KR20080010145A - Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20080010145A
KR20080010145A KR1020060070235A KR20060070235A KR20080010145A KR 20080010145 A KR20080010145 A KR 20080010145A KR 1020060070235 A KR1020060070235 A KR 1020060070235A KR 20060070235 A KR20060070235 A KR 20060070235A KR 20080010145 A KR20080010145 A KR 20080010145A
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data line
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film transistor
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KR1020060070235A
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김병현
김용조
이윤석
조영제
송영구
맹천재
손지현
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삼성전자주식회사
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Abstract

A liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same are provided to form a cutoff layer on gate lines and under pixel electrodes, to prevent a fringe electric field applied to liquid crystals and to prevent light leakage, thereby improving display quality. A color filter substrate(20) includes a black matrix(215) formed on an upper substrate(200) for dividing sub pixel areas, color filters(221) formed at the sub pixel areas, and a common electrode(251) covering the black matrix and the color filters. A thin film transistor substrate(10) is opposite to the color filter substrate, having liquid crystals(50) between the color filter substrate and the thin film transistor substrate, and includes first gate lines and second gate lines(113), data lines crossing the first and second gate lines to form sub pixel areas, first thin film transistors connected with the first gate lines and the data lines, second thin film transistors(152) connected with the second gate lines and the data lines, pixel electrodes(170) formed at the sub pixel areas and including first and second pixel parts(173,175) connecting with the first and second thin film transistors respectively, and cut patterns(171) formed between the first and second pixel parts for controlling an alignment direction of the liquid crystals. A cutoff layer is formed on one of the upper substrate and a lower substrate(100) to overlap one of the color filter substrate and the thin film transistor substrate with one of the first and second gate lines and the cut patterns.

Description

액정 표시 패널 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof {LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 I-I',II-II'의 절단면을 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating cut planes of I-I 'and II-II' shown in FIG. 1.

도 3a은 본 발명의 실시 예에 따른 화소 전극과 게이트 라인 간의 전계를 도시한 단면도이다.3A is a cross-sectional view illustrating an electric field between a pixel electrode and a gate line according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3b은 본 발명의 실시 예에 따른 차단층과 게이트 라인 간의 전계를 도시한 단면도이다.3B is a cross-sectional view illustrating an electric field between a blocking layer and a gate line according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 도시한 평면도이다.4 is a plan view illustrating a liquid crystal display panel according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 I-I', II-II'의 절단면을 도시한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating cut planes of II ′ and II-II ′ of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 도 4에 도시된 I-I', II-II'의 절단면을 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display panel according to a third exemplary embodiment of the present invention, taken along the line I-I 'and II-II' of FIG. 4.

도 7a 및 도 7b는 도 4에 도시된 I-I' 및 II-II'의 절단면을 통해 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.7A and 7B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention through the cut planes of lines II ′ and II-II ′ of FIG. 4.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 박막 트랜지스터 기판 20: 컬러 필터 기판10: thin film transistor substrate 20: color filter substrate

50: 액정 100: 하부 기판50: liquid crystal 100: lower substrate

111: 제 1 게이트 라인 113: 제 2 게이트 라인111: first gate line 113: second gate line

114: 게이트 전극 121: 데이터 라인114: gate electrode 121: data line

151: 제 1 박막 트랜지스터 152: 제 2 박막 트랜지스터151: first thin film transistor 152: second thin film transistor

153: 게이트 절연막 154: 활성층153: gate insulating film 154: active layer

155: 오믹 접촉층 157: 소스 전극155: ohmic contact layer 157: source electrode

159: 드레인 전극 161: 보호막159: drain electrode 161: protective film

170: 화소 전극 171: 절개 패턴170: pixel electrode 171: incision pattern

173: 제 1 화소부 175: 제 2 화소부173: first pixel portion 175: second pixel portion

191,210: 차단층 200: 상부 기판191,210: blocking layer 200: upper substrate

215: 블랙 매트릭스 221: 컬러 필터215: black matrix 221: color filter

241: 오버 코트 251: 공통 전극241: overcoat 251: common electrode

본 발명은 액정 표시 패널에 관한 것으로 특히, 수직 배향 모드에서 빛샘을 방지하도록 차단층이 형성된 액정 표시 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display panel, and more particularly, to a liquid crystal display panel in which a blocking layer is formed to prevent light leakage in the vertical alignment mode.

액정 표시 패널은 공통 전극 및 화소 전극에 전압을 인가하여 액정에 전계를 형성하고, 이 전계의 세기를 조절하여 액정을 통과하는 빛의 투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 얻는다. The liquid crystal display panel forms an electric field in the liquid crystal by applying a voltage to the common electrode and the pixel electrode, and adjusts the intensity of the electric field to adjust the transmittance of light passing through the liquid crystal to obtain a desired image.

액정 표시 패널의 대표적인 광시야각 기술로는 VA(Multi-domain Vertical Alignment) 모드가 이용된다. VA 모드는 음의 유전율 이방성을 갖는 액정 분자들이 수직으로 배향되고 전계 방향에 수직하게 구동되어 광투과율을 조절하게 된다. As a representative wide viewing angle technology of the liquid crystal display panel, a multi-domain vertical alignment (VA) mode is used. In VA mode, liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy are vertically oriented and driven perpendicular to the electric field direction to adjust light transmittance.

액정 표시 패널은 서브 화소에서 지그재그 구조로 고계조 영역과 저계조 영역을 분할하여 두 계조 영역간의 계조 혼합으로 시인성을 향상시키는 S-PVA(Super-Patterned Vertical Aligment) 모드가 개발되었다.In the liquid crystal display panel, an S-PVA (Super-Patterned Vertical Aligment) mode has been developed in which a high gradation region and a low gradation region are divided into sub-pixels in a zigzag structure to improve visibility by gradation mixing between two gradation regions.

