KR20080027032A - 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 전계 발광 표시 장치가 개시되어 있다. 유기 전계 발광 표시 장치는 기판상에 배치되고 독립적으로 패터닝된 제 1 전극, 제 1 전극상에 배치된 제 1 전하수송패턴, 제 1 전하수송패턴상에 배치된 유기발광패턴, 유기발광패턴상에 배치되고, 불용화 물질을 포함하는 제 2 전하수송패턴 및 제 2 전하수송패턴 상에 배치된 제 2 전극을 포함하여, 단순한 공정을 통해 유기 전계 발광 표시 장치를 제조할 수 있다.
유기 전계 발광 표시 장치, 포토리소그래피, 전자수송패턴, 정공수송패턴
Description
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도이다.
도 1b는 도 1d에 도시된 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 구성하는 유기전계발광다이오드의 분해 사시도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 유기전계발광다이오드를 구비한 유기 전계 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2c는 도 1b에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
100, 200 : 기판 110, 210 : 제 1 전극
120 : 제 1 전하수송패턴 130 : 유기발광패턴
140 : 제 2 전하수송패턴 150, 250 : 제 2 전극
220a : 제 1 정공수송패턴 220b : 제 2 정공수송패턴
220c : 제 3 정공수송패턴 230a : 제 1 유기발광패턴
230b : 제 2 유기발광패턴 230c : 제 3 유기발광패턴
240a : 제 1 전자수송패턴 240b : 제 2 전자수송패턴
240c : 제 3 전자수송패턴
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다. 특히, 각 서브픽셀 단위로 패터닝된 전하수송패턴을 구비하는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 표시 장치는 양극, 음극 및 상기 두 전극 사이에 개재된 유기발광층을 포함한다. 이와 같은 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 양극과 음극에서 각각 제공된 정공(hole)과 전자(electron)가 상기 유기발광층에서 재결합하여 빛을 발생하는 현상을 통해 화상을 구현하게 된다. 이로써, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 자체발광형으로 LCD와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라, 단순한 공정을 거쳐 제조될 수 있어 가격 경쟁력을 키울 수 있다. 또, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 저전압 구동, 높은 발광효율, 넓은 시야각을 가짐에 따라, 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.
상기 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 양극과 상기 유기발광층과, 상기 음극과 상기 유기발광층 사이에 각각 정공수송층과 전자수송층을 더 형성하여, 상기 유기발광층으로 정공과 전자가 효율적으로 주입될 수 있게 하여, 발광 효율을 향상 시키고자 하였다.
이와 같은 유기 전계 발광 표시 장치는 서브픽셀 단위로 상기 유기발광층을 패터닝하는 공정을 거쳐, 풀 칼라를 구현하게 된다. 이때, 상기 정공수송층 및 상기 전자수송층은 종래에 공통층으로 형성하였으나, 상기 정공수송층과 상기 전자수송층에 의해 전류가 인접 라인으로 누설되어 크로스 토크(Cross-talk) 현상에 의한 화면 품질이 저하되는 문제점이 있었다. 이를 개선하기 위해, 상기 정공수송층 및 상기 전자수송층은 각 서브픽셀 단위로 패터닝하였다.
여기서, 상기 유기발광층을 포함하는 유기층의 패터닝 공정은 포토리소그래피 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 쉐도우 마스크등을 이용한 증착 공정을 통해 수행될 수 있다. 여기서, 상기 포토리소그래피 공정은 다른 패터닝 공정에 비해 고가의 장비를 필요로 하지 않아, 생산 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 정밀한 패턴을 구현할 수 있다는 장점을 가진다.
그러나, 상술한 바와 같이 크로스 토크와 같은 문제를 해결하기 위해, 상기 유기발광층 외에 상기 정공수송층, 상기 전자수송층을 각 서브픽셀 단위로 패터닝한다. 그러나, 이와 같이, 상기 정공수송층, 상기 전자수송층을 각 서브픽셀 단위로 패터닝공정을 수행함으로써, 공정 수가 증가하게 되고, 이와 더불어 생산 비용이 증가하게 된다. 또한, 상기 포토리소그래피 공정은 수 회에 걸쳐 반복하여 수행하게 되는데, 소자의 수명이 단축될 수 있다. 이는 상기 정공수송층, 상기 유기발광층, 상기 전자수송층이 용매 및 감광성막 패턴을 제거하는 스트립 용액에 노출되는 횟수 및 시간이 증가되어, 상기 유기발광층이 열화되기 때문이다.
본 발명의 목적은 각 서브픽셀 단위로 패터닝된 전하수송패턴을 구비하는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 전하수송 패턴을 형성하기 위한 패터닝 공정을 단순화하여, 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 상기 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 유기 전계 발광 표시 장치를 제공한다. 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 기판상에 배치되고 독립적으로 패터닝된 제 1 전극; 상기 제 1 전극상에 배치된 제 1 전하수송패턴; 상기 제 1 전하수송패턴상에 배치된 유기발광패턴; 상기 유기발광패턴상에 배치되고, 불용화 물질을 포함하는 제 2 전하수송패턴; 및 상기 제 2 전하수송패턴 상에 배치된 제 2 전극을 포함한다.
