KR20070086240A - 전자 디바이스 제조 방법 및 장치 - Google Patents

전자 디바이스 제조 방법 및 장치 Download PDF

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KR20070086240A
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inductor
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inductance
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voltage controlled
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KR1020077013524A
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얀 보우트멘트
세르게 바르디
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코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

전자 디바이스(2)는 인덕터(42)를 포함하는 디바이스 회로(32)를 갖는 제 1 기판(22) 및 다수의 다른 인덕터(62)를 포함하는 인덕턴스 조절 회로(60)를 갖는 제 2 기판(24)으로 제조된다. 기판(22, 24)은 서로 대향하도록 어셈블링된다. 다른 인덕터(62)가, 인덕터(42)에 대하여 상이한 상호 인덕턴스 관계들의 선택을 제공하도록 배열된다. 이들 관계는 디바이스의 동작 동안에 선택가능하여, 디바이스 회로(32)에 가변 인덕턴스를 제공한다.

Description

전자 디바이스 제조 방법 및 장치{VARIABLE INDUCTANCE CIRCUITRY FOR FREQUENCY CONTROL OF A VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로서, 특히, 제한적인 것은 아니지만, 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator; VCO)의 주파수 제어를 위한 가변 인덕턴스 회로에 관한 것이다. 인덕턴스를 변화시키기 위한 관련된 기법은, 조절가능 인덕턴스가 요망되는 다른 응용들을 위해서도 또한 적합하다.
전형적으로, 집적 회로(IC) 기반 VCO는 버랙터(varactor) 또는 다른 가변 캐패시턴스 디바이스를 이용하여, 대응하는 범위에 걸친 주파수 조절을 제공한다. 보다 넓은 주파수 조절 범위에 대한 요구가 증가됨에 따라, 보다 넓은 범위의 가변 캐패시턴스가 필요하다. 보다 큰 범위의 가변 캐패시턴스를 제공하기 위해, PLL(Phase-Locked Loop) 제어를 갖는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 버랙터, 디지털 제어기에 의해 제어되는 MOS 스위치 등을 포함하는 회로가 개발되어 왔다. 몇몇 경우, 그러한 회로 강화는 수용불가능한 양의 요망되는 IC "영역(real estate)"을 요구하고/하거나, 그렇지 않은 경우, 관련된 디바이스를 바람직하게 않 게 복잡하게 한다. 그러한 강화가 수용가능한 다른 경우, 때때로 가변 주파수 범위를 더욱 확장하고자 하는 요구가 있다. 따라서, 이러한 기술 영역에서의 다른 기여를 위해 진행중인 요구가 존재한다.
발명의 개요
본 발명의 일실시예는 VCO의 주파수 제어에 적합한 고유의 가변 인덕턴스 배열이다. 다른 실시예는 VOD 및/또는 다른 응용의 주파수 제어를 위한 가변 인덕턴스를 제공하는 고유의 방법, 시스템, 디바이스 및 장치를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예는, 디바이스 회로를 지지하는 제 1 기판 및 가변 인덕턴스 회로를 지지하는 제 2 기판을 포함하는 전자 디바이스를 이용하는 것을 포함한다. 이러한 실시예는 제 1 및 제 2 인덕터를 전자기적으로 접속하여, 상호 인덕턴스를 제공하는 것을 더 포함한다. 하나의 형태에 있어서, 이러한 접속은 제 1 기판 및 제 2 기판을, 이러한 접속의 원하는 형태를 용이하게 하도록 설계된 공간적 관계로 어셈블링함으로써 용이해진다. 비제한적인 예로써, 기판들은 서로 대향하도록 위치되어, 인덕터가 서로의 근처에 위치되도록 한다. 이러한 실시예는 제 1 및 제 2 인덕터의 접속 동안 상호 인덕턴스의 함수로서 결정된 제 1 주파수 범위로 디바이스 회로를 동작하고, 제 2 인덕터의 동작을 변화시켜, 그들 사이의 상호 인덕턴스를 변경하고, 그러한 변화 이후에 제 1 주파수 범위와는 상이한 제 2 주파수 범위로 디바이스 회로를 동작하는 것을 더 포함한다. 하나의 비제한적인 형태에 있어서, 디바이스 회로는 제 1 주파수 범위 및 제 2 주파수 범위 각각 으로 동작하는 전압 제어 발진기를 정의한다.
