KR20070097716A - Apparatus for collection carbon nano tube - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 탄소 나노 튜브 합성장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a configuration diagram for explaining the carbon nanotube synthesis apparatus according to the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 배기부의 구성도이다.FIG. 2 is a configuration diagram of the exhaust unit shown in FIG. 1.
도 3는 도 1의 촉매도포부의 구성도이다. 3 is a configuration diagram of the catalyst coating unit of FIG. 1.
도 4은 도 3에 표시된 A-A′ 선을 따라 절단된 평면도이다. FIG. 4 is a plan view taken along the line AA ′ of FIG. 3.
도 5a 내지 도 5c는 촉매 도포부에서의 촉매 도포 과정을 단계적으로 설명하기 위한 도면들이다. 5A to 5C are diagrams for explaining a catalyst application process step by step in the catalyst coating unit.
도 6는 도 1의 기판 보관부와 제 1이송장치를 보여주는 평면도이다. 6 is a plan view illustrating the substrate storage unit and the first transfer device of FIG. 1.
도 7은 기판 보관부의 측면도이다. 7 is a side view of the substrate storage portion.
도 8은 기판 보관부의 카세트를 보여주는 사시도이다. 8 is a perspective view showing a cassette of the substrate storage portion;
도 9은 제 1이송장치의 사시도이다. 9 is a perspective view of the first transfer device.
도 10는 도 1의 회수부의 사시도이다. 10 is a perspective view of a recovery part of FIG. 1.
도 11은 도 9의 회수부의 평면도이다. 11 is a plan view of the recovery part of FIG. 9;
도 12은 회수부에서의 탄소 나노 튜브 회수 과정을 설명하기 위한 도면이다.12 is a view for explaining a carbon nanotube recovery process in the recovery unit.
도 13는 탄소 나노 튜브 생성을 위한 시스템에서의 공정 순서도이다. 13 is a process flow diagram in a system for carbon nanotube production.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* * Explanation of symbols for the main parts of the drawings *
100 : 반응 챔버100: reaction chamber
200 : 스테이션부200: station
300 : 제 1이송장치300: first transfer device
400 : 기판 보관부400: substrate storage
500 : 촉매 도포부500: catalyst coating unit
600 : 회수부600: recovery unit
700 : 제 2이송장치700: second transfer device
본 발명은 탄소나노튜브 합성장치에 관한 것이다.The present invention relates to a carbon nanotube synthesis apparatus.
탄소 나노 튜브(Carbon Nano tubes)는 하나의 탄소 원자에 이웃하는 세 개의 탄소 원자가 결합되어 육각 환형을 이루고, 이러한 육각 환형이 벌집 형태로 반복된 평면이 말려 원통형 또는 튜브를 이룬 형태를 가진다. Carbon nanotubes (carbon nanotubes) is formed by combining three carbon atoms adjacent to one carbon atom to form a hexagonal ring, and the hexagonal ring is a honeycomb-shaped plane is rolled to form a cylindrical or tube.
탄소 나노 튜브는 그 구조에 따라 금속적인 도전성 또는 반도체적인 도전성을 나타낼 수 있는 성질의 재료로서 여러 기술 분야에 폭넓게 응용될 수 있어 미래의 신소재로 각광을 받고 있다. 예컨대, 탄소 나노 튜브는 이차 전지, 연료 전지 또는 수퍼 커패시터와 같은 전기 화학적 저장 장치의 전극, 전자파 차폐, 전계 방 출 디스플레이, 또는 가스 센서 등에 적용가능하다.Carbon nanotubes are a material that can exhibit metallic conductivity or semiconducting conductivity depending on their structure, and thus can be widely applied in various technical fields. For example, carbon nanotubes are applicable to electrodes of electrochemical storage devices such as secondary cells, fuel cells or supercapacitors, electromagnetic shielding, field emission displays, or gas sensors.
이러한 탄소 나노 튜브는 대부분 수작업에 의존한 소량 생산으로 이루어진다. 특히, 합성기판에 촉매를 도포하는 작업이나, 합성기판을 반응관에 로딩/언로딩하는 작업, 탄소 나노 튜브가 합성된 합성기판을 반응관에서 언로딩하여 합성기판으로부터 탄소 나노 튜브를 회수하는 과정 등이 작업자에 의해 진행되기 때문에 연속공정 및 대량 생산이 어렵다.Most of these carbon nanotubes consist of small quantities of hand-dependent production. In particular, a process of applying a catalyst to a synthetic substrate, loading / unloading a synthetic substrate into a reaction tube, and recovering carbon nanotubes from the synthetic substrate by unloading the synthetic substrate on which the carbon nanotubes are synthesized in the reaction tube It is difficult to carry out continuous process and mass production because the back is made by worker.
그리고, 탄노나노튜브 합성 공정에서는 수소를 포함하는 소스가스(유해/폭발성 가스)들이 많이 사용되기 때문에 반응로 내부의 가스 제거가 요구된다. 만약, 탄소나노튜브 합성 공정을 마친 후 반응관 내부에 가스가 배기되지 않고 남아 있는 경우, 반응관 내부에 잔류하고 있는 가스 성분 중 유해가스가 공기 중에 노출되면서 유해가스가 산소와 반응하여 폭발할 수 있다. 특히, 소스가스는 공정시 고온으로 가열되므로 고온의 소스가스를 안전하게 배기할 수 있는 수단이 요구된다.In addition, since many source gases (harmful / explosive gases) containing hydrogen are used in the tanno-nanotube synthesis process, gas removal in the reactor is required. If the gas remains inside the reaction tube after the carbon nanotube synthesis process is completed, the harmful gas may be exploded by reacting with oxygen while the harmful gas among the gas components remaining inside the reaction tube is exposed to the air. have. In particular, since the source gas is heated to a high temperature during the process, a means for safely evacuating the hot source gas is required.
본 발명은 탄소 나노 튜브를 생산하는 반응로 내 가스를 안전하게 배기할 수 있는 탄소나노튜브 합성장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a carbon nanotube synthesis apparatus that can safely exhaust the gas in the reactor for producing carbon nanotubes.
