KR20080002294A - Light-emitting diode having diffusion agent - Google Patents

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KR20080002294A
KR20080002294A KR1020060061028A KR20060061028A KR20080002294A KR 20080002294 A KR20080002294 A KR 20080002294A KR 1020060061028 A KR1020060061028 A KR 1020060061028A KR 20060061028 A KR20060061028 A KR 20060061028A KR 20080002294 A KR20080002294 A KR 20080002294A
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김도형
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Abstract

A light emitting diode including a diffusion agent is provided to enable variation of a view angle without modifying the shape of a molding part by adding a predetermined quantity of a diffusion agent to the molding part. A light emitting chip(140) is mounted on a substrate(100). The light emitting chip is encapsulated by a molding part(180) having a groove part. The groove part can be formed in the molding part positioned over the light emitting part. A diffusion agent(200) is scattered to the molding part to diffuse the light emitted from the light emitting chip. The molding part can include silicon resin or epoxy resin.

Description

확산제를 포함하는 발광 다이오드{LIGHT-EMITTING DIODE HAVING DIFFUSION AGENT}LIGHT-EMITTING DIODE HAVING DIFFUSION AGENT}

도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 개략 단면도.1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode according to the present invention;

도 2는 종래 기술에 따른 발광 다이오드와 본 발명에 따른 발광 다이오드의 지향각을 비교하기 위한 그래프.Figure 2 is a graph for comparing the directing angle of the light emitting diode according to the prior art and the light emitting diode according to the present invention.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 개략 단면도.3A to 3C are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 기판 120: 리드 패턴100: substrate 120: lead pattern

140: 발광칩 160: 배선140: light emitting chip 160: wiring

180: 몰딩부 200: 확산제180: molding part 200: diffusion agent

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 몰딩부에 확산제가 산포된 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode in which a diffusion agent is dispersed in a molding part.

일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광되는 현상을 이용한 소자이다. 종래에는 발광 소자가 발광할 수 있는 빛의 색이 빨강색과 녹색뿐이었고, 따라서 종래의 발광 다이오드는 표시 소자에 한정되어 사용되었다.In general, a light emitting diode (LED) is a device using a phenomenon in which a small number of carriers (electrons or holes) are injected by using a p-n junction structure of a semiconductor and emit light by recombination thereof. In the past, only the colors of light that the light emitting device can emit light were red and green, and therefore, the conventional light emitting diode was limited to the display device.

하지만, 기술을 발달로 인해 청색 발광은 물론, 다양한 파장대의 발광이 가능하게 됨에 따라 다양한 분야에서 발광 소자가 사용되기 시작하였다. 특히 백색 발광이 실현됨에 따라 조명용 소자는 물론 액정을 이용한 표시 소자의 백라이트로도 그 사용이 확대되고 있다.However, due to the development of the technology, light emission devices have been used in various fields as blue light emission and light emission in various wavelength bands are enabled. In particular, as the white light is realized, the use of the light emitting device as well as the backlight of the display device using the liquid crystal has been expanded.

그러나 발광 다이오드가 방출하는 빛의 방향이 일정하지 않고, 랜덤하기 때문에 조명용 소자 및 백라이트 소자로서 사용하기 위해서는 빛을 목표로 하는 방향으로 유도하여야 한다. 종래에는 이러한 빛의 유도를 위해 예를 들어, 빛의 내부 전반사(Total Internal Reflection, TIR) 특징을 이용하여 몰딩부의 측면 방향으로 빛을 방출할 수 있는 발광 다이오드를 사용하였다. 즉, 렌즈 역할을 하는 몰딩부에 홈부를 형성하여 소정의 기울기를 갖는 전반사면과, 전반사면에 의해 반사된 광이 외부로 방출되는 굴절면을 갖게 하여 빛이 발광 다이오드의 측면 방향으로 방출되도록 한다.However, since the direction of light emitted by the light emitting diode is not constant and is random, in order to use it as a lighting device and a backlight device, the light must be directed in a target direction. In the related art, a light emitting diode capable of emitting light toward the lateral side of the molding part using, for example, a total internal reflection (TIR) feature of the light is used. That is, the groove is formed in the molding part serving as the lens to have a total reflection surface having a predetermined inclination and a refraction surface through which light reflected by the total reflection surface is emitted to the outside so that light is emitted in the lateral direction of the light emitting diode.

하지만, 상기와 같은 구조의 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 빛이 홈부가 형성된 중심부에서 반사되어 측면으로 방출된다. 즉, 적은 양의 빛만이 발광 다이오드의 중심부로 방출되며, 대부분의 빛은 측면으로 방출된다.However, the light emitting diode according to the prior art having the above structure is reflected at the center portion where the groove is formed and emitted to the side. That is, only a small amount of light is emitted to the center of the light emitting diode, and most of the light is emitted to the side.

따라서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 광 지향각을 조절하기 위해 몰딩부의 형상을 변화시켰다. 하지만, 상기 몰딩부의 형상을 변화시키기 위해서는 그에 따라 금형을 다시 제작해야 되므로 제작비용이 증가되는 문제점이 발생한다. 또한, 상기와 같이 몰딩부 형상만으로 광 지향각을 조절할 경우 광이 링 형상으로 관찰되는 Yellow-Ring 현상이 발생하는 문제점이 있다.Accordingly, the light emitting diode according to the prior art has changed the shape of the molding part to adjust the light directing angle. However, in order to change the shape of the molding part, a mold needs to be manufactured again accordingly, thus causing a problem of increased manufacturing cost. In addition, as described above, when the light directing angle is adjusted by only the shape of the molding part, a yellow-ring phenomenon in which light is observed in a ring shape may occur.

본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 몰딩부 형상의 변화 없이 지향각을 변화시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to provide a light emitting diode capable of changing the orientation angle without changing the shape of the molding part.

상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 실장된 발광칩과, 상기 발광칩을 봉지하며 홈부가 형성된 몰딩부와, 상기 몰딩부에 산포되어 발광칩에서 발산된 광을 확산하기 위한 확산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate, a light emitting chip mounted on the substrate, a molding part encapsulating the light emitting chip and having a groove portion formed therein, and diffused light emitted from the light emitting chip scattered by the molding part. It provides a light emitting diode comprising a diffusing agent for.

이때, 상기 몰딩부는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지를 포함할 수 있으며, 홈부가 형성될 수 있다.In this case, the molding part may include a silicone resin or an epoxy resin, and a groove part may be formed.

또한, 상기 홈부는 발광칩의 상부 영역의 몰딩부에 형성될 수 있으며, 상기 확산제는 티탄산바륨, 산화티탄, 산화알루미늄 및 산화규소 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the groove portion may be formed in a molding portion of an upper region of the light emitting chip, and the diffusion agent may include at least one of barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, and silicon oxide.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 발광 다이오드는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 실장된 발광칩(140)과, 상기 발광칩(140)을 봉지하며 홈부가 형성된 몰딩부(180)와, 상기 몰딩부(180)에 산포된 확산제(200)를 포함한다. 이때, 상기 기판(100) 상에 형성되어 발광칩(140)이 실장되는 리드 패턴(120)과, 상기 발광칩(140)과 리드 패턴(120)을 연결하기 위한 배선(160)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a light emitting diode according to the present invention includes a substrate 100, a light emitting chip 140 mounted on the substrate 100, a molding part encapsulating the light emitting chip 140, and having a groove formed therein. 180 and a diffusion agent 200 dispersed in the molding unit 180. In this case, the semiconductor device may further include a lead pattern 120 formed on the substrate 100 to mount the light emitting chip 140 and a wire 160 for connecting the light emitting chip 140 and the lead pattern 120. Can be.

상기 기판(100)은 발광칩(140)을 실장하기 위한 것으로서, 통상 절연체로 제작된다. 이때, 상기 기판(100)의 외부에는 리드 패턴(120)과 같은 전극 패턴이 형성될 수 있으며, 기판(100)을 수직관통하는 (도시되지 않은) 도전체를 형성하여 외부전원을 인가할 수도 있다. 물론 상기 기판(100) 대신 도시되지 않은 리드 프레임, 하우징, 메탈슬러그 등을 이용할 수도 있다.The substrate 100 is for mounting the light emitting chip 140 and is usually made of an insulator. In this case, an electrode pattern such as a lead pattern 120 may be formed outside the substrate 100, and an external power source may be applied by forming a conductor (not shown) that vertically penetrates the substrate 100. . Of course, instead of the substrate 100, a lead frame, a housing, a metal slug, or the like, which is not shown, may be used.

상기 리드 패턴(120)은 외부전원을 발광칩(140)에 인가하기 위한 것으로서, 서로 이격된 제 1 및 제 2 리드 패턴(120a, 120b)을 포함한다. 이때, 상기 리드 패턴(120)은 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)과 같은 도전체를 사용할 수 있다.The lead pattern 120 is for applying an external power source to the light emitting chip 140 and includes first and second lead patterns 120a and 120b spaced apart from each other. In this case, the lead pattern 120 may use a conductor such as copper (Cu) or aluminum (Al).

상기 발광칩(140)은 동일 평면측에 N형 전극 및 P형 전극이 형성된 수평형 발광칩으로서, 상기 리드 패턴(120) 상에 실장된다. 상기 발광칩(140)과 리드 패턴(120) 사이에는 발광칩(140)을 접착하기 위해 (도시되지 않은) 접착제가 형성될 수 있다. 물론 상부에 P형 전극이, 하부에 N형 전극이 형성된 수직형 발광칩을 사용할 수도 있다. 또한, 상기 발광칩(140)의 광을 받아 흡수된 광과 상이한 파장을 발산하는 (도시되지 않은) 형광체를 더 포함할 수 있다. 상기 형광체는 발광칩(140)으로부터 발광된 광의 일부를 흡수하여 흡수된 광과 상이한 파장의 광을 방출하는 것으로서, 임자결정(Host Lattice)과 적절한 위치에 불순물이 혼입된 활성이온(Activator)으로 구성된다. 상기 활성이온들의 역할은 발광과정에 관여하는 에너지 준위를 결정함으로써 발광색을 결정하며, 그 발광색은 결정구조 내에서 활성이온이 갖는 기저상태와 여기 상태의 에너지 차(Energy Gap)에 의해 결정된다.The light emitting chip 140 is a horizontal light emitting chip having an N-type electrode and a P-type electrode formed on the same plane side, and is mounted on the lead pattern 120. An adhesive (not shown) may be formed between the light emitting chip 140 and the lead pattern 120 to adhere the light emitting chip 140. Of course, a vertical light emitting chip having a P-type electrode at an upper portion and an N-type electrode at a lower portion may be used. In addition, the light emitting chip 140 may further include a phosphor (not shown) that emits a wavelength different from light absorbed by the light. The phosphor absorbs a part of the light emitted from the light emitting chip 140 and emits light having a wavelength different from that of the absorbed light. The phosphor is composed of a host lattice and an activator in which impurities are mixed at an appropriate position. do. The role of the active ions determines the emission color by determining the energy level involved in the emission process, the emission color is determined by the energy gap between the ground state and the excited state of the active ion in the crystal structure.

상기 배선(160)은 발광칩(120)과 리드 패턴(120)을 전기적으로 연결하기 위한 것으로서, 상기 배선(160)은 와이어 접합 공정 등의 공정을 통해 금(Au) 또는 알루미늄(Al)으로 형성된다.The wiring 160 is for electrically connecting the light emitting chip 120 and the lead pattern 120. The wiring 160 is formed of gold (Au) or aluminum (Al) through a process such as a wire bonding process. do.

상기 몰딩부(180)는 발광칩(140)과 배선(160)을 봉지하여 보호하기 위한 것으로서, 보호체의 역할뿐만 아니라 렌즈의 형상으로 형성하여 발광칩(140)에서 출사되는 광을 상부로 집중시키는 역할도 할 수 있다. 상기 몰딩부(180)는 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 형성할 수 있으며, 발광 다이오드의 용도에 따라 광이 투과될 수 있을 정도의 불투명 수지로 형성될 수도 있다. 본 발명에서는 상기 몰딩부(180)를 투명한 실리콘 수지로 형성하며, 상부에 홈부가 형성된 렌즈 형상의 몰딩부(180)를 예로 하여 설명하기로 한다. 이때, 상기 몰딩부(180)는 홈부로 인해 입사각이 임계각보다 커져 중심부로 출사될 광이 측면으로 나가게 된다. 또한, 상기 홈부는 상기 발광칩의 상부 영역 몰딩부에 형성될 수 있다.The molding unit 180 is to encapsulate and protect the light emitting chip 140 and the wiring 160. The molding unit 180 not only functions as a protector but also forms a lens to concentrate the light emitted from the light emitting chip 140. It can also play a role. The molding unit 180 may be formed of a transparent silicone resin or an epoxy resin, or may be formed of an opaque resin that can transmit light according to the use of a light emitting diode. In the present invention, the molding part 180 is formed of a transparent silicone resin, and a lens-shaped molding part 180 having a groove part formed thereon will be described as an example. At this time, the molding part 180 has an incidence angle greater than the critical angle due to the groove portion, so that the light to be emitted to the center portion goes out to the side. In addition, the groove portion may be formed in an upper region molding portion of the light emitting chip.

상기 임계각은 굴절률이 큰 물질에서 작은 물질로 광이 입사할 때, 그 이상의 더 큰 각도에서는 전반사가 일어나게 되는 입사각의 값을 지칭한다. 즉, 광이 다른 매질을 만나 굴절할 경우, 굴절각이 90도가 되는 입사각을 임계각이라고 지칭하고, 이때 입사각은 법선을 기준으로 측정한 각도를 지칭한다. 입사각이 임계각보다 크면 전반사를 하게 된다.The critical angle refers to the value of the angle of incidence where total reflection occurs at larger angles when light is incident from a material having a large refractive index to a smaller material. That is, when light meets and refracts other media, the incident angle at which the refractive angle becomes 90 degrees is referred to as a critical angle, and the incident angle refers to an angle measured based on a normal line. If the angle of incidence is greater than the critical angle, total reflection occurs.

굴절률이 다른 두 매질에 있어서, 일 매질에서 타 매질로 광이 수직하게 입사될 경우, 일 매질의 경계면이 소정의 기울기를 갖게 된다면, 입사되는 광과 경계면에 수직한 법선이 이루는 각이 임계각보다 크게 된다. 이로 인해 광은 일 매질을 투과하여 타 매질로 진행하지 못하고, 일 매질 내부로 반사하게 된다. 이러한 광의 전반사 현상을 이용하면 광이 투과되지 못하고 반사하게 된다. 여기서, 일 매질로는 렌즈와 같이 투광성이 우수한 물질을 사용하고, 타 매질은 예를 들어 공기가 될 수 있다.In two media with different refractive indices, when light is incident vertically from one medium to another, if the interface of one medium has a predetermined slope, the angle formed by the normal to the interface perpendicular to the incident light is larger than the critical angle. do. As a result, the light does not penetrate the medium and proceed to the other medium, and is reflected into the inside of the medium. When the total reflection phenomenon of light is used, the light is not transmitted but reflects. Here, as one medium, a material having excellent light transmittance such as a lens may be used, and the other medium may be, for example, air.

따라서, 상기와 같이 몰딩부(180)에 홈부가 형성되어 일 매질의 경계면이 소정의 기울기를 갖게 된 본 발명에 따른 발광 다이오드는 발광칩에서 출사되는 광 중, 칩의 중심 즉, 렌즈의 중심으로 출사되는 광은 전반사 현상에 의해 측면으로 유도된다. 또한, 발광칩의 측방으로 출사되는 광은 직선형의 면과 곡선형의 면을 통해 굴절되어 측면으로 유도된다.Therefore, the light emitting diode according to the present invention, in which the groove is formed in the molding unit 180 and has a predetermined slope of a medium, has the center of the chip, that is, the lens of the light emitted from the light emitting chip. The emitted light is induced to the side by the total reflection phenomenon. In addition, the light emitted to the side of the light emitting chip is refracted through the straight surface and the curved surface is guided to the side.

하지만, 본 발명은 상기와 같은 구조의 몰딩부(180)가 형성된 발광 다이오드 의 몰딩부(180)의 형상을 변환시키지 않고 지향각을 변화시키고자 한다. 이에 본 발명은 상기 몰딩부(180)에 일정량의 확산제(200)를 산포한다.However, the present invention intends to change the orientation angle without changing the shape of the molding unit 180 of the LED in which the molding unit 180 having the above structure is formed. Accordingly, the present invention distributes a predetermined amount of the diffusion agent 200 in the molding unit 180.

상기 확산제(200)는 상기 발광칩(140)으로부터 방출된 광을 산란에 의해 확산시켜 균일하게 발광시키기 위한 것으로서, 티탄산바륨, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화규소 등을 사용할 수 있다.The diffusing agent 200 is to diffuse the light emitted from the light emitting chip 140 by scattering to uniformly emit light. Barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide, or the like may be used.

도 2는 종래 기술에 따른 발광 다이오드와 본 발명에 따른 발광 다이오드의 지향각을 비교하기 위한 그래프이다. 이때, 도 2의 그래프 a는 확산제가 첨가되지 않았을 때의 지향각 변화 그래프이고, 그래프 b는 몰딩부 대비 0.03%의 확산제가 첨가됐을 때의 지향각 변화 그래프이고, 그래프 c는 몰딩부 대비 0.07%의 확산제가 첨가됐을 때의 지향각 변화 그래프이다.Figure 2 is a graph for comparing the directivity angle of the light emitting diode according to the prior art and the light emitting diode according to the present invention. In this case, graph a of FIG. 2 is a change in the orientation angle when the diffusion agent is not added, graph b is a change in the orientation angle when the diffusion agent of 0.03% compared to the molding portion, graph c is 0.07% compared to the molding portion This is a graph of the change in orientation angle when the diffusion agent is added.

도 2의 그래프를 참조하면, 확산제를 첨가하지 않았을 경우 발광칩에서 방출된 대부분의 광이 몰딩부의 중심부에 형성된 홈부에 의해 측면으로 반사된다. 따라서, 그래프 a와 같이 발광칩이 실장된 영역인 발광 다이오드의 중심부 즉, 0도에서 광의 세기가 가장 약하다.Referring to the graph of FIG. 2, when the diffusion agent is not added, most of the light emitted from the light emitting chip is reflected laterally by the groove formed in the center of the molding part. Therefore, as shown in the graph a, the intensity of light is weakest at the center of the light emitting diode, that is, the region where the light emitting chip is mounted, that is, at 0 degrees.

상기와 같이 확산제가 첨가되지 않은 몰딩부에 발광칩에서 방출된 광을 확산시키기 위한 일정량의 확산제를 첨가할 경우 발광칩에서 방출되는 광의 지향각이 변화되어 그래프 b와 그래프 c와 같은 결과를 보여주게 된다. 즉, 발광칩에서 방출된 광이 상기 확산제에 의해 확산되어 몰딩부에 입사되는 입사각이 임계각보다 작아져 전반사가 일어나지 않아 몰딩부의 전 범위에서 고른 휘도를 갖게 된다.As described above, when a certain amount of diffusing agent for diffusing the light emitted from the light emitting chip is added to the molding part to which the diffusing agent is not added, the directivity angle of the light emitted from the light emitting chip is changed to show the results as shown in graph b and graph c. Is given. That is, since the light emitted from the light emitting chip is diffused by the diffusion agent and the incident angle incident on the molding part is smaller than the critical angle, total reflection does not occur, thereby having uniform luminance in the entire range of the molding part.

이때, 상기 두 그래프는 미소한 차는 있으나 -80도 내지 +80도의 전 범위에 서 0.9이상의 고른 휘도를 보여주는 것을 알 수 있다.In this case, although the two graphs have a slight difference, it can be seen that they show even luminance over 0.9 in the entire range of -80 degrees to +80 degrees.

이하 상술한 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 도면을 참조하여 간략히 살펴보고자 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention described above will be briefly described with reference to the accompanying drawings.

도 1 및, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.1 and 3A to 3C are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 우선 도 3a에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 리드 패턴(120a, 120b)이 형성된 기판(100)을 준비한다.In the method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention, as shown in FIG. 3A, first, a substrate 100 on which first and second lead patterns 120a and 120b are formed is prepared.

상기 제 1 및 제 2 리드 패턴(120a, 120b)은 구리(Cu)와 같은 도전성 재료를 도금과 같은 방법을 사용하여 기판(100)의 표면 전체에 구리(Cu) 층을 형성한 뒤 식각하여 서로 이격된 제 1 및 제 2 리드 패턴(120a, 120b)을 형성할 수 있다.The first and second lead patterns 120a and 120b may be formed by etching a conductive material such as copper (Cu) on the entire surface of the substrate 100 by etching, and then etching each other. Spaced first and second lead patterns 120a and 120b may be formed.

다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 리드 패턴(120a) 상에 발광칩(140)을 실장한다.Next, as illustrated in FIG. 3B, the light emitting chip 140 is mounted on the first lead pattern 120a.

이때, 상기 발광칩(140)은 도시되지 않은 페이스트, 예를 들어 은 페이스트를 사용하여 제 1 리드 패턴(120a) 상에 접착될 수 있다. 물론 상기 발광칩(140)의 종류에 따라 리드 패턴(120) 상에 실장되지 않고 기판(100) 상에 직접 실장될 수도 있다.In this case, the light emitting chip 140 may be bonded onto the first lead pattern 120a using a paste, for example, silver paste, which is not shown. Of course, the light emitting chip 140 may be directly mounted on the substrate 100 instead of being mounted on the lead pattern 120.

이후, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 발광칩(140)과 제 2 리드 패턴(120b)을 배선(160)으로 연결한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3C, the light emitting chip 140 and the second lead pattern 120b are connected to the wiring 160.

상기 배선(160)은 금(Au) 또는 알루미늄(Al)과 같은 연성이 우수한 금속을 사용할 수 있으며, 와이어 접합공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 상기 배선(160)은 발광칩(140)의 종류에 따라 그 개수가 달라질 수 있다.The wire 160 may use a metal having excellent ductility such as gold (Au) or aluminum (Al), and may be formed through a wire bonding process. In addition, the number of the wirings 160 may vary depending on the type of the light emitting chip 140.

다음으로, 상기 발광칩(140)과 리드 패턴(120)을 봉지하며 소정의 확산제(200)가 산포된 몰딩부(180)를 형성하여 도 1과 같은 본 발명에 따른 발광 다이오드를 완성한다.Next, the light emitting chip 140 and the lead pattern 120 are sealed to form a molding unit 180 in which a predetermined diffusion agent 200 is dispersed, thereby completing the light emitting diode according to the present invention as shown in FIG. 1.

이때, 상술한 본 발명의 몰딩부(180)는 확산제가 혼합된 젤 상태의 실리콘 수지를 사출 금형공정을 통해 제작할 수도 있고, 타원곡면을 갖는 몰딩부(180)의 상부 면을 연마 공정을 통해 연마하여 제작할 수도 있다. 이와 같은 제작 방법을 통해 본 발명이 몰딩부를 제작할 경우, 굴절면이 타원형인 단일 굴절면으로 이루어져 있기 때문에 제작이 용이해지며, 이에 따라 불량률이 감소되고 제작비용을 감소시킬 수 있다.At this time, the molding unit 180 of the present invention described above may be produced by the injection molding process of the silicone resin in the gel state of the diffusion agent is mixed, polishing the upper surface of the molding unit 180 having an elliptic curved surface through a polishing process. It can also be produced. When the present invention manufactures the molding part through the manufacturing method as described above, since the refractive surface is made of a single refractive surface that is elliptical, the manufacturing is easy, and thus the defective rate can be reduced and the manufacturing cost can be reduced.

상기와 같이 홈부가 형성된 몰딩부(180)에 일정량의 확산제(200)를 첨가함으로서 발광칩(140)에서 방출되는 광을 확산시켜 몰딩부(180) 형상의 변화 없이 발광칩(140)에서 방출되는 광의 지향각을 변화시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 발광 다이오드는 -80 ~ +80도의 전범위에서 고른 휘도를 갖게 되며, 이에 따라 고르지 못한 형광체에 의해 광이 링 형상으로 보이는 Yellow-Ring 현상 역시 최소화할 수 있다.As described above, by adding a predetermined amount of the diffusion agent 200 to the molding part 180 in which the groove part is formed, the light emitted from the light emitting chip 140 is diffused to emit the light from the light emitting chip 140 without changing the shape of the molding part 180. It is possible to change the direction angle of the light to be. Therefore, the light emitting diode according to the present invention has an even luminance in the entire range of -80 to +80 degrees, thereby minimizing the yellow-ring phenomenon in which light is ring-shaped by the uneven phosphor.

이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit of the invention described in the claims below. I can understand.

상술한 바와 같이 본 발명은 몰딩부에 일정량의 확산제를 첨가하여 몰딩부 형상의 변화 없이 지향각을 변화시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다.As described above, the present invention may provide a light emitting diode capable of changing the orientation angle without changing the shape of the molding part by adding a predetermined amount of the diffusion agent to the molding part.

또한, 본 발명은 지향각을 변화시킴으로서, Yellow-Ring 현상이 최소화된 발광 다이오드를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a light emitting diode with a minimum Yellow-Ring phenomenon by changing the orientation angle.

Claims (4)

기판과,Substrate, 상기 기판 상에 실장된 발광칩과,A light emitting chip mounted on the substrate; 상기 발광칩을 봉지하며, 홈부가 형성된 몰딩부와,A molding part encapsulating the light emitting chip and having a groove part formed therein; 상기 몰딩부에 산포되어 발광칩에서 발산된 광을 확산하기 위한 확산제를 포함하되,It includes a diffuser for diffusing the light emitted from the light emitting chip is dispersed in the molding portion, 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 몰딩부는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The molding unit comprises a silicone resin or an epoxy resin. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 홈부는 발광칩의 상부 영역의 몰딩부에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The groove is a light emitting diode, characterized in that formed in the molding portion of the upper region of the light emitting chip. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 확산제는 티탄산바륨, 산화티탄, 산화알루미늄 및 산화규소 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The diffusing agent includes any one of barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide and silicon oxide.
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