KR20080021997A - 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체장비의 배기라인 내벽에 복수개의 분사노즐을 설치하여 세정액을 일정시간 동안 순차적으로 분사시켜줌으로써 파우더가 고착되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치에 관한 것이다.
이를 실현하기 위한 본 발명은 반도체장비의 배기라인 내벽에 고착되는 파우더를 제거하기 위한 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치에 있어서, 상기 배기라인 내부의 상측에 설치되어 하부 내벽을 향해 질소(N2)를 분사시키는 질소분사노즐; 상기 질소분사노즐에서 하측으로 소정 간격 이격되게 설치되어 각각 하측 방향으로 세정액을 분사시키는 복수개의 분사노즐; 상기 복수개의 분사노즐에 세정액을 공급시키는 세정액공급관; 및 상기 세정액공급관과 복수개의 각 분사노즐 사이에 각각 설치되어 세정액의 공급 또는 차단하는 역할을 하는 복수개의 밸브; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
파우더제거, 배기라인, 분사노즐, 시퀀스제어

Description

반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치 {Device for removing powder on semiconductor equipment exhaust line}
도 1의 (a)(b)는 종래 배기라인에 생성된 파우더 제거장치를 보여주는 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치를 보여주는 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 파우더 제거장치의 작동순서를 설명하기 위한 타임차트이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 배기라인 11 : 질소분사노즐
13 : 분사노즐 15 : 세정액공급관
P : 파우더 V : 밸브
본 발명은 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체장비의 배기라인 내벽에 복수개의 분사노즐을 설치하여 세정액을 일정시간 동안 순차적으로 분사시켜줌으로써 파우더가 고착되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정에서 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위해 사용되는 다양한 종류의 반응가스는 산화성분, 인화성분 및 유독성분을 보유하고 있기 때문에 사용을 마친 폐 가스를 그대로 대기중에 방출할 경우 인체에 유해할 뿐만 아니라 환경 오염을 유발시키게 된다.
이에 따라, 폐 가스의 유해성분함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리과정을 거쳐서 대기중으로 배출시키기 위해 폐 가스를 배기시키는 반도체 장비의 배기라인에는 폐 가스의 유독성분을 제거하기 위한 가스스크러버가 설치된다.
이러한 가스스크러버는 가스유입관이 배기라인에 연결되어 폐 가스를 공급받은 후, 여러 가지 방식에 의해 폐 가스를 세정하게 된다.
한편, 배기라인을 통해 가스스크러버에 공급되는 폐 가스에는 각종 반응부산물이 파우더 형태로 함유되어 있으며, 습식 가스스크러버의 세정액과 반응하여 파우더를 생성시킨다.
이러한 파우더는 폐 가스가 가스스크러버 본체에 공급되는 과정에서 배기라인의 내벽 또는 가스유입관의 내벽에 고착되어 관을 부식시키거나 유로를 차단하게 되므로, 파우더의 고착을 방지하기 위해 배기라인은 물론 가스스크러버의 가스유입관에 파우더제거장치가 설치된다.
도 1의 (a),(b)는 종래 배기라인에 생성된 파우더 제거장치를 보여주는 개략적인 구성도이다.
도 1의 (a)를 참조하면, 종래의 배기라인(100)의 내부에는 분사노즐(110)이 설치되어 세정액을 분사시킴으로써, 배기라인(100)의 내벽에 파우더(P)가 고착되는 것을 방지하도록 되어 있다. 또한, 도 1의 (b)과 같이 작동실린더(130)가 ㄱ자 형상의 배기라인(100) 상부에 설치되어 상기 배기라인(100)의 꺾이는 부분에 고착되는 파우더(P)를 제거하도록 구성되어 있는 것이 일반적인 구성이다.
그러나 도 1의 (a)와 같은 경우에는 상기 배기라인(100) 전체적으로 파우더(P)의 발생이 감소하긴 하지만, 세정액과 폐 가스가 만나는 부분에 파우더(P)가 고착되는 문제가 있다.
또한, 도 1의 (b) 경우 기계식 작동실린더(130)는 물리적인 마찰이 발생할 수 있어 폭발성 가스를 사용하지 않는 일부 공정에만 제한적으로 사용하는 단점이 있다.
또한, 상기 작동실린더(130)를 설치하기 위해 ㄱ자 형상으로 절곡되어 형성된 배기라인(100)은 폐 가스의 흐름이 원활치 못하게 되어 결과적으로 파우더(P)가 쉽게 고착될 수 있는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 반도체장비의 배기라인 내벽에 복수개의 분사노즐을 설치하여 세정액을 일정시간 동안 순차적으로 분사 시켜줌으로써 파우더가 고착되는 것을 방지할 수 있는 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치는,
반도체장비의 배기라인 내벽에 고착되는 파우더를 제거하기 위한 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치에 있어서,
상기 배기라인 내부의 상측에 설치되어 하부 내벽을 향해 질소(N2)를 분사시키는 질소분사노즐; 상기 질소분사노즐에서 하측으로 소정 간격 이격되게 설치되어 각각 하측방향으로 세정액을 분사시키는 복수개의 분사노즐; 상기 복수개의 분사노즐에 세정액을 공급시키는 세정액공급관; 및 상기 세정액공급관과 복수개의 각 분사노즐 사이에 각각 설치되어 세정액의 공급 또는 차단하는 역할을 하는 복수개의 밸브; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수개의 밸브는 순차제어 프로그래밍에 의해 순차적인 공급 또는 차단이 이루어질 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수개의 밸브는 세정액의 공급시간이 각각 하부의 밸브로부터 상부의 밸브 순으로 크게 설정된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치를 보여주는 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 파우더 제거장치의 작동순서를 설명하기 위한 타임차트이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치는 질소분사노즐(11), 분사노즐(13), 세정액공급관(15), 밸브(V)를 포함하여 구성된다.
상기 질소분사노즐(11)은 배기라인(10)의 상측에 설치되어 질소(N2)를 일정압력으로 강하게 분사시켜 줌으로써, 후술할 상부분사노즐(13a) 상측의 내벽(a)에 고착되어 있는 파우더(P)를 주로 제거시키는 역할을 한다.
상기 분사노즐(13)은 상기 배기라인(10)의 내부에 설치되며, 도시된 예에서는 상부분사노즐(13a), 중간분사노즐(13b), 하부분사노즐(13c)로 이루어진 경우를 예시하고 있으나 배기라인(10)의 길이에 따라 증감할 수 있음은 자명한 것이다.
상기 상부분사노즐(13a)은 상기 질소분사노즐(11)에서 하측으로 소정거리 이격되게 설치되며 하부의 내벽을 향해 세정액을 분사시킬 수 있도록 되어있다.
상기 중간분사노즐(13b)은 상기 상부분사노즐(13a)에서 하측으로 소정거리 이격되게 설치되며 하부의 내벽을 향해 세정액을 분사시킬 수 있도록 되어있다.
상기 하부분사노즐(13c)은 상기 중간분사노즐(13b)에서 하측으로 소정거리 이격되게 설치되며 하부의 내벽을 향해 세정액을 분사시킬 수 있도록 되어있다.
상기 세정액공급관(15)은 상기 분사노즐(13)에 세정액을 공급시키는 역할을 한다.
상기 밸브(V)는 상부밸브(V1), 중간밸브(V2), 하부밸브(V3)로 이루어져 있다. 상기 밸브(V1)(V2)(V3)는 상기 세정액공급관(15)과 상기 분사노즐(13a)(13b)(13c) 사이에 각각 설치되어 세정액의 공급 또는 차단이 이루어질 수 있도록 하는 역할을 한다.
도 3을 참조하여 본 발명에 따른 파우더 제거장치의 작용을 설명하면, 상기 배기라인(10)의 내벽에 고착되는 파우더(P)를 제거시키기 위하여 상기 복수개의 분사노즐(13)에서는 순차제어 프로그래밍에 의해 설정된 순서(하부→중간→상부)에 따라 세정액을 분사시키게 된다.
먼저, 상기 하부밸브(V3)가 열림(On) 상태가 되면 하부분사노즐(13c)에서 하부 내벽(d)에 일정시간 동안 세정액을 분사시킴으로써, 상기 배기라인(10) 내벽(d)에 파우더(P)가 고착되는 것을 방지할 수 있도록 되어 있다.
상기 하부분사노즐(13c)에서 소정의 시간 동안 세정액이 분사되면, 상기 분사되는 세정액과 폐 가스가 만나는 부분인 내벽(c)에 파우더(P)가 생성된다.
이 경우 상기 하부밸브(V3)는 닫힘(Off) 상태로 전환되고 중간밸브(V2)가 열림(On) 상태로 전환되면서 상기 중간분사노즐(13b)에서 세정액이 분사됨에 따라 상기 내벽(c)에 생성된 파우더(P)가 제거된다.
또한, 상기 중간분사노즐(13b)에서 소정의 시간 동안 세정액이 분사되면 상 기 세정액과 폐 가스가 만나는 부분인 상측의 내벽(b)에도 파우더(P)가 생성된다.
이 경우 상기 중간밸브(V2)는 닫힘(Off) 상태로 전환되고 상기 상부밸브(V1)가 열림(On) 상태로 되면서 상부분사노즐(13a)에서 세정액이 분사됨에 따라 상기 내벽(b)의 파우더(P)가 제거된다.
또한, 상기 상부분사노즐(13a)에서 분사되는 세정액과 폐 가스가 만나는 부분인 상측 내벽(a)에 생성되는 파우더(P)는 상기 배기라인(10)의 상부에 설치된 질소분사노즐(11)에서 분사되는 질소(N2)에 의해 제거된다.
여기서, 상기 상부분사노즐(13a) 근처의 내벽은 하부분사노즐(13c) 근처의 내벽에 비해 파우더(P)가 적게 생성된다. 따라서, 세정액의 공급시간이 각각 하부밸브(V3),중간밸브(V2), 상부밸브(V1)의 순으로 크게 설정되는 것이 바람직하다.
이와 같이 상기 복수개의 밸브(V)를 소정의 시간 동안 순차적으로 열림 또는 닫힘 상태로 전환해가며 상기 복수개의 분사노즐(13)에서 순차적으로 세정액을 분사시킴으로써, 상기 배기라인(10)의 내벽에 고착되는 파우더(P)를 제거할 수 있게 된다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않으며 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능함은 물론이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치는 반도체장비의 배기라인 내부에 복수개의 분사노즐을 설치하여 순차제어 프로그래밍에 의해 순차적으로 세정액을 분사시켜줌으로써, 상기 배기라인의 내벽에 파우더가 고착되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.

Claims (3)

  1. 반도체장비의 배기라인 내벽에 고착되는 파우더를 제거하기 위한 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치에 있어서,
    상기 배기라인 내부의 상측에 설치되어 하부 내벽을 향해 질소(N2)를 분사시키는 질소분사노즐;
    상기 질소분사노즐에서 하측으로 소정 간격 이격되게 설치되어 각각 하측방향으로 세정액을 분사시키는 복수개의 분사노즐;
    상기 복수개의 분사노즐에 세정액을 공급시키는 세정액공급관; 및
    상기 세정액공급관과 복수개의 각 분사노즐 사이에 각각 설치되어 세정액의 공급 또는 차단하는 역할을 하는 복수개의 밸브;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수개의 밸브는 순차제어 프로그래밍에 의해 순차적인 공급 또는 차단이 이루어질 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 복수개의 밸브는 세정액의 공급시간이 각각 하부의 밸브로부터 상부의 밸브 순으로 크게 설정된 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장비 배기라인의 파우더 제거장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220168283A (ko) * 2021-06-16 2022-12-23 박종민 스크류실린더를 이용한 가스처리설비용 파우더제거장치

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