KR20070097791A - Fpd소자 제조용 박막증착 및 처리 설비 - Google Patents

Fpd소자 제조용 박막증착 및 처리 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR20070097791A
KR20070097791A KR1020060028504A KR20060028504A KR20070097791A KR 20070097791 A KR20070097791 A KR 20070097791A KR 1020060028504 A KR1020060028504 A KR 1020060028504A KR 20060028504 A KR20060028504 A KR 20060028504A KR 20070097791 A KR20070097791 A KR 20070097791A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
manifold
scan module
reaction gas
thin film
Prior art date
Application number
KR1020060028504A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100766448B1 (ko
Inventor
배남진
부성은
강민성
전종진
송영협
Original Assignee
주식회사 제이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 제이씨텍 filed Critical 주식회사 제이씨텍
Priority to KR1020060028504A priority Critical patent/KR100766448B1/ko
Publication of KR20070097791A publication Critical patent/KR20070097791A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100766448B1 publication Critical patent/KR100766448B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/486Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using ion beam radiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/507Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대형 FPD기판의 표면에 박막증착과 전,후처리 및 식각처리를 하는 설비에 있어서, 대형 FPD기판의 표면에 박막증착과 전,후처리를 하는 설비에 있어서, 대형 FPD기판의 박막증착과 전,후처리 과정이 진행되는 반응챔버 내부에 상기 대형 FPD기판를 고정하며 가열하는 FPD기판 홀더와; 상기 FPD기판의 길이와 동일한 길이를 가지며, FPD기판 폭보다 작은 일정 폭을 가지고 FPD기판표면에 박막이 증착되도록 외부에 설치되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자를 발생시키는 RF 발생장치에서 전송되는 RF를 이용해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과, 반응가스를 분배시키는 분배장치와, 반응가스를 분사하는 분사노즐이 설치된 스캔모듈과; 상기 스캔모듈 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관과; 상기 스캔모듈의 내부로 삽입되는 반응가스 공급관에 매니폴드 내에서 연결되며, 상기 RF발생장치에서 발생된 RF가전송되는 RF 전송선로와; 상기 스캔모듈의 내부에 주입되는 반응가스가 외부로 방출되지 않도록 에어커튼을 형성하는 커튼가스가 주입되는 커튼가스 주입관과; 상기 스캔모듈 외부의 길이방향 양단 하단에 설치되어 반응가스 공급관과 커튼가스 주입관 및 RF 전송선로가 내재되고, 서보모터가 동작되어 회전하는 볼스크류를 통해 스캔모듈이 가로방향 좌,우로 이동되는 매니폴드와; 상기 매니폴드의 중단에 설치되어 반응가스 공급관과, RF 전송선로, 커튼가스 주입관, 볼스크류 및 배기가스 배기구가 내재된 벨로우즈와; 상기 벨로우즈 중심에 설치되어 일측단에 설치된 서 보모터의 회전으로 상기 매니폴드를 통해 스캔모듈을 이동시키는 볼스크류와; 상기 스캔모듈내부위 유동통로와 연결되어 반응가스와 커튼가스가 배출되는 배기가스 배기구와; 상기 매니폴드의 하단에 연결되어 상기 스캔모듈이 좌,우로 이동되도록 슬라이딩 되는 LM 가이드와; 상기 매니폴드 내측에 일정간격 이격된 위치에 설치되어 스캔모듈에서 분사된 미반응가스와 잔류가스가 진공 배기구로 배출되도록 하는 디포지션 실드와; 상기 반응챔버의 하단에 위치하여 미반응가스와 잔류가스가 배출되는 진공 배기구;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비에 관한 것이다.
박막증착, 플라즈마, FPD기판, 스캔모듈, 반응챔버,RF, UV

Description

FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비{Thin Film Deposition And Treatment Equipment For Flot Panel Display Device Manufacturing}
도 1은 종래의 플라즈마 CVD 장치,
도 2는 본발명의 CVD 설비 구성도,
도 3은 스캔모듈의 내부 구성도,
도 4는 스캔모듈 내부에 UV램프가 결합된 구성도,
도 5는 스캔모듈의 사시도,
도 6은 반응챔버 내부에 스캔모듈을 이동시키는 장치들이 내재된 평면도,
도 7은 반응챔버 내부의 종단면도,
도 8은 반응챔버 내부의 횡단면도,
도 9는 반응챔버 외부에 스캔모듈을 이동시키는 장치들이 설치된 평면도,
도 10은 반응챔버 외부에 이동장치가 설치된 반응챔버의 종단면도,
도 11은 반응챔버 외부에 이동장치가 설치된 반응챔버의 횡단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : FPD기판 홀더 20 : FPD기판
30 : 스캔모듈 31a : 외부 케이스
31b : 내부 케이스 32a : 플라즈마 전극
32b : 분사노즐 32c : 분배장치
33 : 분사모듈 34a,34b : 자석
35 : 커튼가스 공급관 36a : 반응가스 공급관
36b : RF 전송선로 37 : 절연체
38 : 유동통로 39 : UV램프
40 : RF 발생장치 50 : 진공배기구
55: 배기가스 배기구 60 : 매니폴드
70 : 서보모터 71 : 볼스크류
72 : 벨로우즈 75 : LM 가이드
76 : 디포지션 실드 80 : 외부 자석
81 : 내부 자석 82 : 부상 자석
83 : 절연체 100 : 반응챔버
200 : 종래의 CVD 설비
본 발명은 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대형 FPD기판의 표면에 박막증착과 전,후처리 및 식각 처리를 하는 설비에 있어서, 대형 FPD기판의 표면에 박막증착과 전,후처리를 하는 설비에 있어서, 대형 FPD기판의 박막증착과 전,후처리 과정이 진행되는 반응챔버 내부에 상기 대형 FPD기판를 고정하며 가열하는 FPD기판 홀더와; 상기 FPD기판의 길이와 동일한 길이를 가지며, FPD기판 폭보다 작은 일정 폭을 가지고 FPD기판표면에 박막이 증착되도록 외부에 설치되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자를 발생시키는 RF 발생장치에서 전송되는 RF를 이용해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과, 반응가스를 분배시키는 분배장치와, 반응가스를 분사하는 분사노즐이 설치된 스캔모듈과; 상기 스캔모듈 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관과; 상기 스캔모듈의 내부로 삽입되는 반응가스 공급관에 매니폴드 내에서 연결되며, 상기 RF발생장치에서 발생된 RF가전송되는 RF 전송선로와; 상기 스캔모듈의 내부에 주입되는 반응가스가 외부로 방출되지 않도록 에어커튼을 형성하는 커튼가스가 주입되는 커튼가스 주입관과; 상기 스캔모듈 외부의 길이방향 양단 하단에 설치되어 반응가스 공급관과 커튼가스 주입관 및 RF 전송선로가 내재되고, 서보모터가 동작되어 회전하는 볼스크류를 통해 스캔모듈이 가로방향 좌,우로 이동되는 매니폴드와; 상기 매니폴드의 중단에 설치되어 반응가스 공급관과, RF 전송선로, 커튼가스 주입관, 볼스크류 및 배기가스 배기구가 내재된 벨로우즈와; 상기 벨로우즈 중심에 설치되어 일측단에 설치된 서보모터의 회전으로 상기 매니폴드를 통해 스캔모듈을 이동시키는 볼스크류와; 상기 스캔모듈내부위 유동통로와 연결되어 반응가스와 커튼가스가 배출되는 배기가스 배기구와; 상기 매니폴드의 하단에 연결되어 상기 스캔모듈이 좌,우로 이동되도록 슬라이딩 되는 LM 가이드와; 상기 매니폴드 내측에 일정간격 이격된 위치에 설치되어 스캔모듈에서 분사된 미반응가스와 잔류가스가 진공 배기구로 배출되도록 하는 디포지션 실드와; 상기 반응챔버의 하단에 위치하여 미반응가스와 잔류가스가 배출되는 진공 배기구;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비에 관한 것이다.
일반적으로 평판디스플레이(FPD)기판에 박막을 증착하는 단계에서 사용되는 박막 증착 및 전,후처리 시스템에서는 평판디스플레이(FPD)기판을 가열한뒤 반응챔버로 이동하여 반응챔버 내에서 박막을 평판디스플레이(FPD)기판 표면에 증착시킨뒤 잔류하는 가스와 플라즈마등을 제거하게된다.
그러나, 이러한 박막 증착 및 전,후처리 시스템은 평판디스플레이(FPD)기판의 크기가 커질수록 반응개스를 분배하는 분배장치 와 플라즈마 전극의 크기 또한 커지게 되는데 이로인해 대형 분배장치 와 플라즈마 전극제조에 어려움이 발생하며, 그에 따른 비용이 증가하게 된다. 특히 대형 분배장치 제조에 있어서, 균일한 가스 분배를 위한 설계 난이도 와 가공 난이도가 증가 하고, 변형에 대한 평탄도 확보가 어려우며, 무게 증가로 인하여 반응챔버 내부에 설치가 용이하지 않을 뿐만 아니라, 주기적인 부품 세정 과 교체가 필요하므로 설비의 유지 보수에 많은 비용과 시간을 소모하게 된다.
또한 플라즈마 전극에 있어서, 크기가 커짐에 따라 고용량의 RF 발생장치가 필요하며, 균일한 플라즈마 밀도를 유지하기가 어려움으로써 균일한 박막 증착이 용이하지 않게 된다
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, FPD기판의 길이와 동일한 길이를 가지며, FPD기판 폭보다 작은 일정 폭을 가지고 FPD기판 표면에 박 막이 증착되도록 외부에 설치되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자를 발생시키는 RF 발생장치에서 전송되는 RF를 이용해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과, 반응가스를 분배시키는 분배장치와, 반응가스를 분사하는 분사노즐이 설치된 스캔모듈을 이동시켜 FPD기판 표면에 박막을 증착시키며, 반응가스 분사노즐이 내부에 일부분 형성되고 Ion Beam Gun과 UV램프, 캐소오드 및 플라즈마 소스가 선택적으로 설치되어 박막증착과 전후처리 및 식각처리를 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비를 제공하는데 있다.
또한, 상기 스캔모듈을 이동시키는 볼스크류와 상기 볼스크류를 회전시키는 모터와, 반응가스 공급관과 RF 전송선로, 커튼가스 공급관 및 볼스크류가 내재되어진 벨로우즈를 통해 스캔모듈을 이동시키는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비를 제공하는데 있다.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위하여 아래와 같은 특징을 갖는다.
대형 FPD기판의 표면에 박막증착과 전,후처리를 하는 설비에 있어서, 대형 FPD기판의 박막증착과 전,후처리 과정이 진행되는 반응챔버 내부에 상기 대형 FPD기판를 고정하며 가열하는 FPD기판 홀더와; 상기 FPD기판의 길이와 동일한 길이를 가지며, FPD기판 폭보다 작은 일정 폭을 가지고 FPD기판표면에 박막이 증착되도록 외부에 설치되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자를 발생시키는 RF 발생장치에서 전송되는 RF를 이용해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과, 반응가스를 분배시키는 분배장치와, 반응가스를 분사하는 분사노즐이 설치된 스캔모듈과; 상기 스캔 모듈 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관과; 상기 스캔모듈의 내부로 삽입되는 반응가스 공급관에 매니폴드 내에서 연결되며, 상기 RF발생장치에서 발생된 RF가전송되는 RF 전송선로와; 상기 스캔모듈의 내부에 주입되는 반응가스가 외부로 방출되지 않도록 에어커튼을 형성하는 커튼가스가 주입되는 커튼가스 주입관과; 상기 스캔모듈 외부의 길이방향 양단 하단에 설치되어 반응가스 공급관과 커튼가스 주입관 및 RF 전송선로가 내재되고, 서보모터가 동작되어 회전하는 볼스크류를 통해 스캔모듈이 가로방향 좌,우로 이동되는 매니폴드와; 상기 매니폴드의 중단에 설치되어 반응가스 공급관과, RF 전송선로, 커튼가스 주입관, 볼스크류 및 배기가스 배기구가 내재된 벨로우즈와; 상기 벨로우즈 중심에 설치되어 일측단에 설치된 서보모터의 회전으로 상기 매니폴드를 통해 스캔모듈을 이동시키는 볼스크류와; 상기 스캔모듈내부위 유동통로와 연결되어 반응가스와 커튼가스가 배출되는 배기가스 배기구와; 상기 매니폴드의 하단에 연결되어 상기 스캔모듈이 좌,우로 이동되도록 슬라이딩 되는 LM 가이드와; 상기 매니폴드 내측에 일정간격 이격된 위치에 설치되어 스캔모듈에서 분사된 미반응가스와 잔류가스가 진공 배기구로 배출되도록 하는 디포지션 실드와; 상기 반응챔버의 하단에 위치하여 미반응가스와 잔류가스가 배출되는 진공 배기구;를 포함하여 구성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 종래의 플라즈마 CVD 장치이고, 도 2는 본발명의 CVD 설비 구성도이며, 도 3은 스캔모듈의 내부 구성도이고, 도 4는 스캔모듈 내부에 UV램프가 결합된 구성도이며, 도 5는 스캔모듈의 사시도 이고, 도 6은 반응챔버 내부에 스캔모듈을 이동시키는 장치들이 내재된 평면도이며, 도 7은 반응챔버내부의 종단면도이고, 도 8은 반응챔버 내부의 횡단면도이며, 도 9는 반응챔버 외부에 스캔모듈을 이동시키는 장치들이 설치된 평면도이고, 도 10은 반응챔버 외부에 이동장치가 설치된 반응챔버의 종단면도이며, 도 11은 반응챔버 외부에 이동장치가 설치된 반응챔버의 횡단면도이다.
도면을 참조하면, 도 1에서 처럼 종래의 플라즈마 CVD장치(200)는 FPD기판의 크기에 맞게 그 공정 챔버의 크기는 물론 플라즈마 전극 및 분사모듈의 크기 또한 대형화 된다.
반면에 본 발명의 FPD기판의 박막증착 및 처리 설비는 FPD기판(20)의 길이와 동일한 길이를 가지며, FPD기판(20) 폭보다 작은 일정 폭을 가지고 FPD기판(20)표면에 박막이 증착되도록 외부에 설치되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자를 발생시키는 RF 발생장치(40)에서 전송되는 RF를 이용해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극(32a)과, 반응가스를 분배시키는 분배장치(32c)와, 반응가스를 분사하는 분사노즐(32b)이 설치된 스캔모듈(30)이 가로방향으로 이동되면서 FPD기판(20) 표면에 박막을 증착시킨다. 그리고, 플라즈마 전극(32a)과 반응가스 분사노즐(32b)이 형성되는 스캔모듈(30) 내부에 Ion Beam Gun과 UV램프, 캐소오드 및 플라즈마 소스(39)가 선택적으로 설치되어 박막증착과 전.후처리, 식각처리 및 PR을 제거 하는 등의 처리를 한다.
이러한 스캔모듈(30)을 가로방향 좌,우로 이동시키는 이동장치는 도 6,도7, 도 8, 도 9, 도 10, 도 11에 도시된 바와같이 반응챔버(100) 내부와 반응챔버(100) 외부에 구성되는 두가지 방법이있으며, 내부에 구성된 이동장치는 스캔모듈의 양단 하단에 반응가스 공급관(36a)과 RF가 전송되는 RF 전송선로(36b)와 커튼가스가 공급되는 커튼가스 공급관(35)이 내재되는 매니폴드(60)가 결합되고, 상기 매니폴드(60)에 내재된 RF 전송선로(36b)가 반응가스 공급관(36a)에 연결되어진다.
상기 매니폴드(60)의 중단에 벨로우즈(72)가 결합되며, 상기 벨로우즈(72)에 RF 전송선로(36b)와 반응가스 공급관(36a), 커튼가스 공급관(35), 배출가스 배기관 (55) 및 볼스크류(71)가 내재되고, 상기 볼스크류(71)의 일측단에 서보모터(70)가 연결되어 서보모터(70)가 회전을 하면 연결된 볼스크류(71)가 회전을 하면서 스캔모듈(30)을 이동시키게 된다. 상기 이동장치가 외부에 설치된 경우에는 상기 매니폴드(60)의 중단과 하단사이에 내부 자석(81)이 설치되고, 상기 반응챔버 외부에 볼스크류(71)가 배치되고, 상기 볼스크류(71)와 반응챔버(100) 사이에 볼스크류(71)에 연결되는 외부 자석(80)이 설치되며, 상기 매니폴드(60)에 설치된 내부 자석(81)을 볼스크류(71)에 설치된 외부 자석(80)이 자력으로 이동시키게 된다.
이와 같은 본 발명의 구성을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 5에 표시된 바와같이 대형 FPD기판(20)를 고정하며, 가열하여 반응이 쉽게 일어나도록하는 FPD기판 홀더(10)가 설치되고, 상기 FPD기판 홀더(10)위에 FPD기판(20)가 고정되며, 상기 FPD기판(20)의 표면에 박막증착 및 처리를 하는 설비인 스캔모듈(30)이 가로방향으로 이동되고, 상기 스캔모듈(30)의 양단의 하단에 반응가스 공급관(36a)과 커튼가스 공급관(35), 배출가스 배기관(55) 및 RF 전송선 로(36b)가 내재되는 매니폴드(60)가 결합된다.
이러한, 구성으로 이루어진 본 발명은 도 3과 4에 도시된 바와같이 플라즈마 발생과 반응가스를 분사하는 설비가 구성된다. 이것을 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 스캔모듈(30)은 외곽층이 금속재질로 이루어진 외부 케이스(31a)가 위치하고, 상기 외부 케이스(31a)와 일정간격 이격된 내부에 외부 케이스(31a)와 동일한 재질의 내부 케이스(31b)가 설치되며, 상기 내부 케이스(31b)의 내측에 일정간격 이격되어 반응가스 분사노즐(32b)과 반응가스를 분배하는 분배장치(32c)와 플라즈마 전극(32a)이 결합되어 구성된 분사모듈(33)이 설치되고, 상기 분사모듈(33)의 상측과 양측을 감싸는 절연체(37)가 부착되며, 상기 분사모듈(33)에 RF와 반응가스 및 커튼가스를 공급하는 공급관(35,36a,36b)과 배출가스 배기구(55)가 연결되고, 상기 분사모듈(33)의 외곽에 일정간격 이격되어 형성된 내부 케이스(31b)와의 절연을 위한 절연체(37)가 부착되며, 상기 외부 케이스(31a)의 양측면 하단과 분사모듈(33)의 중앙 하단에 자석(34a)이 설치되어 자력으로 외부 케이스(31a)와 분사모듈(33)이 상,하로 각각 이동되고, 분사모듈(33)과 내부 케이스(31b) 그리고, 내부 케이스(31b)와 외부 케이스(31a) 간에 형성된 유동통로(38)를 통해 커튼가스 공급관(35)에서 공급되는 커튼가스가 유동되어지며, 유동되어진 커튼가스와 배출가스가 배출가스 배기구(55)를 통해 배출되어진다.
즉, 스캔모듈(30)의 외곽층이 금속재질로 이루어진 외부 케이스(31a)가 위치하고, 그 내부로 일정간격 이격되어 외부 케이스(31a)와 동일한 재질의 금속으로 이루어진 내부 케이스(31b)가 구비되어지며, 외부 케이스(31a)와 내부 케이스(31b) 간에 커튼가스가 유동되어지는 유동통로(38)가 형성되고, 상기 내부 케이스(31b) 내측으로 일정간격 이격되어 반응가스를 분배하여 다수개의 분사노즐(32b)로 분사 되도록 하는 반응가스 분배장치(32c)와, RF 발생장치(40)에서 발생된 RF로 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극(32a)과, 반응가스 분사노즐(32b)이 결합되어진 분사모듈(33)이 위치하게 되며, 상기 분사모듈(33)의 상단과 양측에 내부 케이스(31b)와의 절연을 위한 절연체(37)가 부착되고, 상기 내부 케이스(31b)와 분사모듈(33) 간에 형성된 유동통로(38)에 커튼가스 공급관(35)에서 공급되는 커튼가스가 유동되어지며, 상기 커튼가스는 외부 케이스(31a)와 내부 케이스(31b) 간에 형성된 유동통로(38)로 유동되어진다.
그리고, 외부 케이스(31a)의 양측면의 하단부위에 설치된 자석(34b)과 분사모듈(33) 중앙에 설치된 자석(34a)으로 분사모듈(33)과 외부 케이스(31a) 각각 높이 조절을 할 수 있다.
여기서, 상기 분사모듈(33)에 Ion Beam Gun(39)과 UV램프(39), 캐소오드(39) 및 플라즈마 소스(39)를 선택적으로 설치하여 박막증착과 전.후처리 및 식각처리를 하는데 응용되어 진다.
그 실시예로는 분사모듈(33)의 플라즈마 전극을 설치하지 않고, 증착하고자 하는 타켓 재료가 부착된 캐소오드를 장착한 스퍼터링 설비로서 박막증착을 할 수 있으며, 안테나 형태 또는 다수의 홀이 있는 판 형태의 플라즈마 소스를 장착하여 플라즈마 식각 설비로서 FPD기판의 박막을 식각하게 된다.
그리고, RF 발생장치(40) 대신에 UV 전원공급장치를 설치하고, UV Assisted CVD 설비로서 반응가스 분사모듈(33)에 UV램프(39)가 설치되어 FPD기판에 박막을 증착 하며, 산소, 오존, 암모니아 등의 처리용 가스를 주입하여 UV처리설비로서 박막증착 전,후 처리 및 PR을 제거 할 수 있는 설비로서 사용된다.
또한, 상기 RF 발생장치(40) 대신에 Ion Beam 전원공급기를 설치하여 Ion Beam Assisted 증착 및 처리 설비로서 분사모듈(33)에 Ion Beam Gun이 설치되어 박막증착 및 박막증착 전,후 처리 설비로서 사용된다.
그 외에 상기 반응챔버(100)의 하단에 미반응가스와 잔류 가스를 배출하는 진공 배기구(50)가 설치된다.
상기 스캔모듈(30)을 이동시키는 이동장치가 표시된 도 6, 도 7, 도 8을 자세히 설명하면, 상기 스캔모듈(30) 양단의 하단에 커튼가스 공급관(35)과 RF를 전송하는 RF 전송선로(36b)가 연결되어진 반응가스 공급관(36a)이 내재된 매니폴드(60)가 결합되고, 상기 매니폴드(60)의 하단과 반응챔버(100)의 하단면 간에 LM 가이드(75)가 설치되어 상기 스캔모듈(30)의 이동이 원활하도록 유도하며, 상기 매니폴드(60)의 중단에 벨로우즈(72)가 설치되어 외부에서 공급되는 반응가스와 RF 및 커튼가스를 공급하는 각각의 공급관(35,36a,36b)과 배출가스 배기구(55)가 내재되어 상기 매니폴드(60) 내부에 삽입되고, 상기 벨로우즈(72)의 중심에 볼스크류(71)가 내재되어 볼스크류(71)의 일측단에 설치되는 서보모터(70)의 정방향 또는 역방향 회전으로 상기 스캔모듈(30)을 이동시키며, 상기 매니폴드(60)의 내측에 일정 이격되어 반응가스와 커튼가스가 진공 배기구(50)로 배출되도록 하는 디포지션 실드(76)가 길이방향의 판형태로 형성되어 스캔모듈(30)의 하단에 설치된다.
그리고, 상기 이동장치는 외부에 설치하여 스캔모듈을 이동시키는 방법이 있는데 그에 따른 도면은 도 9, 도 10, 도 11에서 표시되어 있다.
상기 스캔모듈(30) 양단의 하단에 커튼가스 공급관(35)과 RF를 전송하는 RF 전송선로(36b)가 연결된 반응가스 공급관(36a)이 내재되는 매니폴드(60)가 결합되고, 상기 매니폴드(60)의 하단과 반응챔버(100)의 하단면 간에 부상 자석(82)이 매니폴드의 하단을 감싸도록 설치되어 매니폴드(60) 하단의 양측면과 하측면에 일정 이격되도록 매니폴드(60)를 부상시키며, 매니폴드(60)의 중단에는 벨로우즈(72)가 설치되어 반응가스 공급관(36a)과 RF 전송선로(36b) 및 커튼가스 공급관(35)이 내재되고, 상기 벨로우즈(72) 내부에 내재된 반응가스 공급관(36a)과 RF 전송선로(36b), 배출가스 배기구(55) 및 커튼가스 공급관(35)이 매니폴드(60)로 삽입되어지고, 상기 매니폴드(60) 내부에서 RF 전송선로(36b)가 반응가스 공급관(36a)에 연결되어 진다.
그리고, 상기 매니폴드(60)의 중단과 하단사이에 내부 자석(81)이 반응챔버(100)에 근접하도록 설치되며, 상기 내부 자석(81)과 대칭되도록 반응챔버(100)의 외부에 설치되어진 볼스크류(71)에 외부 자석(80)이 설치되고, 상기 볼스크류(71)의 일측단에 연결된 서보모터(70)의 정회전 또는 역회전으로 볼스크류(71)가 회전할시 볼스크류(71)에 설치된 외부 자석(80)이 이동되면 매니폴드(60)에 설치된 내부 자석(81)과 볼스크류(71)에 설치된 외부 자석(80)이 서로간의 인력으로 인해 이동 되어지며, 상기 내부 자석(81)과 외부 자석(80) 간의 공청챔버(100) 양측면에 볼스크류(71)의 길이방향으로 절연체(83)가 부착되고, 상기 매니폴드(60)의 내측에 설치되어 반응가스와 커튼가스가 진공 배기구(50)로 배출되도록 하는 디포지션 실드(76)가 길이방향의 판형태로 형성되어 스캔모듈(30)의 하단에 설치된다.
상기에서 기술된 바와 같이 본 발명은 FPD기판의 길이와 동일한 길이를 가지며, FPD기판 폭보다 작은 일정 폭을 가지고 FPD기판 표면에 박막이 증착되도록 외부에 설치되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자를 발생시키는 RF 발생장치에서 전송되는 RF를 이용해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과, 반응가스를 분배시키는 분배장치와, 반응가스를 분사하는 분사노즐이 설치된 스캔모듈을 이동시켜 FPD기판 표면에 박막을 증착시키며, 반응가스 분사노즐이 내부에 일부분 형성되고 Ion Beam Gun과 UV램프, 캐소오드 및 플라즈마 소스가 선택적으로 설치되어 박막증착과 전.후처리 및 식각처리를 한다.
또한, 상기 스캔모듈을 이동시키는 볼스크류와 상기 볼스크류를 회전시키는 모터와, 반응가스 공급관과 RF 전송선로, 커튼가스 공급관 및 볼스크류가 내재 되어진 벨로우즈를 통해 스캔모듈을 이동시킨다.

Claims (5)

  1. 대형 FPD기판의 표면에 박막증착과 전,후처리를 하는 설비에 있어서,
    대형 FPD기판(20)의 박막증착과 전,후처리 과정이 진행되는 반응챔버(100) 내부에 상기 대형 FPD기판(20)를 고정하며 가열하는 FPD기판 홀더(10)와;
    상기 FPD기판(20)의 길이와 동일한 길이를 가지며, FPD기판(20) 폭보다 작은 일정 폭을 가지고 FPD기판(20)표면에 박막이 증착되도록 외부에 설치되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자를 발생시키는 RF 발생장치(40)에서 전송되는 RF를 이용해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극(32a)과, 반응가스를 분배시키는 분배장치(32c)와, 반응가스를 분사하는 분사노즐(32b)이 설치된 스캔모듈(30)과;
    상기 스캔모듈(30) 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급관(36a)과;
    상기 스캔모듈(30)의 내부로 삽입되는 반응가스 공급관(36a)에 매니폴드(60) 내에서 연결되며, 상기 RF발생장치(40)에서 발생된 RF가전송되는 RF 전송선로(36b)와;
    상기 스캔모듈(30)의 내부에 주입되는 반응가스가 외부로 방출되지 않도록 에어커튼을 형성하는 커튼가스가 주입되는 커튼가스 주입관(35)과;
    상기 스캔모듈(30) 외부의 길이방향 양단 하단에 설치되어 반응가스 공급관(36a)과 커튼가스 주입관(35) 및 RF 전송선로(36b)가 내재되고, 서보모터(70)가 동작되어 회전하는 볼스크류(71)를 통해 스캔모듈(30)이 가로방향 좌,우로 이동되는 매니폴드(60)와;
    상기 매니폴드(60)의 중단에 설치되어 반응가스 공급관(36a)과, RF 전송선로(36b), 커튼가스 주입관(35), 볼스크류(71) 및 배기가스 배기구가 내재된 벨로우즈(72)와;
    상기 벨로우즈(72) 중심에 설치되어 일측단에 설치된 서보모터(70)의 회전으로 상기 매니폴드(60)를 통해 스캔모듈(30)을 이동시키는 볼스크류(71)와;
    상기 스캔모듈 내부의 유동통로와 연결되어 반응가스와 커튼가스가 배출되는 배기가스 배기구(55)와;
    상기 매니폴드(60)의 하단에 연결되어 상기 스캔모듈(30)이 좌,우로 이동되도록 슬라이딩 되는 LM 가이드(75)와;
    상기 매니폴드(60) 내측에 일정간격 이격된 위치에 설치되어 스캔모듈(30)에서 분사된 미반응가스와 잔류가스가 진공 배기구(50)로 배출되도록 하는 디포지션 실드(76)와;
    상기 반응챔버(100)의 하단에 위치하여 미반응가스와 잔류가스가 배출되는 진공 배기구(50);
    를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스캔모듈(30)은 외곽층이 금속재질로 이루어진 외부 케이스(31a)가 위치하고, 상기 외부 케이스(31a)와 일정간격 이격된 내부에 외부 케이스(31a)와 동 일한 재질의 내부 케이스(31b)가 설치되며, 상기 내부 케이스(31b)의 내측에 일정간격 이격되어 반응가스 분사노즐(32b)과 반응가스를 분배하는 분배장치(32c)와 플라즈마 전극(32a)이 결합되어 구성된 분사모듈(33)이 설치되고, 상기 분사모듈(33)의 상측과 양측을 감싸는 절연체(37)가 부착되며, 상기 분사모듈(33)에 RF와 반응가스 및 커튼가스를 공급하는 공급관(35,36a,36b)이 연결되고, 상기 분사모듈(33)의 외곽에 일정간격 이격되어 형성된 내부 케이스(31b)와의 절연을 위한 절연체(37)가 부착되며, 상기 외부 케이스(31a)의 양측면 하단과 분사모듈(33)의 중앙 하단에 자석(34a,34b)이 설치되어 자력으로 외부 케이스(31a)와 분사모듈(33)이 상,하로 각각 이동되고, 분사모듈(33)과 내부 케이스(31b) 및 내부 케이스(31b)와 외부 케이스(31a) 간에 형성된 공간을 통해 커튼가스 공급관(35)에서 공급되는 커튼가스가 유동되는 것을 특징으로 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 스캔모듈(30)의 내부에 설치된 분사모듈(33)에는 Ion Beam Gun과 UV램프 및 캐소오드가 선택적으로 설치된 것을 특징으로 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 스캔모듈(30)의 내부에 설치된 분사모듈(33)에는 플라즈마 소스가 설치된 것을 특징으로 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 매니폴드(60)의 중단에 반응가스 공급관(36a)과, RF 전송선로(36b), 커튼가스 주입관(35)이 내재된 벨로우즈(72)가 설치되고, 상기 매니폴드(60)의 하단에는 자력으로 매니폴드(60)를 부상시키는 부상 자석(82)이 매니폴드(60) 하측면과 하단의 양측면에 일정간격 이격되어 설치되며, 상기 매니폴드(60)의 중단과 하단 간에는 반응챔버(100)의 외벽측에 근접하도록 내부 자석(81)이 설치되고, 상기 반응챔버(100) 외벽의 외부측에 서보모터(70)의 구동으로 회전하는 볼스크류(71)가 설치되며, 상기 매니폴드(60)에 설치된 내부 자석(81)과 대칭되도록 반응챔버(100)의 외벽과 볼스크류(71) 간에 외부 자석(80)이 설치되며, 상기 매니폴드(60)에 설치된 내부 자석(81)과 볼스크류(71)에 설치된 외부 자석(80)사이에 절연체(83)가 볼스크류(71)의 길이방향으로 반응챔버(100) 양측면에 부착된 것을 특징으로 하는 FPD소자 제조용 박막증착 및 처리 설비.