상기 불용화 물질은 상기 제 2 전하수송 패턴을 이루는 제 2 전하수송 물질들을 상호 결합시키는 가교제일 수 있다.
상기 불용화 물질은 상기 제 2 전하수송 패턴을 이루는 제 2 전하수송물질들을 상기 유기발광패턴상에 고정하기 위한 바인더수지를 상호 결합시키는 가교제일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면의 유기 전계 발 광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 서브픽셀 단위로 패터닝된 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극이 덮이도록 순차적으로 제 1 전하수송층, 유기발광층 및 상기 제 1 전하수송층의 형성 물질에 대해 용해되는 것을 방지하기 위한 불용화 물질을 가지는 제 2 전하수송층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전하수송층, 상기 유기발광층, 상기 제 2 전하수송층들을 상기 서브픽셀 단위로 패터닝하여 상기 제1 전극상에 위치하는 제 1 전하수송패턴, 유기발광패턴, 제 2 전하수송패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전하수송층 패턴상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도이다.
도 1b는 도 1d에 도시된 I-I'선을 따라 자른 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 유기전계발광표시장치는 기판(100)상에 순차적으로 배치된 제 1 전극(110), 제 1 전하수송패턴(120), 유기발광패턴(130), 제 2 전하수송패턴(140) 및 제 2 전극(150)을 포함한다.
자세하게, 상기 기판(100)은 플라스틱 또는 유리로 형성되어 있을 수 있다. 특히, 상기 기판(100)을 통하여 광을 통과하는 하부발광형일 경우, 상기 기판(100)은 투명성의 재질로 이루어진다.
상기 기판(100)에는 게이트 배선(101)과 상기 게이트 배선(101)과 절연막(103)을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선(102)이 형성되어 있다. 또, 상기 데이터 배선(102)과 평행하게 이격되며, 상기 게이트 배선(101)과 교차하는 전원배선(104)이 배치되어 있다. 이때, 상기 기판(100)은 상기 게이트 배선(101) 및 상기 데이터 배선(102)이 교차되어 다수의 서브픽셀(P)이 정의된다. 즉, 상기 서브픽셀(P)은 상기 게이트 배선(101)과 데이터 배선(102)이 서로 교차하여 격자형태의 다수의 셀을 형성하게 되는데, 상기 다수의 셀 중 하나의 셀을 말한다.
상기 게이트 배선(101)과 상기 데이터 배선(102)를 교차하여 형성된 상기 서브픽셀(P)에는 스위칭 박막트랜지스터(M1), 구동 박막트랜지스터(M2), 스토리지 캐패시터(Cp) 및 유기전계발광다이오드 소자(E)가 배치되어 있다.
상기 스위칭 박막트랜지스터(M1) 및 상기 구동 박막트랜지스터(M2)는 게이트 전극(105a, 105b), 액티브층(106a, 106b), 소스 전극(107a, 107b) 및 드레인 전극(108a, 108b)를 포함한다.
이때, 상기 스위칭 박막트랜지스터(M1)의 게이트 전극(105a)에는 게이트 배선(101)이 연결되어 있으며, 소스 전극(107a)에는 데이터 배선(102)이 연결되어 있으며, 드레인 전극(107a)은 상기 구동 박막트랜지스터(M2)의 게이트 전극(105b)과 연결되어 있다.
상기 구동 박막트랜지스터(M2)의 소스전극(107b)에는 전원배선(104)과 연결 되어 있으며, 드레인 전극(108b)에는 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)와 연결되어 있다.
상기 스토리지 캐패시터(Cp)는 상기 전원배선(104)과 다정질 실리콘 패턴(109)이 중첩되고, 상기 전원 배선(104) 및 상기 다정질 실리콘 패턴(109)사이에 개재된 절연막(103)에 의해 형성된다.
상기 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)는 제 1 전극(110), 제 1 전하수송패턴(120), 유기발광패턴(130), 제 2 전하수송패턴(140) 및 제 2 전극(150)을 포함한다.
앞서 설명한 구성을 가지는 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 유기 전계 발광 다이오드 소자(E)에 구동 박막트랜지스터(M2)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급하며, 상기 구동 박막트랜지스터(M2)의 전류량은 스위칭 박막트랜지스터(M1)를 통해 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되도록 되어 있다.
즉, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선으로 선택된 스위칭 박막트랜지스터(M1)가 턴-온(turn-on) 상태가 되면, 캐패시터(C1)가 충전되고 구동 박막트랜지스터(M2)는 On 상태가 된다. 상기 구동 박막트랜지스터(M2)가 On 상태가 되면 전원공급 배선으로부터 공급된 전류가 상기 구동 박막트랜지스터(M2)를 통해 선택된 서브픽셀에 위치하는 유기 전계 발광 다이오드 소자(OLED)가 발광하게 되어, 화상을 구현하게 된다.
이때, 상기 제 1 전하수송패턴(120) 및 상기 제 2 전하수송패턴(140)은 각 서브픽셀 단위로 독립적으로 패터닝하여, 완성된 유기전계발광표시장치가 크로스 토크(Cross-talk) 현상으로 화면 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예를 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 구성하는 유기전계발광다이오드의 분해 사시도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 유기전계발광다이오드를 구비한 유기 전계 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 2c는 도 1b에 도시된 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 유기 전계 발광 표시 장치는 기판(100)상에 각 서브픽셀 단위로 패터닝되어 순차적으로 배치된 제 1 전극(110), 제 1 전하수송패턴(120), 유기발광패턴(130), 제 2 전하수송패턴(140) 및 제 2 전극(150)을 포함한다.
