KR20080022639A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20080022639A KR20060086055A KR20060086055A KR20080022639A KR 20080022639 A KR20080022639 A KR 20080022639A KR 20060086055 A KR20060086055 A KR 20060086055A KR 20060086055 A KR20060086055 A KR 20060086055A KR 20080022639 A KR20080022639 A KR 20080022639A
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Abstract

본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자는 기판; LT-AlN층 및 LT-GaN층을 포함하는 초격자층과 ITO층이 1회 이상 교대로 적층되어 이루어지는 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 위에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물층을 포함한다. 또한, 상기 버퍼층은 최상층에 형성된 HT-GaN층을 포함하고, 상기 초격자층 및 상기 HT-GaN층 사이에 형성된 Al1Ga1-xN층을 포함한다.
본 발명에 의하면, GaN에 대한 우수한 결정 격자 결합 특성이 있는 버퍼층을 구비한 질화물 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. 또한, 기판층으로부터 반도체층으로의 n-형 도핑 현상을 해결하고, 전기적 특성과 외부양자 효율이 개선되어 질화물 반도체 발광소자의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법{Nitride semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof}
도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광소자의 적층 구조를 예시적으로 도시한 측단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 기판 위에 제1초격자층이 형성된 형태를 도시한 측면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제1초격자층 위에 ITO층이 형성된 형태를 도시한 측면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 ITO층 위에 제2초격자층이 형성된 형태를 도시한 측면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제2초격자층 위에 Al1Ga1-xN층이 형성된 형태를 도시한 측면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 Al1Ga1-xN층 위에 HT-GaN층이 형성된 형태를 도시한 측면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 HT-GaN층 위에 나머지 층이 형성된 형태를 도시한 측면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100: 질화물 반도체 발광소자 110: 기판
120: 버퍼층 121: 제1초격자층
122: ITO층 123: 제2초격자층
124: Al1Ga1-xN층 125: HT-GaN층
130: 언도프 질화물층 140: n형 질화물층
150: 활성층 160: p형 질화물층
170: 절연막층 180: P측 전극
190: n측 전극
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 발광소자로는 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)를 꼽을 수 있는데, LED는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.
LED의 사용 범위는 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)와 VLED(Visible Light Emitting Diode)로 나뉘어 진다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다.이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
상기와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등 요구되는 휘도가 갈수록 높아져서, 최근에는 고출력 발광 다이오드에 대한 개발이 활발히 진행 중이다.
특히, GaN(질화 갈륨), AlN(질화 알루미늄), InN(질화 인듐) 등의 3족 및 5족 화합물을 이용한 반도체광소자에 대해서 많은 연구와 투자가 이루어지고 있다. 이는 질화물 반도체 발광소자가 1.9 eV ~ 6.2 ev에 이르는 매우 넓은 영역의 밴드갭을 가지고, 이를 이용한 밴드갭 엔지니어링은 하나의 반도체상에서 빛의 삼원색을 구현할 수 있다는 장점이 있기 때문이다.
최근, 질화물 반도체를 이용한 청색 및 녹색 발광소자의 개발은 광디스플레이 시장에 일대 혁명을 몰고 왔으며, 앞으로도 고부가가치를 창출할 수 있는 유망 산업의 한 분야로 여겨지고 있다. 그러나, 전술한 바와 같이 이러한 질화물 반도체광소자에 있어서 보다 많은 산업상의 이용을 추구하려면 역시 발광휘도를 증가시키는 것이 선결되어야 할 과제이다.
도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광소자(10)의 적층 구조를 예시적으로 도시한 측단면도이다.
도 1에 의하면, 일반적인 질화물 반도체 발광소자(10)는 기판(11), 버퍼층(12), Undoped-GaN층(13), N형 반도체층(14), 활성층(15), P형 반도체층(16), 절연막(17), P-전극(18) 및 N-전극(19) 등으로 구성된다.
