KR20070069463A - Electrostatic chuck and heater - Google Patents

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Abstract

An electrostatic chuck and a heater are provided to perform effectively a chucking process, a plasma treatment and a heating process by supplying stably power to a conductive member and a heating element using a connector having an enhanced connection reliability. An opening portion(115) is formed at an insulating plate(110). A conductive member(120) is embedded in the insulating plate. The conductive member is partially exposed to the outside through the opening portion of the insulating plate. A body(132) is inserted into the insulating plate through the opening portion. The body includes a plurality of terminal grooves. Terminals(136) are inserted into the terminal grooves to supply power to the conductive member. Elastic members(138) are arranged at the terminal grooves to support elastically the terminals toward the conductive member side.

Description

정전척 및 히터{ELECTROSTATIC CHUCK AND HEATER}Electrostatic Chuck and Heater {ELECTROSTATIC CHUCK AND HEATER}

도 1은 종래에 개시된 커넥터를 포함하는 정전척을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an electrostatic chuck including a connector disclosed in the related art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view for describing an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시한 커넥터를 설명하기 위한 확대 분해 단면도이다.3 is an enlarged exploded cross-sectional view for explaining the connector illustrated in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척을 설명하기 위한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view for describing an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시한 커넥터를 설명하기 위한 확대 분해 단면도이다.5 is an enlarged exploded cross-sectional view for explaining the connector shown in FIG. 4.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 히터를 설명하기 위한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a heater according to still another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100, 200：정전척 110：절연 플레이트100, 200: electrostatic chuck 110: insulation plate

115,315：개구부 120：전도성 부재115,315: Opening part 120: Conductive member

125,325：도전 패드 130, 230：커넥터125,325: conductive pads 130, 230: connector

131：상면 132, 232：몸체131: Upper surface 132, 232: Body

133：단자 홈 134：케이싱133: Terminal groove 134: Casing

136：단자 138：탄성 부재136: Terminal 138: Elastic member

150, 250,350：전원 공급 유닛 152：밴드150, 250, 350 ： Power supply unit 152 ： Band

155, 255：밴드홀 233：제2 단자 홈155, 255: band hole 233: second terminal groove

234：제2 케이싱 236：제2 단자234: Second casing 236: Second terminal

238：제2 탄성 부재 300：히터238: Second elastic member 300: Heater

310：히팅 플레이트 320：발열체310: heating plate 320: heating element

본 발명은 정전척 및 히터에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 가공 챔버 내부에 위치하여 웨이퍼를 척킹하기 위한 정전력을 생성하는 정전척 및 웨이퍼나 면광원 같은 대상물을 가열하기 위한 열을 생성하는 히터에 관한 것이다. The present invention relates to an electrostatic chuck and a heater. More specifically, it relates to an electrostatic chuck that is located inside a processing chamber and generates an electrostatic force for chucking a wafer and a heater that generates heat for heating an object such as a wafer or surface light source.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit on a wafer used as a semiconductor substrate, an electrical die sorting (EDS) process for inspecting electrical characteristics of semiconductor devices formed in the fab process, and Each semiconductor device is manufactured through a package assembly process for encapsulating and individualizing the epoxy resin.

상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 세정된 웨이퍼를 건조시키기 위한 건조 공정과, 상기 막 또는 패턴의 결함을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a wafer, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern using the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the wafer, a cleaning process for removing impurities on the wafer, and a process for drying the cleaned wafer And a drying step and an inspection step for inspecting the defect of the film or pattern.

최근, 팹 공정에서 공정 가스를 플라스마 상태로 여기시켜 기판 상에 막 또는 패턴을 형성하는 플라스마 처리 장치의 사용이 급증하고 있다. 상기 플라스마 처리 장치는 반도체 기판을 가공하기 위한 공간을 가공 챔버와, 상기 가공 챔버 내부에 배치되며 상기 반도체 기판을 지지하기 위한 정전척과, 가공 챔버로 반응 가스를 공급하며 상기 정전척과 연동하여 플라스마 가스로 형성하기 위한 상부 전극으로 이용되는 샤워 헤드를 포함한다.Recently, the use of a plasma processing apparatus for exciting a process gas into a plasma state in a fab process to form a film or a pattern on a substrate has increased rapidly. The plasma processing apparatus includes a processing chamber for processing a semiconductor substrate, an electrostatic chuck disposed inside the processing chamber to support the semiconductor substrate, and supplying a reaction gas to the processing chamber and interlocking with the electrostatic chuck as a plasma gas. And a shower head used as an upper electrode for forming.

이러한 정전척은 최근 다양한 기능을 수행할 수 있게 개발되고 있다. 일예로, 정전력(electrostatic force)을 생성하여 반도체 기판을 척킹하거나, 고전위차를 조성하여 플라스마를 생성하거나, 고열을 방출하여 대상물을 가열할 수 있는 다용도 정전척도 개발되었다. Such electrostatic chucks have recently been developed to perform various functions. For example, multipurpose electrostatic chucks have been developed that can generate electrostatic forces to chuck semiconductor substrates, create high potential differences to produce plasma, or emit high heat to heat objects.

정전척이 전술한 바와 같은 기능들을 수행하기 위해서는 전기적 파워가 필요하다. 전기적 파워는 전원 공급 유닛과 연결되는 커넥터를 통하여 이루어진다. 이하 도면을 참조하여 종래에 개시된 커넥터에 대하여 자세하게 설명한다.The electrostatic chuck requires electrical power to perform the functions described above. Electrical power is achieved through a connector that is connected to the power supply unit. Hereinafter, a connector disclosed in the related art will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래에 개시된 커넥터를 포함하는 정전척을 설명하기 위한 개략적인 단면도를 도시한 것이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining an electrostatic chuck including a connector disclosed in the prior art.

도 1을 참조하면, 정전척(10)은 세라믹 플레이트(20), 전극(30) 및 커넥터(40)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the electrostatic chuck 10 includes a ceramic plate 20, an electrode 30, and a connector 40.

세라믹 플레이트(20)의 내부에는 전극(30)이 매설되고, 전극(30)은 커넥터(40)와 전기적으로 연결된다. 이를 위하여, 세라믹 플레이트(20) 하면에는 내부에 매설된 전극(30)을 노출시켜 커넥터(40)와 전기적으로 연결하기 위한 개구부(22)가 형성된다.An electrode 30 is embedded in the ceramic plate 20, and the electrode 30 is electrically connected to the connector 40. To this end, an opening 22 is formed in the lower surface of the ceramic plate 20 to expose the electrode 30 embedded therein and to electrically connect the connector 40.

개구부(22) 내에는 커넥터(40)와 전극(30)을 전기적으로 연결하기 위한 도전 패드(25)가 형성된다. 도전 패드(25)는 커넥터(40)와 전극(30)의 접촉면적을 증대시키기 위한 부재로서, 전극(30)을 개구부(22)에 간접적으로 노출시킨다. 도전 패드(25)에는 커넥터(40)가 접촉된다. In the opening 22, a conductive pad 25 for electrically connecting the connector 40 and the electrode 30 is formed. The conductive pad 25 is a member for increasing the contact area between the connector 40 and the electrode 30, and indirectly exposes the electrode 30 to the opening 22. The connector 40 is in contact with the conductive pad 25.

커넥터(40)는 전원 공급 유닛(60)으로부터 파워를 제공받아 전극(30)에 전달하기 위한 장치로서, 상단부는 개구부(22)를 통하여 세라믹 플레이트(20) 내부에 삽입되고, 하단부에는 전원 공급 유닛(60)이 연결된다. The connector 40 is a device for receiving power from the power supply unit 60 and transferring the power to the electrode 30. The upper end part is inserted into the ceramic plate 20 through the opening 22, and the lower end part is a power supply unit. 60 are connected.

일반적으로, 도전 패드(25)와 커넥터(40) 사이에는, 도전 패드(25) 및 커넥터(40)의 산화를 억제하고, 도전 패드(25)와 커넥터(40)의 접촉 신뢰성을 향상시키기 위한 전도성 접착제(50)가 도포된다.In general, between the conductive pad 25 and the connector 40, the conductive pad 25 is configured to suppress oxidation of the conductive pad 25 and the connector 40 and to improve contact reliability between the conductive pad 25 and the connector 40. Adhesive 50 is applied.