특히, 본 발명의 목적은 공정시 고온의 가스 배기를 설비의 손상 없이 안전하게 수행할 수 있는 탄소나노튜브 합성장치를 제공함에 있다.In particular, it is an object of the present invention to provide a carbon nanotube synthesis apparatus that can safely perform high-temperature gas exhaust during the process without damaging the equipment.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탄소나노튜브 합성장치는 탄소나노튜브의 생성공간을 제공하는 반응로, 상기 반응로의 생성공간으로 가스를 공급 하는 가스 공급부, 그리고 상기 반응로 내 가스를 냉각시켜 배기하는 배기부를 포함한다.Carbon nanotube synthesizing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a reactor for providing a space for the production of carbon nanotubes, a gas supply unit for supplying gas to the production space of the reactor, and the gas in the reactor It includes the exhaust part which cools and exhausts.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기부는 상기 반응로와 연결되는, 그리고 상기 반응로 내 가스를 외부로 배기하는 배기 라인 및 상기 배기 라인 상에 설치되며, 상기 배기 라인을 통해 배기되는 가스를 냉각하는 냉각 부재를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the exhaust unit is connected to the reactor and is installed on the exhaust line and the exhaust line for exhausting the gas in the reactor to the outside, and cools the gas exhausted through the exhaust line It includes a cooling member.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 하우징은 상기 통로 외부에서 상기 통로를 감싸는, 그리고 내부에 냉각유체가 순환되는 공간을 갖으며, 상기 냉각유체 순환라인은 상기 공간에 냉각 유체를 공급한다.According to an embodiment of the present invention, the housing has a space surrounding the passage outside the passage and in which the cooling fluid is circulated, wherein the cooling fluid circulation line supplies the cooling fluid to the space.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각 유체는 초순수 및 냉각가스 중 적어도 어느 하나일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cooling fluid may be at least one of ultrapure water and cooling gas.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 탄소나노튜브 합성장치를 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것은 아니다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a carbon nanotube synthesis apparatus according to an embodiment of the present invention. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures is exaggerated to emphasize clear explanation.
(실시예)(Example)
본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 13을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 자동화 및 대량 생산이 가능한 탄소 나노 튜브 생산 시스 템(1)을 제공한다. 도 1은 본 발명의 탄소 나노 튜브 생산 시스템의 일 예를 개략적으로 보여주는 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 배기부(150, 184)의 구성도이다. An embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 13. The present invention provides a carbon nanotube production system (1) capable of automated and mass production. 1 is a configuration diagram schematically showing an example of the carbon nanotube production system of the present invention, Figure 2 is a configuration diagram of the
도 1을 참조하면, 시스템(1)은 합성기판(10), 반응 챔버(100), 그리고 전후처리실을 갖는다. 합성기판(10)은 탄소 나노 튜브(도 7의 30)의 합성이 이루어지는 기저판(base plate)으로서 사용된다. 탄소 나노 튜브(30)가 합성되는 합성기판(10)으로는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), ITO(Induim Tin Oxide) 기판, 코팅된 유리(ITO-coated glass), 소다라임 유리, 코닝 유리, 알루미나 등이 사용될 수 있다. 그러나 탄소 나노 튜브(30)를 합성(성장,생성)시키기에 충분한 강성을 가진다면 합성 기판은 상술한 종류의 기판 외에 다양한 종류가 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, the
반응 챔버(100)는 합성 기판(10) 상에 탄소 나노 튜브(30)를 생성하는 공정을 수행하고, 전후처리실은 반응 챔버(100)로/로부터 로딩/언로딩되는 합성기판(10)에 대한 전처리 공정 및 후처리 공정을 수행한다. 전처리 공정 및 후처리 공정은 기판에 촉매(20)를 도포하는 공정, 또는 합성 기판 상에 생성된 탄소 나노 튜브(30)를 회수하는 공정 등을 포함한다. 전후처리실은 스테이션부(200), 제 1이송장치(300), 기판 보관부(400), 촉매 도포부(500), 회수부(600), 그리고 제 2이송장치(700)를 가진다. The
스테이션부(200)는 반응 챔버(100)로부터 언로딩되는 합성기판(10)이 대기 중에 노출되는 것을 방지한다. 제 1이송장치(300)는 반응 챔버(100)로/로부터 합성기판을 로딩/언로딩한다. 기판 보관부(400)는 반응 챔버(100)로/로부터 로딩되거나 언로딩되는 합성기판을 저장한다. 촉매 도포부(500)는 합성기판(10)이 반응 챔버(100)로 로딩되기 전에 합성기판(10) 상에 촉매(20)를 도포하는 공정을 수행한다. 회수부(600)는 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성 기판(10) 상에 생성된 탄소 나노 튜브(30)를 합성 기판(10)으로부터 회수하는 공정을 수행한다. 제 2이송장치(700)는 기판 보관부(400), 촉매 도포부(500), 그리고 회수부(600) 간에 합성기판(10)을 이송한다. The
일 예에 의하면, 스테이션부(200)는 반응 챔버(100)의 일측에 반응 챔버(100)와 나란하게 배치된다. 스테이션부(200)는 제 1영역(240)과 제 2영역(260)을 가진다. 제 1영역(240)은 반응 챔버(100)와 인접하게 배치되며, 제 1영역(240)에는 기판 저장부(400)가 위치된다. 제 2영역(260)은 제 1영역(240)을 기준으로 반응 챔버(100)와 반대 방향에 제공되며 제 1이송장치(300)가 위치된다. 반응 챔버(100)와 제 2영역(260)은 제 1방향(42)으로 동일 선상에 위치되도록 배치된다. 제 1영역(240)은 상부 영역(242)과 하부 영역(244)을 가진다. 상부 영역(242)은 반응 챔버(100) 및 제 2영역(260)과 동일 선상에 위치되는 영역이고, 하부 영역(244)은 상부 영역(244)로부터 제 1방향(42)과 수직한 제 2방향(44)으로 연장되는 영역이다. 제 1영역(240)과 제 2영역(260)은 각각 대체로 직사각의 형상을 가진다. 상술한 구조로 인해, 스테이션부(200)는 전체적으로 대체로 'ㄱ'자 형상을 가진다. 촉매 도포부(500)와 회수부(600), 그리고 제 2이송장치(400)는 스테이션부(200)와 인접하게 위치되며, 제 1영역(240)의 상부 영역(242)을 기준으로 하부 영역(244)과 반대되는 위치에 제 1방향(42)과 평행한 방향으로 나란하게 배치된다. 제 2이송장 치(400)는 스테이션부(200)의 제 1영역(240)과 대향되는 위치에 배치된다. 또한, 제 2이송장치(400)는 촉매 도포부(500)와 회수부(600) 사이에 위치된다.According to an example, the
다음에는 본 발명의 시스템의 각각의 구성요소에 대해 상세히 설명한다.Next, each component of the system of the present invention will be described in detail.
