KR20070119169A - Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법 - Google Patents

Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070119169A
KR20070119169A KR1020060053424A KR20060053424A KR20070119169A KR 20070119169 A KR20070119169 A KR 20070119169A KR 1020060053424 A KR1020060053424 A KR 1020060053424A KR 20060053424 A KR20060053424 A KR 20060053424A KR 20070119169 A KR20070119169 A KR 20070119169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
cleaning
cvd chamber
cleaning gas
supplied
Prior art date
Application number
KR1020060053424A
Other languages
English (en)
Inventor
배근학
김경수
김호식
한동훈
채승기
이상곤
김종산
김호왕
남태영
하상선
이내응
김덕진
윤영배
Original Assignee
주식회사 아토
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아토 filed Critical 주식회사 아토
Priority to KR1020060053424A priority Critical patent/KR20070119169A/ko
Publication of KR20070119169A publication Critical patent/KR20070119169A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 CVD 챔버의 세정 시스템에 관한 것으로, 불소(F) 성분을 포함하는 가스를 포함하는 제1 세정가스가 원격 플라즈마 소스(RPS)에 의해 이온화되어 공급되는 제1 세정가스 공급라인 및 산화질소계열(NxOy) 가스를 포함하는 제2 세정가스가 공급되는 제2 세정가스 공급라인을 포함하고, 제1 세정가스는 RPS를 통과하여 이온화된 상태로 CVD 챔버 내부로 공급되고, 제2 세정가스는 RPS를 통과하지 않고 직접 CVD 챔버 내부로 공급되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 시스템은 RPS를 통하지 않고 직접 CVD 챔버로 공급하므로, 불소(F) 성분이 포함된 라디칼에 의하여 들뜬 고체막을 형성하고 있는 산소(O) 또는 질소(N)와의 반응이 용이하여 CVD 챔버의 세정 효율이 증가되는 장점이 있다.
CVD, 세정, NO 가스, 원격 플라즈마 소스

Description

ＣＶＤ 챔버의 세정 장치 및 방법{Apparatus for cleaning of chemical vaporization deposition chamber and method of cleaning the same}
도 1은 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치의 다른 일실시예들을 나타내는 도면.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치를 이용하여 세정하였을 때의 세정 효율을 나타내는 실험예들을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 방법을 나타내는 순서도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 제1 세정가스 공급라인 12 : F2 공급원
14,24 : Ar 공급원 16 : N2 공급원
20 : 제2 세정가스 공급라인 22 : NxOy 공급원
30 : 공정가스 공급라인 32 : 공정가스 공급원
S10 : 세정가스 공급 단계 S20 : 세정 단계
S30 : 배기 단계
본 발명은 반도체 제조 장치의 챔버 세정 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 불소 가스(F2) 및 산화질소계열(NxOy) 가스를 이용하는 CVD 챔버의 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.
종래의 CVD 챔버 세정 시스템은 CF4, C2F6, C3F8, C4F8 및 SF6와 같은 과불화화합물(Perfluorizedcompound, 이하 PFC라 한다) 계열의 세정가스를 산소 가스 또는 아르곤 가스와 동반시켜 CVD 챔버로 공급하고, CVD 챔버 내에서 RF 플라즈마를 인가하여 CVD 챔버 내부를 세정하거나, NF3 세정가스를 원격 플라즈마 발생장치를 통하여 이온화하여 아르곤 가스와 동반시켜 챔버로 공급하여 CVD 챔버 내부를 세정하였다.
그러나 PFC 계열의 세정가스를 이용하는 경우에는 챔버 내부의 파트 손상, 지구 온난화 등의 환경 문제 및 낮은 세정 능력 등의 문제점이 있으며, NF3 세정가스를 이용하는 경우에는 챔버 내부의 직접적인 파트 손상을 감소되고, 세정 속도가 빠르지만, 여전히 지구온난화 등의 환경 문제가 남아 있고, 비교적 고가의 가스 가격에 따른 제품 비용이 상승되는 문제점이 있다.
지구 온난화 기체가 아닌 F2 세정가스를 사용하는 경우에는 NF3 세정가스를 사용한 경우와 동일한 CVD 챔버 세정 효율을 얻기 위하여 보다 높은 기체 유속을 필요로 하며, 동일 기체 유속의 F2 세정가스를 사용하는 경우 세정 속도가 NF3 세정가스보다 감소하는 문제점이 있다.