전도성 접착제(50)는 납땜이나 용점과 같이 공간에 한정적인 접착 방법의 문제점을 개선하기 위하여 개발되었다. 전도성 접착제(50)는 접착성과 전도성을 모두 갖는 물질로 이루어진다. 전도성 접착제(50)는 크게 전도성 입자, 수지, 및 용제로 구성된다. 상기 전도성 입자로서는 은분, 동분, 니켈 분말 등과 같은 금속 분말이 주로 사용된다. 상기 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지가 주로 사용된다. The conductive adhesive 50 has been developed to improve the problems of space-specific bonding methods such as soldering or melting point. The conductive adhesive 50 is made of a material having both adhesiveness and conductivity. The conductive adhesive 50 is mainly composed of conductive particles, a resin, and a solvent. As the conductive particles, metal powder such as silver powder, copper powder, nickel powder or the like is mainly used. As said resin, an epoxy resin and a phenol resin are mainly used.

그러나 전도성 접착제(50)를 이용하여 도전 패드(25)와 커넥터(40)를 연결할 경우, 정전척(10)에는 내열성과 내습성의 문제가 발생될 수 있다.However, when the conductive pad 25 and the connector 40 are connected using the conductive adhesive 50, problems of heat resistance and moisture resistance may occur in the electrostatic chuck 10.

정전척(10)은 반도체 가공 공정의 특성 상 내습성은 크게 문제되지 않으나, 내열성은 정전척(10)에 악영향을 끼칠 수 있다. 보다 자세하게 설명하면, 에폭시 수지 또는 페놀 수지가 대부분을 차지하고 있기 전도성 접착제(50)는 약 250℃의 내열 온도를 갖는다. 그러나 많은 반도체 가공 공정이 200 내지 500℃ 하에서 수행되기 때문에, 전도성 접착제(50)의 특성이 변할 수 있게 된다. The electrostatic chuck 10 does not have much problem with moisture resistance due to the characteristics of the semiconductor processing process, but the heat resistance may adversely affect the electrostatic chuck 10. In more detail, since the epoxy resin or the phenol resin occupies most of the conductive adhesive 50, the heat-resistant temperature of about 250 ° C. However, because many semiconductor processing processes are performed under 200 to 500 ° C., the properties of the conductive adhesive 50 can be changed.

전술한 바와 같은 내열성의 문제로 인하여 전도성 접착제(50)의 특성이 변화될 경우, 도전 패드(25)와 커넥터(40)의 접착 신뢰성을 저하되어 두 부재의 전기적 연결이 끊어질 수도 있다. 이는 곧, 전극(30)으로 안정적인 파워가 공급되지 못함을 의미한다. 따라서 기판이 불량하게 척킹되거나, 플라스마가 불량하게 생성되거나, 대상물이 불균일하게 가열되는 등과 같은 문제들이 발생될 수 있다.When the characteristics of the conductive adhesive 50 are changed due to the heat resistance problem as described above, the adhesion reliability of the conductive pad 25 and the connector 40 may be lowered, thereby disconnecting the electrical connection between the two members. This means that stable power is not supplied to the electrode 30. Thus problems such as poorly chucked substrates, poorly generated plasma, unevenly heated objects, and the like can occur.

전도성 접착제 대신하여 브레이징(brazing) 방법을 이용하여 전극(30)과 커넥터(40)를 연결하는 기술도 개발되었으나, 브레이징(brazing) 방법은 필러(filler) 물질에 따른 공융점 때문에 800℃ 이상의 작업 온도를 필요로 한다. 따라서 고온의 열을 발생할 수 있는 장비가 필수적으로 요구되며, 800℃ 이상이라는 고온의 작업 온도로 말미암은 정전척(10)의 내부 스트레스 증가 등과 같은 물성 변화 문제가 발생될 수 있다. A technique of connecting the electrode 30 and the connector 40 by using a brazing method instead of the conductive adhesive has also been developed, but the brazing method has a working temperature of 800 ° C. or higher due to the eutectic point depending on the filler material. Need. Therefore, the equipment capable of generating high temperature heat is essential, and physical property change problems such as an increase in internal stress of the electrostatic chuck 10 may occur due to a high working temperature of 800 ° C. or higher.

전술한 바와 같은 문제들은, 정전척(10)과 유사한 구조를 갖는 히터에서도 유사하게 발생되고 있다. The problems as described above are similarly generated in a heater having a structure similar to that of the electrostatic chuck 10.

현재 반도체 장치가 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 개발됨에 따라 반도체 기판의 가치는 단위 가공 공정을 거칠수록 급격히 높아지고 있다. 하지만 전술한 바와 같은 문제들로 인하여 고가의 반도체 기판들이 불량하게 가공되어 재 처리되거나 폐기되고 있는 실정이며, 이에 대한 대책 마련이 시급한 실정이다. As semiconductor devices are developed in the direction of high integration and high performance, the value of semiconductor substrates is rapidly increasing as the unit is processed. However, due to the problems described above, expensive semiconductor substrates are poorly processed and reprocessed or disposed of, and it is urgent to prepare countermeasures.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점들을 해소하고자 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 전도성 부재와 전원 공급 유닛의 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있는 커넥터를 포함하는 정전척을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an electrostatic chuck including a connector which can improve the electrical connection reliability of the conductive member and the power supply unit.

본 발명의 다른 목적은 발열체와 전원 공급 유닛의 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있는 커넥터를 포함하는 히터를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a heater including a connector that can improve the electrical connection reliability of the heating element and the power supply unit.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 정전척은, 개구부가 형성된 절연 플레이트, 절연 플레이트 내에 내장되며, 개구부를 통하여 부분적으로 노출되는 전도성 부재 그리고 ⅰ)개구부를 통하여 절연 플레이트 내부로 삽입되며 전도성 부재를 마주보는 일면에 복수개의 단자 홈들이 형성된 몸체, ⅱ)전도성 부재에 파워를 전달하기 위하여 단자 홈들에 각각 삽입되는 단자들 및 ⅲ)단자 홈들에 각각 배치되어 단자들을 전도성 부재 방향으로 탄성 지지하는 탄성 부재들을 포함한다.In order to achieve the above object of the present invention, an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention includes an insulating plate having an opening, a conductive member embedded in the insulating plate, and partially exposed through the opening. A body having a plurality of terminal grooves inserted into the insulating plate and facing the conductive member, ii) terminals respectively inserted in the terminal grooves and iii) terminal grooves respectively for transferring power to the conductive member And elastic members that elastically support them in a conductive member direction.

커넥터의 몸체의 타면에는 복수개의 제2 단자 홈들이 더 형성될 수 있다. 제2 단자 홈들에는 제2 단자들과 제2 탄성 부재들이 각각 삽입될 수 있다. 전도성 부재는 정전력 또는 고주파를 생성하기 위한 금속 전극을 포함할 수 있다.A plurality of second terminal grooves may be further formed on the other surface of the body of the connector. Second terminals and second elastic members may be respectively inserted into the second terminal grooves. The conductive member may include a metal electrode for generating electrostatic force or high frequency.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 히터는, 개구부가 형성된 절연 플레이트, 절연 플레이트 내에 내장되 며 개구부를 통하여 부분적으로 노출되는 발열체 그리고 ⅰ)개구부를 통하여 절연 플레이트 내부로 삽입되며 발열체를 마주보는 일면에 복수개의 단자 홈들이 형성된 몸체, ⅱ)발열체에 파워를 전달하기 위하여 단자 홈들에 각각 삽입되는 단자들 및 ⅲ)단자 홈들에 각각 배치되어 단자들을 전도성 부재 방향으로 탄성 지지하는 탄성 부재들을 포함한다.In order to achieve the above object of the present invention, a heater according to another preferred embodiment of the present invention is insulated through an insulating plate having an opening, a heating element embedded in the insulating plate and partially exposed through the opening, and iii) an opening. A body having a plurality of terminal grooves inserted into the plate and facing the heating element, ii) terminals respectively inserted in the terminal grooves and iii) terminal grooves respectively for transferring power to the heating element, and directed to the conductive member; And elastic members that elastically support.

