KR20070109696A - 산화아연계 발광 소자의 제조 방법 및 그에 의해 제조된산화아연계 발광 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판위에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1) 화합물 반도체인 p형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 p형 반도체층위에 산화아연(ZnO)계 활성층을 형성하는 단계와, 상기 산화아연계 활성층위에 n형 산화아연 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 의하면, 산화아연의 물질 특성상 p형 화합물을 형성하기 힘들고 n형 화합물 특징을 나타냄에 따라 산화아연으로 n형 반도체층을 형성하고, 산화아연과 유사한 물질 특성을 가지는 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1) 화합물 반도체 물질인 p형 반도체층을 형성함으로써 발광 소자를 위한 pn접합 구조를 구현하여 발광 소자에 산화아연의 물질 특성을 이용할 수 있게 되었다.

산화아연, ZnO, 발광소자, AlInGaN, GaN, AlN, InN

Description

산화아연계 발광 소자의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 산화아연계 발광 소자{METHOD FOR FABRICATING A ZnO BASED LIGHT EMITTING DEVICE AND A ZnO BASED LIGHT EMITTING DEVICE FABRICATED BY THE METHOD}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 ZnO계 발광 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 공정 순서도.

도 2 내지 도 4는 도 1의 제조 공정에 따른 공정 단면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 200 : GaN 버퍼층

300 : 언도프트 GaN 반도체층 400 : p형 GaN 반도체층

500 : ZnO계 활성층 600 : n형 ZnO 반도체층

700 : 상부 전극 800 : 하부전극

본 발명은 산화아연(ZnO)계 발광 소자 제조에 관한 것으로, 상세하게는 산 화아연(ZnO)의 물질 특성상 p형 화합물을 형성하기 힘들고 n형 화합물 특징을 나타냄에 따라 산화아연(ZnO)으로 n형 반도체층을 형성하고, ZnO와 유사한 물질 특성을 가지는 III-V족 화합물 반도체 물질로 p형 반도체층을 형성함으로써 발광 소자를 위한 pn접합 구조를 구현하여 발광 소자에 산화아연(ZnO)의 물질 특성을 이용할 수 있게 하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 산화아연계 발광 소자에 관한 것이다.

일반적으로, 발광소자는 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층 및 이들 반도체층 사이에 개재된 활성층을 갖는 발광 다이오드를 구비한다. 활성층에서 전자와 정공의 재결합에 의해 광이 발생되어 외부로 방출된다.

발광 다이오드는 III-V족 화합물 반도체 계열로 발전을 해왔다. III-V족 화합물 반도체는 고속 및 고온 전자제품들, 광 방출기 및 광 검출기 등의 응용제품들에서 우수한 성능을 제공한다.

특히, III-V족 화합물 반도체중에서 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 질화인디움(InN) 및 그 얼로이(alloy)와 같은 질화물 화합물 반도체가 많이 사용되어 왔다.

질화물 화합물 반도체중에서 질화갈륨(GaN)은 청색 레이저 및 청색 파장의 스펙트럼을 방출하는 발광 다이오드에 요구되는 밴드갭을 가지고 있어, 이에 대한 연구가 많이 진행되어 왔으며, 그 사용이 증가하고 있다.

질화갈륨(GaN)를 대체하기 위한 II-VI 계열의 대표적인 화합물 반도체 물질로 산화아연(ZnO)이 있다. 산화아연(ZnO)의 물질 특성은 갈륨 나이트라이드(GaN)의 특성과 거의 유사한 특성을 가지고 있으며, 더욱이 발광소자로서 매우 중요한 요소인 엑시톤(exciton) 결합에너지가 상온에서 약 60 meV로 약 25meV인 질화갈륨(GaN) 보다 매우 높게 나타나기 때문에 발광 소자로서 무한한 가능성을 가지고 있는 물질이다.

이로 인해 최근 산화아연(ZnO)을 이용한 발광소자에 많은 연구가 이루어지고 있다.

