KR20070080540A - Thin film transistor panel and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,1 is a layout view of a thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II'-II''-II''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 2 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 1 taken along the line II-II'-II ''-II '' ',
도 3은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 3 is a layout view of a thin film transistor array panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV'-IV''-IV''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 4 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 3 taken along the line IV-IV'-IV ''-IV '' '.
도 5, 도 7, 도 10, 도 12는 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판을 차례로 도시한 배치도이고, 5, 7, 10, and 12 are layout views sequentially showing thin film transistor array panels at an intermediate stage of a method of manufacturing the thin film transistor array panels shown in FIGS. 1 and 2 according to an embodiment of the present invention;
도 6은 도 5의 박막 트랜지스터 표시판을 VI-VI'-VI''-VI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 6 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 5 taken along the line VI-VI′-VI ″ -VI ′ ″.
도 8은 도 7의 박막 트랜지스터 표시판을 VIII-VIII'-VIII''-VIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 8 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 7 taken along a line VIII-VIII'-VIII ''-VIII '' ',
도 9a 내지 도 9f는 도 7 및 도 8에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정을단계별로 나타낸 단면도이고,9A through 9F are cross-sectional views illustrating a process of forming an intermediate structure of the TFT panel shown in FIGS. 7 and 8.
도 11은 도 10의 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI'-XI''-XI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 11 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 10 taken along the line XI-XI′-XI ″ -XI ′ ″.
도 13은 도 12의 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII'-XIII''-XIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 13 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 12 taken along the line XIII-XIII'-XIII ''-XIII '' ',
도 14 및 도 17은 도 3 및 도 4에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 다른 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판을 도시한 배치도이고, 14 and 17 are layout views showing the thin film transistor array panel at an intermediate stage of the method of manufacturing the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 3 and 4 according to another embodiment of the present invention;
도 15는 도 14의 박막 트랜지스터 표시판을 XⅤ-XⅤ'-XⅤ''-XⅤ''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 15 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 14 taken along the line XV-XV′-XV ″ -XV ′ ″.
도 16a 내지 도 16f는 도 14 및 도 15에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이고,16A through 16F are cross-sectional views illustrating a process of forming an intermediate structure of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 14 and 15.
도 18은 도 17 의 박막 트랜지스터 표시 표시판을 XVIII-XVIII'-XVIII''-XVIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 18 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 17 taken along the lines XVIII-XVIII'-XVIII ''-XVIII '' ',
도 19는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 19 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 20은 도 19의 박막 트랜지스터 표시판을 XX-XX'-XX''-XX''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,20 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 19 taken along a line XX-XX'-XX ''-XX '' '.
도 21, 도 23 및 도 26은 도 19 및 도 20에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판을 도시한 배치도이고, 21, 23 and 26 are layout views showing the thin film transistor array panel at an intermediate stage of the method for manufacturing the thin film transistor array panel shown in FIGS. 19 and 20 according to an embodiment of the present invention;
도 22는 도 21의 박막 트랜지스터 표시판을 XXII-XXII'-XXII''-XXII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 22 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 21 taken along a line XXII-XXII'-XXII ''-XXII '' '.
도 24는 도 23의 박막 트랜지스터 표시판을 XXIV-XXIV'-XXIV''-XXIV''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 24 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 23 taken along a line XXIV-XXIV'-XXIV ''-XXIV '' '.
도 25a 내지 도 25f는 도 23 및 도 24에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이고,25A to 25F are cross-sectional views illustrating a process of forming an intermediate structure of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 23 and 24.
도 27은 도 26의 박막 트랜지스터 표시판을 XXVII-XXVII'-XXVII''-XXVII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, FIG. 27 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 26 taken along the line XXVII-XXVII'-XXVII ''-XXVII '' ',
도 28은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이고,28 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 29는 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 표시 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고, FIG. 29 is an example of a layout view of a portion of a display area in the thin film transistor array panel of the liquid crystal display illustrated in FIG. 28.
도 30은 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 구동 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고, FIG. 30 is an example of a layout view illustrating a portion of a driving region in the thin film transistor array panel of the liquid crystal display illustrated in FIG. 28.
도 31은 도 30 및 도 2930의 박막 트랜지스터 표시판을 XXXI-XXXI'-XXXI''-XXXI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 31 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIGS. 30 and 2930 taken along a line XXXI-XXXI'-XXXI ''-XXXI '' ',
도 32, 도 33, 도 35, 그리고 도 36은 도 31에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판 도시한 단면도이고, 32, 33, 35, and 36 are cross-sectional views of a thin film transistor array panel at an intermediate stage of a method of manufacturing the thin film transistor array panel illustrated in FIG. 31 according to an embodiment of the present invention;
도 34a 내지 도 34f는 도 33의 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성 하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이고,34A through 34F are cross-sectional views illustrating a process of forming an intermediate structure of the thin film transistor array panel of FIG. 33.
도 37는 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 표시 영역의 일부를 도시한 배치도의 다른 한 예이고, FIG. 37 is another example of the layout view of a portion of the display area of the thin film transistor array panel of the liquid crystal display illustrated in FIG. 28.
도 38은 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 구동 영역의 일부를 도시한 배치도의 다른 한 예이고,FIG. 38 is another example of a layout view illustrating a portion of a driving region in the thin film transistor array panel of the liquid crystal display illustrated in FIG. 28.
도 39는 도 38 및 도 38의 배치도를 XXXIX-XXXIX'-XXXIX''-XXXIX''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 39 is a cross-sectional view of the layout views of FIGS. 38 and 38 taken along a line XXXIX-XXXIX'-XXXIX``-XXXIX '' '.
<도면 부호의 설명><Description of Drawing>
60...노광 마스크 61: 기판60.Exposure Mask 61: Substrate
62: 불투명 부재62: opaque member
81, 82...접촉 보조 부재 83...연결 다리81, 82 ...
110...기판110 ... substrate
121...게이트선 124...게이트 전극121 Gate
125, 126, 127, 128...게이트층 신호 전달선125, 126, 127, 128 ... gate layer signal line
129...게이트 패드129 ... gate pad
131...유지 전극선 133a, 133b...유지 전극131
140...게이트 절연막140 gate insulating film
141, 142a-142c, 181, 182, 183a, 183b, 185...접촉 구멍141, 142a-142c, 181, 182, 183a, 183b, 185 ... contact hole
150...진성 비정질 규소층150.Intrinsic Amorphous Silicon Layer
151, 154, 156a, 156b, 158...반도체151, 154, 156a, 156b, 158 ... semiconductor
160...불순물 비정질 규소층 160.Impurity amorphous silicon layer
161, 163, 165, 166a, 166b, 168...저항성 접촉 부재161, 163, 165, 166a, 166b, 168 ... resistive contact members
164: 불순물 반도체164: impurity semiconductor
171...데이터선 172a-172c...데이터층 신호 전달선171
173...소스 전극 174: 데이터 도전체173 Source electrode 174: data conductor
175...드레인 전극 176a, 176b...보강 부재175
178... 접촉 매개 부재 179...데이터 패드178 ... Contact
180...보호막180 ... Shield
191...화소 전극 400, 410...감광막191
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor array panel for a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.
일반적으로 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극과 편광판이 구비된 한 쌍의 표시판 사이에 위치한 액정층을 포함한다. 전기장 생성 전극은 액정층에 전기장을 생성하고 이러한 전기장의 세기가 변화함에 따라 액정 분자들의 배열이 변화한다. 예를 들면, 전기장이 인가된 상태에서 액정층의 액정 분자들은 그 배열을 변화시켜 액정층을 지나는 빛의 편광을 변화시킨다. 편광판은 편광된 빛을 적절하게 차단 또는 투과시켜 밝고 어두운 영역을 만들어냄으로써 원하는 영상을 표시한다.In general, a liquid crystal display device includes a liquid crystal layer positioned between a field generating electrode and a pair of display panels provided with a polarizing plate. The field generating electrode generates an electric field in the liquid crystal layer and the arrangement of liquid crystal molecules changes as the intensity of the electric field changes. For example, the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer in the state in which the electric field is applied to change the polarization of the light passing through the liquid crystal layer. The polarizer displays a desired image by appropriately blocking or transmitting polarized light to create bright and dark areas.
이러한 액정 표시 장치는 스위칭 소자를 포함하는 화소와 표시 신호선이 구비된 표시판, 그리고 표시 신호선 중 게이트선에 게이트 신호를 내보내어 화소의 스위칭 소자를 턴온/턴오프하는 복수의 스테이지를 가지는 게이트 구동부를 포함한다.Such a liquid crystal display includes a pixel including a switching element, a display panel having a display signal line, and a gate driver having a plurality of stages that turn on / off a switching element of a pixel by sending a gate signal to a gate line among the display signal lines. do.
게이트 구동부의 스테이지에는 게이트 온/오프 전압, 클록 신호 등이 입력되어 이들 신호는 각 스테이지 한쪽 편에 연결되어 있는 신호선으로 공급된다. A gate on / off voltage, a clock signal, and the like are input to the stage of the gate driver, and these signals are supplied to a signal line connected to one side of each stage.