도 1을 참조하면, 반응 챔버(100)는 반응로(reaction tube)(120), 제 1 및 제 2 플랜지(flange)(132, 134), 가열부(heating member)(140), 배기부(exhaust member)(150), 그리고 보트(boat)(160)를 갖는다. 반응로(120)는 석영(quartz) 또는 그라파이트(graphite) 등과 같이 열에 강한 재질로 이루어진다. 반응로(120)는 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 공정 진행 중 반응로(120)는 가열부(140)에 의해 대략 섭씨 500 - 1100도(℃)로 유지될 수 있다. Referring to FIG. 1, the
제 1 플랜지(132)는 반응로(120)의 전단에 배치된다. 제 1 플랜지(132)에는 가스공급부(미도시됨)로부터 공급되는 소스가스를 반응로(120) 내부로 공급시키는 적어도 하나의 가스공급라인(182)이 설치된다. 가스공급라인(182)은 공정시 가스공급원(미도시됨)으로부터 반응로(120) 내부로 소스가스를 공급시킨다. 여기서, 소스가스로는 주로 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 벤젠, 크실렌, 일산화탄소 및 이산화탄소로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. 소스가스는 열분해에 의해 라디칼로 분해되며, 이 라디칼들이 합성기판 위에 도포된 촉매와 반응하여 탄소나노튜브를 합성한다.The
제 2 플랜지(134)는 반응로(120)의 타단에 설치된다. 제 2 플랜지(134)에는 반응 후 반응로(120) 내부의 잔류하는 가스의 배출시키는 배기부(vacuum member)가 설치된다. 배기부에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.The
가열부(140)는 반응로(120) 내부를 공정 온도로 가열한다. 가열부(140)는 반응로(120)의 외벽을 감싸도록 설치되는 것이 바람직하며, 반응로(120)를 가열하는 방식으로는 발열 코일에 의한 방식 또는 발열 램프에 의한 방식 등이 사용될 수 있다.The
배기부는 반응로(120) 내부로 공급되는 소스 가스 및 불활성 가스 등의 가스를 반응로(120) 외부로 배출시킨다. 이를 위해, 배기부는 배기라인(184) 및 냉각부재(150)를 가진다.The exhaust unit discharges gas such as a source gas and an inert gas supplied into the
배기라인(184)은 일 실시예로서, 제 2 플랜지(134)에 설치된다. 배기라인(184)은 공정시 반응로(120) 내 가스를 배출시켜 반응로(120) 내부의 압력을 감압시킬 수 있다. 이를 위해, 배기라인(184)에는 진공 펌프(vacuum pump)와 같은 감압부재가 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 하나의 배기라인(184)이 제 2 플랜지(134)에 설치되어 반응로(120) 내부의 가스를 외부로 배출시키는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 배기라인(184)은 선택적으로 복수개가 제공될 수 있으며, 그 설치위치는 다양한 위치에 설치될 수 있다.The
여기서, 배기라인(184)을 통해 배기되는 반응로(120) 내 가스는 가열부(140)에 의해 가열되어 있다. 따라서, 배기라인(184) 및 배기라인(184)에 설치되는 진공 펌프등의 장치들은 고온의 가스에 의해 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 배기라인(184) 상에는 배출되는 가스를 냉각시키는 냉각부재(150)가 제공된다.Here, the gas in the
도 2를 참조하면, 냉각부재(150)는 하우징(152), 냉각유체 순환라인, 구획벽(158), 그리고 내부 튜브(159)를 가진다. 하우징(152)은 일 실시예로서, 배기 라 인(184) 상에 설치된다. 여기서, 배기 라인(184)은 하우징(152)을 기준으로 하우징(152)의 전단에 위치하는 제 1 라인(184a)과 하우징(152)의 후단에 위치하는 제 2 라인(184b)으로 나뉜다.2, the cooling
하우징(152)은 유입부(152a) 및 유출부(152b)를 가진다. 유입부(152a)는 제 1 라인(184a)과 결합되며, 반응로(120) 내 가스는 유입부(152a)를 통해 하우징(152) 내부로 유입된다. 그리고, 유출부(152b)는 제 2 라인(184b)과 결합되며, 하우징(152) 내부에서 냉각된 가스를 제 2 라인(184b)으로 배출시킨다.The
하우징(152)의 내부에는 유입부(152a)로부터 유출부(152b)로 가스가 이동되는 통로(a)를 가진다. 통로(a)는 하우징(152) 내부에 제공되며, 내부에는 후술할 제 1 순환라인(154)이 설치된다. 또한, 하우징(152)의 내부에는 통로(a)의 외주면을 감싸는 공간(b)을 가진다. 통로(a)와 공간(b)은 구획벽(158)에 의해 구획된다. 공간(b)은 후술할 제 2 순환라인(156)의 공급라인(156a)으로부터 냉각유체를 공급받는다. 공간(b)으로 유입된 냉각유체는 통로(a)를 따라 이동되는 가스를 냉각시킨다. 여기서, 냉각유체는 예컨대, 초순수 및 냉각가스일 수 있다. 그러나, 냉각유체는 하우징(152) 내부를 이동하는 가스의 효율적인 냉각을 위한 것으로, 다양한 유체가 사용될 수 있다.The
냉각유체 순환라인은 제 1 및 제 2 순환라인(154, 156)을 가진다. 제 1 순환라인(154)은 공급라인(154a), 열교환라인(154b), 그리고 회수라인(154c)을 가진다. 공급라인(154a)은 냉각유체 공급원(미도시됨)으로부터 열교환라인(154b)으로 냉각유체를 공급한다. 공급라인(154a)은 열교환라인(154b)의 일단과 연결된다. 공급라 인(154a)과 열교환라인(154b)은 소정의 체결부재(미도시됨)에 의해 체결될 수 있다.The cooling fluid circulation line has first and
열교환라인(154b)은 통로(a) 내부에 배치된다. 열교환라인(154b)은 통로(a)를 따라 이동되는 가스를 직접적으로 냉각하는 부분이다. 열교환라인(154b)의 일단은 공급라인(154a)와 연결되며, 열교환라인(154b)의 타단은 회수라인(154c)과 연결된다. 따라서, 냉각유체는 공급라인(154a)에 의해 열교환라인(154b)의 일단으로 공급되며, 열교환라인(154b)에서 통로(a) 내 가스를 냉각한 후 회수라인(154c)을 통해 회수된다. 이때, 열교환라인(154b)은 공급받은 냉각유체가 통로(a)를 이동하는 가스와 효율적인 열교환이 이루어지도록 한다. 이를 위해, 열교환라인(154b)은 통로(a) 내 가스와 접촉되는 면적을 증가하도록 코일(coil)형상으로 제작되는 것이 바람직하다.The