본 발명에 따르면, 전도성 부재와 전원 공급 유닛, 및 발열체와 전원 공급 유닛의 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 따라서 정전척 및 히터의 안정적인 작동을 보장할 수 있으며, 결과적으로는, 우수한 반도체 장치를 제조할 수 있게 된다. According to the present invention, the electrical connection reliability of the conductive member and the power supply unit, and the heating element and the power supply unit can be improved. Therefore, stable operation of the electrostatic chuck and the heater can be ensured, and as a result, excellent semiconductor devices can be manufactured.

이하, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 정전척 및 히터에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.Hereinafter, the electrostatic chuck and the heater according to various embodiments of the present invention will be described in detail, but the present invention is not limited to the following embodiments and may be implemented in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosure more complete and to fully convey the spirit and features of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness of each device or film (layer) and regions has been exaggerated for clarity of the invention, and each device may have various additional devices not described herein.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 설명하기 위한 개략적인 단면도를 도시한 것이고, 도 3은 도 2에 도시한 커넥터를 설명하기 위한 확대 분해 단면도를 도시한 것이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for describing an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged exploded cross-sectional view for explaining the connector shown in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 정전척(100)은 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 고정 하거나 가열하기 위한 장치로서, 절연 플레이트(110), 전도성 부재(120) 및 커넥터(130)를 포함한다.2 and 3, the electrostatic chuck 100 is an apparatus for fixing or heating a semiconductor substrate such as a wafer, and includes an insulating plate 110, a conductive member 120, and a connector 130.

절연 플레이트(110)는 전체적으로 원반 형상을 가지며, 서포팅 부재(도시되지 않음) 상에 배치된다. 상기 서포팅 부재는 절연 플레이트(110)가 기울어지지 않도록 지지하며, 스테인레스 합금, 알루미늄 합금, 또는 동 합금으로 이루어질 수 있다. 서포팅 부재의 내부에는 절연 플레이트(110)를 냉각하기 위한 냉매 이송 통로가 형성될 수도 있다.The insulating plate 110 has a disk shape as a whole and is disposed on a supporting member (not shown). The supporting member supports the insulating plate 110 so as not to be tilted and may be made of a stainless alloy, an aluminum alloy, or a copper alloy. A refrigerant transport passage for cooling the insulation plate 110 may be formed inside the supporting member.

절연 플레이트(110)는 세라믹으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 절연 플레이트(110)는 알루미나(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3), 알루미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride) 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 절연 플레이트(110)는 애노다이징(anodizing) 처리, 소결 처리 등으로 제조될 수 있다. 나아가, 절연 플레이트(110)의 상면에는 유전층(도시되지 않음)이 더 형성될 수도 있다. The insulation plate 110 may be made of ceramic. For example, the insulating plate 110 may be made of alumina (Al 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), aluminum nitride, or the like. In addition, the insulating plate 110 may be manufactured by anodizing, sintering, or the like. In addition, a dielectric layer (not shown) may be further formed on the upper surface of the insulating plate 110.

절연 플레이트(110)의 하면에는 소정의 깊이로 개구부(115)가 형성된다. 개구부(115)는 이하 설명될 전도성 부재(120)를 부분적으로 노출시켜 커넥터(130)와 연결시키기 위하여 이용된다. 개구부(115)는 전체적으로 원통형 홈 형상으로 형성된다. 이 경우, 개구부(115)는 전도성 부재(120)와 커넥터(130)의 용이한 연결을 위하여 단차지게 형성될 수 있다. The opening 115 is formed at a predetermined depth on the lower surface of the insulating plate 110. The opening 115 is used to partially connect the connector 130 with the conductive member 120 to be described later. The opening 115 is formed in a cylindrical groove shape as a whole. In this case, the opening 115 may be formed stepped for easy connection of the conductive member 120 and the connector 130.

전도성 부재(120)는 절연 플레이트(110) 내에 매설되어 다양한 용도로 이용된다. 예를 들어, 전도성 부재(120)는 정전력 생성 전극, 고주파 생성 전극, 발열 체 등의 용도로 이용될 수 있다. 이미 전술한 바와 같이, 최근의 정전척(100)은 복합 기능을 수행하는 바, 각각의 기능을 수행하기 위한 전도성 부재(120)들이 절연 플레이트(110)에 다양하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 전도성 부재들(120)이 수평 방향 나란하게 배치되거나, 사행 구조(serpentine)로 굴곡지게 배치되거나, 수직 방향으로 적층되게 배치될 수 있다.The conductive member 120 is embedded in the insulating plate 110 and used for various purposes. For example, the conductive member 120 may be used for purposes such as a constant power generating electrode, a high frequency generating electrode, a heating element. As described above, the recent electrostatic chuck 100 performs a complex function, and the conductive members 120 for performing each function may be variously disposed on the insulating plate 110. For example, the conductive members 120 may be disposed side by side in a horizontal direction, bent in a serpentine, or stacked in a vertical direction.

전도성 부재(120)는 금속으로 이루어진다. 예를 들어, 전도성 부재(120)는 텅스텐, 티타늄, 로듐, 니오브, 이리듐, 레늄, 탄탈, 몰리브덴 또는 이들의 조합을 포함하는 금속으로 이루어질 수 있다.The conductive member 120 is made of metal. For example, the conductive member 120 may be made of a metal including tungsten, titanium, rhodium, niobium, iridium, rhenium, tantalum, molybdenum, or a combination thereof.

전도성 부재(120)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 전도성 부재(120)는 바 형상(bar type), 봉 형상(rod type), 링 형상(ring type), 원반 형상(disk type) 또는 메쉬 형상(mesh type)을 가질 수 있다. The conductive member 120 may have various shapes. For example, the conductive member 120 may have a bar type, a rod type, a ring type, a disk type, or a mesh type.

전술한 바와 같은 전도성 부재(120)는 다양한 방법으로 절연 플레이트(110)에 형성될 수 있다. 예를 들어 전도성 부재(120)는 절연 플레이트(110)에 수용 홈을 형성한 다음 고열, 고압으로 분사하여 형성하거나, 금속 메쉬를 스크린 프린팅하여 형성하거나, 마스크 이용하여 금속막을 패터닝하여 형성할 수 있다.The conductive member 120 as described above may be formed on the insulating plate 110 in various ways. For example, the conductive member 120 may be formed by forming an accommodating groove in the insulating plate 110 and then spraying it at high temperature and high pressure, or by printing a metal mesh, or by patterning a metal film using a mask. .

전도성 부재(120)의 하부에는 전도성 부재(120)와 전기적으로 연결된 도전 패드(125)가 형성될 수 있다. 도전 패드(125)는 전도성 부재(120)와의 접촉 저항이 적으며 전기 전도성 또한 우수한 금속으로 제조된다.The conductive pad 125 may be formed under the conductive member 120 to be electrically connected to the conductive member 120. The conductive pad 125 is made of a metal having low contact resistance with the conductive member 120 and excellent electrical conductivity.

도전 패드(125)는 박판 형상으로 제조되어, 절연 플레이트(110)를 소결 시 전도성 부재(120)와 같이 절연 플레이트(110) 내부에 배치될 수 있다. 이 경우, 도 전 패드(125)는 개구부(115)에 대응하는 위치에 배치되어 전도성 부재(120)를 간접적으로 노출시킨다. 그러나 본 발명에서 도전 패드(125)가 반드시 필요한 것은 아니며, 전도성 부재(120)가 개구부(115)를 통하여 바로 직접적으로 노출될 수도 있음을 밝혀둔다.The conductive pad 125 may be manufactured in a thin plate shape and may be disposed inside the insulating plate 110 together with the conductive member 120 when the insulating plate 110 is sintered. In this case, the conductive pad 125 is disposed at a position corresponding to the opening 115 to indirectly expose the conductive member 120. However, it is noted that the conductive pad 125 is not necessarily required in the present invention, and the conductive member 120 may be directly exposed through the opening 115.

개구부(115)에는 커넥터(130)가 삽입된다.The connector 130 is inserted into the opening 115.

