KR20080033734A - 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법 - Google Patents

평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법 Download PDF

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KR20080033734A
KR20080033734A KR1020060099810A KR20060099810A KR20080033734A KR 20080033734 A KR20080033734 A KR 20080033734A KR 1020060099810 A KR1020060099810 A KR 1020060099810A KR 20060099810 A KR20060099810 A KR 20060099810A KR 20080033734 A KR20080033734 A KR 20080033734A
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Abstract

본 발명은 히터의 온도를 임계 온도 이하로 낮추는 데 필요한 소요 시간을 줄일 수 있는 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치는 기판 상에 박막을 형성하는 데 필요한 다수의 진공 챔버와; 상기 다수의 진공 챔버 각각을 진공 상태로 만드는 제1 펌프와; 상기 제1 펌프 오프시 상기 다수의 진공 챔버에 냉각 가스를 주입하는 서냉부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법{MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF PLAT DISPLAY}
도 1은 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 서냉부를 상세히 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 서냉부의 동작시 냉각 가스의 유입 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 종래와 본 발명에 따른 히터의 온도가 임계 온도로 서냉하는데 소요되는 시간을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치에 의해 형성된 보호막을 가지는 플라즈마 표시 패널을 나타내는 사시도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
102 : 로딩 챔버 104,108 : 버퍼 챔버
106 : 성막 챔버 110 : 언로딩 챔버
112 : 반송 수단 114 : 히터
116,156 : 배기밸브 118 : 터보 펌프
120,150 : 배기부 124 : 플라즈마 건
126,128 : 하스 130 : 서냉부
132 : 유입구 134 : 셧오프 밸브
136,138 : 핸들 밸브 140 : 유량계량부
142 : 유출구 144,146 : 가스 공급 라인
158 : 진공 펌프 130 : 서냉부
본 발명은 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 히터의 온도를 임계 온도 이하로 낮추는 데 필요한 소요 시간을 줄일 수 있는 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel; PDP)을 이용한 표시 장치이다.
플라즈마 표시 패널은 나란하게 형성된 스캔 전극 및 서스테인 전극과, 스캔 전극 및 서스테인 전극과 교차하여 방전셀을 형성하는 어드레스 전극을 구비한다. 여기서, 스캔 전극 및 서스테인 전극 상에 형성된 유전체층을 보호하기 위해서는 보호막이 필요하다. 보호막은 산화마그네슘(MgO)으로 형성되어 플라즈마 표시 패 널의 수명 저하를 방지한다.
이러한 보호막을 형성하는 성막 장치에는 소스 탱크를 통해 산화마그네슘이 공급된다. 이러한 소스 탱크에 적재된 산화마그네슘은 서브 하스를 통해 메인 하스에 공급된다. 메인 하스에 공급된 산화마그네슘은 전자빔을 통해 조사되는 광 에너지에 의해 가열되어 메인 하스 상부에 위치하는 플라즈마 표시 패널의 전면 기판 상에 증착된다.
종래 각 성막 장치에 포함된 다수의 챔버 내에 위치하는 히터의 온도를 임계 온도로 낮추기 위해서는 적어도 3시간이 소요됨으로써 공정 시간이 길어지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 히터의 온도를 임계 온도 이하로 낮추는 데 필요한 소요 시간을 줄일 수 있는 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치는 기판 상에 박막을 형성하는 데 필요한 다수의 진공 챔버와; 상기 다수의 진공 챔버 각각을 진공 상태로 만드는 제1 펌프와; 상기 제1 펌프 오프시 상기 다수의 진공 챔버에 냉각 가스를 주입하는 서냉부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 