그러나, 이러한 무한한 가능성을 가진 산화아연(ZnO)의 물질적 특성에도 불구하고 아직까지 발광 소자로서 이렇다 할만한 성과를 이루지 못하고 있다. 이는 산화아연(ZnO)이 가지고 있는 고유의 물질적인 특성으로 인해 p-형 산화아연(p-ZnO)의 형성이 매우 어려워 발광 소자로써 특성을 보이기 힘들기 때문이다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층 및 이들 반도체층 사이에 개재된 활성층을 가지는 발광 소자에 산화아연을 적용하여 산화 아연의 특성에 의해 개선된 성능을 가지는 발광소자를 제작할 수 있게 하는 데 있다.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 기판위에 Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x,y,x+y≤1) 화합물 반도체인 p형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 p형 반도체층위에 산화아연(ZnO)계 활성층을 형성하는 단계와, 상기 산화아연계 활성층위에 n형 산화아연 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.

상기 n형 산화아연 반도체층, 산화아연계 활성층, p형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 p형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 n형 산화아연 반도체층과 노출된 p형 반도체층에 전극을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.

바람직하게 상기 기판과 상기 p형 반도체층 사이에 Al_xGa_{1 - x}N(0≤x≤1)계 버퍼층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.

바람직하게 상기 버퍼층과 상기 p형 반도체층 사이에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)계 버퍼층을 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다.

바람직하게 상기 산화아연계 활성층을 형성하는 단계는, 일반식 Zn_xMg_yCd_{1-x- y}O(0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2 원 내지 4 원 화합물 반도체층의 양자우물층과 장벽층을 반복적으로 적층하여 다층막을 형성할 수 있다.

본 발명의 또 다른 측면에 의하면, 기판과, 상기 기판위에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1) 화합물 반도체인 p형 반도체층과, 상기 p형 반도체층위에 형성된 산화아연(ZnO)계 활성층과, 상기 산화아연계 활성층위에 형성된 n형 산화아연 반도체층을 포함하는 산화아연계 발광 소자를 제공한다.

상기 산화아연계 발광 소자는 상기 n형 산화아연 반도체층, 산화아연계 활성층, p형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 p형 반도체층의 일부가 노출된 상태에서 상기 n형 산화아연 반도체층과 노출된 p형 반도체층에 형성된 전극을 더 포함할 수 있다.

상기 산화아연계 발광 소자는 상기 기판과 상기 p형 반도체층 사이에 (Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x,y,x+y≤1)계 버퍼층을 더 포함할 수 있다.

상기 산화아연계 발광 소자는 상기 버퍼층과 상기 p형 반도체층 사이에 (Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x,y,x+y≤1)계 언도프트 반도체층을 더 포함할 수 있다.

상기 ZnO계 활성층은, 일반식 Zn_xMg_yCd_{1 -x- y}O(0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2 원 내지 4 원 화합물 반도체층의 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 적층되어 형성된 다층막인 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다.

따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 ZnO계 발광 소자의 제조 공정을 설명하 기 위한 공정 순서도이고, 도 2 내지 도 4는 그 제조 공정에 따른 공정 단면도이다. 여기에서는 발광 소자중에서 질화물 및 산화아연으로 이루어지는 반도체층을 이용한 발광 소자의 제조 공정을 설명하도록 한다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 질화물 및 산화아연(ZnO) 반도체층을 형성하기 위한 공정 챔버(미도시됨)내에 기판(100)을 준비한다(S1). 기판(100)은 그 위에 형성될 질화물 반도체층과 유사한 격자상수를 갖는다. 기판(100)은 사파이어(Al₂O₃), 스피넬(spinel), 탄화실리콘(SiC)일 수 있다.

그 후, 기판(100)위에 GaN 버퍼층(200)을 형성한다(S2).

GaN 버퍼층(200)은 그 상부에 형성될 반도체층들과 기판(100) 사이의 격자 불일치를 완화하기 위해 사용된다. GaN 버퍼층(200)은 저온, 예를 들어 약 400 내지 약 700 ℃의 온도와 50 Torr 내지 700 Torr의 압력 아래서 20 nm 내지 50 nm의 두께로 성장될 수 있다.

그 후, GaN 버퍼층(200)위에 언도프트 GaN 반도체층(300)을 형성한다(S3).

언도프트 GaN 반도체층(300)은 GaN 버퍼층(200)과 p형 GaN 반도체층(400) 사이에 개재되고 언도프트(undoped) GaN으로 이루어진다.

언도프트 GaN 반도체층(300)은 그 위에 GaN계 물질로 구성되는 p형 GaN 반도체층(400)을 고품질로 효과적으로 형성시킬 수 있도록 하기 위한 것이다.

GaN 버퍼층(200) 및 언도프트 GaN 반도체층(300)은 금속 유기 화학 기상 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), 수소화물 기상 성장 법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE) 또는 분자선 성장법(molecular beam epitaxy, MBE) 등을 사용하여 형성할 수 있다.

언도프트 GaN 반도체층(300) 위에 p형 GaN 반도체층(400), ZnO계 활성층(500) 및 n형 ZnO 반도체층(600)을 차례로 형성한다(S4).

p형 GaN 반도체층(400)은 마그네슘(Mg) 또는 아연(Zn)을 도우핑하여 형성할 수 있으며, p형 클래드층을 포함할 수 있다.

ZnO계 활성층(500)은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, ZnMgO 또는 ZnCdO를 포함하여 이루어진다. ZnO계 활성층(500)을 이루는 물질의 종류에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 발광 파장이 결정된다.

즉, ZnO계 활성층(500)은 산화아연(ZnO)에 Zn^{2 +}와 이온 반경이 유사한 마그네슘(Mg)이나 카드늄(Cd)등을 첨가하면 밴드갭이 2.8eV 내지 4eV까지 조절이 가능하기 때문에 마그네슘(Mg)이나 카드늄(Cd)의 몰분율을 조절해서 원하는 발광 파장을 결정할 수 있다.

즉, 마그네슘(Mg)의 함량이 증가하면 밴드갭 에너지가 증가하게 되고, 카드늄(Cd) 함량이 증가하게 되면 밴드갭 에너지가 감소하게 된다. 이에 따라 GaN 계열의 발광 소자와 같이 자외선에서 적외선까지 다양한 파장의 빛을 발생시킬 수 있다.

ZnO계 활성층(500)은 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 형성된 다층막일 수 있다. 장벽층과 우물층은 일반식 Zn_xMg_yCd_1-x-yO(0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2 원 내지 4 원 화합물 반도체층일 수 있다.

구체적으로 산화아연(ZnO)과, 산화아연(ZnO)에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(Zn_{1 - x}Mg_xO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn_{1 - x}Cd_xO(0≤x≤1)을 교대로 적층하여 ZnO계 활성층(500)의 장벽층과 우물층을 형성할 수 있다.

이를 위해 반응 전구체로 아연이 함유된 유기 금속인 디메틸 아연[Zn(CH₃)₂], 마그네슘이 함유된 유기금속인 비스사이클로펜타디에닐 마그네슘(bis-cyclopentadienyl-Mg;(C₅H₅)₂Mg)과 산소(O₂)가스를 이용하며, 아르곤을 수송기체로 사용한다.

분리된 라인들을 통해 디에틸아연과 비스사이클로펜타디에닐 마그네슘을 운송하는 아르곤, 및 O₂의 흐름을 적절히 조절하여 금속 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학 증착법에 의해 교대로 증착한다.

증착을 위한 반응기내의 바람직한 압력 및 온도는 각각 10^-5㎜Hg 내지 760㎜Hg, 400 내지 700℃이다. 산화아연(ZnO)을 성장시킨 후 그 위에 전구체들인 디에틸아연 및 비스사이클로펜타디에닐 마그네슘의 흐름을 배기라인에서 반응기로 적절히 바꿔서 산화아연마그네슘/산화아연을 성장시킨다. 산화아연마그네슘의 마그네슘 함량은 12 at.%(atomic percent)이다.

n형 ZnO 반도체층(600)은 ZnO계 활성층(500)위에 금속 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학 증착법에 의해 형성된다.

구체적으로는 n형 ZnO 반도체층(600)은 ZnO계 활성층(500)이 형성된 기판이 있는 반응기내로 아연 함유 유기 금속 및 산소 함유 기체 또는 산소 함유 유기물을 별개의 라인을 통해 각각 주입하고, 0.1 내지 10torr의 압력 및 온도 400 내지 700℃의 반응 조건하에서 반응물의 전구체들을 화학반응시키는 유기금속 화학증착법에 의해 ZnO계 활성층(500)위에 형성된다.

n형 ZnO 반도체층(600)의 증착에 사용되는 아연 함유 유기 금속으로는 디메틸아연[Zn(CH₃)₂], 디에틸아연[ZnC₂H₅)₂], 아연아세테이트[Zn(OOCCH₃)₂ㆍH₂O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH₃)₂], 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C₅H₇O₂)₂]등을 예로 들 수 있고, 산소 함유 기체로는 O₂, O₃, NO₂, 수증기, CO₂ 등을 예로 들수 있으며, 산소 함유 유기물로는 C₄H₈O를 예로 들을 수 있다.

도 1 및 도 3을 참조하면, n형 ZnO 반도체층(600)이 형성된 상태에서 n형 ZnO 반도체층(600), ZnO계 활성층(500), p형 GaN 반도체층(400)의 일부를 부분적으로 에칭하여, p형 GaN 반도체층(400)의 일부를 노출시킨다(S5).

도 1 및 도 4를 참조하면, n형 ZnO 반도체층(600) 및 노출된 p형 GaN 반도체층(400)에 상부 전극 및 하부 전극(700, 800)을 각각 형성한다(S6).

상부 전극(700)은 예를 들면 열 혹은 전자빔 증발법을 이용하여 타이타늄(Ti)(10㎚)과 금(Au)(50㎚)을 순차적으로 증착시켜 형성한다.

하부 전극(800)은 p형 GaN 반도체층(400)에 열 혹은 전자빔 증발법을 이용하 여 플래티늄(Pt)(10㎚)과 금(Au)(50㎚)을 순차적으로 증착시켜 형성한다.

상하부 전극(700, 800)의 제조시 금속 증발을 위한 전자빔의 가속 전압과 발산 전류(emission current)는 각각 4 내지 20㎸ 및 40 내지 400㎃로 금속 증착시 반응기의 압력은 약 10^-5㎜Hg로 반응기내의 온도는 상온으로 유지하였다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

예를 들어 본 발명의 일 실시예에서는 산화아연을 이용한 발광소자의 제작을 위해 n형 ZnO 반도체층과 대응하여 p형 반도체층으로 III-V족 화합물 반도체중에서 질화갈륨(GaN)를 이용하는 것에 대하여 설명하였다.

그러나, 산화아연을 이용한 발광소자를 제작하기 위한 p형 반도체층으로 질화갈륨(GaN)외에도 질화알루미늄(AlN), 질화인디움(InN) 및 이들의 얼로이(alloy)와 같은 다양한 질화물 화합물 반도체(Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)를 사용할 수 있다. 이외에도 GaP 및 GaAs의 III-V족 화합물 반도체를 사용할 수 도 있다.

또한, ZnSe, CdSe, CdS 및 ZnS 등과 같은 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, SrCu₂O₂,SiC 및 Si등과 같은 반도체 등을 사용할 수 있으며 이들은 상업적으로 용이하게 구입할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에서는 산화아연을 이용한 발광소자의 제작을 위해 질화갈륨(GaN) 버퍼층 및 언도프트층을 이용하는 것에 대하여 설명하였다.

그러나, 산화아연을 이용한 발광소자를 제작하기 위한 버퍼층 및 언도프트층으로 질화갈륨(GaN)외에도 질화알루미늄(AlN), 질화인디움(InN) 및 이들의 얼로이(alloy)와 같은 다양한 질화물 화합물 반도체(Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)를 사용할 수 있다.

아울러, 본 발명의 일실시예에서는 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학 기상증착법에 의해 산화아연을 증착하였지만 그 외에도 스퍼터링이나 펄스레이저 증착법 등 물리적인 성장방법에 의해 가능하며, 금(Au)과 같은 금속촉매를 이용하는 기상이송법(Vapor-phase transport process)에 의해서도 가능하다.

또한 본 발명의 일실시예에서는 n형 산화아연 반도체층, 산화아연계 활성층, p형 반도체층의 일부를 식각하여 p형 반도체층의 일부를 노출시킨 다음 노출된 p형 반도체층에 하부전극을 형성하는 제작되는 산화아연계 발광 소자에 대하여 설명하였지만, n형 산화아연 반도체층, 산화아연계 활성층, p형 반도체층을 식각하지 않고 기판을 분리한 후 p형 반도체층에 하부전극을 형성하는 수직형 발광 소자에도 적용이 가능하다.

본 발명에 의하면, 마그네슘(Mg)이 도핑된 p-GaN 반도체층과, ZnO계의 활성층과, n형 ZnO 반도체층이 차례대로 형성된다.

산화아연(ZnO)의 물질 특성상 p형 화합물을 형성하기 힘들고 n형 화합물 특 징을 나타냄에 따라 산화아연(ZnO)으로 n형 반도체층을 형성하고, 산화아연(ZnO)과 유사한 물질 특성을 가지는 GaN로 p형 반도체층을 형성함으로써 발광 소자를 위한 pn접합 구조를 구현하여 발광 소자에 산화아연(ZnO)의 물질 특성을 이용할 수 있게 되었다.

또한, ZnO계 활성층은 산화아연(ZnO)과 산화아연(ZnO)에 마그네슘 또는 카드늄이 도핑된 층을 교차로 적층하여 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 형성함에 따라 마그네슘과 카드늄의 몰분율을 조절하여 자외선에서 적외선까지 다양한 파장의 빛을 발생시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 의해 구형된 pn접합구조에서는 n형 ZnO 반도체층이 최상위층에 형성된다. n형 ZnO의 특성상 GaN 계열 발광 소자의 최상위층에 형성된 n형 ZnO는 전자 주입층의 역할뿐 아니라 별도의 전도막 없이 패드 메탈의 증착만으로 메탈 컨택 효과를 나타내 고휘도의 발광소자특성을 나타낼 수 있다.

Claims (10)

1. 기판위에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1) 화합물 반도체 물질인 p형 반도체층을 형성하는 단계와,

   상기 p형 반도체층위에 산화아연(ZnO)계 활성층을 형성하는 단계와,

   상기 산화아연계 활성층위에 n형 산화아연 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 n형 산화아연 반도체층, 산화아연계 활성층, p형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 p형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계와,

   상기 n형 산화아연 반도체층과 노출된 p형 반도체층에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 기판과 상기 p형 반도체층 사이에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)계 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법.
4. 청구항 3에 있어서,

   상기 버퍼층과 상기 p형 반도체층 사이에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)계 언도프트 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법.
5. 청구항 1에 있어서, 상기 산화아연계 활성층을 형성하는 단계는,

   일반식 Zn_xMg_yCd_{1 -x- y}O(0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2 원 내지 4 원 화합물 반도체층의 양자우물층과 장벽층을 반복적으로 적층하여 다층막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광 소자의 제조 방법.
6. 기판과,

   상기 기판위에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1) 화합물 반도체 물질인 p형 반도체층과,

   상기 p형 반도체층위에 형성된 산화아연(ZnO)계 활성층과,

   상기 산화아연계 활성층위에 형성된 n형 산화아연 반도체층을 포함하는 산화 아연계 발광 소자.
7. 청구항 6에 있어서,

   상기 n형 산화아연 반도체층, 산화아연계 활성층, p형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 p형 반도체층의 일부가 노출된 상태에서 상기 n형 산화아연 반도체층과 노출된 p형 반도체층에 형성된 전극을 더 포함하는 산화아연계 발광 소자.
8. 청구항 6에 있어서,

   상기 기판과 상기 p형 반도체층 사이에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)계 버퍼층을 더 포함하는 산화아연계 발광 소자.
9. 청구항 8에 있어서,

   상기 버퍼층과 상기 p형 반도체층 사이에 Al_xIn_yGa_{1 -x- y}N(0≤x,y,x+y≤1)계 언도프트 반도체층을 더 포함하는 산화아연계 발광 소자.
10. 청구항 6에 있어서, 상기 산화아연계 활성층은,

    일반식 Zn_xMg_yCd_{1 -x- y}O(0≤x,y,x+y≤1)으로 표현되는 2 원 내지 4 원 화합물 반도체층의 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 적층되어 형성된 다층막인 것을 특징으로 하는 산화아연계 발광 소자.

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