여기서, 열교환라인(154b)은 고온의 가스와 직접적으로 접촉하면, 고온의 가스에 의해 손상될 수 있다. 따라서, 선택적으로 내부 튜브(159)에 의해 보호될 수 있다. 내부 튜브(159)는 하우징(152) 내부로 연장된 열교환라인(154b)을 감싸도록 제공되어, 고온의 가스에 의해 열교환라인(154b)이 손상되는 것을 방지한다.Here, the
회수라인(154c)은 열교환라인(154b)의 타단과 연결된다. 회수라인(154c)은 열교환라인(154b)에서 열교환이 이루어진 냉각유체를 냉각유체 공급원(미도시됨)으로 회수한다.The
제 2 순환라인(156)은 공급라인(156a) 및 회수라인(156b)을 가진다. 공급라인(156a)은 공간(b)으로 냉각유체를 공급하고, 회수라인(156b)은 공간(b)으로부터 냉각유체 공급원(미도시됨)으로 냉각유체를 회수한다. 따라서, 공간(b)으로 공급된 냉각유체는 통로(a)를 이동하는 가스와 열교환된 후 회수라인(156b)을 통해 하우징(110) 외부로 배출된다.The
본 실시에에서는 회수라인(154c, 156b)은 사용된 냉각유체를 재생가능하도록 냉각유체 공급원으로 회수하는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 회수라인(154c)은 냉각유체를 회수하지 않고 설비 외부로 배수할 수도 있다.In the present embodiment, the
상기와 같은 구성을 가지는 냉각 부재(150)는 통로(a)를 따라 이동되는 가스를 냉각함과 동시에 고온의 가스에 의해 가열되는 하우징(152)을 냉각한다.The cooling
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 배기부는 공정시 반응로(120) 내부로 공급되는 소스 가스 및 불활성 가스의 배기를 효율적으로 수행한다. 특히, 본 발명에 다른 배기부는 반응로(120)로 공급된 후 가열부(140)에 의해 고온으로 가열된 가스들을 효율적으로 냉각시켜 배기함으로써, 고온의 가스 배기에 따른 배기부의 구성들이 손상되는 것을 방지한다.As described above, the exhaust unit according to the present invention efficiently exhausts the source gas and the inert gas supplied into the
보트(160)는 반응로(120) 내에 하나만 제공되거나 복수개가 제공될 수 있다. 보트(160)는 충분히 큰 크기로 제공되어, 하나의 보트(160)에 반응로(120)의 길이방향(상술한 제 1방향(42))을 따라 복수 개의 합성기판(10)이 놓여질 수 있다. 선택적으로 보트(160)는 상하 방향 및 길이 방향으로 각각 복수 개의 합성기판들(10)을 지지할 수 있는 크기 및 구조를 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 보트(160)들은 상하로 2개씩 그리고 길이방향으로 2개씩 합성기판(10)을 지지할 수 있는 크기 및 구조를 가진다. 보트(160)들은 반응로(120) 내에 고정설치될 수 있다.Only one
또한, 보트(160)는 하나의 합성기판(10)을 지지할 수 있는 크기로 제공될 수 있다. 이 경우, 보트(160)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 보트(160)가 복수개 제공되는 경우, 보트(160)들은 반응로(120)의 길이방향(상술한 제 1방향(42))을 따라 복수개가 배치되거나, 선택적으로 제 1방향(42)과 수직한 상하방향으로 적층될 수 있다. In addition, the
본 실시예에서는 탄화수소를 열분해 하여 탄소 나노 튜브(30)를 생산하는 열분해법(pyrolysis of hydrocarbon)이 적용된 구조를 가진 반응 챔버(100)를 예를 들어 설명하였으나, 이는 하나의 예에 불과하며, 본 발명의 시스템(100)은 레이저증착법, 플라즈마 화학 기상 증착법, 열화학 기상증착법, 플레임(flame) 합성방법, 그리고 전기방전법 등의 다양한 생성방식이 적용된 구조를 가진 반응 챔버가 사용될 수 있다. In the present embodiment, a
스테이션부(200)는 외부와 격리된 챔버(200a)을 포함한다. 스테이션부(200)와 반응 챔버(100) 사이에는 이들 간에 합성기판(10)이 이동되는 통로를 개폐하는 제 1게이트 밸브(222)가 설치되고, 스테이션부(200)와 제 2이송장치(700) 사이에는 이들 간에 합성기판(10)이 이동되는 통로를 개폐하는 제 2게이트 밸브(224)가 설치된다. The
스테이션부(200)에는 그 내부로 질소, 아르곤 등과 같은 불활성가스를 공급하는 가스 공급부재(280)가 설치된다. 불활성 가스는 스테이션부(200) 내부에 공기(특히, 산소)를 제거하고 스테이션부(200) 내부를 비활성 가스 분위기를 유지한다. 이는 스테이션부(200) 내에 반응 챔버(100)로부터 합성기판(10)이 언로딩될 때, 합성기판(10) 상에 생성된 고온의 탄소 나노 튜브(30)가 산소와 접촉되는 것을 방지한다. 가스 공급부재(280)는 제 1영역(240)에 제공되는 것이 바람직하다.The
제 1게이트 밸브(222)가 반응 챔버(100)와 인접하여 배치된 경우 반응 챔버(100) 내 복사열에 의해 제 1게이트 밸브(222)가 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위해 반응 챔버(100)의 길이를 충분히 길게 하여 가열부(140)와 제 1게이트 밸브(222)가 거리가 충분히 유지되도록 할 수 있다. 그러나 이 경우 반응 챔버(100)의 길이 증가로 인해 시스템(1)이 대형화된다. When the
본 실시예에 의하면, 시스템(1)의 대형화를 방지함과 동시에 제 1게이트 밸브(222)가 복사열에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 제 1게이트 밸브(222)와 반응 챔버(100) 사이에 열 차단부재(190)가 설치된다. 열 차단부재(190)로는 반응 챔버(100)로부터 제 1게이트 밸브(222)로 전해지는 복사열을 차단하기 위한 알루미나와 같이 열전도율이 낮은 재질의 차단판이 사용될 수 있다. 예컨대, 일반 금속 재질로 차단판을 사용할 경우 금속 차단판의 열변형 및 차단 효율을 높이기 위해 냉각수를 공급할 수 있다. According to the present embodiment, the heat between the
차단부재(190)는 제 1게이트 밸브(222)가 닫혀 있는 동안에는 제 1게이트 밸브(222)의 전방에 위치되고, 제 1게이트 밸브(222)가 개방된 때에는 합성기판(10)의 이동경로를 방해하지 않는 위치로 이동된다. The blocking
합성기판(10)은 반응 챔버(160)로 로딩되기 전에, 촉매 도포부(500)에서 반응 챔버(160) 상면에 촉매(20)(금속막)가 도포된다. 도 3은 도 1에 도시된 촉매 도포부(500)의 구성도이고, 도 4는 도 2의 선 A-A′를 따라 절단후 상부에서 바라본 촉매 도포부(500)의 평면도이다. Before the
도 3과 도 4를 참조하면, 촉매 도포부(500)는 촉매 저장 탱크(호퍼, 520), 정량 공급부(560), 브러시 유닛(580), 그리고 스테이지(590)를 가진다. 공정 진행시 합성기판(10)은 스테이지(590) 상에 놓여진다. 촉매 저장 탱크(520)는 스테이지(590) 상부에 배치되며 합성기판(10) 상면에 일정량의 촉매(20)를 공급하는 토출구를(526a) 갖는다. 브러시 유닛(580)은 합성기판(10) 상면으로 공급된 촉매(20)를 합성기판(10) 상면에 균일한 두께로 펴준다. 3 and 4, the
스테이지(590)는 사이에 합성기판(10)이 위치되도록 일정간격 이격되어 서로 대향되도록 배치되는 측판들(592)과 각각의 측판(592)에 안쪽으로 돌출되도록 설치되어 합성기판(10)의 가장자리 영역을 지지하는 복수의 지지돌기들(594)을 가진다. 각각의 측판(592)에 지지돌기(594)는 복수개가 설치될 수 있다.The
브러시 유닛(580)은 가이드 레일(584), 도포용 브러시(587), 그리고 이동체(588)를 포함한다. 가이드 레일(584)은 합성기판(10)이 놓여지는 스테이지(590)의 양측에 길이방향으로 설치된다. 이동체(588)는 가이드 레일(584)에 이동 가능하게 설치되며, 이동체(588)는 리니어모터 구동방식, 실린더 구동방식, 모터 구동방식과 같은 공지의 직선 이동 구동부(586)에 의해 직선 이동된다. 도포용 브러시(587)는 스테이지(590)의 상부에 위치되며, 촉매(20)를 합성기판(10) 전면에 균일한 두께로 펴 준다. 도포용 브러시(587)는 그 양단이 이동체(588)에 연결되어 이동체(588)와 함께 슬라이드 방식으로 이동된다. 도포용 브러시(587)는 진행방향에 대하여 특정 경사면을 갖는 금속 또는 비금속 재질의 플레이트 형상으로 제공될 수 있다.The
합성기판(10) 상면에 도포되는 촉매(20)의 도포 두께에 따라 이동체(588) 상에서 도포용 브러시(587)는 높낮이 조절이 가능하도록 도포용 브러시(587)는 수직이동기(589)에 의해 상하로 이동된다. 수직이동기(589)는 이동체(588)의 상단에 고정결합되는 상부판(589a), 이와 대향되도록 이동체(588)의 하단에 고정결합되는 하부판(589b), 그리고 상부판(589a)과 하부판(589b)을 연결하도록 수직하게 배치된 가이드축(589c)을 가진다. 가이드축(589c)에는 구동기(도시되지 않음)에 의해 가이드축(589c)을 따라 상하방향으로 직선이동되며, 도포용 브러시(587)가 고정장착되는 브라켓(589d)이 설치된다. The
촉매 저장 탱크(520)는 내부에 저장된 촉매(20)를 합성기판(10) 상으로 공급한다. 촉매 저장 탱크(520)는 상부면(522), 측면(524), 그리고 토출구(526a)가 형성된 하부면(526)을 가진다. 측면(524)은 대체로 수직한 상측부(524a), 이로부터 아래로 연장되며 아래로 갈수록 안쪽으로 경사진 중간측부(524b), 그리고 이로부터 아래로 대체로 수직하게 연장된 하측부(524c)를 가진다. 상술한 구조로 인해 상측부(524a)에 의해 제공된 공간에는 하측부(524c)에 의해 제공된 공간에 비해 동일 높이에 해당되는 영역에 많은 량의 촉매(20)가 저장된다. 상술한 중간측부(524b)의 형상에 의해 상측부(524a)에 의해 제공된 공간 내 촉매(20)는 원활하게 하측부(524c)에 의해 제공된 공간으로 공급된다. The
촉매 저장 탱크(520)에는 합성기판(10) 상면으로 설정된 량만큼 촉매(20)가 공급되도록 하는 정량 공급부(560)가 설치된다. 정량 공급부(560)는 설정된 량의 촉매(20)가 담겨질 수 있는 정량 공간(568)을 제공할 수 있는 상부 차단판(564)과 하부 차단판(562)을 가진다. 상부 차단판(564)과 하부 차단판(562)은 하측부(524c)에 제공된다. 정량 공간(568)은 촉매 저장 탱크(520)의 토출구(526a) 상부에 위치되며, 상부 차단판(564)은 정량 공간(568)의 상단으로 제공되고, 하부 차단판(562)은 정량 공간(568)의 하단으로 제공된다. 상부 차단판(564)과 하부 차단판(562)은 실린더(566)와 같은 구동수단에 의해 작동된다. 하부 차단판(562)이 닫혀진 상태에서 상부 차단판(564)이 닫혀지면, 하부 차단판(562)과 상부 차단판(564) 사이에 설정된 량의 촉매(20)가 채워진 정량 공간(568)이 다시 제공된다.The
하부 차단판(562)이 개방되면 정량 공간(568)에 담겨진 촉매(20)가 토출구(526a)를 통해 합성기판(10) 상면으로 공급된다. 한편, 촉매 저장 탱크(520)의 중간측부(524b)에는 촉매(20)를 교반시키는 교반기(540)가 설치된다. 교반기(540)의 교반날개(542)는 촉매(20)가 정량 공간으로 공급되기 전 회전하여 촉매 저장 탱크(520) 내부의 빈공간을 제거함과 동시에 촉매(20)가 정량 공간(568)으로 자연스럽게 공급되도록 유도하는 역할을 갖는다. When the
도 5a 내지 도 5c는 촉매 도포부(500)에서의 촉매 도포 과정을 단계적으로 설명하기 위한 도면들이다. 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 합성기판(10)이 제 2이송장치(700)에 의해 스테이지(590)에 놓여지면, 하부 차단판(562)이 실린더(566)에 의해 작동되어 측방향으로 이동되면서 정량 공간(568) 하부를 개방하게 되고, 정량 공간(568)에 담겨져 있던 설정된 량의 촉매(20)가 합성기판(10) 상면으로 떨어진다(도 5a). 합성기판(10) 상면에 수북하게 쌓인 촉매(20)는 브러시 유닛(580)에 의 해 합성기판(10) 전면에 균일한 두께로 도포된다(도 5b, 도 5c). 즉, 도포용 브러시(587)는 이동체(588)와 함께 합성기판(10)의 일단에서 타단까지 슬라이드 이동하면서 촉매(20)를 합성기판(10) 전면에 균일하게 도포시킨다. 이때 촉매(20)의 균일한 도포를 위하여 도포용 브러시(587) 또는 합성기판(10)에 미세한 진동을 가해줄 수 있는 진동기(미도시됨)가 추가로 설치될 수 있다. 여기서, 촉매(20)는 예를 들면 철, 백금, 코발트, 니켈, 이트륨 등의 전이금속과 또는 이들의 합금 및 Mg0, Al203, Si02 등의 다공성 물질이 혼합된 분말형태일 수 있다. 또는 이러한 소재가 포함된 액상의 촉매(20)일 수 있다. 촉매(20)가 액상인 경우에는 촉매 저장 탱크와, 공급라인, 공급라인 상에 설치되는 정량공급용 펌프 그리고 액상의 촉매(20)를 합성기판 상면으로 공급하는 공급노즐을 포함할 수 있다. 5A to 5C are diagrams for explaining the catalyst application process in the
상술한 예에서는 도포용 브러시(587)가 이동하면서 합성기판(10) 상에 촉매(20)를 균일하게 도포하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도포용 브러시(587)는 고정되고 스테이지가 이동될 수 있다. 그러나 촉매 도포부(500)의 공간을 줄이기 위해 상술한 예와 같이 도포용 브러시(587)가 이동되는 것이 바람직하다.In the above-described example, it has been described that the
또한, 상술한 예에서는 촉매(20)는 촉매 도포부(500)에서 별도로 합성기판(10) 상에 도포되고, 반응 챔버(100) 내에서는 촉매(20)가 도포된 합성기판(10) 상에 탄소나노튜브(30)를 생성시키는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 촉매 도포부를 제거하고, 반응 챔버 내에서 촉매 가스 및 소스가스를 공급하여 합성기판 상에 촉매 도포 및 탄소 나노 튜브의 생성이 이루어질 수 있다.In addition, in the above-described example, the
도 6는 기판 보관부(400)와 제 1이송장치(300)의 평면도이고, 도 7은 기판 보관부의 측면도이다. 도 6와 도 7을 참조하면, 기판 보관부(400)는 합성기판(10)을 보관하는 카세트(420), 수직 레일들(442), 수평 레일(444), 그리고 이동 프레임들(446)을 가진다. 수직 레일들(442)은 제 1영역(240)의 모서리 부분에 각각 배치된다. 수직 레일들(442)은 상하 방향으로 긴 로드 형상을 가지며, 이동 프레임(446)의 상하 이동을 안내한다. 각각의 수직 레일(442)에는 수직 레일(442)을 따라 수직 구동부(도시되지 않음)에 의해 상하로 이동되는 브라켓(448)이 결합된다. 각각의 이동 프레임(446)은 제 1방향(42)을 따라 길게 제공되며, 서로 대향되도록 배치된다. 이동 프레임(446)은 브라켓(448)에 고정결합되어 브라켓(448)과 함께 수직 레일(442)을 따라 상하로 직선이동된다. 각각의 이동 프레임(446)의 양단은 각각 제 1방향(42)으로 서로 대향되는 브라켓들에 고정설치되며, 이동 프레임들(446)은 브라켓(448)과 함께 상하로 이동된다. 이동 프레임(446) 상에는 수평 레일(444)이 고정 설치된다. 각각의 수평 레일(444)은 제 2방향(44)을 따라 길게 제공되며, 수평 레일들(444)은 서로 대향되도록 배치된다. 수평 레일(444)은 제 1영역(240) 전체 영역에 걸쳐 제공되며, 수평 레일(444) 상에는 수평 레일(444)을 따라 제 2방향(44)으로 이동가능하도록 카세트(420)가 장착된다. 6 is a plan view of the
도 6에 도시된 바와 같이, 카세트(420)는 점선으로 표시된 대기위치와 실선으로 표시된 로딩/언로딩 위치(X2)(반응 챔버와 연결되는 제 1게이트 밸브(222) 바로 앞) 사이에서 수평 이동된다. 대기 위치(X1)는 제 1영역(240)의 하부 영역(244) 내 위치이고 로딩/언로딩 위치(X2)는 제 1영역(240)의 상부 영역(242) 내 위치이 다. 카세트(420)는 반응 챔버(100)로/로부터 합성기판(10)을 로딩/언로딩할 때와 제 2이송장치(700)에 의한 합성기판(10) 이송시 로딩/언로딩 위치(X2)로 이동되며, 합성기판(10)의 온도를 낮추기 위해 대기할 때에는 대기위치(X1)로 이동한다. As shown in Fig. 6, the
도 8은 카세트(420)의 사시도이다. 반응 챔버(100)로 로딩될 합성기판(10) 및 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판들(10)은 카세트(420)에 보관된다. 도 8을 참조하면, 카세트(420)는 지지부들(422), 상판(424) 및 하판(426), 그리고 수직축들(428)을 가진다. 상판(424)과 하판(426)은 대체로 직사각 형상으로 제공되며 상하로 서로 마주보도록 배치된다. 수직축들(428)은 상판(424)과 하판(426)의 서로 마주보는 모서리 영역을 연결하며 4개가 제공된다. 수직축(428)에는 합성기판(10)이 카세트(420)에 적층되어 보관되도록 합성기판(10)을 지지하는 지지부들(422)이 설치된다. 각각의 지지부(422)는 합성기판(10)의 가장자리 부분을 지지하는 4개의 지지블럭(423)을 가진다. 지지부들(422)은 2개의 그룹으로 그룹지어진다. 제 1그룹에 속하는 지지부들(422a, 이하 제 1지지부)은 반응 챔버(100)로 로딩될 합성기판(10)들을 지지하며, 제 2그룹에 속하는 지지부들(422b, 이하 제 2지지부)은 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판(10)들을 지지한다. 일 예에 의하면, 제 1지지부(422a) 및 제 2지지부(422b)는 각 4개씩 제공되며, 제 1지지부들(422a)은 제 2지지부들(422b)의 상부에 위치되도록 제공된다.8 is a perspective view of the
제 2지지부들(422b) 간의 상하 간격은 제 1지지부들(422a) 간의 상하 간격보다 넓게 제공된다. 상술한 구조로 인해 카세트(420) 전체 높이는 줄이면서 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판(10)의 상면에 생성된 탄소 나노 튜브(30)(CNT)가 인접한 합성기판(10)과 접촉되지 않도록 하는 공간을 충분히 제공할 수 있다.The vertical space between the
*카세트(420)의 제 1지지부(422)들에 보관중인 합성기판(10)들은 제 1이송장치(300)에 의해 반응 챔버(100) 내부로 로딩된다. 반응 챔버(100)의 보트(160)에는 4장의 합성기판(10)들이 놓여지게 된다. 제 1이송장치(300)는 합성기판을 하나씩 순차적으로 반응 챔버(100)로/로부터 로딩하고 언로딩한다. 합성기판(10)들의 로딩이 완료되면, 반응 챔버(100)에서 탄소 나노 튜브(30) 생성을 위한 공정이 진행된다. 반응 챔버(100)에서 공정이 진행되는 동안, 또 다른 4장의 합성기판(10)들은 촉매 도포부(500)에서 촉매 도포 후 카세트(420)의 제 1지지부(422)들에서 대기하게 된다. 반응 챔버(100)에서 탄소 나노 튜브(30)의 생성 공정이 완료되면, 고온 상태의 합성기판(10)은 제 1이송장치(300)에 의해 반응 챔버(100)로부터 언로딩되어 카세트(420)의 제 2지지부(422b)에 수납되며, 고온의 합성기판(10)은 제 2지지부(422b)에서 일정시간 동안 냉각 과정을 거친다. 냉각은 자연 냉각 방식에 의해 이루어진다. 선택적으로 냉각수 등과 같은 냉각 수단을 사용하여 강제 냉각할 수 있다.한편, 탄소 나노 튜브(30) 생성이 완료된 합성기판(10)들이 신속하게(일정온도로 떨어지는 것을 기다리지 않고) 반응 챔버(100)로부터 인출되면, 카세트(420)의 제 1지지부(422a)에서 대기중인 4장의 합성기판(탄소 나노 튜브(30) 생성을 위해 대기중인 합성기판)(10)이 반응 챔버(100)로 로딩된다. 이렇게 반응 챔버(100)에서는 반응로(120) 온도가 공정온도를 유지한 상태에서 신속하게 합성기판(10)들이 로딩됨으로써 반응로(120)의 공정온도로 높이기 위한 승온 과정을 생략할 수 있 다.
탄소 나노 튜브(30)가 생성된 합성기판(10)들은 일정온도 이하로 떨어질 때까지 카세트(420)의 제 2지지부(422b)들에서 대기하게 된다. 합성기판(10)들이 대기하는 카세트(420)는 스테이션부(200) 내부에 위치된다. 스테이션부(200)의 내부는 불활성가스로 채워져 있기 때문에, 카세트(420)에서 대기 중인 합성기판(10)들은 외부의 공기(특히 산소)와 접촉되지 않는다. 예컨대, 반응 챔버(100)에서 공정을 마친 합성기판(10)이 일정 온도 이하로 떨어진 상태에서는 상관 없지만, 합성기판(10)이 고온 상태에서 상온의 대기 중에 노출되면, 합성기판(10) 표면에 생성된 탄소 나노 튜브(30)가 대기중의 산소와 반응하면서 변형을 일으키게 된다. 본 발명에서는 이러한 문제를 예방하기 위해 반응 챔버(100)에서 언로딩된 합성기판(10)들이 산소와의 접촉되지 않도록 상술한 바와 같이 불활성가스로 채워진 스테이션부(200)를 제공하였다. The
한편, 카세트(420)의 제 2지지부(422b)들에서 일정시간 동안 대기한 합성기판(10)들은 제 2게이트 밸브(224)를 통해 제 2이송장치(700)에 의해 회수부(600)로 옮겨진다. 그리고, 회수부(600)에서 탄소 나노 튜브(30)의 회수를 마친 합성기판(10)은 촉매 도포부(500)에서 촉매(20)를 도포한 후 다시 카세트(420)의 제 1지지부(422a)에 수납된다. Meanwhile, the
이처럼, 본 발명의 시스템에서는 총 8장의 합성기판들이 두 그룹으로 나누어서 교대로 반응 챔버에서 탄소 나노 튜브(30) 합성 공정을 연속적으로 진행하기 때문에 처리량 향상을 기대할 수 있고, 그에 따라 대량 생산이 가능한 이점이 있다. As described above, in the system of the present invention, a total of eight synthetic substrates are divided into two groups, and thus the
도 9는 제 1이송장치의 사시도이다. 도 9를 참조하면, 제 1이송장치(300)는 합성기판(10)을 지지하는 아암(320), 블레이드(340), 수직 레일들(362), 수평 레일(364), 이동 프레임들(366), 그리고 이동블럭(368)을 가진다. 수직 레일들(362)은 제 2영역(260)의 모서리 부분에 각각 배치된다. 수직 레일들(362)은 상하 방향으로 긴 로드 형상을 가지며, 이동 프레임(366)의 상하 이동을 안내한다. 각각의 수직 레일(362)에는 수직 레일(362)을 따라 수직 구동부(도시되지 않음)에 의해 상하로 이동되는 브라켓(365)이 결합된다. 각각의 이동 프레임(366)은 제 2방향(44)을 따라 길게 제공되며, 서로 대향되도록 배치된다. 이동 프레임(366)은 브라켓(365)에 고정결합되어 브라켓(365)과 함께 수직 레일(362)을 따라 상하로 직선이동된다. 각각의 이동 프레임(366)의 양단은 각각 제 2방향(44)으로 서로 대향되는 브라켓들(365)에 고정설치되며, 이동 프레임들(366)은 브라켓(365)과 함께 상하로 이동된다. 이동 프레임(366)들 상에는 수평 레일(364)이 고정설치된다. 각각의 수평 레일(364)은 제 1방향(42)으로 길게 제공된다. 수평 레일(364)은 제 2영역(260) 전체 영역에 걸쳐 제공되며, 수평 레일(364) 상에는 수평 레일(364)을 따라 제 2방향(44)으로 이동가능하도록 이동블럭(368)이 장착된다. 이동블럭(368)에는 제 1방향(42)을 따라 길게 설치된 아암(320)이 고정설치되고, 아암(320)에는 합성기판(10)을 지지하는 블레이드(340)가 장착된다.9 is a perspective view of the first transfer device. Referring to FIG. 9, the
카세트(420)의 제 2지지부(444)들에서 일정시간 동안 냉각 과정을 마친 합성기판(10)들은 제 2게이트 밸브(224)를 통해 제 2이송장치(700)에 의해 회수부(600)로 옮겨진다. The
도 10 및 도 11은 각각 회수부의 사시도 및 평면도이고, 도 12는 회수부에서의 탄소 나노 튜브(30) 회수 과정을 설명하기 위한 도면이다. 10 and 11 are respectively a perspective view and a plan view of the recovery portion, Figure 12 is a view for explaining the
도 10 내지 도 12를 참조하면, 회수부(600)는 합성기판(10)이 놓여지는 스테이지(620)를 갖는다. 스테이지(620)의 하단에는 합성기판(10)으로부터 회수되는 탄소 나노 튜브(30)가 저장되는 회수통(660)이 위치된다. 그리고 스테이지(620)에는 합성기판(10) 상면에서 탄소 나노 튜브(30)를 회수통(660)으로 쓸어주는 회수유닛(640)이 배치된다. 회수유닛(640)에는 합성기판(10)의 길이방향으로 설치되는 가이드 레일(646)이 제공된다. 가이드 레일(646)에는 이동체(644)가 설치되며, 이동체(644)에는 회수용 브러시(642)가 설치된다. 회수용 브러시(642)는 합성기판(10)의 일측에서부터 길이방향으로 슬라이드 이동하면서 합성기판(10) 상면의 탄소 나노 튜브(30)를 회수통(660)으로 쓸어낸다. 회수용 브러시(642)는 이동체(644)에서 높낮이 조절이 가능할 수 있다. 10 to 12, the
상술한 예에서는 회수용 브러시(642)가 이동하면서 합성기판(10) 상에 촉매(20)를 쓸어내는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 회수용 브러시(642)는 고정되고 스테이지가 이동될 수 있다. 그러나 회수부(600)의 공간을 줄이기 위해 상술한 예와 같이 회수용 브러시(642)가 이동되는 것이 바람직하다.In the above-described example, it has been described that the
탄소 나노 튜브(30)가 회수된 합성기판(10)은 제 2이송장치(700)에 의해 촉매 도포부(500)로 제공되어 앞에서 언급한 촉매 도포 과정을 거친 후 카세트(420)의 제 1지지부(422a)에 수납된다. The
도 13을 참조하면, 이러한 구성을 갖는 탄소 나노 튜브(30) 대량 생산을 위 한 시스템에서의 공정 진행은 촉매 도포단계(S110), 탄소 나노 튜브(30) 생성 단계(S120), 냉각(대기)단계(S130), 회수단계(S140)를 가진다. 촉매 도포 단계(S110)는 촉매 저장 탱크(520)에서 1회 도포량에 해당되는 촉매(20)가 합성기판(10) 상면으로 공급되면, 브러시 유닛(580)의 도포용 브러시(587)가 이동하면서 합성기판(10) 상면에 촉매(20)를 고르게 분포시킨다. 이렇게 촉매(20) 도포가 완료된 합성기판(10)은 제 2이송장치(700)에 의해 스테이션부(200)에 설치된 기판 보관부(400)의 카세트(420)에 수납된다. 카세트(420)의 제 1지지부(422a)에 수납된 합성기판(10)은 반응 챔버(100)로부터 공정을 마친 합성기판(10)이 언로딩된 직후 제 1이송장치(300)에 의해 반응 챔버(100)의 보트(160)로 로딩된다. 합성기판(10)의 로딩이 완료되면 반응 챔버(100)에서 탄소 나노 튜브(30) 생성을 위한 공정이 진행된다(S120). 한편, 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판(10)들은 카세트(420)의 제 2지지부(422b)에 수납된 후, 일정시간 동안 냉각 과정을 거친다(S130). 일정시간이 지나면 합성기판(10)들은 스테이션부(400) 밖으로 인출되어 회수부(600)로 이동된다(S140). 회수부(600)에서 탄소 나노 튜브(30) 회수를 마친 합성기판(10)은 다시 촉매 도포부(500)로 이동되어, 촉매 도포 후 카세트(420)의 제 1지지부(422a)에 수납된다. 반응 챔버(100)에서 공정을 마친 합성기판(10)들은 카세트의 제 2지지부(422b)에 수납된 후 앞에서 서술한 과정을 반복하여 실시하게 된다. Referring to Figure 13, the process proceeds in the system for mass production of
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 탄소나노튜브 합성장치는 반응로 내 고온 의 가스를 효율적으로 냉각시켜 배기한다. 따라서, 반응로 내 고온의 가스 배기에 따른 설비가 손상되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the carbon nanotube synthesis apparatus according to the present invention efficiently cools and exhausts high-temperature gas in a reactor. Therefore, it is possible to prevent the damage caused by the high temperature gas exhaust in the reactor.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060028313A KR20070097716A (en) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | Apparatus for collection carbon nano tube |
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KR1020060028313A KR20070097716A (en) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | Apparatus for collection carbon nano tube |
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KR20070097716A true KR20070097716A (en) | 2007-10-05 |
Family
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KR1020060028313A KR20070097716A (en) | 2006-03-29 | 2006-03-29 | Apparatus for collection carbon nano tube |
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KR (1) | KR20070097716A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101430969B1 (en) * | 2008-11-16 | 2014-08-18 | 금호석유화학 주식회사 | Reaction chamber for carbon nano tube with rapid cooling unit |
-
2006
- 2006-03-29 KR KR1020060028313A patent/KR20070097716A/en not_active Application Discontinuation
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