KR20080032079A - Ｃｍｏｓ 전파 정류기 - Google Patents

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KR20080032079A
KR20080032079A KR1020087000530A KR20087000530A KR20080032079A KR 20080032079 A KR20080032079 A KR 20080032079A KR 1020087000530 A KR1020087000530 A KR 1020087000530A KR 20087000530 A KR20087000530 A KR 20087000530A KR 20080032079 A KR20080032079 A KR 20080032079A
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switch
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input
node
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KR1020087000530A
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클레멘스 엠. 지에르호퍼
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메드-엘 엘렉트로메디지니쉐 게라에테 게엠베하
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Abstract

전파 정류기(CMOS 브리지(bridge), 205)는 2개의 PMOS 및 2개의 NMOS 스위치들을 포함한다. 극성 보호에 기여하는 정류기(205)는 병렬로 접속되는 평활 캐패시터(smoothing capacitor)를 구비하거나 구비하지 않은 저항 부하와 함께, 단일 칩(single chip) 상에 집적되기에 적당하고, 망막 또는 와우 임플란트(retinal or cochlear implant)와 같은 의료 장치의 일부일 수 있다.
Figure P1020087000530
전파 정류기, 극성 보호, 평활 캐패시터, 저항 부하

Description

ＣＭＯＳ 전파 정류기{ＣＭＯＳ FULL WAVE RECTIFIER}
본 발명은 정류기 회로에 관한 것이고, 보다 구체적으로는, CMOS 전파 정류기(full wave rectifier) 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 정류기들은 AC 전압을 DC 전압으로 변환하기 위해 이용된다. 다이오드 브리지(diode bridge, 105)를 포함하는 종래의 전파 정류기가 도 1에 나타나있다. 다이오드 브리지(105)는 비-선형의, 입력 전압 u1(t), 출력 전압 u2(t), 및 4개의 다이오드들(101, 102, 103, 104)을 갖는 2-포트(port) 장치로서 간주될 수 있다. 일반적으로, 출력 포트는 부하(106)에 접속된다. 부하(106)가 순전히 저항 부하(resistive load)라면, 그 때 입력 전압 u1(t)의 부호(sign)는 정류기(105)를 통한 전류 경로 즉, 전류가 다이오드들(101, 102) 또는 다이오드들(103, 104)을 통해 흐르는지 여부를 정의한다. 그러나, 부하(107)를 통한 전류는 두 경우에 동일한 방향을 갖는다. 결과 전압 u2(t)은 다음 조건에 의해 주어진다.
Figure 112008001586978-PCT00001
여기서, uD는 하나의 다이오드를 거친 전압 강하를 의미한다. 일반적인 약 점으로서, 부하(107)를 거친 전압 강하는 입력 전압 차이의 전체 크기 │u1(t)│이 아니라, 2uD 즉, 2개의 다이오드 전압 강하들(전형적으로, 1.4V)만큼 감소된다. 낮은 전력의 어플리케이션들에 대해, 다이오드 전압들은 회로의 전반적인 전력 소모에 상당히 기여할 수 있다.
도 1에 나타낸 다이오드 브리지는 공급 전압 생성(supply voltage geenration)을 위해 종종 이용된다. 이 경우에, 부하는 병렬로 접속된 (복합 전자 회로의 전력 소모를 나타내는) 레지스터(resistor, 108) 및 평활 캐패시터(smoothing capacitor, 109)일 수 있다. 입력 신호 u1(t)의 주어진 주파수에 대해, 캐패시터(109)는 보통 거의 일정한 공급 전압 u2(t)을 보장하기 위해 충분히 대용량으로 선택된다.