커넥터(130)는 전도성 부재(120)에 파워를 전달하기 위한 부재로서, 몸체(132), 케이싱들(134), 단자들(136) 및 탄성 부재들(138)을 포함한다. 몸체(132), 케이싱들(134), 단자들(136) 및 탄성 부재들(138)은 모두 접촉 저항이 적으며 전기 전도성 또한 우수한 금속으로 제조된다. 예를 들어, 몸체(132), 케이싱들(134), 단자들(136) 및 탄성 부재들(138)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 또는 이들의 조합을 포함하는 금속으로 이루어질 수 있다. 또한, 몸체(132), 케이싱들(134), 단자들(136) 및 탄성 부재들(138)은 접촉 저항을 줄이기 위하여 동일한 금속으로 제조되는 것이 바람직하나, 경우에 따라서는 서로 다른 금속으로도 제조될 수 있음을 밝혀둔다. 이하, 커넥터(130)의 각 구성요소에 대하여 자세하게 설명한다.The connector 130 is a member for transmitting power to the conductive member 120 and includes a body 132, casings 134, terminals 136, and elastic members 138. The body 132, the casings 134, the terminals 136 and the elastic members 138 are all made of metal having low contact resistance and excellent electrical conductivity. For example, the body 132, the casings 134, the terminals 136, and the elastic members 138 may be formed of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), titanium (Ti), tungsten ( W) or a combination thereof. In addition, the body 132, the casings 134, the terminals 136 and the elastic members 138 are preferably made of the same metal to reduce contact resistance, but in some cases also made of different metals It can be revealed. Hereinafter, each component of the connector 130 will be described in detail.

몸체(132)는 개구부(115)의 내경과 실질적으로 동일한 외경의 원통 형상으로 제조되어 개구부(115)에 삽입된다. 비록 도시되지는 않았지만, 몸체(132)와 개구부(115)의 결합력을 증대시키기 위하여, 개구부(115)의 내주면과 몸체(132)의 외주면에는 서로 대응하는 나사산들이 각기 형성되어 몸체(132)가 개구부(115)에 나사 결합될 수도 있음을 밝혀둔다. The body 132 is manufactured into a cylindrical shape having an outer diameter substantially the same as the inner diameter of the opening 115 and inserted into the opening 115. Although not shown, in order to increase the coupling force between the body 132 and the opening 115, threads corresponding to each other are formed on the inner circumferential surface of the opening 115 and the outer circumferential surface of the body 132 so that the body 132 may be opened. Note that it may be screwed to 115.

몸체(132)는 개구부(115)의 깊이 보다 큰 높이를 갖는다. 따라서 개구부(115)에 삽입된 몸체(132)의 하단부는 절연 플레이트(110)의 하면으로부터 돌출되게 된다. Body 132 has a height greater than the depth of opening 115. Accordingly, the lower end of the body 132 inserted into the opening 115 may protrude from the lower surface of the insulating plate 110.

상기 돌출 부위 즉, 몸체(132)의 하단부, 는 전원 공급 유닛(150)과 전기적으로 연결된다. 몸체(132)는 전원 공급 유닛(150)으로부터 파워를 제공받아 절연 플레이트(110) 내부로 전달한다. 전원 공급 유닛(150)에 대하여 보다 자세하게 설명하면, 전원 공급 유닛(150)은 커넥터(130)를 통하여 전도성 부재(120)로 파워를 제공하기 위한 장치로서, 전원 공급 유닛(150)의 상단부에는 몸체(132)의 하단부를 수용하기 위한 밴드 홀(155)이 형성된다. 밴드 홀(155)은 몸체(132)의 하단부보다 크게 형성되고, 내부에는 아치형으로 휘어진 밴드(152)가 배치된다. 밴드(152)는 몸체(132)의 하단부에 밀착되어 전원 공급 유닛(150)과 몸체(132)를 전기적으로 연결한다. The protruding portion, that is, the lower end of the body 132 is electrically connected to the power supply unit 150. The body 132 receives power from the power supply unit 150 and transmits the power to the insulating plate 110. In more detail with respect to the power supply unit 150, the power supply unit 150 is a device for providing power to the conductive member 120 through the connector 130, the body on the upper end of the power supply unit 150 A band hole 155 is formed to accommodate the lower end of 132. The band hole 155 is formed to be larger than the lower end of the body 132, and the band 152 bent in an arc shape is disposed therein. The band 152 is in close contact with the lower end of the body 132 to electrically connect the power supply unit 150 and the body 132.

전원 공급 유닛(150)으로부터 몸체(132)로 공급되는 파워는 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 전원 공급 유닛(150)으로부터 몸체(132)로 절연 플레이트(110) 상부에 정전력을 생성하기 위하여 직류 척킹 전압이 공급될 수 있고, 플라스마(plasma)를 생성하기 위해서는 고주파 바이어스 전력이 공급될 수 있으며, 전도성 부재(120)로부터 열을 생성하기 위해서는 일반적인 교류 전압이 공급될 수도 있다. 이외에도 전원 공급 유닛(150)은 다양하게 변경될 수도 있음을 밝혀둔다.The power supplied from the power supply unit 150 to the body 132 may be variously selected. For example, a direct current chucking voltage may be supplied from the power supply unit 150 to the body 132 to generate constant power on the insulating plate 110, and high frequency bias power may be applied to generate plasma. It may be supplied, a general AC voltage may be supplied to generate heat from the conductive member 120. In addition, it is noted that the power supply unit 150 may be variously changed.

몸체(132) 중 전도성 부재(120)를 마주보는 상면(131)에는 복수개의 단자 홈들(133)이 형성된다. 각각의 단자 홈(133)은 도 2에 도시된 바와 같이, 케이싱 (134), 단자(136) 및 탄성 부재(138)를 모두 수용할 수 있는 부피 및 깊이로 형성된다.A plurality of terminal grooves 133 are formed on the upper surface 131 of the body 132 facing the conductive member 120. Each terminal groove 133 is formed in a volume and depth that can accommodate both the casing 134, the terminal 136, and the elastic member 138, as shown in FIG. 2.

케이싱들(134)은 전체적으로 원통 틀 형상을 가지며, 단자 홈들(133)에 각각 삽입된다. 케이싱(134)의 외경은 단자 홈(133)의 내경과 실질적으로 동일하여, 케이싱(134)의 외주면은 단자 홈(133)의 내주면에 맞접하게 된다. 케이싱(134)은 단자(136) 및 탄성 부재(138)가 단자 홈(133)으로부터 이탈되는 것을 억제하는 기능을 수행한다. 도시되지는 않았지만 단자(136) 및 탄성 부재(138)가 단자 홈(133)으로부터 이탈되는 것을 보다 효과적으로 억제하기 위하여 케이싱(134)과 단자(136)에는 돌기가 더 형성될 수도 있음을 밝혀둔다. The casings 134 have a cylindrical frame shape as a whole and are respectively inserted into the terminal grooves 133. The outer diameter of the casing 134 is substantially the same as the inner diameter of the terminal groove 133 so that the outer circumferential surface of the casing 134 abuts on the inner circumferential surface of the terminal groove 133. The casing 134 functions to suppress the terminal 136 and the elastic member 138 from being separated from the terminal groove 133. Although not shown, it is noted that the protrusions may be further formed on the casing 134 and the terminal 136 to more effectively suppress the detachment of the terminal 136 and the elastic member 138 from the terminal groove 133.

케이싱(134)이 배치된 각각의 단자 홈(133)에는 탄성 부재(138)와 단자(136)가 순차적으로 삽입된다.An elastic member 138 and a terminal 136 are sequentially inserted into each terminal groove 133 in which the casing 134 is disposed.

탄성 부재들(138)은 단자들(136)의 하부에 배치되어 단자들(136)을 전도성 부재(120) 방향으로 탄성 지지한다. 이 경우, 탄성 부재들(138)은 스프링 형상을 가질 수 있다. 탄성 부재들(138)은 도전성 금속으로 이루어져 몸체(132)와 단자들(136)의 전기적 연결시킨다. The elastic members 138 are disposed under the terminals 136 to elastically support the terminals 136 in the direction of the conductive member 120. In this case, the elastic members 138 may have a spring shape. The elastic members 138 are made of a conductive metal to electrically connect the body 132 and the terminals 136.