게이트 구동부는 기판 위에 직접 집적되어 있을 수 있는데, 이 경우 게이트선이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다. 이 때, 게이트 구동부의 게이트 배선과 데이터 배선을 서로 연결하기 위하여, 게이트 배선을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, ITO 등으로 이루어진 연결 부재를 이용하여 접촉 구멍을 통하여 게이트 배선과 데이터 배선을 연결하게 된다.The gate driver may be directly integrated on the substrate. In this case, the gate line may be extended to be directly connected to the substrate. At this time, in order to connect the gate wiring of the gate driver and the data wiring to each other, a contact hole that exposes the gate wiring is formed, and the gate wiring and the data wiring are connected through the contact hole using a connecting member made of ITO or the like.
반면에, 게이트 구동부가 기판 외부에 형성되어 있는 경우, 게이트 온/오프 전압을 게이트 구동부의 스테이지에 공급하기 위해서는 온/오프 신호선과 게이트 구동부의 각 스테이지를 연결하는 패드부가 필요하다. 이 때, 이러한 패드부와 신호선을 연결하기 위하여, 신호선을 드러내는 접촉 구멍을 형성하고, ITO 등으로 이루어진 연결 부재를 이용하여 접촉 구멍을 통하여 신호선과 게이트 구동부의 각 스테이지를 연결하게 된다.On the other hand, when the gate driver is formed outside the substrate, in order to supply the gate on / off voltage to the stage of the gate driver, a pad unit connecting the on / off signal line and each stage of the gate driver is required. At this time, in order to connect the pad portion and the signal line, a contact hole exposing the signal line is formed, and each stage of the signal line and the gate driver is connected through the contact hole using a connection member made of ITO or the like.
한편, 표시 장치의 면적이 커짐에 따라, 신호선 또한 길어지고 그에 따라 저항이 커진다. 이와 같이 저항이 커지면 신호 지연 또는 전압 강하 따위의 문제가 생길 수 있고 이를 해결하기 위해서는 비저항이 낮은 재료로 신호선을 형성할 필요 가 있다.On the other hand, as the area of the display device becomes larger, the signal lines also become longer and accordingly the resistance becomes larger. As the resistance increases, problems such as signal delay or voltage drop may occur. To solve this problem, it is necessary to form a signal line with a material having a low specific resistance.
비저항이 낮은 재료 중 하나가 알루미늄(Al)을 포함하는 합금이며, 일반적으로 다른 금속과 함께 다중막의 형태로 신호선을 이룬다.One of the materials with low resistivity is an alloy containing aluminum (Al), and generally forms a signal line in the form of a multilayer with other metals.
그러나 알루미늄을 포함하는 신호선이 표시 장치의 화소 전극이나 연결 부재로 사용되는 ITO 등과 접촉하게 되면, 알루미늄이 산화 및 부식될 수 있다.However, when the signal line including aluminum contacts the pixel electrode of the display device or the ITO used as the connecting member, the aluminum may be oxidized and corroded.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하는 것으로서, 알루미늄을 포함하는 신호선 또는 게이트 패드부와 ITO 등과의 접촉에 의한 산화 및 부식을 방지할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve this problem, and to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent oxidation and corrosion caused by contact between a signal line or gate pad part including aluminum and ITO. It is.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선, 상기 제1 신호선 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 신호선의 일부를 노출하는 제1 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 제1 반도체, 상기 제1 반도체 위에 형성되어 있는 제2 신호선, 상기 제1 반도체 위에 형성되어 있으며 상기 제2 신호선과 떨어져 있는 드레인 전극, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 신호선과 연결되어 있는 도전체, 상기 제2 신호선, 상기 드레인 전극 및 상기 도전체 위에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 제2 접촉 구멍을 가지는 보호막, 그리고 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함할 수 있다.A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes a gate insulating film having a substrate, a first signal line formed on the substrate, and a first contact hole formed on the first signal line and exposing a portion of the first signal line. A first semiconductor formed on the gate insulating film, a second signal line formed on the first semiconductor, a drain electrode formed on the first semiconductor and spaced apart from the second signal line, and formed on the gate insulating film, A protective layer having a conductor connected to the first signal line through the first contact hole, the second signal line, the drain electrode, and a second contact hole formed on the conductor and exposing the drain electrode; And a drain electrode formed through the second contact hole. It may include a pixel electrode that is determined.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 보호막은 상기 도전체의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍을 더 가지고, 상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 보호막 위에 형성되어 있고 상기 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 도전체와 연결되어 있는 접촉 보조 부재를 더 포함하며, 상기 제1 신호선은 상기 제1 반도체 아래에 위치하는 게이트 전극을 포함할 수 있다.The thin film transistor array panel further includes a third contact hole in which the passivation layer exposes a portion of the conductor, and the thin film transistor array panel is formed on the passivation layer and is connected to the conductor through the third contact hole. The semiconductor device may further include a member, and the first signal line may include a gate electrode positioned below the first semiconductor.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 게이트 절연막 아래에 형성되어 있으며, 상기 제1 반도체 아래에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 제3 신호선, 그리고 상기 도전체 및 상기 제3 신호선과 연결되어 있는 게이트 구동 회로를 더 포함할 수 있다.The thin film transistor array panel further includes a third signal line formed under the gate insulating layer, the third signal line including a gate electrode disposed under the first semiconductor, and a gate driving circuit connected to the conductor and the third signal line. can do.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 제1 신호선의 노출된 부분과 상기 도전체 사이에 형성되어 있는 제2 반도체를 더 포함하고, 상기 제2 반도체는 상기 제1 접촉 구멍과 정렬된 제4 접촉 구멍을 가지며, 상기 도전체는 상기 제1 및 제4 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 신호선과 연결될 수 있다.The thin film transistor array panel further includes a second semiconductor formed between the exposed portion of the first signal line and the conductor, the second semiconductor having a fourth contact hole aligned with the first contact hole, The conductor may be connected to the first signal line through the first and fourth contact holes.
상기 제2 반도체의 평면 모양은 상기 제4 접촉 구멍을 제외하면 상기 도전체의 평면 모양과 실질적으로 동일할 수 있다.The planar shape of the second semiconductor may be substantially the same as the planar shape of the conductor except for the fourth contact hole.
상기 제1 반도체는 상기 제2 신호선 및 상기 드레인 전극을 따라 연장되며, 상기 제2 신호선 및 상기 드레인 전극의 평면 모양은 그 아래 놓인 상기 제1 반도체 부분의 평면 모양과 실질적으로 동일할 수 있다.The first semiconductor may extend along the second signal line and the drain electrode, and the planar shape of the second signal line and the drain electrode may be substantially the same as the planar shape of the first semiconductor portion underlying it.
상기 박막 트랜지스터 표시판은 상기 제1 신호선과 동일한 층으로 이루어지 며 상기 화소 전극과 중첩하는 유지 전극, 상기 게이트 절연막 위의 상기 유지 전극 위에 형성되어 있는 제3 반도체를 더 포함할 수 있다.The thin film transistor array panel may further include a storage electrode formed of the same layer as the first signal line and overlapping the pixel electrode, and a third semiconductor formed on the storage electrode on the gate insulating layer.
상기 제1 신호선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제1 도전막을 포함하는 할 수 있다.The first signal line may include a first conductive layer made of aluminum or an aluminum alloy.
상기 제1 신호선은 상기 제1 도전막 아래에 위치하며 크롬, 몰리브덴, 크롬 합금, 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 제2 도전막을 더 포함할 수 있다.The first signal line may further include a second conductive layer disposed under the first conductive layer and made of chromium, molybdenum, chromium alloy, or molybdenum alloy.
상기 제1 접촉 구멍을 통하여 노출되어 있는 상기 제1 신호선의 노출된 부분은 상기 제1 도전막을 포함하지 않을 수 있다.An exposed portion of the first signal line exposed through the first contact hole may not include the first conductive layer.
상기 제1 접촉 구멍은 상기 제1 신호선의 경계를 노출할 수 있다.The first contact hole may expose a boundary of the first signal line.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 제1 신호선을 형성하는 단계, 상기 제1 신호선 위에 게이트 절연막을 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 진성 비정질 규소층을 적층하는 단계, 상기 비정질 규소층 위에 불순물 비정질 규소층을 적층하는 단계, 상기 불순물 비정질 규소층 위에 위치에 따라 두께가 다르며 상기 불순물 비정질 규소층의 제1 부분을 노출하는 감광막을 형성하는 단계, 상기 감광막을 마스크로 삼아 상기 불순물 비정질 규소층, 상기 진성 비정질 규소층 및 상기 게이트 절연막을 패터닝하여 불순물 반도체 및 진성 반도체를 형성함과 동시에 상기 게이트 절연막에 상기 제1 신호선의 일부를 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계, 상기 불순물 반도체 위에 제2 신호선 및 드레인 전극을 형성함과 동시에 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 신호선과 연결되는 도전체를 형성하는 단계, 상기 데이터선, 상기 드레인 전극 및 상기 도전체 위에 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지는 보호막을 형성하는 단계, 그리고 상기 보호막 위에 상기 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention may include forming a first signal line on a substrate, laminating a gate insulating film on the first signal line, laminating an intrinsic amorphous silicon layer on the gate insulating film, Stacking an impurity amorphous silicon layer on the amorphous silicon layer, forming a photoresist film having a different thickness depending on a position on the impurity amorphous silicon layer and exposing a first portion of the impurity amorphous silicon layer, using the photoresist as a mask Patterning the impurity amorphous silicon layer, the intrinsic amorphous silicon layer, and the gate insulating film to form an impurity semiconductor and an intrinsic semiconductor, and simultaneously forming a first contact hole in the gate insulating film to expose a portion of the first signal line; A second signal line and a drain electrode are formed on the impurity semiconductor. And forming a conductor connected to the first signal line through the first contact hole, and having a second contact hole exposing a portion of the drain electrode on the data line, the drain electrode, and the conductor. Forming a passivation layer; and forming a pixel electrode connected to the drain electrode through the second contact hole on the passivation layer.
