KR20080003950A - 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자및 이의 제조방법 - Google Patents

드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자및 이의 제조방법 Download PDF

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KR20080003950A
KR20080003950A KR1020060062247A KR20060062247A KR20080003950A KR 20080003950 A KR20080003950 A KR 20080003950A KR 1020060062247 A KR1020060062247 A KR 1020060062247A KR 20060062247 A KR20060062247 A KR 20060062247A KR 20080003950 A KR20080003950 A KR 20080003950A
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Abstract

본 발명은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 다수의 애노드 전극, 상기 애노드 전극에 형성되고, 상부 각 세퍼레이트의 폭이 하부 각 세퍼레이터의 폭보다 큰 다수의 세퍼레이터, 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 상기 애노드 전극에 순차적으로 형성된 유기층, 및 캐쏘드 전극을 포함하며, 상기 세퍼레이터는 드라이 필름 포토레지스트로 형성된 유기전계발광 소자로서, 역사다리 모양의 구조를 갖도록 상부 세퍼레이터의 폭을 하부 세퍼레이터의 폭보다 크게 설계하고, 세퍼레이터 형성을 드라이 필름 포토레지스트로 수행함으로써 세퍼레이터 상부에 형성되는 도전층과 캐쏘드 전극간의 크로스 토크와 전기적 단락을 최소화하거나 방지할 수 있다.
유기전계발광*소자*세퍼레이터*DFR*

Description

드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자 및 이의 제조방법{Organic electroluminescence device using dry film photoresist and manufacturing method thereof}
도 1은 일반적인 유기 전계발광 소자의 기본 구조를 나타낸 것이고,
도 2는 역사다리꼴 구조의 세퍼레이터를 포함하는 본 발명의 유기 전계발광 소자의 단면도를 나타낸 것이고,
도 3은 세퍼레이터의 구조 제조 전 본 발명에 따라 드라이필름층이 라미네이션 된 것을 나타낸 것이고,
도 4는 본 발명의 세퍼레이트를 형성하는 드라이 필름 포토레지스트층의 라미네이션 공정 단면도를 나타낸 것이고,
도 5는 종래 유기 전계발광 소자의 제조방법을 나타낸 블록도이고,
도 6은 본 발명의 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자의 제조방법을 나타낸 블록도이다.
<도면 부호의 설명>
- 1,10,100 : 투명 기판 - 2,20,200 : 애노드 전극
- 25,250 : 절연섬 - 30,32,300 : 유기층
- 40,400 : 캐쏘드 전극 - 42 : 도전층
- 50,500 : 세퍼레이터 - 60, 102 : 드라이 필름 포토레지스트층
- 70 : 절연층 - 110 : 이송 롤러
- 130 : 라미네이션 로울러 - 5 : 유기 전계 발광 소자
본 발명은 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 통상의 유기 전계발광 소자의 세퍼레이터를 역사다리 모양의 구조를 갖도록 설계함과 동시에 상기 세퍼레이터를 드라이 필름 포토레지스트로 형성시킴으로써 상기 세퍼레이터 상부에 형성되는 도전층과 캐쏘드 전극간의 크로스 토크와 전기적 단락을 최소화하거나 방지할 수 있는 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 전계발광 소자는 다음 도 1에 기본 구조를 나타낸 바와 같이, 일함수 값이 큰 투명 전극(200,애노드 전극), 전자 관련층, 유기층(300), 정공 관련층 및 일함수 값이 작은 전극(400, 캐쏘드 전극)을 포함한다.
구체적으로 살피면, 상기 투명 기판(100) 상에 일 방향으로 평행하게 신장하는 다수의 애노드 전극(200)이 이격 배치되어 있는데, 상기 애노드 전극(200)은 통 상 인듐 틴 옥사이드(ITO)이다. 상기 애노드 전극(200)과 실질적으로 직교하며 화소를 구성하는 다수의 유기층(300)이 상기 애노드 전극(200) 상에서 이격 배치되어 있다. 상기 유기층(300)의 상부에는 통상 알루미늄으로 이루어진 다수의 캐쏘드 전극(400)이 형성되어 있다. 그리고 인접하는 상기 캐쏘드 전극(400)간의 크로스 토크와 전기적 단락을 줄이거나 방지하기 위해 상기 유기층(300)과 상기 캐쏘드층(400)의 적층 구조들 사이에는 세퍼레이터(500)가 형성되어 있다.
상기 세퍼레이터(500)는 절연물질로 형성되어 있으며, 상기 세퍼레이터(500)의 높이가 높을수록 인접하는 상기 캐쏘드 전극(400)간의 크로스 토크와 전기적 단락을 방지할 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 구조의 유기 전계발광 소자에서 상기 유기층(300)은 전자 관련층, 발광층 및 정공 관련층의 역할을 모두 수행한다. 즉, 상기 애노드 전극(200)과 상기 캐쏘드 전극(400)에 적당한 전압이 인가되면, 상기 유기층(300) 내에서는 전자(electron)와 정공(hole)이 포논(phonon)과 상호 작용하여 양성 및 음성 폴라톤이 생성되고, 이 폴라톤은 전기장 하에서 재결합하여 여기자(exciton)를 생성시킨다. 그리고 생성된 여기자가 기저 상태(ground state)로 돌아갈 때 상기 유기층(300)이 발광하게 된다.
종래 일반적으로 세퍼레이터를 포함하는 유기 전계발광 소자가 도 2에 도시되어 있다. 도 2에 도식된 바와 같이, 투명 기판(10) 상부에는 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어진 애노드 전극(20)이 형성되며, 상기 애노드 전극(20) 상부에는 상호 이격되고, 상기 애노드 전극과 직교하며 신장하는 절연섬(25)이 형성된다. 상기 절 연섬(25)의 상부에는 세퍼레이터(50)가 형성된다.
상기 세퍼레이터(50)의 형성 방법을 통상의 종래기술에 따라 설명하면 다음과 같다. 먼저 상기 애노드 전극(20) 전면을 화학물질로 도포할 포토레지스트의 접촉각을 낮춘 다음, 액상의 네거티브 타입 포토레지스트를 도포한다. 그리고, 상기 세퍼레이터(50)가 형성될 영역에 오픈된 마스크를 이용하여 상기 액상의 네거티브 타입의 포토레지스트를 노광시킨다. 그런데, 마스크를 투과한 광원의 세기는 가우시안(Gaussian) 분포를 하므로, 마스크에서 상기 절연섬(25) 쪽으로 진행하면서 노광되는 면적이 줄어들게 된다.
상기 액상의 네거티브 타입 포토레지스트는 노광된 부분이 현상 공정 후에 잔존하게 되므로, 액상의 네거티브 타입 포토레지스트의 현상 공정을 거쳐 형성되는 상기 세퍼레이터(50)는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 절연섬(25)에 가까워질수록 폭이 작아지는 네거티브 프로파일을 갖는다. 이후, 상기 세퍼레이터(50)가 포함된 상기 투명 기판(10) 전면에 유기층(30) 및 캐쏘드 전극(40)을 순차적으로 증착하여 상기 애노드 전극(20)과 직교하는 상기 유기층(30)과 상기 캐쏘드 전극(40)을 형성함과 동시에 상기 세퍼레이터(50) 상에도 상기 유기층(32)과 도전층(42)을 형성시킨다.
여기서, 상기 세퍼레이터(50)에 의해서 상기 캐쏘드 전극(40)은 인접하는 다른 캐쏘드 전극(40)과 절연된다. 그리고, 상기 인접하는 캐쏘드 전극(40) 간의 절연을 위한 상기 세퍼레이터(50)가 네거티브 프로파일을 가지므로, 상기 절연섬(25) 사이에 형성된 상기 캐쏘드 전극(40)과 상기 세퍼레이터(50) 상에 형성된 상기 도 전층(42)과의 크로스 토크와 전기적 단락이 방지된다.
즉, 상기와 같은 종래의 유기전계발광 소자의 패터닝 방법은 다음과 같은 문제점이 있다. 첫째, 패터닝시 감광막 도포, 노광 및 현상 공정이 각각 별도의 라인에서 이루어지므로 장시간의 공정 시간이 필요하다. 둘째, 액상의 감광성 도포막을 사용하므로 생기는 기판의 전처리 공정의 비용이 많이 발생한다. 셋째, 노광시 마스크는 감광막과 이격할 수도, 직접 접촉할 수도 있는데, 상기 감광막과 마스크가 접촉할 경우에는 고가의 마스크가 액상 타입의 감광막에 오염되는 문제점이 발생한다.
이에 본 발명은 상기와 같이 종래 액상 포토레지스트 조성물로부터 세퍼레이터를 제조할 경우 발생하는 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 통상의 유기 전계발광 소자의 구성에서, 애노드 전극의 상면 일 부분에 형성된 다수의 세퍼레이터의 구조를 각 상부 세퍼레이트의 폭이 각 하부 세퍼레이터보다 크도록 설계함과 동시에, 상기 세퍼레이터를 드라이 필름 포토레지스트로 형성시켜 유기 전계발광 소자를 제조한 결과, 상기 세퍼레이터는 결과적으로 역사다리꼴 모양의 구조를 가지므로, 세퍼레이터 상부에 형성된 도전층과 캐쏘드 전극 간의 크로스 토크와 전기적 단락을 최소화하거나 방지할 수 있음을 알게 되어 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 도전층과 캐쏘드 전극 간의 크로스 토크와 전기적 단락을 최소화하거나 방지할 수 있는 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 다수의 애노드 전극, 상기 애노드 전극에 형성되고, 상부 각 세퍼레이트의 폭이 하부 각 세퍼레이터의 폭보다 큰 다수의 세퍼레이터, 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 상기 애노드 전극에 순차적으로 형성된 유기층, 및 캐쏘드 전극을 포함하며, 상기 세퍼레이터는 드라이 필름 포토레지스트로 형성된 것을 그 특징으로 한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 유기 전계발광 소자를 도 2에 나타낸 단면도를 통하여 구체적으로 살피면 다음과 같다.
도 2에 도식된 바와 같이, 본 발명의 유기전계발광 소자는 투명 기판(10), 상기 투명 기판(10) 상에 형성된 다수의 애노드 전극(20), 상기 애노드 전극(20)의 상면 일 부분에 형성된 다수의 세퍼레이터(50), 및 상기 다수의 세퍼레이터(50) 사이의 상기 애노드 전극(20) 상면에 순차적으로 형성된 유기층(30)과 캐쏘드 전극(40)을 포함한다.
본 발명의 상기 투명 기판(10)은 통상의 유기 전계발광 소자에서 주로 사용되는 ITO를 사용하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 투명 기판(10) 상의 일 방향으로 신장하는 다수의 애노드 전극(20)이 상호 평행하게 이격 배치되어 있다. 필요에 따라, 상기 애노드 전극(20) 상의 소정 부분, 즉 이후에 세퍼레이터가 형성될 부분에는 절연섬(25)이 형성되어 있을 수 있으며, 상기 절연섬(25) 사이의 상기 애노드 전극(20) 상부에는 유기층(30)과 캐쏘드 전극(40)이 순차적으로 형성되어 있어 각 화소를 형성한다.
본 발명의 상기 애노드 전극(20), 절연섬(25), 유기층(30), 및 캐쏘드 전극(40)은 통상 유기 전계발광 소자에서 사용되는 물질이면 어느 것이든 사용가능한 바, 특별히 한정되지 않는다.
그리고, 상기 절연섬(25)의 상부에는 다수의 세퍼레이터(50)가 형성되어 있다. 여기서, 상기 다수의 세퍼레이터(50)는 상부 각 세퍼레이터의 폭이 하부 각 세퍼레이터의 폭보다 커서 상기 세퍼레이터(50)는 전체적으로 역사다리 모양의 구조를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 특별히 상기 세퍼레이터(50)를 드라이 필름 포토레지스트로 형성시키는 데 특징이 있다. 이러한 드라이 필름 타입의 포토레지스트는 고분자 결합제, 광개시제, 광중합성 단량체, 용매 및 기타첨가제를 포함하는 조성물로서, 상기 드라이 필름 포토레지스트를 형성하는 각 구성 성분은 특별히 한정되지 않으며, 통상의 드라이 필름 포토레지스트에 포함되는 것들이면 어떤 것이든지 사용 가능하다.
그리고, 상기 세퍼레이터(50)의 상면에는 상기 유기층(30)과 동일한 물질로 이루어진 유기층(32)과, 상기 캐쏘드 전극(40)과 동일한 물질로 이루어진 도전층(42)이 적층되어 있다.
본 발명의 세퍼레이터(50)는 전술한 바와 같이 역사다리 모양의 구조를 취하 므로, 상기 세퍼레이터(50) 상부의 상기 도전층(42)과 상기 절연섬(25) 사이의 상기 캐쏘드 전극(40)간의 크로스 토크와 전기적 단락을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 유기 전계발광 소자의 제조방법은 투명 기판을 준비하는 단계, 상기 투명 기판 상에 다수의 애노드 전극을 형성시키는 단계, 각각 하부 세퍼레이터보다 큰 폭의 상부 세퍼레이터로 구성되고, 상기 상부 세퍼레이터와 상기 하부 세퍼레이터는 동일 물질로 구성되되, 상기 상부 세퍼레이터는 드라이 필름 포토레지스트로 형성된 다수의 세퍼레이터를 상기 애노드 전극의 일 부분에 형성시키는 단계, 및 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 애노드 전극 상면에 유기층과 캐쏘드 전극을 순차적으로 형성시키는 단계를 포함한다.
구체적으로, 다음 도 3을 참고로 설명하면 다음과 같다. 먼저 투명 기판(1)을 준비하고, 그 상면에 상호 평행하게 이격 배치되는 다수의 애노드 전극(2)을 형성시키는 단계, 및 상기 애노드 전극(2) 상의 소정 부분에 절연섬(250)을 형성시키는 단계는 종래의 기술과 동일하며, 본 발명에서도 통상의 방법에 따라 수행한다. 다음으로, 상기 절연섬(250)이 형성된 투명 기판(1) 전면에 평탄화가 잘되면서, 드라이 필름 형태의 포토레지스트(60)를 라미네이션시킨다.
이러한 드라이 필름 타입 포토레지스트의 라미네이션 공정은, 다음 도 4에 나타낸 바와 같으며, 상기 드라이 필름 포토레지스트층의 라미네이션시에는 라미네이션 롤러(130)를 적절히 가열하여 상기 DFR층(60) 상의 절연층(70)의 부착성을 좋게 한다. 상기 DFR층(60)은 고체 필름층으로 그 상하부에 보호막이 코팅(coating)되어 있는 상태로 말려 있으며, 일 방향으로 라미네이션 롤러(130)로 밀며, 상기 기판(100)에 라미네이션(lamination)되어 부착된다.
이 때, 실제 투명 기판(100) 상에 라미네이션되는 DFR층(60)은 하부 보호막이 벗겨진 상태로 상기 투명 기판(100)이 DFR층(60)에 직접 닿을 수 있도록 인접시켜 형성시킨다. 이어서, 절연섬(도 4에서는 도식되지 않음.)에 정렬되지 않은 드라이 필름 상면을 노출시키는 마스크를 드라이 필름 상에 형성시키고, 노광시켜 노광된 부분의 물리적, 화학적 성질을 변형시킨다.
여기서 상기 세퍼레이터 모양의 차이는 드라이 필름을 구성하는 물질의 종류, 전자빔의 세기, 조사 시간 등에 따라 변동될 수 있다.
상기 세퍼레이터는 드라이 필름 형태의 포토레지스트를 상기 애노드 전극 상부에 형성시키는 단계, 상기 드라이 필름 포토 레지스트층의 소정 부분을 노출시키는 마스크를 상기 드라이 필름 포토 레지스트층 상면에 형성시키는 단계, 상기 마스크가 형성된 드라이 필름 포토 레지스트층을 노광, 현상시키는 단계, 상기 현상된 드라이 필름 포토 레지스트층에 빔을 조사하여 상기 드라이 필름 포토 레지스트층을 완전 경화시키는 단계에 의하여 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 선택적으로 상기 세퍼레이트로 형성되는 드라이 필름 포토 레지스트층은 보호층을 포함할 수도 있는 바, 이러한 보호층은 마스크의 세정주기를 줄일 수 있어 공정을 단순화시키고, 비용을 절감시키는 잇점이 있다.
다음으로, 본 발명에서는 특별히 도 6과 같은 방법에 따라 유기 전계발광 소자를 제조한다. 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 제조방법을 도 6를 참조하여설명하면, 먼저, 종래의 유기 전계발광 소자의 제작과 같이 절연섬 형성 공정을 거 친다. 그리고 나서, 라미네이션(S-20), 방치(S-30) 및 노광(S-40), 현상(S-50) 및 이후 공정(S-60)에 따라 후속공정을 진행한다. 이러한 공정은 종래 통상의 유기 전계발광 소자의 제조공정인 도 5와 비교했을 때, 공정을 크게 단축시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~2 및 비교예 1
실시예 1과 2는 각각 다음 표 1과 2에 나타낸 드라이 필름 레지스트 조성을 갖는 3마이크로 두께의 DFR을 절연섬이 형성되어 있는 기판 상부층에 온도 110℃, 라미네이션 롤 압력 4kgf/㎠, 속도 2.0m/min의 조건에서 Hakuto Mach610i 장비를 이용하여 진행하였다. 본 실시예에서의 노광 장비는 Perkin-ElmerTM OB7120을 이용하였으며 일반적인 스프레이 타입의 현상기를 사용하여 세퍼레이터를 형성시켰다.
조성 함량(중량%)
고분자결합제(1) 50
광개시제 벤조페논 4,4'-(비스디에틸마미노)벤조페논 2.0 1.0
첨가제 루코 크리스탈 바이올렛 톨루엔술폰산1수화물 다이아몬드 그린 GH 3.0 0.5 0.5
광중합성 단량체 9G(2) APG-400(3) BPE-500(4) 10.0 10.0 10.0
용매 메틸에틸케톤 13.0
(주) (1)고분자결합제는 메타크릴산:아크릴산:메틸메타크릴레이트의 비율이 10:10:80 인 선형고분자. (2)9G : 폴리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트. (3)APG-400 : 폴리프로필렌글리콜 다이아크릴레이트. (4)BPE-500 : (2,2-비스[메타크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판.
조성 함량(중량%)
고분자결합제(1) 50
광개시제 벤조페논 4,4'-(비스디에틸마미노)벤조페논 2.0 1.0
첨가제 루코 크리스탈 바이올렛 톨루엔술폰산1수화물 다이아몬드 그린 GH 3.0 0.5 0.5
광중합성 단량체 9G(2) APG-400(3) BPE-500(4) 10.0 10.0 10.0
용매 메틸에틸케톤 13.0
(주) (1)고분자결합제는 메타크릴산:아크릴산:메틸메타크릴레이트의 비율이 10:10:80 인 선형고분자. (2)9G : 폴리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트. (3)APG-400 : 폴리프로필렌글리콜 다이아크릴레이트. (4)BPE-500 : (2,2-비스[메타크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판.
그 다음, 통상의 유기 전계발광 소자의 제작 공정에 따라 후공정을 진행하여 상기 세퍼레이터가 포함된 상기 투명 기판 전면에 유기층 및 캐쏘드 전극을 순차적으로 증착하여 상기 애노드 전극과 직교하는 상기 유기층과 상기 캐쏘드 전극을 형성함과 동시에 상기 세퍼레이터 상에도 상기 유기층과 도전층을 형성시켰다.
다음과 같이 전기적 특성을 측정하여 다음 표 3에 나타냈으며, 위치 1(기판 왼쪽 윗면), 위치 2(중앙부분), 위치 3(기판오른쪽 아랫면)에서의 코팅두께를 측정하여 다음 표 4에 나타내었다.
<전기적 특성 측정>
I-V-L 측정기를 이용하여 전류 40(mA/㎠)에서의 구동전압, 휘도, 최대 발광 파장을 측정한다.
비교예 1은 상기와 같이 절연섬을 형성한 다음, DFR 조성을 라미네이션시키지 않고, 종래에 사용하던 유기전계 발광소자의 제작공정인 도 5에 따라 소자를 제조하고, 상기와 같이 전기적 특성과 코팅두께를 측정하여, 다음 표 3과 4에 그 결과를 나타냈다.
구동전압(V) 전류(mA/㎠) 휘도(cd/㎡) 최대 발광 파장(nm)
실시예 1 9.6 40 3245 478
실시예 2 9.5 40 3329 479
비교예 1 9.6 40 3193 474
Figure 112006047827761-PAT00001
상기 표 3의 결과로부터, 세퍼레이터를 드라이 필름 형태의 레지스트로 형성시켰을 때와 종래의 형성공정을 거쳤을 때의 전기적 특성의 차이는 보이지 않는 것을 알 수 있는 바, 이로써 본 발명과 같이 세퍼레이터를 DFR로 형성시켜 공정을 단순화시키면서도 전기적 특성을 그대로 유지할 수 있다. 따라서, 공정 및 시간의 감소, 그리고 공정수의 감소에 따른 비용절감을 할 수 있는 잇점이 있다.
또한, 상기 표 4의 결과로부터 드라이 필름으로 세퍼레이터 공정을 진행한 소자가 종래의 유기전계발광 소자의 공정보다 두께편차가 작은 것을 알 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 통상의 유기전계발광 소자에서, 역사다리 모양의 구조를 갖도록 상부 세퍼레이터의 폭을 하부 세퍼레이터의 폭보다 크게 설계하고, 세퍼레이터 형성을 드라이 필름 포토레지스트로 수행함으로써 세퍼레이터 상부에 형성되는 도전층과 캐쏘드 전극간의 크로스 토크와 전기적 단락을 최소화하거나 방지할 수 있다. 따라서, 패터닝시 감광막 도포, 노광 및 현상 공정이 각각 별도의 라인에서 이루어지므로, 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 둘째, 액상의 감광성 도포막을 사용함에 따라 발생되던 기판의 전처리 공정의 비용을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 셋째, 감광 필름 상부에 보호막이 형성된 DFR 필름을 감광막으로 이용함으로써, 마스크와 접촉하여 노광이 이루어지더라도 보호막이 감광 필름과의 직접적인 접촉을 차단하여 마스크의 오염을 방지할 수 있었다.

Claims (3)

  1. 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 다수의 애노드 전극, 상기 애노드 전극에 형성되고, 상부 각 세퍼레이트의 폭이 하부 각 세퍼레이터의 폭보다 큰 다수의 세퍼레이터, 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 상기 애노드 전극에 순차적으로 형성된 유기층, 및 캐쏘드 전극을 포함하며,
    상기 세퍼레이터는 드라이 필름 포토레지스트로 형성된 것을 특징으로 하는 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 세퍼레이터의 상면에 형성되고 상기 캐쏘드 전극과 동일한 물질로 이루어지는 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자.
  3. 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 기판 상에 다수의 애노드 전극을 형성시키는 단계; 각각 하부 세퍼레이터보다 큰 폭의 상부 세퍼레이터로 구성되고, 상기 상부 세퍼레이터와 상기 하부 세퍼레이터는 동일 물질로 구성되되, 상기 상부 세퍼레이터는 드라이 필름 포토레지스트로 형성된 다수의 세퍼레이터를 상기 애노드 전극의 일 부분에 형성시키는 단계; 및 상기 다수의 세퍼레이터 사이의 애노드 전극 상면에 유기층과 캐쏘드 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 드라이 필름 포토레지스트를 이용한 유기 전계발광 소자의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103022375A (zh) * 2012-12-05 2013-04-03 昆山维信诺显示技术有限公司 一种oled器件及其制备方法

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