KR20080048694A - Aparatus for controlling heat exhaust of semiconductor manufacture device - Google Patents

Aparatus for controlling heat exhaust of semiconductor manufacture device Download PDF

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KR20080048694A KR1020060118969A KR20060118969A KR20080048694A KR 20080048694 A KR20080048694 A KR 20080048694A KR 1020060118969 A KR1020060118969 A KR 1020060118969A KR 20060118969 A KR20060118969 A KR 20060118969A KR 20080048694 A KR20080048694 A KR 20080048694A
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Abstract

A heat exhaust control device of a semiconductor manufacturing apparatus is provided to prevent an exhaust hunting effect by sensing automatically heat exhaust pressure in a corresponding area. A plurality of process chambers(50) perform a diffusion process. An exhaust duct(52) is connected to exhaust lines of the process chambers in order to form an exhaust path for exhausting the heated air in a wafer cooling process. A pressure control unit(54) controls automatically the pressure of the heated air according to a predetermined control signal. A blower(56) exhausts the heated air of the pressure control unit. A pressure detection sensor(58) is installed on the exhaust duct in order to sense the pressure of the heated air. A controller(60) compares a pressure value of the pressure detection sensor with a predetermined pressure value and outputs a pressure control signal to the pressure control unit in order to maintain a constant level of the pressure.

Description

반도체 제조설비의 열배기 제어장치{APARATUS FOR CONTROLLING HEAT EXHAUST OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE}Heat Exhaust Control Device of Semiconductor Manufacturing Equipment {APARATUS FOR CONTROLLING HEAT EXHAUST OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE}

도 1은 종래의 반도체 제조설비의 열배기 제어장치의 구성도1 is a configuration diagram of a heat exhaust control apparatus of a conventional semiconductor manufacturing facility

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조설비의 열배기 제어장치의 구성도2 is a configuration diagram of a heat exhaust control apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *              Explanation of symbols on the main parts of the drawings

50: 공정챔버 52: 배기덕트50: process chamber 52: exhaust duct

54: 압력조절부 56: 송풍기54: pressure regulator 56: blower

58: 압력감지센서 60: 콘트롤러58: pressure sensor 60: controller

62: 공기유입구 64: 클린유니트62: air inlet 64: clean unit

66: 석영보트 68: 히터66: quartz boat 68: heater

70: 엘리베이터 72: 송풍팬70: elevator 72: blowing fan

74: 공기유출구74: air outlet

본 발명은 반도체 제조설비의 열배기 제어장치에 관한 것으로, 특히 확산로설비에서 공정이 완료된 웨이퍼를 에어를 통해 냉각할 시 가열된 에어를 덕트를 통해 배기할 때 배기압력을 자동으로 조절하는 반도체 제조설비의 열배기 제어장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat exhaust control apparatus of a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to manufacturing a semiconductor for automatically controlling exhaust pressure when exhausting heated air through a duct when cooling a wafer in which a process is completed in a diffusion furnace facility. It relates to a heat exhaust control device of a facility.

일반적으로 반도체 제조공정에서는 열에너지를 이용하여 확산, 식각, 화학기상증착 등의 화학반응의 촉진과 더불어 웨이퍼 가공의 정도를 조정하며 또한 이러한 열에너지를 발생시키기 위해서 각종 설비들은 고온의 발열부를 갖는다.In general, semiconductor manufacturing processes use thermal energy to promote chemical reactions such as diffusion, etching, and chemical vapor deposition, to adjust the degree of wafer processing, and to generate such thermal energy, various facilities have a high temperature heating part.

여기서 확산(diffusion)이란, 평형상태를 이루려는 자연 현상을 이용한 물질간의 혼합을 말하며, 미시적으로는 원자들간의 혼합현상을 의미한다. 그러나 실제 반도체 소자 제조 공정들의 대부분은 어느 정도 확산과 관계가 있으며, 특히 열산화 공정(Thermal Oxidation), 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)등은 확산 개념을 많이 이용하고 있는 공정이다.Here, diffusion refers to mixing between materials using natural phenomena to achieve an equilibrium state, and microscopically refers to mixing between atoms. However, most of the actual semiconductor device manufacturing processes are related to diffusion to some extent, and thermal oxidation process (CVD) and chemical vapor deposition (CVD) are widely used diffusion concepts.

