KR20080029609A - Apparatus for plasma etching prevented etch profile tilting - Google Patents

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KR20080029609A
KR20080029609A KR1020060096446A KR20060096446A KR20080029609A KR 20080029609 A KR20080029609 A KR 20080029609A KR 1020060096446 A KR1020060096446 A KR 1020060096446A KR 20060096446 A KR20060096446 A KR 20060096446A KR 20080029609 A KR20080029609 A KR 20080029609A
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wafer
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plasma etching
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이정석
한기현
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

A plasma etching apparatus is provided to prevent a hole bending effect at an outermost edge of wafer and increase a yield by employing a tapered-shape focus ring with a surface height higher than the wafer. A plasma etching apparatus includes an electrostatic chuck(101) and a focus ring(103). On the electrostatic chuck, a wafer(102) to be etched is placed. The focus ring is adapted to surround an edge of the wafer and has a tapered surface tilted with a height higher than the wafer. The surface height of focus ring is at least 1.5mm higher than the wafer. The tapered surface of the focus ring has a slope more slanted when getting closed to an edge of the wafer. The height of the tapered surface is at least 4.5mm or more. Material of the focus ring is silicon, silicon oxide or aluminum.

Description

식각프로파일 휘어짐 방지를 위한 플라즈마 식각 장치{APPARATUS FOR PLASMA ETCHING PREVENTED ETCH PROFILE TILTING}Plasma Etching Device to Prevent Etch Profile Curvature {APPARATUS FOR PLASMA ETCHING PREVENTED ETCH PROFILE TILTING}

도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 식각 장치의 챔버의 내부 구조를 도시한 도면.1 is a view showing the internal structure of the chamber of the plasma etching apparatus according to the prior art.

도 2a는 플라즈마 사용 시간에 따른 식각이온의 입사각 변화와 이로 인한 웨이퍼 에지에서의 홀 변형(Hole tilting)을 보여주는 도면.FIG. 2A shows the change in incidence angle of etch ions with plasma use time and thereby hole tilting at the wafer edge; FIG.

도 2b는 포커스링의 두께에 따른 홀 프로파일 변화를 도시한 도면. 2B is a view showing a change in hole profile according to a thickness of a focus ring.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치의 챔버 내부 구조를 도시한 도면.3 is a view showing the internal structure of the chamber of the plasma etching apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 4는 플라즈마식각 진행에 따른 플라즈마쉬스의 등전위 변화 모양을 도시한 도면.4 is a view showing the shape of the change in the equipotential of the plasma sheath according to the plasma etching progress.

도 5는 포커스링의 마모에 따른 홀휘어짐 현상을 나타낸 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진.5 is a SEM (Scanning Electron Microscope) photograph showing the hole warpage phenomenon according to the wear of the focus ring.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

101 : 정전척 101: electrostatic chuck

102 : 웨이퍼102: wafer

103 : 포커스링103: focus ring

103A : 테이퍼드 표면103A: Tapered Surface

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 홀 휘어짐 방지를 위한 플라즈마 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a plasma etching apparatus for preventing hole bending.

반도체소자의 콘택홀, 비아홀 또는 스토리지노드콘택홀과 같은 홀(Hole)은 그 집적도가 증가함에 따라 깊이가 증가하고 이에 따라 웨이퍼 에지에서 홀이 휘어지는 휘어짐(Tilting) 현상이 발생하고 있다.Holes, such as contact holes, via holes, or storage node contact holes of semiconductor devices, have increased depth as the degree of integration increases, thereby causing bending of the holes at the wafer edges.

이러한 휘어짐 현상은 식각챔버 사용에 따른 식각이온의 웨이퍼내 입사각의 변화에 기인하며 이러한 입사각의 변화는 챔버 내 일부 소모성 부품의 마모에 의해 발생하게 된다.The warpage phenomenon is caused by the change in the incident angle of the wafer in the wafer according to the use of the etching chamber, and the change in the incident angle is caused by wear of some consumable parts in the chamber.

도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 식각 장치의 챔버의 내부 구조를 도시한 도면이다.1 is a view showing the internal structure of the chamber of the plasma etching apparatus according to the prior art.