상기 불순물 반도체, 진성 반도체 및 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계는, 상기 감광막을 식각 마스크로 하여 상기 불순물 비정질 규소층의 제1 부분과 그 아래의 진성 비정질 규소층 부분 및 게이트 절연막 부분을 식각하여 제거하는 단계, 상기 감광막의 두께를 줄여 상기 불순물 비정질 규소층의 제2 부분을 노출시키는 단계, 상기 불순물 비정질 규소층의 제2 부분과 그 아래의 진성 비정질 규소층 부분을 제거하는 단계, 그리고 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the impurity semiconductor, the intrinsic semiconductor, and the first contact hole may include etching and removing the first portion of the impurity amorphous silicon layer, the portion of the intrinsic amorphous silicon layer and the gate insulating layer below the photoresist as an etch mask. Reducing the thickness of the photoresist film to expose a second portion of the impurity amorphous silicon layer, removing the second portion of the impurity amorphous silicon layer and the portion of the intrinsic amorphous silicon layer below it, and the photoresist film It may include the step of removing.
상기 감광막 형성 단계는, 상기 감광막을 도포하는 단계, 그리고 투광 영역, 반투광 영역 및 차광 영역을 가지는 마스크를 통하여 상기 감광막을 노광하는 단계를 포함하며, 상기 투광 영역은 상기 불순물 비정질 규소층의 제1 부분에 대응하고, 상기 반투광 영역은 상기 불순물 비정질 규소층의 제2 부분에 대응할 수 있다.The forming of the photoresist film includes applying the photoresist film and exposing the photoresist film through a mask having a light transmission region, a semi-transmission region, and a light shielding region, wherein the light transmission region is a first layer of the impurity amorphous silicon layer. And a semi-transmissive region may correspond to a second portion of the impurity amorphous silicon layer.
상기 제1 접촉 구멍은 상기 불순물 비정질 규소층의 제1 부분 아래에 위치할 수 있다.The first contact hole may be located under the first portion of the impurity amorphous silicon layer.
상기 제1 신호선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제1 도전막을 포함할 수 있다.The first signal line may include a first conductive layer made of aluminum or an aluminum alloy.
상기 제1 신호선은 크롬, 몰리브덴, 크롬 합금, 또는 몰리브덴 합금으로 이루어지며 상기 제1 도전막의 아래에 위치한 제2 도전막을 포함하며, 상기 제1 접촉 구멍을 형성한 후, 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 노출된 상기 제1 신호선 부분의 제1 도전막 부분을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The first signal line is made of chromium, molybdenum, chromium alloy, or molybdenum alloy, and includes a second conductive layer disposed below the first conductive layer, and after forming the first contact hole, through the first contact hole The method may further include removing the exposed first conductive layer portion of the first signal line portion.
상기 보호막은 상기 도전체의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍을 더 가지며, 상기 화소 전극 형성 단계는 상기 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 도전체와 연결되는 접촉 보조 부재를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The passivation layer may further have a third contact hole exposing a portion of the conductor, and the forming of the pixel electrode may include forming a contact auxiliary member connected to the conductor through the third contact hole.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 제1 신호선을 형성하는 단계, 상기 제1 신호선 위에 게이트 절연막을 적층하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 진성 비정질 규소층을 적층하는 단계, 상기 비정질 규소층 위에 불순물 비정질 규소층을 적층하는 단계, 상기 불순물 비정질 규소층, 상기 진성 비정질 규소층 및 상기 게이트 절연막을 식각하여 상기 제1 신호선의 일부를 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성하는 단계, 상기 불순물 규소층 위에 도전층을 적층하는 단계, 상기 도전층 위에 위치에 따라 두께가 다른 감광막을 적층하는 단계, 상기 감광막을 마스크로 삼아 상기 도전층, 상기 불순물 비정질 규소층 및 상기 진성 비정질 규소층을 패터닝하여 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 제1 신호선과 연결되는 도전체, 제2 신호선 및 드레인 전극과 그 아래의 접촉 보조 부재 및 반도체를 형성하는 단계, 상기 데이터선, 상기 드레인 전극 및 상기 도전체 위에 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 제2 접촉 구멍을 가지는 보호막을 형성하는 단계, 그리고 상기 보호막 위에 상기 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present disclosure, a method of manufacturing a thin film transistor array panel includes forming a first signal line on a substrate, stacking a gate insulating film on the first signal line, and stacking an intrinsic amorphous silicon layer on the gate insulating film. Stacking an impurity amorphous silicon layer on the amorphous silicon layer, etching the impurity amorphous silicon layer, the intrinsic amorphous silicon layer, and the gate insulating layer to form a first contact hole exposing a portion of the first signal line; Stacking a conductive layer on the impurity silicon layer, stacking a photosensitive film having a different thickness depending on a position on the conductive layer, and using the photosensitive film as a mask to form the conductive layer, the impurity amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer. A patterning pattern connected to the first signal line through the first contact hole Forming a sieve, a second signal line and a drain electrode, and a contact auxiliary member and a semiconductor thereunder; a protective film having a second contact hole exposing a portion of the drain electrode on the data line, the drain electrode, and the conductor; And forming a pixel electrode connected to the drain electrode through the second contact hole on the passivation layer.
상기 보호막은 상기 도전체의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍을 더 가지며, 상기 화소 전극 형성 단계는 상기 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 도전체와 연결되는 접촉 보조 부재를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.The passivation layer may further have a third contact hole exposing a portion of the conductor, and the forming of the pixel electrode may include forming a contact auxiliary member connected to the conductor through the third contact hole.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a portion of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on top" of another part, this includes not only when the other part is "right over" but also when there is another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.
그러면 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II'-II''-II''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a layout view of a thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 1 taken along a line II-II'-II ''-II '' '.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.A plurality of
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 게이트 패드(129)를 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The
유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며, 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗은 줄기선과 이로부터 갈라진 복수 쌍의 제1 및 제2 유지 전극(133a, 133b)을 포함한다. 유지 전극선(131) 각각은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 줄기선은 두 게이트선(121) 중 아래쪽에 가깝다. 유지 전극(133a, 133b) 각각은 줄기선과 연결된 고정단과 그 반대쪽의 자유단을 가지고 있다. 제1 유지 전극(133a)의 고정단은 면적이 넓으며, 그 자유단은 직선 부분과 굽은 부분의 두 갈래로 갈라진다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.The
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막, 하부막과 그 위의 상부막을 포함한다. 상부막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항이 낮은 알루미늄(Al)이나 알루미늄-네오디뮴 합금(AlNd)과 같은 알루미늄 합금 따위의 알루미늄 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와의 물 리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다.The
그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 단일막 구조를 가질 수 있다.However, the
도 2에서 게이트 전극(124), 유지 전극선(131) 및 유지 전극(133a, 133b)에 대하여 하부막은 영문자 p를, 상부막은 영문자 q를 도면 부호에 덧붙여 표기하였다.In FIG. 2, for the
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 게이트 패드(129)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(141)을 가진다.A
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(poly silicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다.On the
반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.A plurality of linear and island ohmic
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.Side surfaces of the
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175) 및 복수의 접촉 매개 부재(interconnection)(178)가 형성되어 있다.A plurality of
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 또한 유지 전극선(131)과 교차하며 인접한 유지 전극(133a, 133b) 집합 사이를 달린다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 J자형으로 굽은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 데이터 패드(179)를 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중 심으로 소스 전극(173)과 마주한다. 각 드레인 전극(175)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 넓은 끝 부분은 유지 전극선(131)과 중첩하며, 막대형 끝 부분은 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.The
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.One
접촉 매개 부재(178)는 게이트 절연막(140)의 접촉 구멍(141)을 통하여 드러난 게이트 패드(129)를 덮으며 게이트 패드(129)와 접촉한다.The
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 접촉 매개 부재(178)는 크롬(Cr), 몰리브덴, 탄탈륨 및 티나늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 접촉 매개 부재(178) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다. The
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 아래의 반도체(151)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)가 데이터선(171)보다 좁지만, 앞서 설명하였듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(151)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The
데이터선(171), 드레인 전극(175), 접촉 매개 부재(178) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며, 표면이 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(151) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수도 있고, 상부막을 이루는 유기 절연물은 평탄면을 제공할 수 있어서, 보호막(180)의 표면은 평탄할 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the
보호막(180)에는 데이터선(171)의 패드(179)와 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있고, 접촉 매개 부재(178)를 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 제1 유지 전극(133a) 고정단 부근의 유지 전극선(131)의 하부막(133ap) 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183a), 그리고 제1 유지 전극(133a) 자유단 돌출부의 하부막(133bp)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(183b)이 형 성되어 있다.The passivation layer 180 is formed with a plurality of
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 연결 다리(overpass)(83) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(도시하지 않음)의 공통 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자(도시하지 않음)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The
화소 전극(191) 및 이와 연결된 드레인 전극(175)은 유지 전극(133a, 133b)을 비롯한 유지 전극선(131)과 중첩한다. 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 유지 축전기(storage capacitor)라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.The
연결 다리(83)는 게이트선(121)을 가로지르며, 게이트선(121)을 사이에 두고 반대 쪽에 위치하는 접촉 구멍(183a, 183b)을 통하여 유지 전극선(131)의 노출된 부분과 유지 전극(133b) 자유단의 노출된 끝 부분에 연결되어 있다. 유지 전극(133a, 133b)을 비롯한 유지 전극선(131)은 연결 다리(83)와 함께 게이트선(121)이나 데이터선(171) 또는 박막 트랜지스터의 결함을 수리하는 데 사용할 수 있다.The connecting
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 접촉 매개 부재(178) 및 데이터 패드(179)와 접촉하며 이들을 덮는다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 매개 부재(178) 및 데이터 패드(179)와 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact
접촉 매개 부재(178)는 알루미늄 계열 금속으로 만들어진 게이트 패드(129)와 ITO 또는 IZO와 같은 물질로 만들어진 접촉 보조 부재(181)의 사이에 끼어서 알루미늄 계열 금속과 ITO 등 사이의 접촉 불량, 예를 들면 ITO에 의한 알루미늄의 부식 등이 일어나는 것을 방지한다.The
그러면, 도 3 및 도 4를 참고로 하여 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV'-IV''-IV''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.Next, a thin film transistor array panel according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. 3 is a layout view of a thin film transistor array panel according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 3 taken along line IV-IV'-IV ''-IV '' '. .
본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조는 도 1 및 도 2에 도시한 것과 거의 동일하다.The layer structure of the thin film transistor array panel according to the present embodiment is substantially the same as that shown in FIGS. 1 and 2.
기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 게이트 전극(124) 및 게이트 패드(129)를 포함하고, 유 지 전극선(131)은 유지 전극(133a, 133b)을 포함한다. 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 접촉 특성이 좋은 하부막과 알루미늄 계열 금속의 상부막을 포함하는 이중막 구조이며, 하부막에는 도면 부호 p를, 상부막에는 도면 부호 q를 덧붙여 표기하였다. 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 접촉 구멍(141)을 가지는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151), 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다.A plurality of
저항성 접촉 부재(161, 165) 위에는 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175) 및 복수의 접촉 매개 부재(178)가 형성되어 있고 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 및 보호막(180)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191), 복수의 접촉 보조 부재(81, 82) 및 복수의 연결 다리(83)가 형성되어 있다. A plurality of
그러나, 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판과 달리, 게이트 패드(129)에서 접촉 구멍(141)을 통하여 노출된 부분의 상부막(129q)이 제거되어 하부막(129q)만 남아있다. 또한, 접촉 구멍(141)의 크기가 게이트 패드(129)보다 커서 게이트 패드(129)의 주변의 기판(110)이 노출되어 있고, 노출된 부분은 접촉 매개 부재(178)로 덮어 있다.However, unlike the thin film transistor array panel shown in FIGS. 1 and 2, the upper layer 129q of the portion exposed through the
이와 같이 게이트 패드(129)의 상부막(129q)을 제거하면, ITO 또는 IZO와의 접촉에 의한 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다.As such, when the upper layer 129q of the
도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 여러 가지 특징들이 도 3 및 도 4에 도시한 박막 트랜지스터 표시판에도 적용될 수 있다.Various features of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 1 and 2 may also be applied to the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 3 and 4.
그러면, 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 5 내지 도 13을 참조하여 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 1 and 2 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 13.
도 5, 도 7, 도 10, 도 12는 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 6은 도 5의 박막 트랜지스터 표시판을 VI-VI'-VI''-VI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 8은 도 7의 박막 트랜지스터 표시판을 VIII-VIII'-VIII''-VIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 11은 도 10의 박막 트랜지스터 표시판을 XI-XI'-XI''-XI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 13은 도 12의 박막 트랜지스터 표시판을 XIII-XIII'-XIII''-XIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 9a 내지 도 9f는 도 7 및 도 8에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이다.5, 7, 10, and 12 are layout views of a thin film transistor array panel at an intermediate stage of a method of manufacturing the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 1 and 2 according to an embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 5 taken along the line VI-VI'-VI ''-VI '' ', and FIG. 8 is a VIII-VIII'-VIII' '-VIII' of the thin film transistor array panel of FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI'-XI ''-XI '' ', and FIG. 13 is a thin film of FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of the transistor panel cut along the line XIII-XIII'-XIII " -XIII '' ', and FIGS. 9A to 9F illustrate step-by-step processes of forming the thin film transistor array panel shown in FIGS. 7 and 8. It is a cross section.
도 5 및 도 6을 참조하면, 절연 기판(110) 위에 크롬, 크롬-질소 합금, 또는 몰리브덴 등으로 이루어진 하부 도전막을 스퍼터링 등으로 적층하고, 그 위에 알루미늄 합금 등으로 이루어진 상부 도전막을 적층한다. 상부 도전막과 하부 도전막을 사진 식각하여 이중막 구조를 가지는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)을 형성한다. 각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(124) 및 게이트 패드(129)를 포함하고 각 유지 전극선(131)은 복수의 유지 전극(133a, 133b)을 포 함한다. 도면에서 하부막은 도면 부호 p를, 상부막은 도면 부호 q를 덧붙여 표기하였다.5 and 6, a lower conductive film made of chromium, chromium-nitrogen alloy, molybdenum, or the like is laminated on the insulating
다음으로, 도 7 및 도 8을 참고하면, 접촉 구멍(141)을 가지는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 진성 반도체(151) 및 복수의 선형 불순물 반도체(164)를 형성한다.Next, referring to FIGS. 7 and 8, the
그러면, 도 9a 내지 도 9f를 참고로 하여 도 7 및 도 8에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a process of forming the intermediate structure of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 7 and 8 will be described in detail with reference to FIGS. 9A to 9F.
도 9a를 참고하면, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 화학 기상 증착 등으로 연속하여 적층하고 그 위에 감광막(400)을 도포한다.Referring to FIG. 9A, the
노광 마스크(60)를 통하여 감광막(400)에 빛을 조사한 후 현상하는데, 도 9a의 위쪽에 이러한 사진 공정에 사용되는 노광 마스크(60)의 한 예가 도시되어 있다.The
노광 마스크(60)는 기판(61)과 그 위에 형성되어 있는 불투명 부재(62)를 포함한다. , 노광 마스크(60)와 기판(110)은 노광 마스크(60) 상의 불투명 부재(62)의 분포 정도에 따라 투광 영역(A), 반투광 영역(B) 및 차광 영역(C)으로 나눌 수 있다.The exposure mask 60 includes a
반투광 영역(B)에는 소정 값, 예를 들면 노광기의 분해능 이하의 너비를 가진 불투명 부재(62)가 소정 값 이하의 간격으로 배치되어 있으며 이를 슬릿(slit) 패턴이라 한다. 투광 영역(A)은 불투명 부재(62)가 전혀 없는 영역으로서 소정 값 이상의 너비를 가지며, 차광 영역(C)은 전체에 걸쳐 불투명 부재(62)로 덮여 있는 영역으로서 역시 소정 값 이상의 너비를 가진다.In the translucent region B, an opaque member 62 having a predetermined value, for example, a width less than or equal to the resolution of the exposure machine, is disposed at intervals less than or equal to the predetermined value, which is called a slit pattern. The light-transmitting region A is a region without the opaque member 62 at all and has a width greater than or equal to a predetermined value, and the light-shielding region C is a region covered with the opaque member 62 as a whole and also has a width greater than or equal to the predetermined value.
반투광 영역(B)에 슬릿(slit) 패턴을 두는 대신 격자(lattice) 패턴 또는 투과율이 중간이거나 두께가 중간인 박막이 구비될 수도 있다.Instead of providing a slit pattern in the translucent region B, a lattice pattern or a thin film having a medium transmittance or a medium thickness may be provided.
도 9b에 도시한 바와 같이, 노광 마스크(60)를 통하여 감광막(400)에 빛을 조사한 후 현상하면, 현상된 감광막(400)의 두께는 위치에 따라 다른데, 투광 영역(A)에 위치한 감광막(400) 부분은 모두 제거되고, 반투광 영역(B)에 위치한 감광막(400) 부분의 두께는 감소하고, 차광 영역(C)에서는 현상된 후에도 감광막(400) 부분의 두께가 거의 줄지 않는다.As shown in FIG. 9B, when the
이 때, 반투광 영역(B)와 차광 영역(C)에서의 감광막(400)의 두께의 비는 후속 공정에서의 공정 조건에 따라 다를 수 있는데, 반투광 영역(B)에서의 두께를 차광 영역(C)에서의 두께의 1/2 이하로 하는 것이 바람직하다.At this time, the ratio of the thickness of the
이와 같이 감광막의 두께를 달리하는 방법의 다른 예로는 리플로우(reflow)가 가능한 감광막을 사용하는 것이다. 즉, 투광 영역과 차광 영역만을 지닌 통상의 마스크로 리플로우 가능한 감광막을 형성한 다음 리플로우시켜 감광막이 잔류하지 않은 영역으로 흘러내리도록 함으로써 얇은 부분을 형성한다.As another example of the method of varying the thickness of the photoresist film, a photoresist film capable of reflow is used. That is, a thin portion is formed by forming a reflowable photosensitive film with a conventional mask having only a light transmitting area and a light blocking area, and then reflowing to allow the photosensitive film to flow down to a region in which no light remains.