상기 제 1 전극(110)은 각 서브픽셀 단위로 패터닝되어, 상기 기판(100)상에 배치된다. 상기 제 1 전극(110)은, 예를 들어, 투명성을 갖는다. 또한, 상기 제 1 전극(110)은, 예를 들어, 상대적으로 일함수가 높은 도전물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(110)을 이루는 물질의 예로서는 ITO, IZO 등을 들 수 있다.
이때, 상기 제 1 전극(110)상에 화소를 정의하는 서브픽셀 분리 패턴(115)이 더 형성되어 있을 수 있다. 상기 서브픽셀 분리 패턴(115)은 상기 제 1 전극(110)의 에지부를 감싸며, 상기 기판(100)상에 배치된다. 즉, 상기 서브픽셀 분리 패턴(115)은 평면상에서 보았을 때 상기 제 1 전극(110)을 노출하는 격자형상의 개구 부를 갖는다.
상기 각 서브픽셀 단위로 패터닝되어 있는 제 1 전극(110)상에 제 1 전하수송패턴(120)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1 전하수송층(120)은 서브픽셀 단위로 패터닝되어 있고 이로 인해 소자의 크로스 토크가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제 1 전하수송패턴(120)은 상기 제 1 전극(110)으로부터 주입된 정공을 후술할 유기발광패턴(130)으로 원활하게 수송하는 역할을 할 수 있다.
상기 제 1 전하수송패턴(120)은 포토리소그래피 공정을 통해 각 서브픽셀 단위로 패터닝하기 위해서 상기 제 1 전하수송패턴(120)은 불용성을 가져야 한다. 상기 제 1 전하수송패턴(120)은 상기 제 1 전하수송패턴(120)을 불용화시키기 위해서 불용화 물질을 포함한다.
상기 불용화 물질은 상기 제 1 전하수송패턴(120)을 이루는 제 1 전하수송물질을 가교시키는 가교제일 수 있다. 이를테면, 상기 가교제는 아지리딘, 카르보디이미드, 옥시란, 알코올, 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 카르복실 화합물, 아민, 에폭시드, 비닐 술폰, 아미드, 알릴 화합물 및 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent) 중 어느 하나일 수 있다. 이때, 상기 제 1 전하수송 물질로서 사용할 수 있는 물질의 예로서는 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물 및 스피로기를 갖는 비페닐 유도체, N, N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD) 또는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)비페닐(NPB) 등을 들 수 있다.
또는, 상기 불용화 물질은 제 1 전하수송 물질을 상기 제 1 전극(110)상에 고정하기 위한 바인더를 상호 결합시키는 가교제일 수 있다. 이를테면, 상기 바인더는 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent)일 수 있다. 상기 제 1 전하수송물질은 티타늄 디옥사이드(TiO2), 징크 옥사이트(SnO2) 및 틴 옥사이드(SnO2)와 같은 금속 산화물일 수 있다. 상기 바인더는 상기 금속 산화물을 고정 및 균일하게 형성할 수 있는 물질로서, 폴리실록산계 화합물일 수 있다.
상기 각 서브픽셀 단위로 패터닝되어 있는 상기 제 1 전하수송패턴(120)상에 유기발광패턴(130)이 형성되어 있다.
상기 유기발광패턴(130)은 서로 다른 색상을 구현하는 제 1, 제 2 , 제 3 유기발광패턴(130a, 130b, 130c)을 포함한다.
상기 각 서브픽셀 단위로 패터닝되어 있는 상기 유기발광패턴(120)상에 각각 제 2 전하수송패턴(140)이 형성되어 있어서, 크로스 토크로 인한 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 상기 제 2 전하수송패턴(140)은 용매에 녹는 것을 방지하기 위한 불용화 물질을 포함한다. 특히, 상기 제 2 전하수송패턴(140)은 상기 제 1 전하수송패턴(120)의 형성물질에 대해 불용성을 가져야 한다. 이는, 상기 제 2 전하수송패턴(140)을 각 서브픽셀 단위로 패터닝하기 위해, 상기 제 2 전하수송패턴(140)을 형성하고, 상기 제 2 전하수송패턴(140)상에 상기 제 1 전하수송패턴(120)의 형성물질을 습식공정으로 도포하는 공정을 수행하기 때문이다. 즉, 상기 제 1 전하수송패턴(120)의 형성물질에 의해 상기 제 2 전하수송패턴(140)이 용해되어, 소자의 특성이 열화될 수 있기 때문이다.
상기 불용화 물질은 상기 제 2 전하수송 물질을 서로 가교시키는 가교제일 수 있다. 이를테면, 상기 가교제는 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent)일 수 있다. 이때, 상기 전하수송물질은 상기 유기발광패턴(130)으로 전자를 원활하게 수송할 수 있는 물질로, 폴리{[9,9-비스(6'(N,N,N-트리-메틸암모늄)헥실-플로렌-2,7-다일]-알트-[2,5-비스(p-페닐렌)-1,3,4-옥사디아졸]}(PFON+(CH3)3I--PBD)일 수 있다.