냉각 가스는 N2 또는 PN2인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 평판 표시 소자의 제조 장치는 상기 서냉부의 반대측에 위치하여 상기 냉각 가스를 배기하는 제2 펌프를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 평판 표시 소자의 제조 장치는 상기 각 진공 챔버 내에 위치하며 상기 서냉부의 동작시 오프 상태를 유지하는 히터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 서냉부는 상기 서냉 가스가 주입되는 유입구와; 상기 유입구와 가스 유입 라인을 통해 연결된 제1 핸들 밸브와; 상기 제1 핸들 밸브와 연결되어 유입되는 서냉 가스의 유량을 측정하는 유량 계량부와; 상기 유량 계량부와 연결된 셧 오프 밸브와; 상기 셧 오프 밸브와 연결된 제2 핸들 밸브와; 상기 제2 핸들 밸브와 가스 유출 라인을 통해 연결된 유출구를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 가스 유입 공급 라인은 상기 유입구의 측면에서 분기되며 상기 유입구의 직경보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 방법은 기판 상에 박막을 형성하는 데 필요한 다수의 진공 챔버를 제1 펌프를 이용하여 진공 상태로 만드는 단계와; 상기 제1 펌프를 오프한 후 상기 다수의 진공 챔버에 서냉부를 이용하여 냉각 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 평판 표시 소자의 제조 방법은 상기 서냉부의 반대측에 위치하는 제2 펌프를 이용하여 상기 냉각 가스를 배기하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 다수의 진공 챔버에 서냉부를 이용하여 냉각 가스를 주입하는 단계는 유입구를 통해 상기 서냉 가스를 주입하는 단계와; 상기 유입구와 연결된 제1 핸들 밸브, 셧 오프 밸브 및 제2 핸들 밸브를 개방하는 단계와; 상기 개방된 제1 핸들 밸브, 셧 오프 밸브 및 제2 핸들 밸브를 통해 상기 진공 챔버와 연결된 유출구를 통해 상기 진공 챔버에 냉각 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제 외에 본 발명의 다른 기술적 과제 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 1 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 평판 표시 소자의 제조 장치는 로딩 챔버(102), 제1 버퍼 챔버(104), 성막 챔버(106), 제2 버퍼 챔버(108), 언로딩 챔버(110), 제1 및 제2 배기부(120) 및 서냉부(130)를 포함한다. 이러한 로딩 챔버(102), 제1 버퍼 챔버(104), 성막 챔버(106), 제2 버퍼 챔버(108) 및 언로딩 챔버(110) 각각은 내부를 진공 분위기로 형성할 수 있도록 밀폐 구조로 되어 있다. 그리고, 외부와 로딩 챔버(102) 사이, 로딩 챔버(102) 및 제1 버퍼 챔버(104) 사이, 제1 버퍼 챔버(104)와 성막 챔버(106) 사이, 성막 챔버(106)와 제2 버퍼 챔버(108) 사이, 제2 버퍼 챔버(108)와 언로딩 챔버(110) 사이, 언로딩 챔버(110)와 외부 사이에는 도시하지 않은 셔터가 설치된다. 이 셔터의 개폐동작으로 반송 수단(112)에 로딩된 기판(101)은 해당 챔버에서 인접한 챔버로 이동하게 된다. 또한, 로딩 챔버(102), 제1 버퍼 챔버(104), 성막 챔버(106), 제2 버퍼 챔버(108) 및 언로딩 챔버(110) 각각에는 기판(101)을 가열하기 위한 히터(114)가 각각 설치된다.
로딩 챔버(102)에서는 산화마그네슘으로 이루어진 보호막이 형성될 기판(101)이 반송 수단(112) 상에 안착된다.
제1 버퍼 챔버(104)에서는 성막 공정의 효율을 높히기 위해 로딩 챔버(102)로부터 이송된 기판(101)이 소정 온도로 예열된다.
성막 챔버(106)에서는 제1 버퍼 챔버(104)에서 이송된 기판(101) 상에 보호막이 형성된다. 이러한 성막 챔버(106)에는 고체 형태의 산화 마그네슘이 수용된 서브 하스(126) 및 메인 하스(128)와, 플라즈마 빔을 생성하는 플라즈마 건(Plasma gun)(124)이 설치된다. 이에 따라, 서브 하스(126)를 통해 메인 하스(128)에 공급된 산화 마그네슘은 플라즈마 빔에 의해 가열되어 승화상태인 증기로 변해 기판(101) 상에 달라붙게 된다. 이에 따라, 기판(101) 상에 산화 마그네슘으로 이루어진 보호막(121)이 형성된다.
제2 버퍼 챔버(108)는 성막 챔버(106)에서 이송된 기판(101)을 소정 온도에서 안정화시킨다.
언로딩부(110)는 제2 버퍼 챔버(108)로부터 이송된 기판(101)을 언로딩하여 외부로 반출한다.