따라서, 확산 장비로 가능한 반도체 소자의 제조공정은, 질화막 및 폴리실리콘막과 같은 CVD(Chemical Vapor Deposition)막의 형성, 접합영역의 형성, 열처리에 의한 손상(Damage)의 치료(Relief), 막질의 고밀도화(Densification), 산화막의 형성 등이 가능하다.Therefore, the manufacturing process of a semiconductor device that can be used as a diffusion device includes the formation of a chemical vapor deposition (CVD) film such as a nitride film and a polysilicon film, formation of a junction region, treatment of damage caused by heat treatment, and high film quality (Densification), formation of an oxide film, and the like.

도 1은 종래의 반도체 제조설비의 열배기 제어장치의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a heat exhaust control apparatus of a conventional semiconductor manufacturing facility.

확산공정을 진행하는 다수의 공정챔버(10)와, A plurality of process chambers 10 for performing a diffusion process,

상기 다수의 공정챔버(10)의 배기라인과 연결되어 웨이퍼 냉각시 가열된 공 기를 배출하기 위한 통로를 형성하는 다수의 서브배기덕트(12)와,A plurality of sub-exhaust ducts 12 connected to exhaust lines of the plurality of process chambers 10 to form passages for discharging the heated air during wafer cooling;

상기 다수의 서브배기덕트(12)와 연통되어 상기 다수의 서브배기덕트(12)로부터 배출되는 가열공기를 배출하는 통로를 형성하는 메인배기덕트(14)와, A main exhaust duct 14 in communication with the plurality of sub exhaust ducts 12 to form a passage for discharging the heating air discharged from the plurality of sub exhaust ducts 12;

메인배기덕트(14) 상에 설치되어 상기 메인배기덕트(14)를 통해 배출되는 가열공기의 압력을 수동으로 조절하는 압력조절용 댐퍼(16)와, A pressure control damper 16 installed on the main exhaust duct 14 for manually adjusting the pressure of the heating air discharged through the main exhaust duct 14;

상기 압력조절용 댐퍼(16)로부터 압력이 조절된 가열공기를 외부로 배출하는 송풍기(18)로 구성되어 있다.The blower 18 is configured to discharge the heated air whose pressure is controlled from the pressure regulating damper 16 to the outside.

상기 다수의 공정챔버(10)는 그룹별로 여러 에리어(11)로 구분되어 있다. The plurality of process chambers 10 are divided into several areas 11 by groups.

상기 공정챔버(10)는 외부로부터 공기를 유입하는 공기유입구(20)와, 상기 공기유입구(20)로부터 유입된 공기를 필터링하는 클린유니트(22)와, 다수의 웨이퍼를 적재하고 있는 석영보트(24)와, 상기 공정챔버(10) 내부에서 확산공정을 진행하기 위해 상기 석영보트(24)에 적재된 웨이퍼를 가열하기 위한 히터(26)와, 상기 석영보트(24)를 상기 히터(26)의 내부로 상승시키거나 상기 히터(26)의 하부로 하강시키는 엘리베이터(28)와, 상기 클린유니트(22)로부터 필터링된 공기가 석영보트(24)에 적재된 웨이퍼를 냉각시킬 때 가열된 공기를 배출하는 송풍팬(30)과, 상기 송풍팬(30)으로부터 배출되는 가열공기를 유출하는 공기유출구(32)로 구성되어 있다.The process chamber 10 includes an air inlet 20 for introducing air from the outside, a clean unit 22 for filtering air introduced from the air inlet 20, and a quartz boat carrying a plurality of wafers ( 24, a heater 26 for heating a wafer loaded on the quartz boat 24 to perform a diffusion process inside the process chamber 10, and the quartz boat 24 is connected to the heater 26. The elevator 28 which raises or lowers the lower portion of the heater 26 and the air filtered when the air filtered from the clean unit 22 cools the wafer loaded on the quartz boat 24. And a blower fan 30 for discharging, and an air outlet 32 for discharging the heated air discharged from the blower fan 30.

상기 도 1을 참조하여 종래의 확산설비에서 공정챔버(10)로부터 웨이퍼를 냉각시킬대 가열된 공기를 배출하는 동작을 설명한다.Referring to FIG. 1, an operation of discharging heated air to cool the wafer from the process chamber 10 in the conventional diffusion apparatus will be described.