다른 실시예에서, 장치는 제 1 기판, 사전정의된 공간 관계로 제 1 기판과 어셈블링된 제 2 기판, 제 1 기판상에 지지되는 제 1 인덕터를 포함하는 전압 제어 발진기 회로, 및 인덕턴스 선택 디바이스 및 제 2 인덕터를 포함하는 인덕턴스 조절 회로를 포함한다. 이러한 제 2 인덕터는 제 2 기판상에 지지된다. 인덕턴스 선택 디바이스는 장치의 동작 동안에 제 1 인덕터와 제 2 인덕터 사이의 상호 인덕턴스를 변경함으로써, 전압 제어 발진기 회로에 대한 다수의 인덕턴스 값들 사이에서 선택하도록 구성된다. 상이한 인덕턴스 값들 각각은, 선택되는 경우, 전압 제어 발진기 회로에 대한 다수의 대응하는 동작 주파수 범위들 중 상이한 하나를 형성한다.
본 발명의 다른 실시예는 인덕터를 포함하는 디바이스 회로를 갖는 제 1 기판 및 하나 이상의 다른 인덕터를 포함하는 인덕턴스 조절 회로를 갖는 제 2 기판을 제공하고, 제 1 및 제 2 기판들을 함께 어셈블링하여, 하나 이상의 다른 인덕터에 대한 인덕터의 원하는 전자기적 접속의 형성을 용이하게 하고, 하나 이상의 다른 인덕터를 배열하여, 인덕터와 하나 이상의 다른 인덕터 사이의 상이한 상호 인덕턴스 관계의 선택을 제공하는 것을 포함한다. 이들 관계는 전자 디바이스의 동작 동안에 선택가능하여, 인덕터로부터 디바이스 회로로 가변 인덕턴스를 제공한다. 비제한적인 형태에 있어서, 하나 이상의 인덕터 각각은 스위치에 접속되어, 회로 경로를 개방 또는 폐쇄함으로써, 상호 인덕턴스를 변화시킨다. 대안적으로 또는 추가적으로, 하나 이상의 다른 인덕터의 수는 적어도 3개이다.
다른 실시예는 제 1 기판상에 지지되는 인덕터를 갖는 전압 제어 발진기와, 제 2 기판상에 지지되는 하나 이상의 다른 인덕터와, 전압 제어 발진기의 주파수 범위를 변화시키는 수단을 포함한다. 제 2 기판은 제 1 기판과 어셈블링되어, 선택적인 전자기적 접속을 용이하게 하도록 설계되는 방식으로, 하나 이상의 다른 인덕터에 대하여 인덕터를 위치시킨다. 변화시키는 수단은 인덕터와 하나 이상의 다른 인덕터 사이의 상호 인덕턴스를 변경함으로써, 전압 제어 발진기에서의 인덕턴스를 조절하는 수단을 포함한다.
다른 실시예는 선택적인 전자기적 접속을 위해 하나 이상의 제 2 인덕터에 대해 위치되는 하나 이상의 제 1 인덕터를 포함하는 가변 인덕턴스 회로를 포함한다. 하나 이상의 제 1 인덕터와 하나 이상의 제 2 인덕터 사이에 다수의 상이한 상호 인덕턴스 관계가 형성되어, 가변 인덕턴스를 제공할 수 있다. 하나의 형태에서, 그러한 관계는 각각 인덕터들 중 하나에 접속되는 스위치를 이용하여 선택된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 다른 형태에서, 하나 이상의 제 1 인덕터는 제 1 기판의 제 1 면상에 지지되고, 하나 이상의 제 2 인덕터는 제 2 기판의 면상에 지지되는데, 여기서, 기판들은 서로 대향하여 위치되도록 어셈블링된다.
본 발명의 목적은 VCO의 주파수를 변화시키기에 적합한 고유의 가변 인덕턴스 배열을 제공하는 것이다.
다른 목적은 전압 제어 발진기 및/또는 다른 응용의 주파수 제어를 위한 가변 인덕턴스를 제공하는 고유의 방법, 시스템, 디바이스 및 장치를 포함한다.
본 출원 및 발명의 다른 목적, 실시예, 형태, 양상, 이익, 이점 및 특징은, 이하에 제공된 도면 및 설명으로부터 명백할 것이다.
도 1은 조절가능 인덕턴스를 갖는 VCO를 포함하는 전자 디바이스의 개략도이다.
도 2는 도 1의 디바이스의 부분 단면의 개략도이다.
도 3은 도 1의 디바이스에 포함된 인덕터들 사이의 위치 관계를 도시하는 것으로서, 도 2의 뷰 라인 3-3을 따라 취해진 도면이다.