제1 배기부(120)는 제1 배기 밸브(116)와 터보 펌프(118)를 포함한다. 이 제1 배기 밸브(116)가 열리고 터보 펌프(118)가 동작하게 되면, 로딩 챔버(102), 제1 버퍼 챔버(104), 성막 챔버(106), 제2 버퍼 챔버(108) 및 언로딩 챔버(110) 각각의 내부는 진공 분위기가 형성된다.
서냉부(130)는 성막 공정이 진행될수록 증가하는 각 챔버(104,106,108,110)에 위치하는 히터(114)의 온도를 낮추는 역할을 한다. 이를 위해, 서냉부(130)는 도 2에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 핸들 밸브(138,136)와, 셧 오프(shut-off) 밸브(134)와, 유량 계량부(140)를 포함한다.
제1 핸들 밸브(138)는 내부열을 희석시키며 압력 상승을 방지하는 냉각 가스, 예를 들어 N2 또는 PN2(Pure N2)가 유입되는 유입구(132)와 연결된 가스 유입 라인(144)과 연결된다. 이때, 가스 유입 라인(144)은 유입구(132)의 측면에서 분기되므로 유입구(132)로부터 "T"자 형태로 분기된다. 또한, 가스 유입 라인(144)은 유입구(132)의 직경보다 작은 직경을 가지도록 형성된다. 예를 들어, 유입구(132)의 직경 또는 반경이 0.4~0.6"인 경우, 가스 유입 라인(144)의 직경 또는 반경은 0.2~0.3"이다. 이러한 제1 핸들 밸브(138)의 개폐동작으로 냉각 가스의 유입이 제어된다.
유량 계량부(140)는 유량을 조절하는 니들(Niddle) 밸브를 포함하며 냉각 가스의 유량을 측정하여 서냉부(130)의 동작 조건을 조절한다.
셧 오프 밸브(134)는 유량 계량부(140)와 제2 핸들 밸브(136) 사이에 형성된다. 이러한 셧 오프 밸브(134)는 성막 장치가 정지되었을 때 닫혀 제2 핸들 밸브(136)로 냉각 가스가 유입되는 것을 방지한다.
제2 핸들 밸브(136)는 셧 오프 밸브(134)와 가스 유출 라인(146) 사이에 형성된다. 이러한 제2 핸들 밸브(136)는 셧 오프 밸브(134)의 개방시 개방되어 가스 유출 라인(146) 및 유출구(142)를 통해 냉각 가스를 각 챔버(102,104,106,108,110)에 공급한다.
제2 배기부(150)는 서냉부(130)의 반대측에 위치하며, 제2 배기 밸브(156)와 진공 펌프(158), 예를 들어 저진공 펌프를 포함한다. 이 제2 배기 밸브(156)가 열리고 진공 펌프(158)가 동작하게 되면, 로딩 챔버(102), 제1 버퍼 챔버(104), 성막 챔버(106), 제2 버퍼 챔버(108) 및 언로딩 챔버(110) 각각에 잔존하는 냉각 가스가 배기된다.
이와 같이 구성된 평판 표시 소자의 제조 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다. 이에 대하여, 도 1 및 도 2를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 기판(101)이 로딩 챔버(102)에 안착된 후 제1 버퍼 챔버(104)로 이송되어 소정 온도로 예열된다. 예열된 기판(101)은 성막 챔버(106)로 이송되며, 이송된 기판(101) 상에는 보호막(121)이 형성된다. 보호막(121)이 형성된 기판(101)은 제2 버퍼 챔버(108)로 이송되어 안정화된다. 안정화된 기판(101)은 언로딩 챔버(110)로 이송되며, 이송된 보호막(118)이 형성된 기판(101)은 언로딩된다. 상기 과정을 반복적으로 진행한 후 성막 장치에 투입된 기판(101)이 모두 취출되고 플라 즈마 건(124)으로 가스 주입이 중단되고 반송 수단(112)이 정위치에 있게 되면 서냉부(130)가 동작하게 된다. 즉, 제1 배기 밸브(116)가 닫혀 터보 펌프(118)의 동작을 멈추게 된다. 그런 다음, 서냉부(130)의 제1 핸들 밸브(138), 유량 계량부(140)에 포함된 니들 밸브, 셧 오프 밸브(134), 제2 핸들 밸브(136)가 개방된다. 상기 밸브들이 개방됨에 따라서 도 3에 도시된 바와 같이 각 챔버(102,104,106,108,110)에 냉각 가스가 유입된다. 냉각 가스가 유입됨으로써 각 히터(114)의 온도는 서서히 낮아진다. 이 후, 각 히터(114)의 온도가 임계 온도까지 낮아지면 서냉부(130)에 포함된 밸브들(138,134,136)을 닫은 후, 제2 배기 밸브(156)를 개방하고 진공 펌프(158)를 동작시켜 냉각 가스를 배기한다.