도 1을 참조하면, 정전척(Electro Static Chuck, 11) 상부에 콘택홀이 형성될 웨이퍼(12)가 놓이고, 정전척(11)의 외곽 지역에는 웨이퍼(12)의 에지를 둘러싸는 플랫형의 포커스링(Flat type Focus ring, 13)이 구비된다. 여기서, 포커스링(13)은 그 재질이 실리콘(Si)이다. 그리고, 포커스링(13)은 플라즈마가 웨이퍼쪽 에 집중되도록 한다.Referring to FIG. 1, a wafer 12 in which contact holes are to be formed is placed on an electrostatic chuck 11, and a flat type surrounding an edge of the wafer 12 in an outer region of the electrostatic chuck 11. Flat type Focus ring 13 is provided. Here, the focus ring 13 is made of silicon (Si). The focus ring 13 allows the plasma to be concentrated on the wafer side.

그러나, 도 1과 같은 식각챔버 내에서 콘택홀 형성을 위한 식각이 진행될 때, 소모성 부품인 포커스링(13)의 소모(Worn-out)에 의해 포커스링(13)의 높이가 웨이퍼(12) 표면보다 낮아져서 플라즈마쉬스(Plasma sheath) 등전위의 모양 변화를 일으켜, 콘택홀의 프로파일변형을 발생시키는 문제가 있다.However, when etching for forming a contact hole is performed in the etching chamber as shown in FIG. 1, the height of the focus ring 13 is increased due to the Worn-out of the focus ring 13, which is a consumable component. It is lowered, causing a change in the shape of the plasma sheath equipotential, resulting in a profile deformation of the contact hole.

즉, 웨이퍼(12) 표면과 포커스링(13)에서 플라즈마쉬스는 T1과 T2로 등전위 모양을 가지나, 포커스링(13)의 마모에 의하여 포커스링(13)의 표면이 웨이퍼(12) 표면보다 아래로 낮아지게 되어 포커스링(13) 상부에서의 플라즈마쉬스는 T2'으로 변하게 된다.That is, the plasma sheath at the surface of the wafer 12 and the focus ring 13 has an equipotential shape of T1 and T2, but the surface of the focus ring 13 is lower than the surface of the wafer 12 due to the wear of the focus ring 13. As a result, the plasma sheath above the focus ring 13 is changed to T2 '.

이와 같이 T2'로 낮아지게 되면 플라즈마쉬스의 등전위 모양이 변화가 발생하고, 플라즈마 쉬스의 등전위 모양 변화가 발생하는 웨이퍼 에지측에서는 식각이온들이 사선으로 웨이퍼 에지에 입사(14)하게 되면서 식각프로파일이 기울어지게 된다.As such, when the T2 'is lowered, the equipotential shape of the plasma sheath changes, and on the wafer edge side where the equipotential shape change of the plasma sheath occurs, the etch ions are inclined to the wafer edge in an oblique line (14). do.

도 2a는 플라즈마 사용 시간에 따른 식각이온의 입사각 변화와 이로 인한 웨이퍼 에지에서의 홀 변형(Hole tilting)을 보여주고 있다. 여기서, 플라즈마는 RF 플라즈마이다.FIG. 2A shows the change in the incident angle of the etching ions with the plasma use time and thus the hole tilting at the wafer edge. Here, the plasma is an RF plasma.

도 2a를 참조하면, 플라즈마 사용시간이 0시간(RF=0hr)인 경우에는 홀의 휘어짐이 발생하지 않으나, 플라즈마 사용 시간을 200시간(RF=200hr), 300시간(RF=300hr)으로 점차 증가시킬 수록 홀의 휘어짐 현상이 더욱 심해진다. 한편, 200시간까지는 정상(Good)인 경우로 판정하고, 300시간인 경우는 비정상(No good) 으로 판정한다.Referring to FIG. 2A, when the plasma use time is 0 hours (RF = 0hr), no bending of the hole occurs, but the plasma use time is gradually increased to 200 hours (RF = 200hr) and 300 hours (RF = 300hr). The more the warping of the hole becomes worse. On the other hand, up to 200 hours is determined as a case of Good, and when up to 300 hours, it is determined as No Good.