각 단자(136)는 단자 홈(133)의 내경보다 작은 외경의 핀 형상을 가질 수 있다. 단자(136)의 상단부는 도전 패드(125)와의 접촉 면적 증대를 위하여 널찍하게 형성될 수 있다. 단자들(136)의 형상은 도 2 및 3에 도시된 바와 같은 형상으로 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경될 수 있음을 밝혀둔다.Each terminal 136 may have a pin shape having an outer diameter smaller than that of the terminal groove 133. The upper end of the terminal 136 may be formed to be wider to increase the contact area with the conductive pad 125. Note that the shape of the terminals 136 is not limited to the shape as shown in FIGS. 2 and 3, and may be variously changed.

단자(136)는 도전 패드(125)와 직접적으로 접촉한다. 따라서 단자(136)는 몸 체(132), 케이싱들(134) 및 탄성 부재들(138)보다 전도성이 우수하고 접촉저항이 적은 금속으로 이루어질 수 있다.Terminal 136 is in direct contact with conductive pad 125. Therefore, the terminal 136 may be made of a metal having better conductivity and lower contact resistance than the body 132, the casings 134, and the elastic members 138.

단자들(136)은 탄성 부재들(138)에 의하여 도전 패드(125)에 밀착되어 전도성 부재(120)와도 전기적으로 연결된다. 따라서 몸체(132)를 통하여 제공된 파워는 단자들(136)을 통하여 도전 패드(125)에 전달되고, 최종적으로는 전도성 부재(120)에 전달된다. The terminals 136 are in close contact with the conductive pad 125 by the elastic members 138 and are also electrically connected to the conductive member 120. Accordingly, power provided through the body 132 is transmitted to the conductive pad 125 through the terminals 136 and finally to the conductive member 120.

커넥터(130)가 삽입된 개구부(115)의 둘레에는 에폭시 수지 또는 패놀 수지와 같은 밀봉부재(160)에 의하여 실링된다. 밀봉부재(160)는 개구부(115) 내부로 공기가 유입되어 억제하여 커넥터(130)가 산화되는 것을 최소화시킨다. The periphery of the opening 115 into which the connector 130 is inserted is sealed by a sealing member 160 such as an epoxy resin or a panol resin. The sealing member 160 minimizes the oxidization of the connector 130 by suppressing air flow into the opening 115.

전술한 바와 같은 본 실시예에 따르면, 단자들(136)을 전도성 부재(120) 방향으로 탄성 지지함으로써 커넥터(130)와 전도성 부재(120)의 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 전기적 연결 신뢰성이 향상되면, 전도성 부재(120)에 파워를 우수하게 공급할 수 있다. 또한, 종래에 전도성 접착제를 이용할 경우 필요하던 고온의 가열 공정을 피할 수 있어, 정전척(100)의 특성 변화를 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서 반도체 기판을 척킹하기 위한 정전력 및 플라스마를 생성하기 위한 고전위차의 전기장을 안정적으로 생성할 수 있으며 나아가 절연 플레이트(110) 상에 배치되는 피 가열체도 균일하게 가열할 수 있다. 결과적으로는 우수한 반도체 장치를 제조할 수 있다. According to the present exemplary embodiment as described above, the electrical connection reliability of the connector 130 and the conductive member 120 can be improved by elastically supporting the terminals 136 in the direction of the conductive member 120. When the electrical connection reliability is improved, power can be excellently supplied to the conductive member 120. In addition, it is possible to avoid the high temperature heating process that is required when using a conductive adhesive in the prior art, it is possible to effectively prevent the change of the characteristics of the electrostatic chuck (100). Therefore, it is possible to stably generate an electric field of high electric potential for generating electrostatic force and plasma for chucking the semiconductor substrate, and furthermore, the heating target body disposed on the insulating plate 110 can be uniformly heated. As a result, an excellent semiconductor device can be manufactured.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 정전척을 설명하기 위한 개략적인 단면도를 도시한 것이고, 도 5는 도 4에 도시한 커넥터를 설명하기 위한 확대 분해 단면도를 도시한 것이다.4 is a schematic cross-sectional view for describing an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an enlarged exploded cross-sectional view for explaining the connector shown in FIG. 4.

도 4와 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 정전척(200)은, 절연 플레이트(110), 전도성 부재(120) 및 커넥터(230)를 포함한다. 본 실시예에 따른 정전척(200)은 커넥터(230) 및 전원 공급 유닛(250)을 제외하고는 도 2 및 도 3에 도시한 정전척(100)과 실질적으로 동일하다. 따라서 본 실시예에서는 중복된 설명을 생략하기 위하여 도 2 및 도 3에서와 동일한 참조 번호에 대한 설명은 생략하지만 당업자라면 용이하게 이해할 수 있을 것이다.4 and 5, the electrostatic chuck 200 according to the present embodiment includes an insulating plate 110, a conductive member 120, and a connector 230. The electrostatic chuck 200 according to the present embodiment is substantially the same as the electrostatic chuck 100 shown in FIGS. 2 and 3 except for the connector 230 and the power supply unit 250. Therefore, in the present embodiment, the description of the same reference numerals as in FIGS. 2 and 3 will be omitted in order to omit duplicate description, but will be readily understood by those skilled in the art.

커넥터(230)는 전도성 부재(120)에 파워를 전달하기 위한 부재로서, 몸체(232), 제1 케이싱들(134), 제2 케이싱들(234), 제1 단자들(136), 제2 단자들(236), 제1 탄성 부재들(138) 및 제2 탄성 부재들(238)을 포함한다. 이 경우, 몸체(232), 제1 케이싱들(134), 제2 케이싱들(234), 제1 단자들(136), 제2 단자들(236), 제1 탄성 부재들(138) 및 제2 탄성 부재들(238)은 모두 접촉 저항이 적으며 전기 전도성 또한 우수한 금속으로 제조된다. 예를 들어, 몸체(232), 제1 케이싱들(134), 제2 케이싱들(234), 제1 단자들(136), 제2 단자들(236), 제1 탄성 부재들(138) 및 제2 탄성 부재들(238)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 또는 이들의 조합을 포함하는 금속으로 이루어질 수 있다. The connector 230 is a member for transmitting power to the conductive member 120 and includes a body 232, first casings 134, second casings 234, first terminals 136, and a second member. Terminals 236, first elastic members 138 and second elastic members 238 are included. In this case, the body 232, the first casings 134, the second casings 234, the first terminals 136, the second terminals 236, the first elastic members 138 and the first The two elastic members 238 are all made of a metal having low contact resistance and excellent electrical conductivity. For example, the body 232, the first casings 134, the second casings 234, the first terminals 136, the second terminals 236, the first elastic members 138 and The second elastic members 238 may be made of a metal including gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), titanium (Ti), tungsten (W), or a combination thereof.

몸체(132)는 개구부(115)의 내경과 실질적으로 동일한 외경의 원통 형상으로 제조되어 개구부(115)에 삽입된다. 비록 도시되지는 않았지만, 몸체(132)와 개구부(115)의 결합력을 증대시키기 위하여, 개구부(115)의 내주면과 몸체(132)의 외주면에는 서로 대응하는 나사산들이 각기 형성되어 몸체(132)가 개구부(115)에 나사 결 합될 수도 있음을 밝혀둔다. The body 132 is manufactured into a cylindrical shape having an outer diameter substantially the same as the inner diameter of the opening 115 and inserted into the opening 115. Although not shown, in order to increase the coupling force between the body 132 and the opening 115, threads corresponding to each other are formed on the inner circumferential surface of the opening 115 and the outer circumferential surface of the body 132 so that the body 132 has an opening. Note that it may be screwed to (115).

몸체(232)는 개구부(115)의 깊이 보다 큰 높이를 갖는다. 따라서 개구부(115)에 삽입된 몸체(232)의 하단부는 절연 플레이트(110)의 하면으로부터 돌출되게 된다. Body 232 has a height greater than the depth of opening 115. Therefore, the lower end of the body 232 inserted into the opening 115 may protrude from the lower surface of the insulating plate 110.