도 4는 종래와 본 발명에 따른 서냉 방식을 비교 설명하기 위한 그래프이다.
도 4에서 터보 펌프가 동작되는 고진공 상태에서 자연적으로 각 챔버를 서냉하는 종래 1은 히터의 온도가 임계 온도(Tc)에 도달하는데 제3 시간(t3)이 걸리게 된다. 예를 들어, 종래 1은 표 1에 도시된 바와 같이 터보 펌프를 동작시킨 상태에서 히터의 온도가 200℃에 도달하는 데는 약 3시간 3분이 소요된다. 그리고, 터보 펌프가 동작되는 고진공 상태에서 Ar+O2를 각 챔버에 주입하여 각 챔버를 서냉하는 종래 2는 임계 온도(Tc)에 도달하는 제3 시간(t3)보다 짧은 제2 시간(t2)이 걸리게 된다. 예를 들어, 종래 2는 표 1에 도시된 바와 같이 터보 펌프를 동작시킨 상태에서 히터의 온도가 200℃에 도달하는 데는 약 2시간 34분이 소요된다. 이와 같이, 종래 1 및 종래 2 와 같이 고진공 상태, 특히 종래 1의 고진공 상태에서는 열전달율이 낮아 히터의 온도를 임계 온도로 서냉하는데 상대적으로 많은 시간이 소요된다.
반면에 터보 펌프가 동작되지 않는 저진공 상태에서 Pure N2를 로딩 챔버(102)에 주입하여 각 챔버를 서냉하는 본 발명은 임계 온도(Tc)에 도달하는 데 제2 시간(t2)보다 짧은 제1 시간(t1)이 걸리게 된다. 예를 들어, 본 발명은 표 1에 도시된 바와 같이 터보 펌프를 동작시킨 상태에서 히터의 온도가 200℃에 도달하는 데는 약 1시간 27분이 소요된다. 이와 같이, 본 발명과 같이 저진공 상태에서는 상대적으로 열전달율이 높아 히터의 온도를 임계 온도로 서냉하는데 상대적으로 적은 시간이 소요된다.
히터 반송수단 진공도[Pascal] 터보 펌프 냉각 가스 소요시간
종래 1 OFF 구동 5.0×10-5 ON 없음 3시간 3분
종래 2 OFF 구동 1.5×10-1 ON Ar/O2[4L/min] 2시간 34분
본 발명 OFF 구동 300 OFF Pure N2[5~20L/min] 1시간 27분
한편, 표 1에 도시된 수치는 일예에 불과하며, 이에 한정되지 않는다. 즉, 표 1에 도시된 수치는 예시된 것과 달리 설계 사양에 따라 변경될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치에 의해 형성되는 보호막을 가지는 플라즈마 표시 패널을 나타내는 사시도이다.
도 5에 도시된 3-전극 면방전 플라즈마 디스플레이 패널(170)은 전면 패널과 배면 패널이 방전공간을 사이에 두고 마주보도록 형성된다. 여기서, 배면 패널은 배면 기판(181) 상에 순차적으로 형성된 어드레스 전극 라인들(A1 내지 Am), 하부 유전체층(182), 격벽(184) 및 형광체층(186)을 포함하며, 전면 패널은 전면 기판(171) 상에 순차적으로 형성된 스캔 전극 라인들(Y1 내지 Yn), 서스테인 전극 라인들(X1 내지 Xn), 상부 유전체층(172) 및 보호막(174)을 포함한다.
어드레스 전극 라인들(A1 내지 Am)은 배면 기판(181) 상에 스캔 전극 라인(Y1 내지 Yn) 및 서스테인 전극 라인(X1 내지 Xn)과 교차하도록 형성된다. 하부 유전체층(182)은 어드레스 전극 라인들(A1 내지 Am)을 덮도록 배면 기판(181) 상에 전면(全面) 도포된다. 격벽(184)은 하부 유전체층(182) 상에 어드레스 전극 라인들(A1 내지 Am)과 평행한 방향으로 형성된다. 이 격벽(184)들은 각 방전셀의 방전 공간을 구획하고 각 방전셀 사이의 광학적 간섭(cross talk)을 방지하는 기능을 한다. 여기서, 방전 공간(176)에는 플라즈마 형성용 가스가 밀봉된다. 형광층(186)은 격벽(184)들 사이에 도포된다.
스캔 전극 라인들(Y1 내지 Yn)과 서스테인 전극 라인들(X1 내지 Xn)은 전면 기판(171) 상에 교번적으로 나란하게 형성된다. 그리고, 스캔 전극 라인들(Y1 내지 Yn)과 서스테인 전극 라인들(X1 내지 Xn) 및 어드레스 전극 라인들(A1 내지 Am)의 각 교차점은 상응하는 방전셀을 설정한다. 각 서스테인 전극 라인(X1 내지 Xn)과 각 스캔 전극 라인(Y1 내지 Yn)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 재질의 투명 전극 라인과 전도도를 높이기 위한 금속 전극 라인이 결합되어 형성된다. 상부 유전체층(172)은 서스테인 전극 라인들(X1 내지 Xn)과 스캔 전극 라인들(Y1 내지 Yn)을 덮도록 전면 기판(171) 상에 전면(全面) 도포되어 형성된다. 보호막(174)은 강한 전계로부터 상부 유전체층(172)을 보호하기 위해 산화마그네슘(MgO)으로 상부 유전체층(172) 상에 도포된다.
한편, 본 발명에 평판 표시 소자의 제조 장치는 플라즈마 표시 패널의 보호막(174)을 형성하는 데 이용되는 것을 예로 들어 설명하였지만 이외에도 산화 마그네슘으로 이루어진 박막을 포함하는 평판 표시 소자에도 적용가능하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법은 각 챔버 내에 질소 가스를 주입함으로써 히터의 온도가 임계 온도로 서냉하는 데 걸리는 시간이 단축된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 평판 표시 소자의 제조 장치 및 방법은 전체 공정시간을 단축할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판 상에 박막을 형성하는 데 필요한 다수의 진공 챔버와;
    상기 다수의 진공 챔버 각각을 진공 상태로 만드는 제1 펌프와;
    상기 제1 펌프 오프시 상기 다수의 진공 챔버에 냉각 가스를 주입하는 서냉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 가스는 N2 또는 PN2인 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 서냉부의 반대측에 위치하여 상기 냉각 가스를 배기하는 제2 펌프를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 각 진공 챔버 내에 위치하며 상기 서냉부의 동작시 오프 상태를 유지하는 히터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 서냉부는
    상기 서냉 가스가 주입되는 유입구와;
    상기 유입구와 가스 유입 라인을 통해 연결된 제1 핸들 밸브와;
    상기 제1 핸들 밸브와 연결되어 유입되는 서냉 가스의 유량을 측정하는 유량 계량부와;
    상기 유량 계량부와 연결된 셧 오프 밸브와;
    상기 셧 오프 밸브와 연결된 제2 핸들 밸브와;
    상기 제2 핸들 밸브와 가스 유출 라인을 통해 연결된 유출구를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가스 유입 공급 라인은 상기 유입구의 측면에서 분기되며 상기 유입구의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
  7. 기판 상에 박막을 형성하는 데 필요한 다수의 진공 챔버를 제1 펌프를 이용하여 진공 상태로 만드는 단계와;
    상기 제1 펌프를 오프한 후 상기 다수의 진공 챔버에 서냉부를 이용하여 냉각 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 냉각 가스는 N2 또는 PN2인 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 서냉부의 반대측에 위치하는 제2 펌프를 이용하여 상기 냉각 가스를 배기하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 다수의 진공 챔버에 서냉부를 이용하여 냉각 가스를 주입하는 단계는
    유입구를 통해 상기 서냉 가스를 주입하는 단계와;
    상기 유입구와 연결된 제1 핸들 밸브, 셧 오프 밸브 및 제2 핸들 밸브를 개방하는 단계와;
    상기 개방된 제1 핸들 밸브, 셧 오프 밸브 및 제2 핸들 밸브를 통해 상기 진공 챔버와 연결된 유출구를 통해 상기 진공 챔버에 냉각 가스를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 소자의 제조 방법.
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