다음으로, 도 9c에 도시한 바와 같이, 남아 있는 감광막(400) 부분을 식각 마스크로 사용하여 불순물 비정질 규소층(160), 진성 비정질 규소층(150) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여, 투광 영역(A)에 존재하는 불순물 비정질 규소층(160), 진성 비정질 규소층(150) 및 게이트 절연막(140)의 부분들을 제거함으로써, 게이트 절연막(140)에 게이트 패드(129)를 노출하는 접촉 구멍(141)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9C, the impurity
다음으로, 도 9d를 참고하면, 감광막(400)을 애싱(ashing)하여, 반투광 영역(B)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 제거하고, 차광 영역(C)에 배치되어 있는 감광막(400) 부분의 높이를 감소시킨다.Next, referring to FIG. 9D, the
그 후, 도 9e에 도시한 바와 같이, 차광 영역(C)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 식각 마스크로 사용하여, 불순물 비정질 규소층(160) 및 진성 비정질 규소층(150)을 식각하여, 선형 불순물 반도체(164) 및 선형 진성 반도체(151)를 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 9E, the impurity
마지막으로 도 9f에서와 같이, 차광 영역(C)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 애싱 따위로 제거한다.Finally, as shown in FIG. 9F, portions of the
이처럼, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 하나의 노광 마스크를 사용하여 패터닝하여, 선형 불순물 반도체(164) 및 선형 진성 반도체(151)를 형성함과 동시에, 게이트 패드(129)를 드러내는 게이트 절연막(140)의 접촉 구멍(141)까지 형성할 수 있어서, 추가적인 노광 마스크가 필요하지 않으므로 공정 비용이 증가하지 않는다.As such, the
다음으로, 도 10 및 도 11을 참고하면, 금속층을 스퍼터링 따위로 적층하고 사진 식각하여 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175), 그리고 복수의 접촉 매개 부재(178)를 형성한다.Next, referring to FIGS. 10 and 11, a plurality of
이어서, 선형 불순물 반도체(164)에서 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으 로 덮이지 않고 노출된 부분을 제거하여 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)를 완성하는 한편, 그 아래의 진성 반도체(154) 부분을 노출한다. Subsequently, an exposed portion of the
도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 보호막(180)을 적층하고 게이트 절연막(140)과 함께 사진 (식각) 따위로 패터닝하여, 접촉 매개 부재(178), 데이터 패드(179), 제1 유지 전극(133a) 고정단 부근의 유지 전극선(131) 일부, 제1 유지 전극(133a)의 자유단 돌출부 일부, 그리고 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)을 형성한다.12 and 13, the passivation layer 180 is laminated and patterned together with the
마지막으로, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 ITO 또는 IZO 등을 스퍼터링 따위로 적층하고 사진 식각하여 복수의 화소 전극(191), 복수의 접촉 보조 부재(81, 82) 및 복수의 연결 다리(83)를 형성한다.Lastly, as shown in FIGS. 1 and 2, the ITO or IZO, etc. are stacked on the passivation layer 180 by sputtering, and photo-etched to remove the plurality of
그러면, 도 3 및 도 4에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 14 내지 도 18을 참조하여 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 3 and 4 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 14 to 18.
도 14 및 도 17은 도 3 및 도 4에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 15는 도 14의 박막 트랜지스터 표시 표시판을 XⅤ-XⅤ'-XⅤ''-XⅤ''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 18은 도 17 의 박막 트랜지스터 표시 표시판을 XVIII-XVIII'-XVIII''-XVIII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 16a 내지 도 16f는 도 14 및 도 15에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이다.14 and 17 are layout views of a thin film transistor array panel at an intermediate stage of a method of manufacturing the thin film transistor array panel shown in FIGS. 3 and 4 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a cross-sectional view of the display panel taken along the lines XV-XV'-XV ''-XV '' ', and FIG. 18 is a cross-sectional view of the thin film transistor display panel of FIG. 17 taken along the line XVIII-XVIII'-XVIII' '-XVIII' ''. 16A to 16F are cross-sectional views illustrating a process of forming the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 14 and 15.
먼저, 도 14 및 도 15에 도시한 바와 같이, 하부 도전막과 상부 도전막을 연속하여 적층하고 사진 식각하여, 이중막 구조를 가지는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)을 형성한다. 게이트선(121)은 게이트 전극(124) 및 게이트 패드(129)를 포함하고 유지 전극선(131)은 유지 전극(133a, 133b)을 포함하며, 각각의 하부막 및 상부막에 대해서는 각각 도면 부호에 p 및 q를 덧붙였다. First, as shown in FIGS. 14 and 15, the lower conductive film and the upper conductive film are sequentially stacked and photo-etched to form a plurality of
이어, 접촉 구멍(141)을 가지는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 진성 반도체(151) 및 복수의 선형 불순물 반도체(164)를 형성한다. 그런 다음, 접촉 구멍(141)을 통하여 드러난 게이트 패드(129) 부분의 상부막(129q)을 제거한다.Subsequently, the
그러면, 도 16a 내지 도 16f를 참고로 하여 도 14 및 도 15에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a process of forming the intermediate structure of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 14 and 15 will be described in detail with reference to FIGS. 16A to 16F.
도 16a를 참고하면, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 화학 기상 증착 등으로 연속하여 적층하고 그 위에 감광막(400)을 도포한다. Referring to FIG. 16A, the
그 후, 도 16b에 도시한 바와 같이, 기판(61)과 불투명 부재(62)를 포함하는 노광 마스크(60)를 통하여 감광막(400)에 빛을 조사한 후 현상하면, 투광 영역(A)에 위치한 감광막(400) 부분은 모두 제거되고, 반투광 영역(B)에 위치한 감광막(400) 부분의 두께는 감소하고, 차광 영역(C)에서는 현상된 후에도 감광막(400)의 두께가 줄지 않는다. 이 때, 노광 마스크(60)의 투광 영역(A)은 도 9a에 도시 한 노광 마스크와 달리 게이트 패드(129)보다 조금 넓다.Thereafter, as shown in FIG. 16B, when the
다음으로, 도 16c에 도시한 바와 같이, 남아 있는 감광막(400) 부분을 식각 마스크로 사용하여 불순물 비정질 규소층(160), 진성 비정질 규소층(150) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여, 투광 영역(A)에서 게이트 패드(129)의 상부막(129q) 일부를 노출하는 접촉 구멍(141)을 형성한다. 이어, 게이트 패드(129) 상부막(129q)의 노출된 부분을 제거하여, 게이트 패드(129)의 하부막(129p) 일부를 노출한다.Next, as shown in FIG. 16C, the impurity
다음으로, 도 16d에서와 같이, 감광막(400)을 애싱(ashing)하여, 반투광 영역(B)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 제거하고, 영역(C)에 배치되어 있는 감광막(400) 부분의 높이를 감소시킨다.Next, as shown in FIG. 16D, the
그 후, 영역(C)에 남아 있는 차광 영역(C)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 식각 마스크로 사용하여, 불순물 비정질 규소층(160) 및 진성 비정질 규소층(150)을 식각하여, 도 16e에서와 같이, 선형 불순물 반도체(164) 및 선형 진성 반도체(151)를 형성한다.Thereafter, the impurity
마지막으로 도 16f에서와 같이, 차광 영역(C)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 애싱 따위로 제거한다.Finally, as shown in FIG. 16F, portions of the
이처럼, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 하나의 노광 마스크를 사용하여 패터닝하여, 선형 불순물 반도체(164) 및 선형 진성 반도체(151)를 형성하고 게이트 패드(129)를 드러내는 게이트 절연막(140) 접촉 구멍(141)을 형성함과 동시에, 부식되기 쉬운 알루미늄 또는 알루미 늄 합금으로 이루어진 게이트 패드(129)의 상부막(129q)을 제거할 수 있어서, 추가적인 노광 마스크가 필요하지 않으므로 공정 비용이 증가하지 않는다.As such, the
다음으로, 금속층을 스퍼터링 따위로 적층하고 사진 식각하여, 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175) 및 복수의 접촉 매개 부재(178)를 형성한다. 이어, 선형 불순물 반도체(164)에서 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 덮이지 않고 노출된 부분을 제거하여 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)를 완성하는 한편, 그 아래의 진성 반도체(154) 부분을 노출한다. Next, the metal layers are sputtered and photo-etched to form a plurality of
그 다음, 도 17 및 도 18에 도시한 바와 같이, 보호막(180)을 적층한 후, 사진 (식각) 등으로 패터닝하여, 복수의 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)을 형성한다.Then, as shown in Figs. 17 and 18, after the protective film 180 is laminated, a plurality of contact holes 181, 182, 183a, 183b, and 185 are formed by patterning by photo (etching) or the like. .
마지막으로, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 복수의 화소 전극(191), 복수의 접촉 보조 부재(81, 82) 및 복수의 연결 다리(83)를 형성한다. 3 and 4, a plurality of
그러면, 도 19 및 도 20을 참고로 하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 19 and 20.
도 19는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 20은 도 19의 박막 트랜지스터 표시판을 XX-XX'-XX''-XX''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.19 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 20 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 19 taken along a line XX-XX'-XX ''-XX '' '. One cross section.
본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조는 도 1 및 도 2에 도시한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판과 유사하다.The layered structure of the thin film transistor array panel according to the present embodiment is similar to the thin film transistor array panel according to the embodiments shown in FIGS. 1 and 2.
기판(110) 위에 게이트 전극(124)과 게이트 패드(129)를 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 유지 전극(133a, 133b)을 포함하는 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 접촉 구멍(141)을 가지는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151), 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. A plurality of
저항성 접촉 부재(161, 165) 위에는 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175) 및 복수의 접촉 매개 부재(178)가 형성되어 있고 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 및 보호막(180)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191), 복수의 접촉 보조 부재(81, 82) 및 복수의 연결 다리(83)가 형성되어 있다.A plurality of
그러나, 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판과 달리, 도 19 및 도 20에 도시한 박막 트랜지스터 표시판은 유지 전극(133a, 133b) 위에 위치하며 데이터선(171)과 동일한 층으로 만들어진 복수의 보강 부재(176a, 176b)를 포함한다. 보강 부재(176a, 176b) 아래에는 보강 부재(176a, 176b)와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지는 섬형 저항성 접촉 부재(166a, 166b)와 그 아래의 섬형 반도체(156a, 156b)가 형성되어 있다. 보강 부재(176a, 176b)는 유지 전극(133a, 133b)의 노출을 막아 부식을 방지할 수 있다.However, unlike the thin film transistor array panels shown in FIGS. 1 and 2, the thin film transistor array panels illustrated in FIGS. 19 and 20 are disposed on the sustain
또한, 접촉 매개 부재(178) 아래에는 섬형 저항성 접촉 부재(168) 및 섬형 그 아래의 반도체(158)가 형성되어 있고, 이들의 평면 모양은 실질적으로 동일하다.Further, an island-type ohmic contact member 168 and an island-shaped semiconductor 158 are formed below the
선형 반도체(151)는 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 그 아래의 저항성 접촉 부재(161, 165)와 실질적으로 동일한 평면 모양이다. 그러나 선형 반도체(151)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The
접촉 구멍(141)은 섬형 반도체(158) 및 섬형 저항성 접촉 부재(168)를 실질적으로 동일한 평면 모양으로 관통하여 그 위의 접촉 매개 부재(178)를 게이트 패드(129)와 연결한다.The
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄 계열 금속 등의 단일막 구조를 가진다.The
보호막(180)은 하부 무기막(180p)과 상부 유기막(180q)의 이중막 구조를 가지고, 상부 유기막(180q)의 표면은 평탄하다.The passivation layer 180 has a double layer structure of the lower inorganic layer 180p and the upper organic layer 180q, and the surface of the upper organic layer 180q is flat.
도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 여러 가지 특징들이 도 19 및 도 20에 도시한 박막 트랜지스터 표시판에도 적용될 수 있다.Various features of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 1 and 2 may be applied to the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 19 and 20.
그러면, 도 19 및 도 20에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 21 내지 도 27을 참조하여 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 19 and 20 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 21 to 27.
도 21, 도 23 및 도 26은 도 19 및 도 20에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 22는 도 21의 박막 트랜지스터 표시판을 XXII-XXII'-XXII''-XXII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 24는 도 23의 박막 트랜지스터 표시판을 XXIV-XXIV'-XXIV''-XXIV''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 27은 도 26의 박막 트랜지스터 표시판을 XXVII-XXVII'-XXVII''-XXVII''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 25a 내지 도 25f는 도 23 및 도 24에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이다.21, 23 and 26 are layout views of the thin film transistor array panel at an intermediate stage of the method of manufacturing the thin film transistor array panel shown in FIGS. 19 and 20 according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 24 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel taken along the line XXII-XXII'-XXII ''-XXII '' ', and FIG. 24 is a line XXIV-XXIV'-XXIV' '-XXIV' '' of the thin film transistor array panel of FIG. FIG. 27 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 26 taken along a line XXVII-XXVII'-XXVII``-XXVII '' ', and FIGS. 25A to 25F are FIGS. 23 and 25. 24 is a cross-sectional view illustrating the process of forming the thin film transistor array panel illustrated in FIG. 24.
먼저, 도 21 및 도 22에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 알루미늄(Al)이나 알루미늄-네오디뮴 합금(AlNd)과 같은 알루미늄 합금 등을 스퍼터링 등으로 적층한 후에, 사진 식각하여 게이트 전극(124) 및 게이트 패드(129)를 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 유지 전극(133a, 133b)을 포함하는 복수의 유지 전극선(131)을 형성한다. First, as shown in FIGS. 21 and 22, an aluminum alloy such as aluminum (Al) or aluminum-neodymium alloy (AlNd), or the like is laminated on the insulating
다음으로, 도 23 및 도 24를 참조하면, 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 진성 반도체(151), 복수의 섬형 반도체(156a, 156b, 158), 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165, 166a, 166b, 168, 169)을 형성함과 동시에 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175), 복수의 접촉 매개 부재(178) 및 복수의 보강 부재(176a, 176b)를 형성한다. 섬형 저항성 접촉 부재(168). 섬형 반도체(158) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트 패드(129)를 드러내는 접촉 구멍(141)이 형성된다.Next, referring to FIGS. 23 and 24, the
그러면, 도 25a 내지 도 25f를 참고로 하여, 도 23 및 도 24에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a method of forming an intermediate structure of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 23 and 24 will be described in detail with reference to FIGS. 25A to 25F.
도 25a에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 화학 기상 증착 등으로 연속하여 적층한다. 그 후, 도 25b에서와 같이, 불순물 비정질 규소층(160), 진성 비정질 규소층(150) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여 게이트 패드(129)를 노출하는 복수의 접촉 구멍(141)을 형성한다.As shown in FIG. 25A, the
다음으로, 도 25c에 도시한 바와 같이, 스퍼터링 등의 방법으로 데이터 도전층(170)을 적층한 후, 도 25d에서와 같이 감광막(410)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 25C, after the data conductive layer 170 is laminated by a method such as sputtering, a photosensitive film 410 is formed as shown in FIG. 25D.
이 때, 도 25d를 참조하면, 감광막(410)의 두께는 위치에 따라 다른데, 차광 영역(F)에서 감광막(410)의 두께가 가장 두껍고, 반투광 영역(E)에서는 차광 영역(F)에서보다 두께가 얇으며, 투광 영역(D)에는 감광막이 없다.At this time, referring to FIG. 25D, the thickness of the photoresist film 410 varies depending on the position. The thickness of the photoresist film 410 is the thickest in the light shielding region F, and in the light shielding region F in the translucent region E It is thinner and there is no photosensitive film in the transmissive area D.
도 25e를 참조하면, 감광막(410)을 식각 마스크로 하여, 투광 영역(D)에서 노출되어 있는 데이터 금속층(170) 부분을 식각하여 제거함으로써, 복수의 데이터 도전체(174), 복수의 보강 부재(176a, 176b) 및 복수의 접촉 매개 부재(178)를 형성한다. 이어, 투광 영역(D)에 노출되어 있는 불순물 비정질 규소층(160) 부분 및 진성 비정질 규소층(150) 부분을 식각하여 제거하여 복수의 선형 불순물 반도체(164) 및 복수의 섬형 불순물 반도체(166a, 166b, 168)와 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 (진성) 반도체(151) 및 복수의 섬형 (진성) 반도체(156a, 156b, 158)를 형성한다.Referring to FIG. 25E, a plurality of
이어서, 도 25f에 도시한 바와 같이, 감광막(410)을 애싱(ashing)하여, 반투광 영역(E)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 제거하고, 차광 영역(F)에 배치되어 있는 감광막(400) 부분의 높이를 감소시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 25F, the photosensitive film 410 is ashed to remove the portion of the
그 후, 차광 영역(F)에 남아 있는 감광막(410) 부분을 식각 마스크로 하여, 데이터 도전체(174)를 식각하여, 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171)과 복수의 드레인 전극(175)을 형성함과 동시에, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 선형 불순물 반도체(164)를 노출한다.Thereafter, the
마지막으로, 노출된 선형 불순물 반도체(164) 부분을 제거함으로써, 도 24에 도시한 바와 같이, 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 불순물 반도체(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)를 완성한다.Finally, by removing the exposed portion of the
도 26 및 도 27을 참조하면, 하부 무기막(180p)과 상부 유기막(180q)을 포함하는 보호막(180)을 형성한 후, 게이트 절연막(140)과 함께 사진 식각하여, 복수의 접촉 구멍(181, 182, 183a, 183b, 185)을 형성한다.Referring to FIGS. 26 and 27, after forming the passivation layer 180 including the lower inorganic layer 180p and the upper organic layer 180q, the plurality of contact holes may be photo-etched together with the
마지막으로, 도 19 및 도 20에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 복수의 화소 전극(191), 복수의 접촉 보조 부재(81, 82) 및 복수의 연결 다리(83)를 형성한다.연결 다리(83)Finally, as illustrated in FIGS. 19 and 20, a plurality of
이제, 도 28을 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.A liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will now be described with reference to FIG. 28.
도 28은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 블록도이다.28 is a block diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 28에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정 표시판 조립체(300), 조립체(300)와 연결된 데이터 구동부(500), 데이터 구동부(500)에 연결된 계조 전압 생성부(도시하지 않음), 그리고 조립체(300) 및 데이터 구동부(500)를 제어하는 신호 제어부(도시하지 않음) 등을 포함한다.As shown in FIG. 28, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a liquid
액정 표시판 조립체(300)는 서로 마주 보는 박막 트랜지스터 표시판(도시하지 않음)과 공통 전극 표시판(도시하지 않음) 및 두 표시판 사이의 액정층을 포함한다. 박막 트랜지스터 표시판은 영상 표시와 직접 관련된 표시 영역(DA)과 게이트 구동부와 관련된 구동 영역(CA)을 포함한다.The liquid
표시 영역(DA)에는 복수의 게이트선(G1-Gn), 복수의 데이터선(D1-Dm), 복수의 유지 전극선(도시하지 않음), 복수의 화소 전극(도시하지 않음) 및 복수의 박막 트랜지스터 등이 형성되어 있다.The display area DA includes a plurality of gate lines G1 -Gn, a plurality of data lines D1 -Dm, a plurality of sustain electrode lines (not shown), a plurality of pixel electrodes (not shown), and a plurality of thin film transistors. Etc. are formed.
구동 영역(CA)에는 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동부 및 외부로부터의 각종 신호를 게이트 구동부에 전달하는 복수의 신호 전달선(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 게이트 구동부는 차례로 연결된 복수의 스테이지(도시하지 않음)를 포함하는 시프트 레지스터일 수 있다.In the driving area CA, a gate driver for generating a gate signal and a plurality of signal transmission lines (not shown) for transmitting various signals from the outside to the gate driver are formed. The gate driver may be a shift register including a plurality of stages (not shown) connected in turn.
그러면 도 29 내지 도 31를 참고로 하여 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판의 한 예에 대하여 상세하게 설명한다.An example of the thin film transistor array panel of the liquid crystal display shown in FIG. 28 will be described in detail with reference to FIGS. 29 to 31.
도 29는 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 표시 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고, 도 30은 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 구동 영역의 일부를 도시한 배치도의 한 예이고, 도 31은 도 30 및 도 29의 박막 트랜지스터 표시판을 XXXI-XXXI'-XXXI''-XXXI''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 29 is an example of a layout view of a portion of a display area in the thin film transistor array panel of the liquid crystal display illustrated in FIG. 28, and FIG. 30 illustrates a portion of a driving region in the thin film transistor array panel of the liquid crystal display illustrated in FIG. 28. FIG. 31 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIGS. 30 and 29 taken along the line XXXI-XXXI'-XXXI ''-XXXI '' '.
표시부(DA)는 도 1 및 도 2에 도시한 것과 유사한 적층 구조를 가지므로, 구동 영역(CA)를 중심으로 하여 상세하게 설명한다.Since the display unit DA has a stacked structure similar to that shown in FIGS. 1 and 2, the display unit DA will be described in detail with reference to the driving area CA.
도 30을 참고하면, 구동 영역(CA)에는 게이트 신호를 생성하는 복수의 회로부(610)(시프트 레지스터의 한 스테이지에 대응)와 회로부(610)에 각종 신호를 전달하는 복수의 신호 전달선(signal transmission line)이 형성되어 있다. 회로부(610)는 복수의 박막 트랜지스터(도시하지 않음)와 이들을 서로 연결하거나 신호 전달선과 연결하는 복수의 연결선(도시하지 않음)을 포함한다.Referring to FIG. 30, a plurality of circuit parts 610 (corresponding to one stage of a shift register) generating a gate signal and a plurality of signal transmission lines transmitting various signals to the
그러면, 이러한 박막 트랜지스터 표시판의 구체적인 층상 구조에 대하여 상세하게 설명한다.Next, the specific layer structure of the thin film transistor array panel will be described in detail.
절연 기판(110) 위에 표시 영역(DA)의 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)과 구동 영역(CA)의 복수의 게이트층 신호 전달선(gate-layer signal transmission line)(125, 126, 127, 128)이 형성되어 있다.A plurality of
각 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(124)을 포함하며, 구동 영역(CA)으로 연장되어 회로부(610)와 직접 연결되므로 게이트 패드가 따로 없다.Each
게이트층 신호 전달선(125-128)은 회로부(610)를 구동하는 데 필요하며 외부에서 들어 오는 전압 등의 각종 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 있다.The gate layer signal transmission lines 125-128 are required to drive the
게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 게이트층 신호 전달선(125-128)은 도 1 및 도 2에서와 같이 하부막과 그 위의 상부막을 포함하는 이중막 구조를 가진다. 도 31에서 각 부분의 하부막과 상부막에 대하여 각각 도면 부호 p, q를 덧붙여 표기하였다.The
게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 게이트층 신호 전달선(125-128) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)에는 게이트층 신호 전달선(125, 127, 128)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(142a, 142b, 142c)이 형성되어 있다.The
게이트 절연막(140) 위, 표시 영역(DA)에는 돌출부(projection)(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151)와 형성되어 있고, 그 위에는 돌출부(163)을 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다.On the
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 표시 영역(DA)의 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)과 구동 영역(CA)의 복수의 데이터층 신호 전달선(data-layer signal transmission line)(172a, 172b, 172c)이 형성되어 있다.On the
각 데이터선(171)은 복수의 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함한다.Each
데이터층 신호 전달선(172a-172c)은 게이트층 신호 전달선(125-128)과 마찬가지로 회로부(610)를 구동하는 데 필요하며 외부에서 들어 오는 전압 등의 각종 신호를 전달하며, 주로 세로 방향으로 뻗어 있다. 데이터층 신호 전달선(172a-172c)은 접촉 구멍(142a-142c)을 향해 뻗어 접촉 구멍(142a-142c)을 통하여 게이트 층 신호 전달선(125, 127, 128)과 연결되어 있는 복수의 돌출부(172a1, 172b1, 172c1)를 포함한다. 일부 데이터층 신호 전달선(172a, 172b)은 회로부(610)를 향하여 뻗어 회로부(610)와 연결되는 복수의 연장부(172a2, 172b2)를 포함한다.Like the gate layer signal transmission lines 125-128, the data layer
데이터선(171), 드레인 전극(175), 데이터층 신호 전달선(172a-172c) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)에는 데이터 패드(179)와 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 제1 유지 전극(133a) 고정단 부근의 유지 전극선(131)의 하부막(133ap) 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183a), 그리고 제1 유지 전극(133a) 자유단 돌출부의 하부막(133bp)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(183b)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 is formed on the
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191), 복수의 연결 다리(84) 및 복수의 접촉 보조 부재(82)가 형성되어 있다.A plurality of
앞서 설명하였듯이, 회로부(610) 내에는 박막 트랜지스터와 연결선 등이 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터는 표시 영역(DA)의 박막 트랜지스터와 실질적으로 동일한 층상 구조를 가질 수 있고, 연결선은 게이트선(121) 또는 데이터선(171)과 동일한 층으로 만들어질 수 있다. 게이트층 연결선과 데이터층 연결선은 게이트 절연막(140)에 뚫린 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 서로 연결될 수 있다.As described above, the thin film transistor and the connection line are formed in the
이와 같이 게이트층 신호 전달선(125, 127, 128)과 데이터층 신호 전달선(172a-177c)이 화소 전극(191)과 같은 물질로 만들어진 별개의 연결 부재를 통하지 않고 접촉 구멍(181a, 181b, 181c)을 통하여 직접 연결되기 때문에, ITO 또는 IZO와 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 직접 접촉으로 인한 불량이 생기지 않는다.As such, the gate layer
도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 여러 가지 특징들이 도 29 내지 도 31에 도시한 박막 트랜지스터 표시판에도 적용될 수 있다.Various features of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 1 and 2 may also be applied to the thin film transistor array panels illustrated in FIGS. 29 to 31.
그러면, 도 29 내지 도 31에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 32 내지 도 36을 참조하여 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 29 to 31 will be described in detail with reference to FIGS. 32 to 36.
도 32, 도 33, 도 35, 그리고 도 36은 도 29 내지 도 31에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 단면도이고, 도 34a 내지 도 34f는 도 33의 박막 트랜지스터 표시판을 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 단면도이다.32, 33, 35, and 36 are cross-sectional views at intermediate stages of a method of manufacturing the thin film transistor array panel shown in FIGS. 29 to 31 according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 34A to 34F are FIGS. 33 is a cross-sectional view illustrating a process of forming the thin film transistor array panel of FIG. 33.
도 32를 참조하면, 절연 기판(110) 위에 게이트 전극(124) 및 게이트 패드(129)를 포함하는 복수의 게이트선(121), 유지 전극(133a, 133b)을 포함하는 복수의 유지 전극선(131), 그리고 게이트층 신호 전달선(125, 126, 127, 128)을 형성한다. 게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 게이트층 신호 전달선(125-128)은 하부막과 상부막으로 이루어지며, 하부막에는 p, 상부막에는 q를 도면 부호에 덧붙였다.Referring to FIG. 32, a plurality of
다음으로, 도 33에 도시한 바와 같이, 접촉 구멍(141)을 가지는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 포함하는 복수의 선형 진성 반도체(151) 및 복수의 선형 불순물 반도체(164)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 33, the
그러면, 도 34a 내지 도 34f를 참고로 하여 도 33에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 중간 구조를 형성하는 과정에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a process of forming the intermediate structure of the thin film transistor array panel illustrated in FIG. 33 will be described in detail with reference to FIGS. 34A to 34F.
도 34a를 참고하면, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 화학 기상 증착 등으로 연속하여 적층하고 그 위에 감광막(400)을 도포한다. Referring to FIG. 34A, the
도 34b에 도시한 바와 같이, 노광 마스크(60)를 통하여 감광막(400)에 빛을 조사한 후 현상하면, 현상된 감광막(400)은 투광 영역(A), 반투광 영역(B), 그리고 차광 영역(C)에 따라 다른 두께를 가진다.As shown in FIG. 34B, when the
다음으로, 도 34c에 도시한 바와 같이, 남아 있는 감광막(400) 부분을 식각 마스크로 사용하여 불순물 비정질 규소층(160), 진성 비정질 규소층(150) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여, 게이트 신호선(125, 127, 128)의 일부분을 노출하는 접촉 구멍(142a-142c)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 34C, the impurity
다음으로, 도 34d를 참고하면, 감광막(400)을 애싱(ashing)하여, 반투광 영역(B)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 제거하고, 차광 영역(C)에 배치되어 있는 감광막(400) 부분의 높이를 감소한다.Next, referring to FIG. 34D, the
그 후, 도 34e에 도시한 바와 같이, 차광 영역(C)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 식각 마스크로 사용하여, 불순물 비정질 규소층(160) 및 진성 비정질 규소층(150)을 식각하여, 선형 불순물 반도체(164) 및 선형 진성 반도체(151)를 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 34E, the impurity
마지막으로 도 34f에서와 같이, 차광 영역(C)에 남아 있는 감광막(400) 부분을 애싱 등으로 제거한다.Finally, as shown in FIG. 34F, a portion of the
다음으로, 도 35를 참고하면, 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175), 그리고 게이트 구동부(600)의 복수의 데이터층 신호 전달선(172a, 172b, 172c)을 형성한다. 이때, 데이터 신호선(1772, 1774, 1776)의 돌출부(172a1, 172b1, 172c1)는 접촉 구멍(142a-142c)을 통하여 노출되어 있는 게이트 신호선(125, 127, 128)과 연결된다.Next, referring to FIG. 35, a plurality of
이어서, 선형 불순물 반도체(164)에서 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 덮이지 않고 노출된 부분을 제거하여 돌출부(163)를 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)를 완성하는 한편, 그 아래의 진성 반도체(154) 부분을 노출한다. Subsequently, an exposed portion of the
도 36에 도시한 바와 같이, 보호막(180)을 적층하고 게이트 절연막(140)과 함께 사진 (식각) 따위로 패터닝하여, 데이터 패드(179), 제1 유지 전극(133a) 고정단 부근의 유지 전극선(131) 일부, 제1 유지 전극(133a)의 자유단 돌출부 일부, 그리고 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(182, 183a, 183b, 185)을 형성한다. As shown in FIG. 36, the passivation layer 180 is stacked and patterned together with the
마지막으로, 도 29 및 도 31에 도시한 바와 같이, 보호막(180) 위에 복수의 화소 전극(191), 복수의 접촉 보조 부재(82) 및 복수의 연결 다리(83)를 형성한다. 그러면, 도 37 내지 도 39를 참고로 하여, 도 28에 도시한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 다른 예에 대하여 설명한다.Finally, as illustrated in FIGS. 29 and 31, a plurality of
도 37는 도 28에 도시한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 표시 영역의 일부를 도시한 배치도의 다른 한 예이고, 도 38은 도 28에 도시한 액정 표 시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에서 구동 영역의 일부를 도시한 배치도의 다른 한 예이고, 도 39는 도 38 및 도 37의 박막 트랜지스터 표시판을 XXXIX-XXXIX'-XXXIX''-XXXIX''' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 37 is another example of a layout view of a portion of the display area of the thin film transistor array panel of the liquid crystal display of FIG. 28, and FIG. 38 is a diagram illustrating a driving area of the thin film transistor array panel of the liquid crystal display of FIG. 28. FIG. 39 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIGS. 38 and 37 taken along the line XXXIX-XXXIX'-XXXIX ''-XXXIX '' '.
본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 층상 구조는 도 29 내지 도 31에 도시한 실시예와 유사하다.The layer structure of the thin film transistor array panel according to the present embodiment is similar to the embodiment shown in FIGS. 29 to 31.
구동 영역(CA)에는 게이트 신호를 생성하는 복수의 회로부(610)와 회로부(610)에 각종 신호를 전달하는 복수의 신호 전달선이 형성되어 있다. In the driving region CA, a plurality of
기판(110) 위에 표시 영역(DA)의 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)과 구동 영역(CA)의 복수의 게이트층 신호 전달선(125, 126, 127, 128)이 형성되어 있다.이 형성되어 있다. A plurality of
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 단일막 구조인데, 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항이 낮은 알루미늄(Al)이나 알루미늄-네오디뮴 합금(AlNd)과 같은 알루미늄 합금 등으로 만들어질 수 있다. The
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 및 게이트층 신호 전달선(125-128) 위에는 게이트층 신호 전달선(125, 127, 128)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(142a, 142b, 142c)을 가지는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(140) 위, 표시 영역(DA)에는 돌출부(projection)(154)를 포함하는 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있고, 그 위에는 돌출부(163)을 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다.A plurality of
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 표시 영역(DA)의 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)과 구동 영역(CA)의 복수의 데이터층 신호 전달선(172a, 172b, 172c)이 형성되어 있다.On the
각 데이터선(171)은 복수의 소스 전극(173) 및 데이터 패드(179)를 포함하고, 데이터층 신호 전달선(172a-172c)은 접촉 구멍(142a-142c)을 향해 뻗어 접촉 구멍(142a-142c)을 통하여 게이트층 신호 전달선(125, 127, 128)과 연결되어 있는 복수의 돌출부(172a1, 172b1, 172c1)를 포함한다.Each
데이터선(171), 드레인 전극(175) 데이터층 신호 전달선(172a-172c) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막 (180)이 형성되어 있다. 보호막(180)에는 데이터 패드(179)와 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍 (182, 185)이 형성되어 있고, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 제1 유지 전극(133a) 고정단 부근의 유지 전극선(131)의 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183a), 그리고 제1 유지 전극(133a) 자유단 돌출부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183b)이 형성되어 있다. A passivation layer 180 is formed on the
보호막(180)은 하부 무기막(180p)과 상부 유기막(180q)의 이중막 구조를 가지고, 상부 유기막(180q)의 표면은 평탄할 수 있다. 그러나, 보호막(180)은 단일막으로 이루어질 수도 있다.The passivation layer 180 may have a double layer structure of the lower inorganic layer 180p and the upper organic layer 180q, and the surface of the upper organic layer 180q may be flat. However, the passivation layer 180 may be formed of a single layer.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 연결 다리(overpass)(84) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(82)가 형성되어 있다. A plurality of
그러나, 도 29 내지 도 31에 도시한 박막 트랜지스터 표시판과 달리, 도 37 내지 도 39에 도시한 박막 트랜지스터 표시판은 유지 전극(133a, 133b) 위에 위치하며 데이터선(171)과 동일한 층으로 만들어진 복수의 보강 부재(176a, 176b)를 포함하고, 보강 부재(176a, 176b) 아래에는 보강 부재(176a, 176b)와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지는 섬형 저항성 접촉 부재(166a, 166b)와 그 아래의 섬형 반도체(156a, 156b)를 포함한다. 또한, 선형 반도체(151)는 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 그 아래의 저항성 접촉 부재(161, 165)와 실질적으로 동일한 평면 모양이다. 그러나 선형 반도체(151)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다. However, unlike the thin film transistor array panels shown in FIGS. 29 to 31, the thin film transistor array panels illustrated in FIGS. 37 to 39 are disposed on the sustain
도 29 내지 도 31에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 여러 가지 특징들이 도 3 7 내지 도 39에 도시한 박막 트랜지스터 표시판에도 적용될 수 있다.Various features of the thin film transistor array panel illustrated in FIGS. 29 to 31 may also be applied to the thin film transistor array panels illustrated in FIGS. 3 to 39.
본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 도 21 내지 도 27에 도시한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법과 유사하다.The manufacturing method of the thin film transistor array panel according to the present embodiment is similar to the manufacturing method of the thin film transistor array panel shown in FIGS. 21 to 27.
단, 게이트층 신호 전달선(125-128)은 게이트선(121)과 동일한 단계에서 형성하고, 데이터층 신호 전달선(172a-172c)은 데이터선(171)과 동일한 단계에서 형성한다. 또한 접촉 구멍(142a-142c)을 형성할 때에는 도 14 및 도 15에 도시한 접촉 구멍(141)을 형성할 때와 동일한 방법을 사용한다.However, the gate layer signal transmission lines 125-128 are formed in the same step as the
이와 같이, 반도체와 접촉 보조 부재를 형성함과 동시에 게이트 절연막에 접 촉 구멍을 형성하고, 접촉 구멍을 통하여 드러난 알루미늄 계열 금속의 게이트 패드 또는 게이트층 신호 전달선을 데이터선과 동일한 물질로 만들어지는 접촉 매개 부재로 덮어 보호하거나, 데이터층 신호 전달선과 직접 연결함으로써, ITO 또는 IZO와 알루미늄 계열 금속이 직접 접촉하는 것을 방지하여, 직접 접촉에 의한 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 반도체와 접촉 보조 부재 및 데이터선 등을 하나의 마스크를 사용하여 패터닝함으로써, 박막 트랜지스터 표시판의 제조 비용을 감소할 수 있다.As described above, a contact hole is formed in which a contact hole is formed in the semiconductor and a contact hole is formed in the gate insulating film, and the gate pad or gate layer signal transmission line of the aluminum-based metal exposed through the contact hole is made of the same material as the data line. By covering and protecting the member or directly connecting the data layer signal transmission line, the ITO or IZO and the aluminum-based metal can be prevented from directly contacting each other, thereby effectively preventing corrosion of the aluminum or aluminum alloy by the direct contact. In addition, the manufacturing cost of the thin film transistor array panel can be reduced by patterning the semiconductor, the contact auxiliary member, the data line, and the like using one mask.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
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