S-PVA 모드의 액정 표시 패널은 하판에 형성되어 박막 트랜지스터에 게이트 전압을 공급하는 게이트 라인과 패턴이 형성된 화소 전극이 유기막을 사이에 두고 액정 표시 패널을 구동시킬 때 게이트 온,오프 전압에 따라 프린지 전계를 형성한다. 이러한 프린지 전계는 화소 전극의 패턴이 형성된 부분에서 액정의 거동을 제어하지 못하게 하여 빛샘을 유발한다.The liquid crystal display panel of the S-PVA mode is formed on the lower plate, and the gate line for supplying the gate voltage to the thin film transistor and the patterned pixel electrode drive the liquid crystal display panel with the organic layer interposed therebetween according to the gate on and off voltages. Form an electric field. The fringe electric field does not control the behavior of the liquid crystal in the portion where the pattern of the pixel electrode is formed, causing light leakage.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 수직 배향 모드에서 게이트 라인과 화소 전극 간의 프린지 전계에 의해 발생되는 빛샘을 방지하는 차단층이 형성된 액정 표시 패널을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel in which a blocking layer is formed to prevent light leakage caused by a fringe electric field between a gate line and a pixel electrode in a vertical alignment mode.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 상부 기판 상에 형성되어 서브 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스, 상기 서브 화소 영역에 형성되는 컬러 필터, 상기 블랙 매트릭스 및 컬러 필터를 덮도록 형성된 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판과, 상기 컬러 필터 기판과 액정을 사이에 두고 마주보며, 하부 기판 상에 형성된 제1 및 제2 게이트 라인, 상기 제1 및 제2 게이트 라인 각각과 교차하여 서브 화소 영역을 마련하는 데이터 라인, 상기 제1 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 1 박막 트랜지스터, 상기 제2 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 2 박막 트랜지스터, 상기 서브 화소 영역에 형성되며 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터 각각과 접속되는 제 1 및 제 2 화소부를 포함하는 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 화소부 사이에 형성되어 상기 액정의 배향 방향을 조절하는 절개 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 구비하며, 상기 컬러 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판 중 어느 한 기판은 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인 중 어느 하나와 상기 절개 패턴에 중첩되게 상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판 상에 형성되는 차단층을 구비하는 액정 표시 패널을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention includes a black matrix formed on an upper substrate to separate sub pixel regions, a color filter formed in the sub pixel regions, and a common electrode formed to cover the black matrix and the color filters. A sub-pixel region intersecting each of the first and second gate lines and the first and second gate lines formed on the lower substrate, facing the color filter substrate, the color filter substrate and the liquid crystal interposed therebetween. A first thin film transistor connected to a data line, the first gate line and the data line, a second thin film transistor connected to the second gate line and the data line, and formed in the sub pixel area, and the first and second thin film transistors A pixel electrode including first and second pixel portions connected to each other, and formed between the first and second pixel portions And a thin film transistor substrate including a cutting pattern for adjusting an alignment direction of the liquid crystal, wherein any one of the color filter substrate and the thin film transistor substrate overlaps the cutting pattern with any one of the first and second gate lines. Accordingly, a liquid crystal display panel having a blocking layer formed on at least one of the upper substrate and the lower substrate is provided.

더 상세하게는, 상기 차단층은 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인의 상측 및 상기 절개 패턴의 하측에 플로팅되도록 형성된다.More specifically, the blocking layer is formed so as to float above the first and second gate lines and below the cutting pattern.

여기서, 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성된다.Here, the blocking layer is formed on the same plane as the data line with the same metal as the data line.

또한, 상기 차단층은 상기 블랙매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙매트릭스와 동일 평면 상에 형성된다.In addition, the blocking layer is formed on the same plane as the black matrix of the same material as the black matrix.

이때, 상기 차단층은 원형, 타원형, 다각형 중 적어도 어느 하나의 형태로 형성된다.In this case, the blocking layer is formed in at least one of a circle, an ellipse, a polygon.

그리고, 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성되는 제 1 차단층과, 상기 블랙매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙매트릭스와 동일 평면 상에 형성되는 제 2 차단층을 포함한다.The blocking layer may include a first blocking layer formed on the same plane as the data line and made of the same metal as the data line, and a second blocking layer formed on the same plane as the black matrix and made of the same material as the black matrix. It includes.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 하부 기판 상에 형성된 제 1 및 제 2 게이트 라인, 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인 각각과 교차하여 서브 화소 영역을 마련하는 데이터 라인, 상기 제 1 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 1 박막 트랜지스터, 상기 제 2 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 2 박막 트랜지스터, 상기 서브 화소 영역에 형성되며 상기 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터 각각과 접속되는 제 1 및 제 2 화소부를 포함하는 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 화소부 사이에 형성되어 이들을 구분하는 절개패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 마련하는 제1 단계와, 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판 상에 형성되어 서브 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스, 상기 서브 화소 영역에 형성되는 컬러 필터, 상기 화소 전극과 전계를 이루는 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판을 마련하는 제 2 단계와, 액정을 사이에 두고 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판을 합착하는 제 3 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 단계 중 어느 한 단계는 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인 중 어느 하나와 상기 절개 패턴에 중첩되게 상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판 상에 차단층을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 패널의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a data line and a first gate line intersecting each of the first and second gate lines, the first and second gate lines formed on a lower substrate, and providing a sub pixel region. And a first thin film transistor connected to a data line, a second thin film transistor connected to the second gate line and a data line, and a first thin film transistor formed in the sub-pixel region and connected to the first and second thin film transistors, respectively. A first step of providing a thin film transistor substrate including a pixel electrode including two pixel portions, a cutout pattern formed between the first and second pixel portions to separate the first and second pixel portions, and formed on an upper substrate facing the lower substrate; A black matrix dividing the sub pixel region, a color filter formed in the sub pixel region, the pixel electrode, and an electric field R includes a second step of providing a color filter substrate including a common electrode, and a third step of bonding the thin film transistor substrate and the color filter substrate with a liquid crystal interposed therebetween, among the first and second steps. One step includes forming a blocking layer on at least one of the upper substrate and the lower substrate so as to overlap one of the first and second gate lines and the cutting pattern. To provide.

더 상세하게는, 상기 차단층은 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인의 상측 및 상기 절개 패턴의 하측에 플로팅되도록 형성된다.More specifically, the blocking layer is formed so as to float above the first and second gate lines and below the cutting pattern.

여기서, 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성된다.Here, the blocking layer is formed on the same plane as the data line with the same metal as the data line.

또한, 상기 차단층은 상기 블랙 매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙 매트릭스와 동일 평면 상에 형성된다.In addition, the blocking layer is formed on the same plane as the black matrix of the same material as the black matrix.