또는, 상기 불용화 물질은 제 2 전하수송 물질을 상기 유기발광패턴(130)에 고정시키기위한 바인더 수지를 상호 결합시키는 가교제일 수 있다. 이를테면, 상기 바인더 수지의 가교제는 아지리딘, 카르보디이미드, 옥시란, 알코올, 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 카르복실 화합물, 아민, 에폭시드, 비닐 술폰, 아미드, 알릴 화합물 및 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent) 중 어느 하나일 수 있다. 이때, 상기 바인더는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지 및 폴리실록산계 수지, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐피리딘 및 폴리에틸렌옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 제 2 전하수송물질은 8-하이드록시퀴놀리노-알루미늄(Alq3), 벤조퀴놀리놀 착체(Bebq2), 트리아졸 유도체(TAZ), 페난트로린 유도체(MEPHPH) 등과 같은 전자수송성 유기·무기 금속 착체 화합물, 삼불화메탄술폰산 리튬(LiCF3SO3), 과염소산 리튬(LiClO4), 사불화붕산 리튬(LiBF4), 육불화인산 리튬(LiPF6) 및 리튬 비스트리플루오로메탄술포닐아미드( LiN(CF3SO2)2)등과 같 은 이온성 화합물일 수 있다.
여기서, 상기 제 2 전하수송패턴(140)은 후술할 제 2 전극(150)으로부터 제공되는 전자를 상기 유기발광패턴(130)으로 원활하게 제공하는 전자수송패턴일 수 있다. 이와 더불어, 상기 제 2 전하수송패턴(140)은 정공이 상기 제 2 전극(150)으로 이동하는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
결과적으로, 기판(100)상에 각 서브픽셀 단위로 제 1 전극(110), 제 1 전하수송패턴(120), 유기발광패턴(130), 제 2 전하수송패턴(140)이 분리되어 형성되어 있어, 크로스 토크가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또, 상기 유기발광패턴(130)으로 전자와 정공을 효율적으로 제공할 뿐만 아니라, 상기 전자와 상기 정공이 상기 유기발광패턴(130)을 벗어나는 것을 방지함으로써 발광효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 상기 제 1 전하수송패턴(120) 및 상기 제 2 전하수송패턴(140)을 상기 제 1 전하수송패턴의 형성물질에 대해 불용성을 가지도록 형성함으로써, 공정 수를 저감할 수 있는 포토리소그래피 공정을 통한 패터닝 공정이 가능하다.
상기 제 2 전하수송패턴(140)상에 제 2 전극(150)이 형성되어 있다. 상기 제 2 전극(150)은 상기 제 2 전하수송패턴(140)을 통해서 상기 유기발광패턴(130)으로 전자를 제공하는 역할을 수행한다. 상기 제 2 전극(150)은 상기 제 1 전극을 이루는 도전물질보다 일함수가 작은 도전물질로 형성되어 있다. 이를테면, 상기 제 2 전극(150)은 Mg, Ca, Al, Ag, Li, 이들의 합금등을 들 수 있다.
여기서, 본 발명의 제 1 실시예에서 상기 제 1 전하수송패턴(120)은 정공을 수송하고, 상기 제 2 전하수송패턴(140)은 전자를 수송하는 것에 대하여 한정하여 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 이와 달리 상기 제 1 전하수송패턴(120)은 전자를 수송할 수 있고, 상기 제 2 전하수송패턴(140)은 정공을 수송하는 역할을 할 수 있다. 이때, 상기 제 1 전극(110)은 상기 제 2 전극(150)을 형성하는 도전물질의 일함수보다 낮은 도전 물질로 형성되어 있다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들로서, 서로 다른 색상을 구현하는 제 1, 제 2, 제 3 서브픽셀을 한정하여 도시하였다.
도 3a를 참조하면, 기판(200)을 제공한다. 상기 기판(200)은 게이트 배선과 데이터 배선이 교차되도록 형성함으로써, 다수의 서브픽셀을 정의하도록 한다. 또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 기판(200)의 각 서브픽셀영역에는 적어도 하나의 박막트랜지스터와 캐패시터가 형성되어 있을 수 있다.
상기 기판(200)상에 각 서브픽셀 단위로 제 1 전극(210)을 형성한다. 즉, 상기 기판(200)의 전면에 제 1 도전물질을 증착한 뒤, 패터닝하여 제 1, 제 2, 제 3 서브픽셀영역(200a, 200b, 200c)에 각각 위치하는 제 1 전극(210)을 형성한다.
상기 제 1 도전물질은 ITO 또는 IZO 중 어느 하나일 수 있다. 이때, 상기 제 1 도전물질은 증착방법은 스퍼터링법을 이용할 수 있다.