상기 돌출 부위 즉, 몸체(232)의 하단부,는 전원 공급 유닛(250)과 전기적으로 연결된다. 몸체(232)는 전원 공급 유닛(250)으로부터 파워를 제공받아 절연 플레이트(110) 내부로 전달한다. 전원 공급 유닛(250)에 대하여 보다 자세하게 설명하면, 전원 공급 유닛(250)은 커넥터(230)를 통하여 전도성 부재(120)로 파워를 제공하기 위한 장치로서, 전원 공급 유닛(250)의 상단부에는 몸체(232)의 하단부를 수용하기 위한 밴드 홀(255)이 형성된다. 밴드 홀(155)은 몸체(132)의 하단부와 실질적으로 동일한 크기로 형성된다. 밴드 홀(155)은 몸체(132)의 하단부의 길이보다는 조금 더 깊게 형성되어 밴드 홀(155)의 저면과 몸체(232)의 하면(231)은 이격된다. The protruding portion, that is, the lower end portion of the body 232 is electrically connected to the power supply unit 250. The body 232 receives power from the power supply unit 250 and transfers the power to the insulating plate 110. In more detail with respect to the power supply unit 250, the power supply unit 250 is a device for providing power to the conductive member 120 through the connector 230, the body on the upper end of the power supply unit 250 A band hole 255 is formed to receive the lower end of 232. The band hole 155 is formed to be substantially the same size as the lower end of the body 132. The band hole 155 is formed a little deeper than the length of the lower end of the body 132 so that the bottom surface of the band hole 155 and the bottom surface 231 of the body 232 are spaced apart.

이하 설명하겠지만, 전원 공급 유닛(250)은 몸체(232), 제2 케이싱들(234), 제2 단자들(236) 및 제2 탄성 부재들(238)과 전기적으로 연결되어 전도성 부재(120)에 파워를 공급한다. As will be described below, the power supply unit 250 is electrically connected to the body 232, the second casings 234, the second terminals 236, and the second elastic members 238 to form the conductive member 120. Power on

전원 공급 유닛(250)으로부터 공급되는 파워는 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 전원 공급 유닛(250)으로부터 전도성 부재(120)로 절연 플레이트(110) 상부에 정전력을 생성하기 위하여 직류 척킹 전압이 공급될 수 있고, 플라스마(plasma)를 생성하기 위해서는 고주파 바이어스 전력이 공급될 수 있으며, 전도성 부재(120)로부터 열을 생성하기 위해서는 일반적인 교류 전압이 공급될 수도 있다. 이외에도 전원 공급 유닛(250)은 다양하게 변경될 수도 있음을 밝혀둔다.The power supplied from the power supply unit 250 may be variously selected. For example, a direct current chucking voltage may be supplied from the power supply unit 250 to the conductive member 120 to generate constant power on the insulating plate 110, and high frequency bias power to generate plasma. This may be supplied, and in order to generate heat from the conductive member 120, a general AC voltage may be supplied. In addition, it is noted that the power supply unit 250 may be variously changed.

몸체(232) 중 전원 공급 유닛(250)을 마주보는 하면(231)에는 복수개의 제2 단자 홈들(233)이 형성된다. 각각의 제2 단자 홈(233)은 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 케이싱(234), 제2 단자(236) 및 제2 탄성 부재(238)를 모두 수용할 수 있는 부피 및 깊이로 형성된다. A plurality of second terminal grooves 233 is formed in the lower surface 231 of the body 232 facing the power supply unit 250. Each second terminal groove 233 is formed in a volume and depth that can accommodate all of the second casing 234, the second terminal 236, and the second elastic member 238, as shown in FIG. 4. do.

제2 단자 홈들(233)은 제1 단자 홈들(133)과 서로 다른 수직 축선을 따라서 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 및 제2 단자 홈들(133,233)을 동일 수직축선을 따라 형성할 경우, 제1 및 제2 단자 홈들(133,233)이 서로 연통될 우려가 있으며, 몸체(232)는 최소 제1 및 제2 단자 홈들(133,233)을 합한 길이보다 크게 형성되어야한다. 즉, 제1 및 제2 단자 홈들(133,233)을 서로 다른 수직축선을 따라 형성할 경우, 몸체(232)에 제1 및 제2 단자 홈들(133,233)을 보다 안정적으로 형성할 수 있으며, 몸체(232)의 전체적인 길이를 줄일 수 있다. The second terminal grooves 233 may be formed along a vertical axis different from the first terminal grooves 133. For example, when the first and second terminal grooves 133 and 233 are formed along the same vertical axis, the first and second terminal grooves 133 and 233 may communicate with each other, and the body 232 may be at least a first one. And the second terminal grooves 133 and 233 to be larger than the combined length. That is, when the first and second terminal grooves 133 and 233 are formed along different vertical axes, the first and second terminal grooves 133 and 233 may be more stably formed in the body 232, and the body 232 may be formed. ) Can reduce the overall length.

제2 케이싱들(234)은 전체적으로 원통 틀 형상을 가지며, 제2 단자 홈들(233)에 각각 삽입된다. 제2 케이싱(234)의 외경은 제2 단자 홈(233)의 내경과 실질적으로 동일하여, 제2 케이싱(234)의 외주면은 제2 단자 홈(233)의 내주면에 맞접하게 된다. 제2 케이싱(234)은 제2 단자(236) 및 제2 탄성 부재(238)가 제2 단자 홈(233)으로부터 이탈되는 것을 억제하는 기능을 수행한다. 도시되지는 않았지만 제2 단자(236) 및 제2 탄성 부재(238)가 제2 단자 홈(233)으로부터 이탈되는 것을 보다 효과적으로 억제하기 위하여 제2 케이싱(234)과 제2 단자(236)에는 돌기가 더 형성될 수도 있음을 밝혀둔다. The second casings 234 have a cylindrical shape as a whole, and are respectively inserted into the second terminal grooves 233. The outer diameter of the second casing 234 is substantially the same as the inner diameter of the second terminal groove 233, so that the outer circumferential surface of the second casing 234 is in contact with the inner circumferential surface of the second terminal groove 233. The second casing 234 functions to prevent the second terminal 236 and the second elastic member 238 from being separated from the second terminal groove 233. Although not shown, protrusions are provided on the second casing 234 and the second terminal 236 to more effectively suppress the separation of the second terminal 236 and the second elastic member 238 from the second terminal groove 233. Note that may be further formed.

제2 케이싱(234)이 배치된 각각의 제2 단자 홈(233)에는 제2 탄성 부재(138)와 제2 단자(236)가 순차적으로 삽입된다.The second elastic member 138 and the second terminal 236 are sequentially inserted into each second terminal groove 233 in which the second casing 234 is disposed.

제2 탄성 부재들(238)은 제2 단자들(236)의 상부에 배치되어 제2 단자들(236)을 전원 공급 유닛(250) 방향으로 탄성 지지한다. 이 경우, 제2 탄성 부재들(238)은 스프링 형상을 가질 수 있다. 제2 탄성 부재들(238)은 도전성 금속으로 이루어져 몸체(232)와 제2 단자들(236)의 전기적 연결시킨다. The second elastic members 238 are disposed on the second terminals 236 to elastically support the second terminals 236 in the direction of the power supply unit 250. In this case, the second elastic members 238 may have a spring shape. The second elastic members 238 are made of a conductive metal to electrically connect the body 232 and the second terminals 236.

각 제2 단자(236)는 제2 단자 홈(233)의 내경보다 작은 외경의 핀 형상을 가질 수 있다. 제2 단자(236)의 하단부는 전원 공급 유닛(250)과의 접촉 면적 증대를 위하여 널찍하게 형성될 수 있다. 제2 단자들(236)의 형상은 도 4 및 5에 도시된 바와 같은 형상으로 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경될 수 있음을 밝혀둔다. 또한, 제2 단자들(236)은 제1 단자들(136)과 다르게 형성될 수도 있음을 밝혀둔다. Each second terminal 236 may have a pin shape having an outer diameter smaller than that of the second terminal groove 233. The lower end of the second terminal 236 may be formed to increase the contact area with the power supply unit 250. Note that the shape of the second terminals 236 is not limited to the shape as shown in FIGS. 4 and 5, and may be variously changed. Further, it is noted that the second terminals 236 may be formed differently from the first terminals 136.

제2 단자(236)는 전원 공급 유닛(250)과 직접적으로 접촉한다. 따라서 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 밴드(152)를 선택적으로 이용할 수 있다. 제2 단자(236)는 몸체(232), 제2 케이싱들(234) 및 제2 탄성 부재들(238)보다 전도성이 우수하고 접촉저항이 적은 금속으로 이루어질 수 있다.The second terminal 236 is in direct contact with the power supply unit 250. Accordingly, the band 152 as shown in FIGS. 2 and 3 may be selectively used. The second terminal 236 may be made of a metal having better conductivity and lower contact resistance than the body 232, the second casings 234, and the second elastic members 238.