또한, NF3 세정가스 및 F2 세정가스를 Ar, N2 가스 또는 NO, N2O 등의 NxOy 가스와 혼합하여 원격플라즈마 발생기로 CVD 챔버 내부로 공급하여 세정 효율을 향상시키고자 하였으나, 불소(F) 계열의 가스를 제외하고 세정효율에 가장 영향을 주는 NxOy 가스가 NO 라디칼로서 존재하기 보다는 N 또는 O의 형태의 라디칼로 CVD 챔버 내부로 공급되어 첨가가스의 첨가에 의한 세정효율의 향상이 제한적인 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 산화질소계열(NxOy) 가스가 포함되는 세정가스를 이용하여 CVD 챔버를 세정하되, NxOy 가스 이외의 다른 세정가스는 원격플라즈마 발생장치에 의해 플라즈마 상태로 CVD 챔버에 공급되지만, NxOy 가스는 플라즈마 상태가 되지 않고, 직접 CVD 챔버에 공급하여 CVD 챔버 내부의 세정 효율을 높일 수 있는 CVD 챔버의 세정 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 CVD 챔버의 세정 장치는 CVD 챔버의 세정 장치에 있어서, 불소 성분을 포함하는 가스를 포함하는 제1 세정 가스가 원격 플라즈마 소스(Remote Plasma Source, 이하 RPS라 한다)에 의해 이온화되어 공급되는 제1 세정가스 공급라인; 및 산화질소계열(NxOy) 가스를 포함하는 제2 세정가스가 공급되는 제2 세정가스 공급라인;을 포함하고, 상기 제1 세정가스는 상기 RPS를 통과하여 이온화된 상태로 CVD 챔버 내부로 공급되고, 상기 제2 세정가스는 상기 RPS를 통과하지 않고 직접 CVD 챔버 내부로 공급되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 CVD 챔버의 세정 방법은 CVD 챔버 내부를 세정하는 방법에 있어서, (a)제1 세정가스 공급라인을 통하여 불소 성분이 포함된 가스를 포함하는 제1 세정가스를 RPS에 의해 이온화된 상태로 챔버 내부로 공급하고, 제2 세정가스 공급라인을 통하여 산화질소계열(NxOy) 가스를 포함하는 제2 세정가스를 직접 챔버 내부로 공급하는 단계; (b)공급된 제1 세정가스 및 제2 세정가스에 의해 CVD 챔버 내부를 세정하는 단계; 및 (c)상기 (c)단계에 의해 세정된 잔류물 및 잔류 가스를 CVD 챔버 외부로 배출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치를 개략적으로 도시한 것으로, 제1 세정가스 공급라인(10)과 제2 세정가스 공급라인(20)으로 구성된다.
제1 세정가스 공급라인(10)에는 불소(F) 성분을 함유하는 가스를 포함하는 제1 세정가스를 공급하기 위한 적어도 하나의 공급원(12)과 제1 세정가스를 이온화시키기 위한 원격 플라즈마 소스(Remote Plasma Source, 이하 RPS라 한다)가 구비되어 있다.
불소(F) 성분을 함유하는 가스를 포함하는 제1 세정가스는 100% F2 가스가 될 수 있으며, 아르곤 가스에 의해 희석된 F2 가스가 될 수 있다. 또한 아르곤 가스에 의해 희석되고, 질소(N2) 가스와 혼합된 F2 가스가 될 수 있다.
F2 가스는 세정효율이 농도에 비례하는 관계에 있으므로 F2 농도를 최대로 증대하여 세정 효율을 극대화하기 위해 100% F2 가스를 이용할 수 있으나, 다만 100% F2 가스를 이용하기 위해서는 F2의 부식성 등에 충분히 견딜 수 있는 장비 등을 이용하여야 하므로, 희석된 F2 가스를 이용할 수 있다.
F2 세정가스에 대한 세정 메카니즘은 다음과 같다.
F2 -> F2+, F+
2F2(g)+ SiO2(s) -> SiF4(g) + O2(g)
제2 세정가스 공급라인(20)에는 NxOy 가스를 포함하는 제2 세정가스를 공급하기 위한 NxOy 공급원(22) 등이 구비되어 있다.
제2 세정가스는 NO, NO2, N2O 등 특정한 질소와 산소비(x : y)를 가지고 있 는 산화질소계열(NxOy) 가스가 포함되어 있다.