상기 기판(11)은 사파이어 또는 SiC로 이루어지며, 기판(11) 위에 저온의 성장 온도에서 가령, AlyGa1-yN층의 다결정 박막 구조인 버퍼층(12)이 성장된다.
상기 버퍼층(12)이 성장되면, 그 위로 Undoped-GaN층(13)이 성장되어 격자 일치도를 높이고, Si(실리콘)이 도핑된 N형 반도체층(GaN층)(14)이 형성된다.
상기 N형 반도체층(14) 위로 활성층(15)이 적층되고, 활성층(15) 위로 Mg(마그네슘)이 도핑된 P형 반도체층(GaN층)(16)이 형성되는데, 활성층(15)은 양자우물(MQW; Multiple Quantum Well) 구조로서, P형 반도체층(16)을 통하여 흐르는 정공과 N형 반도체층(14)을 통하여 흐르는 전자가 결합됨으로써 광을 발생시킨다. 이때, 양자 우물의 여기 준위 또는 에너지 밴드갭 차이에 해당되는 에너지의 빛이 발광된다.
또한, N형 반도체층(14) 및 P형 반도체층(16) 상에서는 절연막(17)이 형성되고 절연막(17) 위로 각각 N-전극(19)과 P-전극(18)이 형성되어 반도체 발광소자(10)를 형성한다.
이러한 질화물 반도체 발광소자 또는 레이저와 같은 광 디바이스를 구현하기 위해서 형성되는 버퍼층(12)은 기판(11)과 그 위에 성장되는 층 사이의 스트레스를 완충시키기 위한 역할을 하므로, 사파이어, SiC, 및 Si 등의 기판의 종류에 따라 GaN, AlGaN 등의 재질을 이용한 버퍼층 성장 기술을 적용하고 있다.
그러나, 무엇보다도 버퍼층(12)과 기판(11)과의 결정격자 상수의 차이가 크기 때문에, 버퍼층(12)은 기판(11) 및 버퍼층(12) 위에 성장되는 층 사이에 전위(dislocation) 또는 공격자점(vacancy) 등의 격자결함이 발생한다.
따라서, 기판과 기판상의 질화물층은 서로 결정 부정합을 감소시키는 양질의 결정 격자 결합이 이루어져야 한다.
본 발명은 격자결함이 없이 우수한 결정 격자 결합 특성을 가지는 버퍼층을 구비한 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 열적 충격에 의한 스트레스가 적은 버퍼층을 구비하고, Si 기판을 사용하여 반도체층을 고온 성장시키는 경우 Si가 반도체층으로 확산되어 박막의 결정 구조, 전기적 특성에 영향을 미치지 않는 격자 구조가 개선된 버퍼층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자는 기판; LT(Low-Temperature deposited)-AlN층 및 LT-GaN층을 포함하는 초격자층과 ITO(Indium Tin Oxide)층이 1회 이상 교대로 적층되어 이루어지는 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 위에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물층을 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자의 상기 버퍼층은 최상층에 형 성된 HT(High-Temperature deposited)-GaN층을 포함하고, 상기 초격자층 및 상기 HT-GaN층 사이에 형성된 Al1Ga1-xN층을 포함한다.
본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, 기판 위에 LT-AlN층 및 LT-GaN층을 포함하는 초격자층과 ITO(Indium Tin Oxide)층이 1회 이상 교대로 적층되어 버퍼층이 형성되는 단계; 상기 버퍼층 위에 n형 질화물층이 형성되는 단계; 상기 n형 질화물층 위에 활성층이 형성되는 단계; 및 상기 활성층 위에 p형 질화물층이 형성되는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법 중에서, 상기 버퍼층이 형성되는 단계는, 상기 초격자층과 상기 ITO층이 1회 이상 교대로 적층되는 단계; 및 상기 교대로 적층된 상기 초격자층 및 상기 ITO층 위에 HT-GaN층이 적층되는 단계를 포함한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자 및 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 대하여 상세히 설명하는데, 이해의 편의를 위하여 반도체 발광소자의 구조와 그 제조 방법을 함께 설명하기로 한다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)가 적층되는 구조를 공정 순서에 따라 그 형태를 도시한 측단면도이다.
우선, 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)가 도시되어 있는데, 질화물 반도체 발광소자(100)는 기판(110), 버퍼 층(120), 언도프(Undoped) 질화물층(130), n형 질화물층(140), 활성층(150), p형 질화물층(160), 절연막층(170), p측 전극(180) 및 n측 전극(190)을 포함하여 이루어지며, 상기 버퍼층(120)은 제1초격자층(121), ITO(Indium Tin Oxide)층(122), 제2초격자층(123), Al1Ga1-xN층(124) 및 HT(High-Temperature deposited)-GaN층(125)을 포함하여 구성된다.
이하, 도 2 내지 도 7을 참조하여 적층 순서대로 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 구조에 대하여 살펴본다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 기판(110) 위에 제1초격자층(121)이 형성된 형태를 도시한 측면도이다.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판(110)은 실리콘(Si) 재질로 이루어진 것으로 한다.
일반적으로, 실리콘 기판은, 첫째, 반도체층과의 격자 불일치(High lattice mismatch), 둘째, 1050℃ 이상의 고온에서 저하되는 Si의 열적 내구성(확산성이 증가됨), 셋째, 반도체층과 상이한 결정 구조(hexagonal/cubic) 등의 문제점을 가지는데, 본 발명에 의한 질화물 반도체 발광소자(100)는 이러한 문제점을 해소한다.
즉, 본 발명에 의하면, 단일 재질 기판에 기반하여 소자간 재질의 영향을 배제하고 공정상의 일률적 배치(Monolithic array)가 용이하며 저비용으로 반도체 소자를 대량 생산할 수 있는 기반을 마련할 수 있게 된다.
상기 버퍼층(120)을 형성하기 위하여, 최초로 제1초격자층(121)이 적층되는 데, 제1초격자층(121)은 LT(Low-Temperature deposited)-AlN층 및 LT-GaN층이 초격자(Superlattice) 구조를 이루어 교대로 수회 적층됨으로써 형성된다(도면에는 다수개의 세선으로 표시됨).
이때, 상기 제1초격자층(121)은 수 nm 내지 수십 nm의 두께로 성장되는데, 초격자 구조를 형성함에 있어서 아몰포스(Amorphous) 형태를 이룬다. 즉, 제1초격자층(121)은 단결정 구조와는 달리, 성분 원자(또는 분자)의 공간적 배열이 조성비에 따라 규칙적이지 않은 무정형질(비정질)의 형태를 가지는 것이다.
상기 초격자 구조란 상기 LT-AlN층 및 LT-GaN층과 같이 조성과 특성이 다른 물질이 극히 얇은 두께를 이루어 교대로 적층된 구조를 지칭한다.
본 발명에 의한 버퍼층(120)은, 종래 기판과 버퍼층의 격자상수 차이에 따른 스트레스를 감소시키고 내부 양자 효율을 좋게 하기 위하여 LT-AlN층 및 LT-GaN층의 초격자 구조로 설계된 것이다.
일반적으로 초격자는 격자상수가 매우 근사한 2가지 반도체결정박막으로 구성되지만, 본 발명의 실시예와 같이 격자상수가 다른 물질로 만들어지는 변형초격자, 아몰퍼스(비결정성) 초격자, 반도체 이외의 재료계로 제작된 초격자 등으로 제작될 수 있다.
한편, 상기 버퍼층(120)은 제1초격자층(121) 및 제2초격자층(123)의 구조에 의하여 LT버퍼층(Buffer-layer)의 특성을 갖는데, LT버퍼층은 기판(110)과의 격자 불일치를 16% 이하로 줄일 수 있다.
또한, 상기 제1초격자층(121)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 챔버 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 챔버에 기판이 장착되고, 500℃ 내지 700℃ 정도의 온도 환경에서 암모니아(NH3)와 TMGa(Trimethylgallium), TMAl(Trimethylaluminum)등의 금속유기물(Metal Organic Source)를 반응시켜 수십 내지 수백 Å의 두께로 LT-AlN층 및 LT-GaN층이 교대 적층될 수 있다.
이외에도, 상기 제1초격자층(121)은 분자선 에피택시 기술, 유기금속 기상생장 기술, 원자층 에피택시 기술 등과 같은 미세박막 결정성장 기술에 의하여 적층될 수 있음은 물론이다.
이와 같이 하여, 제1초격자층(121)이 형성되면, 그 위로 ITO(Indium Tin Oxide)층(122)이 형성되고, ITO층(122) 위로 제2초격자층(123)이 형성된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 제1초격자층(121) 위에 ITO층(122)이 형성된 형태를 도시한 측면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 ITO층(122) 위에 제2초격자층(123)이 형성된 형태를 도시한 측면도이다.
상기 ITO층(122)은 제1초격자층(121)과 제2초격자층(123) 사이에 구비됨으로써 빛이 버퍼층(120)에 흡수되는 것을 억제하고, 외부로 방출되는 빛의 양을 증대시켜 광효율을 향상시키는 기능을 한다.
상기 제2초격자층(123)의 형성 과정, 구조 및 특성은 전술한 제1초격자층(121)과 동일하므로 반복되는 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 제2초격자 층(123) 위에 Al1Ga1-xN층(124)이 형성된 형태를 도시한 측면도이다.
제2초격자층(123)의 표면 구조는 고품질을 이루나, 도 5에 도시된 것처럼, Al1Ga1-xN층(124)이 더 구비됨으로써 제2초격자층(123)의 표면 품질이 더 향상될 수 있다.
상기 Al1Ga1-xN층(124)은 약 700℃ 내지 1100℃의 그레이디드 온도(Graded temparature)에서 수십 nm 내지 수백 nm의 두께로 성장된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 Al1Ga1-xN층(124) 위에 HT-GaN층(125)이 형성된 형태를 도시한 측면도이다.
상기 Al1Ga1-xN층(124)이 형성되면, 도 6에 도시된 것처럼, 그 위로 HT(High-Temperature deposited)-GaN층(125)이 고온 환경에서 수백 nm 내지 수 um의 두께로 성장된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)의 HT-GaN층(125) 위에 나머지 층이 형성된 형태를 도시한 측면도이다.
이어서, 언도프(Undoped) 질화물층(130)이 HT-GaN층(125) 위에 형성되는데, 약 900℃ 내지 1100℃ 정도의 성장온도에서 NH3(4.0×10-2 몰/분)와 트리메탈갈륨(TMGa)(1.0×10-4 몰/분)을 공급하여 약 300 nm 두께로 형성된다.
이후, NH3(3.7×10-2 몰/분), TMGa(1.2×10-4 몰/분) 및 Si와 같은 n형 도펀트 를 포함한 실란가스(6.3×10-9 몰/분)를 공급하여 상기 언도프 질화물층(130) 위로 n형 질화물층(n-type GaN)(140)이 성장된다.
n형 질화물층(140)이 성장되면, 가령 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공법을 이용하여 InGaN/GaN으로 구성된 다중양자우물(Multi-Quantum Well : MQW) 구조를 가지는 활성층(150)이 형성된다.
상기 활성층(150)이 형성된 후, 수소를 캐리어 가스로 하여 900℃ 내지 1100℃로 분위기 온도를 높여 TMGa(7×10-6 몰/분), 트리메틸알루미늄(TMAl)(2.6×10-5 몰/분), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}(5.2×10-7 몰/분), 및 NH3(2.2×10-1 몰/분)을 공급하여 p형 질화물층(160)이 0.02 내지 1㎛의 두께로 성장된다.
이어서, 400℃ 내지 800℃의 온도에서 예컨대, 1분 내지 10분 동안 열어닐링 처리를 하여 p형질화물층(160)의 정공 농도가 최대가 되도록 조정한다.
이와 같이 기판(110)부터 p형 질화물층(160) 까지의 기본 적층 구조가 구현되면, 표면으로부터 습식 에칭, 예를 들어 이방성 습식에칭을 실행하여, n형 질화물층(140)의 일부를 노출시킨다.
에칭 공정이 진행된 후, SiO2와 같은 재질로 절연막층(170)이 형성되고, 절연막층(170)이 형성되지 않은 영역에 걸쳐 n형 질화물층 위로 티탄(Ti) 등으로 이 루어진 n측 전극(190)이 증착된다.
그리고, p형 질화물층(160) 위로 니켈(Ni) 등으로 이루어진 p측 전극(180)이 증착되는데, p측 전극(180)은 ITO, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx 중 하나로 이루어진 투명 전극으로 구현될 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명은 우수한 결정 격자 결합 특성이 있는 버퍼층을 구비한 질화물 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 전기적 특성과 외부양자 효율이 개선되어 질화물 반도체 발광소자의 동작 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, Si 기판의 고질적인 문제인 고온 환경에서 기판층의 구성 원소가 반도체층으로 확산(도핑)되는 현상을 억제하여 박막의 결정성 및 전기적 특성(Conduction control)을 약화시키는 문제점을 해결할 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판;
    LT-AlN층 및 LT-GaN층을 포함하는 초격자층과 ITO층이 1회 이상 교대로 적층되어 이루어지는 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 형성된 n형 질화물층;
    상기 n형 질화물층 위에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은
    상기 LT-AlN층 및 LT-GaN층을 포함하여 상기 기판 위에 형성된 제1초격자층;
    상기 제1초격자층 위에 형성되는 ITO층; 및
    상기 LT-AlN층 및 LT-GaN층을 포함하여 상기 ITO층 위에 형성되는 제2초격자층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은
    최상층에 형성된 HT-GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 버퍼층은
    상기 초격자층 및 상기 HT-GaN층 사이에 형성된 Al1Ga1-xN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 Al1Ga1-xN층은
    그레이디드 온드(Graded temparature)에서 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 Al1Ga1-xN층은
    수십 nm 내지 수백 nm의 두께로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 초격자층은
    수 nm 내지 수십 nm의 두께로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 제 3항에 있어서, 상기 HT-GaN층은
    수백 nm 내지 수 um의 두께로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층 및 상기 n형 질화물층 사이에 형성된 언도프 질화물층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
  10. 기판 위에 LT-AlN층 및 LT-GaN층을 포함하는 초격자층과 ITO층이 1회 이상 교대로 적층되어 버퍼층이 형성되는 단계;
    상기 버퍼층 위에 n형 질화물층이 형성되는 단계;
    상기 n형 질화물층 위에 활성층이 형성되는 단계; 및
    상기 활성층 위에 p형 질화물층이 형성되는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 버퍼층이 형성되는 단계는
    상기 초격자층과 상기 ITO층이 1회 이상 교대로 적층되는 단계; 및
    상기 교대로 적층된 상기 초격자층 및 상기 ITO층 위에 HT-GaN층이 적층되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 버퍼층이 형성되는 단계는
    상기 초격자층과 상기 ITO층이 1회 이상 교대로 적층되는 단계;
    상기 교대로 적층된 상기 초격자층 및 상기 ITO층 위에 Al1Ga1-xN층이 적층되 는 단계; 및
    상기 Al1Ga1-xN층 위에 HT-GaN층이 적층되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 버퍼층 위에 언도프(Undoped) 질화물층이 적층되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
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