제2 단자들(236)은 제2 탄성 부재들(238)에 의하여 전원 공급 유닛(250)에 밀착되어 파워를 전달받는다. 제2 단자들(236)로 전달된 파워는, 제2 탄성 부재들(238), 제2 케이싱들(234), 몸체(232), 제1 케이싱들(134), 제1 탄성 부재들(138), 제1 단자들(136) 및 도전 패드(125)를 순차적으로 거쳐 최종적으로는 전도성 부재 (120)에 전달된다. The second terminals 236 are in close contact with the power supply unit 250 by the second elastic members 238 to receive power. The power transferred to the second terminals 236 may include the second elastic members 238, the second casings 234, the body 232, the first casings 134, and the first elastic members 138. ), The first terminals 136 and the conductive pads 125 are sequentially transferred to the conductive member 120.

커넥터(230)가 삽입된 밴드 홀(255)의 둘레에는 에폭시 수지 또는 패놀 수지와 같은 밀봉부재(1도시되지 않음)에 의하여 실링되어 커넥터(130)의 산화가 억제될 수 있다. The circumference of the band hole 255 into which the connector 230 is inserted may be sealed by a sealing member (not shown) such as an epoxy resin or a panol resin, thereby preventing oxidation of the connector 130.

전술한 바와 같은 본 실시예에 따르면, 커넥터(230)의 제1 및 제2단자들(136,236)을 전도성 부재(120) 방향 및 전원 공급 유닛(250)으로 각각 탄성 지지함으로써, 전원 공급 유닛(250), 커넥터(130), 및 전도성 부재(120)의 전기적 연결 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다. 이미 전술한 바와 같이, 전기적 연결 신뢰성이 향상되면, 전도성 부재(120)에 파워를 우수하게 공급할 수 있다. 따라서 반도체 기판을 척킹하기 위한 정정장 및 플라스마를 생성하기 위한 고전위차의 전기장을 안정적으로 생성할 수 있으며, 절연 플레이트(110) 상에 배치되는 피 가열체도 균일하게 가열할 수 있다. 결과적으로는 우수한 반도체 장치, 패널 등을 제조할 수 있다. According to this embodiment as described above, the power supply unit 250 by elastically supporting the first and second terminals 136 and 236 of the connector 230 in the direction of the conductive member 120 and the power supply unit 250, respectively. ), The connector 130, and the electrical connection reliability of the conductive member 120 may be further improved. As described above, when the electrical connection reliability is improved, the power can be excellently supplied to the conductive member 120. Therefore, it is possible to stably generate the electric field of the high potential difference for generating the plasma and the correction field for chucking the semiconductor substrate, it is possible to uniformly heat the heating element disposed on the insulating plate (110). As a result, excellent semiconductor devices, panels, and the like can be manufactured.

본 발명은 히팅 기능까지 복합적으로 갖는 정전척(100,200)에 적용될 수 있을 뿐만 아니라, 히팅 기능을 독립적으로 갖는 히터에도 적용될 수 있다. The present invention can be applied not only to the electrostatic chucks 100 and 200 having the heating function in combination, but also to the heater having the heating function independently.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 히터를 설명하기 위한 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a heater according to still another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 히터(300)는 면광원 장치나 반도체 기판을 가열하기 위한 장치로서, 히팅 플레이트(310), 발열체(320) 및 커넥터(130)를 포함한다. 본 실시예에 따른 히터(300)는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 동일한 커넥터(130)를 포함한다. 따라서 도 2와 동일한 참조 부호에 대한 설명은 생략하기로 한다. Referring to FIG. 6, the heater 300 is a device for heating a surface light source device or a semiconductor substrate, and includes a heating plate 310, a heating element 320, and a connector 130. The heater 300 according to the present embodiment includes the same connector 130 as shown in FIGS. 2 and 3. Therefore, the description of the same reference numerals as in FIG. 2 will be omitted.

히팅 플레이트(310)는 면광원 패널이나 반도체 기판과 같은 피 가열체를 지지하기 위한 부재로서, 열전도성이 우수한 재질로 이루어진다. 히팅 플레이트(310)는 피 가열체의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 면광원 패널을 가열하기 위한 히팅 플레이트(310)는 직육면체 형상을 가질 수 있고, 웨이퍼를 가열하기 위한 히팅 플레이트(310)는 원반 형상을 가질 수 있다. The heating plate 310 is a member for supporting a to-be-heated body such as a surface light source panel or a semiconductor substrate, and is made of a material having excellent thermal conductivity. The heating plate 310 may have a shape corresponding to the shape of the object to be heated. For example, the heating plate 310 for heating the surface light source panel may have a rectangular parallelepiped shape, and the heating plate 310 for heating the wafer may have a disk shape.

히팅 플레이트(310)의 하면에는 소정의 깊이로 개구부(315)가 형성된다. 개구부(315)는 이하 설명될 발열체(320)를 부분적으로 노출시켜 커넥터(130)와 연결시키기 위하여 이용된다. An opening 315 is formed in a lower surface of the heating plate 310 to a predetermined depth. The opening 315 is used to partially connect the heating element 320, which will be described later, to the connector 130.

발열체(320)는 발열 특성이 우수한 금속으로 이루어진다. 예를 들어, 발열체(320)는 텅스텐, 티타늄, 로듐, 니오브, 이리듐, 레늄, 탄탈, 몰리브덴 또는 이들의 조합을 포함하는 금속으로 이루어질 수 있다.The heating element 320 is made of a metal having excellent heat generation characteristics. For example, the heating element 320 may be made of a metal including tungsten, titanium, rhodium, niobium, iridium, rhenium, tantalum, molybdenum, or a combination thereof.

발열체(320)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 발열체(320)는 코일 형상(coil type), 봉 형상(rod type), 링 형상(ring type), 메쉬 형상(mesh type) 또는 원반 형상(disk type)을 가질 수 있다. 이 경우, 발열체(320)는 히팅 플레이트(310) 전면에 걸쳐서 균일한 열이 방출되도록 히팅 플레이트(310) 내에 등간격으로 고루 배치되는 것이 바람직하다. The heating element 320 may have various shapes. For example, the heating element 320 may have a coil shape, a rod type, a ring type, a mesh type, or a disk type. In this case, the heating element 320 is preferably disposed evenly at equal intervals in the heating plate 310 so that uniform heat is emitted over the entire heating plate 310.

발열체(320)의 하부에는 발열체(320)와 전기적으로 연결된 도전 패드(325)가 형성된다. 도전 패드(325)는 발열체(320)를 간접적으로 노출시킨다. 그러나 본 발명에서 도전 패드(325)가 반드시 필요한 것은 아니며, 발열체(320)가 개구부(315)를 통하여 바로 직접적으로 노출될 수도 있음을 밝혀둔다.A conductive pad 325 electrically connected to the heating element 320 is formed below the heating element 320. The conductive pad 325 indirectly exposes the heating element 320. However, the conductive pad 325 is not necessarily required in the present invention, and the heating element 320 may be directly exposed through the opening 315.

개구부(315)에는 커넥터(130)가 삽입되어 발열체(320)와 전기적으로 연결된다. 커넥터(130)는 도 2의 설명으로 대체한다. The connector 130 is inserted into the opening 315 to be electrically connected to the heating element 320. Connector 130 is replaced by the description of FIG. 2.

개구부(315)에 삽입된 커넥터(130)에는 전원 공급 유닛(350)이 연결된다. 커넥터(130)는 전원 공급 유닛(350)으로부터 파워를 제공받아 도전 패드(325)로 전달하고, 도전 패드(325)는 발열체(320)로 파워를 전달하게 된다. The power supply unit 350 is connected to the connector 130 inserted into the opening 315. The connector 130 receives power from the power supply unit 350 and transfers the power to the conductive pad 325, and the conductive pad 325 transfers the power to the heating element 320.

전원 공급 유닛(350)으로부터는 일반적인 교류 전압이 공급될 수 있다. The general AC voltage may be supplied from the power supply unit 350.