도 2a에서, 홀의 휘어짐 현상은 포커스링 방향으로 휘어짐을 알 수 있는데, 이는 포커스링의 표면이 낮아지기 때문이다.In FIG. 2A, it can be seen that the bending of the hole is curved in the focus ring direction because the surface of the focus ring is lowered.

위와 같은 포커스링의 마모가 발생됨에 따른 문제를 해결하려면 마모된 포커스링의 교체주기가 짧아지게 되어 생산성 저하 문제가 발생하게 된다.In order to solve the problems caused by the wear of the focus ring as described above, the replacement cycle of the worn focus ring is shortened, resulting in a problem of reduced productivity.

다른 방법으로서, 포커스링의 마모될 두께를 고려하여 최초에 포커스링의 표면을 웨이퍼 표면보다 높게 하는 방법이 제안되었으나, 이 경우에는 플라즈마쉬스의 등전위 모양이 역전되어서 웨이퍼 안쪽으로 홀이 휘어지는 문제가 있다. As another method, a method of initially making the surface of the focus ring higher than the wafer surface in consideration of the wear thickness of the focus ring has been proposed, but in this case, there is a problem in that the hole of the inside of the wafer is bent because the shape of the plasma sheath is reversed. .

도 2b는 포커스링의 두께에 따른 홀 프로파일 변화를 도시한 도면이다. 도 2b에서 '3.4t F/R(STD)'은 t=3.4mm로서 웨이퍼의 표면과 동일 표면 높이를 갖는 포커스링을 나타내고, '2.4t F/R(thin)' 은 t=2.4mm로서 웨이퍼 표면보다 낮은 얇은 포커스링이며, '4.5t F/R(thick)'는 t=4.5mm로서 웨이퍼 표면보다 높은 두꺼운 포커스링이다.2B is a view illustrating a change in hole profile according to a thickness of a focus ring. In FIG. 2B, '3.4t F / R (STD)' indicates a focus ring having the same surface height as the surface of the wafer as t = 3.4 mm, and '2.4t F / R (thin)' indicates the wafer as t = 2.4 mm. A thinner focus ring lower than the surface, and '4.5t F / R (thick)' is a thick focus ring higher than the wafer surface with t = 4.5mm.

도 2b에 따르면, 웨이퍼 표면과 동일 표면높이를 갖는 3.4t F/R(STD)은 홀이 휘어지지 않고 정상적으로 형성되고 있는데 반해, 웨이퍼 표면보다 높은 4.5t F/R(thick)은 홀이 웨이퍼의 안쪽으로 휘어지고 있고, 웨이퍼 표면보다 낮은 2.4t F/R(thin)은 홀이 웨이퍼 바깥쪽으로 휘어지고 있음을 알 수 있다.According to FIG. 2B, the 3.4t F / R (STD) having the same surface height as the wafer surface is normally formed without bending the hole, whereas the 4.5t F / R (thick) higher than the wafer surface has the hole of the wafer. The 2.4t F / R (thin), which is bent inward and lower than the wafer surface, indicates that the hole is bent out of the wafer.

위와 같이, 포커스링의 두께 조절에 의해서는 홀의 휘어짐 현상을 해결하기가 어렵다.As described above, it is difficult to solve the bending of the hole by adjusting the thickness of the focus ring.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 포커스링의 마모가 발생되더라도 플라즈마쉬스의 등전위 모양 변화를 억제하고, 동시에 식각 프로파일의 변형도 방지할 수 있는 플라즈마식각장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and provides a plasma etching apparatus capable of suppressing an equipotential shape change of the plasma sheath and at the same time preventing deformation of an etching profile even if wear of the focus ring occurs. The purpose is.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플라즈마 식각장치는 식각이 이루어질 웨이퍼가 놓이는 정전척, 및 상기 웨이퍼의 에지를 둘러싸도록 구비되며 상기 웨이퍼보다 표면높이가 높고 경사지는 테이퍼드 표면을 갖는 포커스링을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 포커스링의 표면높이는 적어도 상기 웨이퍼보다 1.5mm 이상인 것을 특징으로 하며, 상기 포커스링의 테이퍼드 표면은 상기 웨이퍼의 에지에 근접할수록 경사지는 음의 기울기(Negative slope)를 갖는 것을 특징으로 하고, 상기 테이퍼드 표면의 높이는 적어도 4.5mm 이상인 것을 특징으로 한다.The plasma etching apparatus of the present invention for achieving the above object includes an electrostatic chuck on which the wafer to be etched is placed, and a focus ring provided to surround the edge of the wafer and having a tapered surface having a surface height higher than that of the wafer and having an inclined surface. And the surface height of the focus ring is at least 1.5 mm higher than the wafer, and the tapered surface of the focus ring has a negative slope that is inclined closer to the edge of the wafer. The height of the tapered surface is characterized in that at least 4.5mm or more.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. .