그리고, 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성되는 제 1 차단층과, 상기 블랙 매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙매트릭스와 동일 평면 상에 형성되는 제 2 차단층을 포함한다.The blocking layer may include a first blocking layer formed on the same plane as the data line and made of the same metal as the data line, and a second blocking layer formed on the same plane as the black matrix and made of the same material as the black matrix. It includes.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will become apparent from the description with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 1 내지 도 7b를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 7B.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 I-I',II-II'의 절단면을 도시한 단면도이다. 도 3a은 본 발명의 실시 예에 따른 화소 전극과 게이트 라인 간의 전계를 도시한 단면도이고, 도 3b은 본 발명의 실시 예에 따른 차단층과 게이트 라인 간의 전계를 도시한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating cut planes of lines II ′ and II ′ of FIG. 1. 3A is a cross-sectional view illustrating an electric field between a pixel electrode and a gate line according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating an electric field between a blocking layer and a gate line according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3b를 참조하면, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 상부 기판 (200) 상에 형성되어 서브 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스(215), 서브 화소 영역에 형성되는 컬러 필터(221), 블랙 매트릭스(215) 및 컬러 필터(221)를 덮도록 형성된 공통 전극(251)을 포함하는 컬러 필터 기판(20)과, 컬러 필터 기판(20)과 액정(50)을 사이에 두고 마주보며, 하부 기판(100) 상에 형성된 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113), 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113) 각각과 교차하여 서브 화소 영역을 마련하는 데이터 라인(121), 제 1 게이트 라인(111) 및 데이터 라인(121)과 접속된 제 1 박막 트랜지스터(151), 제 2 게이트 라인(113) 및 데이터 라인(121)과 접속된 제 2 박막 트랜지스터(152), 서브 화소 영역에 형성되며 제1 및 제 2 박막 트랜지스터(151,152) 각각과 접속되는 제 1 및 제 2 화소부(173,175)를 포함하는 화소 전극(170), 제 1 및 제 2 화소부(173,175) 사이에 형성되어 액정(50)의 배향 방향을 조절하는 절개 패턴(171)을 포함하는 박막 트랜지스터 기판(10)을 구비하며, 컬러 필터 기판(20) 및 박막 트랜지스터 기판(10) 중 어느 한 기판은 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113) 중 어느 하나와 절개 패턴(171)에 중첩되게 상부 기판(200) 및 하부 기판(100) 중 적어도 어느 한 기판 상에 형성되는 차단층(191,210)을 구비한다.1 to 3B, a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes a black matrix 215 formed on the upper substrate 200 to separate sub pixel regions, a color filter 221 formed on a sub pixel region, The color filter substrate 20 including the black matrix 215 and the common electrode 251 formed to cover the color filter 221 and the color filter substrate 20 and the liquid crystal 50 are faced with each other. A data line 121 and a first gate line 111 intersecting with the first and second gate lines 111 and 113 and the first and second gate lines 111 and 113 formed on the substrate 100 to form a sub-pixel region. And the first thin film transistor 151 connected to the data line 121, the second gate line 113, and the second thin film transistor 152 connected to the data line 121, and are formed in the sub pixel area. And first and second pixel units 173 and 175 connected to the second thin film transistors 151 and 152, respectively. And a thin film transistor substrate 10 including a cutting pattern 171 formed between the pixel electrode 170 and the first and second pixel units 173 and 175 to control the alignment direction of the liquid crystal 50. Any one of the color filter substrate 20 and the thin film transistor substrate 10 may overlap the upper substrate 200 and the lower substrate 100 to overlap one of the first and second gate lines 111 and 113 and the cutout pattern 171. ) And blocking layers 191 and 210 formed on at least one of the substrates.

구체적으로, 액정(50)은 컬러 필터 기판(20)의 공통 전극(251)으로부터의 공통 전압과, 박막 트랜지스터 기판(10)의 제 1 및 제 2 화소부(173,175)로부터의 데이타 전압과의 차이에 의해 회전하여 백라이트 어셈블리(미도시)로부터 공급되는 광의 투과율을 조절한다.Specifically, the liquid crystal 50 is a difference between the common voltage from the common electrode 251 of the color filter substrate 20 and the data voltage from the first and second pixel portions 173 and 175 of the thin film transistor substrate 10. It rotates by adjusting the transmittance of light supplied from the backlight assembly (not shown).

컬러 필터 기판(20)은 빛샘 방지를 위해 형성된 블랙 매트릭스(215)와, 색구 현을 위해 형성된 컬러 필터(221)와, 블랙 매트릭스(215)와 컬러 필터(221)의 크로스 오버 영역에서 발생하는 단차를 제거하기 위한 오버 코트(241) 및 액정(50)에 공통 전압을 인가하기 위한 공통 전극(251)을 포함한다.The color filter substrate 20 includes a black matrix 215 formed to prevent light leakage, a color filter 221 formed to implement color, and a step generated in a crossover region of the black matrix 215 and the color filter 221. And an overcoat 241 for removing a common electrode and a common electrode 251 for applying a common voltage to the liquid crystal 50.

블랙 매트릭스(215)는 액정(50)을 제어할 수 없는 영역을 통해 광이 출광되는 것을 막기 위해 불투명한 유기물질 또는 불투명한 금속으로 형성된다. 컬러 필터(221)는 블랙 매트릭스(215)의 하부에 형성되고, 색을 구현하기 위해 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터를 구비한다. 오버 코트(241)는 투명한 유기물질로 형성되며 컬러 필터(221)와 블랙 매트릭스(215)를 보호하며, 공통 전극(251)의 양호한 스텝 커버리지(Step Coverage) 및 절연을 위해 형성된다. 공통 전극(251)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속으로 형성된다. 그리고, 공통 전극(251)은 공통 전압 발생부로부터 공급된 공통 전압과 후술될 박막 트랜지스터 기판(10)에 형성된 제 1 및 제 2 화소부(173,175)의 데이타 전압과의 전압차로 형성된 전계를 액정(50)에 인가한다. 여기서, 공통 전극(251)은 액정 표시 패널의 광시야각을 제공하기 위해 돌기 또는 홈으로 형성된 패턴을 포함한다. 이러한 패턴은 제 1 및 제 2 화소부(173,175) 각각과 대응되어 형성된다. 그리고, 패턴이 형성된 공통 전극(251)과 제 1 및 제 2 화소부(173,175) 각각은 전압차에 의한 프린지 전계를 형성한다.The black matrix 215 is formed of an opaque organic material or an opaque metal to prevent light from being emitted through a region in which the liquid crystal 50 cannot be controlled. The color filter 221 is formed under the black matrix 215 and includes red, green, and blue color filters to implement color. The overcoat 241 is formed of a transparent organic material and protects the color filter 221 and the black matrix 215 and is formed for good step coverage and insulation of the common electrode 251. The common electrode 251 is formed of a transparent metal such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). In addition, the common electrode 251 uses an electric field formed by a voltage difference between a common voltage supplied from the common voltage generator and a data voltage of the first and second pixel units 173 and 175 formed on the thin film transistor substrate 10 to be described later. 50). Here, the common electrode 251 includes a pattern formed by protrusions or grooves to provide a wide viewing angle of the liquid crystal display panel. The pattern is formed to correspond to each of the first and second pixel units 173 and 175. The common electrode 251 having the pattern and the first and second pixel units 173 and 175 each form a fringe electric field due to a voltage difference.

박막 트랜지스터 기판(10)은 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과, 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 각각 교차하여 서브 화소 영역을 마련하는 데이터 라인(121)과, 제 1 게이트 라인(111)과 데이터 라인(121)에 접속된 제 1 박막 트랜지 스터(151)와, 제 2 게이트 라인(113)과 데이터 라인(121)에 접속된 제 2 박막 트랜지스터(152)와, 제 1 박막 트랜지스터(151)에 접속되는 제 1 화소부(173)와, 제 2 박막 트랜지스터(152)에 접속되는 제 2 화소부(175) 및 제 1 및 제 2 화소부(173,175)의 사이에 형성되어 액정(50)의 배향방향을 조절하는 절개 패턴(171)을 포함한다.The thin film transistor substrate 10 includes first and second gate lines 111 and 113, a data line 121 crossing the first and second gate lines 111 and 113 to form a sub pixel region, and a first gate line. A first thin film transistor 151 connected to the 111 and the data line 121, a second thin film transistor 152 connected to the second gate line 113 and the data line 121, and a first thin film transistor 152 connected to the data line 121. And is formed between the first pixel portion 173 connected to the thin film transistor 151, the second pixel portion 175 connected to the second thin film transistor 152, and the first and second pixel portions 173 and 175. It includes a cutting pattern 171 for adjusting the alignment direction of the liquid crystal 50.

제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)은 단일층 또는 다중층으로 형성되며, 상호 나란하게 형성된다. 그리고, 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)은 각각 게이트 전극(114)이 형성된다.The first and second gate lines 111 and 113 may be formed in a single layer or multiple layers, and may be formed in parallel with each other. In addition, gate electrodes 114 are formed in the first and second gate lines 111 and 113, respectively.

데이터 라인(121)은 단일층 또는 다중층으로 형성되며 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)에 수직하게 교차한다.The data line 121 is formed of a single layer or multiple layers and vertically crosses the first and second gate lines 111 and 113.

제 1 및 제 2 박막 트랜지스터(151,152)는 게이트 전극(114), 게이트 절연막(153), 활성층(154), 오믹 접촉층(155), 소스 전극(157) 및 드레인 전극(159)을 구비한다. 여기서는 도 2에 도시된 바와 같이 제 2 박막 트랜지스터(152)를 기준으로 설명하도록 한다.The first and second thin film transistors 151 and 152 include a gate electrode 114, a gate insulating layer 153, an active layer 154, an ohmic contact layer 155, a source electrode 157, and a drain electrode 159. Here, as illustrated in FIG. 2, the second thin film transistor 152 will be described as a reference.

게이트 전극(114)은 제 2 게이트 라인(113) 상에 형성되고, 제 2 게이트 라인(113)에서 돌출되게 형성된다. 게이트 전극(114)은 제 2 게이트 라인(113)으로부터 게이트 온/오프 전압을 사용하여 제 2 박막 트랜지스터(152)를 턴온/턴오프시킨다. 게이트 절연막(153)은 제 2 게이트 라인(113) 및 게이트 전극(114)의 상부에 형성되어 제 2 게이트 라인(113) 및 게이트 전극(114)을 절연시킨다. 활성층(154)은 비정질 실리콘으로 형성되어 제 2 박막 트랜지스터(152)의 채널을 형성한 다. 오믹 접촉층(155)은 소스 전극(157) 및 드레인 전극(159)과 활성층(154)의 오믹 접촉을 위해 형성된다. 소스 전극(157)은 제 2 박막 트랜지스터(152)가 턴온될 때 데이터 라인(121)으로부터의 데이타 전압을 제 2 박막 트랜지스터(152)의 채널을 경유하여 드레인 전극(159)에 공급한다. 드레인 전극(159)은 소스 전극(157)으로부터 전달되는 데이타 전압을 제 2 화소부(175)에 공급한다.The gate electrode 114 is formed on the second gate line 113 and protrudes from the second gate line 113. The gate electrode 114 turns on / turns off the second thin film transistor 152 using the gate on / off voltage from the second gate line 113. The gate insulating layer 153 is formed on the second gate line 113 and the gate electrode 114 to insulate the second gate line 113 and the gate electrode 114. The active layer 154 is formed of amorphous silicon to form a channel of the second thin film transistor 152. The ohmic contact layer 155 is formed for ohmic contact between the source electrode 157 and the drain electrode 159 and the active layer 154. The source electrode 157 supplies the data voltage from the data line 121 to the drain electrode 159 via the channel of the second thin film transistor 152 when the second thin film transistor 152 is turned on. The drain electrode 159 supplies the data voltage transferred from the source electrode 157 to the second pixel portion 175.

보호막(183)은 제 2 박막 트랜지스터(152)와 게이트 절연막(153)을 덮도록 형성되고, 제 2 박막 트랜지스터(152)와 제 1 및 제 2 화소부(173,175)를 절연시킨다.The passivation layer 183 is formed to cover the second thin film transistor 152 and the gate insulating layer 153, and insulates the second thin film transistor 152 from the first and second pixel units 173 and 175.

제 1 및 제 2 화소부(173,175)는 IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 금속으로 형성되어 드레인 전극(159)과 접속된다. 그리고, 제 1 및 제 2 화소부(173,175)는 드레인 전극(159)으로부터 공급되는 데이타 전압을 통해 공통 전극(251)과 전계를 형성하여 액정(50)을 구동한다.The first and second pixel units 173 and 175 are formed of a transparent metal such as indium zinc oxide (IZO) or indium tin oxide (ITO), and are connected to the drain electrode 159. The first and second pixel units 173 and 175 form an electric field with the common electrode 251 through the data voltage supplied from the drain electrode 159 to drive the liquid crystal 50.

제 2 게이트 라인(113)과 제 1 및 제 2 화소부(173,175) 사이에 형성된 절개 패턴(171)은 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 중첩되어 형성된다. 이때, 제 2 게이트 라인(113)은 액정 표시 패널이 구동될 때 게이트 오프 전압이 인가되면 제 2 게이트 라인(113)과 제 1 및 제 2 화소 전극(170) 간에 전계가 형성된다.The cutout patterns 171 formed between the second gate line 113 and the first and second pixel units 173 and 175 overlap each other, as illustrated in FIGS. 3A and 3B. In this case, when the gate-off voltage is applied to the second gate line 113 when the liquid crystal display panel is driven, an electric field is formed between the second gate line 113 and the first and second pixel electrodes 170.

예를 들어, 액정 표시 패널에서 공통 전극(251)에는 6V가 인가되고 블랙을 표시기 위해 제 2 화소 전극(170)에 6V가 인가되어 전압차가 없으므로 액정(50)이 수직 배향된다. 이때, 제 2 게이트 라인(113)에 -7V의 게이트 오프 전압이 인가되면 제 2 게이트 라인(113)과 제 1 및 제 2 화소 전극(170) 간에 전계가 형성되고, 이러한 전계는 수직 배향된 액정(50)에 인가되어 액정(50)의 거동을 제어할 수 없게 한다.For example, in the liquid crystal display panel, 6V is applied to the common electrode 251 and 6V is applied to the second pixel electrode 170 to display black, so that the liquid crystal 50 is vertically aligned. In this case, when a gate-off voltage of −7 V is applied to the second gate line 113, an electric field is formed between the second gate line 113 and the first and second pixel electrodes 170, and the electric field is a vertically aligned liquid crystal. It is applied to 50 to make it impossible to control the behavior of the liquid crystal 50.

이때, 액정 표시 패널에 공급되는 광원은 액정 표시 패널을 투과하면서 제 2 게이트 라인(113)에 의해 차단된 빛을 제외한 나머지는 제 1 및 제 2 화소 전극(170)으로 공급된다. 따라서, 제 1 및 제 2 화소 전극(170)을 투과하는 광원은 제어되지 않는 액정(50)에 공급되어 빛샘이 발생된다. 또한, 액정 표시 패널은 수학식 1로 표현되는 명암비에서 빛샘으로 인해 블랙의 휘도가 증가하므로 명암비는 저하된다.In this case, the light source supplied to the liquid crystal display panel is transmitted to the first and second pixel electrodes 170 while passing through the liquid crystal display panel except for the light blocked by the second gate line 113. Therefore, the light sources passing through the first and second pixel electrodes 170 are supplied to the uncontrolled liquid crystal 50 to generate light leakage. In addition, since the brightness of black increases due to light leakage in the contrast ratio represented by Equation 1, the contrast ratio is lowered.

Figure 112006053732774-PAT00001
Figure 112006053732774-PAT00001

여기서, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 도 2 및 도 3b에 도시된 바와 같이 제 2 게이트 라인(113)의 상측 및 절개 패턴(171)의 하측에 차단층(191)을 형성한다. 이때, 차단층(191)은 플로팅되어 형성된다. 차단층(191)은 데이터 라인(121)과 동일 금속으로 데이터 라인(121)과 동일 평면 상에 형성된다. 차단층(191)은 소스 및 드레인 전극(159) 형성시 게이트 절연막(153)의 상측에 패터닝되어 형성되며, 제 2 게이트 라인(113)과 전계를 형성하여 제 1 및 제 2 화소부(173,175)와 제 2 게이트 라인(113) 간의 전계가 형성되는 것을 방지한다. 따라서, 차단층(191)은 제 2 게이트 라인(113)과 제 1 및 제 2 화소부(173,175) 간의 전계에 의해 액정(50)을 제어하지 못하여 발생되는 빛샘을 방지하며, 액정 표시 패널의 명암비가 저하되는 것을 방지한다.Here, in the liquid crystal display panel according to the present invention, as shown in FIGS. 2 and 3B, the blocking layer 191 is formed on the upper side of the second gate line 113 and the lower side of the cutout pattern 171. In this case, the blocking layer 191 is formed to float. The blocking layer 191 is formed on the same plane as the data line 121 and made of the same metal as the data line 121. The blocking layer 191 is formed by patterning an upper side of the gate insulating layer 153 when the source and drain electrodes 159 are formed, and forms an electric field with the second gate line 113 to form the first and second pixel portions 173 and 175. And the electric field between the second gate line 113 is prevented. Accordingly, the blocking layer 191 prevents light leakage caused by failure to control the liquid crystal 50 by an electric field between the second gate line 113 and the first and second pixel units 173 and 175, and the contrast ratio of the liquid crystal display panel. To prevent the fall.

도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 I-I', II-II'의 절단면을 도시한 단면도이다.4 is a plan view illustrating a liquid crystal display panel according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating cut planes of lines II ′ and II ′ of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 도 1 및 도 2에 도시된 액정 표시 패널과 대비하여 차단층(210)이 컬러 필터 기판(20)에 형성되는 것을 제외하고는 동일한 구성 요소를 구비한다. 따라서, 동일한 구성 요소에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.4 and 5, the liquid crystal display panel according to the present invention except that the blocking layer 210 is formed on the color filter substrate 20 as compared to the liquid crystal display panel shown in FIGS. 1 and 2. With the same components. Therefore, detailed description of the same components will be omitted.

차단층(210)은 박막 트랜지스터 기판(10)의 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 절개 패턴(171)이 중첩되는 부분에서 발생되는 빛샘을 차단하기 위해, 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 절개 패턴(171)의 상측에 설치된 컬러 필터 기판(20)에 형성된다. 여기서, 차단층(210)은 블랙 매트릭스(215)와 동일 재질로 블랙 매트릭스와 동일 평면 상에 형성된다. 그리고, 블랙 매트릭스(215)는 원형, 타원형, 다각형 중 적어도 어느 하나의 형태로 형성된다.The blocking layer 210 may block light leakage generated at a portion where the first and second gate lines 111 and 113 and the cutting pattern 171 overlap the thin film transistor substrate 10. It is formed on the color filter substrate 20 provided above the 111,113 and the cutting pattern 171. Here, the blocking layer 210 is formed on the same plane as the black matrix and made of the same material as the black matrix 215. The black matrix 215 is formed in at least one of a circle, an ellipse, and a polygon.

도 6은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 도 4에 도시된 I-I', II-II'의 절단면을 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display panel according to a third exemplary embodiment of the present invention, taken along the line I-I 'and II-II' of FIG. 4.

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 도 1 및 도 2에 도시된 액정 표시 패널과 대비하여 차단층이 박막 트랜지스터 기판(10) 및 컬러 필터 기판(20) 각각 제 1 및 제 2 차단층(191,210)으로 형성되는 것을 제외하고는 동일한 구성 요소를 구비한다. 따라서, 동일한 구성 요소에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 6, in the liquid crystal display panel according to the present invention, the blocking layer may have a thin film transistor substrate 10 and a color filter substrate 20 as compared with the liquid crystal display panel shown in FIGS. 1 and 2, respectively. The same components are provided except that the barrier layers 191 and 210 are formed. Therefore, detailed description of the same components will be omitted.

제 1 차단층(191)은 박막 트랜지스터 기판(10)에서 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 중첩되고, 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)의 상측 및 절개 패턴(171)의 하측에 플로팅되어 형성된다. 이때, 제 1 차단층(191)은 데이터 라인(121)과 동일 금속으로 데이터 라인(121)과 동일 평면 상에 형성된다. 그리고, 제 1 차단층(191)은 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 제 1 및 제 2 화소부(173,175) 간에 전계가 발생되는 것을 방지한다.The first blocking layer 191 overlaps the first and second gate lines 111 and 113 in the thin film transistor substrate 10, and is disposed above the first and second gate lines 111 and 113 and below the cut pattern 171. It is formed by floating. In this case, the first blocking layer 191 is formed on the same plane as the data line 121 and made of the same metal as the data line 121. In addition, the first blocking layer 191 prevents an electric field from being generated between the first and second gate lines 111 and 113 and the first and second pixel units 173 and 175.

또한, 제 2 차단층(210)은 컬러 필터 기판(20)에서 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 절개 패턴(171)의 상측에 블랙 매트릭스(215)와 동일한 재질로 블랙 매트릭스와 동일 평면 상에 원형, 타원형, 다각형 중 적어도 어느 하나의 형태로 형성된다. 제 2 차단층(210)은 제어가 불량한 액정에 의해 발생되는 빛샘을 차단한다.In addition, the second blocking layer 210 is the same material as the black matrix 215 on the upper side of the first and second gate lines 111 and 113 and the cutout pattern 171 in the color filter substrate 20 and is coplanar with the black matrix. It is formed in at least one of the shape of a circle, oval, polygon. The second blocking layer 210 blocks light leakage caused by poorly controlled liquid crystal.

도 7a 및 도 7b는 도 4에 도시된 I-I' 및 II-II'의 절단면을 통해 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.7A and 7B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention through the cut planes of lines II ′ and II-II ′ of FIG. 4.

도 7a를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널의 제조 방법 중 제 1 단계는 하부 기판(100) 상에 형성된 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113), 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113) 각각과 교차하여 서브 화소 영역을 마련하는 데이터 라인(121), 제 1 게이트 라인(111) 및 데이터 라인(121)과 접속된 제 1 박막 트랜지스터(151), 제 2 게이트 라인(113) 및 데이터 라인(121)과 접속된 제 2 박막 트랜지스터(152), 서브 화소 영역에 형성되며 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터 (151,152) 각각과 접속되는 제 1 및 제 2 화소부(173,175)를 포함하는 화소 전극(170), 제 1 및 제 2 화소부(173,175) 사이에 형성되어 이들을 구분하는 절개 패턴(171), 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 절개 패턴(171)에 중첩되고 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)의 상측 및 절개 패턴(171)의 하측에 형성되는 차단층(191)을 포함하는 박막 트랜지스터 기판(10)을 마련한다.Referring to FIG. 7A, a first step of a method of manufacturing a liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention may include first and second gate lines 111 and 113 and first and second gate lines formed on the lower substrate 100. A data line 121, a first gate line 111, a first thin film transistor 151, a second gate line 113 connected to the data line 121 to cross the 111 and 113, respectively, and provide a sub pixel area; A pixel including the second thin film transistor 152 connected to the data line 121 and the first and second pixel parts 173 and 175 formed in the sub pixel area and connected to the first and second thin film transistors 151 and 152, respectively. A cutting pattern 171 formed between the electrode 170 and the first and second pixel units 173 and 175 to separate the first and second pixel portions 173 and 175, and overlaps the first and second gate lines 111 and 113 and the cutting pattern 171, respectively. The blocking layer 191 is formed above the second gate lines 111 and 113 and below the cutting pattern 171. To prepare a thin film transistor substrate 10 comprising a.

구체적으로, 하부 기판(100) 상에 증착된 금속을 패터닝하여 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)을 형성한다. 그리고, 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터(151,152)를 정의하기 위해 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)에서 돌출된 게이트 전극(114)을 형성한다.Specifically, the metal deposited on the lower substrate 100 is patterned to form first and second gate lines 111 and 113. The gate electrodes 114 protruding from the first and second gate lines 111 and 113 are formed to define the first and second thin film transistors 151 and 152.

다음으로, 게이트 패턴이 형성된 박막 트랜지스터 기판(10)의 하부 기판(100) 전면에 SiNx 등을 플라즈마 화학 기상 증착법으로 적층하여 게이트 절연막(153), 활성층(154), 오믹 접촉층(155)을 형성하고, 금속을 증착하여 소스 전극(157), 드레인 전극(159) 및 제 1 차단층(191)을 형성한다.Next, SiNx or the like is deposited on the entire lower substrate 100 of the thin film transistor substrate 10 on which the gate pattern is formed by plasma chemical vapor deposition to form the gate insulating layer 153, the active layer 154, and the ohmic contact layer 155. The metal is deposited to form the source electrode 157, the drain electrode 159, and the first blocking layer 191.

게이트 패턴층 상부에 게이트 절연막(153)을 형성한다. 그리고, 게이트 절연막(153) 위에 비정질 실리콘막을 형성하고, 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터(151,152)를 형성하기 위해 활성층(154) 및 오믹 접촉층(155)을 형성한다. 게이트 절연막(153), 활성층(154) 및 오믹 접촉층(155)이 형성된 상부에 금속을 증착한 후, 패터닝하여 소스 전극(157), 드레인 전극(159)을 형성한다. 이때, 소스 전극(157) 및 드레인 전극(159)과 동일한 재질로 동일 평면상에 제 1 차단층(191)을 패터닝하여 플로팅한다.The gate insulating layer 153 is formed on the gate pattern layer. An amorphous silicon film is formed on the gate insulating film 153, and an active layer 154 and an ohmic contact layer 155 are formed to form the first and second thin film transistors 151 and 152. A metal is deposited on the gate insulating layer 153, the active layer 154, and the ohmic contact layer 155, and then patterned to form a source electrode 157 and a drain electrode 159. In this case, the first blocking layer 191 is patterned and floated on the same plane using the same material as the source electrode 157 and the drain electrode 159.

다음으로, 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터(151,152) 및 제 1 차단층(191)의 상부에 스핀 코팅 방법으로 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터(151,152) 및 제 1 차단층(191)을 보호하고 절연시키는 보호막(161)을 형성한다. 그리고, 보호막(161)의 일부 영역을 제거하여 드레인 전극(159)의 일부 영역을 노출시키는 컨텍홀을 형성한다. Next, the first and second thin film transistors 151 and 152 and the first blocking layer 191 are protected and insulated by the spin coating method on top of the first and second thin film transistors 151 and 152 and the first blocking layer 191. A protective film 161 is formed. A portion of the passivation layer 161 is removed to form a contact hole exposing a portion of the drain electrode 159.

보호막(161)의 상부에는 화소 전극을 형성한다. 여기서, 화소 전극은 절개 패턴(171)을 형성하여 화소 전극을 제 1 및 제 2 화소부(173,175)로 분할한다. 그리고, 제 1 및 제 2 화소부(173,175)는 컨텍홀을 통해 드레인 전극(159)과 접속한다.The pixel electrode is formed on the passivation layer 161. Here, the pixel electrode forms a cutout pattern 171 to divide the pixel electrode into the first and second pixel units 173 and 175. The first and second pixel units 173 and 175 are connected to the drain electrode 159 through the contact hole.

다음으로, 도 7b를 참조하여 액정 표시 패널의 제조 방법 중 제 2 단계를 설명하기로 한다.Next, a second step of the manufacturing method of the liquid crystal display panel will be described with reference to FIG. 7B.

제 2 단계는 하부 기판(100)과 대향하는 상부 기판(200) 상에 형성되어 서브 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스(215), 서브 화소 영역에 형성되는 컬러 필터(221), 화소 전극(170)과 전계를 이루는 공통 전극(251)을 포함하는 컬러 필터 기판을 마련한다.The second step is a black matrix 215 formed on the upper substrate 200 facing the lower substrate 100 to separate the sub pixel regions, a color filter 221 formed on the sub pixel region, and a pixel electrode 170. A color filter substrate including a common electrode 251 forming an electric field is prepared.

컬러 필터 기판은 제조공정상 도 6에 도시된 컬러 필터 기판의 상부에서부터 하부로 형성된다.The color filter substrate is formed from the top to the bottom of the color filter substrate shown in FIG. 6 in the manufacturing process.

상부 기판(200) 위에 불투명한 유기물질 또는 불투명한 금속을 도포한 후 포토리소그래피 또는 패터닝하여 블랙 매트릭스(215)를 형성한다. 여기서, 상부 기판(200)에는 하부 기판(100)의 제 1 및 제 2 게이트 라인(111,113)과 절개 패턴 (171)에 중첩되게 제 2 차단층(210)을 형성한다.An opaque organic material or an opaque metal is coated on the upper substrate 200 and then photolithography or patterned to form the black matrix 215. Here, the second blocking layer 210 is formed on the upper substrate 200 so as to overlap the first and second gate lines 111 and 113 and the cutting pattern 171 of the lower substrate 100.

그리고, 블랙 매트릭스(215)를 형성한 후 색상을 구현하기 위해 컬러 필터(221)를 형성한다. 컬러 필터(221)는 포토리소그래피 방법으로 Red, Green, Blue 순서로 형성한다. 그리고, 컬러 필터(221)의 보호와 공통 전극(251) 형성시 양호한 스텝 커버리지를 위해 컬러 필터(221) 표면에 오버 코트(241)를 형성한다. 오버 코트(241)는 아크릴 수지 등을 스핀 코팅의 방법으로 형성한다. 그리고, 오버 코트(241)의 상부에 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전성 물질로 공통 전극(251)을 형성한다.After the black matrix 215 is formed, the color filter 221 is formed to implement color. The color filter 221 is formed in the order of red, green, and blue by a photolithography method. An overcoat 241 is formed on the surface of the color filter 221 for the protection of the color filter 221 and for good step coverage in forming the common electrode 251. The overcoat 241 forms acrylic resin etc. by the spin coating method. The common electrode 251 is formed on the overcoat 241 using a transparent conductive material such as ITO or IZO.

다음으로, 액정 표시 패널의 제조 방법 중 제 3 단계는 제 1 및 제 2 단계를 통해 마련된 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판의 사이에 액정을 주입하고 밀봉되도록 합착한다. Next, the third step of the manufacturing method of the liquid crystal display panel is injected and sealed so as to inject and seal the liquid crystal between the thin film transistor substrate and the color filter substrate provided through the first and second steps.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 수직 배향 모드로 구동시 게이트 라인의 상측 및 화소 전극의 하측에 차단층을 형성하여 액정에 가해지는 프린지 전계를 방지한다. 액정 표시 패널은 액정에 인가되는 프린지 전계를 방지하여 액정의 거동을 제어하여 빛샘을 방지한다. 또한, 액정 표시 패널은 게이트 라인과 화소 전극 상측에 차단층을 형성하여 빛샘을 방지한다. 이러한 액정 표시 패널은 구동 초기에 빛샘으로 인한 명암비의 저하를 방지하여 표시 품질을 향상시킨다.As described above, the liquid crystal display panel according to the present invention forms a blocking layer on the upper side of the gate line and the lower side of the pixel electrode when driving in the vertical alignment mode to prevent the fringe electric field applied to the liquid crystal. The liquid crystal display panel prevents light leakage by controlling the behavior of the liquid crystal by preventing a fringe electric field applied to the liquid crystal. In addition, the liquid crystal display panel prevents light leakage by forming a blocking layer over the gate line and the pixel electrode. The liquid crystal display panel improves display quality by preventing a decrease in contrast ratio due to light leakage at the initial stage of driving.

이상에서 상술한 본 발명은 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술 될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention described above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the technical field described in the claims to be described later and It will be appreciated that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the art.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (11)

상부 기판 상에 형성되어 서브 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스, 상기 서브 화소 영역에 형성되는 컬러 필터, 상기 블랙 매트릭스 및 컬러 필터를 덮도록 형성된 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판과;A color filter substrate including a black matrix formed on an upper substrate to separate sub pixel regions, a color filter formed in the sub pixel region, and a common electrode formed to cover the black matrix and the color filters; 상기 컬러 필터 기판과 액정을 사이에 두고 마주보며, 하부 기판 상에 형성된 제1 및 제2 게이트 라인, 상기 제1 및 제2 게이트 라인 각각과 교차하여 서브 화소 영역을 마련하는 데이터 라인, 상기 제1 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 1 박막 트랜지스터, 상기 제2 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 2 박막 트랜지스터, 상기 서브 화소 영역에 형성되며 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터 각각과 접속되는 제 1 및 제 2 화소부를 포함하는 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 화소부 사이에 형성되어 상기 액정의 배향 방향을 조절하는 절개 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 구비하며,A data line facing each other with the color filter substrate and the liquid crystal interposed therebetween, the data line crossing the first and second gate lines and the first and second gate lines formed on the lower substrate to form a sub-pixel region; A first thin film transistor connected to a gate line and a data line, a second thin film transistor connected to the second gate line and a data line, and a first thin film transistor formed in the sub-pixel region and connected to the first and second thin film transistors, respectively. And a thin film transistor substrate including a pixel electrode including a second pixel portion, and a cutting pattern formed between the first and second pixel portions to adjust an alignment direction of the liquid crystal. 상기 컬러 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판 중 어느 한 기판은 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인 중 어느 하나와 상기 절개 패턴에 중첩되게 상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판 상에 형성되는 차단층을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.Any one of the color filter substrate and the thin film transistor substrate includes a blocking layer formed on at least one of the upper substrate and the lower substrate so as to overlap one of the first and second gate lines and the cutting pattern. A liquid crystal display panel characterized in that. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차단층은 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인의 상측 및 상기 절개 패턴의 하측에 플로팅되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.And the blocking layer is formed so as to float above the first and second gate lines and below the cutting pattern. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.And wherein the blocking layer is formed of the same metal as the data line and formed on the same plane as the data line. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차단층은 상기 블랙매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙매트릭스와 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.The blocking layer is formed of the same material as the black matrix and formed on the same plane as the black matrix. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차단층은 원형, 타원형, 다각형 중 적어도 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.And the blocking layer is formed in at least one of a circle, an ellipse, and a polygon. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성되는 제 1 차단층과;The blocking layer includes a first blocking layer formed of the same metal as the data line and coplanar with the data line; 상기 블랙매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙매트릭스와 동일 평면 상에 형성되는 제 2 차단층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.And a second blocking layer formed of the same material as the black matrix and formed on the same plane as the black matrix. 하부 기판 상에 형성된 제 1 및 제 2 게이트 라인, 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인 각각과 교차하여 서브 화소 영역을 마련하는 데이터 라인, 상기 제 1 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 1 박막 트랜지스터, 상기 제 2 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 제 2 박막 트랜지스터, 상기 서브 화소 영역에 형성되며 상기 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터 각각과 접속되는 제 1 및 제 2 화소부를 포함하는 화소 전극, 상기 제 1 및 제 2 화소부 사이에 형성되어 이들을 구분하는 절개패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 마련하는 제1 단계와;First and second gate lines formed on a lower substrate, a data line crossing each of the first and second gate lines to form a sub pixel region, a first thin film transistor connected to the first gate line and the data line, A second thin film transistor connected to the second gate line and a data line, a pixel electrode formed in the sub pixel area and connected to the first and second thin film transistors, respectively; And a first step of providing a thin film transistor substrate formed between the second pixel portions and including a cutout pattern that separates them. 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판 상에 형성되어 서브 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스, 상기 서브 화소 영역에 형성되는 컬러 필터, 상기 화소 전극과 전계를 이루는 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판을 마련하는 제 2 단계와;Providing a color filter substrate including a black matrix formed on an upper substrate facing the lower substrate and separating a sub pixel region, a color filter formed in the sub pixel region, and a common electrode forming an electric field with the pixel electrode; Two steps; 액정을 사이에 두고 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 컬러 필터 기판을 합착하는 제 3 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 단계 중 어느 한 단계는 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인 중 어느 하나와 상기 절개 패턴에 중첩되게 상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판 상에 차단층을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 패널의 제조 방법.And a third step of bonding the thin film transistor substrate and the color filter substrate to each other with a liquid crystal interposed therebetween, wherein any one of the first and second steps includes any one of the first and second gate lines. And forming a blocking layer on at least one of the upper substrate and the lower substrate so as to overlap the pattern. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 차단층은 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인의 상측 및 상기 절개 패턴의 하측에 플로팅되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.And wherein the blocking layer is formed to float above the first and second gate lines and below the cutting pattern. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.And the blocking layer is formed of the same metal as the data line and coplanar with the data line. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 차단층은 상기 블랙 매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙 매트릭스와 동일 평면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.And wherein the blocking layer is formed of the same material as the black matrix and coplanar with the black matrix. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 차단층은 상기 데이터 라인과 동일 금속으로 상기 데이터 라인과 동일 평면 상에 형성되는 제 1 차단층과;The blocking layer includes a first blocking layer formed of the same metal as the data line and coplanar with the data line; 상기 블랙 매트릭스와 동일 재질로 상기 블랙매트릭스와 동일 평면 상에 형성되는 제 2 차단층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법.And a second blocking layer formed on the same plane as the black matrix and made of the same material as the black matrix.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9778521B2 (en) 2013-12-17 2017-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
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