KR1020060028504A 2006-03-29 2006-03-29 Fpd소자 제조용 박막증착 및 처리 설비 KR100766448B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060028504A KR100766448B1 (ko) 2006-03-29 2006-03-29 Fpd소자 제조용 박막증착 및 처리 설비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060028504A KR100766448B1 (ko) 2006-03-29 2006-03-29 Fpd소자 제조용 박막증착 및 처리 설비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070097791A true KR20070097791A (ko) 2007-10-05
KR100766448B1 KR100766448B1 (ko) 2007-10-12

Family

ID=38803927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060028504A KR100766448B1 (ko) 2006-03-29 2006-03-29 Fpd소자 제조용 박막증착 및 처리 설비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100766448B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015037858A1 (ko) * 2013-09-16 2015-03-19 코닉이앤씨 주식회사 스캔형 반응기를 가지는 원자층 증착 장치 및 방법
KR20150140357A (ko) * 2013-06-14 2015-12-15 비코 에이엘디 인코포레이티드 스캐닝 반응기를 이용한 대형 기판상 원자 층 증착의 수행
KR102634922B1 (ko) * 2023-02-15 2024-02-08 주식회사 태성 기판의 산화방지장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW484170B (en) * 1999-11-30 2002-04-21 Applied Materials Inc Integrated modular processing platform

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150140357A (ko) * 2013-06-14 2015-12-15 비코 에이엘디 인코포레이티드 스캐닝 반응기를 이용한 대형 기판상 원자 층 증착의 수행
WO2015037858A1 (ko) * 2013-09-16 2015-03-19 코닉이앤씨 주식회사 스캔형 반응기를 가지는 원자층 증착 장치 및 방법
KR20150031613A (ko) * 2013-09-16 2015-03-25 코닉이앤씨 주식회사 스캔형 반응기를 가지는 원자층 증착 장치 및 방법
KR102634922B1 (ko) * 2023-02-15 2024-02-08 주식회사 태성 기판의 산화방지장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100766448B1 (ko) 2007-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101451244B1 (ko) 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
CN106995911B (zh) 蒸发源、沉积设备以及用于蒸发有机材料的方法
US20150348755A1 (en) Gas distribution apparatus and substrate processing apparatus including same
US20080295772A1 (en) Chemical vapor deposition apparatus and plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
KR20140068116A (ko) 선형­타입 대형­면적 플라즈마 반응기 내의 균일한 프로세스를 위한 가스 전달 및 분배
KR101420709B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US20160005575A1 (en) Plasma source
KR20120056862A (ko) 플라즈마 cvd 장치
CN102421938B (zh) 表面波等离子体cvd设备以及成膜方法
JP5377749B2 (ja) プラズマ生成装置
KR101123829B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20160134908A (ko) 기판 처리 장치
KR100766448B1 (ko) Fpd소자 제조용 박막증착 및 처리 설비
KR20130142972A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101430658B1 (ko) 원자층 증착장치
KR101614032B1 (ko) 가스 분배 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101351399B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101413981B1 (ko) 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 박막증착장치
KR101081736B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR20090106178A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101613798B1 (ko) 증착장비용 샤워헤드
KR100847786B1 (ko) 플라즈마 처리장치
WO2007035050A1 (en) Sputtering deposition device
KR101801794B1 (ko) 스퍼터링 장치
CN112962087B (zh) 一种内置式平板型共轭离子源及真空镀膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120928

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130829

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141103

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee