KR20080025626A - 전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판, 기판 상에 위치하는 제 1 전극, 제 1 전극과 동일한 적층으로 제 1 전극과 전기적으로 구분 형성된 보조 전극, 제 1 전극 및 보조 전극 상에 위치하며, 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 개구부와 보조 전극의 일부를 노출시키는 제 2 개구부를 포함하는 절연막, 절연막 상의 제 1 개구부 내에 위치하는 발광층, 및 발광층 상에 위치하며 절연막의 제 2 개구부를 통해 보조 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 포함하는 전계발광소자를 제공한다.

전계발광소자, 제 2 전극, 보조 전극

Description

전계발광소자 및 그 제조방법{Light emitting device and fabrication method of the same}

도 1은 종래 기술에 따른 전계발광소자의 구조를 도시한 단면도.

도 2a 및 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 평면도.

도 3a는 도 2b 상의 A1-A2 선을 따라 절단한 단면도.

도 3b는 도 2b 상의 A3-A4 선을 따라 절단한 단면도.

도 4a 내지 도 13b는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 평면도들 및 단면도들.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

210 : 기판 215 : 게이트 전극

220 : 제 1 절연막 222 : 제 1 반도체층

224 : 제 2 반도체층 226 : 제 2 절연막

230 : 금속전극(S/D metal) 240 : 제 3 절연막

250a : 제 1 전극 250b : 보조 전극

260 : 제 4 절연막 270 : 발광층

280 : 제 2 전극

본 발명은 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

평판표시소자(Flat Panel Display Device) 중에서 전계발광소자(Light Emitting Device)는 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시장치이다. 전계발광소자는 액정표시소자에서 사용되는 백라이트가 필요하지 않아 경량박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 낮은 소비 전력, 넓은 시야각 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 나타낸다.

그 중, 유기전계발광소자는 애노드와 캐소드 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 포함하고 있어 애노드로부터 공급받은 정공과 캐소드로부터 공급받은 전자가 유기발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥 상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.

상기와 같은 유기전계발광소자는 풀-컬러를 구현하기 위하여, 적색, 녹색 및 청색 발광층을 포함하는 다수의 화소를 포함하여야 하며, 적색, 녹색 및 청색 발광층은 진공 증착법 등에 의하여 각각 패터닝될 수 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 전계발광소자의 구조를 도시한 단면도이다.

도 1을 참조하면, 기판(110) 상에, 게이트 전극(115), 층간 절연막인 제 1 절연막(120), 전하의 이동 채널을 형성하는 제 1 반도체층(122), 소오스와 드레인으로 구분되는 제 2 반도체층(124), 제 2 절연막(126), 드레인에 해당하는 제 2 반도체층(124)의 일부와 전기적으로 연결되는 금속 전극(130; S/D metal)을 포함하는 박막 트랜지스터(T)가 위치한다.

박막 트랜지스터(T) 상에는 금속 전극(130)의 일부를 노출시키며, 평탄화 또는 패시베이션을 위한 제 3 절연막(140)이 위치할 수 있다. 또한, 제 3 절연막(140) 상에는 제 3 절연막(140)을 관통하여 금속 전극(130)과 전기적으로 연결되는 제 1 전극(150), 화소 영역을 구분하는 제 4 절연막(160), 발광층(170) 및 제 2 전극(180)을 포함하는 발광 다이오드가 위치한다.

상세하게는 제 1 전극(150)은 각 화소별로 구분되도록 형성된다. 제 1 전극(150) 상에는 제 1 전극들 사이를 절연시키며 제 1 전극(150)의 일부를 노출시키는 제 4 절연막(160)이 위치할 수 있으며, 발광층(170)은 노출된 제 1 전극(150)을 포함하는 소정 영역 상에 위치한다. 발광층(170)은 적색, 녹색 및 청색을 포함할 수 있으며, 섀도우 마스크를 이용하여 진공 증착법을 수행함으로써, 각 화소별로 패터닝될 수 있다. 제 2 전극(180)은 발광층(170)을 포함하는 기판(110) 상에 위치하며, 전면 전극으로 형성된다.

상기와 같은 전계발광소자는 발광 다이오드에서 발생되는 빛이 취출되는 방향에 따라서 배면 발광형, 전면 발광형 또는 양면 발광형으로 분류될 수 있다. 여기서, 전면 발광형 전계발광소자는 기판과 반대방향으로 빛이 취출되기 때문에, 제 2 전극은 빛을 투과시키기 위하여 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO)와 같 은 투명도전막으로 형성하거나, 금속을 이용하여 얇은 두께로 형성된다.

그러나, 제 2 전극을 상기와 같이 형성하게 되면 제 2 전극의 면저항이 높아지는 문제점이 있다. 또한, 제 2 전극은 전면 전극의 형태로 형성되므로 제 2 전극의 면저항에 의하여 각 화소에 전달되는 신호들이 지연되어 각 화소의 휘도가 불균일하게 된다. 특히, 대면적 전계발광소자의 경우 이러한 신호 전달의 지연은 더욱 심각하여, 원하는 영상 이미지를 표현할 수 없는 문제가 발생한다.

이상과 같은 문제들을 해결하기 위해 본 발명은, 휘도의 균일성 및 화면의 품위를 향상시킬 수 있는 전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판, 기판 상에 위치하는 제 1 전극, 제 1 전극과 동일한 적층으로 제 1 전극과 전기적으로 구분 형성된 보조 전극, 제 1 전극 및 보조 전극 상에 위치하며, 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 개구부와 보조 전극의 일부를 노출시키는 제 2 개구부를 포함하는 절연막, 절연막 상의 제 1 개구부 내에 위치하는 발광층, 및 발광층 상에 위치하며 절연막의 제 2 개구부를 통해 보조 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 포함하는 전계발광소자를 제공한다.

제 1 전극은 광학적으로 60 내지 90% 범위의 반사 특성이 있는 도전층을 포함할 수 있다.

제 1 전극은 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 은, 니켈, 금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

보조 전극은 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 은, 니켈, 금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

발광층은 유기물로 이루어질 수 있다.

이상의 전계발광소자는 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명은 기판을 제공하는 단계, 기판 상에 제 1 전극 및 제 1 전극과 전기적으로 구분되는 보조 전극을 형성하는 단계, 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 개구부와 보조 전극의 일부를 노출시키는 제 2 개구부를 포함하는 절연막을 형성하는 단계. 절연막 상에 제 2 개구부가 노출되도록 발광층을 형성하는 단계, 및 발광층 상에 위치하며 절연막의 제 2 개구부를 통해 보조 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.

보조 전극을 형성하는 단계는 사진 식각 공정을 수행하여 형성할 수 있다.

발광층을 형성하는 단계는 섀도우 마스크를 이용하여 진공 증착법을 수행하여 형성할 수 있다.

섀도우 마스크는 기판과 얼라인시, 제 1 및 제 2 개구부를 포함하는 절연막 상에서 적어도 제 2 개구부와 대응되는 영역에 위치하는 차단부를 포함할 수 있다.

발광층은 유기물을 포함하도록 형성할 수 있다.

이상의 전계발광소자의 제조방법은 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 방법을 더 포함할 수 있다.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 상세히 설명하도록 한다.

도 2a 및 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 평면도이다.

또한, 도 3a는 도 2b 상의 A1-A2 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 3b는 도 2b 상의 A3-A4 선을 따라 절단한 단면도이다.

이하, 도 2a는 제 2 전극(280)이 형성되어 도 2b 상의 상태로 완성되기 전 단계의 전계발광소자의 상태를 도시한다.

도 2a 내지 도 3b를 참조하면, 기판(210) 상에, 게이트 전극(215), 층간 절연막인 제 1 절연막(220), 전하의 이동 채널을 형성하는 제 1 반도체층(222), 소오스와 드레인으로 구분되는 제 2 반도체층(224), 제 2 절연막(226), 드레인에 해당하는 제 2 반도체층(224)의 일부와 전기적으로 연결되는 금속 전극(230; S/D metal)을 포함하는 박막 트랜지스터(T)가 위치한다.

박막 트랜지스터(T) 상에는 금속 전극(230)의 일부를 노출시키는 제 3 절연막(240)이 위치한다. 제 3 절연막(240)은 평탄화 또는 패시베이션을 위한 절연막일 수 있다.

제 3 절연막(240) 상에는 제 3 절연막(240)을 관통하여 금속 전극(230)과 전기적으로 연결되는 제 1 전극(250a)이 위치한다. 제 1 전극(250a)은 소자의 발광 방향에 따라 반사막 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자가 상부 발광형일 경우, 제 1 전극(250a)은 광학적으로 60 내지 90% 범위의 반사율을 갖도록 반사 특성이 좋은 금속층을 포함할 수 있다. 이때, 반사율이 좋은 금속층은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 텅스텐(W), 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 또한, 일함수 조정이 필요할 경우, 하나 이상의 일함수 조정층이 추가로 포함될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 전극(250a)이 애노드일 경우, 전술한 반사 특성이 좋은 금속층 상에 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ICO(Indium Cerium Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide)와 같은 일함수가 높은 투명 도전막을 더 형성할 수 있다.

한편, 제 3 절연막(230) 상에서 제 1 전극(250a)과 구분되는 영역에 보조 전극(250b)이 위치한다. 보조 전극(260)은 저항이 낮은 하나 이상의 금속막으로 이루어질 수 있으며, 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 텅스텐(W), 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.

제 1 전극(250a) 및 보조 전극(250b) 상에는 제 4 절연막(260)이 위치한다. 제 4 절연막(260)은 화소 정의막으로서, 제 1 전극(250a)들 간을 절연시키며 제 1 전극(250a)의 일부를 노출시키는 제 1 개구부와 보조 전극(250b)의 일부를 노출시 키는 제 2 개구부를 포함한다.

제 4 절연막(260) 상에서 제 1 개구부를 포함하며 제 2 개구부와 구분되는 영역에 발광층(270)이 형성된다. 발광층(270)은 유기물로 이루어질 수 있으며, 제 1 개구부를 통해 제 1 전극(250a)과 전기적으로 연결된다.

발광층(270)이 형성된 제 4 절연막(260) 상에는 제 2 전극(280)이 위치한다. 이때, 제 2 전극(280)은 제 2 개구부를 통해 보조 전극(250b)와 전기적으로 연결된다.

이상과 같은 구조를 갖는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자는 제 2 전극(280)이 보조 전극(250b)과 전기적으로 연결됨으로써 제 2 전극(280)의 빛 투과성에 대한 제약으로 발생하는 저항 문제를 해결할 수 있다. 따라서, 각 화소에 전달되는 신호들이 지연되어 각 화소의 휘도가 불균일하게 되는 문제를 방지할 수 있다.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 제조방법을 설명하기로 한다.

도 4a 내지 13b는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 평면도 및 단면도들이다.

도 4a와 도 4b는 기판(210) 상에 박막트랜지스터가 형성된 상태를 도시한 평면도이다. 또한, 도 5a는 도 4b 상의 A1-A2 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 5b는 도 4b 상의 A3-A4 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 4a 내지 도 5b를 참조하면, 기판(210) 상에 일정한 패턴으로 게이트 전극(215)을 형성한다. 게이트 전극(315)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W) 또는 텅스텐 실리사이드(WSi₂) 등을 사용하여 형성할 수 있다.

게이트 전극(215)이 형성된 기판(210) 상에는 게이트 절연막인 제 1 절연막(220)을 형성한다.

계속해서, 제 1 절연막(220) 상에 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 제 1 반도체층(222) 및 제 2 반도체층(224)을 형성한다. 제 1 반도체층(222)은 전하가 이동하는 채널 역할을 하며, 제 2 반도체층(224)은 둘로 나뉘어 소스와 드레인으로 구분될 수 있다.

제 1 및 제 2 반도체층(222, 224)이 형성된 기판(210) 상에는 드레인으로 구분되는 제 2 반도체층(224)의 일부를 노출시키는 개구부(H1)를 포함하며, 이웃한 반도체 층 간을 절연 구분하는 제 2 절연막(226)을 형성한다.

이후, 제 2 절연막(226) 상에 노출된 제 2 반도체층(224)과 전기적으로 연결되는 금속 전극(230; S/D metal)을 형성한다. 금속 전극(230; S/D metal)은 배선 저항을 낮추기 위해 저저항 물질, 예를 들면, 몰리 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 형성할 수 있다. 이로써, 게이트 전극(215), 제 1 절연막(220), 제 1 및 제 2 반도체층(222, 224), 제 2 절연막(226), 금속 전극(230)을 포함하는 박막 트랜지스터(T)가 형성된다.

도 6은 박막트랜지스터(T)가 형성된 기판(210) 상에 제 1 전극(250a)과 보조 전극(250b)을 형성한 상태를 도시한 평면도이다. 또한, 도 7a는 도 6 상의 A1-A2 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 7b는 도 6 상의 A3-A4 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 6 내지 도 7b를 참조하면, 금속 전극(230)이 형성된 기판(210) 상에 금속 전극(230)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함하도록 제 3 절연막(240)을 형성한다.

제 3 절연막(240)은 평탄화 또는 패시베이션을 위한 절연막일 수 있으며, 폴리이미드계 수지, 폴리아크릴계 수지, 벤조사이클로부텐계 수지, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 등을 이용하여 형성할 수 있다.

제 3 절연막(240) 상에, 제 3 절연막(240)을 관통하여 금속 전극(230)과 전기적으로 연결되는 제 1 전극(250a)을 형성한다. 여기서, 제 1 전극(250a)은 캐소드일 수 있으며, 제 1 전극(250a)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.

한편, 금속 전극(230)을 노출시키는 개구부를 포함하며 제 1 전극(250a)이 형성된 영역과 구분되는 영역에 제 1 전극(250a)과 전기적으로 구분되도록 보조 전극(250b)을 형성한다. 여기서, 보조 전극(250b)은 저항이 낮은 금속을 이용하여 하나 이상의 금속막으로 형성할 수 있으며, 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 텅스텐(W), 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au) 및 이들의 합금으로 이루어진 군 에서 선택된 어느 하나 이상으로 형성할 수 있다.

이상의 보조 전극(250b)은 하나의 층으로 형성한 것으로 도시 참조하여 설명하였으나, 본 발명의 보조 전극의 구조는 이에 국한되지 않으며, 저항이 낮은 하나 이상의 금속막으로 형성할 수도 있고, 제 1 전극(250a)과 동일한 금속을 포함하도록 형성할 수도 있다.

이상, 제 1 전극(250a)과 보조 전극(250b)은 공정의 수를 줄이기 위해 제 4 절연막(240) 상에 하나 이상의 금속막을 적층한 다음, 이를 사진 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써 동시에 형성할 수 있다.

도 8은 제 1 전극(250a)과 보조 전극(250b)을 형성한 기판(210) 상에 화소 정의막인 제 4 절연막(260)을 형성한 상태를 도시한 평면도이다. 또한, 도 9a는 도 8 상의 A1-A2 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 9b는 도 8 상의 A3-A4 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 8 내지 도 9b를 참조하면, 제 1 전극(250a) 및 보조 전극(250b) 상에 이웃한 제 1 전극(250a) 및 보조 전극(250b) 간을 절연시키는 화소 정의막인 제 4 절연막(260)을 형성한다. 계속해서, 사진 식각 공정을 수행해서 제 4 절연막(260)을 식각하여, 제 4 절연막(260) 내에 제 1 전극(250a)의 일부를 노출시키는 제 1 개구부(H2)과 보조 전극(250b)의 일부를 노출시키는 제 2 개구부(H3)를 형성한다.

도 10은 섀도우 마스크를 적용하여 제 4 절연막(260)의 제 1 개구부(도 9a의 H2 참조)를 포함하며, 제 2 개구부(도 9b의 H3 참조)와 구분되는 영역에 발광층(270)을 형성한 상태를 도시한 평면도이다. 또한, 도 11a는 도 10 상의 A1-A2 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 11b는 도 10 상의 A3-A4 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 10 내지 11b를 참조하면, 제 4 절연막(260)의 제 1 개구부(도 9a의 H2 참조) 내에 발광층(270)을 형성한다. 발광층(270)은 유기물로 형성할 수 있으며, 도시하지는 않았지만, 발광층(270)과 제 1 전극(250a)의 사이에 전자주입층 및/또는 전자수송층을 더 형성할 수 있다. 또한, 발광층(270)의 상부에 정공수송층 및/또는 정공주입층이 더 형성할 수 있다.

이상 제 1 전극(250a)을 캐소드인 경우로, 예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 전극 구조는 이에 국한되지 않으며, 제 1 전극(250a)이 애노드일 경우, 제 1 전극(250a)과 발광층(270) 사이에는 정공수송층 및/또는 정공주입층을 더 형성할 수 있다.

발광층(270)은 적색, 녹색 및 청색 발광층을 포함할 수 있다. 여기서, 발광층(270)은 섀도우 마스크(300)를 이용하여 진공 증착법을 수행하여 형성할 수 있다. 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 섀도우 마스크(300)는 개구부(300a) 및 차단부(300b)를 포함하고 있어, 원하는 영역에만 유기물을 증착할 수 있다.

이때, 발광층(270)은 후속하여 형성될 제 2 전극이 보조 전극(250b)과 전기적으로 연결되도록, 보조 전극(250b)의 일부가 노출되게 형성하여야 한다. 따라서, 섀도우 마스크(300)는 기판(210)과 얼라인시 적어도 보조 전극(250a)을 노출시키는 제 4 절연막(260)의 제 2 개구부(H3)와 대응되는 영역에 차단부(300b)를 포함하여야 한다.

도 12는 blank mask를 사용하여, 제 2 전극(280)을 전면 증착한 상태를 도시한 평면도이다. 또한, 도 13a는 도 12 상의 A1-A2 선을 따라 절단한 단면도이고, 도 13b는 도 12 상의 A3-A4 선을 따라 절단한 단면도이다.

도 12 내지 도 13b를 참조하면, 발광층(270) 및 보조 전극(250b)을 포함한 기판 상에, 제 2 전극(280)을 형성한다. 여기서 제 2 전극(280)은 애노드일 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ICO(Indium Cerium Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide)와 같은 일함수가 높은 투명도전막으로 형성할 수 있다. 이와는 달리, 제 2 전극(280)은 얇은 두께의 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 이때, 일함수를 맞추기 위하여 투명도전막을 더 포함할 수도 있다. 제 2 전극(280)은 화소별로 패터닝되지 않고, 기판(210) 상에 전면 전극으로 형성된다.

이상의 제 2 전극(280)은 제 4 절연막(260)의 제 2 개구부(도 10b의 H3 참조)를 통해 보조 전극(250b)과 전기적으로 연결된다. 보조 전극(250b)은 저항이 낮은 금속물질로 형성되었기 때문에 투명도전막 또는 얇은 도전막으로 이루어진 제 2 전극(280)의 면저항을 낮추는 역할을 한다. 따라서, 전계발광소자의 구동시, 제 2 전극(280)의 면저항에 따른 신호 지연을 방지하여 각 화소의 휘도를 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.

이상 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 전계발광소자의 발광층은 유기물, 무기물 중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함할 수 있다.

또한, 이상 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 전계발광소자는 애노드와 캐소드의 위치를 한정하여 설명하였으나, 본 발명에 따른 전계발광소자는 애노드와 캐소드의 위치에 의해 한정되지 않는다.

이상 본 발명은 하부 게이트 방식(bottom gate)의 박막트랜지스터를 적용한 경우로 예를 들어 설명하였으나 본 발명은 박막트랜지스터의 일부 유형에 국한되지 않는다.

이상 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 각 화소별 휘도의 균일성 및 시인성을 확보하여, 화면의 품위를 향상시킬 수 있는 전계발광소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims (12)

1. 기판;

   상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극;

   상기 제 1 전극과 동일한 적층으로 상기 제 1 전극과 전기적으로 구분 형성된 보조 전극;

   상기 제 1 전극 및 상기 보조 전극 상에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 개구부와 상기 보조 전극의 일부를 노출시키는 제 2 개구부를 포함하는 절연막;

   상기 절연막 상의 상기 제 1 개구부 내에 위치하는 발광층; 및

   상기 발광층 상에 위치하며 상기 절연막의 상기 제 2 개구부를 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 포함하는 전계발광소자.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 전극은 광학적으로 60 내지 90% 범위의 반사 특성이 있는 도전층을 포함하는 전계발광소자.
3. 제 1 항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 제 1 전극은 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 은, 니켈, 금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 전계발 광소자.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 보조 전극은 크롬, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 은, 니켈, 금 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속을 포함하는 전계발광소자.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 발광층은 유기물로 이루어진 전계발광소자.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터를 더 포함하는 전계발광소자.
7. 기판을 제공하는 단계;

   상기 기판 상에 제 1 전극 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 구분되는 보조 전극을 형성하는 단계;

   상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 개구부와 상기 보조 전극의 일부를 노출시키는 제 2 개구부를 포함하는 절연막을 형성하는 단계;

   상기 절연막 상에 상기 제 2 개구부가 노출되도록 발광층을 형성하는 단계; 및

   상기 발광층 상에 위치하며 상기 절연막의 상기 제 2 개구부를 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 보조 전극을 형성하는 단계는 사진 식각 공정을 수행하여 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
9. 제 7항에 있어서,

   상기 발광층을 형성하는 단계는 섀도우 마스크를 이용하여 진공 증착법을 수행하여 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
10. 제 9항에 있어서,

    상기 섀도우 마스크는 상기 기판과 얼라인시, 상기 제 1 및 제 2 개구부를 포함하는 상기 절연막 상에서 적어도 상기 제 2 개구부와 대응되는 영역에 위치하는 차단부를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
11. 제 7 항에 있어서,

    상기 발광층은 유기물을 포함하도록 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
12. 제 7 항에 있어서,

    상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 박막트랜지스터를 형성하는 방법을 더 포함하는 전계발광소자의 제조방법.

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