KR20070071426A - Chip antenna using multi-layer radiator - Google Patents

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Abstract

A chip antenna using a multi-layer radiator is provided to cover wide bandwidth with compact size, by generating inter-coupling between two radiators and forming a multi current path, by preparing a passive discharge element having a constant pattern between a radiator covering low frequency band and a radiator covering high frequency band. A chip antenna using a multi-layer radiator includes a first radiator(110) and a second radiator(130) connected to the first radiator electrically. And a passive discharge device(200) is located between the first radiator and the second radiator, and is fed by being coupled from the first radiator and the second radiator. The passive discharge device includes at least one slot extending resonant frequency bandwidth of the first radiator and the second radiator.

Description

다층 방사체를 이용한 칩안테나 {Chip Antenna Using Multi-Layer Radiator} Chip Antenna Using Multi-Layer Radiator

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 칩안테나의 분해 사시도,1 is an exploded perspective view of a chip antenna according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1에 의한 칩안테나의 레이어(layer)별 분해 사시도,FIG. 2 is an exploded perspective view of layers of the chip antenna according to FIG. 1;

도 3은 도 1에 의해 조립된 칩안테나의 내부 구조를 보여주는 사시도.3 is a perspective view showing the internal structure of the chip antenna assembled by FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 제1방사체 110,130: 방사패턴100: first radiator 110, 130: radiation pattern

120: 유전체기판 200: 무급전 방전소자120: dielectric substrate 200: non-discharge discharge element

210,230: 유전체기판 220: 무급전소자패턴210, 230: dielectric substrate 220: non-powered element pattern

300: 제2방사체 310,330: 방사패턴300: second radiator 310, 330: radiation pattern

320: 유전체기판 500: 칩안테나320: dielectric substrate 500: chip antenna

본 발명은 다층 방사체를 이용한 칩안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 저주파 대역의 방사를 수행하는 방사체와 고주파 대역의 방사를 수행하는 방사체 사이에 일정한 패턴을 갖는 무급전 방전소자를 두어 두 방사체와의 상호 커플링이 발생하도록 하고 방사체에 다중 전류경로를 형성함으로써 광대역 특성을 갖도록 한 칩안테나에 관한 것이다.The present invention relates to a chip antenna using a multi-layer radiator. More particularly, the present invention relates to a chip antenna using a multi-layer radiator. More specifically, the present invention relates to a chip antenna having a non-powered discharge device having a predetermined pattern between a radiator for radiating low frequency bands and a radiator for radiating high frequency bands. The present invention relates to a chip antenna that has a broadband characteristic by causing mutual coupling to occur and forming multiple current paths in a radiator.

현재 이동통신 단말기는 소형화 및 경량화 되면서도, 다양한 서비스 제공 기 능이 요구된다.Currently, mobile communication terminals are required to provide various services while being miniaturized and lightweight.

상기 요구를 만족시키기 위해 이동통신 단말기에 채용되는 내장회로 및 부품들은 다기능화 되고, 동시에 점차 소형화되는 추세이다.In order to satisfy the demands, embedded circuits and components employed in mobile communication terminals are becoming multifunctional, and at the same time, they are gradually miniaturized.

이러한 추세는 이동통신 단말기의 주요 부품 중 하나인 안테나에서도 동일하게 요구된다.This trend is equally required for antennas, which are one of the main components of mobile communication terminals.

일반적으로 사용되는 이동통신 단말기용 안테나로는 외장형의 헬리컬 안테나(helical antenna)와, 내장형인 평면 역에프 안테나(Planar Inverted F Antenna: PIFA)의 평판 안테나(MPA)와 세라믹 칩안테나가 있다.Commonly used antennas for mobile communication terminals include an external helical antenna, a planar antenna (MPA) of a built-in planar inverted F antenna (PIFA), and a ceramic chip antenna.

헬리컬 안테나는 단말기 상단에 고정된 외장형 안테나로서 모노폴 안테나와 함께 사용된다.The helical antenna is an external antenna fixed to the top of the terminal and used together with the monopole antenna.

헬리컬 안테나와 모노폴 안테나가 병용되는 형태는 안테나를 단말기 본체로부터 인출(extended)하면 모노폴 안테나로 동작하고, 삽입(Retracted)하면 λ/4 헬리컬 안테나로 동작한다.When the helical antenna and the monopole antenna are used together, the antenna operates as a monopole antenna when the antenna is extended from the main body of the terminal, and as a λ / 4 helical antenna when the antenna is extended.

이러한 안테나는 높은 이득을 얻을 수 있는 장점이 있으나, 무지향성으로 인해 전자파 인체 유해기준인 SAR 특성이 좋지 않다.These antennas have the advantage of obtaining high gain, but due to their omni-directional, SAR characteristics, which are harmful to the human body of electromagnetic waves, are not good.

한편 이러한 단점을 극복하기 위하여, 낮은 프로파일 구조를 갖는 평면 역에프 안테나(PIFA)의 MPA나 세라믹 칩안테나가 구비된다.On the other hand, in order to overcome this disadvantage, the MPA or ceramic chip antenna of a planar inverted-f antenna (PIFA) having a low profile structure is provided.

상기 PIFA 타입의 MPA와 세라믹 칩안테나는 내장형 안테나로서 이동통신 단 말기의 내부에 구성되므로, 이동통신 단말기의 외관을 수려하게 디자인할 수 있고 외부의 충격에도 우수한 특성을 갖는다.Since the PIFA type MPA and the ceramic chip antenna are internal antennas and are configured inside the mobile communication terminal, the external appearance of the mobile communication terminal can be designed beautifully and the external impact is excellent.

상기 PIFA 타입의 MPA와 세라믹 칩안테나는 다기능화 추세에 따라 서로 다른 사용 주파수 대역 즉, 고주파 및 저주파 대역을 담당하는 이중방사체의 이중 대역(dual band) 안테나 형태로 개발된다.The PIFA type MPA and the ceramic chip antenna are developed in the form of a dual band antenna of a dual radiator for different frequency bands, that is, a high frequency and a low frequency band, according to a multifunctional trend.

상기 MPA 형태는 성능면에서 외장형 안테나에 비해 약간 떨어지기는 하나 내장할 수 있다는 장점이 있어 계속적으로 발전해 오고 있으나, 사이즈가 커서(35*20*6) 공간 확보가 쉽지가 않고, 이동통신 단말기가 변할 때마다 같이 구조가 변해야 하고, 구조상 단가가 높다는 단점이 있다.Although the MPA type has a merit of being able to be built in, although it is slightly lower than an external antenna in terms of performance, it has been continuously developed, but the size is large (35 * 20 * 6) and it is not easy to secure space, and the mobile communication terminal may change. The structure must change every time, and there is a disadvantage in that the unit cost is high.

또한 세라믹칩 안테나는 사이즈는 작고 효율은 좋으나 대역폭이 좁아서 외부 요인에 민감하고 단가가 높다는 단점이 있다.In addition, ceramic chip antennas are small in size and have good efficiency, but have a disadvantage in that they are sensitive to external factors and have a high cost due to their narrow bandwidth.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 저주파 대역을 커버하는 방사체와 고주파 대역을 커버하는 방사체 사이에 일정한 패턴을 갖는 무급전 방전소자를 두어 두 방사체와의 상호 커플링이 발생하도록 하고 다중 전류경로를 형성함으로써 사이즈를 소형화하면서도 넓은 대역폭을 커버할 수 있는 다층 방사체를 이용한 칩안테나를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, by placing a non-discharge discharge element having a predetermined pattern between the radiator covering the low frequency band and the radiator covering the high frequency band to cause mutual coupling between the two radiators. The purpose of the present invention is to provide a chip antenna using a multi-layer radiator capable of covering a wide bandwidth while miniaturizing a size by forming multiple current paths.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 다층 방사체를 이용한 칩안테나는, 저주파 대역의 방사를 수행하는 제1방사체와, 상기 제1방사체에 전 기적으로 연결되고 다중 전류경로가 형성되어 고주파 대역의 방사를 수행하는 제2방사체 및 상기 제1방사체와 제2방사체 사이에 위치되어 상기 제1방사체 및 제2방사체가 상호 커플링 되도록 하는 무급전 방전소자를 포함한다.Chip antenna using a multi-layer radiator according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, a first radiator for performing a low frequency band, and electrically connected to the first radiator and a multi-current path is formed And a second radiator for radiating high frequency bands and a non-powered discharge device positioned between the first radiator and the second radiator to couple the first radiator and the second radiator to each other.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참고로 그 구성 및 작용을 설명하기로 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 칩안테나의 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 의한 칩안테나의 레이어(layer)별 분해 사시도이며, 도 3은 도 1에 조립된 칩안테나의 내부 구조를 보여주는 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a chip antenna according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of layers of the chip antenna according to FIG. 1, and FIG. 3 is an internal structure of the chip antenna assembled in FIG. 1. It is a perspective view showing.

