KR20080013081A - Plasma display panel and method for making the same - Google Patents

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이성욱
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Abstract

A plasma display panel and a manufacturing method thereof are provided to improve an electrical property of the PDP(Plasma Display Panel) by adjusting a thickness of dielectric layer. A plasma display panel includes a substrate(110), electrode pairs(120), and first and second dielectric layers(130,140). The electrode pairs are arranged on the substrate. The first dielectric layer is arranged on the electrodes. The second dielectric layer is arranged on the first dielectric layer and contains photo-sensitive inorganic materials. A groove(143), which is parallel to the electrodes, is formed between the respective electrode pairs on the second dielectric layer. The photo-sensitive inorganic material is at least one of Ag of 0.001 to 0.005wt%, CeO2 of 0.01 to 0.5wt%, and Sb2O3 of 0.01 to 0.5wt%.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{Plasma display panel and method for making the same}Plasma display panel and method for making the same

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 일례를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view illustrating an example of a general plasma display panel.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조단계의 일 실시예를 나타내는 단면도로서,2 to 6 are cross-sectional views showing an embodiment of the manufacturing step of the plasma display panel of the present invention.

도 2는 상부패널에 제1유전체층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  2 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a first dielectric layer on an upper panel.

도 3은 제2유전체층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  3 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a second dielectric layer.

도 4는 제2유전체층을 선택적으로 노광하는 단계를 나타내는 단면도이다.  4 is a cross-sectional view illustrating a step of selectively exposing a second dielectric layer.

도 5는 노광된 상태를 나타내는 단면도이다.  5 is a cross-sectional view showing an exposed state.

도 6은 노광된 제2유전체층을 식각하여 제조한 상부패널을 나타내는 단면도이다.  6 is a cross-sectional view illustrating an upper panel manufactured by etching the exposed second dielectric layer.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

100 : 상부패널 110 : 기판100: upper panel 110: substrate

120 : 유지전극 121 : 투명전극120 sustain electrode 121 transparent electrode

122 : 버스전극 123 : 블랙 매트릭스122: bus electrode 123: black matrix

130 : 제1유전체층 140 : 제2유전체층130: first dielectric layer 140: second dielectric layer

143 : 홈 200 : 마스크143: groove 200: mask

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 고정세의 패턴을 가지는 구조를 형성할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a plasma display panel capable of forming a structure having a high definition pattern and a method of manufacturing the same.

플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel: 이하, PDP)은 방전 현상을 이용하여 화상을 표시하는 발광형 소자의 일종으로서, 각 셀마다 액티브 소자를 장착할 필요가 없어서 제조 공정이 간단하고, 화면의 대형화가 용이하며, 응답속도가 빨라 대형화면을 가지는 화상표시장치의 표시소자로 각광받고 있다.Plasma display panel (PDP) is a type of light emitting device that displays an image by using a discharge phenomenon, and there is no need to mount an active device for each cell, so the manufacturing process is simple and the screen size is increased. It is easy to use and has a fast response speed, making it a popular display device for an image display device having a large screen.

이와 같은 PDP의 구조는 도 1에서 도시하는 바와 같이, 상부패널(10)과 하부패널(20)을 대향시켜 겹친 구조로 되어있다. 상기 상부패널(10)은 상부기판(11)의 내면에 한 쌍의 유지전극(12)이 배열되는데, 보통 이 유지전극(12)은 투명전극과 버스전극(도시되지 않음)으로 나뉘어진다.As shown in FIG. 1, the PDP has a structure in which the upper panel 10 and the lower panel 20 face each other and overlap each other. In the upper panel 10, a pair of sustain electrodes 12 are arranged on an inner surface of the upper substrate 11. Usually, the sustain electrodes 12 are divided into a transparent electrode and a bus electrode (not shown).