정류기 및 정류 방법은 다이오드들에 대조되는 것으로서 스위치들을 이용하여 유리하게 구현되는 브리지를 포함한다. 스위치들은 MOS 트랜지스터들일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 그러한 정류기는 예를 들어, 의료 또는 자동차 어플리케이션들과 같은, 광범위하고 다양한 어플리케이션들에 이용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 장방형파(rectangular wave) 입력 전압을 수신하기 위한 제1 및 제2 입력 단자들, 및 정류된 DC 출력 전압을 제공하기 위한 제1 및 제2 출력 단자들을 포함하는 정류기 회로가 제공된다. 제1 스위치는 제1 입력 단자와 제1 노드 사이에 연결되고, 제1 노드는 제1 출력 단자에 연결된다. 제2 스위치는 제2 입력 단자와 제1 노드 사이에 연결된다. 제3 스위치는 제1 입력 단자와 제2 노드 사이에 연결되고, 제2 노드는 제2 출력 단자에 연결된다. 제4 스위치는 제2 입력 단자와 제2 노드 사이에 연결된다. 입력 전압이 제1 극성일 경우, 제1 스위치 및 제4 스위치가 게이트 온(on)이 되고; 입력 전압이 제1 극성과 반대되는 제2 극성일 경우, 제2 스위치 및 제3 스위치가 게이트 온이 되어, 입력 전압의 크기와 실질적으로 동일한 크기를 갖는 출력 전압을 제공한다.
본 발명의 관련 실시예들에 따르면, 제1 스위치, 제2 스위치, 제3 스위치, 및 제4 스위치는 MOS 트랜지스터들일 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치 및 제2 스위치는 PMOS 트랜지스터들일 수 있고, 제3 스위치 및 제4 스위치는 NMOS 트랜지스터들일 수 있다. 제1 스위치 및 제4 스위치는 제1 입력 단자 및 제2 입력 단자 중 하나의 단자에 의해 열리고(gated), 제2 스위치 및 제3 스위치는 제1 입력 단자 및 제2 입력 단자 중 다른 하나의 단자에 의해 열릴 수 있다. 저항(resistance)과 캐패시턴스(capacitance)의 병렬 부하 조합(combination)은 제1과 제2 출력 단자들 사이의 정류기 회로에 연결될 수 있다. 또는, 저항 부하는 개별의(discrete) 병렬 캐패시터없이 제1과 제2 출력 단자들 사이의 정류기 회로에 연결될 수 있다. 부하 및 정류기 회로는 단일 칩 상에 집적될 수 있다. 원하는 공급 전압 극성을 보장하기 위해 회로가 이용될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 극성 보호 회로(polarity protection circuit)는 상술된 실시예의 정류기 회로를 포함한다. 다른 실시예에서, 망막 임플란트 또는 와우 임플란트와 같은, 임플란트된 의료 장치(implanted medical device)는 상술된 실시예들의 정류기 회로를 포함한다. 본 발명의 또 다른 실시예들에 따르면, 칩은 상술된 실시예들의 정류기 회로와 제1과 제2 출력 단자들 사이에 연결된 저항과 캐패시턴스의 병렬 부하 조합 둘 다를 포함한다. 또는, 부하는 개별의 병렬 캐패시터없는 저항 부하일 수 있다. 부하는 신호 프로세서를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 정류 방법이 나타나 있다. 방법은 제1 입력 단자와 제2 입력 단자 사이에 장방형(rectangular) 입력 신호를 인가하는 단계를 포함한다. 제1 스위치는 제1 입력 단자와 제1 노드 사이에 연결되고, 제2 스위치는 제2 입력 단자와 제1 노드 사이에 연결된다. 제1 노드는 제1 출력 단자에 연결된다. 제3 스위치는 제1 입력 단자와 제2 노드 사이에 연결되고, 제4 스위치는 제2 입력 단자와 제2 노드 사이에 연결된다. 제2 노드는 제2 출력 단자에 연결된다. 입력 신호가 제 1 극성인 경우, 제1 스위치 및 제4 스위치가 게이트 온 되고, 한편, 입력 신호가 제1 극성과 반대인 제2 극성인 경우, 제2 스위치 및 제3 스위치가 게이트 온 되어, 제1 및 제2 출력 단자들은 입력 전압의 크기와 실질적으로 동일한 크기를 갖는 정류된 dc 전압을 제공한다.
본 발명의 관련 실시예들에 따르면, 제1 스위치, 제2 스위치, 제3 스위치, 및 제4 스위치는 MOS 트랜지스터일 수 있다. 제1 스위치 및 제2 스위치는 PMOS 트랜지스터들일 수 있고, 제3 스위치 및 제4 스위치는 NMOS 트랜지스터들일 수 있다. 제1 스위치 및 제4 스위치는 제1 입력 단자 및 제2 입력 단자 중 하나의 단자에 의해 열리고, 제2 스위치 및 제3 스위치는 제1 입력 단자 및 제2 입력 단자 중 다른 하나의 단자에 의해 열릴 수 있다. 방법은 제1과 제2 출력 단자들 사이에 저항과 캐패시턴스의 병렬 부하 조합을 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또는, 방법은 개별의 병렬 캐패시터없이 제1과 제2 출력 단자들 사이에 저항 부하를 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 스위치들이 게이트 온 된 후, 입력 신호는 시간 주기 동안 입력 단자들과의 접속이 끊길 수 있다.
도 1은 다양한 부하들을 구비한 전파 브리지 정류기를 나타내는 개요도이다(종래기술).
도 2는 본 발명의 실시예에 따른, 다양한 부하들을 구비한 CMOS-브리지를 나타내는 개요도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른, 정방형파(square wave) 입력 신호들의 공급 전압 생성을 위한 CMOS-브리지를 나타내는 개요도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 활성(active) 및 플로팅(floating) 주기들을 갖는 장방형파(rectangular wave) 입력 신호를 나타낸다.
예시적인 실시예들에서, 정류기는 스위치들을 이용하여 구현된 브리지를 포함한다. 스위치들은 예를 들어, MOS 트랜지스터들일 수 있다. 예시적인 실시예들의 상세들이 하기에 설명된다.
도 2는 본 발명의 예제적인 실시예에 따른, 다양한 부하들을 구비한 CMOS-브리지를 나타내는 개요도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이 트랜지스터들의 배열은 입 력 전압 u1(t) 및 출력 전압 u2(t)를 구비한 비-선형의 2-포트 장치(205)를 나타낸다. 도 1의 다이오드 브리지와 비교하면, 4개의 다이오드들은 4개의 트랜지스터들 즉, 두 개의 PMOS-트랜지스터들(201, 203) 및 2개의 NMOS 트랜지스터들(202, 204)로 대체되어, 온/오프-스위치들로서 동작된다. 다양한 실시예들에서, MOS 트랜지스터들이 예를 들어, 전자기학, 기계학, 실제 생물학 혹은 분자학일 수 있는 다른 타입의 스위칭 기술들에 의해 대체될 수 있고, 본 발명이 MOS 기술에 한정되지 않는다는 것은 이해될 것이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 2-포트 장치(205)의 출력 단자들(211, 212)은 부하(206)에 접속될 수 있다. 부하(206)는 예를 들어, 저항 부하(207), 또는 용량성 부하(capacitive load)와 병렬인 저항 부하(208)일 수 있다. 2-포트 장치(205) 및 부하(206) 둘 다 단일 칩 상에 유리하게 집적될 수 있다. 예를 들어, 2-포트 장치(205)는 신호 프로세서와 같은 다른 회로에 전기적으로 연결될 수 있고, 그 2-포트 장치(205) 및 신호 프로세싱 회로는 단일 칩 상에 집적된다.
트랜지스터들의 게이트들은 입력 전압 레일(rail)들에 직접 접속될 수 있다. 순전히 저항 부하(207), 및 트랜지스터들의 이상적인 스위칭 성능을 가정하면, 다음 조건들이 만족된다.
Figure 112008001586978-PCT00002
여기서, 전압 uTHR은 MOS-임계 전압을 의미하고, PMOS와 NMOS 둘 다에 대해 동일하게 가정된다. u1(t)≥uTHR에서, 트랜지스터들(201, 202)은 (낮은 임피던스)에서 스위치 온 되는 한편, 트랜지스터들(203, 204)은 (높은 임피던스)에서 스위치 오프 되고, 반대로 u1(t)≤uTHR에서, 트랜지스터들(203, 204)은 스위치 온 되고, 트랜지스터들(201, 202)은 스위치 오프 된다. 따라서, 오믹 부하(ohmic load)의 특별한 경우에 대해, 도 2의 CMOS-브리지는 도 1의 다이오드 브리지와 유사한 전파 정류기를 나타낸다. 전체 입력 전압 절대값을 부하(207)에 적용하고, 다이오드 전압 강하들로 인한 감소(reduction)가 존재하지 않는다는 것을 주목한다. 전형적으로, MOS 임계 전압들은 uTHR ~ 0.7V이다.
도 2의 구현을 위해, 표준 CMOS-기술이 이용될 수 있다. 예를 들어, N-웰(well) 기술을 이용하여, P-실리콘 기판 재료가 음의 전위(negative potential, 211)에 접속되고, N-웰들은 출력 포트의 양의 전위(positive potential, 212)에 접속된다. 다양한 실시예들에서, 4개 트랜지스터들은 스위치 온 상태들 동안 작은 전압 강하를 보장하기 위해 충분히 클 수 있다. 이러한 전압 강하들이 지나치게 큰(전형적으로, 0.7V보다 큰) 경우, 그 후 기생(parasitic) 기판 PN-다이오드들이 전도성을(conductive) 갖고, 역으로, 예를 들어, 2 포트(205)와 부하(206) 둘 다를 포함하는 칩의 동작에 영향을 미친다.
사인곡선의(sinusoidal) 입력 전압을 가정하면, 도 2의 CMOS-브리지(205)는 모든 타입의 부하들의 정류기로서 전적으로 작동하지 않는다. 그 이유는 온 상태들에서 동작된 트랜지스터들이 다이오드와는 대조적으로 양 방향들로의 전류 흐름 을 허락하기 때문이다. 예를 들어, 부하(206)가 병렬의 레지스터(208)와 정류 캐패시터(209)로 구성되는 경우, 그 후 캐패시터는 스위치-턴-온 상태들의 트랜지스터들을 통해 부분적으로 방전된다. u1(t)≥uTHR을 가정하면, 트랜지스터들(201, 202)은 스위치 온 되고, 이러한 상황에서, 전압 u2(t)는 단순히 입력 전압 u1(t)을 따른다. 이것은 캐패시터(209)가 레지스터(208)를 통해서만이 아니라, 입력 라인들을 통해서도 방전되는 것을 의미한다. 그러나, 다이오드(210)가 레지스터(208) 및 캐패시터(209)에 직렬 연결되면, 실제 정류기 특징을 다시 획득한다. 도 1의 다이오드-브리지와 비교함에 따른 장점은 두 개 대신 단지 하나의 다이오드 전압 강하가 나타난다는 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른, 정방형파 또는 장방형파 입력 신호들에 한정되지 않고 이들을 이용하기 위한 CMOS-브리지(302)를 나타내는 개요도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 입력 전압이 사인곡선이 아니라, 두 레벨들 ±U1로 이루어진 정방형파 또는 장방형파(301)인 경우, 그 후 CMOS-브리지(302)는, 비록 부하가 레지스터(304)와 캐패시터(303)로 구성된다 하더라도, 부가적인 다이오드없이 전파 정류기로서 동작할 수 있다. 이러한 경우, 출력 전압은 u2(t)~U1이다. 레지스터(304)는 복합 전자 회로의 전력 소모를 나타낼 수 있다.
도 3은 정방형파 신호가 실시예에 적용되는 것을 나타내는 반면, 입력은 보통 보다 일반적인 장방형파 신호일 수 있다. 장방형파 입력 신호에 대한 일반적인 경우에, 실시예들은 출력 캐패시터(303)와 같은 개별의 용량성 컴포넌트를 반드시 요구하지 않아, 출력 캐패시턴스만이 컴포넌트들 및 부하들에 대해 상대적으로 작은 기생 캐패시턴스들일 수 있다.
또한, 도 3에 나타낸 회로에 대해, 입력 단자들이 그들을 통해 높은 임피던스를 가질 때, 그들이 접속되지 않음에 따라, 브리지 회로는 기존 로직 상태로 안정하게 남아있는 흥미있는 속성(property)을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 바와 같이, "활성(active)"으로서 좌측에 표기된 시간 주기 동안, a+5 vdc 입력이 입력 단자들에 인가된다고 가정하자. 그 후, 동일한 +5 vdc가 출력 레지스터(304) 및 출력 캐패시터(303)을 거쳐 출력 단자들로 전달될 것이다. 입력 신호가 그 후 입력 단자들과 접속이 끊긴다고 가정하면, 회로의 상부 좌측의 PMOS 스위치 및 하부 우측의 NMOS는 낮은 임피던스 상태로 남을 것이고, 레지스터(304) 및 캐패시터(303)의 RC 시간 상수가 충분히 크다고 가정하면, 입력 전압은 캐패시터로 인해 +5 vdc에서 플로팅을 지속할 것이다. 제2 활성 및 플로팅 주기들 동안, 동일한 것이 도 4의 우측에 반대로 발생한다. 이것은 상대적으로 짧은 활성 주기들 동안 입력 신호를 인가할 수 있고, 다음의 비활성 주기 동안 회로를 플로팅시킬 수 있는 경우, 낮은 전력 어플리케이션과 같은 동일 상황들에 유용한 속성일 수 있다. 활성 및 플로팅 주기들을 갖는 그러한 신호는 반드시 주기적일 필요는 없지만, 일부 어플리케이션들에서 데이터 신호와 같은 비-주기적 신호일 수 있다.
상술된 실시예들에서의 CMOS-브리지는 상당히 다양한 어플리케이션들에서 유용하게 이용될 수 있다. 예를 들어, CMOS-브리지는 자동차 또는 의료 분야들에 제한없이, 각 분야들에서, 정류를 제공하고 및/또는 원하는 공급 전압 극성을 보장하 기 위해 이용된다. 예를 들어, CMOS 브리지를 포함하는 칩은 망막 임플란트 시스템 또는 와우 임플란트 시스템과 같은 임플란트 의료 장치의 일부분일 수 있다. 실시예들은 입력들을 dc 소스에 극성에 독립적으로 임의의 접속을 허여하는, 극성 보호 회로의 기초와 같은 회로를 이용하는 단계를 포함할 수도 있다.
본 발명의 다양한 실시예들이 개재되었지만, 본 발명의 실제 범위에서 벗어남없이 본 발명의 소정의 장점들을 달성하도록 다양한 변화들 및 수정들이 이루어질 수 있다는 것은 본 기술분야의 당업자들에게 명백할 것이다.

Claims (24)

  1. 장방형파(rectangular wave) 입력 전압을 수신하는 제1 및 제2 입력 단자들;
    정류된 dc 출력 전압을 제공하는 제1 및 제2 출력 단자들;
    상기 제1 입력 단자와 제1 노드 사이에 연결된 제1 스위치 - 상기 제1 노드는 상기 제1 출력 단자에 연결됨 -;
    상기 제2 입력 단자와 상기 제1 노드 사이에 연결된 제2 스위치;
    상기 제1 입력 단자와 제2 노드 사이에 연결된 제3 스위치 - 상기 제2 노드는 상기 제2 출력 단자에 연결됨 -; 및
    상기 제2 입력 단자와 상기 제2 노드 사이에 연결된 제4 스위치
    를 포함하고,
    상기 입력 전압이 제1 극성인 경우, 상기 제1 스위치 및 상기 제4 스위치가 게이트 온 되고, 상기 입력 전압이 상기 제1 극성과 반대되는 제2 극성인 경우, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치가 게이트 온 되어, 상기 입력 전압의 절대값과 실질적으로 동일한 크기를 갖는 출력 전압을 제공하는 정류기 회로(rectifier circuit).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 상기 제3 스위치, 및 상기 제4 스위치는 MOS 트랜지스터들인 정류기 회로.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치는 PMOS 트랜지스터들이고, 상기 제3 스위치 및 상기 제4 스위치는 NMOS 트랜지스터들인 정류기 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 스위치 및 상기 제4 스위치는 상기 제1 입력 단자 및 상기 제2 입력 단자 중 하나의 단자에 의해 열리고(gated), 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치는 상기 제1 입력 단자 및 상기 제2 입력 단자 중 다른 하나의 단자에 의해 열리는 정류기 회로.
  5. 제1항에 있어서,
    저항(resistance) 및 캐패시턴스(capacitance)의 병렬 부하 조합을 위해 상기 출력 전압이 제공되는 정류기 회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 병렬 부하 및 상기 정류기 회로는 단일 칩(single chip) 상에 집적되는 정류기 회로.
  7. 제1항에 있어서,
    개별의(discrete) 병렬 캐패시터없는 저항 부하에 대해 상기 출력 전압이 제공되는 정류기 회로.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 저항 부하 및 상기 정류기 회로는 단일 칩 상에 집적되는 정류기 회로.
  9. 제1항에 따른 정류기 회로를 포함하는 극성 보호 회로(polarity protection circuit).
  10. 제1항에 따른 정류기 회로를 포함하는 인공 의료 장치(implanted medical device).
  11. 제1항에 있어서,
    상기 의료 장치는 망막 임플란트(retinal implant)인 인공 의료 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 의료 장치는 와우 임플란트(cochlear implant)인 인공 의료 장치.
  13. 제1항에 따른 정류기 회로; 및
    상기 제1 및 제2 출력 단자들 사이에 연결된 저항 및 캐패시턴스의 병렬 부 하 조합
    을 포함하는 칩.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 부하는 신호 프로세서를 포함하는 칩.
  15. 제1항에 따른 정류기 회로; 및
    개별의 병렬 캐패시터없이 상기 제1 및 제2 출력 단자들 사이에 연결된 저항 부하
    를 포함하는 칩.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 부하는 신호 프로세서를 포함하는 칩.
  17. 제1 입력 단자와 제2 입력 단자 사이에 장방형파 입력 신호를 인가하는 단계 - 제1 스위치는 상기 제1 입력 단자와 제1 노드 사이에 연결되고, 제2 스위치는 상기 제2 입력 단자와 상기 제1 노드 사이에 연결되고, 상기 제1 노드는 제1 출력 단자에 연결되고, 제3 스위치는 상기 제1 입력 단자와 제2 노드 사이에 연결되고, 제4 스위치는 상기 제2 입력 단자와 상기 제2 노드 사이에 연결되고, 상기 제2 노드는 제2 출력 단자에 연결됨 -
    를 포함하고,
    상기 입력 신호가 제1 극성인 경우, 상기 제1 스위치 및 상기 제4 스위치가 게이트 온 되고, 상기 입력 신호가 상기 제1 극성에 반대되는 제2 극성인 경우, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치가 게이트 온 되어, 상기 제1 및 제2 출력 단자들은 상기 입력 전압의 크기와 실질적으로 동일한 크기를 갖는 정류된 dc 전압을 제공하는 정류 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치, 상기 제3 스위치, 및 상기 제4 스위치는 MOS 트랜지스터들인 정류 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치는 PMOS 트랜지스터들이고, 상기 제3 스위치 및 상기 제4 스위치는 NMOS 트랜지스터들인 정류 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 스위치 및 상기 제4 스위치는 상기 제1 입력 단자 및 상기 제2 입력 단자 중 하나의 단자에 의해 열리고, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치는 상기 제1 입력 단자 및 상기 제2 입력 단자 중 다른 하나의 단자에 의해 열리는 정류 방법.
  21. 제17항에 있어서,
    저항 및 캐패시턴스의 병렬 부하 조합에 대해 출력 전압이 제공되는 정류 방법.
  22. 제17항에 있어서,
    개별의 병렬 캐패시터없는 저항 부하에 대해 출력 전압이 제공되는 정류 방법.
  23. 제17항에 있어서,
    상기 스위치들이 게이트 온 된 후, 시간 주기 동안 상기 입력 단자들에서 상기 입력 신호의 연결을 끊는 정류 방법.
  24. 제17항에 있어서,
    상기 장방형파 입력 신호는 비-주기적인(non-periodic) 정류 방법.
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