먼저 확산공정을 진행하기 위해서 히터(26)를 가열시킨다. 상기 히터(26)가 가열되어 확산공정을 진행하기 위한 온도로 가열되면 엘리베이터(28)는 석영보트(24)를 히터(26)의 내부로 상승시킨다. 그런 후 공정챔버(10)에서는 반응가스가 공급되어 확산공정이 진행된다. 확산공정이 완료되면 엘리베이터(28)는 석영보트(24)를 히터(26)의 하부로 하강시킨다. 그런 후 도시하지 않은 POD 로워 팬(Lower Fan)이 구동되면 공기유입구(20)를 통해 외부로부터 공기가 유입되고, 공기유입구(20)을 통해 유입된 공기는 클린유니트(22)를 통해 필터링된 후 석영보트(24)로 인가된다. 이때 석영보트(24)에 적재되어 공정이 완료된 웨이퍼는 클린유니트(22)를 통해 인가된 에어에 의해 냉각된다. 이때 석영보트(24)에 적재된 웨이퍼를 냉각시킬 때 가열된 공기는 송풍팬(30)에 의해 공기유출구(32)를 통해 배출된다. 상기 공기유출구(32)를 통해 배출되는 가열공기는 서브배기덕트(12)와 메인배기덕트(14)를 통해 메인배기덕트(14)의 종단에 설치된 송풍기(18)에 의해 외부로 배출된다. 이때 메인배기덕트(14) 상에 설치된 압력조절용 댐퍼(16)는 엔지니어가 수동으로 메인배기덕트(14)를 통해 배출되는 공기의 압력을 미리정해진 압력으로 조절한다. First, the heater 26 is heated in order to proceed with the diffusion process. When the heater 26 is heated to a temperature for the diffusion process, the elevator 28 raises the quartz boat 24 into the heater 26. Then, the reaction gas is supplied from the process chamber 10 to proceed with the diffusion process. When the diffusion process is completed, the elevator 28 lowers the quartz boat 24 to the lower portion of the heater 26. Then, when a POD lower fan (not shown) is driven, air is introduced from the outside through the air inlet 20, and the air introduced through the air inlet 20 is filtered through the clean unit 22. It is applied to the quartz boat 24. At this time, the wafer loaded on the quartz boat 24 and the process is completed is cooled by the air applied through the clean unit 22. At this time, when cooling the wafer loaded on the quartz boat 24, the heated air is discharged through the air outlet 32 by the blowing fan 30. The heated air discharged through the air outlet 32 is discharged to the outside by the blower 18 installed at the end of the main exhaust duct 14 through the sub exhaust duct 12 and the main exhaust duct 14. At this time, the pressure control damper 16 installed on the main exhaust duct 14, the engineer manually adjusts the pressure of the air discharged through the main exhaust duct 14 to a predetermined pressure.

그런데 상기와 같은 종래의 반도체 제조설비의 열배기 제어장치는 모든 에리어(Area)에 있는 공정챔버(10)를 하나의 메인배기덕트(14)를 통해 배출되도록 하고 있어 메인배기덕트(14)의 헌팅이 발생하면 배기이상으로 공정챔버(10)에 파티클의 오염이 발생하는 문제가 있었다. However, the heat exhaust control device of the conventional semiconductor manufacturing equipment as described above allows the process chambers 10 in all areas to be discharged through one main exhaust duct 14, so that the hunting of the main exhaust duct 14 is performed. If this occurs, there is a problem that contamination of particles occurs in the process chamber 10 above the exhaust.

또한 공정챔버(10)를 증설할 경우 열배기 압력의 드롭으로 인해 승압을 요청할 시 메인배기덕트의 신규가설 등의 작업이 필요하며 많은 투자비와 설비의 배 치(arrange)가 필요로 하는 문제가 있었다. In addition, when the process chamber 10 is expanded, a new construction of the main exhaust duct is required when requesting a boost due to a drop in the heat exhaust pressure, which requires a lot of investment cost and arrangement of the equipment. .

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 반도체 확산설비에서 해당 에리어(지역)의 설비별로 단독 열배기 송풍기를 사용하여 공정챔버내의 파티클의 오염발생을 방지하는 반도체 제조설비의 열배기 제어장치를 제공함에 있다.Therefore, an object of the present invention is to control the heat exhaust of the semiconductor manufacturing equipment to prevent the contamination of particles in the process chamber by using a single heat exhaust blower for each facility in the area (region) in the semiconductor diffusion equipment to solve the above problems. In providing a device.