전술한 바와 같은 본 실시예에 따르면, 단자들(136)을 발열체(320) 방향으로 탄성 지지함으로써, 커넥터(130)와 발열체(320)의 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 따라서 히팅 플레이트(310) 상에 배치되는 피 가열체를 우수하게 가열할 수 있다. According to the present exemplary embodiment as described above, by electrically supporting the terminals 136 in the direction of the heating element 320, the electrical connection reliability of the connector 130 and the heating element 320 may be improved. Therefore, the to-be-heated body arrange | positioned on the heating plate 310 can be heated well.

도면으로 도시하지는 않았지만, 본 실시예에 따른 커넥터(130)는 도 4 및 도5에 도시된 커넥터(230)로도 대체될 수 있음을 밝혀둔다. 이에 대한 설명은 생략하지만, 당업자라면 도 4 및 도 5의 설명으로서 이를 용이하게 이해할 수 있을 것이다. Although not shown in the drawings, it should be noted that the connector 130 according to the present embodiment may be replaced by the connector 230 shown in FIGS. 4 and 5. A description thereof will be omitted, but those skilled in the art will readily understand the description of FIGS. 4 and 5.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 커넥터의 전기적 연결 신뢰성을 향상시켜 전도성 부재 및 발열체에 파워를 안정적으로 공급할 수 있다. 따라서 정전척을 이용한 척킹 공정 및 플라스마 가공 공정 그리고 히터를 이용한 가열 공정 등을 효과적으로 수행할 수 있다. 최종적으로는 우수한 반도체 장치 및 면광원 등을 제조할 수 있다. According to the present invention as described above, it is possible to stably supply power to the conductive member and the heating element by improving the electrical connection reliability of the connector. Therefore, the chucking process, the plasma processing process, and the heating process using a heater can be effectively performed using an electrostatic chuck. Finally, an excellent semiconductor device, a surface light source, and the like can be manufactured.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (7)

개구부가 형성된 절연 플레이트;An insulating plate having an opening formed therein; 상기 절연 플레이트 내에 내장되며, 상기 개구부를 통하여 부분적으로 노출되는 전도성 부재; 그리고A conductive member embedded in the insulating plate and partially exposed through the opening; And ⅰ)상기 개구부를 통하여 상기 절연 플레이트 내부로 삽입되며, 상기 전도성 부재를 마주보는 일면에 복수개의 단자 홈들이 형성된 몸체, ⅱ)상기 전도성 부재에 파워를 전달하기 위하여 상기 단자 홈들에 각각 삽입되는 단자들 및 ⅲ)상기 단자 홈들에 각각 배치되어 상기 단자들을 상기 전도성 부재 방향으로 탄성 지지하는 탄성 부재들을 포함하는 커넥터를 구비하는 것을 특징으로 하는 정전척.Iii) a body inserted into the insulating plate through the opening and having a plurality of terminal grooves formed on one surface facing the conductive member, and ii) terminals respectively inserted into the terminal grooves to transfer power to the conductive member. And iv) connectors including resilient members disposed in the terminal grooves to elastically support the terminals in the conductive member direction. 제 1 항에 있어서, 상기 몸체는 상기 일면과 대향되는 타면에 복수개의 제2 단자 홈들이 더 형성되고, The body of claim 1, wherein the body further has a plurality of second terminal grooves formed on the other surface of the body, 상기 커넥터는 상기 제2 단자 홈들에 각각 삽입되는 제2 단자들, 및 상기 제2 단자 홈들에 각각 배치되어 상기 제2 단자들을 상기 파워를 공급하는 전원 공급 유닛 방향으로 탄성 지지하는 제2 탄성 부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.The connector includes second terminals respectively inserted into the second terminal grooves, and second elastic members disposed in the second terminal grooves to elastically support the second terminals in a direction of a power supply unit supplying the power. Electrostatic chuck characterized in that it further comprises. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 단자 홈들은 상기 몸체에 상기 단자 홈들과 서로 다른 수직축선들을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 정전척.3. The electrostatic chuck of claim 2, wherein the second terminal grooves are formed along the vertical axis different from the terminal grooves in the body. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 단자들은 핀 형상을 가지며,The method of claim 2, wherein the second terminals have a pin shape, 상기 제2 가압 부재는 스프링 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 정전척.And the second pressing member has a spring shape. 제 1 항에 있어서, 상기 단자들은 핀 형상을 가지며,The method of claim 1, wherein the terminals have a pin shape, 상기 가압 부재는 스프링 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 정전척.The pressing member has a spring shape, characterized in that the electrostatic chuck. 개구부가 형성된 절연 플레이트;An insulating plate having an opening formed therein; 상기 절연 플레이트 내에 내장되며, 상기 개구부를 통하여 부분적으로 노출되는 발열체; 그리고A heating element embedded in the insulation plate and partially exposed through the opening; And ⅰ)상기 개구부를 통하여 상기 절연 플레이트 내부로 삽입되며, 상기 발열체를 마주보는 일면에 복수개의 단자 홈들이 형성된 몸체, ⅱ)상기 발열체에 파워를 전달하기 위하여 상기 단자 홈들에 각각 삽입되는 단자들 및 ⅲ)상기 단자 홈들에 각각 배치되어 상기 단자들을 상기 발열체 방향으로 탄성 지지하는 탄성 부재들을 포함하는 커넥터를 구비하는 것을 특징으로 하는 히터.Iii) a body inserted into the insulating plate through the opening and having a plurality of terminal grooves formed on one surface facing the heating element, ii) terminals respectively inserted in the terminal grooves to transfer power to the heating element; And a connector including elastic members disposed in the terminal grooves to elastically support the terminals in the heating element direction. 제 6 항에 있어서, 상기 몸체는 상기 일면과 대향되는 타면에 복수개의 제2 단자 홈들이 더 형성되고,The body of claim 6, wherein the body further includes a plurality of second terminal grooves formed on the other surface of the body, the surface of which is opposite to the one surface. 상기 커넥터는 상기 제2 단자 홈들에 각각 삽입되는 제2 단자들, 및 상기 제2 단자 홈들에 각각 배치되어 상기 제2 단자들을 상기 파워를 공급하는 전원 공급 유닛 방향으로 탄성 지지하는 제2 탄성 부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터.The connector includes second terminals respectively inserted into the second terminal grooves, and second elastic members disposed in the second terminal grooves to elastically support the second terminals in a direction of a power supply unit supplying the power. A heater, characterized in that it further comprises.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101012689B1 (en) * 2008-06-02 2011-02-09 엘아이지에이디피 주식회사 Electrode fixing device for Electro Static Chuck
KR101041069B1 (en) * 2008-01-14 2011-06-13 주식회사 코미코 Ceramic heater and apparatus for processing a board including the same
KR101591294B1 (en) * 2014-10-24 2016-02-03 주식회사 에프알디 Terminal connecting structure of ceramic heater for semiconductor manufacturing device
KR20230050942A (en) * 2021-10-08 2023-04-17 (주)주영 Power supply unit and substrate support chuck including same
WO2024171391A1 (en) * 2023-02-16 2024-08-22 日本碍子株式会社 Ceramic heater

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001210705A (en) * 2000-01-28 2001-08-03 Toshiba Corp Electrostatic chuck, treatment equipment and method of manufacturing semiconductor device
JP4398064B2 (en) * 2000-05-12 2010-01-13 日本発條株式会社 Heating device
JP3962661B2 (en) 2002-08-30 2007-08-22 三菱重工業株式会社 Electrostatic chuck support mechanism, support base device, and plasma processing apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041069B1 (en) * 2008-01-14 2011-06-13 주식회사 코미코 Ceramic heater and apparatus for processing a board including the same
KR101012689B1 (en) * 2008-06-02 2011-02-09 엘아이지에이디피 주식회사 Electrode fixing device for Electro Static Chuck
KR101591294B1 (en) * 2014-10-24 2016-02-03 주식회사 에프알디 Terminal connecting structure of ceramic heater for semiconductor manufacturing device
KR20230050942A (en) * 2021-10-08 2023-04-17 (주)주영 Power supply unit and substrate support chuck including same
WO2024171391A1 (en) * 2023-02-16 2024-08-22 日本碍子株式会社 Ceramic heater

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