이러한 유지전극(12)은 AC 구동을 위한 유전체층(13)으로 피복되고, 이 유전체층(13)의 표면에는 보호막(14)이 형성된다.The sustain electrode 12 is covered with a dielectric layer 13 for AC driving, and a protective film 14 is formed on the surface of the dielectric layer 13.

한편, 상기 하부패널(20)의 내면에는 하부기판(21) 위에 어드레스 전극(22)이 배열되고, 그 위에 어드레스 전극(22)을 보호하는 유전체층(23)이 형성되는데, 이 유전체층(23) 위에는 어드레스 전극(22)을 구획하기 위한 스트라이프 또는 웰 타입의 격벽(24)이 형성되고, 이 격벽(24)에 의해 구획되는 방전셀(25)에는 컬러표 시를 위한 적색, 청색 및 녹색의 형광체층(26)이 도포되어 서브 픽셀(sub pixel)을 이룬다.On the other hand, an inner surface of the lower panel 20 has an address electrode 22 arranged on the lower substrate 21, and a dielectric layer 23 protecting the address electrode 22 is formed thereon. A stripe or well type partition wall 24 for partitioning the address electrode 22 is formed, and the discharge cells 25 partitioned by the partition wall 24 have red, blue, and green phosphor layers for color display. 26 is applied to form a sub pixel.

상기 격벽(24)에 의하여 방전셀(25)이 서브 픽셀마다 구획되고, 또한 이 방전셀(25)에는 방전가스가 봉입되며, 하나의 픽셀(one pixel)은 상기 3개의 서브 픽셀로 이루어진다.The discharge cell 25 is divided into subpixels by the partition wall 24, and discharge gas is enclosed in the discharge cell 25, and one pixel includes the three subpixels.

상술한 상부패널(10)의 유전체층(13)을 형성하는 방법의 일례로는, 글래스 분말을 포함하는 페이스트를 이용하여 유전체막을 형성한 후 마스크를 이용한 스퀴징으로 유전체막의 두께를 조절하여 형성하는 방법이 있다.As an example of the method of forming the dielectric layer 13 of the upper panel 10, a method of forming a dielectric film using a paste containing glass powder and then controlling the thickness of the dielectric film by squeegeeing using a mask to form the dielectric film 13. There is this.

또한, 드라이 필름 레지스트(DFR: dry film resist)를 이용하여 라미네이팅 한 후, 에칭법, 샌드블라스팅법 등을 이용하여 유전체막의 두께를 조절하여 유전체층(13)을 형성한 후, 소성과정을 통하여 유전체층(13)을 제작하였다.In addition, after laminating using a dry film resist (DFR), after forming the dielectric layer 13 by adjusting the thickness of the dielectric film using an etching method, a sand blasting method, etc., the dielectric layer ( 13) was produced.

그러나 상기와 같은 종래의 방법은 두께 편차를 조절하기에 용이하지 않으며, 고정세의 패턴을 형성할 수 없으며, 특히, 패턴을 갖는 유전체층을 형성하기에 용이하지 않은 문제점이 있었다.However, such a conventional method is not easy to adjust the thickness variation, it is not possible to form a high-definition pattern, in particular, there is a problem that is not easy to form a dielectric layer having a pattern.

본 발명의 기술적 과제는 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고정세의 유전체층 패턴을 형성할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to solve the problems described above, and to provide a plasma display panel capable of forming a high-definition dielectric layer pattern and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 디스플 레이 패널의 제조방법에 있어서, 다수의 전극 쌍이 형성된 기판 위에 제1유전체층을 형성하는 단계와; 상기 제1유전체층 위에 감광성 재료를 포함하는 제2유전체층을 형성하는 단계와; 상기 제2유전체층을 선택적으로 노광하는 단계와; 상기 제2유전체층을 식각하는 단계를 포함하여 구성함으로써 달성된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention provides a method of manufacturing a plasma display panel, comprising the steps of: forming a first dielectric layer on a substrate on which a plurality of electrode pairs are formed; Forming a second dielectric layer comprising a photosensitive material on the first dielectric layer; Selectively exposing the second dielectric layer; And by etching the second dielectric layer.