본 발명의 다른 목적은 공정챔버의 증설에 의한 열배기 압력의 드롭으로 인해 승압을 요구되어도 자동으로 배기압력을 조절하여 별도의 메인배기덕트를 신규가설할 필요가 없어 비용을 절감할 수 있는 반도체 제조설비의 열배기 제어장치를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to manufacture a semiconductor that can reduce the cost because it does not need to newly install a separate main exhaust duct by automatically adjusting the exhaust pressure even if the boost pressure is required due to the drop in the heat exhaust pressure by the expansion of the process chamber It is to provide a heat exhaust control device of the equipment.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 열배기 제어장치는, 확산공정을 진행하는 다수의 공정챔버와, 상기 다수의 공정챔버의 배기라인과 연결되어 웨이퍼 냉각시 가열된 공기를 배출하기 위한 통로를 형성하는 배기덕트와, 상기 배기덕트를 통해 배출되는 가열공기의 압력을 소정의 제어신호에 의해 자동으로 조절하는 압력조절부와, 상기 압력조절부로부터 압력이 조절된 가열공기를 외부로 배출하는 송풍기와, 상기 배기덕트 상에 설치되어 배기되는 가열공기의 압력을 감지하는 압력감지센서와, 상기 압력감지센서로부터 감지된 압력값을 받아 미 리 설정된 압력값과 비교하여 일정한 압력이 유지될 수 있도록 압력제어신호를 상기 압력조절부로 출력하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 한다.The apparatus for controlling heat exhaust of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention for achieving the above object is connected to a plurality of process chambers for performing a diffusion process and exhaust lines of the plurality of process chambers to discharge heated air during wafer cooling. An exhaust duct forming a passage for the passage, a pressure adjusting unit for automatically adjusting a pressure of the heating air discharged through the exhaust duct by a predetermined control signal, and heating air whose pressure is controlled from the pressure adjusting unit to the outside. A constant pressure may be maintained by comparing the blower, the pressure blowing sensor installed on the exhaust duct and the pressure of the heated air exhausted from the exhaust duct, and the pressure value detected by the pressure sensing sensor with a preset pressure value. It characterized in that it comprises a controller for outputting a pressure control signal to the pressure adjusting unit.

상기 압력감지센서는 상기 배기덕트 상에 설치하는 것이 바람직하다.The pressure sensor is preferably installed on the exhaust duct.

상기 압력제어부는 스로틀밸브임로 이루어는 것이 바람직하다.The pressure control unit is preferably made of a throttle valve.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 반도체 확산설비의 열배기 제어장치의 구성도이다. 2 is a block diagram of a heat exhaust control apparatus of a semiconductor diffusion apparatus according to an embodiment of the present invention.

확산공정을 진행하는 다수의 공정챔버(50)와, A plurality of process chambers 50 for performing a diffusion process,

상기 다수의 공정챔버(10)의 배기라인과 연결되어 웨이퍼 냉각시 가열된 공기를 배출하기 위한 통로를 형성하는 배기덕트(52)와, An exhaust duct 52 connected to the exhaust lines of the plurality of process chambers 10 to form a passage for discharging heated air during wafer cooling;

상기 배기덕트(52) 상에 설치되어 상기 배기덕트(52)를 통해 배출되는 가열공기의 압력을 소정의 제어신호에 의해 자동으로 조절하는 압력조절부(54)와, A pressure adjusting unit 54 installed on the exhaust duct 52 to automatically adjust the pressure of the heating air discharged through the exhaust duct 52 by a predetermined control signal;

상기 압력조절부(54)로부터 압력이 조절된 가열공기를 외부로 배출하는 송풍기(56)와,A blower 56 for discharging the heated air whose pressure is controlled from the pressure regulator 54 to the outside;

상기 배기덕트(52) 상에 설치되어 배기되는 가열공기의 압력을 감지하는 압력감지센서(58)와,A pressure sensor 58 installed on the exhaust duct 52 for sensing a pressure of the exhaust air;

상기 압력감지센서(58)로부터 감지된 압력값을 받아 미리 설정된 압력값과 비교하여 일정한 압력이 유지될 수 있도록 압력제어신호를 상기 압력조절부(54)로 출력하는 콘트롤러(60)로 구성되어 있다.The controller 60 is configured to receive a pressure value sensed by the pressure sensor 58 and output a pressure control signal to the pressure adjusting unit 54 so that a constant pressure can be maintained in comparison with a preset pressure value. .