도시된 바와 같이, 제1방사체(100)와 무급전 방전소자(200) 및 제2방사체(300)를 포함하여 구성된다.As shown, the first radiator 100, the non-powered discharge device 200, and the second radiator 300 are included.

상기 제1방사체(100)와 제2방사체(300)는 공진 길이를 구현하고 상기 무급전 방전소자(200)는 사용하고자 하는 주파수의 대역폭을 확장한다.The first radiator 100 and the second radiator 300 implement a resonance length, and the non-powered discharge device 200 extends a bandwidth of a frequency to be used.

상기 제1방사체(100)는 저주파 대역인 예를 들어 약 900MHz 대역의 방사를 수행한다.The first radiator 100 performs emission in a low frequency band, for example, about 900 MHz.

상기 제1방사체(100)는 제1,제2방사패턴(110,130)과 제1유전체기판(120)을 포함하여 구성된다.The first radiator 100 includes first and second radiation patterns 110 and 130 and a first dielectric substrate 120.

비아홀(122)이 다수 형성된 제1유전체기판(120)의 상하에 제1방사패턴(110)과 제2방사패턴(130)이 형성된다.The first radiation pattern 110 and the second radiation pattern 130 are formed above and below the first dielectric substrate 120 having a plurality of via holes 122.

이때 상기 제1방사체(100)는 저주파 대역의 방사를 수행할 수 있는 전기적인 길이(공진 길이)를 얻기 위하여, 제1방사패턴(110)과 제2방사패턴(130)이 비아홀 (122)을 통해 서로 연결되는 지그재그 라인의 구조를 갖는다.At this time, the first radiator 100 is the first radiation pattern 110 and the second radiation pattern 130 to the via hole 122 in order to obtain an electrical length (resonance length) that can perform the emission of the low frequency band It has a structure of zigzag lines connected to each other through.

또한, 상기 제1방사체(100)는 전기적 길이에 해당하는 도체띠를 제1유전체기판(120)의 상하면에 프린팅하여 제1방사패턴(110)과 제2방사패턴(130)을 형성하고 서로 연결하여 구현할 수도 있다.In addition, the first radiator 100 forms a first radiation pattern 110 and a second radiation pattern 130 by printing a conductor band corresponding to an electrical length on the upper and lower surfaces of the first dielectric substrate 120, and is connected to each other. It can also be implemented.

상기 제1방사패턴(110)과 제2방사패턴(130)에 연결된 각 급전선로(112,132)는 제1유전체기판(120)에 형성된 또 다른 비아홀(124)을 통해 전기적으로 연결된다.Each of the feed lines 112 and 132 connected to the first radiation pattern 110 and the second radiation pattern 130 is electrically connected to another via hole 124 formed in the first dielectric substrate 120.

상기 제2방사체(300)와 제1방사체(100) 사이에 위치된 무급전 방전소자(200)는 어느 급전선로와도 전기적으로 연결되지 않고, 두 방사체(100,300)와의 상호 커플링이 발생되도록 하여, 사용하고자 하는 주파수 대역별로 대역폭을 결정한다.The non-powered discharge element 200 positioned between the second radiator 300 and the first radiator 100 is not electrically connected to any feeder line, so that mutual coupling with the two radiators 100 and 300 occurs. The bandwidth is determined for each frequency band to be used.

상기 무급전 방전소자(200)는 제2,제3유전체기판(210,230)과 도전재질의 무급전소자패턴(220)을 포함하여 구성된다.The non-powered discharge device 200 includes second and third dielectric substrates 210 and 230 and a non-powered device pattern 220 of a conductive material.

상기 무급전 방전소자(200)는 제1방사체(100)와 제2방사체(300)에서 방사되는 주파수의 대역폭을 더 확장하기 위하여 적어도 2개 이상의 슬롯(222)이 형성된 무급전소자패턴(220)이 제2유전체기판(210)과 제3유전체기판(230) 사이에 구비된다.The non-powered discharge device 200 includes a non-powered device pattern 220 in which at least two slots 222 are formed in order to further extend the bandwidth of the frequency radiated from the first and second radiators 100 and 300. The second dielectric substrate 210 is provided between the third dielectric substrate 230.

상기 슬롯(222)중에서 좌측(222)에 있는 슬롯은 제2방사체(300)에 방사되는 고주파의 대역폭을 더 확장하고, 우측에 있는 슬롯(222)은 제1방사체(100)에서 방사되는 저주파의 대역폭을 더 확장한다.The slot on the left side 222 of the slot 222 further extends the bandwidth of the high frequency radiated to the second radiator 300, and the slot 222 on the right side has a low frequency radiated from the first radiator 100. Expand bandwidth further.

상기 고주파나 저주파 대역폭을 확장하는 슬롯(222)을 다수 개 형성하면 각 각 하나 형성한 것보다 방사이득과 방사패턴이 좋아진다.When a plurality of slots 222 extending the high frequency or low frequency bandwidth are formed, the radiation gain and the radiation pattern are better than that of each one.

상기 슬롯(222)의 물리적인 길이는 제1방사체(100)와 제2방사체(200)에서 방사되는 주파수의 인접한 주파수에서 공진할 수 있도록 결정된다.The physical length of the slot 222 is determined to be able to resonate at adjacent frequencies of frequencies radiated from the first radiator 100 and the second radiator 200.

상기 제2방사체(300)는 다층 구조로 광대역 고주파 대역의 방사를 수행한다.The second radiator 300 is a multilayer structure to perform the radiation of a wideband high frequency band.

상기 제2방사체(300)는 제4유전체기판(320) 상하에 제3방사패턴(310)과 제4방사패턴(330)이 각각 형성된다.In the second radiator 300, a third radiation pattern 310 and a fourth radiation pattern 330 are formed above and below the fourth dielectric substrate 320, respectively.

상기 제3방사패턴(310)과 제4방사패턴(330)은 물리적인 길이는 같으나 유전체 기판(320) 두께에 의한 층간 차이에 의해서 공진 주파수 대역이 달라져 고주파의 대역폭을 향상시킬 수 있다.Although the third radiation pattern 310 and the fourth radiation pattern 330 have the same physical length, the resonant frequency band is changed due to the interlayer difference due to the thickness of the dielectric substrate 320, thereby improving the bandwidth of the high frequency wave.

상기 제2방사체(300)에서 상기 제4방사패턴(330)의 급전선로(332)는 제4유전체기판(320)의 비아홀(322)을 통해 제3방사패턴(310)에 연결된 급전선로(312)에 연결되는 구조 즉, 제2방사체(300)의 전류경로가 다양화되는 구조로써 고주파의 대역폭을 향상시킬 수 있다.In the second radiator 300, the feed line 332 of the fourth radiation pattern 330 is connected to the third radiation pattern 310 through the via hole 322 of the fourth dielectric substrate 320. ), That is, a structure in which the current path of the second radiator 300 is diversified, thereby improving bandwidth of a high frequency.

상기 제3급전선로(312)는 제3유전체기판(230)의 비아홀(232), 제2유전체기판(210)의 비아홀(212), 급전선로(132) 및 제1유전체기판(120)의 비아홀(124)을 통해 제1방사패턴(110)에 연결된 급전선로(112)에 연결되며, 상기 제1방사패턴(110)은 제1유전체기판(120)의 비아홀(122)을 통해 하부의 제2방사패턴(130)에 연결된다.The third feed line 312 includes a via hole 232 of the third dielectric substrate 230, a via hole 212 of the second dielectric substrate 210, a feed hole 132, and a via hole of the first dielectric substrate 120. The second radiation pattern 110 is connected to the feed line 112 connected to the first radiation pattern 110 through the via hole 124, and the second second radiation pattern 110 is connected to the first through the via hole 122 of the first dielectric substrate 120. It is connected to the radiation pattern 130.

상기 제2방사체(300)에 구비된 각 방사패턴(310,330)은 전류경로의 다양화로 고주파 대역폭을 향상시켜 방사하고 이 고주파 대역폭은 무급전 방전소자(220)의 좌측에 있는 슬롯(222)을 통해 더 확장되어 방사된다.Each of the radiation patterns 310 and 330 provided in the second radiator 300 improves and radiates high frequency bandwidth by diversifying the current path, and the high frequency bandwidth is transmitted through the slot 222 on the left side of the non-powered discharge device 220. It is further extended and radiated.

상기 제1방사체(100)에 구비된 제1,제2방사패턴(110,130)은 저주파 대역을 방사하고 이 저주파 대역폭은 무급전 방전소자(200)의 우측에 있는 슬롯(222)을 통해 확장되어 방사된다.The first and second radiation patterns 110 and 130 provided on the first radiator 100 radiate low frequency bands, and the low frequency bandwidths are extended through the slots 222 on the right side of the non-powered discharge element 200. do.

상기한 바와 같이, 제1방사체(100)와 무급전 방전소자(200) 및 제2방사체(300)가 조립된 상태에서 LCP(Liquid Crystal Polymer) 유전체로 몰딩 하여 칩안테나(500)의 제조가 완료된다.As described above, the manufacture of the chip antenna 500 is completed by molding a liquid crystal polymer (LCP) dielectric in a state in which the first radiator 100, the non-powered discharge device 200, and the second radiator 300 are assembled. do.

상기한 구조에 의해 제1방사체(100)와 제2방사체(300) 사이에 일정한패턴을 갖는 무급전 방사 소자(200)를 구비하여 두 방사체(100,300)와의상호 커플링을 발생하도록 하고, 방사체에 다중 전류경로를 형성시킴으로써 보다 넓은 대역폭을 확보할 수 있다.According to the above structure, a non-powered radiating element 200 having a predetermined pattern is provided between the first radiator 100 and the second radiator 300 so as to generate mutual coupling between the two radiators 100 and 300, and to the radiator. By forming multiple current paths, a wider bandwidth can be obtained.

상기 LCP 유전체로 비유전율(εr)이 2~4인 플라스틱 물질을 사용하여 사용 주파수의 파장을 감소시킴으로써 칩안테나(500)의 크기를 줄일(20*7*4) 수 있고, 내열온도가 300°가 넘어 칩안테나(500)를 PCB에 실장하는 SMT(Surface Mount Technology)시 칩안테나(500)의 변형을 방지할 수 있다.By using a plastic material having a relative dielectric constant (ε r ) of 2 to 4 as the LCP dielectric, the size of the chip antenna 500 can be reduced (20 * 7 * 4) by reducing the wavelength of the use frequency, and the heat resistance temperature is 300. It is possible to prevent deformation of the chip antenna 500 during surface mount technology (SMT) for mounting the chip antenna 500 on the PCB.

상기 크기의 감소로 종래 평판 안테나(MPA)가 제한적으로 사용할 수밖에 없었던 구조적인 문제점을 해결하였고 정재파비나 방사패턴의 성능을 향상시킬 수 있다.The reduction of the size has solved the structural problem that the conventional flat antenna (MPA) was limited to use and can improve the performance of the standing wave ratio or radiation pattern.

상기 LCP 유전체의 유무에 따라 100~150MHz의 주파수 이동의 변화가 생긴다.Depending on the presence or absence of the LCP dielectric, a frequency shift of 100 to 150 MHz occurs.

대역폭 측면에서 보면 저주파인 900MHz 대역에서는 대략 80MHz 이상, 고주파 인 1800MHz 대역에서는 대략 600MHz 이상의 대역폭을 더 확보할 수 있었다(기준정재파비는 VSWR<3:1).In terms of bandwidth, more bandwidth of about 80 MHz or more in the low frequency 900 MHz band and about 600 MHz or more in the high frequency 1800 MHz band was obtained (the reference standing wave ratio was VSWR <3: 1).

이상에서는 유전체기판(120,210,230,320)의 비아홀(124,212,232,322)을 통해 제1방사체(100) 및 제2방사체(300)의 방사패턴(112,132,312,332)이 전기적으로 연결되는 것을 설명하였으나, 유전체기판의 일측면에 급전선 및 접지선을 프린트하여 전기적으로 연결할 수도 있다.In the above description, the radiation patterns 112, 132, 312, and 332 of the first radiator 100 and the second radiator 300 are electrically connected through the via holes 124, 212, 232, and 322 of the dielectric substrates 120, 210, 230, and 320. You can also print the ground wire to make an electrical connection.

이상 도면과 상세한 설명에서 최적 실시예들이 개시되고, 이상에서 사용된 특정한 용어는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것일 뿐 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것이 아니다.Embodiments of the present invention are disclosed in the drawings and the detailed description, and the specific terms used above are used only for the purpose of describing the present invention, and are used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. It is not.

그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하고, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Therefore, those skilled in the art can be various modifications and other equivalent embodiments from this, and the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the claims.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 제1방사체와 다층 구조를 갖는 제2방사체의 적층구조로 전체 안테나의 크기를 감소시킬 수 있고, 제1방사체와 제2방사체 사이에 대역별로 패턴이 다른 무급전 방전소자를 두고 방사체에는 다중 전류경로를 형성시킴으로써 대역폭을 화장시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, the stack structure of the first radiator and the second radiator having the multi-layered structure can reduce the size of the entire antenna, and the unpaid pattern is different for each band between the first radiator and the second radiator. It is possible to make up the bandwidth by forming multiple current paths in the radiator with all the discharge elements.

또한 본 발명에 의하면, PCB에 칩안테나를 표면실장(SMT)할 수 있기 때문에 세트에 장착이 용이하고, 종래 안테나보다 가격을 저렴하게 생산 공급할 수 있다.In addition, according to the present invention, since the chip antenna can be surface mounted (SMT) on the PCB, it can be easily mounted on the set, and the production can be supplied at a lower cost than the conventional antenna.

Claims (7)

제1방사체와;A first radiator; 상기 제1방사체에 전기적으로 연결되는 제2방사체 및A second radiator electrically connected to the first radiator, and 상기 제1방사체와 제2방사체 사이에 위치하여 상기 제1방사체 및 제2방사체로부터 상호 커플링되어 급전되는 무급전 방사소자를 포함하는 다층 방사체를 이용한 칩안테나.A chip antenna using a multi-layer radiator positioned between the first radiator and the second radiator and including a non-powered radiating element coupled to each other and fed from the first radiator and the second radiator. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무급전 방사소자에는 제1방사체와 제2방사체의 공진 주파수 대역폭을 확장시키는 슬롯이 각각 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 방사체를 이용한 칩안테나.The non-powered radiating element chip antenna using a multi-layer radiator, characterized in that at least one slot is formed to extend the resonant frequency bandwidth of the first radiator and the second radiator. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 슬롯은 제1방사체와 제2방사체의 공진 주파수에 인접하는 주파수에서 공진할 수 있도록 물리적인 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 방사체를 이용한 칩안테나.The slot is a chip antenna using a multi-layer radiator, characterized in that the physical length to be resonant at a frequency adjacent to the resonant frequency of the first radiator and the second radiator. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2방사체에는 다층구조로 다중 전류경로가 형성됨으로써 광대역 특성 을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 다층 방사체를 이용한 칩안테나.Chip antenna using a multi-layer radiator, characterized in that the second radiator has a multi-layered current path is formed to have a wideband characteristics. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제2방사체는 유전체 기판의 상하로 물리적인 길이는 같으나 유전체 기판의 두께 차이로 인해 공진 주파수가 달라지는 다수의 방사체들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 방사체를 이용한 칩안테나.The second radiator is a chip antenna using a multi-layer radiator, characterized in that composed of a plurality of radiators having the same physical length up and down the dielectric substrate, but the resonance frequency is changed due to the thickness difference of the dielectric substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1방사체는 비아홀이 다수 형성된 유전체기판의 상하에 제1방사패턴과 제2방사패턴이 형성되고, 상기 제1방사패턴과 제2방사패턴이 비아홀을 통해 연결되는 지그재그 라인의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 방사체를 이용한 칩안테나.The first radiator has a zigzag line structure in which a first radiation pattern and a second radiation pattern are formed above and below a dielectric substrate on which a plurality of via holes are formed, and the first radiation pattern and the second radiation pattern are connected through a via hole. Chip antenna using a multi-layer radiator characterized in that. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 제1방사체와 무급전 방사소자 및 제2방사체는 LCP 유전체에 의해 몰딩되는 것을 특징으로 하는 다층 방사체를 이용한 칩안테나.And the first radiator, the non-powered radiating element, and the second radiator are molded by an LCP dielectric.
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