이후, 상기 각 서브픽셀영역을 정의하는 서브픽셀 분리패턴(215)을 각 상기 제 1 전극(210)상에 형성한다. 상기 서브픽셀 분리패턴(215)은 절연물질로 형성되어 있다. 여기서, 상기 서브픽셀 분리패턴(215)은 상기 제 1 전극(210)의 가장자리 는 덮도록 형성되고, 상기 서브픽셀 영역이 개구되도록 형성한다. 이로써, 상기 서브픽셀 분리막(215)은 상기 제 1 전극(210)의 끝단부에 발생하는 전하집중현상에 의해, 상기 제 1 전극(210)의 끝단부와 후술할 제 2 전극간의 절연막이 손상되어 발생하는 쇼트불량을 방지하는 역할을 할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 제 1 서브픽셀영역(200a)에 대응된 제 1 전극(210)상에 제 1 정공수송패턴(220a), 제 1 유기발광패턴(230a) 및 제 1 전자수송패턴(240a)을 형성한다.
자세하게, 상기 제 1 전극(210)을 포함하는 상기 기판(100)전면에 걸쳐, 제 1 정공수송패턴(220a)의 형성물질을 습식공정으로 도포하여 제 1 정공수송층을 형성한다.
상기 습식공정은 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 닥터 블레이드법, 딥 코팅법, 스핀 코팅법등을 들 수 있다.
상기 제 1 정공수송패턴(220a)의 형성물질은 정공수송물질 및 용매를 포함할 수 있다. 이를테면, 상기 정공수송 물질은 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물 및 스피로기를 갖는 비페닐 유도체, N, N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노)비페닐(NPB) 중 어느 하나일 수 있다. 상기 용매는 물 또는 알콜계의 유기용매일 수 있다.
상기 제 1 정공수송패턴(220a)의 형성물질은 상기 제 1 정공수송패턴(220a)을 불용화시키기 위한 불용화 물질을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 불용화 물질 은 정공수송층의 물질과 가교반응을 일으키는 가교제일 수 있다. 이를테면, 상기 가교제는 상기 가교제는 아지리딘, 카르보디이미드, 옥시란, 알코올, 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 카르복실 화합물, 아민, 에폭시드, 비닐 술폰, 아미드, 알릴 화합물 및 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent) 중 어느 하나일 수 있다.
또, 이와 달리, 상기 제 1 정공수송패턴(220a)의 형성물질 중 정공수송물질이 습식 공정이 어려운 단분자일 경우, 상기 제 1 정공수송패턴(220a)의 형성물질은 정공수송물질, 바인더 및 용매를 포함할 수 있다. 이를 테면, 상기 정공수송 물질은 티타늄 디옥사이드(TiO2), 징크 옥사이트(SnO2) 및 틴 옥사이드(SnO2)와 같은 금속 산화물일 수 있다. 상기 바인더는 상기 정공수송물질을 피도막 기판에 고정하며, 균일하게 형성할 수 있는 역할을 한다. 상기 바인더는 폴리실록산계 화합물일 수 있다. 더 나아가, 상기 제 1 정공수송패턴(220a)을 불용화시키기 위한 불용화 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 불용화 물질은 상기 바인더를 가교시키는 가교제로써, 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent)일 수 있다. 또, 상기 용매는 물 또는 알콜계 유기용매 중 어느 하나일 수 있다.
상기 제 1 정공수송층에 열경화 및 광경화공정을 수행하여, 상기 제 1 정공수송층을 불용화시킨다.
이후, 상기 제 1 정공수송층상에 제 1 유기발광층 형설물질을 도포한 뒤, 제 1전자수송패턴의 형성물질을 습식공정을 통하여 도포하여 제 1 전자수송층을 형성한다. 여기서, 상기 습식공정은 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 닥터 블레이드법, 딥 코팅법, 스핀 코팅법등을 들 수 있다.
상기 제 1 전자수송패턴(240a)의 형성물질은 전자수송물질, 불용화 물질 및 용매를 포함한다. 여기서, 상기 전자수송물질이 폴리{[9,9-비스(6'(N,N,N-트리-메틸암모늄)헥실-플로렌-2,7-다일]-알트-[2,5-비스(p-페닐렌)-1,3,4-옥사디아졸]}(PFON+(CH3)3I--PBD)와 같이, 습식공정이 가능하다면, 상기 불용화 물질은 상기 정공수송물질을 서로 가교시키는 가교제일 수 있다. 상기 가교제는 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent)일 수 있다.
또는, 상기 전자수송물질 자체만으로 습식공정이 어려운 경우, 상기 제 1 전자수송패턴(240a)의 형성물질은 바인더를 더 포함시킴으로써, 습식 공정을 통해 제 1 전자수송층을 형성할 수 있다. 이때, 상기 불용화 물질은 상기 바인더와 가교반응을 일으킬 수 있는 가교제로써, 이를테면, 아지리딘, 카르보디이미드, 옥시란, 알코올, 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 카르복실 화합물, 아민, 에폭시드, 비닐 술폰, 아미드, 알릴 화합물 및 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent) 중 어느 하나일 수 있다. 상기 바인더는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지 및 폴리실록산계 수지, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐피리딘, 폴리에틸렌옥사이드등을 들 수 있다. 또, 상기 정공수송물질은 8-하이드록시퀴놀리노-알루미늄(Alq3), 벤조퀴놀리놀 착체(Bebq2), 트리아졸 유도체(TAZ), 페난트로린 유도체(MEPHPH) 등과 같은 전자수송성 유기·무기 금속 착체 화합물, 삼불화메탄술폰산 리튬(LiCF3SO3), 과 염소산 리튬(LiClO4), 사불화붕산 리튬( LiBF4), 육불화인산 리튬(LiPF6), 리튬 비스트리플루오로메탄술포닐아미드( LiN(CF3SO2)2)등과 같은 이온성 화합물일 수 있다.