상기 제2유전체층에 포함되는 감광성 재료는 무기물일 수 있으며, 특히, Ag, CeO2, 및 Sb203 중 적어도 어느 하나 이상일 수 있다.The photosensitive material included in the second dielectric layer may be an inorganic material, and in particular, may be at least one of Ag, CeO 2 , and Sb 2 O 3 .

또한, 상기 제2유전체층의 모상유리는, SiO2, Al2O3, Li2O3, 및 K2O 중 적어도 어느 하나 이상을 이용할 수 있다.In addition, at least one or more of SiO 2 , Al 2 O 3 , Li 2 O 3 , and K 2 O may be used for the mother glass of the second dielectric layer.

이때, 상기 제2유전체층 중의 감광성 재료의 조성은, Ag가 0.001 내지 0.005wt%, CeO2가 0.01 내지 0.5wt%, 및 Sb203가 0.01 내지 0.5wt%인 것이 바람직하다.At this time, the composition of the photosensitive material in the second dielectric layer is preferably 0.001 to 0.005wt% Ag, 0.01 to 0.5wt% CeO 2 , and 0.01 to 0.5wt% Sb 2 0 3 .

한편, 상기 제2유전체층을 선택적으로 노광하는 단계는, 상기 각 전극 쌍 사이의 부분을 자외선을 이용하여 노광할 수 있다.On the other hand, in the step of selectively exposing the second dielectric layer, the portion between each electrode pair may be exposed using ultraviolet light.

또한, 상기 제2유전체층을 식각하는 단계는, 불산(HF)을 이용하여 식각할 수 있다.The etching of the second dielectric layer may be performed by using hydrofluoric acid (HF).

상기 발명의 목적을 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 기판과; 상기 기판 위에 위치하며, 다수의 쌍으로 이루어지는 전극과; 상기 전극 위에 위치하는 제1유전체층과; 상기 제1유전체층 위에 위치하며, 감광성 무기물을 포함하는 제2유전체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으 로 한다.As another aspect for achieving the above object, the present invention is a plasma display panel, comprising: a substrate; An electrode disposed on the substrate, the electrode comprising a plurality of pairs; A first dielectric layer positioned on the electrode; Located on the first dielectric layer, it comprises a second dielectric layer containing a photosensitive inorganic material.

이때, 상기 제2유전체층의 각 전극 쌍 사이의 부분에는, 상기 전극과 평행한 길이방향의 홈이 형성될 수 있다.In this case, a groove in the longitudinal direction parallel to the electrode may be formed in a portion between each electrode pair of the second dielectric layer.

상기 전극은 유지전극일 수 있으며, 이러한 유지전극은, 상기 기판 위에 위치하는 투명전극과; 상기 투명전극 위에 위치하는 버스전극으로 구성될 수 있다.The electrode may be a sustain electrode, and the sustain electrode may include a transparent electrode positioned on the substrate; It may be composed of a bus electrode positioned on the transparent electrode.

또한, 상기 투명전극과 버스전극 사이에는 블랙 매트릭스가 더 포함될 수 있다.In addition, a black matrix may be further included between the transparent electrode and the bus electrode.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에서 도시하는 바와 같이, 상부패널(100)을 이루는 기판(110) 위에 유지전극(120)이 형성되고, 이 유지전극(120) 위에 제1유전체층(130)이 형성된다.As shown in FIG. 2, the sustain electrode 120 is formed on the substrate 110 forming the upper panel 100, and the first dielectric layer 130 is formed on the sustain electrode 120.

이때, 유지전극(120)은 기판(110) 위에 형성되는 투명전극(121)과, 이 투명전극(121) 위에 위치하는 버스전극(122)을 포함할 수 있다.In this case, the sustain electrode 120 may include a transparent electrode 121 formed on the substrate 110 and a bus electrode 122 positioned on the transparent electrode 121.