상기 공정챔버(50)는 외부로부터 공기를 유입하는 공기유입구(62)와, 상기 공기유입구(62)로부터 유입된 공기를 필터링하는 클린유니트(64)와, 다수의 웨이퍼를 적재하고 있는 석영보트(66)와, 상기 공정챔버(50) 내부에서 확산공정을 진행하기 위해 상기 석영보트(66)에 적재된 웨이퍼를 가열하기 위한 히터(68)와, 상기 석영보트(66)를 상기 히터(68)의 내부로 상승시키거나 상기 히터(68)의 하부로 하강시키는 엘리베이터(70)와, 상기 클린유니트(64)로부터 필터링된 공기가 석영보트(66)에 적재된 웨이퍼를 냉각시킬 때 가열된 공기를 배출하는 송풍팬(72)과, 상기 송풍팬(72)으로부터 배출되는 가열공기를 유출하는 공기유출구(74)로 구성되어 있다.The process chamber 50 includes an air inlet 62 for introducing air from the outside, a clean unit 64 for filtering the air introduced from the air inlet 62, and a quartz boat carrying a plurality of wafers ( 66), a heater 68 for heating a wafer loaded on the quartz boat 66 to perform a diffusion process in the process chamber 50, and the quartz boat 66 is connected to the heater 68. The elevator 70 which raises or lowers the lower portion of the heater 68 and heated air when the air filtered from the clean unit 64 cools the wafer loaded on the quartz boat 66. And a blower fan 72 for discharging, and an air outlet 74 for discharging the heated air discharged from the blower fan 72.

상술한 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.2 to 4 will be described in detail the operation of the preferred embodiment of the present invention.

먼저 확산공정을 진행하기 위해서 히터(68)를 가열시킨다. 상기 히터(68)가 가열되어 확산공정을 진행하기 위한 온도로 가열되면 엘리베이터(70)는 석영보트(66)를 히터(68)의 내부로 상승시킨다. 그런 후 공정챔버(50)에서는 반응가스가 공급되어 확산공정이 진행된다. 확산공정이 완료되면 엘리베이터(70)는 석영보트(66)를 히터(68)의 하부로 하강시킨다. 그런 후 도시하지 않은 POD 로워 팬(Lower Fan)이 구동되면 공기유입구(62)을 통해 외부로부터 공기가 유입되고, 공기유입구(62)을 통해 유입된 공기는 클린유니트(64)를 통해 필터링된 후 석영보 트(66)로 인가된다. 이때 석영보트(66)에 적재되어 공정이 완료된 웨이퍼는 클린유니트(64)를 통해 인가된 에어에 의해 냉각된다. 이때 석영보트(66)에 적재된 웨이퍼를 냉각시킬 때 가열된 공기는 송풍팬(72)에 의해 공기유출구(74)를 통해 배출된다. 상기 공기유출구(74)를 통해 배출되는 가열공기는 배기덕트(52)를 통해 배기덕트(52)의 종단에 설치된 송풍기(56)에 의해 외부로 배출된다. 이때 배기덕트(52) 상에 설치된 압력감지센거(58)는 압력조절부(54)를 통해 조절되어 배기덕트(52)를 통해 배출되는 공기의 압력을 감지하여 콘트롤러(60)로 인가한다. 콘트롤러(60)는 상기 압력감지센서(58)로부터 감지된 압력값을 받아 미리 설정된 압력값과 비교하여 미리 설정된 압력값보다 높으면 상기 압력조절부(54)로 압력을 감소시킬 수 있도록 밸브클로즈제어신호를 출력하고, 미리설정된 압력값보다 낮으면 상기 압력조절부(54)로 압력을 높일 수 있도록 밸브오픈신호를 출력한다. 따라서 압력조절부(54)는 상기 콘트롤러(60)의 제어를 받아 항상 일정한 압력이 유지될 수 있도록 제어한다. 상기 압력조절부(54)는 예를 들어 스로틀밸브를 사용하여 구현할 수 있다.First, the heater 68 is heated in order to proceed with the diffusion process. When the heater 68 is heated to a temperature for proceeding the diffusion process, the elevator 70 raises the quartz boat 66 into the heater 68. Then, the reaction gas is supplied from the process chamber 50 to proceed with the diffusion process. When the diffusion process is completed, the elevator 70 lowers the quartz boat 66 to the lower portion of the heater 68. Then, when a POD lower fan (not shown) is driven, air is introduced from the outside through the air inlet 62, and the air introduced through the air inlet 62 is filtered through the clean unit 64. It is applied to the quartz boat 66. At this time, the wafer loaded on the quartz boat 66 and the process is completed is cooled by air applied through the clean unit 64. At this time, when the wafer loaded on the quartz boat 66 is cooled, the heated air is discharged through the air outlet 74 by the blower fan 72. The heated air discharged through the air outlet 74 is discharged to the outside by the blower 56 installed at the end of the exhaust duct 52 through the exhaust duct 52. At this time, the pressure sensing sensor 58 installed on the exhaust duct 52 is adjusted through the pressure adjusting unit 54 to sense the pressure of the air discharged through the exhaust duct 52 and apply it to the controller 60. The controller 60 receives the pressure value detected by the pressure sensor 58 and compares it with a preset pressure value, and when the pressure is higher than the preset pressure value, the valve close control signal to reduce the pressure to the pressure adjusting unit 54. If it is lower than the predetermined pressure value, and outputs the valve open signal to increase the pressure to the pressure adjusting unit 54. Therefore, the pressure adjusting unit 54 is controlled by the controller 60 so that a constant pressure can be maintained at all times. The pressure regulator 54 may be implemented using, for example, a throttle valve.