본 발명의 원리에 대한 이해를 돕기 위해, 도면에 도시된 실시예를 참조할 것이며, 특정 언어를 이용하여 그것을 기술할 것이다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 영역은 그것에 의해 제한되지 않음을 이해할 것이다. 당업자라면, 기술된 실시예에서의 임의의 변경 및 다른 수정, 및 본 명세서에서 기술된 본 발명의 원리에 대한 임의의 다른 응용이 가능할 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예의 전자 디바이스(20)를 개략적으로 도시한다. 디바이스(20)는 기판(22) 및 기판(24)을 포함한다. 기판(22) 및 기판(24)은 각각 직사각형으로 개략적으로 표현되며, 파선(26)에 의해 상징적으로 분리된다. 기판(22)은 전형적으로 반도체 기반 유형인 전자 구성요소를 포함한다. 이들 유형의 구성요소를 포함하는 실시예의 경우, 전형적으로 기판(22)은 대응하는 반도체 물질을 포함한다. 기판(24)은 반도체 기반이거나 또는 반도체 기반이 아닐 수 있는 적절한 물질로 제조된 다른 전자 구성요소를 포함한다. 선(26)의 좌측에 위치되는 디바이스(20)의 전자 특징부는 기판(22)으로 지지되고, 선(26)의 우측에 위치되는 디바이스(20)의 특징부는 기판(24)으로 지지된다. 디바이스(20)는, 이하에서 도 2 및 3과 관련하여 보다 상세히 기술되는 바와 같이, "플립칩(flip-chip)" 형태로 어셈블링되지만, 당업자라면 가능한 다른 형태를 취할 수 있다.
디바이스(20)는 기판(22, 24)에 의해 지지된 회로(30)를 포함한다. 기판(22)의 경우, 회로(30)는 디바이스 회로(32)를 포함한다. 기판(24)의 경우, 회로(30)는 디바이스 회로(34)를 포함한다. 디바이스 회로(32)는 VCO 회로(41)로 구현된 전압 제어 발진기(VCO)(40)를 포함한다. 회로(41)는 인덕터(42) 및 그것에 접속된 부회로(subcircuitry)(43)를 포함한다. 부회로(43)는 대역내(in-band) 주파수 조절 회로(44)를 포함하여, VCO(40)의 동작 주파수를, 원하는 주파수 대역내에서 선택적으로 변화시킨다. 회로(44)는 조절가능 캐패시턴스를 제공하도록 동작가능하게 구성된 하나 이상의 구성요소(45)를 갖는다. 하나 이상의 구성요소(45)는 적어도 하나의 버랙터(46)를 포함하며, 다른 구성요소 또는 구성요소 유형을 포함하여 원하는 대역내 주파수 조절을 제공할 수 있다. 일례에서, 버랙터(46)는 MOS 유형이며, 구성요소(45)는 PLL 제어 및 디지털 제어기의 지시하의 MOS 스위칭을 더 포함한다.
또한, 부회로(43)는 주파수 범위(대역) 선택 회로(50)를 포함한다. 회로(50)는 원하는 주파수 범위를 선택하도록 구성되며, 회로(44)는 그러한 범위내에서 동작 주파수를 조절하는데 이용된다. 회로(50)는 디바이스 회로(34)에 동작가능하게 접속된다. 디바이스 회로(34)는 인덕턴스 조절 회로(60)를 포함한다. 회로(60)는 다수의 조절가능 회로(61a, 61b, 61c)(집단적으로 회로(61))를 포함한다. 각각의 회로(61)는 각각의 인덕터(62a, 62b 또는 62c)(집단적으로 지정된 인덕터(62))와, 상징적으로 표현된 럼프-섬(lump-sum) 전기 부하(64a, 64b 또는 64c)(집단적으로 지정된 부하(64))와, 스위치(66a, 66b 또는 66c)(집단적으로 지정된 스위치(66))를 포함한다. 각각의 회로(61)의 경우, 대응하는 스위치(66)가 폐쇄되는 경우, 전기 루프 또는 경로가 폐쇄되어, "패쇄 회로"를 제공하고, 대응하는 스위치(66)가 개방되는 경우, 개방 회로를 제공한다.
회로(41)의 인덕터(42) 및 회로(61)의 인덕터(62)를 서로에 대해 원하는 공간적 배열로 위치시키고, 소정의 동작 파라미터로 VCO(40)에 에너지를 공급함으로써, 인덕터(42)와 하나 이상의 인덕터(62) 사이에 선택적 상호 인덕턴스가 실현될 수 있다. 이러한 상호 인덕턴스의 정도(degree)는 스위치(66)의 상태에 의존함을 이해해야 한다. 각각의 스위치(66)의 경우, 폐쇄 상태는 각각의 인덕터(62)와 인덕터(42) 사이의 전자기적 접속에 의해 에너지가 공급되는 폐쇄 회로를 제공한다. 이러한 접속은 인덕터(42)와 각각의 인덕터(62) 사이의 각각의 상호 인덕턴스에 대응한다. 반대로, 각각의 스위치(66)의 개방 상태의 경우, 결과적인 개방 회로는 이러한 상호 인덕턴스를 변경하며, 이상적인 경우에 그것을 제거한다. 스위치(66)를 회로(61)에 대하여 상이한 폐쇄/개방 조합으로 조절함으로써, 인덕터(42)와 인덕터(62) 사이의 상호 인덕턴스의 정도는 집단적으로 조절될 수 있다. 인덕터(42)와 인덕터(62) 사이의 상호 인덕턴스가 변화됨에 따라, VCO 회로(41)에서의 인덕터(42)에 의해 제공된 유효 인덕턴스는, 각각의 회로의 이상적인 럼프-요소 모델(lumped-element model)에 근거하여, 다음과 같은 수학식 (1)에 의해 표현되는 바와 같이 변화된다.