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치의 챔버 내부 구조를 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating an internal structure of a chamber of the plasma etching apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 플라즈마 식각이 이루어질 웨이퍼(102)가 놓이는 정전척(ESC Chuck, 101), 정전척(102)의 외측부에 구비되어 웨이퍼(102)의 외주부를 둘러싸는 테이퍼드형 포커스링(Tapered type F/R, 103)을 포함한다. 여기서, 테이퍼드형 포커스링(103)의 재질은 실리콘(Silicon), 실리콘산화막(Silicon Oxide) 또는 알루미늄(Al)을 사용한다.Referring to FIG. 3, an electrostatic chuck 101 on which a wafer 102 on which plasma is to be etched is placed, and a tapered focus ring disposed on an outer portion of the electrostatic chuck 102 and surrounding the outer circumferential portion of the wafer 102. type F / R, 103). Here, the tapered focus ring 103 is made of silicon (Silicon), silicon oxide (Silicon Oxide) or aluminum (Al).

도 3에서, 테이퍼드형 포커스링(103)은 웨이퍼(102)의 표면보다 높은 표면 높이(H1)를 가지도록 그 두께가 조절된다. 여기서, 표면 높이(H1)는 적어도 1.5mm 이상이다. In FIG. 3, the tapered focus ring 103 is adjusted in thickness so as to have a surface height H1 higher than the surface of the wafer 102. Here, the surface height H1 is at least 1.5 mm.

이와 같이, 표면 높이(H1)를 증가시키면 테이퍼드형 포커스링(103)의 마모에 따른 홀 휘어짐 현상의 발생 주기를 증가시켜 장비의 세정주기를 연장시키고, 또한 테이퍼드형 포커스링(103)의 교체주기를 연장시킬 수 있다.As such, increasing the surface height H1 increases the period of occurrence of hole bending due to wear of the tapered focus ring 103 to extend the cleaning cycle of the equipment, and also to replace the tapered focus ring 103. Can be extended.

그리고, 본 발명의 테이퍼드형 포커스링(103)은 표면 높이(H1)가 높아짐에 따른 플라즈마쉬스의 등전위 모양의 역전 현상에 의해 웨이퍼 바깥쪽으로 홀 휘어짐 현상이 발생되는 것을 억제하기 위하여 테이퍼드 표면(Tapered surface, 103A)을 갖는다. 즉, 웨이퍼(102)의 에지에 근접할수록 경사지는 기울기(slope)를 갖고 낮아지는 테이퍼드 표면(103A)을 갖는다. 여기서, 테이퍼드 표면(103A)에 따른 높이는 'H2'가 된다. 이와 같이, 테이퍼드 표면(103A)을 가지므로 테이퍼드형 포커스링(103)이라 한다. 그리고, 테이퍼드 표면(103A)의 높이 'H2'는 적어도 4.5mm 이상이다.The tapered focus ring 103 of the present invention has a tapered surface in order to suppress the occurrence of hole bending outward from the wafer due to an equipotential inversion phenomenon of the plasma sheath as the surface height H1 increases. surface, 103A). That is, the closer to the edge of the wafer 102, the tapered surface 103A has a slope that slopes and lowers. Here, the height along the tapered surface 103A is 'H2'. Thus, since it has the tapered surface 103A, it is called the tapered focus ring 103. As shown in FIG. And the height 'H2' of the tapered surface 103A is at least 4.5 mm.

이와 같이, 테이퍼드 표면(103A)을 가지면 웨이퍼(102)와 테이퍼드형 포커스 링(103)의 높아진 표면간의 거리(L)를 증가시키게 되고, 이로써 플라즈마쉬스의 등전위 모양 변화를 최소화시킨다.As such, having the tapered surface 103A increases the distance L between the wafer 102 and the elevated surface of the tapered focus ring 103, thereby minimizing the equipotential shape change of the plasma sheath.

도 4는 플라즈마식각 진행에 따른 플라즈마쉬스의 등전위 변화 모양을 도시한 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating an isopotential change shape of a plasma sheath according to the progress of plasma etching.

도 4를 참조하면, 표면높이가 높아짐에 따라 최초에 테이퍼드형 포커스링(103) 상부에서의 플라즈마쉬스의 등전위는 'T12'가 되며, 식각이 진행될수록 테이퍼드형 포커스링(103)의 마모가 발생되어 플라즈마쉬스의 등전위는 'T13', 'T14'로 점점 모양이 변화된다.Referring to FIG. 4, as the surface height increases, the equipotential of the plasma sheath at the top of the tapered focus ring 103 becomes 'T12', and as the etching proceeds, wear of the tapered focus ring 103 occurs. As a result, the equipotential of the plasma sheath gradually changes shape to 'T13' and 'T14'.

도면부호 'H3'는 테이퍼드형 포커스링(103)의 표면이 웨이퍼(102) 표면보다 낮아지는 경우이다.Reference numeral 'H3' is a case where the surface of the tapered focus ring 103 is lower than the surface of the wafer 102.

도 5는 포커스링의 마모에 따른 홀휘어짐 현상을 나타낸 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다.5 is a scanning electron microscope (SEM) photograph showing a hole warpage phenomenon according to wear of a focus ring.

도 5에서, STD(Standard)는 기준(두께 3.4mm, 이는 도 3에서 H2-H1의 높이)으로 채택한 포커스링이고, 'Tapered'는 기준 포커스링보다 표면 높이가 더 높은(4.5mm, 이는 도 3에서 H2의 높이) 테이퍼드 표면을 갖는 포커스링이며, 'Tapered/500hr'은 테이퍼드 표면을 갖는 포커스링을 이용하여 500시간(500hr)동안 식각을 진행하여 표면이 낮아진(2.4mm) 포커스링이다.In FIG. 5, STD (Standard) is a focus ring adopted as a reference (thickness 3.4 mm, which is the height of H2-H1 in FIG. 3), and 'Tapered' has a higher surface height (4.5 mm, which is shown in FIG. 3) H2)) Focus ring with tapered surface, and 'Tapered / 500hr' focus ring with surface tapered (2.4mm) by etching for 500 hours (500hr) using the focus ring with tapered surface to be.

도 3및 도 5에 도시된 바와 같이, 테이퍼드 표면(103A)을 갖는 포커스링(103)을 장착함에 따라 포커스링의 높이가 낮아졌음(Tapered/500hr)에도 불구하고 홀 휘어짐 현상이 발생하지 않음을 알 수 있다. 즉, 테이퍼드 표면(103A)을 갖 는 포커스링(103)을 사용하여 500 시간(hr) 동안 플라즈마 식각을 진행하여 웨이퍼(102) 표면보다 포커스링(103)의 표면이 더 낮아져도(2.4mm) 홀 휘어짐이 발생하지 않는다.As shown in FIGS. 3 and 5, the mounting of the focus ring 103 with the tapered surface 103A does not cause the hole bending phenomenon even though the height of the focus ring is lowered (Tapered / 500hr). It can be seen. That is, even if the surface of the focus ring 103 is lower than the surface of the wafer 102 by performing plasma etching for 500 hours (hr) using the focus ring 103 having the tapered surface 103A (2.4 mm) ) Hole bending does not occur.

도 5의 결과로부터 본 발명의 테이퍼드형 포커스링(103)의 사용시간은 적어도 500 시간이 될 수 있다. 참고로, 도 2a에서 종래 플랫형 포커스링은 300시간만 사용하여도 홀휘어짐이 심각하게 발생하여 그때 교체해주었으나, 본 발명의 테이퍼드형 포커스링은 500 시간까지 사용하여도 홀휘어짐이 발생하지 않으므로 포커스링의 교체주기를 연장시킬 수 있다.From the results of FIG. 5, the use time of the tapered focus ring 103 of the present invention may be at least 500 hours. For reference, in the conventional flat focus ring in FIG. 2a, even when only 300 hours of use has been seriously replaced by the warpage, the tapered focus ring of the present invention does not generate hole warpage even when used up to 500 hours. The replacement cycle of the focus ring can be extended.

상술한 실시예에 따르면, 본 발명은 포커스링의 모양을 테이퍼드 표면(103A)을 가지면서 웨이퍼(102) 표면보다 높은 구조를 갖는 테이퍼드형 포커스링(103)으로 채택하므로써, 웨이퍼(102)와 테이퍼드형 포커스링(103)간 거리(L)를 증가시켜 웨이퍼(102)보다 포커스링(103)의 높이가 높아도 휘어짐 현상이 발생하지 않는다.According to the embodiment described above, the present invention adopts the shape of the focus ring as a tapered focus ring 103 having a tapered surface 103A and having a structure higher than that of the wafer 102 surface. Even if the height of the focus ring 103 is higher than that of the wafer 102 by increasing the distance L between the tapered focus rings 103, the warpage does not occur.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 본 발명은 웨이퍼 에지에서의 홀 프로파일(Hole Profile)에 영향을 미치는 포커스링의 모양을 플랫형(Flat Type)에서 웨이퍼보다 표면 높이가 높은 테 이퍼드 형태로 모양을 변형 적용함으로써, 웨이퍼 최외각 에지 지역의 홀휘어짐현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the shape of the focus ring affecting the hole profile at the wafer edge is changed to a tapered shape in which the surface height is higher than that of the wafer in the flat type. There is an effect that can prevent the warpage phenomenon in the outer edge area.

또한, 식각 공정에서 소모되는 포커스링의 교환 주기를 연장함으로써 식각프로파일 휘어짐 현상에 의한 수율 손실을 줄일 수 있고, 공정 진행 단가를 낮출 수 있는 효과가 있다. In addition, by extending the replacement period of the focus ring consumed in the etching process, it is possible to reduce the yield loss due to the etching profile bending phenomenon, it is possible to reduce the process running cost.

Claims (6)

식각이 이루어질 웨이퍼가 놓이는 정전척;An electrostatic chuck on which the wafer to be etched is placed; 상기 웨이퍼의 에지를 둘러싸도록 구비되며 상기 웨이퍼보다 표면높이가 높고 경사지는 테이퍼드 표면을 갖는 포커스링; 및A focus ring provided to surround an edge of the wafer and having a tapered surface having a higher surface height and an inclined surface than the wafer; And 을 포함하는 플라즈마 식각 장치.Plasma etching apparatus comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포커스링의 표면높이는 적어도 상기 웨이퍼보다 1.5mm 이상인 플라즈마 식각 장치.And a surface height of the focus ring is at least 1.5 mm greater than that of the wafer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포커스링의 테이퍼드 표면은 상기 웨이퍼의 에지에 근접할수록 경사지는 기울기를 갖는 플라즈마 식각 장치.And a tapered surface of the focus ring has an inclination that slopes closer to the edge of the wafer. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 테이퍼드 표면의 높이는 적어도 4.5mm 이상인 플라즈마 식각 장치.And the height of the tapered surface is at least 4.5 mm or more. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포커스링의 재질은 실리콘(Silicon), 실리콘산화막(Silicon Oxide) 또는 알루미늄(Al)인 플라즈마 식각 장치.The material of the focus ring is silicon (Silicon), silicon oxide (Silicon Oxide) or aluminum (Al) plasma etching apparatus. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 5, 상기 포커스링은 적어도 500 시간까지 사용하는 플라즈마 식각 장치.And the focus ring is used for at least 500 hours.
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