KR20080013552A - Plasma processing apparatus - Google Patents

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KR20080013552A KR1020060075232A KR20060075232A KR20080013552A KR 20080013552 A KR20080013552 A KR 20080013552A KR 1020060075232 A KR1020060075232 A KR 1020060075232A KR 20060075232 A KR20060075232 A KR 20060075232A KR 20080013552 A KR20080013552 A KR 20080013552A
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Abstract

A plasma processing apparatus is provided to activate the reaction of source and reactive gases on a wafer or glass through a showering method by individually spraying each gas without mixing them. Plural gas supplying holes(22,24) are formed on an upper chamber(20). Different gases are flowed in the gas supplying holes. A shower head(30) is coupled to the upper chamber by intermediating a predetermined space. The shower head has plural spray holes(32). The spray holes are communicated with only one of the gas supplying holes of the upper chamber. A lower chamber(50) is coupled to the upper chamber. A substrate(70) and a mounting plate(60) of the substrate are mounted in the lower chamber. An auxiliary gas supplying hole(52) is formed around an upper side of the substrate. Another gas is flowed in the auxiliary gas supplying hole. An inner chamber(40) is formed between the upper chamber and the shower head. Gas supplying holes communicated with the gas supplying holes of the upper chamber are formed on the inner chamber.

Description

플라즈마 처리장치{Plasma processing apparatus}Plasma processing apparatus

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 구성을 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a plasma processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1의 하부챔버 사시도.Figure 2 is a perspective view of the lower chamber of Figure 1;

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치의 구성을 나타낸 단면도.3 is a cross-sectional view showing the configuration of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에서 보조 와셔헤드의 구성을 나타낸 저면사시도.4 is a bottom perspective view showing the configuration of the auxiliary washer head in FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

20 : 상부챔버 22 : 제 1가스공급구20: upper chamber 22: the first gas supply port

24 : 제 2가스공급구 30 : 샤워헤드24: second gas supply port 30: shower head

32 : 분사공 40 : 내부챔버32: injection hole 40: inner chamber

42,44 : 가스공급구 46 : 분사헤드42,44 gas supply port 46 injection head

50 : 하부챔버 52 : 보조 가스공급구50: lower chamber 52: auxiliary gas supply port

70 : 기판 80 : 보조 샤워헤드70 substrate 80 auxiliary shower head

82 : 제 1연결공 84 : 제 2연결공82: first connection hole 84: second connection hole

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태의 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 함에 있어서, 각각 다른 성분의 가스들을 혼합하여 분사하지 않고, 각각 별도로 분사시켜서 플라즈마 처리하도록 한 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, in generating a plasma in a vacuum chamber and performing a predetermined treatment on a substrate, the plasma processing is performed by separately injecting gas without mixing different components. It relates to a device to be made.

일반적으로, 반도체 및 평판표시장치 등의 제조 공정 중, 웨이퍼 또는 기판의 제조 공정에서는 건식 식각이나, 물리적 또는 화학적 기상 증착, 감광제 세정 및 기타 처리 등의 단위 공정에서 플라즈마를 이용한 방법이 널리 이용되고 있다.In general, in the manufacturing process of semiconductors and flat panel display devices, in the manufacturing process of wafers or substrates, a method using plasma is widely used in unit processes such as dry etching, physical or chemical vapor deposition, photoresist cleaning, and other processing. .

여기서 플라즈마를 이용한 박막증착장치는 저온에서 양질의 박막을 증착하기 위한 방법으로, 플라즈마 분사시 샤워헤드에 형성된 다수의 분사공을 이용하여 샤워링(Showering) 방식을 통해 소스가스와 반응가스의 반응을 보다 활성화시켜 박막을 증착하는 장치이다.Here, the thin film deposition apparatus using plasma is a method for depositing a high quality thin film at a low temperature, and the reaction of the source gas and the reactive gas through a showering method using a plurality of injection holes formed in the shower head during plasma injection. It is a device to deposit more thin film by activating.