또, 상기 용매는 상기 유기발광층과의 혼용을 방지하기 위해, 물 또는 알콜계 유기용매일 수 있다.
이후, 상기 제 1 전자수송층상에 포토레지스트 필름을 형성한 뒤, 노광 및 현상 공정을 거쳐, 상기 제 1 서브픽셀영역(200a)에 대응되어 위치하는 제 1 포토레지스터 패턴(245a)을 형성한다. 여기서, 상기 포토레지스트 필름은 포지티브 감광성 수지로 형성한다. 이는, 상기 노광공정시, 상기 제 1 유기발광층이 광과 반응하여, 열화될 수 있기 때문이다.
이후, 상기 제 1 감광성막 패턴(245a)에 따라, 상기 제 1 정공수송층, 상기 제 1 유기발광층 및 상기 제 1 전자수송층을 식각하여, 상기 제 1 서브픽셀 영역(200a)에 위치하는 제 1 정공수송패턴(220a), 제 1 유기발광패턴(230a), 제 1 전자수송패턴(240a)을 형성한다.
상기 제 1 정공수송패턴(220a)과 상기 제 1 전자수송패턴(240a)은 불용화 물질에 의해 용액에 대한 불용성을 가지게 된다. 특히, 상기 제 1 전자수송패턴(240a)은 상기 제 1 정공수송층의 형성물질에 대해 불용성을 가지게 된다.
도 3c를 참조하면, 상기 제 1 감광성막 패턴(245a)을 포함하는 기판전면에 걸쳐, 제 2 정공수송층(220'), 제 2 유기발광층(230') 및 제 2 전자수송층(240')을 습식공정을 통하여 순차적으로 형성한다. 상기 제 2 정공수송층(220')과 상기 제 2 전자수송층(240')은 상술한 제 1 정공수송층과 제 1 전자수송층과 동일한 물질로 형성된다.
이때, 상기 제 1 정공수송패턴(220a)과 상기 제 1 전자수송패턴(240a)의 측벽부분이 상기 제 2 정공수송층(220')의 형성물질에 대해 노출되어, 용해될 수 있다. 이로 인하여, 소자 특성이 열화될 수 있다. 즉, 상기 제 1 정공수송패턴(220a)과 상기 제 1 전자수송패턴(240a)을 형성하기 위한 용매는 물 또는 알콜계 유기용매를 사용하므로, 물 또는 알콜계 유기용매를 포함하는 상기 제 2 정공수송층(220')의 형성물질에 의해 쉽게 용해될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서는 상기 제 1 정공수송패턴(220a)과 상기 제 1 전자수송패턴(240a)은 용액에 대해 용해되는 것을 저지시키기 위한 불용화 물질을 포함하고 있으며, 열 경화 또는 광 경화 공정을 거침으로써 불용성을 가지게 되므로, 이와 같은 문제를 해결할 수 있다.
다음 공정을 위해, 불용화물질을 포함하고 있는 상기 제 2 전자수송층(240')을 형성한 후에 열경화 공정을 거쳐, 상기 제 2 전자수송층(220')을 불용화 시킨다.
더 나아가, 상기 제 2 정공수송층(220')은 열경화 또는 광경화 공정을 거쳐 불용화시킨다.
도 3d를 참조하면, 상기 제 2 서브픽셀 영역(200b)에 대응된 상기 제 2 전자수송층(240')상에 위치하는 제 2 포토레지스트 패턴(245b)을 형성한다. 여기서, 상 기 제 2 포토레지스터 패턴(245b)은 상기 제 2 유기발광층(230')이 광에 의해 열화되는 것을 방지하기 위해, 포지티브 감광성 수지로 형성된다.
상기 제 2 포토레지스트 패턴(245b)에 따라, 상기 제 2 정공수송층(도 3c에서 220'), 제 2 유기발광층(도 3c에서 230') 및 제 2 전자수송층(도 3c에서 240')을 식각하여 상기 제 2 서브픽셀 영역(200b)에 위치하는 제 2 정공수송패턴(220b), 제 2 유기발광패턴(230b) 및 제 2 전자수송패턴(240b)을 형성한다.
도 3e를 참조하면, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(245b)을 포함하는 기판전면에 걸쳐, 제 3 정공수송층(220"), 제 3 유기발광층(230") 및 제 3 전자수송층(240")을 습식공정을 통하여 순차적으로 형성한다. 상기 제 3 정공수송층(220") 및 제 3 전자수송층(240")은 상기 제 1 정공수송층과 상기 제 1 전자수송층과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 제 2 정공수송패턴(220b) 및 제 2 전자수송패턴(240b)이 용액에 대해 불용성을 가지므로, 손상없이 습식공정을 거쳐 제 3 정공수송층(220"), 제 3 유기발광층(230") 및 제 3 전자수송층(240")을 형성할 수 있다.
도 3f를 참조하면, 상기 제 3 서브픽셀 영역(200c)에 대응된 상기 제 3 전자수송층(240")상에 제 3 포토레지스트 패턴(245c)을 형성한다. 여기서, 상기 제 3 포토레지스트 패턴(245c)은 상기 제 3 유기발광층(230")이 광에 의해 열화되는 것을 방지하기 위해, 포지티브 감광성 수지로 형성된다.
상기 제 3 포토레지스트 패턴(245c)에 따라, 상기 제 3 정공수송층(220"), 제 3 유기발광층(230") 및 제 3 전자수송층(240")을 식각하여 상기 제 3 서브픽셀 영역(200c)에 위치하는 제 3 정공수송패턴(220c), 제 3 유기발광패턴(230c) 및 제 3 전자수송패턴(240c)을 형성한다.
이후, 상기 제 1, 제 2 , 제 3 포토레지스트 패턴(245a, 245b, 245c)을 도 3g에서와 같이, 일괄적으로 제거함으로써 상기 기판(100)상에 각 서브픽셀 단위로 패터닝되어 있는 제 1 전하수송패턴, 유기발광패턴 및 제 2 전하수송패턴을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 제 1 전하수송패턴은 제 1, 제 2, 제 3 정공수송패턴(220a, 220b, 220c)을 포함하며, 상기 유기발광패턴은 제 1, 제 2, 제 3 유기발광패턴(230a, 230b, 230c)포함하고, 상기 제 2 전하수송패턴은 제 1, 제 2, 제 3 전자수송패턴(240a, 240b, 240c)을 포함한다.
이로써, 소자의 열화되는 것을 방지하며, 습식 공정을 통해 제 1 전하수송패턴, 유기발광패턴 및 제 2 전하수송패턴을 형성할 수 있었다.
또, 상기 제 1 전하수송패턴 및 상기 제 2 전하수송패턴을 상기 제 1 전하수송패턴의 형성물질에 대해 불용성을 가지도록 형성하여, 각 서브픽셀 단위로 제 1 전하수송패턴, 유기발광층 및 제 2 전하수송패턴을 일괄 식각하며, 포토레지스트 패턴을 동시에 제거함으로써, 공정 수를 절감할 수 있었다.
또, 상기 포토레지스트 패턴을 동시에 제거함에 따라, 상기 감광성막 패턴의 스트립 용액에 상기 제 1 전하수송패턴, 유기발광층 및 제 2 전하수송패턴의 노출시간을 줄일 수 있어, 상기 스트립 용액에 의해서 열화되는 것을 방지할 수 있다.
도 3h를 참조하면, 상기 제 1, 제 2, 제 3 전자수송패턴(240a, 240b, 240c)상에 제 2 전극(250)을 형성한다. 상기 제 2 전극(250)은 상기 제 1 전극(210)보다 일함수가 작은 도전물질로 이루어질 수 있다. 이를테면, 상기 제 2 전극(250)은 Mg, Ca, Al, Ag, Li 및 이들의 합금 중 어느 하나로 형성할 수 있다. 이때, 상기 제 2 전극(250)은 진공증착법 또는 스퍼터링법을 통해 형성될 수 있다.
이후, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 유기발광층이 외부의 수분 및 산소에 의해 열화되는 것을 방지하기 위한 봉지공정을 더 수행할 수 있다.
이로써, 상기 제 1 전하수송패턴과 상기 제 2 전하수송패턴을 각 서브픽셀 단위로 패터닝함으로써, 크로스 토크가 발생하는 것을 방지할 수 있어, 화질이 뛰어난 유기 전계 발광 표시 장치를 제조할 수 있다.
또, 상기 제 2 전하수송패턴을 용매에 대해 불용성을 가지도록 하여, 습식공정 및 포토리소그래피 공정을 수행하여 형성된 유기발광패턴이 열화되는 것을 방지할 수 있었다. 이로 인하여, 완성된 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명에서, 각 서브픽셀 단위로 패터닝된 전하수송패턴을 형성하여, 크로스 토크에 의한 화질 저하 문제가 해결된 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하였다.
또한, 상기 전하수송패턴은 습식공정을 통한 도막 형성공정 및 포토리소그래 피를 이용한 상기 도막의 패터닝 공정을 통해 형성함에 있어, 상기 전하수송 패턴을 불용화시켜, 유기발광패턴이 열화되어 소자의 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있는 유기전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하였다.
이와 더불어, 습식 공정을 통한 도막을 형성하여, 대량 생산 및 대면적에 유리한 유기 전계 발광 장치의 제조 방법을 제공하였다.
또한, 상기 전하수송패턴이 포토리소그래피를 이용한 패터닝 공정으로 형성되어, 생산 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 정밀한 패턴을 구현할 수 있는 유기 전계 발광 장치의 제조 방법을 제공하였다.
Claims (22)
- 기판상에 배치되고 독립적으로 패터닝된 제 1 전극;상기 제 1 전극상에 배치된 제 1 전하수송패턴;상기 제 1 전하수송패턴상에 배치된 유기발광패턴;상기 유기발광패턴상에 배치되고, 불용화 물질을 포함하는 제 2 전하수송패턴; 및상기 제 2 전하수송패턴 상에 배치된 제 2 전극을 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 불용화 물질은 상기 제 2 전하수송 패턴을 이루는 제 2 전하수송 물질들을 상호 결합시키는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 불용화 물질은 상기 제 2 전하수송 패턴을 이루는 제 2 전하수송물질들을 상기 유기발광패턴상에 고정하기 위한 바인더수지를 상호 결합시키는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 불용화 물질은 아지리딘, 카르보디이미드, 옥시란, 알코올, 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 카르복실 화합물, 아민, 에폭시드, 비닐 술폰, 아미드, 알릴 화합물 및 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전하수송패턴은 상기 제 2 전극으로부터 상기 유기발광 패턴으로 전자를 전달하는 전자수송패턴 또는 상기 제 2 전극으로부터 상기 유기발광 패턴으로 정공을 전달하는 정공수송패턴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전하수송패턴은 제 1 불용화 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 불용화 물질은 상기 제 1 전하수송패턴을 이루는 제 1 전하수송물질을 상호 결합시키는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 불용화 물질은 상기 제 1 전하수송패턴을 이루는 제 1 전하수송물질을 상기 제 1 전극상에 고정하기 위한 바인더수지들을 서로 상호 결합시키는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 불용화 물질은 아지리딘, 카르보디이미드, 옥시란, 알코올, 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 카르복실 화합물, 아민, 에폭시드, 비닐 술폰, 아미드, 알릴 화합물 및 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극을 포함하는 기판상에 배치되고, 상기 제 1 전극을 노출하되, 상기 제 1 전극의 에지부를 감싸는 개구부를 갖는 서브픽셀 분리 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 기판을 제공하는 단계;상기 기판상에 서브픽셀 단위로 패터닝된 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극이 덮이도록 순차적으로 제 1 전하수송층, 유기발광층 및 상기 제 1 전하수송층의 형성 물질에 대해 용해되는 것을 방지하기 위한 불용화 물질을 가지는 제 2 전하수송층을 형성하는 단계;상기 제 1 전하수송층, 상기 유기발광층, 상기 제 2 전하수송층들을 상기 서브픽셀 단위로 패터닝하여 상기 제1 전극상에 위치하는 제 1 전하수송패턴, 유기발광패턴, 제 2 전하수송패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 2 전하수송층 패턴상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 불용화 물질은 상기 제 2 전하수송층을 이루는 제 2 전하수송 물질들을 상호 결합시키는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 불용화 물질은 상기 제 2 전하수송층을 이루는 제 2 전하수송물질들을 상기 유기발광층상에 고정하기 위한 바인더수지를 상호 결합시키는 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 불용화 물질은 아지리딘, 카르보디이미드, 옥시란, 알코올, 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 카르복실 화합물, 아민, 에폭시드, 비닐 술폰, 아미드, 알릴 화합물 및 실란계 커플링 에이전트(silane coupling agent)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전하수송층, 상기 유기발광층 및 상기 제 2 전하수송층은 습식공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 습식공정은 스핀 코팅법, 바 코팅법, 스프레이 코팅법, 닥트블레이드 코팅법 및 딥 코팅법으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,제 1 전하수송패턴, 유기발광패턴, 제 2 전하수송패턴을 형성하는 단계는상기 제 2 전하수송층상에 포토레지스트 필름을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 필름을 패터닝하여 상기 제 2 전하수송층상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제 1 전하수송층, 유기발광층, 제 2 전하수송층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 포토레지스트 필름은 포지티브 감광성 수지로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 2 전하수송층을 형성하는 단계 이후, 열 경화 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전하수송층은 불용화 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 1 전하수송층을 형성한 후, 상기 제 1 전하수송층에 열경화 공정 또는 광경화공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극을 형성하는 단계이후에,상기 기판상에 상기 제 1 전극을 노출하되, 상기 제 1 전극의 에지부를 감싸는 개구부를 갖는 서브픽셀 분리 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012169696A1 (ko) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 한밭대학교산학협력단 | 바코팅을 이용한 유기반도체 박막의 제조방법 |
| KR20140117722A (ko) * | 2013-03-26 | 2014-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 필름 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| KR20140145701A (ko) * | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 구조물의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102537611B1 (ko) * | 2022-07-11 | 2023-05-26 | 한양대학교 산학협력단 | 전하 수송 복합체 및 이를 포함하는 전하 수송층의 고해상도 패터닝 방법, 이를 포함하는 전하 수송층 조성물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5982146B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2016-08-31 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法 |
| CN104241553A (zh) * | 2014-10-13 | 2014-12-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件的制备方法及其制得的oled器件 |
| CN105098100B (zh) * | 2015-06-24 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制备方法、显示面板和显示装置 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6661029B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-12-09 | General Electric Company | Color tunable organic electroluminescent light source |
| US6699597B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein |
| JP4017441B2 (ja) | 2002-04-26 | 2007-12-05 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
| US7030553B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012169696A1 (ko) * | 2011-06-07 | 2012-12-13 | 한밭대학교산학협력단 | 바코팅을 이용한 유기반도체 박막의 제조방법 |
| KR20140117722A (ko) * | 2013-03-26 | 2014-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 필름 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| KR20140145701A (ko) * | 2013-06-14 | 2014-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 구조물의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102537611B1 (ko) * | 2022-07-11 | 2023-05-26 | 한양대학교 산학협력단 | 전하 수송 복합체 및 이를 포함하는 전하 수송층의 고해상도 패터닝 방법, 이를 포함하는 전하 수송층 조성물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
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