KR20080004948A - Plasma display, and driving device thereof - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 플라즈마 표시 장치의 구동 회로를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a driving circuit of a conventional plasma display device.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)를 개략적으로 나타낸 도면이다.3 is a view schematically illustrating a
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.4 illustrates a driving waveform of the plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 구동 파형을 생성하기 위한 구동 회로(410)의 동작 과정을 나타낸 도면이다.5A to 5C are diagrams illustrating an operation process of the
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display device and a driving device thereof.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 방전 셀이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.The plasma display device is a device that displays characters or images using plasma generated by gas discharge. In the plasma display panel, dozens to millions or more of discharge cells are arranged in a matrix form according to their size.
일반적으로 플라즈마 표시 장치에서는 한 프레임이 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 복수의 서브필드 중 표시 동작이 일어나는 서브필드의 가중치의 조합에 의해 계조가 표시된다. 각 서브필드의 리셋 기간 동안 어드레스 방전을 안정적으로 수행하기 위해 복수의 주사 전극에 점진적으로 증가하는 파형과 점진적으로 감소하는 파형을 인가하여 방전 셀을 초기화하고, 어드레스 기간 동안 발광 할 셀을 선택하기 위해 복수의 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가한다. 그리고 유지 기간 동안 실제로 영상을 표시하기 위해 주사 전극과 유지 전극에 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가하여 켜질 셀에 대하여 유지 방전을 수행하고 있다.In general, in a plasma display device, one frame is divided into a plurality of subfields to be driven, and a gray level is displayed by a combination of weights of subfields in which a display operation occurs among the plurality of subfields. To initialize the discharge cells by applying a gradually increasing waveform and a gradually decreasing waveform to the plurality of scan electrodes to stably perform the address discharge during the reset period of each subfield, and to select a cell to emit light during the address period. Scan pulses are sequentially applied to the plurality of scan electrodes. In order to actually display an image during the sustain period, sustain discharge is performed on a cell to be turned on by applying a sustain discharge pulse having a high level voltage and a low level voltage to the scan electrode and the sustain electrode in a reverse phase.
이러한 동작을 위해서, 주사 전극을 구동하기 위한 구동 회로에는 도 1에 도시된 바와 같이, 유지 기간에서 주사 전극에 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 각각 인가하기 위한 트랜지스터(Ys, Yg), 리셋 기간에서 주사 전극의 전압을 점진적으로 증가/감소시키기 위한 트랜지스터(Yrr, Yfr) 및 어드레스 기간에서 복수의 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가하기 위한 트랜지스터(YscL)가 형성되어 있다. 또한, 어드레스 기간에서 복수의 주사 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가하기 위한 트랜지스터(YscL)가 턴온될 때 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압을 인가하기 위한 트랜지스터(Yg)의 바디 다이오드를 통하여 형성되는 경로를 차단하기 위한 트랜지스터(Ynp) 및 리셋 기간에서 주사 전극의 전압을 점진적으로 증가시키기 위한 경로와 유지 기간에서 주사 전극에 하이 레벨 전압을 인가하기 위한 경로를 분리하기 위한 트랜지스터(Ypp)가 형성되어 있다. 또한 주사 전극에 하이 레벨 전 압과 로우 레벨 전압을 인가하기 위해 전력을 회수하여 재사용하는 에너지 회수 회로를 구성하는 트랜지스터(Yr, Yf) 및 어드레스 기간을 위한 주사 회로를 구성하는 트랜지스터(Sch, Scl) 등 많은 트랜지스터의 사용으로 인해 구동 회로의 단가가 증가된다.For this operation, as shown in Fig. 1, the driving circuit for driving the scan electrode includes transistors Ys and Yg for applying the high level voltage and the low level voltage to the scan electrode in the sustain period, and in the reset period. Transistors Yrr and Yfr for gradually increasing / decreasing the voltage of the scan electrodes and transistors YscL for sequentially applying scan pulses to the plurality of scan electrodes in the address period are formed. In addition, a path formed through the body diode of the transistor Yg for applying the low level voltage of the sustain discharge pulse when the transistor YscL for sequentially applying the scan pulse to the plurality of scan electrodes in the address period is turned on. The transistor Ynp for blocking and the transistor Ypp for separating the path for gradually increasing the voltage of the scan electrode in the reset period and the path for applying a high level voltage to the scan electrode in the sustain period are formed. In addition, transistors Yr and Yf constituting an energy recovery circuit for recovering and reusing power for applying a high level voltage and a low level voltage to the scan electrode, and transistors Sch and Scl constituting a scanning circuit for an address period. The use of many transistors increases the cost of the driving circuit.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라즈마 표시 장치의 구동 회로의 단가를 줄일 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a plasma display device and a driving device for reducing the unit cost of a driving circuit of the plasma display device.
본 발명의 한 특징에 따른 플라즈마 표시 장치는, 복수의 제1 전극, 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1단이 연결되어 상기 복수의 제1 전극의 전압이 점진적으로 증가하도록 동작하는 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 제2단에 제1단이 연결되어 있고, 상기 복수의 제1 전극에 제2단이 연결되어 있는 제2 트랜지스터, 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원에서 상기 제2 트랜지스터의 제1단으로 전류가 흐르도록 하는 제1 경로, 어드레스 기간에서 켜질 셀의 제1 전극에 인가되는 제3 전압을 공급하는 제3 전원에 제1단이 연결되어 있는 제3 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터의 제2단에 제1단이 연결되어 있고, 상기 복수의 제1 전극에 제2단이 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 상기 제4 트랜지스터의 제1단에서 상기 제2 전압보다 낮은 제4 전압을 공급하는 제4 전원으로 전류가 흐르도록 하는 제2 경로, 그리고 상기 제4 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 상기 복수의 제1 전극의 전압이 점진적으로 감소하도록 동작하는 제5 트랜지스터를 포함한 다.According to an aspect of the present invention, a plasma display device includes a plurality of first electrodes and a first terminal connected to a first power supply for supplying a first voltage to operate to gradually increase voltages of the plurality of first electrodes. A first transistor, a second transistor connected to a second end of the first transistor and having a second end connected to the plurality of first electrodes, and supplying a second voltage lower than the first voltage A first path is connected to a first path through which a current flows from a second power supply to the first end of the second transistor, and a third power supply supplying a third voltage applied to the first electrode of the cell to be turned on in the address period. A third transistor, a fourth transistor having a first end connected to a second end of the third transistor, and a second end connected to the plurality of first electrodes, wherein the first transistor is connected to the first end of the fourth transistor. Fourth charge lower than the second voltage A second path through which a current flows to a fourth power supply for supplying a second voltage; and a fifth transistor connected between the fourth power supply and the plurality of first electrodes to operate to gradually decrease voltages of the plurality of first electrodes. It includes.
본 발명의 다른 한 특징에 따르면, 복수의 제1 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 장치가 제공된다. 이 구동 장치는, 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1단이 연결되어 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 증가시키는 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 제2단과 복수의 제1 전극 사이에 직렬로 연결되어 있는 적어도 하나의 제2 트랜지스터, 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 공급하는 제2 전원에 애노드가 연결되고, 상기 제1 트랜지스터의 제2단에 캐소드가 연결되어 있는 제1 다이오드, 어드레스 기간에서 켜질 셀의 제1 전극에 인가되는 제3 전압을 공급하는 제3 전원에 제1단이 연결되어 있는 제3 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터의 제2단과 상기 복수의 제1 전극 사이에 직렬로 연결되어 있는 적어도 하나의 제4 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터의 제2단에 애노드가 연결되고, 상기 제2 전압보다 낮은 제4 전압을 공급하는 제4 전원에 캐소드가 연결되어 있는 제2 다이오드, 그리고 상기 제3 전원과 상기 복수의 제1 전극 사이에 연결되어 상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 감소시키는 제5 트랜지스터를 포함한다.According to another aspect of the present invention, an apparatus for driving a plasma display device including a plurality of first electrodes is provided. The driving device includes a first transistor connected to a first power supply for supplying a first voltage, the first transistor gradually increasing voltages of the plurality of first electrodes, a second end of the first transistor, and a plurality of first electrodes. At least one second transistor connected in series between the electrodes, an anode connected to a second power supply for supplying a second voltage lower than the first voltage, and a cathode connected to a second end of the first transistor A first diode, a third transistor having a first end connected to a third power supply for supplying a third voltage applied to a first electrode of a cell to be turned on in an address period, a second end of the third transistor and the plurality of first At least one fourth transistor connected in series between the electrodes, an anode connected to the second terminal of the third transistor, and a cathode connected to a fourth power supply for supplying a fourth voltage lower than the second voltage. And a fifth transistor connected between the second diode and the third power supply and the plurality of first electrodes to gradually reduce voltages of the plurality of first electrodes.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is "connected" to another part, this includes not only "directly connected" but also "electrically connected" with another element in between. . In addition, when a part is said to "include" a certain component, which means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.
그리고 명세서 전체에서 전압을 유지한다는 표현은 특정 2점간의 전위 차가 시간 경과에 따라 변화하여도 그 변화가 설계 상 허용될 수 있는 범위 내이거나 변화의 원인이 당업자의 설계 관행에서는 무시되고 있는 기생 성분에 의한 경우를 포함한다. 또한 방전 전압에 비해 반도체 소자(트랜지스터, 다이오드 등)의 문턱 전압이 매우 낮으므로 문턱 전압을 0V로 간주하고 근사 처리한다.In addition, the expression that the voltage is maintained throughout the specification indicates that even if the potential difference between two specific points changes over time, the change is within an allowable range in the design or the cause of the change is due to parasitic components that are ignored in the design practice of those skilled in the art. Include cases by. In addition, since the threshold voltage of a semiconductor device (transistor, diode, etc.) is very low compared to the discharge voltage, the threshold voltage is regarded as 0V and approximated.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 장치에 대해서 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.First, a plasma display device and a driving device thereof according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.As shown in FIG. 2, a plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이하, "A 전극"이라 함)(A1-Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, "X 전극"이라 함)(X1-Xn) 및 주사 전극(이하, "Y 전극"이라 함)(Y1-Yn)을 포함한다. 일반적으로 X 전극(X1-Xn)은 각 Y 전극(Y1-Yn)에 대응 해서 형성되어 있으며, X 전극과 Y 전극이 유지 기간에서 화상을 표시하기 위한 표시 동작을 수행한다. Y 전극(Y1-Yn)과 X 전극(X1-Xn)은 A 전극(A1-Am)과 직교하도록 배치된다. 이때, A 전극(A1-Am)과 X 및 Y 전극(X1-Xn, Y1-Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 셀(110)을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.The
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호, 유지 전극 구동 제어 신호 및 주사 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 어드레스 기간 및 유지 기간을 포함한다.The
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터의 구동 제어 신호에 따라 A 전극(A1-Am)에 구동 전압을 인가한다.The
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터의 구동 제어 신호에 따라 Y 전극(Y1-Yn)에 구동 전압을 인가한다. The
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터의 구동 제어 신호에 따라 X 전극(X1-Xn)에 구동 전압을 인가한다.The
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3에서는 복수의 Y 전극(Y1-Yn)에 연결되어 있는 구동 회로(410)만을 도시하였으며, 설명의 편의상 하나의 X 전극(X)과 하나의 Y 전극(Y)만을 도시하였다. 또한 X 전극(X)과 Y 전극(Y)에 의해 형성되는 용량성 성 분을 패널 커패시터(Cp)로 도시하였다. 그리고 이러한 구동 회로(410)는 도 1의 주사 전극 구동부(500)에 형성될 수 있으며, 복수의 X 전극(X1-Xn)에 연결된 구동 회로(510)는 도 3의 구동 회로(410)와 일부 유사한 구조를 가질 수 있으며, 다른 구조를 가질 수도 있다.3 is a view schematically illustrating a
도 3에 도시한 바와 같이, 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2, Ys3, Ys4, YscL, Ynf), 주사 회로(411), 커패시터(Cs1, Cs2, Cs3, Cs4, CscH), 인덕터(L) 및 다이오드(D1, D2, Dr, Df, DscH)를 포함한다. 도 3에서는 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2, Ys3, Ys4, YscL, Ynf)를 n채널 전계 효과 트랜지스터, 특히 NMOS(n-channel metal oxide semiconductor) 트랜지스터로 도시하였으며, 이들 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2, Ys3, Ys4, YscL, Ynf)에는 소스에서 드레인 방향으로 바디 다이오드가 형성될 수 있다. 그리고 NMOS 트랜지스터 대신에 유사한 기능을 하는 다른 트랜지스터가 이들 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2, Ys3, Ys4, YscL, Ynf)로 사용될 수도 있다. 또한 도 2에서는 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2, Ys3, Ys4, YscL, Ynf)를 각각 하나의 트랜지스터로 도시하였지만, 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2, Ys3, Ys4, YscL, Ynf)는 각각 병렬로 연결된 복수의 트랜지스터로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the
도 3을 보면, 노드(N1)에 드레인이 연결되어 있는 트랜지스터(Ys2)의 소스가 복수의 Y 전극에 연결되어 있다. 노드(N1)에 트랜지스터(Ys1)의 소스가 연결되어 있고, 트랜지스터(Ys1)의 드레인에 소스가 연결되어 있는 트랜지스터(Yset)의 드레인이 Vset 전압을 공급하는 전원(Vset)에 연결되어 있다. 전원(Vset)에 커패시 터(Cs3)의 제1단이 연결되어 있으며, 커패시터(Cs3)에는 (Vset-Vs) 전압이 충전되어 있다. 커패시터(Cs3)의 제2단에 다이오드(D1)의 애노드가 연결되어 있고, 다이오드(D1)의 캐소드가 트랜지스터(Yset, Ys1)의 접점에 연결되어 있다.3, a source of a transistor Ys2 having a drain connected to the node N1 is connected to a plurality of Y electrodes. A source of the transistor Ys1 is connected to the node N1, and a drain of the transistor Yset having a source connected to the drain of the transistor Ys1 is connected to a power supply Vset supplying a Vset voltage. The first end of the capacitor Cs3 is connected to the power supply Vset, and the voltage of the capacitor Vs3-Vs is charged to the capacitor Cs3. An anode of the diode D1 is connected to the second end of the capacitor Cs3, and a cathode of the diode D1 is connected to the contacts of the transistors Yset and Ys1.
노드(N2)에 소스가 연결되어 있는 트랜지스터(Ys3)의 드레인이 복수의 Y 전극에 연결되어 있다. 노드(N2)에 트랜지스터(Ys4)의 드레인이 연결되어 있고, 트랜지스터(Ys4)의 소스가 0V 전압을 공급하는 접지단(0) 및 트랜지스터(YscL)의 드레인에 연결되어 있다. 그리고 트랜지스터(Ys4)의 소스에 다이오드(D2)의 애노드가 연결되어 있고, 다이오드(D2)의 캐소드가 접지단(0)에 연결되어 있다. 또한 트랜지스터(YscL)의 소스는 VscL 전압을 공급하는 전원(VscL)에 연결되어 있다. 접지단(0)에 제1단이 연결되어 있는 커패시터(Cs4)의 제2단이 전원(VscL)에 연결되어 있으며, 트랜지스터(Ynf)의 드레인이 복수의 Y 전극에 연결되어 있고, 트랜지스터(Ynf)의 소스가 전원(VscL)에 연결되어 있다. 이때, 커패시터(Cs4)는 트랜지스터(Ys3 또는 Ys3 및 Ys4)의 턴온 시에 VscL 전압으로 충전된다. 그리고 트랜지스터(Yset)는 턴온 시에 Y 전극의 전압을 Vset 전압까지 램프 형태로 서서히 상승하도록 드레인에서 소스로 미세한 전류가 흐르도록 동작하며, 트랜지스터(Ynf)는 턴온 시에 Y 전극의 A drain of the transistor Ys3 having a source connected to the node N2 is connected to the plurality of Y electrodes. The drain of the transistor Ys4 is connected to the node N2, and the source of the transistor Ys4 is connected to the ground terminal 0 which supplies the 0V voltage and the drain of the transistor YscL. An anode of the diode D2 is connected to the source of the transistor Ys4, and a cathode of the diode D2 is connected to the ground terminal 0. In addition, the source of the transistor YscL is connected to a power supply VscL for supplying a VscL voltage. The second end of the capacitor Cs4 having the first end connected to the ground terminal 0 is connected to the power supply VscL, the drain of the transistor Ynf is connected to the plurality of Y electrodes, and the transistor Ynf. ) Is connected to a power supply (VscL). At this time, the capacitor Cs4 is charged to the voltage VscL when the transistors Ys3 or Ys3 and Ys4 are turned on. The transistor Yset operates so that a minute current flows from the drain to the source so as to gradually increase the voltage of the Y electrode to the Vset voltage in the form of a lamp at turn-on, and the transistor Ynf is turned on at the turn-on of the Y electrode.
전압을 Vnf(도 4 참조) 전압까지 점진적으로 감소하도록 드레인에서 소스로 미세한 전류가 흐르도록 동작한다. 그리고 다이오드(D1)는 트랜지스터(Yset)의 턴 온 시에 Vset 전압에서 Vs 전압으로 형성되는 전류 경로를 차단하며, 다이오드(D2)는 트랜지스터(Ynf)의 턴 온 시에 트랜지스터(Ys3, Ys4)의 바디 다이오드를 통하여 접지단에서 VscL 전원으로 형성되는 전류 경로를 차단한다. 또한 다이오드(D2)는 트랜지스터(YscL)의 턴 온 시에 접지단에서 VscL 전압으로 형성되는 전류 경로를 차단한다.A small current flows from drain to source to gradually reduce the voltage to the Vnf (see FIG. 4) voltage. The diode D1 blocks a current path formed from the Vset voltage to the Vs voltage at the turn-on of the transistor Yset, and the diode D2 turns off the transistors Ys3 and Ys4 at the turn-on of the transistor Ynf. The body diode blocks the current path from the ground terminal to the VscL power supply. In addition, the diode D2 blocks a current path formed to the VscL voltage at the ground terminal when the transistor YscL is turned on.
한편, 도 3에서는 복수의 Y 전극과 노드(N1) 사이, 노드(N1)와 트랜지스터(Yst) 사이, 복수의 Y 전극과 노드(N2) 사이 및 노드(N2)와 트랜지스터(Yset) 사이에 각각 하나의 트랜지스터(Ys2, Ys1, Ys3, Ys4)가 연결되어 있는 것으로 도시하였지만, 두 개 이상의 트랜지스터가 각각 직렬로 연결될 수도 있다.Meanwhile, in FIG. 3, between the plurality of Y electrodes and the node N1, between the node N1 and the transistor Yst, between the plurality of Y electrodes and the node N2, and between the node N2 and the transistor Yset, respectively. Although one transistor Ys2, Ys1, Ys3, Ys4 is illustrated as being connected, two or more transistors may be connected in series.
주사 회로(411)는 제1 입력단과 제2 입력단을 가지며, 출력단이 Y 전극에 연결되어 있으며, 어드레스 기간에서 켜질 셀을 선택하기 위해 제1 입력단의 전압과 제2 입력단의 전압을 대응하는 Y 전극에 선택적으로 인가한다. 도 3에서는 하나의 Y 전극에 연결되어 있는 하나의 주사 회로(411)를 도시하였지만, 복수의 Y 전극(Y1-Yn)에 각각 연결되어 있는 복수의 주사 회로(431)가 존재한다. 그리고 일정 개수의 주사 회로가 하나의 주사 집적 회로(integrated circuit, IC)로 형성되어, 주사 집적 회로의 복수의 출력단이 일정 개수의 Y 전극에 각각 연결될 수도 있다. 주사 회로(411)는 트랜지스터(Sch, Scl)를 포함한다. 트랜지스터(Sch)의 소스와 트랜지스터(Scl)의 드레인이 각각 Y 전극에 연결되어 있다. VscH 전압을 공급하는 전원(VscH)에 다이오드(DscH)의 애노드가 연결되어 있고, 주사 회로(431)의 제1 입력단에 다이오드(DscH)의 캐소드가 연결되어 있다. 다이오드(DscH)의 캐소드에 커패시터(CscH)의 제1단이 연결되어 있고, 주사 회로(431)의 제2 입력단에 커패시터(CscH)의 제2단이 연결되어 있다. 이때, 트랜지스터(Ys3, Ys4, YscL)가 턴 온되 어 커패시터(CscH)에는 (VscH-VscL) 전압이 충전된다.The
또한 접지단(0)과 커패시터(Cs3)의 제2단 사이에 커패시터(Cs1, Cs2)가 직렬로 연결되어 있다. 즉, 커패시터(Cs1)의 제1단이 접지단(0)에 연결되어 있고, 커패시터(Cs1)의 제2단에 커패시터(Cs2)의 제1단이 연결되어 있으며, 커패시터(Cs2)의 제2단이 커패시터(Cs3)의 제2단에 연결되어 있다. 이때, 커패시터(Cs2)의 제2단에 의해 커패시터(Cs3)의 제2단에 Vs 전압이 공급되며, 커패시터(Cs1, Cs2)의 용량이 대략 동일하다고 하면, 두 커패시터(Cs1, Cs2)에는 각각 Vs/2 전압이 충전된다. 커패시터(Cs1, Cs2)의 접점에 제1단이 연결되어 있는 인덕터(L)의 제2단에 다이오드(Dr)의 애노드 및 다이오드(Df)의 캐소드가 각각 연결되어 있다. 다이오드(Dr)의 캐소드는 트랜지스터(Ys1, Ys2)의 접점에 연결되어 있고, 다이오드(Df)의 애노드는 트랜지스터(Ys3, Ys4)의 접점에 연결되어 있다. 이때, 다이오드(Dr)는 트랜지스터(Ys2)를 통하여 Y 전극의 전압을 증가시키는 상승 경로를 설정하기 위한 것이고, 다이오드(Df)는 트랜지스터(Ys3)를 통하여 Y 전극의 전압을 하강시키는 하강 경로를 설정하기 위한 것이다. 여기서, 인덕터(L), 다이오드(Dr, Df) 및 트랜지스터(Ys2, Ys3)는 유지 기간에서 유지 방전 펄스에 의해 형성되는 무효 전력을 회수하여 재사용하기 위한 전력 회수 수단으로 동작하며, 커패시터(Cs1)는 전력 회수용 전원(Vs/2)으로 동작한다.In addition, capacitors Cs1 and Cs2 are connected in series between the ground terminal 0 and the second terminal of the capacitor Cs3. That is, the first end of the capacitor Cs1 is connected to the ground terminal 0, the first end of the capacitor Cs2 is connected to the second end of the capacitor Cs1, and the second end of the capacitor Cs2 is connected. The stage is connected to the second stage of the capacitor Cs3. At this time, when the voltage of Vs is supplied to the second end of the capacitor Cs3 by the second end of the capacitor Cs2, and the capacitances of the capacitors Cs1 and Cs2 are approximately equal, the two capacitors Cs1 and Cs2 are respectively provided. Vs / 2 voltage is charged. An anode of the diode Dr and a cathode of the diode Df are respectively connected to a second end of the inductor L having the first end connected to the contacts of the capacitors Cs1 and Cs2. The cathode of the diode Dr is connected to the contacts of the transistors Ys1 and Ys2, and the anode of the diode Df is connected to the contacts of the transistors Ys3 and Ys4. At this time, the diode Dr is used to set the rising path for increasing the voltage of the Y electrode through the transistor Ys2, and the diode Df sets the falling path for decreasing the voltage of the Y electrode through the transistor Ys3. It is to. Here, the inductor L, the diodes Dr and Df and the transistors Ys2 and Ys3 operate as power recovery means for recovering and reusing reactive power formed by the sustain discharge pulse in the sustain period, and the capacitor Cs1. Operates as a power recovery power supply Vs / 2.
다음으로, 도 2의 구동 회로(410)를 이용하여 Y 전극에 구동 파형을 인가하는 동작 과정을 도 4, 도 5a 내지 도 5c를 참조로 하여 설명한다.Next, an operation process of applying a driving waveform to the Y electrode by using the
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이고, 도 5a 내지 도 5c는 도 3의 구동 파형을 생성하기 위한 구동 회로(410)의 동작 과정을 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a driving waveform of the plasma display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 5A to 5C are diagrams illustrating an operation process of the driving
도 4 및 도 5a에 도시한 바와 같이, 리셋 기간의 상승 기간에서 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(Ys1, Ys2, Scl)를 턴온하여 전원(Vset), 커패시터(Cs3), 다이오드(D1), 트랜지스터(Ys1, Ys2, Scl) 및 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극의 경로를 통하여 Y 전극에 Vs 전압을 인가한 후에, 트랜지스터(Yset)를 턴온하여 전원(Vset), 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2, Scl) 및 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극의 경로를 통하여 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 그리고 리셋 기간의 상승 기간 동안 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로(510)는 X 전극에 기준 전압(도 4에서는 0V)을 인가한다. 그러면, Y 전극의 전압이 증가하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 방전 셀에 벽 전하가 형성된다.As shown in FIGS. 4 and 5A, the driving
이어서, 리셋 기간의 하강 기간에서 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(Yset, Ys1, Ys2)를 턴오프하고 트랜지스터(Ys3)를 턴온한다. 그러면, Y 전극, 트랜지스터(Scl, Ys3), 다이오드(Df), 인덕터(L), 커패시터(Cs1) 및 접지단(0)의 경로를 통하여 공진이 발생하며, 이로 인해 Y 전극에 저장된 에너지가 인덕터(L)를 통하여 커패시터(Cs1)으로 회수되면서, Y 전극의 전압이 Vset 전압에서 Vs 전압으로 감소된다. 즉, 공진에 의해 Y 전극의 전압이 Vset 전압에서 (-Vset+Vs) 전압까지 감소하는데, Y 전극의 전압이 Vs 전압이 되는 순간에, 트랜지스터(Yf)를 턴오프한다. 그리고 나서, 트랜지스터(Ynf)를 턴온하여, Y 전극, 트랜지 스터(Scl, Ynf) 및 전원(VscL)의 경로를 통하여 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 도 4에서는 Vnf 전압과 VscL 전압은 동일한 레벨의 전압으로 도시하였으나 Vnf 전압이 VscL 전압보다 높은 전압일 수도 있다. 그리고 리셋 기간의 하강 기간 동안 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로(510)는 X 전극에 Ve 전압을 인가한다. 그러면, Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 복수의 방전 셀에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 초기화된다. 일반적으로 (Vnf-Ve) 전압의 크기는 Y 전극과 X 전극 사이의 방전 개시 전압 근처로 설정된다. 그러면 Y 전극과 X 전극 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되어, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 비발광 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다.Next, in the falling period of the reset period, the driving
다음, 도 4 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 어드레스 기간에서 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(Ynf)를 턴오프하고 트랜지스터(Ys3, Ys4, YscL)를 턴온해서 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 트랜지스터(Scl, s3, Ys4, YscL) 및 전원(VscL)의 경로를 통하여 켜질 셀의 Y 전극에 VscL 전압을 인가한다. 한편, VscL 전압이 인가되지 않는 Y 전극에는 VscL 전압보다 높은 VscH 전압을 인가할 수 있다. 어드레스 전극 구동부(300)는 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중 켜질 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가한다. 그러면, 주사 펄스의 VscL 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 셀에서 어드레스 방전이 일어나 X 전극과 Y 전극에 벽 전압이 형성되어 켜질 셀로 된다.Next, as shown in FIGS. 4 and 5B, in the address period, the driving
이어서, 도 4 및 도 5c에 도시한 바와 같이, 유지 기간에서 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(YscL)를 턴오프하여 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 트랜지스터(Scl, Ys3, Ys4), 다이오드(D2) 및 접지단(0)의 경로를 통하여 Y 전극에 0V 전압을 인가한다. 이때, 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로(510) 또한 X 전극에 0V 전압을 인가한다.4 and 5C, in the sustain period, the driving
이어서, 트랜지스터(Ys3, Ys4)를 턴오프하고 트랜지스터(Ys2)를 턴온한다. 그러면, 접지단(0), 커패시터(Cs1), 인덕터(L), 다이오드(Dr), 트랜지스터(Ys1, Scl) 및 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극의 경로로 공진이 발생한다. 그러면, 커패시터(Cs1)에 충전된 에너지가 인덕터(L)를 통하여 Y 전극에 주입되어 Y 전극의 전압이 0V 전압에서 Vs 전압까지 증가한다. 이때, 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로는 X 전극의 전압을 Vs 전압에서 0V 전압까지 감소시킨다.Next, the transistors Ys3 and Ys4 are turned off and the transistor Ys2 is turned on. Then, resonance occurs in the path of the Y electrode of the ground terminal 0, the capacitor Cs1, the inductor L, the diode Dr, the transistors Ys1, Scl, and the panel capacitor Cp. Then, the energy charged in the capacitor Cs1 is injected into the Y electrode through the inductor L so that the voltage of the Y electrode increases from the 0V voltage to the Vs voltage. In this case, the driving circuit of the sustain
이어서, 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(Ys1)를 턴온하여 전원(Vset), 커패시터(Cs3), 다이오드(D1), 트랜지스터(Ys1, Ys2, Scl) 및 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극의 경로를 통하여 Y 전극에 Vs 전압을 인가한다. 이때, 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로는 X 전극에 0V 전압을 인가한다.Subsequently, the driving
다음, 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(Ys1, Ys2)를 턴오프하고 트랜지스터(Ys3)를 턴온한다. 그러면, 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 트랜지스터(Scl, Ys3), 다이오드(Df), 인덕터(L), 커패시터(Cs1) 및 접지단(0)의 경로로 공진이 발생한다. 그러면, Y 전극에 저장된 에너지가 인덕터(L)를 통하여 접지단(0)으로 회수되면서, Y 전극의 전압이 Vs 전압에서 0V 전압까지 감소한다. 이 때, 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로는 X 전극의 전압을 0V 전압에서 Vs 전압으로 증가시킨다.Next, the driving
이어서, 주사 전극 구동부(410)의 구동 회로(410)는 트랜지스터(Ys4)를 턴온하여 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 트랜지스터(Scl, Ys3, Ys4), 다이오드(D2) 및 접지단(0)의 경로를 통하여 Y 전극에 0V 전압을 인가한다. 이때, 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로는 X 전극에 Vs 전압을 인가한다.Subsequently, the driving
그리고 유지 기간에서 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)는 상술한 동작을 반복하여 Y 전극에 Vs 전압과 0V 전압을 가지는 유지 방전 펄스를 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 횟수만큼 인가할 수 있다. 그리고 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로(510)는 X 전극에 유지 방전 펄스를 Y 전극에 인가되는 유지 방전 펄스와 반대 위상으로 인가할 수 있다.In the sustain period, the driving
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로(410)에서는 Y 전극에 Vset 전압을 인가하기 위한 경로와 Y 전극에 Vs 전압을 인가하기 위한 경로를 분리하기 위한 트랜지스터 대신 다이오드(D1)를 사용하고, 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압을 인가하기 위한 트랜지스터의 바디 다이오드를 통하여 형성되는 전류 경로를 차단하기 위한 트랜지스터 대신 다이오드(D2)를 사용하므로, 구동 회로(410)에서 트랜지스터의 개수를 줄일 수 있다.As described above, in the
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위 에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
이와 같이 본 발명에 의하면, 주사 전극을 구동하는 구동 회로에서 트랜지스터의 개수를 줄일 수 있으므로, 플라즈마 표시 장치의 구동 회로의 단가가 줄어든다.As described above, according to the present invention, since the number of transistors can be reduced in the driving circuit for driving the scan electrodes, the unit cost of the driving circuit of the plasma display device is reduced.
Claims (11)
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