상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 확산설비에서 해당 에리어(Area)의 열배기 압력을 자동으로 감지하여 단일의 송풍기로 배출하도록 하므로 배기덕트에서 배기헌팅현상을 방지하여 공정챔버에 파티클로 인한 오염을 방지하여 공정불량 발생을 방지하여 비용을 절감할 수 있고, 또한 설비를 증설에 의해 압력이 드롭되더라 도 자동으로 조절할 수 있어 별도의 메인덕트 신규설치작업이 필요없어 설치비용을 대폭적으로 절감할 수 있는 있는 이점이 있다.As described above, the present invention automatically detects the heat exhaust pressure of a corresponding area in the semiconductor diffusion equipment and discharges it to a single blower, thereby preventing the exhaust hunting from the exhaust duct to prevent contamination due to particles in the process chamber. It can reduce the cost by preventing process defects and can automatically adjust even if the pressure is dropped by the expansion of the equipment. There is an advantage to that.

Claims (3)

반도체 제조설비의 열배기 제어장치에 있어서,In the heat exhaust control device of the semiconductor manufacturing equipment, 확산공정을 진행하는 다수의 공정챔버와, A plurality of process chambers for the diffusion process, 상기 다수의 공정챔버의 배기라인과 연결되어 웨이퍼 냉각시 가열된 공기를 배출하기 위한 통로를 형성하는 배기덕트와, An exhaust duct connected to exhaust lines of the plurality of process chambers to form a passage for discharging heated air during wafer cooling; 상기 배기덕트를 통해 배출되는 가열공기의 압력을 소정의 제어신호에 의해 자동으로 조절하는 압력조절부와, A pressure regulator which automatically adjusts the pressure of the heating air discharged through the exhaust duct by a predetermined control signal; 상기 압력조절부로부터 압력이 조절된 가열공기를 외부로 배출하는 송풍기와,A blower for discharging the heated air whose pressure is controlled from the pressure controller to the outside; 상기 배기덕트 상에 설치되어 배기되는 가열공기의 압력을 감지하는 압력감지센서와,A pressure sensor installed on the exhaust duct to sense a pressure of the exhaust air; 상기 압력감지센서로부터 감지된 압력값을 받아 미리 설정된 압력값과 비교하여 일정한 압력이 유지될 수 있도록 압력제어신호를 상기 압력조절부로 출력하는 콘트롤러를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 열배기 제어장치.And a controller for outputting a pressure control signal to the pressure regulating unit so as to receive a pressure value sensed by the pressure sensing sensor and compare the preset pressure value to maintain a predetermined pressure. Device. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 압력감지센서는 상기 배기덕트 상에 설치함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 열배기 제어장치.The pressure sensor is a heat exhaust control device of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that installed on the exhaust duct. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 압력제어부는 스로틀밸브임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 열배기 제어장치.The pressure control unit heat exhaust control device of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that the throttle valve.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101715069B1 (en) * 2016-03-21 2017-03-13 주식회사 우림테크 Exhaust system for semiconductor device manufaccturing equipment

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