric field is generated between the common electrode 70 and the pixel electrode vertical part 60b. Even so, the movement of the liquid crystal molecules 85 does not occur due to the above-described electrical characteristics.

따라서, 네거티브 액정을 적용하고 y축 방향으로 배향막을 러빙 처리할 경우에는 액정표시장치로서의 기능이 상실되기 때문에 축방향을 90도 회전시킨 x축 방향으로 변경해야 한다.Therefore, when the negative liquid crystal is applied and the rubbing treatment of the alignment film in the y-axis direction is lost, the function as the liquid crystal display device is lost. Therefore, it is necessary to change to the x-axis direction in which the axial direction is rotated by 90 degrees.

그러나, 일반적인 액정표시장치에서는 y축 방향으로 러빙 처리를 진행해 왔으며, 이 방향으로 러빙 처리를 진행할 경우에는 러빙포에 밀린 컬럼 스페이서의 잔유물이 화소 영역에까지 이동하게 되고, 이러한 잔유물을 차폐하지 못함으로 인해 빛샘이 발생할 수 있다.However, in a general liquid crystal display device, rubbing treatment has been performed in the y-axis direction. When rubbing treatment is performed in this direction, the residues of the column spacer pushed by the rubbing cloth move to the pixel region, and thus the residues are not shielded. Light leakage can occur.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 이에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, this will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 절단한 단면도로, 어레이 기판과 컬러필터 기판을 동시에 나타내고 있다.3 is a plan view illustrating a general transverse electric field type liquid crystal display, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3, and simultaneously shows an array substrate and a color filter substrate.

도 3과 도 4는 그 구성에 있어 도 1과 동일한 바, 중요 요소에 대해서만 중점적으로 설명한다.3 and 4 are the same as those in FIG. 1 in the configuration, and only important elements will be described.

도 3과 도 4에 도시한 바와 같이, 상부 기판(100)인 컬러필터 기판과 하부 기판(110)인 어레이 기판이 대향하고 있으며, 상기 상부 및 하부 기판(100, 110) 사이에는 네거티브 액정(nagative liquid crystal)으로 이루어지는 액정층(165)이 개재된다.3 and 4, the color filter substrate, which is the upper substrate 100, and the array substrate, which is the lower substrate 110, face each other, and a negative liquid crystal is formed between the upper and lower substrates 100 and 110. A liquid crystal layer 165 made of a liquid crystal is interposed.

상기 하부 기판(110)의 투명 기판(102) 상부에는 게이트 배선(120)이 구성되고, 상기 게이트 배선(120) 상부에는 게이트 절연막 및 보호막(145)이 구성된다. 그리고, 상기 게이트 절연막 및 보호막(145) 상부에 공통 전극(170)과 화소 전극(160)이 구성되고, 그 상부 전면에 액정의 초기 배향을 제어하는 하부 배향막(175)이 구성된다.A gate wiring 120 is formed on the transparent substrate 102 of the lower substrate 110, and a gate insulating film and a protective film 145 are formed on the gate wiring 120. The common electrode 170 and the pixel electrode 160 are formed on the gate insulating layer and the passivation layer 145, and a lower alignment layer 175 is formed on the entire upper surface of the gate insulating layer and the passivation layer 145.

상기 상부 기판(100)의 투명 기판(101) 상부에는 화소 영역(P)을 제외한 부분으로 빛이 입사되는 것을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(112)가 구성되고, 이 상부에는 상기 하부 기판(110)의 화소 영역(P)에 대응하여 컬러필터(126)가 구성된다.A black matrix 112 is formed on the transparent substrate 101 of the upper substrate 100 to block light from being incident to a portion other than the pixel region P, and the upper substrate 100 of the lower substrate 110 is formed on the transparent substrate 101. The color filter 126 is configured to correspond to the pixel region P. FIG.

또한, 상기 블랙 매트릭스(112)와 컬러필터(126) 상부 전면에 오버 코트층(114)이 구성되고, 상기 오버 코트층(114) 상부에는 하부 기판(110)의 게이트 배선(120)과 대응되는 부분에 컬럼 스페이서(190)가 구성된다.In addition, an overcoat layer 114 is formed on the entire upper surface of the black matrix 112 and the color filter 126, and the overcoat layer 114 corresponds to the gate wiring 120 of the lower substrate 110. Column spacers 190 are formed in the portion.

이때, 상기 컬럼 스페이서(190)는 양 기판(100, 110)의 셀갭(cell gap)을 일정하게 유지시키기 위한 목적으로 구성되고, 일예로 고분자 수지로 제작될 수 있다.In this case, the column spacer 190 is configured for the purpose of maintaining a constant cell gap (cell gap) of both substrates (100, 110), for example, may be made of a polymer resin.

그리고, 상기 컬럼 스페이서(190)가 구성된 상부 투명 기판(102)의 전면에는 하부 배향막(175)과 동일한 기능을 하는 상부 배향막(116)이 구성된다.The upper alignment layer 116 having the same function as the lower alignment layer 175 is formed on the entire surface of the upper transparent substrate 102 having the column spacer 190.

여기서, 상기 상부 및 하부 배향막(116, 175)은 y축 방향으로 러빙 처리가 되어 있다.Here, the upper and lower alignment layers 116 and 175 are subjected to rubbing in the y-axis direction.

그러나, 배향막(116)을 러빙하는 단계에서, y축 방향으로 러빙 처리를 진행하다 보면, 컬럼 스페이서(190)가 러빙포에 밀려 러빙 진행방향인 y축을 따라 러빙 스크레치(rubbing scratch)가 발생하게 된다.However, when the rubbing treatment is performed in the y-axis direction in the rubbing of the alignment layer 116, rubbing scratches are generated along the y-axis, which is the rubbing progress direction, by the column spacer 190 being pushed by the rubbing cloth. .

이때, 러빙 진행 방향인 y축은 화소 영역(P)이 구성된 부분으로, 이 화소 영역(P)으로 러빙포에 밀린 컬럼 스페이서(190)의 잔유물에 의해 러빙 스크레치가 발생하게 되면, 이로 인해 화소 영역(P)에 빛샘이 발생하게 된다.At this time, the y axis in the rubbing traveling direction is a portion in which the pixel region P is formed, and when rubbing scratches are generated by the residues of the column spacer 190 pushed onto the rubbing cloth in the pixel region P, Light leakage occurs at P).

이를 해결하기 위해, 액정 패널 배면에 구성되는 백라이트의 휘도를 향상하다보면, 빛샘 부분에서의 블랙 휘도가 낮아져 패널 전체의 대비비(contrast ratio)가 저하되는 문제가 발생한다.In order to solve this problem, when the luminance of the backlight configured on the back of the liquid crystal panel is improved, the black luminance at the light leakage portion is lowered, resulting in a problem that the contrast ratio of the entire panel is lowered.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명에서는 포지티브 액정을 네거티브 액정으로 대체함으로써, 게이트 배선이 위치하는 방향인 x축 방향으로 러빙 진행 방향을 전환할 수 있게 된다.The present invention has been made to solve the above-described problem, and in the present invention, by replacing the positive liquid crystal with the negative liquid crystal, the rubbing traveling direction can be switched in the x-axis direction, which is the direction in which the gate wiring is located.

그 결과, 배향막의 러빙 공정중 러빙포에 밀린 컬럼 스페이서에 의해 러빙 스크레치가 발생하더라도, 어레이 기판에 구성된 게이트 배선 및 박막트랜지스로 빛이 입사되는 것을 차단하기 위해 컬러필터 기판에 구성되는 블랙 매트릭스가 충분한 선폭으로 x축 방향을 따라 구성되기 때문에, 개구율의 감소 없이 이를 차폐할 수 있게 된다.As a result, even if rubbing scratches occur due to the column spacer pushed by the rubbing cloth during the rubbing process of the alignment layer, a black matrix constituted on the color filter substrate is formed to block light from being incident on the gate wiring and the thin film transistor formed on the array substrate. Since it is constructed along the x-axis direction with sufficient line width, it can be shielded without reducing the aperture ratio.

따라서, 빛샘의 방지를 통한 고화질의 액정표시장치를 제작할 수 있다.Therefore, a high quality liquid crystal display device can be manufactured by preventing light leakage.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 화소 영역과 비화소 영역으로 구분된 제 1 기판과, 상기 제 1 기판의 비화소 영역에 대응하는 상기 화소 영역의 일 측과 타 측에 교차 구성된 게이트 배선및 데이터 배선과, 상기 두 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와, 상기 화소 영역에 평행하게 이격되어 구성된 공통 전극 및 화소 전극과;According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes a first substrate divided into a pixel area and a non-pixel area, and one side and the other side of the pixel area corresponding to the non-pixel area of the first substrate. A gate interconnection and data interconnection intersected with each other, a thin film transistor configured at an intersection of the two interconnections, a common electrode and a pixel electrode spaced apart in parallel to the pixel region;

상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터가 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 게이트 배선 방향으로 러빙처리된 제 1 배향막과, 상기 제 1 기판과 이격되어 대향하는 제 2 기판과, 상기 제 2 기판의 상기 비화소 영역에 대응하여 구성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스를 경계부로 하여 순차적으로 구성된 적, 녹, 청 컬러필터와;A first alignment layer formed on the entire surface of the substrate including the gate wiring, the data wiring, and the thin film transistor, and rubbed in the gate wiring direction, a second substrate spaced apart from the first substrate, and the second substrate; A black matrix configured to correspond to the non-pixel region, and red, green, and blue color filters sequentially configured with the black matrix as a boundary portion;

상기 게이트 배선및 블랙매트릭스에 대응하여 구성된 컬럼 스페이서와, 상기 컬럼 스페이서가 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 제 1 배향막과 동일한 방향으로 러빙처리된 제 2 배향막과, 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 이격된 사이에 개재된 네거티브 액정층을 포함하는 것을 특징으로 한다.A column spacer configured to correspond to the gate wiring and the black matrix, a second alignment layer formed on the entire surface of the substrate on which the column spacer is formed, and rubbed in the same direction as the first alignment layer, the first substrate and the second substrate It characterized in that it comprises a negative liquid crystal layer interposed between the spaced apart of.

이때, 상기 네거티브 액정은 유전이방성이 음(-)인 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 컬럼 스페이서는 제 1 기판에 구성되며, 상기 게이트 배선과 평행하게 이격된 공통 배선이 더욱 구성된다.In this case, the negative liquid crystal is characterized in that the dielectric anisotropy is negative (-). In addition, the column spacer is configured on the first substrate, and common wiring spaced in parallel with the gate wiring is further configured.

또한, 상기 공통 전극은 상기 공통 배선과 접촉되는 연결부와, 상기 연결부에서 수직하게 분기되는 다수의 수직부를 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 박막트랜지스터와 접촉되는 연장부와, 상기 연장부에서 수직하게 분기되는 다수의 수직부를 포함하며, 상기 공통 전극 및 화소 전극의 수직부는 서로 평행하게 이격되어 교대로 구성되고, 상기 화소 영역의 중심에서 꺽어진 형태로 구성된다.The common electrode may include a connection part in contact with the common wiring, a plurality of vertical parts branched vertically from the connection part, and the pixel electrode may be extended in contact with the thin film transistor, and may be vertically branched from the extension part. And a plurality of vertical parts, wherein the common parts and the vertical parts of the pixel electrode are alternately spaced apart from each other in parallel to each other, and are bent at the center of the pixel area.

그리고, 상기 공통 전극과 화소 전극은 투명한 도전성 금속인 인듐-틴-옥사이드(ITO)또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)중 선택된 하나로 구성된다.The common electrode and the pixel electrode are made of one selected from indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), which are transparent conductive metals.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법은 화소 영역과 비화소 영역으로 구분된 제 1 기판을 준비하는 단계와, 상기 제 1 기판의 비화소 영역에 대응하는 상기 화소 영역의 일 측과 타 측에 교차되는 게이트 배선및 데이터 배선과, 상기 두 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 화소 영역에 서로 평행하게 이격된 공통 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계와;According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, the method including preparing a first substrate divided into a pixel region and a non-pixel region, and forming a pixel region corresponding to the non-pixel region of the first substrate. Forming a thin film transistor at a crossing point of the two lines and a gate line and a data line crossing one side and the other side, and forming a common electrode and a pixel electrode spaced in parallel in the pixel area;

상기 공통 전극 및 화소 전극이 형성된 기판의 전면에, 상기 게이트 배선과 평행한 방향으로 러빙처리된 제 1 배향막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판과 이격되어 대향하는 제 2 기판을 준비하는 단계와, 상기 제 2 기판의 상기 비화소 영역에 대응하여 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a first alignment layer on the front surface of the substrate on which the common electrode and the pixel electrode are formed, which are rubbed in a direction parallel to the gate wiring, and preparing a second substrate facing and spaced apart from the first substrate; Forming a black matrix corresponding to the non-pixel region of the second substrate;

상기 블랙 매트릭스를 경계부로 하여 적, 녹, 청 컬러필터를 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 블랙 매트릭스와 적, 녹, 청 컬러 필터 상부에 오버 코트층을 형성하는 단계와, 상기 오버 코트층 상부에 상기 게이트 배선과 대응되는 부분에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계와;Sequentially forming red, green, and blue color filters using the black matrix as a boundary; forming an overcoat layer on the black matrix and on the red, green, and blue color filters; Forming a column spacer on a portion corresponding to the gate wiring;

상기 컬럼 스페이서가 형성된 기판의 전면에, 상기 제 1 배향막과 동일한 방향으로 러빙처리된 제 2 배향막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계와, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 네거티브 액정을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming a second alignment layer, which is rubbed in the same direction as the first alignment layer, on the entire surface of the substrate on which the column spacers are formed, bonding the first substrate and the second substrate together, Injecting a negative liquid crystal between the two substrates.

이때, 상기 네거티브 액정(negative liquid crystal)은 유전이방성이 음(-)인 것을 특징으로 한다. In this case, the negative liquid crystal is characterized in that the dielectric anisotropy is negative (-).

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에 대해 설명한다.Hereinafter, a transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 단위 화소를 나타낸 평면도이고, 도 6a 내지 도 6d는 도 5의 Ⅵ-Ⅵ선을 따라 절단한 공정 단면도로, 이를 참조하여 상세히 설명한다.FIG. 5 is a plan view illustrating unit pixels of an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 6A to 6D are cross-sectional views taken along line VI-VI of FIG. do.

도 5와 도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(210) 상에 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 게이트 금속층(미도시)을 형성하고, 이를 패턴하여 일방향으로 게이트 배선(220)과, 이와는 평행하게 이격된 공통 배선(250)을 형성한다.As shown in FIGS. 5 and 6A, a gate metal layer (not shown) is formed on the substrate 210 with one selected from a group of conductive metals, and is patterned to be spaced apart from and parallel to the gate wiring 220 in one direction. The common wiring 250 is formed.

이때, 상기 게이트 배선(220)의 일부분을 게이트 전극(225)으로 활용한다.In this case, a part of the gate wiring 220 is used as the gate electrode 225.

다음으로, 상기 게이트 배선 및 전극(220, 225)이 형성된 기판(210) 상부 전면에 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2) 등과 같은 무기 절연물질 그룹 중에서 선택된 하나로 게이트 절연막(245)을 형성한다.Next, the gate insulating layer 245 is formed of one selected from the group of inorganic insulating materials such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ) on the entire surface of the substrate 210 on which the gate wiring and the electrodes 220 and 225 are formed. do.

그리고, 상기 게이트 절연막(245) 상부에는 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(240)과 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(241)을 적층 형성한다.In addition, an active layer 240 made of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 241 made of impurity amorphous silicon are stacked on the gate insulating layer 245.

이때, 상기 액티브 및 오믹 콘택층(240, 241)은 게이트 전극(225)과 중첩되는 위치에서 아일랜드 형태로 구성된다.In this case, the active and ohmic contact layers 240 and 241 are formed in an island shape at a position overlapping with the gate electrode 225.

도 5와 도 6b에 도시한 바와 같이, 액티브 및 오믹 콘택층(240, 241)이 형성된 기판(210) 상부에 도전성 금속 그룹 중에서 선택된 하나로 소스 및 드레인 금속층(미도시)을 형성하고, 이를 패턴하여 상기 게이트 배선(220)과는 수직하게 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(230)을 형성하고, 상기 데이터 배선(230)에서 연장된 데이터 연결배선(231)을 통해 상기 게이트 전극(220)의 일부와 중첩되는 소스 전극(232)과, 상기 소스 전극(232)과는 이격된 드레인 전극(234)을 형성한다.As shown in FIGS. 5 and 6B, a source and a drain metal layer (not shown) are formed on the substrate 210 on which the active and ohmic contact layers 240 and 241 are formed, one selected from a group of conductive metals, and patterned. The data line 230 is formed to cross the gate line 220 to define the pixel area P, and the gate electrode (eg, the data line 230) extends from the data line 230. A source electrode 232 overlapping with a portion of 220 and a drain electrode 234 spaced apart from the source electrode 232 are formed.

그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(232, 234)이 이격된 사이로 드러난 오믹 콘택층(241)을 제거하여 액티브층(240)이 노출되도록 한다.In addition, the active layer 240 is exposed by removing the ohmic contact layer 241 exposed between the source and drain electrodes 232 and 234.

도 5와 도 6c에 도시한 바와 같이, 소스 및 드레인 전극(232, 234)과 데이터 배선(230)이 형성된 기판(210) 상부 전면에 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2) 등과 같은 무기 절연물질 그룹 중에서 선택된 하나 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene:BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 보호막(275)을 형성한다.As shown in FIGS. 5 and 6C, an inorganic material, such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2 ), may be formed on the entire upper surface of the substrate 210 on which the source and drain electrodes 232 and 234 and the data line 230 are formed. The passivation layer 275 is formed of one selected from the group of insulating materials or one selected from the group of organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin.

도 5와 도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 전극(234)의 일부에 대응되는 보호막(275)을 제거하여 드레인 콘택홀(CH2)을 형성한다.As shown in FIGS. 5 and 6D, the passivation layer 275 corresponding to a part of the drain electrode 234 is removed to form the drain contact hole CH2.

다음으로, 상기 드레인 콘택홀(CH2)이 형성된 보호막(275) 상부에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고, 이를 패턴하여 화소 전극(260)과 공통 전극(270)을 형성한다.Next, a selected one of a transparent conductive metal group including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) is deposited on the passivation layer 275 on which the drain contact hole CH2 is formed. The pixel electrode 260 and the common electrode 270 are formed in a pattern.

상기 화소 전극(260)은 드레인 전극(234)과 접촉되는 연장부(260a)와, 상기 연장부(260a)에서 화소 영역(P)으로 수직하게 분기된 다수의 수직부(260b)를 포함한다.The pixel electrode 260 includes an extension part 260a in contact with the drain electrode 234, and a plurality of vertical parts 260b vertically branched from the extension part 260a to the pixel area P.

그리고, 상세히 도시하지는 않았지만, 상기 공통 배선(250)의 일부를 노출하는 공통 콘택홀(CH3)을 통해 공통 배선(250)과 공통 전극(270)이 연결된다.Although not shown in detail, the common wire 250 and the common electrode 270 are connected through the common contact hole CH3 exposing a portion of the common wire 250.

상기 공통 전극(270)은 공통 배선(250)과 접촉되는 연결부(270a)와 상기 연결부(270a)에서 상기 화소 전극 수직부(260b)와 평행하게 엇갈려 구성되는 다수의 수직부(270b)를 포함한다.The common electrode 270 includes a connecting portion 270a which is in contact with the common wiring 250 and a plurality of vertical portions 270b that are alternately arranged in parallel with the pixel electrode vertical portion 260b at the connecting portion 270a. .

여기서, 상기 화소 전극 수직부(260b)와 공통 전극 수직부(270b)는 서로 평행하게 엇갈려 구성되며, 적어도 한번의 굴절부를 갖는다. 이러한 굴절부는 횡전계 방식의 취약점인 시야각을 향상하기 위한 목적으로 구성된다.The pixel electrode vertical part 260b and the common electrode vertical part 270b are staggered in parallel with each other and have at least one refraction part. Such a refractive portion is configured for the purpose of improving the viewing angle which is a weak point of the transverse electric field method.

전술한 구성을 통해 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판을 제작할 수 있다.Through the above-described configuration, an array substrate for a transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention can be manufactured.

이렇게 제조된 어레이 기판은 컬러필터 기판과 합착되고, 그 사이에 액정을 개재하여 액정 패널을 제작하게 된다.The array substrate thus manufactured is bonded to the color filter substrate, and the liquid crystal panel is produced through the liquid crystal therebetween.

이때, 본 발명에서는 양 기판 사이에 주입되는 액정으로 네거티브 액정을 사용하고, 상기 어레이 기판의 상부 배향막과, 상기 컬러필터 기판의 하부 배향막을 x축 방향으로 러빙 처리하는 것을 특징으로 한다.In this case, in the present invention, a negative liquid crystal is used as the liquid crystal injected between both substrates, and the upper alignment layer of the array substrate and the lower alignment layer of the color filter substrate are rubbed in the x-axis direction.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 x축 방향으로 초기 배향된 네거티브 액정의 전기적인 특성에 대해 설명한다.Hereinafter, the electrical characteristics of the negative liquid crystal initially oriented in the x-axis direction will be described with reference to the accompanying drawings.

도 7a와 도 7b는 네거티브 액정의 전기적인 특성을 나타낸 도면으로, 설명의 편의를 위해 화소 전극과 공통 전극이 구성된 어레이 기판을 중점적으로 도시하였다.7A and 7B illustrate electrical characteristics of a negative liquid crystal. For the convenience of description, an array substrate including a pixel electrode and a common electrode will be mainly shown.

도 7a에 도시한 바와 같이, 배향막(미도시)의 러빙 방향을 x축 방향으로 진행한 상태에서 네거티브 액정(negative liquid crystal)을 적용한 경우를 나타낸 것이다.As shown in FIG. 7A, a case in which a negative liquid crystal is applied while the rubbing direction of the alignment layer (not shown) is advanced in the x-axis direction is illustrated.

이때, 전압을 인가하게 되면, 공통 전극 수직부(270b)와 화소 전극 수직부(260b) 간에 전계가 발생되어 전술한 전기적인 특성에 의해 액정 분자(285)가 반시계 방향으로 움직이게 된다.In this case, when a voltage is applied, an electric field is generated between the common electrode vertical part 270b and the pixel electrode vertical part 260b to move the liquid crystal molecules 285 counterclockwise due to the above-described electrical characteristics.

이에 반해, 도 7b에 도시한 바와 같이, 배향막(미도시)의 러빙 방향을 x축 방향으로 진행한 상태에서 포지티브 액정(positive liquid crystal)을 적용한 경우에는 공통 전극 수직부(270b)와 화소 전극 수직부(260b) 간에 전계가 발생하더라도, 전술한 전기적인 특성에 의해 액정 분자(280)의 움직임은 발생하지 않게 된다.On the contrary, as shown in FIG. 7B, when the positive liquid crystal is applied while the rubbing direction of the alignment layer (not shown) is advanced in the x-axis direction, the common electrode vertical portion 270b and the pixel electrode are perpendicular to each other. Even if an electric field is generated between the units 260b, the movement of the liquid crystal molecules 280 does not occur due to the above-described electrical characteristics.

따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치에서는 포지티브 액정을 네거티브 액정 으로 대체함으로써, 배향막의 러빙 진행방향을 x축 방향으로 변경할 수 있다.Therefore, in the liquid crystal display according to the present invention, the rubbing traveling direction of the alignment layer can be changed in the x-axis direction by replacing the positive liquid crystal with the negative liquid crystal.

이러한 변경은 배향막의 러빙 공정시 러빙포에 밀린 컬럼 스페이서(column spacer)의 잔유물에 의해 러빙 스크레치(rubbing scratch)가 발생하더라도, 상기 게이트 배선을 따라 발생하기 때문에, 기존의 차단수단에 의해 충분히 차폐 가능하다.Such a change is generated along the gate wiring even if rubbing scratches occur due to the residue of column spacers pushed on the rubbing cloth during the rubbing process of the alignment layer, and thus can be sufficiently shielded by existing blocking means. Do.

특히, 상기 컬럼 스페이서를 기준으로 x축 방향은 비화소 영역이므로, 화소 영역(P)으로 이물이 옮겨질 염려가 없기 때문에, 상기 화소 영역(P)에서 빛샘이 발생하지 않는다.In particular, since the x-axis direction is a non-pixel region with respect to the column spacer, there is no fear of foreign matter being transferred to the pixel region P, so that light leakage does not occur in the pixel region P. FIG.

이하, 이에 대해 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, this will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 8은 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치를 나타낸 평면도이고, 도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ선을 따라 절단한 단면도로, 어레이 기판과 컬러필터 기판을 동시에 나타내고 있다.FIG. 8 is a plan view illustrating a transverse electric field type liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 8 and simultaneously shows an array substrate and a color filter substrate.

여기서, 도 8과 도 9는 그 구성에 있어 도 5와 동일한 바, 중복 설명은 피하도록 한다.8 and 9 are the same as those in FIG. 5 in the configuration, and thus redundant description will be avoided.

도 8과 도 9에 도시한 바와 같이, 상부 기판(300)인 컬러필터 기판과 하부 기판(310)인 어레이 기판이 대향하고 있으며, 상기 상부 및 하부 기판(300, 310) 사이에는 네거티브 액정(negative liquid crystal)으로 이루어지는 액정층(365)이 개재된다.As shown in FIGS. 8 and 9, the color filter substrate, which is the upper substrate 300, and the array substrate, which is the lower substrate 310, face each other, and a negative liquid crystal is formed between the upper and lower substrates 300 and 310. A liquid crystal layer 365 made of a liquid crystal is interposed.

여기서, 상기 어레이 기판(310)과 컬러필터 기판(300)은 별도의 공정을 통해 서로 제작된 상태에서 합착하여 구성하게 되고, 그 사이에 구성된 액정 주입구(미 도시)를 통해 액정을 주입하여 액정층(365)을 개재하고, 이를 봉지제로 봉지하여 액정 패널을 제작하게 된다.Here, the array substrate 310 and the color filter substrate 300 are bonded to each other in a state produced in a separate process through a separate process, and the liquid crystal layer by injecting the liquid crystal through a liquid crystal injection hole (not shown) formed therebetween Interposed between the 365 and the encapsulating agent to produce a liquid crystal panel.

이를 상세히 설명하면, 상기 하부 기판(310)의 투명 기판(302) 상부에는 게이트 배선(320)이 구성되고, 상기 게이트 배선(320) 상부에는 게이트 절연막 및 보호막(345)이 차례로 구성된다. 그리고, 상기 게이트 절연막 및 보호막(345) 상부에는 공통 전극(360)과 화소 전극(370)이 구성되고, 그 상부 전면에 액정의 초기 배향을 제어하는 하부 배향막(375)이 구성된다.In detail, the gate wiring 320 is formed on the transparent substrate 302 of the lower substrate 310, and the gate insulating film and the protective film 345 are sequentially formed on the gate wiring 320. The common electrode 360 and the pixel electrode 370 are formed on the gate insulating layer and the passivation layer 345, and a lower alignment layer 375 is formed on the entire upper surface of the gate insulating layer and the protective layer 345 to control the initial alignment of the liquid crystal.

그리고, 상기 상부 기판(300)의 투명 기판(301) 상부에는 화소 영역(P)을 제외한 부분으로 입사되는 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(312)가 구성되고, 상기 블랙 매트릭스(312)를 경계부로 하여 화소 영역(P)에 대응되는 부분에 컬러필터(326)가 구성된다.In addition, a black matrix 312 is formed on the transparent substrate 301 of the upper substrate 300 to block light incident to portions other than the pixel region P, and the black matrix 312 is defined as a boundary. Thus, the color filter 326 is formed at the portion corresponding to the pixel region P. FIG.

또한, 상기 블랙 매트릭스(312) 상부로 오버 코트층(314)이 구성되고, 상기 오버 코트층(314) 상부에는 하부 투명 기판(302)에 구성된 게이트 배선(220)과 대응되는 부분에 컬럼 스페이서(390)가 구성된다. 여기서, 상기 컬럼 스페이서(390)는 양 기판(300, 310)의 셀갭(cell gap)을 일정하게 유지하기 위한 목적으로 구성되며, 일예로 폴리이미드(polyimide) 계열의 물질로 구성될 수 있다.In addition, an overcoat layer 314 is formed on the black matrix 312, and a column spacer is formed on a portion of the overcoat layer 314 that corresponds to the gate wiring 220 formed on the lower transparent substrate 302. 390 is configured. The column spacer 390 is configured to maintain a constant cell gap of both substrates 300 and 310. For example, the column spacer 390 may be formed of a polyimide-based material.

그리고, 상기 컬럼 스페이서(390)가 구성된 상부 투명 기판(301)의 전면에는 하부 배향막(375)과 동일한 기능을 하는 상부 배향막(316)이 구성된다.The upper alignment layer 316 having the same function as the lower alignment layer 375 is formed on the entire surface of the upper transparent substrate 301 having the column spacer 390.

이때, 상기 상부 및 하부 배향막(316, 375)은 x축 방향으로 러빙 처리되어 있다.In this case, the upper and lower alignment layers 316 and 375 are rubbed in the x-axis direction.

여기서, 상기 상부 및 하부 배향막(316, 375)의 형성 단계에서 러빙 처리를 x축 방향으로 진행하게 되면, 컬럼 스페이서(290)가 러빙포에 밀려 러빙 스크레치(rubbing scratch)가 발생하더라도, 게이트 배선(320)이 형성된 방향을 따라 발생하기 때문에, 화소 영역(P)은 이에 대한 영향권에서 벗어날 수 있게 된다.Here, when the rubbing treatment is performed in the x-axis direction in the forming of the upper and lower alignment layers 316 and 375, even if the rubbing scratch occurs due to the column spacer 290 being pushed by the rubbing cloth, the gate wiring ( Since it occurs along the direction in which the 320 is formed, the pixel region P may be out of an influence zone.

또한, 상부 및 하부 기판(300, 310)이 합착될 때, 상부 배향막(316)의 러빙 방향이 하부 기판(310)의 게이트 배선(320) 및 박막트랜지스터(T)와 동일한 방향이므로, 상기 컬럼 스페이서(390)가 이 방향으로 러빙 스크레치가 발생하더라도 이를 블랙 매트릭스(312)로 차폐할 수 있게 된다.In addition, when the upper and lower substrates 300 and 310 are bonded to each other, the rubbing direction of the upper alignment layer 316 is the same direction as that of the gate wiring 320 and the thin film transistor T of the lower substrate 310. Although rubbing scratches occur in this direction, the 390 can shield them with the black matrix 312.

그 결과, 개구율의 감소 없이도 빛샘을 방지할 수 있어 고화질 액정표시장치를 제작할 수 있다.As a result, light leakage can be prevented without reducing the aperture ratio, and a high quality liquid crystal display device can be manufactured.

그러나, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

일예로, 본 발명에 따른 액정표시장치는 컬럼 스페이서를 포함하는 어레이 기판에도 적용하는 것이 가능하다.For example, the liquid crystal display according to the present invention may be applied to an array substrate including column spacers.

본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치에서는 네거티브 액정의 적용을 통해 배향막의 러빙 처리를 y축 방향에서 x축 방향으로 전환할 수 있으므로, 러빙포에 의해 컬럼 스페이서가 밀려 러빙 스크레치가 발생하더라도, 화소 영역이 아닌 게이트 배선 및 박막트랜지스터와 동일한 방향이므로, 화소 영역에서는 빛샘이 발 생하지 않는다.In the transverse electric field type liquid crystal display device according to the present invention, since the rubbing treatment of the alignment layer can be switched from the y-axis direction to the x-axis direction by applying negative liquid crystal, even if rubbing scratches occur due to the column spacer being pushed by the rubbing cloth, Light leakage does not occur in the pixel area because the same direction as the gate line and the thin film transistor is used instead of the area.

따라서, 배향막의 러빙 진행방향의 전환을 통해 개구율의 감소 없이 고화질 액정표시장치를 제작할 수 있는 효과가 있다.Accordingly, there is an effect that a high quality liquid crystal display device can be manufactured without reducing the aperture ratio by changing the rubbing traveling direction of the alignment layer.

Claims (8)

화소 영역과 비화소 영역으로 구분된 제 1 기판과;A first substrate divided into a pixel region and a non-pixel region; 상기 제 1 기판의 비화소 영역에 대응하는 상기 화소 영역의 일 측과 타 측에 교차 구성된 게이트 배선및 데이터 배선과, 상기 두 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와;A gate wiring and a data wiring intersecting at one side and the other side of the pixel region corresponding to the non-pixel region of the first substrate, and a thin film transistor configured at the intersection of the two wirings; 상기 화소 영역에 평행하게 이격되어 구성된 공통 전극 및 화소 전극과;A common electrode and a pixel electrode configured to be spaced apart in parallel to the pixel area; 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터가 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 게이트 배선 방향으로 러빙처리된 제 1 배향막과;A first alignment layer formed on the entire surface of the substrate on which the gate wiring, the data wiring and the thin film transistor are formed, and which are rubbed in the gate wiring direction; 상기 제 1 기판과 이격되어 대향하는 제 2 기판과;A second substrate spaced apart from and opposed to the first substrate; 상기 제 2 기판의 상기 비화소 영역에 대응하여 구성된 블랙 매트릭스와;A black matrix configured to correspond to the non-pixel region of the second substrate; 상기 블랙 매트릭스를 경계부로 하여 순차적으로 구성된 적, 녹, 청 컬러필터와;Red, green, and blue color filters sequentially configured with the black matrix as a boundary; 상기 게이트 배선및 블랙매트릭스에 대응하여 구성된 컬럼 스페이서와;A column spacer configured to correspond to the gate wiring and the black matrix; 상기 컬럼 스페이서가 구성된 기판의 전면에 구성되고, 상기 제 1 배향막과 동일한 방향으로 러빙처리된 제 2 배향막과;A second alignment layer formed on the entire surface of the substrate including the column spacers and rubbed in the same direction as the first alignment layer; 상기 제 1 기판과 제 2 기판의 이격된 사이에 개재된 네거티브 액정층Negative liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate spaced apart 을 포함하는 액정표시장치.Liquid crystal display comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 네거티브 액정은 유전이방성이 음(-)인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The negative liquid crystal is a liquid crystal display, characterized in that the dielectric anisotropy is negative (-). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컬럼 스페이서는 제 1 기판에 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The column spacer is configured on the first substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 배선과 평행하게 이격된 공통 배선이 더욱 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a common wiring spaced apart in parallel to the gate wiring. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 공통 전극은 상기 공통 배선과 접촉되는 연결부와, 상기 연결부에서 수직하게 분기되는 다수의 수직부를 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 박막트랜지스터와 접촉되는 연장부와, 상기 연장부에서 수직하게 분기되는 다수의 수직부를 포함하며, 상기 공통 전극 및 화소 전극의 수직부는 서로 평행하게 이격되어 교대로 구성되고, 상기 화소 영역의 중심에서 꺽어진 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The common electrode may include a connection part in contact with the common wiring, a plurality of vertical parts branched vertically from the connection part, and the pixel electrode may include an extension part contacting the thin film transistor and a plurality of vertical parts branched from the extension part. And a vertical portion of the common electrode and the vertical portion of the pixel electrode, which are alternately spaced apart from each other in parallel to each other, and bent at a center of the pixel area. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공통 전극과 화소 전극은 투명한 도전성 금속인 인듐-틴-옥사이드(ITO)또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)중 선택된 하나로 구성되는 액정표시장치.The common electrode and the pixel electrode are formed of one selected from indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), which is a transparent conductive metal. 화소 영역과 비화소 영역으로 구분된 제 1 기판을 준비하는 단계와;Preparing a first substrate divided into a pixel region and a non-pixel region; 상기 제 1 기판의 비화소 영역에 대응하는 상기 화소 영역의 일 측과 타 측에 교차되는 게이트 배선및 데이터 배선과, 상기 두 배선의 교차지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor at a crossing point between the gate line and the data line crossing one side and the other side of the pixel area corresponding to the non-pixel area of the first substrate; 상기 화소 영역에 서로 평행하게 이격된 공통 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계와;Forming a common electrode and a pixel electrode spaced apart from each other in parallel in the pixel area; 상기 공통 전극 및 화소 전극이 형성된 기판의 전면에, 상기 게이트 배선과 평행한 방향으로 러빙처리된 제 1 배향막을 형성하는 단계와;Forming a first alignment layer on the front surface of the substrate on which the common electrode and the pixel electrode are formed in a rubbing process in a direction parallel to the gate wiring; 상기 제 1 기판과 이격되어 대향하는 제 2 기판을 준비하는 단계와;Preparing a second substrate facing and spaced apart from the first substrate; 상기 제 2 기판의 상기 비화소 영역에 대응하여 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a black matrix corresponding to the non-pixel region of the second substrate; 상기 블랙 매트릭스를 경계부로 하여 적, 녹, 청 컬러필터를 순차적으로 형성하는 단계와;Sequentially forming red, green, and blue color filters using the black matrix as a boundary; 상기 블랙 매트릭스와 적, 녹, 청 컬러 필터 상부에 오버 코트층을 형성하는 단계와;Forming an overcoat layer on the black matrix and on the red, green, and blue color filters; 상기 오버 코트층 상부에 상기 게이트 배선과 대응되는 부분에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계와;Forming column spacers on the overcoat layer corresponding to the gate lines; 상기 컬럼 스페이서가 형성된 기판의 전면에, 상기 제 1 배향막과 동일한 방향으로 러빙처리된 제 2 배향막을 형성하는 단계와;Forming a second alignment layer which is rubbed in the same direction as the first alignment layer on the entire surface of the substrate on which the column spacer is formed; 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계와;Bonding the first substrate and the second substrate to each other; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 네거티브 액정을 주입하는 단계Injecting a negative liquid crystal between the first substrate and the second substrate 를 포함하는 액정표시장치 제조방법.Liquid crystal display device manufacturing method comprising a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 네거티브 액정(negative liquid crystal)은 유전이방성이 음(-)인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.The negative liquid crystal (negative liquid crystal) is a liquid crystal display device characterized in that the dielectric anisotropy (-).
KR1020060122953A 2006-12-06 2006-12-06 In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof KR20080051569A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060122953A KR20080051569A (en) 2006-12-06 2006-12-06 In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060122953A KR20080051569A (en) 2006-12-06 2006-12-06 In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080051569A true KR20080051569A (en) 2008-06-11

Family

ID=39806539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060122953A KR20080051569A (en) 2006-12-06 2006-12-06 In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080051569A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101979011B1 (en) color filter substrate and liquid crystal display device including the same
KR101182471B1 (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof
CN102819152B (en) High aperture ratio in-plane switching mode active matrix liquid crystal display
US7130010B2 (en) Array substrate for in-plane switching liquid crystal display device and method of fabricating the same with polycrystalline silicon pixel electrode
KR100966452B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof
JP5636342B2 (en) Liquid crystal display
KR100919199B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device
KR101146449B1 (en) In-Plane Switching mode Liquid Crystal Display Device and method thereof
KR20070070726A (en) An array substrate for in-plane switching mode lcd and method of fabricating of the same
KR20060001662A (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof
KR101172048B1 (en) Liquid Crystal Display And Method For Fabricating The Same
KR101697590B1 (en) Substrate structure of liquid crystal display device and method of fabricating liquid crsytal display device
KR102028982B1 (en) Liquid display panel and method of fabricating the same
KR20110076369A (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20050058105A (en) Fringe field switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR100630878B1 (en) Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method for Manufacturing the same
KR20080051366A (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof
KR20080051569A (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and the method for fabricating thereof
KR101232547B1 (en) An array substrate for In-Plane-Switching mode LCD and the fabrication method thereof
KR101186009B1 (en) fabrication method for In-Plane Switching mode LCD and the alignment layer forming method
KR20150136339A (en) Array substrate and liquid crystal display device inluding the same
KR20060112279A (en) In-plane switching mode lcd and method of fabricating of the same
KR100918651B1 (en) Liquid Crystal Display Device in In-Plane Switching mode and method for Manufacturing the same
KR101397447B1 (en) Liquid Crystal Display device and method for fabricating the same
KR100652219B1 (en) In-plain switching mode liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination