KR20070122023A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상기 제1기판 위에 형성되며 소정의 제1슬릿을 구비한 제1차광층; 상기 제1차광층 위에 형성된 제1층간절연막; 상기 제1층간절연막 위에 형성되며 소정의 복수개의 제2슬릿을 구비한 제2차광층; 상기 제2차광층 위에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 액티브층; 상기 액티브층 위에 형성된 게이트전극; 상기 액티브층과 연결되는 소소전극 및 드레인전극; 및 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 포함하여 이루어진 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
차광층, 슬릿, 커플링, 누설전류
Description
도 1a는 종래의 액정표시소자의 박막트랜지스터 기판의 개략적 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I라인의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 특징을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 개략적 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 개략적 공정 단면도이다.
<도면의 주요부에 대한 부호의 설명>
170 : 제1차광층 172 : 제1슬릿
175 : 제2차광층 177 : 제2슬릿
130 : 액티브층
본 발명은 액정표시소자(Liquid Crystal Display : LCD)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 액정표시소자의 박막트랜지스터 기판에 관한 것이다.
액정표시소자는 서로 대향하는 박막트랜지스터 기판 및 컬러필터 기판, 그리고 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되며, 전압인가 유무에 따라 상기 액정층의 배열상태가 변경되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상이 디스플레이된다.
이하, 도면을 참조로 종래의 액정표시소자의 박막트랜지스터 기판에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
도 1a는 종래의 액정표시소자의 박막트랜지스터 기판의 개략적 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I라인의 단면도이다.
도 1a에서 알 수 있듯이, 절연기판(10) 상에 가로방향으로 게이트라인(11)이 형성되어 있고, 세로방향으로 데이터라인(12)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 게이트라인(11) 및 데이터라인(12)의 교차영역에는 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트라인(11)에서 분기된 게이트전극(14), 상기 데이터라인(12)라인에서 분기된 소스 전극(15a), 상기 소스전극(15a)과 마주보는 드레인전극(15b), 및 박막트랜지스터의 채널층 역할을 하는 액티브층(13)을 포함하여 이루어진다.
그리고, 상기 박막트랜지스터(T)의 드레이전극(15b)과 연결되는 화소전극(16)이 형성되어 있다.
도 1b에서 알 수 있듯이, 절연기판(10) 상에 차광층(17)이 형성되어 있고, 상기 차광층(17) 위에 버퍼층(18)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 버퍼층(18) 위에는 액티브층(13)이 형성되어 있고, 상기 액티 브층(13) 위에 게이트절연막(19)이 형성되어 있다. 상기 액티브층(13)의 중앙부에는 다결정실리콘이 형성되고, 상기 다결정실리콘의 좌우측에는 n형 또는 p형 불순물 이온이 선택적으로 도핑된 소스 및 드레인 불순물 영역이 각각 형성된다.
그리고, 상기 게이트절연막(19) 위에 게이트전극(14)이 형성되어 있고, 상기 게이트전극(14) 위에 층간절연막(20)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 층간절연막(20) 위에 소스전극(15a) 및 드레인전극(15b)이 형성되어 있다. 상기 소스전극(15a) 및 드레인전극(15b)은 상기 게이트절연막(19) 및 층간절연막(20)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 액티브층(13)의 소스 불순물 영역 및 드레인 불순물 영역과 각각 연결되어 있다.
그리고, 상기 소스전극(15a) 및 드레인전극(15b) 위에 보호막(21)이 형성되어 있고, 상기 보호막(21) 위에 화소전극(16)이 형성되어 있다. 상기 화소전극(16)은 상기 보호막(21)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 드레인전극(15b)과 연결되어 있다.
이와 같은 종래의 박막트랜지스터 기판을 포함하는 액정표시소자는 상기 절연기판(10) 상에 형성된 차광층(17)으로 인해서 다음과 같은 문제점이 있다.
상기 차광층(17)은 백라이트 광원에서 조사되는 광이 상기 액티브층(13)으로 직접조사되는 것을 방지하기 위한 것이다. 즉, 백라이트 광원에서 조사되는 광이 상기 액티브층(13)으로 직접조사될 경우 액티브층(13)에 캐리어(carrier)가 형성되게 되어 상기 캐리어로 인해서 박막트랜지스터에 누설전류가 발생하기 때문에, 상기 액티브층(13) 하부에 차광층(17)을 형성하여 광이 직접 액티브층(13)으로 조사 되는 것을 차단함으로써 박막트랜지스터에 누설전류가 발생하는 것을 방지하도록 한 것이다.
따라서, 상기 차광층(17)은 상기 액티브층(13)으로 광이 적접조사되는 것을 차단하기 위해서 상기 액티브층(13)의 길이보다 충분히 길게 형성되게 된다.
그러나, 이와 같이 차광층(17)의 길이가 커짐에 따라서 상기 차광층(17)과 소스전극(15a) 및 드레인전극(15b) 사이에서 커플링(coupling)이 발생하여 상기 차광층(17)이 백사이드 게이트로서 기능하는 부작용이 있다.
즉, 상기 차광층(17)과 소스전극(15a) 및 드레인전극(15b) 사이에서 발생하는 커플링(coupling)은 차광층(17)에 의도하지 않은 전압을 야기하게 되어 버퍼층(18)을 사이에 두고 상기 차광층(17)과 액티브층(13)이 박막트랜지스터를 형성하게 된다. 여기서, 상기 버퍼층(18)의 두께가 두껍기 때문에 차광층(17)에 의한 전달특성이 좋지는 않지만, 이와 같은 의도하지 않은 전압 형성에 의해서 실제 박막트랜지스터의 구동시 액티브층(13)에 누설전류 수준의 전류가 발생하여 액정표시소자의 화질 특성이 저하되게 된다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 감안하여 고안된 것으로서,
본 발명의 제1목적은 액티브층으로 광이 직접조사되는 것을 차단하기 위해 형성되는 차광층으로 인해 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있는 액정표시소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제2목적은 액티브층으로 광이 직접조사되는 것을 차단하기 위해 형성되는 차광층으로 인해 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있는 액정표시소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 제1목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 상기 제1기판 위에 형성되며 소정의 제1슬릿을 구비한 제1차광층; 상기 제1차광층 위에 형성된 제1층간절연막; 상기 제1층간절연막 위에 형성되며 소정의 복수개의 제2슬릿을 구비한 제2차광층; 상기 제2차광층 위에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성된 액티브층; 상기 액티브층 위에 형성된 게이트전극; 상기 액티브층과 연결되는 소소전극 및 드레인전극; 및 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 포함하여 이루어진 액정표시소자를 제공한다.
상기 제2목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 상기 제1기판 위에 소정의 제1슬릿을 구비한 제1차광층을 형성하는 공정; 상기 제1차광층 위에 제1층간절연막을 형성하는 공정; 상기 제1층간절연막 위에 소정의 복수개의 제2슬릿을 구비한 제2차광층을 형성하는 공정; 상기 제2차광층 위에 버퍼층을 형성하는 공정; 상기 버퍼층 위에 액티브층을 형성하는 공정; 상기 액티브층 위에 게이트전극을 형성하는 공정; 상기 액티브층과 연결되는 소소전극 및 드레인전극을 형성하는 공정; 및 상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 액정표시소자의 제조방법을 제공한다.
즉, 본 발명은 제1층간절연막을 사이에 두고 소정의 제1슬릿을 구비한 제1차광층과 소정의 복수개의 제2슬릿을 구비한 제2차광층을 형성함으로써, 첫째 액티브 층으로 광이 직접조사되는 것을 차단함과 더불어 둘째 차광층의 면적을 감소시켜 차광층과 소스 및 드레인 전극간의 커플링으로 인해 발생하는 누설전류를 최소화하도록 한 것이다.
이와 같은 본 발명의 두 가지 특징을 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 두 가지 특징을 설명하기 위한 도면으로서, 본 발명의 핵심구성요소만을 도시하였다.
도 2에서와 같이, 본 발명은 제1슬릿(172)을 구비한 제1차광층(170), 제2슬릿(177)을 구비한 제2차광층(175), 액티브층(130), 상기 제1차광층(170)과 제2차광층(175) 사이에 형성된 제1층간절연막(110), 상기 제2차광층(175)과 액티브층(130) 사이에 형성된 버퍼층(180)을 포함하여 이루어진다.
우선, 상기 본 발명의 첫 번째 특징사항에 대해서 설명한다.
상기 도 2의 구조에서, 빛을 제1슬릿(172) 및 제2슬릿(177)으로 구성된 이중슬릿을 통해 통과시키면, 빛의 간섭효과에 의해서 통과된 빛이 화이트구간(W), 블랙구간(B), 화이트구간(W)을 반복 형성하게 된다. 따라서, 블랙구간(B)에 해당하는 영역에 액티브층(130)을 형성할 경우에는 비록, 제1차광층(170)에 제1슬릿(172)이 형성되어 있고 제2차광층(175)에 제2슬릿(177)이 형성되어 있다 하더라도 빛이 액티브층(130)으로 직접조사되는 것이 차단되게 된다.
여기서, 빛의 간섭효과에 따라 반복 형성되는 구간의 길이(Y)(액티브층의 길이와 동일)와 관련해서는 [Y=(S/D)×λ]을 만족한다. 이때, S는 상기 버퍼층(180) 의 높이이고, D는 제2슬릿(177)간의 거리이고, λ는 빛의 파장이다.
한편, 일반적으로 액티브층(130)의 길이는 4 ~ 20 ㎛정도로 형성되므로, 이 값을 Y에 대입할 경우 하기와 같은 수학식 1이 성립한다.
수학식 1
S/D = 4 ~ 20 ㎛/ λ.
결국, 상기 버퍼층(180)의 높이(S) 및 상기 제2슬릿(177)간의 거리(D)를 상기 수학식 1에 따라 설계할 경우, 액티브층(130)으로 빛이 직접조사되는 것을 차단할 수 있게 된다.
다음, 상기 본 발명의 두 번째 특징사항에 대해서 설명한다.
본 발명은 차광층에 슬릿, 특히 소스 및 드레인 전극에 가까이 배치되는 제2차광층(175)에 제2슬릿(177)을 형성하였기 때문에, 제2슬릿(177)으로 인해 제2차광층(175)의 면적이 감소되게 된다. 이와 같이 제2차광층(175)의 면적이 감소됨에 따라서 제2차광층(175)과 소스 및 드레인전극 사이에서 발생하는 커플링(coupling)을 최소화하여, 결국 차광층으로 인한 누설전류를 최소화할 수 있게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 개략적 단면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자는 제1기판(100) 및 제2기판(200), 그리고 상기 제1기판(100) 및 제2기판(200) 사이에 형성된 액정층(300)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1기판(100) 상에는 제1차광층(170)이 형성되어 있고, 상기 제1차광 층(170) 위에 제1층간절연막(110)이 형성되고 있고, 상기 제1층간절연막(110) 위에 제2차광층(175)이 형성되어 있다.
상기 제1차광층(170)과 제2차광층(175)은, 빛의 투과율이 낮은 금속을 이용하여 형성되며, 후술하는 액티브층으로 빛이 직접조사되는 것을 차단하기 위한 것이므로 액티브층의 길이 이상으로 형성된다.
상기 제1차광층(170)은 그 내부에 제1슬릿(172)을 구비하며, 상기 제2차광층(175)은 그 내부에 복수개의 제2슬릿(177)을 구비한다. 상기 제1슬릿(172)과 제2슬릿(177)은 서로 오버랩되지 않도록 형성된다.
그리고, 상기 제2차광층(175) 위에는 버퍼층(180)이 형성되어 있다.
상기 버퍼층(180)으로는 실리콘 산화물이 이용될 수 있다.
상기 버퍼층(180)의 높이(S) 및 상기 제2슬릿(177)간의 거리(D)는 전술한 바와 같이 하기 수학식 1을 만족하도록 형성된다.
수학식 1
S/D = 4 ~ 20 ㎛/ λ(여기서 λ는 빛의 파장).
그리고, 상기 버퍼층(180) 위에는 액티브층(130)이 형성되어 있다. 상기 액티브층(130)은 중앙부에 형성된 다결정실리콘과, 상기 다결정실리콘의 좌우측에 형성된 소스 및 드레인 불순물 영역으로 이루어진다. 상기 소스 및 드레인 불순물 영역은 다결정실리콘에 n형 또는 p형 불순물 이온이 선택적으로 도핑되어 형성된다.
그리고, 상기 액티브층(130) 위에는 게이트절연막(190)이 형성되어 있고, 상기 게이트절연막(190) 위에는 게이트전극(140)이 형성되어 있고, 상기 게이트전 극(140) 위에는 층간절연막(200)이 형성되어 있다. 상기 게이트절연막(190) 및 층간절연막(200)에는 소정 영역에 콘택홀이 형성되어 있다.
그리고, 상기 층간절연막(200) 위에 소스전극(150a) 및 드레인전극(150b)이 형성되어 있다. 상기 소스전극(150a) 및 드레인전극(150b)은 상기 게이트절연막(190) 및 층간절연막(200)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 액티브층(130)의 소스 불순물 영역 및 드레인 불순물 영역과 각각 연결되어 있다.
그리고, 상기 소스전극(150a) 및 드레인전극(150b) 위에 보호막(210)이 형성되어 있고, 상기 보호막(210) 위에 화소전극(160)이 형성되어 있다. 상기 화소전극(160)은 상기 보호막(210)에 형성된 콘택홀을 통해서 상기 드레인전극(150b)과 연결되어 있다.
상기 제2기판(200) 상에는 빛의 누설을 방지하기 위한 블랙매트릭스층(220)이 형성되어 있고, 상기 블랙매트릭스층(220) 위에 컬러필터층(240)이 형성되어 있고, 상기 컬러필터층(240) 위에 공통전극(260)이 형성되어 있다.
한편, 도시하는 않았지만, 상기 제1기판(100) 및 제2기판(200)의 전면에는 액정층의 초기배향을 위한 배향막이 형성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시소자의 개략적 공정 단면도이다.
우선, 도 4a에서 알 수 있듯이, 제1기판(100) 상에 제1차광층(170)을 형성하고, 상기 제1차광층(170) 위에 제1층간절연막(110)을 형성하고, 상기 제1층간절연막(110) 위에 제2차광층(175)을 형성하고, 상기 제2차광층(175) 위에 버퍼층(180) 을 형성한다.
상기 제1차광층(170)은 그 내부에 제1슬릿(172)을 구비하도록 패턴형성함과 더불어 후 공정에서 형성되는 액티브층의 길이 이상으로 패턴형성한다.
상기 제2차광층(175)은 그 내부에 복수개의 제2슬릿(177)을 구비하도록 패턴형성함과 더불어 후 공정에서 형성되는 액티브층의 길이 이상으로 패턴형성한다.
상기 제1슬릿(172)과 제2슬릿(177)은 서로 오버랩되지 않도록 형성한다.
다음, 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 버퍼층(180) 위에는 액티브층용 다결정실리콘층(130a)을 패턴 형성한다.
상기 다결정 실리콘층(130a)은 비정질실리콘층을 형성한 후 레이저 등의 에너지를 이용한 다결정화공정을 통해 형성할 수 있다. 비정질실리콘층을 형성한 후 다결정화공정을 통해 다결정 실리콘층을 형성할 경우에는, 다결정화공정 이전에 탈수소 처리를 수행하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, CVD법 등으로 형성된 비정질실리콘층에는 대략 10% 정도의 수소가 함유되어 있기 때문이다.
다음, 도 4c에서 알 수 있듯이, 상기 다결정 실리콘층(130a) 위에 게이트절연막(190)을 형성하고, 상기 게이트절연막(190) 위에 게이트전극(140)을 형성한다. 그 후, 상기 게이트전극(140)을 마스크로 하여 상기 다결정 실리콘층(130a)에 n형 또는 p형 불순물 이온을 선택적으로 도핑함으로써, 게이트전극(140)의 하부에는 다결정 실리콘층으로 이루어지고, 상기 다결정 실리콘층의 좌우측에는 소스 및 드레인 불순물 영역으로 이루어진 액티브층(130)을 완성한다.
다음, 도 4d에서 알 수 있듯이, 상기 게이트전극(140) 위에 층간절연막(200) 을 형성하고, 상기 게이트절연막(190) 및 층간절연막(200)의 소정 영역에 콘택홀(202)을 형성한다.
다음, 도 4e에서 알 수 있듯이, 상기 층간절연막(200) 위에 소스전극(150a) 및 드레인전극(150b)을 패턴형성한다. 상기 소스전극(150a) 및 드레인전극(150b)은 상기 게이트절연막(190) 및 층간절연막(200)에 형성된 콘택홀(202)을 통해서 상기 액티브층(130)의 소스 불순물 영역 및 드레인 불순물 영역과 각각 연결된다.
다음, 도 4f에서 알 수 있듯이, 상기 소스전극(150a) 및 드레인전극(150b) 위에 보호막(210)을 형성하고, 보호막(210)의 소정영역에 콘택홀(212)을 형성한다.
다음, 도 4g에서 알 수 있듯이, 상기 보호막(210) 위에 화소전극(160)을 형성한다. 상기 화소전극(160)은 상기 보호막(210)에 형성된 콘택홀(212)을 통해서 상기 드레인전극(150b)과 연결된다.
다음, 도시하지는 않았지만, 상기 제1기판과 대향되는 제2기판을 준비하고, 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하여 액정표시소자를 완성한다.
상기 제2기판을 준비하는 공정은 빛의 누설을 방지하기 위해서 블랙매트릭스층을 형성하고, 상기 블랙매트릭스층 위에 컬러필터층을 형성하고, 상기 컬러필터층 위에 공통전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진다.
상기 액정층을 형성하는 공정은 액정주입법 또는 액정적하법을 이용하여 수행한다.
상기 액정주입법은 상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 한 기판 상에 주입구를 구비한 씨일재를 형성하고, 상기 제1기판 및 제2기판을 합착하고, 상기 주입구를 통해 액정을 주입하는 공정으로 이루어진다.
상기 액정적하법은 상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 한 기판 상에 주입구 없는 씨일재를 형성하고, 상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 한 기판 상에 액정을 적하하고, 상기 제1기판 및 제2기판을 합착하는 공정으로 이루어진다.
이상 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 빛의 간섭효과를 이용함으로써 비록 제1차광층에 제1슬릿이 형성되어 있고 제2차광층에 제2슬릿이 형성되어 있다 하더라도 빛이 액티브층으로 직접조사되는 것이 차단되게 된다.
둘째, 차광층에 슬릿을 형성하였기 때문에, 슬릿으로 인해 차광층의 면적이 감소되어, 차광층과 소스/드레인전극 사이에서 발생하는 커플링(coupling)을 최소화함으로써 차광층으로 인한 누설전류를 최소화할 수 있게 된다.
Claims (21)
- 상기 제1기판 위에 형성되며 소정의 제1슬릿을 구비한 제1차광층;상기 제1차광층 위에 형성된 제1층간절연막;상기 제1층간절연막 위에 형성되며 소정의 복수개의 제2슬릿을 구비한 제2차광층;상기 제2차광층 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 액티브층;상기 액티브층 위에 형성된 게이트전극;상기 액티브층과 연결되는 소소전극 및 드레인전극; 및상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 포함하여 이루어진 액정표시소자.
- 제1항에 있어서,상기 액티브층와 상기 게이트전극 사이에 게이트절연막이 형성되어 있고, 상기 게이트전극과 소스/드레인전극 사이에 제2층간절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제2항에 있어서,상기 소스전극 드레인 전극은 상기 게이트절연막 및 제2층간절연막에 구비된 콘택홀을 통해 상기 액티브층와 연결된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제1항에 있어서,상기 액티브층은 중앙부에 형성된 다결정실리콘, 및 상기 다결정실리콘의 좌우측에 각각 형성된 소스 및 드레인 불순물 영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제1항에 있어서,상기 화소전극과 소스/드레인전극 사이에 보호막이 형성되어 있고, 상기 화소전극은 상기 보호막에 구비된 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 연결된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제1항에 있어서,상기 버퍼층의 높이(S) 및 상기 제2슬릿간의 거리(D)는 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자:수학식 1S/D = 4 ~ 20 ㎛/ λ(여기서 λ는 빛의 파장).
- 제1항에 있어서,상기 제1슬릿 및 제2슬릿은 서로 오버랩되지 않은 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제1항에 있어서,상기 제1기판과 대향하는 제2기판; 및상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제8항에 있어서,상기 제2기판 상에는 빛의 누설을 방지하기 위한 블랙매트릭스층, 상기 블랙매트릭스층 위에 컬러필터층; 및 상기 컬러필터층 위에 공통전극이 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 상기 제1기판 위에 소정의 제1슬릿을 구비한 제1차광층을 형성하는 공정;상기 제1차광층 위에 제1층간절연막을 형성하는 공정;상기 제1층간절연막 위에 소정의 복수개의 제2슬릿을 구비한 제2차광층을 형성하는 공정;상기 제2차광층 위에 버퍼층을 형성하는 공정;상기 버퍼층 위에 액티브층을 형성하는 공정;상기 액티브층 위에 게이트전극을 형성하는 공정;상기 액티브층과 연결되는 소소전극 및 드레인전극을 형성하는 공정; 및상기 드레인 전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 액정표시소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 액티브층와 상기 게이트전극 사이에 게이트절연막을 형성하는 공정을 추가로 포함하고, 상기 게이트전극과 소스/드레인전극 사이에 제2층간절연막을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 게이트절연막 및 제2층간절연막에 콘택홀을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 액티브층을 형성하는 공정은 중앙부에는 다결정실리콘을 형성하고, 상기 다결정실리콘의 좌우측에는 각각 소스 및 드레인 불순물 영역을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 소스 및 드레인 불순물 영역을 형성하는 공정은 상기 게이트전극을 마스크로 하여 다결정실리콘에 n형 또는 p형 불순물 이온을 선택적으로 도핑하는 공 정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 화소전극과 소스/드레인전극 사이에 보호막을 형성하고, 상기 보호막에 콘택홀을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 버퍼층의 높이(S) 및 상기 제2슬릿 간의 거리(D)는 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법:수학식 1S/D = 4 ~ 20 ㎛/ λ(여기서 λ는 빛의 파장).
- 제10항에 있어서,상기 제1슬릿 및 제2슬릿은 서로 오버랩되지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1기판과 대향하는 제2기판을 준비하는 공정; 및상기 제1기판 및 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 제2기판을 준비하는 공정은제2기판 상에 빛의 누설을 방지하기 위한 블랙매트릭스층을 형성하는 공정;상기 블랙매트릭스층 위에 컬러필터층을 형성하는 공정; 및상기 컬러필터층 위에 공통전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 액정층을 형성하는 공정은상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 한 기판 상에 주입구를 구비한 씨일재를 형성하는 공정;상기 제1기판 및 제2기판을 합착하는 공정; 및상기 주입구를 통해 액정을 주입하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제18항에 있어서,상기 액정층을 형성하는 공정은상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 한 기판 상에 주입구 없는 씨일재를 형성 하는 공정;상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 한 기판 상에 액정을 적하하는 공정; 및상기 제1기판 및 제2기판을 합착하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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