제2 세정가스는 100% NxOy 가스가 될 수 있으며, 아르곤 가스가 첨가된 NxOy 가스가 될 수도 있다.
도 1의 경우에는 100% F2 가스가 제1 세정가스가 되고, 100% NxOy 가스가 제2 세정가스가 된다.
각각의 가스 공급원(12,22)에는 각각의 가스에 대한 유량제어장치(Mass Flow Controller, 이하 MFC라 한다)와 밸브(Valve, 이하 V/V라 한다)가 연결되어 있다.
도 1을 참조하면 F2 공급원(12)에는 MFC 1a와 V/V 1a가 순차적으로 연결되어 있으며, NxOy 공급원(22)에는 MFC 2a와 V/V 2a가 순차적으로 연결되어 있다.
본 발명을 구성하는 요소는 아니지만 공정가스 공급라인(30)에는 공정가스 공급원(32)에 소정의 공정 가스가 저장되어 있으며, MFC 3와 V/V 3이 순차적으로 연결되어 있다.
공정가스가 CVD 챔버 내로 공급될 때에는 제1 세정가스 및 제2 세정가스는 CVD 챔버 내로 공급되지 않으며, 반대로 제1 세정가스 및 제2 세정가스가 CVD 챔버 내로 공급될 때에는 공정가스가 CVD 챔버 내로 공급되지 않는다. 이는 예상치 못할 폭발 사고 등의 위험을 미리 차단키 위함이다.
제1 세정가스는 RPS에 의해 이온화되어 CVD 챔버 내부로 공급되고, 제2 세정가스는 RPS를 통하지 않고, 즉, 이온화되지 않은 상태에서 직접 CVD 챔버 내부로 공급된다.
제2 세정가스는 공정목적에 따라서 CVD 챔버의 샤워헤드에서 제1 세정가스와 혼합될 수도 있고, RPS와 샤워헤드 사이의 소정의 위치에서 혼합될 수도 있다.
도 1의 경우에는 100% F2 가스는 이온화되어, 그리고 100% NxOy 가스는 이온화되지 않은 상태에서 CVD 챔버 내부로 공급된다.
도 2는 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치의 다른 일실시예를 나타낸 것으로, 제1 세정가스가 100% F2 가스이고, 제2 세정가스가 아르곤(Ar) 가스가 첨가된 NxOy 가스인 경우를 나타낸다.
도 2의 경우 Ar 가스는 제2 세정가스 공급라인에 포함되며, Ar 공급원(24)을 통해서 Ar이 공급되고, MFC 2b와 V/V 2b가 순차적으로 연결되어 있어서 가스 유량을 조절하여 NxOy 가스에 첨가시킬 수 있다.
도 5a는 도 2의 CVD 챔버의 세정 장치를 이용하여 세정하였을 때의 세정 효율을 나타내는 실험예로서, F2의 유량(Flow Rate)이 1500sccm, Ar+NO의 유량이 500sccm이고, 공정 압력이 3 Torr일 때, 상온인 25℃와 100℃에서의 실리콘 산화막에 대한 세정 효율을 나타내는 것이다.
도 5a의 실험 결과를 참조하면, Ar 등의 첨가가스를 첨가할 경우, 챔버 세정의 온도가 상온일 때 첨가가스가 포함된 제2 세정가스에서 제2 세정가스의 비율인 NO / (Ar+NO)의 비율이 0.75일 때 세정 효율이 최대가 된다.
그렇지만, 세정 온도가 50℃ 이상이라면 Ar 등의 첨가가스를 첨가하지 않고, 제2 세정가스인 NO 가스만을 공급할 때 세정 효율이 최대가 된다.
NO 가스에 의한 세정 효율의 향상은 증착공정 동안 챔버 내부에 증착되어 있는 산화막 또는 질화막 등의 고체막을 형성하고 있는 산소(O) 또는 질소(N) 성분이 불소(F) 성분이 포함된 라디칼에 의하여 들뜨게 되고, 상기 들떠있는 산소(O) 또는 질소(N) 성분이 RPS를 통하지 않고 직접 CVD 챔버로 공급된 산화질소계열(NxOy) 가스와 용이하게 반응하여 NO2 또는 N2O가스로 형성되며, 이후 산소(O) 또는 질소(N) 성분이 제거되어 노출되는 실리콘(Si) 성분에 보다 용이하게 불소(F) 성분이 반응하는 상호 보완 기능을 하기 때문이다.
도 3은 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치의 또다른 일실시예를 나타낸 것으로, 제1 세정가스가 아르곤에 의해 희석된 F2 가스이고, 제2 세정가스가 100% NxOy 가스인 경우를 나타낸다.
Ar 가스는 제1 세정가스 공급라인에 포함되며, Ar 공급원(14)을 통해서 Ar이 공급되고, MFC 1b와 V/V 1b가 순차적으로 연결되어 있다.
도 3의 경우 Ar 가스를 먼저 RPS에 공급하여 Ar 공급을 통한 RPS의 플라즈마를 점화(ignition)할 수 있다.
F2 가스에 대한 Ar 가스의 유량비(Ar/F2)는 0.1 ~ 2.0이 될 수 있고, 더 상세하게는 0.25 ~ 1.25 정도가 될 수 있다.
도 5b는 도 3의 CVD 챔버의 세정 장치를 이용하여 세정하였을 때의 세정 효 율을 나타내는 실험예로서, F2의 유량(Flow Rate)이 1500sccm, Ar의 유량이 500sccm이고, 공정 압력이 3 Torr일 때, NO의 유량 0sccm에서 250sccm까지 늘려가면서 350℃에서의 실리콘 산화막에 대한 세정 효율을 나타내는 것이다.
도 5b의 실험 결과를 참조하면, 350℃에서 F2가스와 Ar가스가 각각 1500sccm, 500sccm 공급될 때, NO 가스를 150sccm 공급 시 제1 세정가스 단독의 효율보다 80% 이상 세정효율이 증대된다.
도 4는 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치의 또 다른 일실시예를 나타낸 것으로, 제1 세정가스가 아르곤에 의해 희석되고, 질소(N2) 가스가 첨가된 F2 가스이고, 제2 세정가스가 100% NxOy 가스인 경우를 나타낸다.
이 경우 RPS로 공급하는 제1 세정가스에 N2 가스의 첨가를 통한 추가적인 세정 효율의 향상이 가능하다.
Ar 가스는 제1 세정가스 공급라인에 포함되며, Ar 공급원(14)을 통해서 Ar 가스가 공급되고, MFC 1b와 V/V 1b가 순차적으로 연결되어 있다.
N2 가스는 제1 세정가스 공급라인에 포함되며, N2 공급원(16)을 통해서 N2 가스가 공급되고, MFC 1c와 V/V 1c가 순차적으로 연결되어 있다.
도 4의 경우 N2 가스를 더 첨가함으로써 도 3의 Ar에 의해 희석된 F2 세정가스보다 10% ~ 30%정도 세정 효율이 증대될 수 있는데, 그 세정 메카니즘은 다음과 같다.
F2 + N2 -> N+, F2+, F+, etc.
4F2(g) + N2(g) + 2SiO2(s) -> 2SiF4(g) + (N2(g) + O2(g) + NO(g) + …)
F2 가스에 대한 N2 가스의 유량비(N2/F2)는 0.1 ~ 0.5가 될 수 있고, 더 상세하게는 0.2 ~ 0.3 정도가 될 수 있다. 또한, N2와 F2 가스의 유량의 합에 대한 Ar 가스의 유량비(Ar/(N2+F2))는 0.1 ~ 2.0이 될 수 있고, 더 상세하게는 0.5 ~ 1.0 정도가 될 수 있다.
도 6은 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 방법을 나타내는 순서를 나타낸 것으로, 세정가스 공급 단계(S10), 세정 단계(S20) 및 배기 단계(S30)로 구성된다.
세정가스 공급 단계(S10)에서는 제1 세정가스 공급라인(10)을 통하여 불소 성분이 포함된 가스를 포함하는 제1 세정가스를 RPS에 의해 이온화된 상태로 챔버 내부로 공급하고, 제2 세정가스 공급라인을 통하여 NxOy 가스를 포함하는 제2 세정가스를 직접 공급한다.
제1 세정가스와 제2 세정가스는 CVD 챔버 내로 동시에 공급하는 방법과 제1 세정가스를 먼저 공급한 후, 제2 세정가스를 공급하는 방법 및 제2 세정가스를 먼저 공급한 후, 제1 세정가스를 공급하는 방법으로 나눌 수 있다.
제1 세정가스는 불소(F) 성분을 포함하고 있으므로, 제1 세정가스와 제2 세정가스를 동시에 공급하거나, 제1 세정가스의 공급 후 제2 세정가스를 공급하는 것이 제 2세정가스의 공급 후 제1 세정가스를 공급하는 것보다 효율적이다.
제2 세정가스는 CVD 챔버의 샤워헤드에서 상기 제1 세정가스와 혼합될 수 있으며, 또한 CVD 챔버의 샤워헤드와 상기 RPS 사이의 소정의 위치에서 제1 세정가스와 혼합될 수 있다.
세정 단계(S20)에서는 세정가스 공급 단계(S10)에서 공급된 제1 세정가스 및 제2 세정가스에 의해 CVD 챔버 내부를 세정한다.
배기 단계(S30)에서는 세정 단계(S20)에서 세정된 잔류물 및 잔류 가스를 CVD 챔버 외부로 배출한다.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 CVD 챔버의 세정 장치 및 세정 방법은 고체막을 형성하고 있는 산소(O) 또는 질소(N) 성분이 불소(F) 성분이 포함된 라디칼에 의하여 들뜨게 되고, 상기 들떠있는 산소(O) 또는 질소(N) 성분이 RPS를 통하지 않고 직접 CVD 챔버로 공급된 산화질소계열(NxOy) 가스와 반응이 용이하여 CVD 챔버의 세정 효율이 증가되는 장점이 있다.

Claims (29)

  1. CVD 챔버의 세정 장치에 있어서,
    불소 성분을 포함하는 가스를 포함하는 제1 세정가스가 원격 플라즈마 소스(Remote Plasma Source, 이하 RPS라 한다)에 의해 이온화되어 공급되는 제1 세정가스 공급라인; 및
    산화질소계열(NxOy) 가스를 포함하는 제2 세정가스가 공급되는 제2 세정가스 공급라인;을 포함하고,
    상기 제1 세정가스는 상기 RPS를 통과하여 이온화된 상태로 CVD 챔버 내부로 공급되고, 상기 제2 세정가스는 상기 RPS를 통과하지 않고 직접 CVD 챔버 내부로 공급되는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화질소계열 가스는
    일산화질소(NO) 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    100% F2 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    아르곤(Ar) 가스에 의해 희석된 불소(F2) 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    F2 가스에 대한 Ar 가스의 유량비(Ar/F2)가 0.1 ~ 2.0인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    상온에서 제2 세정가스에 비해 90%의 유량비를 가지는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    아르곤 가스에 의해 희석되고, 질소(N2) 가스와 혼합된 불소(F2) 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  8. 제7항에 있어서, 제1 세정가스는
    F2 가스에 대한 N2 가스의 유량비(N2/F2)가 0.1 ~ 0.5인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  9. 제7항에 있어서, 제1 세정가스는
    N2 + F2 가스의 유량비에 대한 Ar 가스의 유량비(Ar/(N2+F2))가 0.1 ~ 2.0 인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    100% NxOy 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    Ar 가스가 첨가된 NxOy 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    상온에서 NO 가스의 유량비가 75%, 아르곤 가스의 유량비가 25%인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 장치.
  13. CVD 챔버 내부를 세정하는 방법에 있어서,
    (a)제1 세정가스 공급라인을 통하여 불소 성분이 포함된 가스를 포함하는 제1 세정가스를 RPS에 의해 이온화된 상태로 챔버 내부로 공급하고, 제2 세정가스 공급라인을 통하여 산화질소계열(NxOy) 가스를 포함하는 제2 세정가스를 직접 챔버 내부로 공급하는 단계;
    (b)공급된 제1 세정가스 및 제2 세정가스에 의해 CVD 챔버 내부를 세정하는 단계; 및
    (c)상기 (c)단계에 의해 세정된 잔류물 및 잔류 가스를 CVD 챔버 외부로 배출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 산화질소계열 가스는
    일산화질소(NO) 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 (a)단계는
    제1 세정가스와 제2 세정가스를 동시에 공급하는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 (a)단계는
    제1 세정가스를 먼저 공급한 후, 제2 세정가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 (a)단계는
    제2 세정가스를 먼저 공급한 후, 제1 세정가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  18. 제13항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    100% F2 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    Ar 가스에 의해 희석된 F2 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    F2 가스에 대한 Ar 가스의 유량비(Ar/F2)가 0.1 ~ 2.0 인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    상온에서 제2 세정가스에 비해 90%의 유량비를 가지고 공급되는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  22. 제13항에 있어서, 상기 제1 세정가스는
    아르곤 가스에 의해 희석되고, 질소(N2) 가스와 혼합된 불소(F2) 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  23. 제22항에 있어서, 제1 세정가스는
    F2 가스에 대한 N2 가스의 유량비(N2/F2)가 0.1 ~ 0.5 인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  24. 제22항에 있어서, 제1 세정가스는
    N2 + F2 가스에 대한 Ar 가스의 유량비(Ar/(N2+F2))가 0.1 ~ 2.0 인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  25. 제13항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    100% NxOy 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  26. 제13항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    Ar 가스가 첨가된 NxOy 가스인 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    상온에서 NO 가스의 유량비가 75%, 아르곤 가스의 유량비가 25%로 공급되는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  28. 제13항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    CVD 챔버의 샤워헤드에서 상기 제1 세정가스와 혼합되는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
  29. 제13항에 있어서, 상기 제2 세정가스는
    CVD 챔버의 샤워헤드와 상기 RPS 사이의 소정의 위치에서 상기 제1 세정가스와 혼합되는 것을 특징으로 하는 CVD 챔버의 세정 방법.
KR1020060053424A 2006-06-14 2006-06-14 Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법 KR20070119169A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060053424A KR20070119169A (ko) 2006-06-14 2006-06-14 Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060053424A KR20070119169A (ko) 2006-06-14 2006-06-14 Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070119169A true KR20070119169A (ko) 2007-12-20

Family

ID=39137536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060053424A KR20070119169A (ko) 2006-06-14 2006-06-14 Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070119169A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9157730B2 (en) 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9157730B2 (en) 2012-10-26 2015-10-13 Applied Materials, Inc. PECVD process
US9458537B2 (en) 2012-10-26 2016-10-04 Applied Materials, Inc. PECVD process
US9816187B2 (en) 2012-10-26 2017-11-14 Applied Materials, Inc. PECVD process
US10060032B2 (en) 2012-10-26 2018-08-28 Applied Materials, Inc. PECVD process
US10793954B2 (en) 2012-10-26 2020-10-06 Applied Materials, Inc. PECVD process
US11613812B2 (en) 2012-10-26 2023-03-28 Applied Materials, Inc. PECVD process
US11898249B2 (en) 2012-10-26 2024-02-13 Applied Materials, Inc. PECVD process

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210047808A (ko) 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US6872323B1 (en) In situ plasma process to remove fluorine residues from the interior surfaces of a CVD reactor
US20090047447A1 (en) Method for removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapor deposition reactor
US20070006893A1 (en) Free radical initiator in remote plasma chamber clean
US20070107750A1 (en) Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers
US20080314418A1 (en) Method and System for Furnace Cleaning
JP2018502451A (ja) 水素または水素含有ガスとともに水蒸気を使用するプラズマ軽減
CN101378850A (zh) 加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁
JP2009503905A (ja) 表面沈着物の除去および化学蒸着（ｃｖｄ）チャンバーの内部の内部表面の不動態化方法
JP2009503270A (ja) 表面沈着物を除去するためのｎｆ３の使用方法
TWI284929B (en) Remote chamber methods for removing surface deposits
US10892143B2 (en) Technique to prevent aluminum fluoride build up on the heater
WO2002078073A1 (fr) Procede de nettoyage d&#39;un dispositif cvd et dispositif nettoyant afferent
CN105097485B (zh) 腔室环境调控方法
TW200402092A (en) CVD apparatus and method for cleaning the same
JP2007531289A5 (ko)
KR100765128B1 (ko) Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법
KR20030051745A (ko) 플라즈마 클리닝 가스 및 플라즈마 클리닝 방법
CN101238238A (zh) 使用氟化硫从cvd/pecvd腔的内部除去表面沉积物的远程腔方法
US20050279382A1 (en) Method for cleaning a process chamber
US20130239988A1 (en) Deposition chamber cleaning using in situ activation of molecular fluorine
KR20070119169A (ko) Ｃｖｄ 챔버의 세정 장치 및 방법
US8932406B2 (en) In-situ generation of the molecular etcher carbonyl fluoride or any of its variants and its use
KR20090051203A (ko) 육불화황 재순환 시스템 및 육불화황 재순환 방법
US20130276820A1 (en) Chemical vapor deposition chamber cleaning with molecular fluorine

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination