KR20070074750A - Vertical external cavity surface emitting laser - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 외부 공진기형 면발광 레이저(VECSEL)의 광학적 배치를 보인 개략적인 도면.1 is a schematic diagram showing an optical arrangement of a conventional external resonator type surface emitting laser (VECSEL).
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 VECSEL의 광학적 배치를 보인 개략적인 도면.2 is a schematic diagram showing an optical arrangement of a VECSEL according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 편광 광학소자를 보인 사시도.3 is a perspective view illustrating the polarization optical device of FIG. 2;
도 4는 도 2의 편광 광학소자의 파장에 따른 투과율 변화를 보인 그래프.4 is a graph showing a change in transmittance according to the wavelength of the polarizing optical device of FIG.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 VECSEL의 광학적 배치를 보인 개략적인 도면.5 is a schematic diagram showing an optical arrangement of a VECSEL according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10...펌핑 유니트 11...제1광원10 ...
13...제2광원 15...편광 광학소자13
17...포커싱 렌즈 21, 41...히트싱크17
23, 43...레이저 칩 25...제1미러23, 43
27...제2미러 31, 51...복굴절 필터27
33, 53...SHG 결정 45...외부공진미러33, 53 ... SHG
본 발명은 외부 공진기형 면발광 레이저에 관한 것으로서, 상세하게는 레이저 칩에 펌핑 구조가 개선된 외부 공진기형 면발광 레이저에 관한 것이다.The present invention relates to an external resonator type surface emitting laser, and more particularly, to an external resonator type surface emitting laser having an improved pumping structure in a laser chip.
외부 공진기형 면발광 레이저(Vertical External Cavity Surface Emitting Laser; 이하, VECSEL 이라 한다)는 수직 공진기형 면발광 레이저(Vretical Cavity Surface Emitting Laser; VCSEL)의 상부 미러를 외부의 미러로 대체하여 이득 영역을 증가시킴으로써, 수 W 내지 수 십 W 이상의 고출력을 얻도록 하는 표면 발광형 레이저의 하나이다.The External External Cavity Surface Emitting Laser (hereinafter referred to as VECSEL) replaces the upper mirror of the Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) with an external mirror to increase the gain area. This is one of the surface-emitting lasers to obtain high power of several W to several tens of W or more.
이 VECSEL은 DBR(Distributed Bragg Reflector)층과 활성층을 구비한 레이저 칩을 포함하는 것으로, 상기 활성층은 펌핑 광원에서 조사된 펌프 빔(pump beam)에 의해 여기되어 소정 파장의 광을 방출한다. 여기서, 상기 펌핑 광원에서 조사된 펌프 빔의 파워가 클수록 상기 활성층에서 방출되는 광의 파워가 증가하므로, 상기 펌핑 광원은 그 광 파워가 커질 것이 요구된다. The VECSEL includes a laser chip having a DBR (Distributed Bragg Reflector) layer and an active layer. The active layer is excited by a pump beam irradiated from a pumping light source to emit light having a predetermined wavelength. Here, since the power of the light emitted from the active layer increases as the power of the pump beam irradiated from the pumping light source increases, the pumping light source needs to increase its light power.
한편, 일반적인 VECSEL은 펌핑 광원으로 단일의 레이저 다이오드(Laser Diode, 이하, LD라 한다)를 채용하는 바, 4 ~ 5W의 출력을 가지는 LD는 그 LD 모듈의 폭과 길이가 수 mm의 크기로 소형이라는 이점이 있으나, 펌핑 파워가 부족하다는 문제점이 있다. 7W급 LD는 고가이며, LD의 특성이 매우 불안정하고,그 LD 모듈 의 폭과 길이 각각이 수십 mm로 매우 크다는 단점이 있다. 또한, 17W 및 32W 급 LD는 그 LD 모듈의 폭과 길이 각각이 수십 mm로 그 크기가 매우 크고, 높은 쓰레스홀드(threshold) 전류가 요구되며, 펌핑 빔의 포커싱이 어렵다는 단점이 있다.On the other hand, the general VECSEL adopts a single laser diode (hereinafter referred to as LD) as a pumping light source. LD having an output of 4 to 5 W is small in size with a width of several mm in the LD module. There is an advantage, but there is a problem that the pumping power is insufficient. 7W LD is expensive, LD characteristics are very unstable, and the width and length of the LD module are very large, several tens of millimeters. In addition, 17W and 32W LDs have a width and length of several tens of millimeters, respectively, and are very large, require a high threshold current, and have difficulty in focusing a pumping beam.
이러한 점을 감안하여, 종래에는 도 1에 도시된 바와 같이 두 펌핑 광원을 구비한 VECSEL이 개시된 바 있다.In view of this, the prior art has disclosed a VECSEL with two pumping light sources as shown in FIG.
도 1을 참조하면, 종래의 VECSEL은 미러(2) 및 활성층(3)을 구비한 레이저 칩(1)과, 상기 레이저 칩(1)의 일면에 접착 형성된 것으로 상기 레이저 칩(1)에서 발생된 열을 방출하는 히트싱크(4)와, 상기 레이저 칩(1)에 대해 이격된 채로 마주하게 배치되어 외부 공진기를 구성하는 외부미러(7)와, 상기 활성층(3)에 펌핑 빔을 조사하는 펌핑 유니트를 포함한다. 상기 활성층(3)은 다중 양자우물 구조로 된 것으로, 이득 영역을 제공한다. 이 활성층(3)의 외각에는 활성층(3)에서 여기된 광이 조사되는 출력창층(3a)과, 비반사코팅층(3b) 순차로 형성되어 있다. 따라서, 상기 출력창층(3a)을 통하여 상기 외부미러(7)로 조사된 광은 외부미러(7)의 오목 반사면(7a)과 레이저 칩(1)을 구성하는 미러(2) 사이에서 공진되고, 특정 파장의 레이저 빔 만이 상기 외부미러(7)를 투과하여 조사된다.Referring to FIG. 1, a conventional VECSEL is formed by bonding a
상기 펌핑 유니트는 상기 레이저 칩(1)의 상면에 비스듬히 배치되어, 상기 활성층(3)에 펌핑 광을 조사한다. 이를 위하여, 상기 펌핑 유니트는 제1 및 제2펌핑 광원(5a)(5b)과, 이들 각각에서 조사된 광의 진행 경로에 배치되어 입사광을 집속시키는 제1 및 제2포커싱 렌즈(6a)(6b)를 포함한다.The pumping unit is disposed obliquely on the upper surface of the
이와 같이, 두 펌핑 광원에서 조사된 광을 이용하는 경우는 상대적으로 낮은 출력을 가지는 LD를 펌핑 광원으로 이용하더라도 펌핑 파워의 부족 문제를 상당부분 해소할 수 있다는 이점이 있다.As such, in the case of using the light irradiated from the two pumping light sources, there is an advantage in that a problem of shortage of pumping power can be largely solved even if LD having a relatively low output is used as the pumping light source.
한편, 펌핑 유니트의 광학적 배치에 있어서, 레이저 칩(3)의 상면 좌우에 비스듬히 제1 및 제2펌핑광원(5a)(5b)을 배열하고, 이들 각각에서 조사된 광을 집속하기 위하여 2매의 포커싱 렌즈(6a)(6b)를 채용하므로, 펌핑 유니트의 광학적 배치가 어렵고, VECSEL 전체의 크기가 커지는 문제점이 있다.On the other hand, in the optical arrangement of the pumping unit, the first and second
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 낮은 출력을 가지는 복수의 펌핑 광원을 이용하여 고출력 펌핑 빔을 제공함과 아울러, 광학계의 구성을 보다 콤팩트화 하여 전체 크기를 소형화할 수 있도록 된 구조의 외부 공진기형 면발광 레이저를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a high output pumping beam by using a plurality of pumping light sources having a low output, and further reduces the size of the optical system to make the overall size smaller. It is an object of the present invention to provide an external resonator type surface emitting laser having a structure.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저는, 소정의 파장의 레이저 광을 발생 조사하는 레이저 칩과; 상기 레이저 칩의 외부에 배치되는 것으로, 상기 레이저 칩과 함께 공진기를 형성하는 외부공진미러와; 상기 레이저 칩의 레이저 광이 조사되는 면 또는 그 이면에 배치되어, 상기 레이저 칩에 펌핑 광을 제공하는 펌핑 유니트;를 포함하는 것으로, 상기 펌핑 유니트는 소정 편광의 광을 각각 조사하는 복수의 광원과; 상기 광원과 상기 복수의 레이저 칩 사이에 배치되는 것으로, 입사광을 그 편광 방향에 따라 투과 또는 반사시켜 상기 복수의 광원 각각에서 조사된 광이 일 광경로로 진행하도록 하는 편광 광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 한다.An external resonator type surface emitting laser according to the present invention for achieving the above object comprises: a laser chip for generating and irradiating laser light having a predetermined wavelength; An external resonator mirror disposed outside the laser chip and forming a resonator together with the laser chip; And a pumping unit disposed on or on a surface to which the laser light of the laser chip is irradiated, the pumping unit providing pumping light to the laser chip, wherein the pumping unit includes a plurality of light sources that respectively irradiate light having a predetermined polarization; ; A polarizing optical element disposed between the light source and the plurality of laser chips and configured to transmit or reflect incident light according to the polarization direction so that the light emitted from each of the plurality of light sources travels in one optical path. It features.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 외부 공진기형 면발광 레이저(VECSEL)을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an external resonator type surface emitting laser (VECSEL) according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 VECSEL의 광학적 배치를 보인 개략적인 도면이다.2 is a schematic diagram illustrating an optical arrangement of a VECSEL according to an embodiment of the present invention.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 VECSEL은 소정의 파장의 레이저 광을 발생 조사하는 레이저 칩(23)과, 상기 레이저 칩(23)에 펌핑(pumping) 광을 제공하는 펌핑 유니트(10) 및, 상기 레이저 칩(23)과 함께 공진기를 형성하는 외부공진미러(25)(27)를 포함한다.Referring to the drawings, the VECSEL according to the present invention comprises a
상기 레이저 칩(23)은 펌핑 광에 여기되어 소정 파장의 광을 방출하는 활성층과, 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector; DBR)층을 포함한다. 상기 DBR층은 상기 활성층에서 발생한 레이저 광을 외부공진미러(25)(27)로 반사하여, 레이저 광이 외부공진미러(25)(27)와 DBR층(21b) 사이에서 공진하도록 하는 미러층이다. 여기서, 상기 레이저 칩(23)의 일면에는 히트싱크(21)가 더 포함된 것이 바람직하다. 상기 히트싱크(21)는 상기 레이저 칩(23)에서 발생된 열을 외부로 방출한다.The
상기 펌핑 유니트(10)는 상기 레이저 칩(23)의 레이저 광이 조사되는 면 또는 그 이면에 배치되어, 상기 레이저 칩(23)에 펌핑(pumping) 광을 제공한다. The
도 2는 펌핑 유니트(10)가 상기 레이저 칩(23)의 레이저 광이 조사되는 면에 형성된 것을 예로 들어 나타낸 것이다. 이 펌핑 유니트(10)는 소정 편광의 광을 각 각 조사하는 복수의 광원(11)(13)과, 상기 복수의 광원(11)(13)과 상기 레이저 칩(23) 사이에 배치된 편광 광학소자(15)를 포함한다. 이 펌핑 유니트(10)는 폭과 길이 각각이 대략 20mm의 크기를 가지므로, 소형화할 수 있다.2 illustrates that the
도 2는 복수의 광원으로서, 제1편광의 광 예컨대, S편광의 광을 조사하는 제1광원(11)과, 제1편광과 편광방향이 다른 제2편광의 광 예컨대, P편광의 광을 조사하는 제2광원(13)을 예로 들어 나타내었다. 여기서, 상기 제1 및 제2광원(11)(13) 각각은 레이저 다이오드(LD)로 구성될 수 있다. 이때, 상기 제1 및 제2광원(11)(13)을 구성하는 레이저 다이오드 각각은 4 내지 5W의 출력을 가지며, 그 모듈의 폭과 길이 각각이 수 mm의 크기를 가지는 소형 저출력 LD 일 수 있다.FIG. 2 shows a plurality of light sources that include a
또한, 상기 제1 및 제2광원(11)(13) 각각을 구성하는 LD는 동일한 구성을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 LD는 그 광학적 배치를 변경함에 의하여 상기 편광 광학소자(15)에 조사되는 광의 편광방향을 다르게 할 수 있다. 즉, 제1광원(11)을 구성하는 LD의 광학적 배치에 대해 상기 제2광원(13)을 구성하는 LD를 90도 회전 배치함으로써, 제1편광의 광과 제2편광의 광의 편광 방향을 서로 다르게 할 수 있다.In addition, LDs constituting each of the first and
상기 편광 광학소자(15)는 입사광을 편광 방향에 따라 투과 또는 반사시켜, 상기 제1 및 제2광원(11)(13) 각각에서 조사된 광이 일 경로 즉, 상기 레이저 칩(23)으로 향하는 경로로 진행하도록 한다. The polarization
이를 위하여, 상기 편광 광학소자(15)는 도 3에 도시된 바와 같은 구조의 큐빅(cubic)형 편광 빔스프리터로 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 편광 광 학소자는 제1편광의 광 예컨대 S 편광의 광(BR)이 입사되는 제1입사면(15a), 제2편광의 광 예컨대 P 편광의 광(BT)이 입사되는 제2입사면(15b), 편광 선택성 투과면(15c) 및, 상기 제1 및 제2입사면(15a)(15b)를 통하여 입사되고 상기 편광 선택성 투과면(15c)을 경유하여 동일 진행 경로로 진행하는 출사 광(BO)이 출사되는 출사면(15d)을 구비한다.To this end, the polarizing
즉, 상기 편광 선택성 투과면(15c)은 상기 제1입사면(15a)을 통하여 입사된 제1편광의 광(BR)은 반사시키고, 상기 제2입사면(15b)을 통하여 입사된 제2편광의 광(BT)은 투과시킨다. 도 4는 본 발명에 따른 편광 광학소자의 파장 변화에 따른 투과율 정도를 나타낸 그래프이다. 도 4를 참조하면, 상기 편광 광학소자는 그래프에 표시된 파장 범위에서 S편광의 광에 대해서는 투과율이 대략 0%로서 거의 모든 광을 반사시키는 반면, P편광의 광에 대해서는 투과율이 대략 90% 이상으로 거의 모든 광을 투과시킴을 알 수 있다.That is, the polarization
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 서로 다른 위치에 배치된 제1 및 제2광원(11)(13) 각각에서 조사된 소정 편광의 광이 그 편광 방향에 따라 선택적으로 상기 편광 선택성 투과면(15c)을 투과하거나 이 편광 선택성 투과면(15c)에서 반사되어, 동일 경로로 진행하도록 할 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 2, the light of predetermined polarization irradiated from each of the first and second
여기서, 상기 펌핑 유니트(10)는 상기 레이저 칩(23)에 집속광이 조사되도록 상기 제1 및 제2광원(11)(13)에서 조사된 광을 집속하는 포커싱 렌즈(17)를 더 포 함할 수 있다. 상기 포커싱 렌즈(17)는 상기 제1 및 제2광원(11)(13)에서 조사되고, 상기 편광 광학소자(15)를 통하여 합성된 제1 및 제2편광의 광이 공통으로 진행하는 광경로 상에 마련된 것이 바람직하다. 이 경우, 1매의 포커싱 렌즈(17)를 통하여 제1 및 제2광원(11)(13)에서 조사된 광을 모두 집속함으로써, 종래의 2매 렌즈를 채용한 구성에 비하여 보다 그 구성을 단순화 할 수 있다는 이점이 있다.Here, the
한편, 본 실시예에서는 다수의 광원으로 제1 및 제2광원(11)(13)을 예로 들어 나타내었지만, 이는 예시적인 것에 불과한 것으로 다양한 변형예가 가능하다. 즉, 상기 광원은 3개 이상 복수개로 구성되는 것도 가능하다. 또한, 광원에서 조사된 광의 편광방향을 선택함에 있어서, 동일 구조의 레이저 다이오드의 광학적 배치를 변경함에 의하여 편광방향을 결정하는 구성 이외에도, 광경로 상에 위상지연판을 마련하여 편광방향을 변경하는 구성도 가능하다. 그리고, 상기 편광 광학소자(15)의 예로서 상기한 큐빅형 편광 빔스프리터 이외에도, 평판형 편광 빔스프리터나, X 큐브형 폴라라이저를 채용하는 구성도 가능하다.Meanwhile, in the present embodiment, the first and second
상기 외부공진미러는 제1 및 제2미러(25)(27)를 포함하여 구성된다. 상기 제1미러(25)는 상기 레이저 칩(23)으로부터 이격되며, 상기 레이저 칩(23)에서 조사된 광의 입사광축에 대해 경사 배치되어 있다. 이 제1미러(25)는 상기 레이저 칩(23) 및 상기 제2미러(27)와 마주하는 면이 오목 반사면(25a)으로 되어 있다. The external resonator mirror includes first and
상기 제2미러(27)는 외부공진기를 형성하는 것으로, 상기 제1미러(25)와 마주하게 배치되어, 상기 제1미러(25) 쪽에서 입사되는 광을 제1미러(25) 쪽으로 재반사시킨다. The
바람직하게는, 상기 제1 및 제2미러(25)(27) 각각은 입사광의 파장에 따라 다른 반사율과 투과율을 갖도록 코팅된다. 예를 들어, 상기 제1미러(25)는 상기 레이저 칩(23)에서 조사된 소정 파장의 레이저 광은 반사시키고, 후술하는 제2차고조파발진(Second Harmonic Generation; 이하, SHG라 한다) 결정(33)에 의하여 파장 변환된 레이저 광의 적어도 일부는 투과시키도록 코팅될 수 있다. 또한, 제2미러(27)는 파장 변환된 레이저 광에 대해서는 고반사율을 가지는 반면, 파장 변환되지 않은 레이저 광에 대해서는 약간의 투과율을 갖도록 코팅될 수 있다.Preferably, each of the first and
여기서, 상기 레이저 칩(23)과 상기 제2미러(27) 사이에는 SHG 결정(33)과, 복굴절 필터(31)가 더 구비된 것이 바람직하다. 상기 SHG 결정(33)은 상기 제1미러(25)와 상기 제2미러(27) 사이의 광경로 상에 배치되어, 상기 레이저 칩(23)에서 조사된 레이저 광의 파장을 그 절반인 1/2 파장의 광으로 변환한다. 예를 들어, 상기 레이저 칩(23)에서 조사된 레이저 광의 파장이 1064 nm인 경우, 상기 SHG(33)를 통하여 변환된 레이저 광의 파장은 532 nm 이다.Here, the
상기 복굴절 필터(31)는 상기 레이저 칩(23)과 상기 제1미러(25) 사이의 광경로 상에 배치되어, 소정 파장의 레이저 광만을 통과시킴으로써, 이 레이저 광만이 공진 되도록 한다.The
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 VECSEL의 광학적 배치를 보인 개략적인 도면이다.5 is a schematic view showing an optical arrangement of the VECSEL according to another embodiment of the present invention.
도면을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 VECSEL은 소정의 파장의 레이저 광을 발생 조사하는 레이저 칩(43)과, 상기 레이저 칩(43)에 펌핑 광을 제공 하는 펌핑 유니트(10) 및, 상기 레이저 칩(43)과 함께 공진기를 형성하는 외부공진미러(45)를 포함한다.Referring to the drawings, VECSEL according to another embodiment of the present invention is a
상기 레이저 칩(43)은 펌핑 광에 여기되어 소정 파장의 광을 방출하는 활성층과, DBR층을 포함하는 것으로, 일 실시예에 따른 레이저 칩(23)과 실질상 동일하므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다. The
상기 레이저 칩(43)의 일면 예컨대 광이 발출되는 이면에 상기 레이저 칩(43)에서 발생된 열을 외부로 방출하는 히트싱크(41)가 더 포함된 것이 바람직하다. 상기 펌핑 유니트(10)는 상기 레이저 칩(43)의 레이저 광이 조사되는 면 또는 그 이면에 배치되어, 상기 레이저 칩(43)에 펌핑 광을 제공한다. 도 5는 펌핑 유니트(10)가 상기 레이저 칩(43)의 레이저 광이 조사되는 면의 이면에 형성된 것을 예로 들어 나타낸 것이다. 이 경우, 상기 히트싱크(41)는 상기 펌핑 유니트(10)에서 조사된 펌핑 광이 투과되는 투명소재로 구성되거나, 상기 펌핑 광이 통과되도록 형성된 개구부(미도시)를 가진다.It is preferable that a
상기 펌핑 유니트(10)의 구성 및 작용은 일 실시예에 따른 펌핑 유니트와 실질상 동일하므로, 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.Configuration and operation of the
상기 외부공진미러(45)는 외부 공진기를 형성하는 것으로, 상기 레이저 칩(43)과 마주하게 배치되어 입사광의 일부를 상기 레이저 칩(43) 쪽으로 재반사시킨다. 이 외부공진미러(45)는 상기 레이저 칩(43)과 마주하는 면이 오목 반사면(45a)으로 되어 있어서, 공진되는 레이저 광의 대부분이 레이저 칩(43)과 외부공진미러(45)에서 벗어나는 것을 억제한다.The
바람직하게는, 상기 외부공진미러(45)는 입사광의 파장에 따라 다른 반사율과 투과율을 갖도록 코팅된다. 예를 들어, 상기 레이저 칩(43)에서 조사된 소정 파장의 레이저 광은 반사시키고, 후술하는 SHG 결정(53)에 의하여 파장 변환된 레이저 광의 적어도 일부는 투과시키도록 코팅될 수 있다.Preferably, the
여기서, 상기 레이저 칩(43)과 상기 외부공진미러(45) 사이에는 SHG 결정(53)과, 복굴절 필터(51)가 더 구비된 것이 바람직하다.Here, the
상기한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 VECSEL은 펌핑 유니트로서 상대적으로 파워가 낮고 소형이며 낮은 구동 전류로 동작하는 광원을 적어도 2개 이상 구비함과 아울러, 이들 각각에서 조사된 소정 편광의 광을 편광 광학소자를 이용하여 동일 경로로 진행하도록 합성함으로써 펌핑 파워를 보충할 수 있다. 따라서, 저출력 LD로 레이저 칩의 여기 발광에 필요한 펌핑 파워를 제공할 수 있다.The VECSEL according to the present invention configured as described above is a pumping unit having at least two light sources operating at a relatively low power, a small size, and a low driving current. Pumping power can be replenished by synthesizing to travel in the same path using the device. Therefore, it is possible to provide pumping power necessary for excitation light emission of the laser chip with low output LD.
또한, 1매의 포커싱 렌즈를 통하여 복수의 광원에서 조사된 광을 집속하는 구조를 가지므로, 제조 원가를 낮추고, 펌핑 유니트의 전체 구성을 콤팩트화 할 수 있다는 이점이 있다.In addition, since it has a structure that focuses the light irradiated from a plurality of light sources through one focusing lens, there is an advantage that the manufacturing cost can be lowered, and the overall configuration of the pumping unit can be made compact.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. The above embodiments are merely exemplary, and various modifications and equivalent other embodiments are possible to those skilled in the art.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위 내에서 정해져야만 할 것이다.Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined within the following claims.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060002691A KR20070074750A (en) | 2006-01-10 | 2006-01-10 | Vertical external cavity surface emitting laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060002691A KR20070074750A (en) | 2006-01-10 | 2006-01-10 | Vertical external cavity surface emitting laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070074750A true KR20070074750A (en) | 2007-07-18 |
Family
ID=38500001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060002691A KR20070074750A (en) | 2006-01-10 | 2006-01-10 | Vertical external cavity surface emitting laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070074750A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100981171B1 (en) * | 2008-03-31 | 2010-09-10 | 박만수 | Light irradiation apparatus with larger illumination area |
CN111250234A (en) * | 2020-02-11 | 2020-06-09 | 联想万像(深圳)科技有限公司 | Paper shredder |
CN117458262A (en) * | 2023-11-27 | 2024-01-26 | 重庆师范大学 | Modulation system of external cavity semiconductor blue laser |
-
2006
- 2006-01-10 KR KR1020060002691A patent/KR20070074750A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100981171B1 (en) * | 2008-03-31 | 2010-09-10 | 박만수 | Light irradiation apparatus with larger illumination area |
CN111250234A (en) * | 2020-02-11 | 2020-06-09 | 联想万像(深圳)科技有限公司 | Paper shredder |
CN117458262A (en) * | 2023-11-27 | 2024-01-26 | 重庆师范大学 | Modulation system of external cavity semiconductor blue laser |
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