종래의 박막증착장치는, 하부에 배기구가 형성되고 내부 환경을 진공상태로 유지하면서 박막 증착이 이루어지는 챔버와, 상기 챔버의 상부에 위치하며 상하로 관통된 다수의 분사공이 형성되어 소스가스 공급부 및 반응가스 공급부로부터 공급된 소스가스 및 반응가스를 분사하는 샤워헤드와, 상기 챔버 내에 구비되어 박막 증착 대상인 웨이퍼 또는 기판(이하, 기판이라 통칭함)을 지지함과 동시에 소정의 열원을 제공하는 히터가 구비된 탑재대를 포함하여 구성된다.In the conventional thin film deposition apparatus, the exhaust port is formed at the lower part, and the chamber in which the thin film is deposited while maintaining the internal environment in a vacuum state, and a plurality of injection holes positioned at the upper part of the chamber and penetrated up and down are formed to supply the source gas and react. Shower head for injecting the source gas and the reaction gas supplied from the gas supply unit, and a heater provided in the chamber to support a wafer or substrate (hereinafter, referred to as a substrate) to be deposited thin film and provides a predetermined heat source is provided It is configured to include a mounted mount.

여기서 상기 샤워헤드는 그 상부에 소스가스 공급부 및 반응가스 공급부로부 터 소스가스 및 반응가스가 공급되는 가스 공급구가 각각 위치되고, 플라즈마 발생을 위한 RF 전원 공급부가 연결된다.Here, the shower head has a gas supply port through which the source gas and the reaction gas are supplied from the source gas supply unit and the reaction gas supply unit, respectively, and an RF power supply unit for plasma generation is connected.

이와 같이 구성된 박막증착장치를 이용한 기판 상의 박막 증착 과정을 간단히 설명하면 다음과 같다.A thin film deposition process on a substrate using the thin film deposition apparatus configured as described above will be described below.

탑재대에 구비된 히터가 구동하여 증착대상인 기판을 가열한 상태에서, 기판의 상측에 위치된 샤워헤드에 고주파 전원을 인가하면, 상기 샤워헤드 내부에 전기적인 방전으로 인해 전하를 띤 플라즈마가 생성된다.When a high frequency power is applied to the shower head located above the substrate while the heater provided in the mount is driven to heat the substrate to be deposited, a charged plasma is generated due to electric discharge inside the shower head. .

이후, 샤워헤드에 공급된 소스가스 및 반응가스는 전하를 띤 양이온과 전자, 라디컬 이온으로 이온화되고, 플라즈마 상태의 반응가스가 소스가스를 활성화시켜 상기 샤워헤드에서 분사된 소스가스 이온이 기판상에 박막으로 증착되는 것이다.Thereafter, the source gas and the reactant gas supplied to the showerhead are ionized with charged cations, electrons, and radical ions, and the reactant gas in the plasma state activates the source gas so that the source gas ions injected from the showerhead are on the substrate. It is deposited as a thin film.

그러나, 종래의 플라즈마 처리장치는, 소스가스와 반응가스가 하나의 가스 공급구를 통해 유입되어 믹싱(Mixing)된 후, 샤워헤드의 분사공을 통해 분사되어 기판을 처리하게 됨으로써, OLED 등의 웨이퍼 또는 글래스와 같이 표면 바로 위에서 반응을 해야 하는 경우에는 이러한 장치를 적용하기가 불가능하거나, 또는 적용하더라도 그 효과가 저하되는 문제점이 있었다.However, in the conventional plasma processing apparatus, a source gas and a reaction gas are introduced through a gas supply port, mixed, mixed, and then sprayed through an injection hole of a shower head to process a substrate, thereby processing a wafer such as an OLED. Or if it is necessary to react directly on the surface, such as glass, it is impossible to apply such a device, or even if applied, there was a problem that the effect is reduced.

이에, 본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 진공상태의 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 함에 있어서, 각각 다른 성분의 가스들을 혼합하여 분사하지 않고, 각각 별도로 분사시킴으 로써, OLED 등의 웨이퍼 또는 글래스와 같이 표면 바로 위에서 반응을 해야 하는 경우에도 적용할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above problems, in generating a plasma in the vacuum chamber to perform a predetermined treatment on the substrate, each of the gases of different components are not mixed and sprayed separately, By spraying, it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus that can be applied even when the reaction needs to be performed directly on a surface such as a wafer or glass such as an OLED.

상기와 같은 목적달성을 위한 본 발명의 플라즈마 처리장치는, 다른 성분의 가스가 각각 인입되기 위한 복수의 가스공급구가 형성된 상부챔버와; 상기 상부챔버와 소정의 공간부를 사이에 두고 결합되되, 상기 상부챔버의 가스공급구들 중, 어느 하나의 가스공급구와만 연통되는 복수의 분사공을 갖는 샤워헤드와; 상기 상부챔버와 결합되고, 기판과, 상기 기판의 탑재대가 내재되되, 상기 기판의 상부측 둘레에는 또 다른 가스가 인입되기 위한 보조 가스공급구가 형성된 하부챔버를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Plasma processing apparatus of the present invention for achieving the above object, the upper chamber is formed with a plurality of gas supply port for introducing the gas of different components, respectively; A shower head coupled with the upper chamber and a predetermined space therebetween, the shower head having a plurality of injection holes communicating with any one of the gas supply ports of the upper chamber; The lower chamber is coupled to the upper chamber and includes a substrate and a mounting table of the substrate, and includes a lower chamber having an auxiliary gas supply port for introducing another gas around the upper side of the substrate.

이 경우, 상기 상부챔버와 샤워헤드 사이에는 상기 상부챔버의 가스공급구들과 연통되는 가스공급구들이 형성된 내부챔버가 더 구비되는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that an inner chamber is further provided between the upper chamber and the shower head, the gas supply holes communicating with the gas supply holes of the upper chamber.

또한, 상기 상부챔버와 내부챔버의 연통된 가스공급구들 중, 상기 샤워헤드의 분사공과 연통되지 않는 가스공급구의 단부에는 상기 기판으로 가스를 분사하기 위한 분사헤드가 형성되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that an injection head for injecting gas into the substrate is formed at an end of the gas supply port which is not in communication with the injection hole of the shower head among the gas supply ports communicated between the upper chamber and the inner chamber.

더 바람직하게는, 상기 분사헤드가 내부챔버의 둘레에 형성되는 것이다.More preferably, the injection head is formed around the inner chamber.

한편, 상기 상부챔버와 내부챔버의 연통된 가스공급구들과 각각 연통되기 위한 연결공들이 형성된 보조 샤워헤드를 더 포함할 수 있다.On the other hand, it may further include an auxiliary shower head formed with connecting holes for communicating with each of the gas supply ports communicated between the upper chamber and the inner chamber.

이 경우, 상기 보조 샤워헤드의 연결공들은, 상기 샤워헤드의 분사공과 수직 방향으로 일치되게 형성된 제 1연결공들과, 상기 상부챔버와 내부챔버의 연통된 가스공급구들 중, 상기 샤워헤드의 분사공과 연통되지 않는 가스공급구와 수평방향으로 연통되고 다시 수직방향으로 연장되어 아랫방향으로 개구된 복수의 제 2연결공들로 이루어지는 것이 바람직하다.In this case, the connection holes of the auxiliary shower head, the first connection holes formed to coincide in the vertical direction with the injection hole of the shower head, and the injection of the shower head of the gas supply holes in communication between the upper chamber and the inner chamber It is preferable that the plurality of second connection holes communicate in the horizontal direction with the gas supply port which is not in communication with the ball and extend in the vertical direction again and open in the downward direction.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치(10)의 구성을 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 하부챔버 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a plasma processing apparatus 10 according to the present invention, Figure 2 is a perspective view of the lower chamber of FIG.

도시된 바와 같이, 각각 다른 성분의 가스가 인입되기 위한 복수의 가스공급구(22,24)가 형성된 상부챔버(20)가 구비되어 있다.As shown in the drawing, the upper chamber 20 is provided with a plurality of gas supply ports 22 and 24 for introducing gas of different components.

또한, 상기 상부챔버(20)와 소정의 공간부를 사이에 두고 결합되되, 상기 상부챔버(20)의 가스공급구(22,24)들 중, 제 1가스공급구(22)와만 연통되는 복수의 분사공(32)을 갖는 샤워헤드(30)가 구비되어 상기 상부챔버(20)에 장착되어 있다.In addition, a plurality of coupled to the upper chamber 20 and a predetermined space portion therebetween, of the gas supply ports 22 and 24 of the upper chamber 20, the plurality of communication with only the first gas supply port 22 A shower head 30 having an injection hole 32 is provided and mounted to the upper chamber 20.

이때, 상기 상부챔버(20)와 샤워헤드(30) 사이에는 상기 상부챔버(20)의 가스공급구(22,24)들과 연통되는 가스공급구(42,44)들이 형성된 내부챔버(40)가 설치되며, 상기 내부챔버(40)에 소정의 공간이 형성되어 샤워헤드(30)와의 사이에 공간부를 형성하게 되는 것이며, 샤워헤드(30)는 내부챔버(40)에 장착되는 것이 바람직하다.In this case, an inner chamber 40 having gas supply holes 42 and 44 communicating with gas supply holes 22 and 24 of the upper chamber 20 between the upper chamber 20 and the shower head 30. Is installed, a predetermined space is formed in the inner chamber 40 to form a space between the shower head 30, the shower head 30 is preferably mounted to the inner chamber (40).

한편, 상기 상부헤드(20)의 제 2가스공급구(24)와 연통되는 내부챔버(40)의 가스공급구(44)의 끝단에는 기판(70)에 가스를 분사하기 위한 분사헤드(46)가 설치되는데, 이 분사헤드(46)는 내부챔버(40)의 내부 둘레에 형성되어 있다.On the other hand, the injection head 46 for injecting gas to the substrate 70 at the end of the gas supply port 44 of the inner chamber 40 in communication with the second gas supply port 24 of the upper head 20 The injection head 46 is formed around the inside of the inner chamber 40.

한편, 상기 상부챔버(20)와 결합되어 그 내부공간을 진공상태로 하되, 기판(70)과, 상기 기판의 탑재대(60)가 내재되는 하부챔버(50)가 구비되어 있는데, 상기 하부챔버(50)에서 기판(70)이 위치하는 상부측 둘레에는 또 다른 가스가 인입되기 위한 보조 가스공급구(52)가 형성되어 있다.On the other hand, it is coupled to the upper chamber 20 to make the internal space in a vacuum state, the substrate 70 and the lower chamber 50 is provided with the mounting table 60 of the substrate is provided, the lower chamber At 50, an auxiliary gas supply port 52 for introducing another gas is formed around the upper side where the substrate 70 is located.

따라서, 상기 상부챔버(20)와 하부챔버(50)가 결합된 상태에서, 상부챔버(20)의 제 1가스공급구(22)를 통해 제 1가스를 공급하게 되면, 이 제 1가스는 상기 상부챔버(20)의 제 1가스공급구(22)와 연통되는 내부챔버(40)의 가스공급구(42)를 통과하여 내부챔버(40)와 샤워헤드(30) 사이의 공간부로 유입된 후, 샤워헤드(30)의 분사공(32)들을 통하여 하부챔버(50)의 기판(70)으로 분사된다.Accordingly, when the first gas is supplied through the first gas supply port 22 of the upper chamber 20 while the upper chamber 20 and the lower chamber 50 are coupled to each other, the first gas may be After passing through the gas supply port 42 of the inner chamber 40 in communication with the first gas supply port 22 of the upper chamber 20 flows into the space between the inner chamber 40 and the shower head 30 The sprayer 32 is sprayed to the substrate 70 of the lower chamber 50 through the spray holes 32 of the shower head 30.

또한, 상부챔버(20)의 제 2가스공급구(24)를 통해 제 2가스를 공급하게 되면, 이 제 2가스는 상기 상부챔버(20)의 제 2가스공급구(24)와 연통되는 내부챔버(40)의 가스공급구(44)를 통과하여 분사헤드(46)를 통해 하부챔버(50)의 기판(70)으로 직접 분사된다.In addition, when the second gas is supplied through the second gas supply port 24 of the upper chamber 20, the second gas is communicated with the second gas supply port 24 of the upper chamber 20. Passed through the gas supply port 44 of the chamber 40 is injected directly to the substrate 70 of the lower chamber 50 through the injection head 46.

따라서, 제 1가스와 제 2가스가 믹스되지 않고 각각 따로 분사되어 기판(70)의 위에서 바로 반응하여 플라즈마 처리됨으로써, OLED 등의 웨이퍼 또는 글래스와 같이 표면 바로 위에서 반응을 해야 하는 경우에 적용하는 것이 가능해지게 된다.Therefore, when the first gas and the second gas are not mixed and sprayed separately, and reacted directly on the substrate 70 to perform plasma treatment, the present invention is applied to the case where the reaction should be performed directly on the surface such as a wafer or glass such as OLED. It becomes possible.

또한, 상기 제 1가스와 제 2가스외에 다른 성분의 제 3가스를 더 공급하여 반응시켜야 할 경우에는, 상기 하부챔버(50)의 상측 둘레에 형성된 보조 가스공급 구(52)를 통하여 공급해줌으로써, 제 1가스와 제 2가스 및 제 3가스를 기판 위에서 반응시켜 플라즈마 처리되도록 하면 된다.In addition, when a third gas of another component other than the first gas and the second gas needs to be supplied and reacted, it is supplied through an auxiliary gas supply port 52 formed around the upper side of the lower chamber 50, What is necessary is just to make a 1st gas, 2nd gas, and 3rd gas react on a board | substrate, and to carry out a plasma process.

한편, 도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치의 구성을 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 3에서 보조 샤워헤드의 구성을 나타낸 저면사시도이다.On the other hand, Figure 3 is a cross-sectional view showing the configuration of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, Figure 4 is a bottom perspective view showing the configuration of the auxiliary shower head in FIG.

본 실시 예를 설명함에 있어서, 앞선 실시 예와 동일한 부분에 대하여는 동일부호를 부여하여 설명하고, 그 반복되는 설명은 생략하여 설명하기로 한다.In the description of the present embodiment, the same parts as in the previous embodiment will be described with the same reference numerals, and repeated description thereof will be omitted.

도시된 바와 같이, 상부챔버(20)와 내부챔버(40)의 연통된 가스공급구(22-42, 24-44)들과 각각 연통되기 위한 연결공(82,84)들이 형성된 보조 샤워헤드(80)를 더 구비되어 있다.As shown, the auxiliary shower head formed with connecting holes 82 and 84 for communicating with the gas supply ports 22-42 and 24-44 of the upper chamber 20 and the inner chamber 40, respectively. 80) is further provided.

상기 보조 샤워헤드(80)는, 샤워헤드(30)의 아래쪽에 설치되는 것으로서, 상기 보조 샤워헤드(80)에는 상기 샤워헤드(30)의 분사공(32)과 수직방향으로 일치되게 제 1연결공(82)들이 형성되어 있다.The auxiliary shower head 80 is installed below the shower head 30, and the auxiliary shower head 80 has a first connection to vertically coincide with the injection hole 32 of the shower head 30. Balls 82 are formed.

또한, 상기 제 1연결공(82)들 사이에는 상기 상부챔버(20)와 내부챔버(40)의 연통된 가스공급구(22-42, 24-44)들 중, 상기 샤워헤드(30)의 분사공(32)과 연통되지 않는 가스공급구(24-44)와 수평방향으로 연통되고 다시 수직방향으로 연장되어 아랫방향으로 개구된 복수의 제 2연결공(84)들이 형성되어 있다.In addition, among the gas supply holes 22-42 and 24-44 communicating with the upper chamber 20 and the inner chamber 40 between the first connection holes 82, the shower head 30 may be formed. A plurality of second connecting holes 84 communicating with the gas supply holes 24-44 which are not in communication with the injection hole 32 and extending in the vertical direction and opening in the lower direction are formed.

따라서, 상기 상부챔버(20)와 하부챔버(50)가 결합된 상태에서, 상부챔버(20)의 제 1가스공급구(22)를 통해 제 1가스를 공급하게 되면, 이 제 1가스는 상기 상부챔버(20)의 제 1가스공급구(22)와 연통되는 내부챔버(40)의 가스공급구(42) 를 통과하여 내부챔버(42)와 샤워헤드(30) 사이의 공간부로 유입된 후, 샤워헤드(30)의 분사공(32)들과 보조 샤워헤드(80)의 제 1연결공(82)들을 통하여 하부챔버(50)의 기판(70)으로 분사된다.Accordingly, when the first gas is supplied through the first gas supply port 22 of the upper chamber 20 while the upper chamber 20 and the lower chamber 50 are coupled to each other, the first gas may be After passing through the gas supply port 42 of the inner chamber 40 in communication with the first gas supply port 22 of the upper chamber 20 flows into the space between the inner chamber 42 and the shower head 30 The spray holes 32 are sprayed onto the substrate 70 of the lower chamber 50 through the spray holes 32 of the shower head 30 and the first connection holes 82 of the auxiliary shower head 80.

또한, 상부챔버(20)의 제 2가스공급구(24)를 통해 제 2가스를 공급하게 되면, 이 제 2가스는 상기 상부챔버(20)의 제 2가스공급구(24)와 연통되는 내부챔버(40)의 가스공급구(44)를 통과하여 분사헤드(46)를 거친 후, 보조 샤워헤드(80)의 제 2연결공(84)들을 통해 하부챔버(50)의 기판(70)으로 직접 분사된다.In addition, when the second gas is supplied through the second gas supply port 24 of the upper chamber 20, the second gas is communicated with the second gas supply port 24 of the upper chamber 20. After passing through the gas supply port 44 of the chamber 40, passing through the injection head 46, through the second connecting holes 84 of the auxiliary shower head 80 to the substrate 70 of the lower chamber 50 Sprayed directly.

따라서, 제 1가스와 제 2가스가 믹스되지 않고 각각 따로 분사되어 기판(70)의 위에서 바로 반응하여 플라즈마 처리됨으로써, OLED 등의 웨이퍼 또는 글래스와 같이 표면 바로 위에서 반응을 해야 하는 경우에 적용하는 것이 가능해지게 된다.Therefore, when the first gas and the second gas are not mixed and sprayed separately, and reacted directly on the substrate 70 to perform plasma treatment, the present invention is applied to the case where the reaction should be performed directly on the surface such as a wafer or glass such as OLED. It becomes possible.

이때, 상기 제 1가스와 제 2가스는 동일한 방향에서 수직으로 분사됨으로써, 앞선 실시 예에서처럼 제 1가스와 제 2가스가 다른 방향에서 분사되지 않는 바, 기판의 바로 위에서 더욱 반응이 잘 이루어지게 되는 장점을 가지게 된다.In this case, since the first gas and the second gas are vertically sprayed in the same direction, the first gas and the second gas are not sprayed in different directions as in the previous embodiment, so that the reaction is more easily performed on the substrate. You have an advantage.

또한, 상기 제 1가스와 제 2가스외에 다른 성분의 제 3가스를 더 공급하여 반응시켜야 할 경우에는, 상기 하부챔버(50)의 상측 둘레에 형성된 보조 가스공급구(52)를 통하여 공급해줌으로써, 제 1가스와 제 2가스 및 제 3가스를 기판 위에서 반응시켜 플라즈마 처리되도록 하면 된다.In addition, when it is necessary to supply and react a third gas of another component in addition to the first gas and the second gas, it is supplied through the auxiliary gas supply port 52 formed around the upper side of the lower chamber 50, What is necessary is just to make a 1st gas, 2nd gas, and 3rd gas react on a board | substrate, and to carry out a plasma process.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 처리장치에 의하면, 진공상 태의 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 함에 있어서, 각각 다른 성분의 가스들을 혼합하여 분사하지 않고, 각각 별도로 분사시킴으로써, OLED 등의 웨이퍼 또는 글래스와 같이 표면 바로 위에서 반응을 해야 하는 경우에도 적용할 수 있게 되는 매우 유용한 효과가 있다.As described above, according to the plasma processing apparatus of the present invention, when a plasma is generated in a chamber in a vacuum state and a predetermined treatment is performed on a substrate, by separately injecting gas of different components without mixing and spraying, There is a very useful effect that can be applied even when the reaction needs to be performed directly on the surface, such as a wafer or glass such as OLED.

Claims (6)

다른 성분의 가스가 각각 인입되기 위한 복수의 가스공급구가 형성된 상부챔버와;An upper chamber in which a plurality of gas supply ports for introducing gas of different components are formed; 상기 상부챔버와 소정의 공간부를 사이에 두고 결합되되, 상기 상부챔버의 가스공급구들 중, 어느 하나의 가스공급구와만 연통되는 복수의 분사공을 갖는 샤워헤드와;A shower head coupled with the upper chamber and a predetermined space therebetween, the shower head having a plurality of injection holes communicating with any one of the gas supply ports of the upper chamber; 상기 상부챔버와 결합되고, 기판과, 상기 기판의 탑재대가 내재되되, 상기 기판의 상부측 둘레에는 또 다른 가스가 인입되기 위한 보조 가스공급구가 형성된 하부챔버를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.A lower chamber coupled to the upper chamber and including a substrate and a mounting table of the substrate, wherein the lower chamber includes an auxiliary gas supply hole for introducing another gas around the upper side of the substrate; Device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부챔버와 샤워헤드 사이에는 상기 상부챔버의 가스공급구들과 연통되는 가스공급구들이 형성된 내부챔버가 더 구비되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And an inner chamber having gas supply holes communicating with the gas supply holes of the upper chamber, between the upper chamber and the shower head. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상부챔버와 내부챔버의 연통된 가스공급구들 중, 상기 샤워헤드의 분사 공과 연통되지 않는 가스공급구의 단부에는 상기 기판으로 가스를 분사하기 위한 분사헤드가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And an injection head for injecting gas into the substrate at an end portion of the gas supply port which is not in communication with the injection hole of the shower head among the gas supply ports communicated between the upper chamber and the inner chamber. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 분사헤드는, 내부챔버의 둘레에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The injection head is a plasma processing apparatus, characterized in that formed around the inner chamber. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 상부챔버와 내부챔버의 연통된 가스공급구들과 각각 연통되기 위한 연결공들이 형성된 보조 샤워헤드를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And an auxiliary shower head having connection holes formed therein for communicating with the gas supply holes communicated with the upper chamber and the inner chamber. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 보조 샤워헤드의 연결공들은, 상기 샤워헤드의 분사공과 수직방향으로 일치되게 형성된 제 1연결공들과, 상기 상부챔버와 내부챔버의 연통된 가스공급구들 중, 상기 샤워헤드의 분사공과 연통되지 않는 가스공급구와 수평방향으로 연통되고 다시 수직방향으로 연장되어 아랫방향으로 개구된 복수의 제 2연결공들로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The connection holes of the auxiliary shower head may not communicate with the injection holes of the shower head, among the first supply holes formed to coincide with the injection holes of the shower head, and the gas supply holes of the upper chamber and the inner chamber. And a plurality of second connection holes communicating in a horizontal direction with the gas supply port, which extends in the vertical direction, and is opened downward.
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