또한, 이러한 투명전극(121)과 버스전극(122) 사이에는 블랙 매트릭스(123: black matrix)가 위치하여 패널의 대비비를 향상시킬 수 있다.In addition, a black matrix 123 may be disposed between the transparent electrode 121 and the bus electrode 122 to improve the contrast ratio of the panel.

이러한 블랙 매트릭스(123)는 그 두께가 투명전극(121)과 버스전극(122) 사이의 전기 전도성에 영향을 주지 않을 정도의 두께로 형성한다.The black matrix 123 has a thickness such that the thickness thereof does not affect the electrical conductivity between the transparent electrode 121 and the bus electrode 122.

도시하는 바와 같이, 상술한 유지전극(120)은 두 개의 전극이 하나의 쌍을 이루어 형성되며, 이러한 한 쌍의 유지전극(120)은 통상 하나의 방전셀(도시되지 않음)에 배치된다.As shown, the above-described sustain electrode 120 is formed by forming two pairs of electrodes, and the pair of sustain electrodes 120 are usually disposed in one discharge cell (not shown).

상기 제1유전체층(130)은 유전체 페이스트 또는 그린시트를 이용하여 형성할 수 있다. 이러한 유전체 페이스트 또는 그린시트에는 유전체 파우더, 용매, 분산제 등을 포함될 수 있다.The first dielectric layer 130 may be formed using a dielectric paste or a green sheet. The dielectric paste or green sheet may include a dielectric powder, a solvent, a dispersant, and the like.

이와 같이 형성된 제1유전체층(130) 위에는, 도 3에서와 같이, 제2유전체층(140)이 형성된다.On the first dielectric layer 130 formed as described above, as shown in FIG. 3, a second dielectric layer 140 is formed.

이러한 제2유전체층(140)은 제1유전체층(130)과 같이, 유전체 페이스트 또는 그린시트 등이 이용될 수 있으며, 이 제2유전체층(140)의 모체를 이루는 모상유리로는 SiO2, Al2O3, Li2O3, 및 K2O 중 적어도 어느 하나 이상이 이용될 수 있다.Like the first dielectric layer 130, a dielectric paste or a green sheet may be used as the second dielectric layer 140. As the mother glass forming the matrix of the second dielectric layer 140, SiO 2 , Al 2 O At least one or more of 3 , Li 2 O 3 , and K 2 O may be used.

이와 같은 제2유전체층(140)에는 감광성 재료가 포함되어, 노광을 통하여 패터닝이 가능하도록 조성된다.The second dielectric layer 140 includes a photosensitive material, and is formed to allow patterning through exposure.

이러한 감광성 재료는 무기물 재료이며, Ag, CeO2, 및 Sb203 중 적어도 어느 하나 이상이 이용될 수 있다.Such photosensitive material is an inorganic material, and at least one of Ag, CeO 2 , and Sb 2 O 3 may be used.

특히, 이러한 무기물 재료는, Ag, CeO2, 및 Sb203가 모두 포함될 수 있으며, 그 조성은, Ag가 0.001 내지 0.005wt%, CeO2가 0.01 내지 0.5wt%, 및 Sb203가 0.01 내지 0.5wt%로 이루어질 수 있다.In particular, such an inorganic material may include all Ag, CeO 2 , and Sb 2 0 3 , the composition of which is 0.001 to 0.005 wt% Ag, 0.01 to 0.5 wt% CeO 2 , and Sb 2 0 3 It may be made from 0.01 to 0.5wt%.

이러한 제2유전체층(140)은 도포된 후 건조되며, 이러한 건조 후의 두께는 10 내지 100㎛를 이룰 수 있고, 소성된 후에는 5 내지 50㎛의 두께가 될 수 있다.The second dielectric layer 140 is coated and dried, and the thickness after the drying may be 10 to 100 μm, and after firing, the second dielectric layer 140 may be 5 to 50 μm thick.

이와 같이, 제2유전체층(140)이 형성된 후에는 도 4에서 도시하는 바와 같이, 마스크(200)를 이용하여 상기 제2유전체층(140)이 자외선과 같은 광선으로 선 택적으로 노광된다.As such, after the second dielectric layer 140 is formed, as shown in FIG. 4, the second dielectric layer 140 is selectively exposed to light such as ultraviolet rays using the mask 200.

이때, 노광되는 부분(141)은, 도 4에서와 같이, 각 유지전극(120) 쌍의 사이의 부분이 될 수 있다. 이러한 유지전극(120)은 상술한 바와 같이, 각 방전셀 공간에 배치되므로, 이 노광되는 부분(141)은 각 방전셀 공간의 사이가 될 수 있다. In this case, the exposed portion 141 may be a portion between each pair of sustain electrodes 120 as shown in FIG. 4. Since the sustain electrode 120 is disposed in each discharge cell space as described above, the exposed portion 141 may be between the discharge cell spaces.

즉, 이러한 노광되는 부분(141)은 각 유지전극(120)과 평행하게 될 수 있다.That is, the exposed portion 141 may be parallel to each sustain electrode 120.

따라서, 이러한 노광되는 부분(141)은 하부패널의 격벽(도시되지 않음)이 위치하는 부분일 수 있다.Therefore, the exposed portion 141 may be a portion where the partition wall (not shown) of the lower panel is located.

이와 같이, 선택적으로 노광되면, 노광된 부분(141)은 도 5에서와 같이, 조직적으로 차이가 나타나게 된다.As such, when selectively exposed, the exposed portion 141 is systematically different from each other, as shown in FIG. 5.

이러한, 제2유전체층(140)은 감광성 재료를 포함하고 있으므로, 노광 과정 또는 노광에 의한 열처리 과정에 의하여 노광된 부분(141)이 조직적으로 다르게 되는 것이다.Since the second dielectric layer 140 includes a photosensitive material, the exposed portions 141 are systematically different from each other by an exposure process or a heat treatment process by exposure.

이후, 이러한 제2유전체층(140)까지 적층된 구조는 소성된다.Thereafter, the stacked structure up to the second dielectric layer 140 is fired.

이와 같이 소성된 후에는 제2유전체층(140) 면이 식각된다. 이때, 식각은 불산(HF)을 이용하여 식각될 수 있다.After firing in this manner, the surface of the second dielectric layer 140 is etched. In this case, the etching may be etched using hydrofluoric acid (HF).

이러한 식각 과정에서 상기 제2유전체층(140) 면이 식각되는데, 이때, 상술한 바와 같이, 상기 노광된 부분(141)은 노광되지 않은 부분과 구조적인 차이를 보이므로, 보다 빠른 속도로 식각된다.In this etching process, the surface of the second dielectric layer 140 is etched. In this case, as described above, the exposed portion 141 shows a structural difference with the unexposed portion, and thus is etched at a higher speed.

즉, 노광되지 않은 부분(142)은 식각이 거의 이루어지지 않을 때, 상기 노광된 부분은 식각이 많이 이루어지게 된다.That is, when the unexposed portion 142 is hardly etched, the exposed portion is etched a lot.

이와 같은 식각과정은, 제2유전체층(140)은 자외선에 감광된 부분(141)과 감광되지 않은 부분(142)의 화학적 내구성의 차이에 의하여 불산(HF)에 식각되는 속도의 차이가 발생하는 것이다.In such an etching process, the difference in the rate of etching of the second dielectric layer 140 by hydrofluoric acid (HF) is caused by a difference in chemical durability between the portions 141 and 142 which are not exposed to ultraviolet rays. .

따라서, 이러한 식각 과정 후에는 도 6에서 도시하는 바와 같이, 제2유전체층(140)의 유지전극(120) 쌍 사이의 부분에, 유지전극(120)과 평행한 홈(143)이 형성될 수 있다.Therefore, after the etching process, as shown in FIG. 6, a groove 143 parallel to the sustain electrode 120 may be formed in a portion between the pair of sustain electrodes 120 of the second dielectric layer 140. .

또한, 이러한 홈(143) 부분의 두께는 도 6에는 도시되어 있지 않으나, 20㎛ 이하의 두께를 가질 수도 있다.In addition, the thickness of the groove 143 is not shown in FIG. 6, but may have a thickness of 20 μm or less.

이러한 홈(143)이 형성된 제2유전체층(140)은 차등 유전체 역할을 수행할 수 있다. The second dielectric layer 140 in which the groove 143 is formed may serve as a differential dielectric.

특히, 도 6과 같은 구조를 갖는 제2유전체층(140)은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동시 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.In particular, the second dielectric layer 140 having the structure as shown in FIG. 6 may improve electrical characteristics when the plasma display panel is driven.

즉, 전기적 특성에서 효율은 유지되면서, 방전 전압을 낮출 수 있는 것이다.That is, while maintaining the efficiency in the electrical characteristics, it is possible to lower the discharge voltage.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.The above embodiment is an example for explaining the technical idea of the present invention in detail, and the present invention is not limited to the above embodiment, various modifications are possible, and various embodiments of the technical idea are all protected by the present invention. It belongs to the scope.

이상과 같은 본 발명은 다름과 같은 효과가 있다.The present invention as described above has the following effects.

첫째, 고정세의 유전체층 패턴 형성이 가능하다.First, a high-definition dielectric layer pattern can be formed.

둘째, 유전체층의 두께를 조절함으로써 패널 구동시 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.Second, by controlling the thickness of the dielectric layer it is possible to improve the electrical characteristics when driving the panel.

셋째, 패널 구동시 초기 방전 전압을 낮출 수 있다.Third, it is possible to lower the initial discharge voltage when driving the panel.

Claims (18)

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a plasma display panel, 다수의 전극 쌍이 형성된 기판 위에 제1유전체층을 형성하는 단계와;Forming a first dielectric layer on the substrate on which the plurality of electrode pairs are formed; 상기 제1유전체층 위에 감광성 재료를 포함하는 제2유전체층을 형성하는 단계와;Forming a second dielectric layer comprising a photosensitive material on the first dielectric layer; 상기 제2유전체층을 선택적으로 노광하는 단계와;Selectively exposing the second dielectric layer; 상기 제2유전체층을 식각하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And etching the second dielectric layer. 제 1항에 있어서, 상기 제2유전체층에 포함되는 감광성 재료는 무기물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the photosensitive material included in the second dielectric layer is an inorganic material. 제 1항에 있어서, 상기 제2유전체층에 포함되는 감광성 재료는, Ag, CeO2, 및 Sb203 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the photosensitive material included in the second dielectric layer is at least one of Ag, CeO 2 , and Sb 2 O 3 . 제 1항에 있어서, 상기 제2유전체층의 모상유리는, SiO2, Al2O3, Li2O3, 및 K2O 중 적어도 어느 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the mother glass of the second dielectric layer uses at least one of SiO 2 , Al 2 O 3 , Li 2 O 3 , and K 2 O. 제 1항에 있어서, 상기 제2유전체층 중의 모상유리의 조성은, The composition of claim 1, wherein the composition of the mother glass in the second dielectric layer is SiO2가 60 내지 85wt%, Al2O3가 1 내지 10wt%, Li2O3가 5 내지 15wt%, 및 K2O가 1 내지 10wt%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.60 to 85 wt% of SiO 2 , 1 to 10 wt% of Al 2 O 3 , 5 to 15 wt% of Li 2 O 3 , and 1 to 10 wt% of K 2 O. 제 1항에 있어서, 상기 제2유전체층 중의 감광성 재료의 조성은, The composition of claim 1, wherein the composition of the photosensitive material in the second dielectric layer is Ag가 0.001 내지 0.005wt%, CeO2가 0.01 내지 0.5wt%, 및 Sb203가 0.01 내지 0.5wt%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.A method of manufacturing a plasma display panel, wherein Ag is 0.001 to 0.005 wt%, CeO 2 is 0.01 to 0.5 wt%, and Sb 2 0 3 is 0.01 to 0.5 wt%. 제 1항에 있어서, 상기 제2유전체층을 선택적으로 노광하는 단계는,The method of claim 1, wherein selectively exposing the second dielectric layer comprises: 상기 각 전극 쌍 사이의 부분을 노광하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.And exposing a portion between each pair of electrodes. 제 1항에 있어서, 상기 노광은 자외선을 이용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The method of claim 1, wherein the exposure is performed using ultraviolet rays. 제 1항에 있어서, 상기 제2유전체층을 식각하는 단계는, The method of claim 1, wherein etching the second dielectric layer comprises: 불산(HF)을 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패 널의 제조방법.A method of manufacturing a plasma display panel comprising etching with hydrofluoric acid (HF). 제 1항에 있어서, 상기 전극은, 유지전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the electrode is a sustain electrode. 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,In the plasma display panel, 기판과;A substrate; 상기 기판 위에 위치하며, 다수의 쌍으로 이루어지는 전극과;An electrode disposed on the substrate, the electrode comprising a plurality of pairs; 상기 전극 위에 위치하는 제1유전체층과;A first dielectric layer positioned on the electrode; 상기 제1유전체층 위에 위치하며, 감광성 무기물을 포함하는 제2유전체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a second dielectric layer disposed on the first dielectric layer and including a photosensitive inorganic material. 제 11항에 있어서, 상기 제2유전체층의 각 전극 쌍 사이의 부분에는, 상기 전극과 평행한 길이방향의 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.12. The plasma display panel as set forth in claim 11, wherein a groove in a longitudinal direction parallel to the electrode is formed in a portion between each pair of electrodes of the second dielectric layer. 제 11항에 있어서, 상기 제2유전체층의 감광성 무기물은, Ag, CeO2, 및 Sb203 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The plasma display panel of claim 11, wherein the photosensitive inorganic material of the second dielectric layer is at least one of Ag, CeO 2 , and Sb 2 O 3 . 제 11항에 있어서, 상기 제2유전체층 중의 감광성 무기물의 조성은,The composition of claim 11, wherein the composition of the photosensitive inorganic material in the second dielectric layer is Ag가 0.001 내지 0.005wt%, CeO2가 0.01 내지 0.5wt%, 및 Sb203가 0.01 내지 0.5wt%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel, wherein Ag is 0.001 to 0.005 wt%, CeO 2 is 0.01 to 0.5 wt%, and Sb 2 0 3 is 0.01 to 0.5 wt%. 제 11항에 있어서, 상기 제2유전체층 중의 모상유리의 조성은, The composition of claim 11, wherein the composition of the mother glass in the second dielectric layer is SiO2가 60 내지 85wt%, Al2O3가 1 내지 10wt%, Li2O3가 5 내지 15wt%, 및 K2O가 1 내지 10wt%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel comprising 60 to 85 wt% of SiO 2 , 1 to 10 wt% of Al 2 O 3 , 5 to 15 wt% of Li 2 O 3 , and 1 to 10 wt% of K 2 O. 제 11항에 있어서, 상기 전극은, 유지전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.12. The plasma display panel of claim 11, wherein the electrode is a sustain electrode. 제 16항에 있어서, 상기 유지전극은,The method of claim 16, wherein the sustain electrode, 상기 기판 위에 위치하는 투명전극과;A transparent electrode on the substrate; 상기 투명전극 위에 위치하는 버스전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And a bus electrode positioned on the transparent electrode. 제 17항에 있어서, 상기 투명전극과 버스전극 사이에는 블랙 매트릭스가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.18. The plasma display panel of claim 17, further comprising a black matrix between the transparent electrode and the bus electrode.
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