L1 = L1-M12-M13-M14 (1)
여기서, L1 = 인덕터(42)의 인덕턴스, M12 = 스위치(66a)가 폐쇄되는 경우의 인덕터(42)에 대한 (62a)의 상호 인덕턴스, M13 = 스위치(66b)가 폐쇄되는 경우의 인덕터(42)에 대한 (62b)의 상호 인덕턴스, M14 = 스위치(66c)가 폐쇄되는 경우의 인덕터(42)에 대한 (62c)의 상호 인덕턴스이다. 각각의 상호 인덕턴스 M12, M13, M14는, (수학식 (1)의 이상적인 모델하에서) 대응하는 스위치(66)가 개상 상태인 경우, 효과적으로 제거된다. 따라서, 모든 스위치(66)가 개방되는 때에, 인덕터(42)의 유효 인덕턴스는, 이러한 형태의 모델의 경우 L1이다.
비이상적인 경우에, "개방 상태"(대응하는 스위치(66)가 개방됨)에 있는 각각의 회로(61)는 스위치 저항 및/또는 저항 레벨, 제 2 차 효과 등으로 인해 소정의 상호 인덕턴스의 정도를 여전히 제공할 수 있음을 이해해야 하지만, 그러한 요소를 고려함으로써, 그리고/또는 적절한 조정을 통해, 사전정의된 범위의 가변 인덕턴스가 여전히 실현될 수 있음을 알아야 한다. 인덕터(42), 회로(50) 및 회로(60)에 의해 제공된 유효 인덕턴스는, 도 1에서의 가변 인덕터(68)로서 대안적으로 지정된다. 도시된 바와 같이, 스위치(66)는 회로(50)로부터의 제어 신호에 응답하는 각각의 반도체 유형이지만, 다른 실시예에서, 스위치(66)는 상이한 유형일 수 있다. 더욱이, 각각의 스위치(66)는 개별적으로 또는 임의의 조합으로, 참조 번호(69)에 의해 지정된 바와 같은 인덕턴스 선택 디바이스로서 동작가능하다.
전술한 바와 같이, 인덕터(42)는 VCO(40)의 동작의 주파수 범위(또는 대역)을 정의하는데 이용되며, 조절 회로(44)에 의해 그러한 범위내의 동작 주파수 조절이 수행된다. 따라서, 부회로(43)에 의해 실현되는 바와 같이, 인덕터(42)의 유효 인덕턴스를 변화시킴으로써, VCO(40)에 대한 동작의 상이한 주파수 범위가 선택될 수 있다. 도시된 구현의 경우, 회로(50)는 각각의 스위치(66)의 상태를 제어하여, 인덕터(42)와 하나 이상의 인덕터(62) 사이의 상호 인덕턴스의 정도를 선택하며, 따라서, VCO(40)에 대한 상이한 동작 주파수 대역의 선택을 제공하게 된다. 하나의 방안하에서, 가변 인덕터(68)에 의해 VCO(40)에 대한 인덕턴스를 변화시킴으로써, 동일한 가변 캐패시턴스 배열이 이용될 때, 상대적으로 더욱 큰 동작 범위가 실현될 수 있다. 대안적으로, VCO(40)에 의해 이용된 가변 캐패시턴스의 범위는, 가변 인덕터(68)의 조절을 통해 동일한 유효 동작 주파수 범위를 여전히 제공하면서, 감소될 수 있다. 가변 캐패시턴스 범위 감소 방안이 선택된다면, 가변 캐패시턴스 회로의 적어도 일부가 잠재적으로 제거되어, 보다 단순하고 덜 복잡한 설계를 제공할 수 있다. 다른 실시예에서, 이들 방안의 조합을 이용할 수 있다. 다른 실시예에서, 가변 캐패시턴스 회로가 존재하지 않을 수 있다.
도 2를 참조하면, 디바이스(20)가 부분 단면도에서 플립칩 구조(21)로서 더 도시되며, 여기서, 유사한 참조 번호는 유사한 특징을 나타낸다. 구조(21)는, 각각 능동(active) 다이(22a) 및 수동(passive) 다이(24a) 형태로 된 기판(22, 24)을 포함한다. 기판(22)은 면(23b)과 대향하는 면(23a)을 포함하고, 기판(24)은 면(25b)과 대향하는 면(25a)을 포함한다. 기판(22, 24)은 서로에 대하여, 면들(23b, 25b) 사이에 대향하는 이격 관계를 형성하도록 배열된다. 인덕터(42)는 기판(22)의 면(23b)으로 지지되고, 기판(24)의 면(25b) 쪽으로 연장된다. 인덕터(62)는 기판(24)의 면(25b)으로 지지되고, 기판(22)의 면(23b) 쪽으로 각각 연장된다. 인덕터(42, 62)는 각각 단면으로 도시된다. 다르게 나타내지 않는 한, 수식어 "능동" 및 "수동"은 상보적인 용어로서, 이용된 대응하는 전기 전력 소스를 지칭하는데 이용되며, 주어진 구성요소 유형 또는 구성요소 기능일 필요는 없다. 비제한적인 예에서, 능동 다이(22)의 인덕터(42)와의 전자기적 접속은 전기 전력을 수동 다이(24)상의 회로(61)에 제공하며, 회로(61)는 반도체 구성요소를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 다이(22a 및/또는 24a)는 전적으로 수동 또는 능동이 아닐 수 있다.
능동 다이(22)는 받침(pedestal)(70)상에 탑재된다. 수동 다이(24)는 구조(72a, 72b)를 지지부(74a, 74b)에 각각 접속함으로써 탑재되어, 인덕터(42)와 인덕터(62) 사이에 인터페이스를 제공한다. 또한, 도 3을 참조하면, 도 2의 뷰 라인 3--3에 대하여 인덕터(42, 62)의 뷰가 제공되며, 유사한 참조 번호는 유사한 특징을 나타낸다. 인덕터(42, 62) 각각은 대략적으로 원형이고, 십자선의 교차부에 의해 나타낸 기준 점 P에 대하여 중심을 두고 있다. 원형에서의 약간의 불연속성이 인덕터 단자(82)에서 제공되며, 단자들 사이의 분리는 명료성을 위해 과장된 형태로 도시된다. 인덕터(42) 및 인덕터(62)는 각각 2개의 단자(82)를 포함한다. 인덕터(42)의 단자(82)에서, 회로(41)에 대한 전기 접속이 제공되고, 인덕터(62)의 단자(82)에서 대응하는 회로(61)에 대한 전기 접속이 제공된다.
인덕터(42, 62)는 각각, 기준 평면 R에 대하여 일반적으로 평탄하다. 기준 평면 R은 도 3의 뷰 평면에 대응한다. 기준 점 P는 기준 평면 R과 일치한다. 인덕터(42, 62) 각각은 기준 평면 R과 일치하거나 또는 평행한 공통 평면과 교차함을 이해해야 한다. 대응하여, 이러한 공통 평면에 포함된 라인을 따라 인덕터(42, 62) 쪽으로 관찰되는 바와 같이, 인덕터(42)는 인덕터(62)와 중첩된다. 인덕터(42, 62)는 각각, 기준 점 P에 대해 적어도 270°회전되는 평면 R을 따른 전반적으로 평탄한 경로를 따른다. 이러한 경로는 인덕터(42, 62)에 대해 위치된 화살표 PA의 경로에 의해 상징적으로 나타내진다. 인덕터(42)의 대향 측면(84a, 84b)이 정의되고, 그 사이에 영역 A를 한정한다. 영역 A는 그 안에 인덕터(42)를 수용하기에 충분한 크기를 갖는다. 대응하여, 인덕터(62)는 인덕터(42)내에 집단적으로 위치(nesting)되고, 인덕터(62b, 62c)가 인덕터(42, 62a)내에 집단적으로 위치되며, 인덕터(62c)가 인덕터(42, 62a, 62b)내에 위치된다.
본 출원의 많은 다른 실시예가 고려된다. 예를 들어, 몇몇 대안적인 실시예에서, 인덕터, 스위치 및/또는 전기 부하에 대응하는 다소의 회로(61)를 이용하여, 원하는 인덕턴스 조절 특성을 제공할 수 있다. 다른 실시예에서, 인덕터(42, 62)의 일부 또는 전부가, 도시된 것들에 대하여 및/또는 서로간에 상이한 형태로 되거나 상이한 크기로 될 수 있다. 또한, 인덕터(42) 및/또는 임의의 인덕터(62)는 직렬 및/또는 병렬 배열에서의 다수의 구성요소의 형태일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상호 인덕턴스의 조절은 상이한 유형의 스위치, 또는 인덕터(42)에 대하여 생성된 상호 인덕턴스를 변경하도록 구성된 다른 유형의 조절가능 디바이스에 의해 제공된다. 다른 실시예에서, 임의의 기판(22, 24)은 본질상 수동 또는 능동일 수 있고, 주파수 대역을 정의하기 위한 상호 인덕턴스의 조절은 회로(58)를 이용하는 대신에 수동으로 수행되며, 다소의 기판이 이용되고/되거나, 인덕터(42)와 하나 이상의 인덕터(62) 사이의 상이한 공간적 관계가 형성된다. 다른 실시예에서, 임의의 전술한 변화를 갖거나 갖지 않는 가변 인덕터를 이용하여, 비(non)-VCO 회로에서의 조절가능 인덕턴스를 제공한다. 이들 대안은 단지 몇 가지의 가능성만을 나타낸다.
본 발명은 도면 및 전술한 설명에서 상세히 도시 및 기술되었지만, 그것은 예시적인 것이며 특성상 제한적인 것이 아니고, 단지 선택적인 실시예가 도시 및 기술된 것이며, 앞에서 기술되고/되거나 이하의 특허 청구 범위에 의해 기술된 본 발명의 사상내에 속하는 모든 변경, 수정 및 등가물이 보호될 것이 요망됨을 이해해야 한다.

Claims (25)

  1. 전압 제어 발진기 회로(41)를 지지하는 제 1 기판(22) 및 인덕턴스 조절 회로(60)를 지지하는 제 2 기판(24)을 포함하는 전자 디바이스(20)를 이용하는 단계―상기 전압 제어 발진기 회로(41)는 제 1 인덕터(42)를 포함하고, 상기 인덕턴스 조절 회로(60)는 제 2 인덕터(62)를 포함함―와,
    상기 제 1 인덕터(42) 및 상기 제 2 인덕터(62)를 전자기적으로 접속하여, 그 사이에 상호 인덕턴스를 제공하는 단계와,
    상기 제 1 인덕터(42) 및 상기 제 2 인덕터(62)의 접속 동안, 상기 상호 인덕턴스의 함수로서 결정된 제 1 주파수 범위로 상기 전압 제어 발진기 회로(41)를 동작시키는 단계와,
    상기 인덕턴스 조절 회로(60)를 이용하여, 상기 제 2 인덕터(62)의 동작을 변화시켜, 상기 제 1 인덕터(42)와 상기 제 2 인덕터(62) 사이의 상기 인덕턴스를 변경하는 단계와,
    상기 제 2 인덕터(62)의 동작이 변화된 후에, 상기 제 1 주파수 범위와는 상이한 제 2 주파수 범위로 상기 전압 제어 발진기 회로(41)를 동작시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 변화시키는 단계는 상기 제 1 인덕터(42)와 상기 제 2 인덕터(62) 사이의 상기 상호 인덕턴스를 감소시키는 단계를 포함하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 감소시키는 단계는 상기 제 2 인덕터(62)에 접속된 스위치(66)를 개방함으로써 수행되는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕턴스 조절 회로(60)는 제 3 인덕터(62)를 포함하고,
    상기 제 3 인덕터(62)와 상기 제 1 인덕터(42) 사이에 상이한 상호 인덕턴스를 형성하는 단계와,
    상기 형성 단계로부터 초래된 제 3 주파수 범위에 걸쳐 상기 전압 제어 발진기 회로(41)를 동작시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압 제어 발진기 회로(41)에 포함된 하나 이상의 구성요소로 형성된 캐패시턴스를 변화시킴으로써, 상기 제 1 주파수 범위내에서 상기 전압 제어 발진 기 회로(41)의 주파수를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕턴스 조절 회로(60)는 둘 이상의 인덕터를 포함하고, 상기 제 2 인덕터(62)는 상기 둘 이상의 인덕터 중 하나이며, 상기 둘 이상의 인덕터는 상기 제 1 인덕터(42)에 대하여 상이한 상호 인덕턴스 관계의 선택을 제공하도록 구성되고, 상기 상이한 상호 인덕턴스 관계는 상기 전압 제어 발진기 회로(41)의 동작 주파수 범위를 변화시키도록 선택가능하며, 상기 제 1 기판(22) 및 상기 제 2 기판(24)은 대향하는 관계로 함께 어셈블링되는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 상이한 상호 인덕턴스 관계 중 하나를 선택하여, 원하는 인덕턴스를 상기 전압 제어 발진기 회로(41)에 제공하는 단계와,
    상기 원하는 인덕턴스에 따라 결정된 제 3 주파수 범위에 걸쳐 상기 전압 제어 발진기 회로(41)를 동작시키는 단계와,
    상기 전압 제어 발진기 회로(41)의 하나 이상의 구성요소를 갖는 캐패시턴스를 변화시켜, 상기 제 3 주파수 범위내에서 주파수를 조절하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제 1 기판(22)과,
    상기 제 1 기판(22)과 대향하는 관계로 어셈블링된 제 2 기판(24)과,
    상기 제 1 기판(22)상에 지지되는 제 1 인덕터(42)를 포함하는 전압 제어 발진기 회로(41)와,
    인덕턴스 선택 디바이스(69) 및 제 2 인덕터(62)를 포함하는 인덕턴스 조절 회로(60)를 포함하되,
    상기 제 2 인덕터(62)는 상기 제 2 기판(24)상에 지지되고, 상기 인덕턴스 선택 디바이스(69)는 장치의 동작 동안에 상기 제 1 인덕터(42)와 상기 제 2 인덕터(62) 사이의 상호 인덕턴스를 변경함으로써, 상기 전압 제어 발진기 회로(41)에 대한 다수의 상이한 인덕턴스 값들 사이에서 선택하도록 구성되며, 상기 상이한 인덕턴스 값 각각은, 선택되는 경우, 상기 전압 제어 발진기 회로(41)에 대한 다수의 대응하는 동작 주파수 범위들 중 상이한 하나를 형성하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 인덕턴스 선택 디바이스(69)는 상기 제 2 인덕터(62)와 직렬로 접속된 스위치(66)를 포함하고, 상기 상호 인덕턴스는 상기 스위치(66)를 폐쇄 상태가 되도록 하여 폐쇄 회로를 형성함으로써 형성되며, 상기 상호 인덕턴스는 상기 스위치(66)를 개방 상태가 되도록 하여 개방 회로를 형성함으로써 감소 또는 제거되는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 인덕터(42) 및 상기 제 2 인덕터(62) 중 적어도 하나는 각각 전반적으로 평탄하며, 각각 동일 평면상의 기준 점에 대해 적어도 270°회전되는 기준 평면을 따른 경로를 따르는 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 인덕터(42) 및 상기 제 2 인덕터(62) 중 하나는 소정 영역의 대향 측면들을 한정하는 기준 평면을 따른 경로를 따르고, 상기 영역은 상기 제 1 인덕터(42) 및 상기 제 2 인덕터(62) 중 다른 것이 뒤따르는 기준 평면을 따른 경로를 포함하기에 충분한 크기를 갖는 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 인덕터(42)는 제 1 기판(22)의 면(23b)상에 지지되고, 상기 제 2 인덕터(62)는 제 2 기판(24)의 면(25b)상에 지지되며, 상기 제 2 기판(24)의 면(25b)은 상기 제 1 기판(22)의 면(23b)과 대향하고, 상기 인덕턴스 조절 회 로(60)는 상기 제 2 기판(24)의 면(25b)상에 지지된 다수의 상이한 인덕터(62)를 포함하며, 상기 상이한 인덕터(62)는 제 2 인덕터(62)를 포함하고, 상기 인덕턴스 조절 회로(60)는 상기 상이한 인덕턴스 값에 대응하여 상기 제 1 인덕터(22)에 대하여 다수의 상이한 상호 인덕턴스 관계를 선택적으로 제공하는 수단을 포함하는 장치.
  13. 제 14 항에 있어서,
    상기 전압 제어 발진기 회로(41)는 상기 동작 주파수 범위들 각각의 이내에서 주파수를 조절하는 수단을 포함하는 장치.
  14. 전자 디바이스(20)를 제조하는 방법에 있어서,
    인덕터(42)를 포함하는 디바이스 회로(32)를 갖는 제 1 기판(22) 및 다수의 다른 인덕터(62)를 포함하는 인덕턴스 조절 회로(60)를 갖는 제 2 기판(24)을 제공하는 단계와,
    선택적 기반으로 상기 인덕터(42)와 하나 이상의 상기 다른 인덕터(62)의 원하는 형태의 전자기적 접속을 제공하도록 설계된 공간적 관계로, 상기 제 1 기판(22) 및 상기 제 2 기판(24)을 함께 어셈블링하는 단계와,
    상기 다른 인덕터(62)를 배열하여, 상기 인덕터(42)와의 상이한 상호 인덕턴 스 관계의 선택을 제공하는 단계―상기 상이한 상호 인덕턴스 관계 각각은 가변 인덕턴스를 제공하도록 상기 전자 디바이스(20)의 동작 동안에 선택가능함―를 포함하는
    전자 디바이스 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 동작 회로는 상기 제 1 인덕터(42)로부터 제공된 인덕턴스에 의존하는 주파수 범위를 갖는 전압 제어 발진기(40)를 정의하는 전자 디바이스 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 주파수 범위내에서 상기 전압 제어 발진기(40)의 동작 주파수를 조절하기 위해 캐패시턴스를 변화시키도록 동작가능한 하나 이상의 구성요소를 갖는 상기 전압 제어 발진기(40)를 정의하는 단계를 포함하는 전자 디바이스 제조 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 배열하는 단계는 상기 다른 인덕터(62) 각각과 직렬로 각각 접속되는 다수의 상이한 스위치(66)를 제공하는 단계를 포함하되, 상기 상이한 스위치(66) 각각은 상기 다른 인덕터(62) 각각에 대하여 폐쇄 또는 개방 회로 경로 사이에서 선택하도록 동작가능하여, 상기 상이한 상호 인덕턴스 관계들 사이에서 대응적으로 선택하도록 하는 전자 디바이스 제조 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 다른 인덕터(62)는 각각 평탄하고, 서로에 대하여 네스팅(nesting) 관계로 배열되는 전자 디바이스 제조 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 다른 인덕터(62)의 수는 적어도 3개인 전자 디바이스 제조 방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 인덕터(42)는 제 1 기판(22)의 면(23b)상에 지지되고, 상기 다른 인덕터(62)는 제 2 기판(24)의 면(25b)상에 지지되며, 상기 제 1 기판(22)의 면(23b)은 상기 제 2 기판(24)의 면(25b)과 대향하고, 상기 인덕터(42)는 동일 평면상의 기준 점에 대해 적어도 270°회전되는 평탄한 경로를 따르는 전자 디바이스 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 다른 인덕터(62) 각각은 공통 점에 대해 적어도 270°회전되는 다수의 대략적 동일 평면상의 경로 중 대응하는 하나를 따르는 전자 디바이스 제조 방법.
  22. 제 14 항에 있어서,
    반도체 물질로부터 상기 제 1 기판(22)을 제조하는 단계와,
    상기 제 1 기판(22)으로 지지되는 다수의 반도체 디바이스를 형성하는 단계―상기 반도체 디바이스 각각은 상기 디바이스 회로(32)에 포함됨―를 포함하는 전자 디바이스 제조 방법.
  23. 제 1 기판(22)상에 지지되는 인덕터(42)를 포함하는 전압 제어 발진기(40)와,
    제 2 기판(24)상에 지지되는 하나 이상의 다른 인덕터(62)―상기 제 2 기판(24)은 선택적 기반으로 상기 인덕터(42)와 상기 하나 이상의 다른 인덕터(62) 사이에 전자기적 접속을 제공하도록 정의된 공간적 관계로, 상기 제 1 기판(22) 및 상기 제 2 기판(24)을 위치시키도록 상기 제 1 기판(22)과 함께 어셈블링됨―와,
    상기 전압 제어 발진기(40)의 주파수 범위를 변화시키는 수단―상기 변화시 키는 수단은 상기 인덕터(42)와 상기 하나 이상의 다른 인덕터(62) 사이의 상호 인덕턴스를 변경함으로써, 상기 전압 제어 발진기(40)에서의 인덕턴스를 조절하는 수단을 포함함―을 포함하는 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 전압 제어 발진기(40)의 동작 주파수를 상기 주파수 범위내에서 변화시키는 수단을 더 포함하는 장치.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 다른 인덕터(62)는, 그 수가 적어도 3개이며, 서로에 대해 대략적 동일 평면상의 네스팅 관계로 배열되는 장치.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2467931A (en) * 2009-02-19 2010-08-25 Cambridge Silicon Radio Ltd Tuning circuit with mutually coupled inductors
US8058934B2 (en) * 2009-06-03 2011-11-15 Qualcomm Incorporated Apparatus and method for frequency generation
US8384507B2 (en) * 2010-06-01 2013-02-26 Qualcomm Incorporated Through via inductor or transformer in a high-resistance substrate with programmability
CN102306642A (zh) * 2011-09-22 2012-01-04 华东师范大学 一种电感值可调的片上集成电感
EP2648193B1 (en) 2012-04-03 2015-07-29 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) An inductor layout, and a voltage-controlled oscillator (VCO) system
EP3223309B1 (en) 2013-10-16 2020-07-08 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Transceiver, receiver and communication device with tunable inductor arrangement
HUE052115T2 (hu) 2013-10-16 2021-04-28 Ericsson Telefon Ab L M Adó-vevõ, vevõ és kommunikációs eszköz kapcsolóelrendezéssel
CN110166003A (zh) * 2019-05-09 2019-08-23 重庆大学 基于片上连续可调电感的压控振荡器
US10763921B1 (en) 2019-09-11 2020-09-01 Nxp B.V. Near-field electromagnetic induction device
DE102020100939A1 (de) * 2020-01-16 2021-07-22 Turck Holding Gmbh Näherungsschalter und Verfahren zur Detektion eines zu erfassenden Objektes

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582736A (ja) * 1991-07-15 1993-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd インダクタ
US6121850A (en) * 1998-08-19 2000-09-19 International Business Machines Corporation Digitally adjustable inductive element adaptable to frequency tune an LC oscillator
US6255913B1 (en) * 1999-10-04 2001-07-03 Agere Systems Guardian Corp. Variable frequency oscillator circuit
US7460001B2 (en) * 2003-09-25 2008-12-02 Qualcomm Incorporated Variable inductor for integrated circuit and printed circuit board

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