KR20070064186A - 씨모스 이미지 센서 - Google Patents

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KR20070064186A
KR20070064186A KR1020050124834A KR20050124834A KR20070064186A KR 20070064186 A KR20070064186 A KR 20070064186A KR 1020050124834 A KR1020050124834 A KR 1020050124834A KR 20050124834 A KR20050124834 A KR 20050124834A KR 20070064186 A KR20070064186 A KR 20070064186A
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박재현
훈 김
박광수
정민재
김상진
신장규
서상호
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전자부품연구원
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Abstract

본 발명은 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 게이트와 바디가 묶인 PMOSFET을 수광소자로 사용한 능동 픽셀 및 수동 픽셀에 관한 것으로, P형 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, N형으로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 PMOSFET 및 상기 MOSFET으로부터 받은 신호를 출력하기 위한 출력부를 포함하며, 상기 PMOSFET은 게이트와 제2불순물형으로 도핑된 웰이 전기적으로 연결된 씨모스 이미지 센서에 관한 것이다.
따라서, 본 발명은 수광소자에 소량의 빛이 들어와도 소스와 드레인에 흐르는 전류의 양이 커, 저조도에서 이미지 구현이 우수한 특성을 가지며, 종래의 이미지 센서와는 달리 긴 인테그레이션 시간이 불필요하므로 빛의 양이 적은 저 조도상황에서도 고속의 동영상의 구현을 가능하게 하며, 종래의 씨모스 이미지 센서의 제조공정 중 암전류를 억제하기 위하여 수광부 표면의 에피층의 형성하는 공정등을 삭제하여 공정단계를 대폭 축소하며, 이로 인하여 공정의 수율 향상 및 비용을 절감하는 효과가 있다.
MOSFET, 능동 픽셀, 수동 픽셀

Description

씨모스 이미지 센서{CMOS image sensor}
도 1a는 종래의 이미지 센서 픽셀의 회로도,
도 1b는 종래의 이미지 센서의 제어 신호 타이밍도,
도 2a는 본 발명의 이미지 센서 능동 픽셀의 회로도,
도 2b는 본 발명의 이미지 센서 능동 픽셀의 제어 신호 타이밍도,
도 3a는 본 발명의 이미지 센서 수동 픽셀의 회로도, 및
도 3b는 본 발명의 이미지 센서 수동 픽셀의 제어 신호 타이밍도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
200: 픽셀 210: PMOSFET
220: 반도체 기판 230: N-Well
240: 소스/드레인 260: 게이트 산화막
270: 게이트 전극 280: 제2커패시터
290: 제1커패시터
본 발명은 씨모스 이미지 센서에 있어서, 게이트와 바디가 묶인 PMOSFET을 수광소자로 사용한 능동 픽셀 및 수동 픽셀에 관한 것으로, 전하 축적 시간을 획기적으로 줄여 저조도 상황에서도 초당 30프레임 이상의 동영상 구현을 가능하게 하는 씨모스 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 외부의 에너지(예를 들면, 빛 에너지)에 반응하는 반도체 장치의 성질을 이용하여, 이미지를 찍어(capture)내는 장치이다. 자연계에 존재하는 각 피사체에서 발생되는 빛은 파장 등에서 고유의 값을 가진다. 이미지 센서의 픽셀은 각 피사체에서 발생하는 빛을 감지하여, 전기적인 값으로 변환한다.
즉, 이미지 센서의 픽셀은 피사체에서 발생되는 빛 에너지 등에 대응하여, 빛의 파장에 대응하는 전기적인 값을 발생한다. 이 중 전하결합소자(CCD; Charge Coupled Device)는 개개의 모스(MOS) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
상기 전자결합소자(CCD)는 구동방식이 복잡하고 전력소모가 많으며, 마스크 공정 스텝 수가 많기 때문에 신호 처리 회로를 CCD 칩 내에 구현할 수 없는 등의 단점이 있는 바, 최근 이러한 단점을 극복하기 위하여 서브 마이크론 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Semiconductor)제조기술을 이용한 CMOS 이미지 센서의 개발이 많이 연구되고 있다.
상기 CMOS이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스(MOS) 트랜지 스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, 상술한 바와 같이 CMOS 제조 기술을 이용하므로 전력 소모가 작으며 마스크의 수도 20개 정도로 30~40개의 마스크가 필요한 CCD공정에 비해 공정이 매우 단순하다.
이로 인하여, 신호 처리 회로를 단일 칩 내에 집적할 수 있어 제품의 소형화를 통해 다양한 응용이 가능하다.
CMOS 이미지 센서의 구성을 설명하면 다음과 같다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 화소의 구조 및 제어신호 타이밍도이다.
참고로, CMOS 이미지 센서를 구성하는 트랜지스터의 개수는 3개 이상의 다양한 형태이나 설명의 편의상 3개의 트랜지스터로 구성되는 CMOS 이미지 센서를 중심으로 기술하기로 한다.
도 1a에 도시된 바와 같이, CMOS 이미지 센서의 단위 화소(100)는 광 감지수단인 포토다이오드(110)와 4개의 NMOS 트랜지스터로 구성된다. 상기 4개의 트랜지스터는 리셋 트랜지스터(Rx, 120), 전달 트랜지스터(Tx, 130), 셀렉트 트랜지스터(140), 어세스 트랜지스터(150)로 동작 원리는 다음과 같다.
우선, 리셋 트랜지스터(120)가 켜지면서 아웃풋 플로팅 게이트 노드(output floating diffusion node)에는 전윈 전압(VDD)이 인가된다. 이때, 레퍼런스 값(reference value) 즉, 기준 값을 디텍션(detection)하게 되고, 외부에서 수광부인 포토 다이오드(110)에 빛이 입사하게 되면 이에 비례하여 전자-정공쌍(EHP; electron hole pair)이 생성된다.
생성된 신호 전하에 의하여 전달 트랜지스터(130)의 소스 노드의 전위가 생성된 신호 전하의 양에 비례하여 변화하며 전달 트랜지스터(130)가 온(on)이 되면 축적된 신호 전하는 플로팅 디퓨전 노드(floating diffusion node)로 전달되게 되며 전달된 신호 전하량에 비례하여 아웃풋 플로팅 디퓨젼 노드의 전위가 변하며 동시에 셀렉트 드렌지스터(140)의 게이트 베이스가 변화하게 된다. 이는 결국 셀렉트 트랜지스터(140)의 소스 전위의 변화를 초래하게 된다. 이때, 어세스(access) 트랜지스터(150)가 온 상태가 되면 컬럼 쪽으로 데이터가 리드 아웃(readout)되게 된다.
이후, 리셋 트랜지스터(120)가 온 되면서 아웃풋 플로팅 디퓨젼 노드의 전위가 전위 전압(VDD)으로 상승한다. 이러한 과정이 반복되게 되며, 상기 컬럼 쪽으로 리드 아웃 된 데이터는 SAH(sample-and-hold) 회로를 사용하여 읽어내어 신호처리를 수행한다.
종래의 CMOS 이미지 센서는 입사되는 광자 하나에 대해 전자-정공쌍 하나가 생성되고, 이렇게 생성된 전자들을 도 1a의 N-well 영역인 전위 우물에 일정시간(도1b의 전하 축적 시간(integration time, 일반적으로 1프레임)동안 축적시킨다.
그러나, 종래의 씨모스 이미지 센서들은 입사되는 빛이 절대적으로 약한 경우, 이에 의해 발생되는 전자-정공쌍도 작을 수 밖에 없다. 따라서 정상적인 신호 처리를 하여 영상을 얻기 위해서 단위 픽셀이 빛에 노출되는 시간을 강제로 길게 하여 즉, 전하의 축적 시간을 강제로 길게 하여 신호 처리가 가능한 수준의 전압을 얻는 방법을 사용한다.
전하 축적 시간(integration time)을 길게 한다는 것은 결국 한 프레임의 시간을 길게 한다는 것과 동일한 것이다. 결과적으로 저조도에서는 초당 30프레임의 동영상이 불가능해지고 15프레임에서 10프레임 정도가 되어 사용자는 끊어지는 영상을 볼 수 밖에 없다. 또한, 오랜 시간 전하를 축적해야 하므로 열 생성 전하도 많이 축적되어 잡음이 커지는 문제도 나타난다.
따라서, 상기의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 증폭된 광전류를 얻음으로써, 전하 축적시간을 획기적으로 줄일 수 있는 씨모스 이미지 센서를 제공함에 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 제1불순물형 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2불순물형으로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 PMOSFET 및 상기 PMOS로부터 받은 신호를 출력하기 위한 출력부를 포함하며, 상기 PMOSFET은 게이트와 제2불순물형으로 도핑된 웰이 전기적으로 연결된 씨모스 이미지 센서에 의해 달성된다.
바람직하게, 상기 PMOSFET의 상기 웰(well)내에는, 고농도 제1불순물형으로 도핑된 소스와 드레인 및 고농도 제2불순물형으로 도핑된 연결부를 포함한다.
바람직하게, 상기 제1불순물형은 P형이며, 상기 제2불순물형은 N형이다.
바람직하게, 상기 PMOSFET의 게이트는 플로팅되는 플로팅 게이트이다.
바람직하게, 상기 출력부가 전압 변환 장치, 셀렉트 트랜지스터 및 소스 팔로워 버퍼를 포함하는 경우 능동 픽셀 씨모스 이미지 센서이며, 상기 출력부가 선택 스위치인 경우는 수동 픽셀 씨모스 이미지 센서이다.
바람직하게, 상기 능동 픽셀은 픽셀 리셋을 수행하고 기준 신호 샘플링 후 일정시간 지연 후, 같은 수평 라인에서 광 신호 샘플링을 수행하는 단계 및 상기 두 신호의 차를 열 단위로 읽어내는 단계를 포함하여 구동한다.
바람직하게, 상기 수동 픽셀은 외부 커패시터를 리셋시키고 픽셀 내의 스위치를 활성화시켜 픽셀을 선택하고, 해당 픽셀의 광 전류가 전압 신호로 변환되는 것을 포함하여 구동한다.
바람직하게, 상기 씨모스 이미지 센서는 30만 화소의 경우, 13.5 MHz 마스터 클럭을 사용하여 저조도 상황에서도 초당 30프레임의 동영상을 구현한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들 이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명은 게이트와 바디가 묶인 PMOSFET을 수광소자로 사용함으로써 증폭된 광전류를 얻을 수 있고, 이를 능동화소 또는 수동화소에 적용함으로써 전하 축적 시간을 획기적으로 줄일 수 있게 된다.
본 발명의 씨모스 이미지 센서는 외부 피사체 이미지를 촬상하여 개개의 단위픽셀에서 피사체의 이미지를 단위픽셀의 구성 개수만큼 균등히 분할하여서 서로 다른 밝기에 대응되는 전기적 신호를 생성한다.
PMOSFET의 게이트 물질로 사용되는 다결정 실리콘은 도핑 농도가 매우 높아서 축퇴되어 있으며, 페르미 준위는 전도대 위에 존재하게 된다. 반면, 실리콘 산화막을 사이에 두고 있는 실리콘 기판(여기서는 n-well)의 페르미 준위는 금지대에 존재하게 된다. 따라서, 경계면에서 에너지 밴드가 휘게 되고 이것은 전자와 정공이 서로 다른 전위 장벽을 느끼게 한다.
입사된 광에 의해 전자-정공 쌍이 생성되고 바이어스 전압에 의해 정공은 소스에서 드레인으로 신속히 이동하지만 전자는 n-well의 중성영역에 모이게 된다. 이것은 실제로 게이트에 음의 전압을 인가한 것과 동일한 효과를 가진다.
따라서 동일한 입사광에서 PMOSFET 수광소자는 일반 수광소자에 비해 더 큰 출력 전류를 얻을 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
-제 1 실시예-
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 동작을 개념적으로 나타내는 회로도 및 제어 신호 타이밍도이다.
제 1 실시예는 게이트와 바디가 묶인 PMOSFET을 수광소자로 사용하는 능동 픽셀에 관한 것이다.
능동 픽셀 센서는 각 픽셀이 능동 소자로 구성되어 신호를 증폭하여 출력하는 형태의 씨모스 이미지 센서로 출력부는 전압 변환 장치, 셀렉트 트랜지스터 및 소스 팔로워 버퍼를 포함한다.
본 발명의 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 단위 픽셀(200)의 구조에 있어서 수광하는 부분을 광 입사에 의한 광전변환 방식을 사용하는 PMOSFET(210)으로 이루어지며, 상기 PMOSFET은 플로팅 되어 있는 다결정(poly) 실리콘 게이트(270)와 N-well(230)이 연결되있다. 이는, N-well(230)의 중성 영역에 축적된 전자들을 게이트로 이동시켜서 광전류를 극대화 할 수 있고 이로 인하여 광 감도를 증가시키기 위한 것이다.
또한, 이를 능동 화소에 적용함으로써 전하 축적 시간을 획기적으로 줄일 수 있다.
본 발명의 제1실시예에 따른 PMOSFET(210)수광소자의 형성 방법은 다음과 같다.
P형 반도체 기판(220)상에 PMOSFET(210)을 구현하기 위하여 PMOSFET영역에 N-well(230)을 형성한다. 상기 N-well(230) 형성공정은, P형 반도체 기판상에 패턴을 형성하여 N-well(230)이 형성될 영역만을 오픈(open)한 상태에서 N형 불순물 이온 주입 공정을 수행하며, 이후 열처리하여 N-well(230)을 형성한다. 이후, N-well(230)이 형성된 기판의 전면에 게이트 산화막(260)과 폴리 실리콘(270)을 순차적으로 증착하고 패터닝 한 후 식각하여 PMOSFET(210)의 플로팅 게이트를 형성한다.
이후, PMOSFET영역의 소스/드레인 형성 영역만이 오픈된 마스크를 형성하고 고농도의 P형 이온주입공정을 수행하여 PMOSFET영역에 소스/드레인(240)을 각각 형성하고, N-well(230)과 플로팅 게이트를 전기적으로 연결시키기 위하여 N-well의 영역 내에 소스/드레인(240)과 이격된 영역에 고농도의 N형 불순물 주입공정을 실시함으로써 N-well(230)과 플로팅 게이트의 연결부(250)를 형성한 후, 금속 배선을 형성하여 전기적으로 연결한다.
상기 N-well과 플로팅 게이트의 연결부(250)는 N-well(230)과 동일한 타입의 불순물을 이용하여 형성하되, N-well 형성 농도보다 고농도로 형성하는 것이 바람직하다.
이때, PMOSFET(210)는 빛을 받아들이는 수광소자로서 빛은 PMOSFET(210)의 상부에 형성된 게이트를 통과하여야 하므로 PMOSFET의 플로팅 게이트의 상부에는 실리사이드 공정, 금속 증착 공정 및 반사물질 형성등을 수행하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 센서 회로의 동작을 도 2a 및 2b를 참조하여 설명하면, 다음과 같다. 다수의 단위 픽셀로 이루어지는 로우에 신호가 인가되면, 다수의 단위 픽셀에서 로우 인에이블(row enable) 구간 동안 캡쳐된 이미지 세이터 신호가 컬럼의 공통 접접으로 부터 CDS(300)로 인가 된다.
CDS의 제1스위치(RS)가 리셋 샘플링 구동 신호에 의해 리셋 샘플링(SR, reset sampling)을 진행하여 제1커패시터(290)에 그 값이 저장되고 제1비교기를 통해 MUX로 신호가 인가된다. 리셋 샘플링이 진행된 후, 로우 인에이블이 종류되기 전, CDS의 제2 스위치(DS)가 데이터 샘플링 구동 신호에 의해 데이터 샘플링(SD, data sampling)을 진행하여 제2커패시터(280)에 그 값이 저장되고 제2비교기를 통해 MUX로 신호가 인가된다.
이러한 일련의 신호(R_en, SR, SD)가 한 주기 동안 진행되면 단위 픽셀에 저장된 이미지 데이터를 획득하게 되고, 차등 증폭기(SHA, sample and hold amplifier), PGA(programmable gain amplifier) 및 ADC(analog-digital converter)등을 통해 이미지 데이터를 출력하게 된다.
따라서, 본 발명의 PMOSFET 수광소자는 하나의 광자가 증폭된 광전류를 생성시킴으로써 광전류의 전류 이득이 100 내지 1000에 달하므로 종래의 이미지 센서에 비하여 전하 축적 시간을 100 내지 1000배 줄일 수 있으므로, 도4에 나타난 바와 같이, 전하 축적 시간이 1프레임 또는 1라인이 아닌 수십 클럭 지연만으로 충분하다.
이로 인하여 본 발명의 CMOS 이미지 센서는 VGA급(30만 화소)의 경우, 13.5 MHz의 마스터 클럭(master clock)을 사용하여 빛의 양이 적은 저 조도의 상황에서 도 초당 30프레임의 동영상이 가능하다.
또한, PMOSFET 수광소자를 일반적인 모스 공정으로 단위 픽셀을 구현하여 기존의 씨모스 이미지 센서의 전용 공정이 불필요하므로 향후, 공정 수율의 증가 및 공정 비용의 절감 효과를 유도할 수 있다.
-제 2 실시예-
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 동작을 개념적으로 나타내는 회로도 및 제어신호 타이밍도이다.
본 발명의 제 2 실시예는 게이트와 바디가 묶인 PMOSFET을 수광소자로 사용하는 수동 픽셀에 관한 것이다.
수동 픽셀 센서(400)는 일반적으로 하나의 픽셀이 하나의 수광소자와 하나의 통과(접근) 트랜지스터로 구성된 씨모스 이미지 센서이다.
본 발명의 수동 픽셀센서의 출력부는 선택 스위치이다.
본 발명은 수동 화소의 구조에 있어서 수광 하는 부분을 광 입사에 의한 광전변환 방식을 사용하는 PMOSFET으로 이루어지며, 상기 PMOSFET은 플로팅 되어 있는 다결정 실리콘 게이트와 n-well이 연결되어있다. 이는 n-well의 중성 영역에 축적된 전자들을 게이트로 이동시켜서 광전류를 극대화 할 수 있고 이로 인하여 광 감도를 증가시키기 위한 것이다.
또한, 이를 수동 화소에 적용함으로써 전하 축적 시간을 획기적으로 줄일 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 PMOSFET 수광소자의 형성 방법은 상기 제 1 실시예에 따른 PMOSFET 수광 소자의 형성방법과 동일하다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 센서 회로의 동작을 도 3a 내지 도 3b를 참조하여 설명하면, 다음과 같다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 수동 픽셀 센서는 하나의 픽셀이 게이트와 바디가 묶인 하나의 PMOSFET(400) 수광소자와 하나의 트랜지스터(410)로 구성되어 외부 커패시터(490)를 리셋 (reset)시키고 픽셀 내의 스위치를 활성화시켜 픽셀을 선택하고, 해당 팩셀의 큰 광전류를 화소 외부의 커패시터(480)에 일정한 시간 동안 축적시켜 전압으로 변환된 값을 읽어내게 된다.
이 경우에도 PMOSFET의 광전류가 매우 커서 커패시터 리셋 후 짧은 시간 동안만 축적시키면 신호 처리가 가능한 수준의 전압 값을 얻을 수 있기 때문에 본 발명의 CMOS 이미지 센서는 VGA급(30만 화소)의 경우, 13.5 MHz의 마스터 클럭(master clock)을 사용하여 빛의 양이 적은 저 조도의 상황에서도 초당 30프레임의 동영상이 가능하다.
또한, PMOSFET 수광소자를 일반적인 모스 공정으로 단위 픽셀을 구현하여 기존의 씨모스 이미지 센서의 전용 공정이 불필요하므로 향후, 공정 수율의 증가 및 공정 비용의 절감 효과를 유도할 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양 한 변경과 수정이 가능할 것이다.
본 발명은 수광소자에 소량의 빛이 들어와도 소스와 드레인에 흐르는 전류의 양이 커, 저조도에서 이미지 구현이 우수한 특성을 가지며, 종래의 이미지 센서와는 달리 인테그레이션 시간이 불필요하므로 빛의 양이 적은 저 조도상황에서도 고속의 동영상의 구현을 가능하게 하는 효과가 있다.
본 발명은 종래의 씨모스 이미지 센서의 제조공정 중 암전류를 억제하기 위하여 수광부 표면의 에피층의 형성하는 공정등을 삭제하여 공정단계를 대폭 축소하며, 이로 인하여 공정의 수율 향상 및 비용을 절감하는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 제1불순물형 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서,
    제2불순물형으로 도핑된 웰을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 PMOSFET; 및
    상기 PMOSFET으로부터 받은 신호를 출력하기 위한 출력부
    를 포함하며,
    상기 PMOSFET은 게이트와 제2불순물형으로 도핑된 웰이 전기적으로 연결된 씨모스 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 PMOSFET의 상기 웰내에는, 고농도 제1불순물형으로 도핑된 소스와 드레인 및 고농도 제2불순물형으로 도핑된 연결부를 포함하는 씨모스 이미지 센서.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1불순물형은 P형인 씨모스 이미지 센서.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2불순물형은 N형인 씨모스 이미지 센서의 단위 픽셀.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 PMOSFET의 게이트는 플로팅 되는 씨모스 이미지 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 출력부는 전압 변환 장치, 셀렉트 트랜지스터 및 소스 팔로워 버퍼를 포함하는 능동 픽셀 씨모스 이미지 센서.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 출력부는 선택 스위치인 수동 픽셀 씨모스 이미지 센서.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 능동 픽셀은 픽셀 리셋을 수행하고 기준 신호 샘플링 후 일정시간 지연후 같은 수평 라인에서 광 신호 샘플링을 수행하는 단계; 및
    상기 두 신호의 차를 열 단위로 읽어내는 단계를 포함하여 구동하는 씨모스 이미지 센서.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 수동 픽셀은 외부 커패시터를 리셋시키고 픽셀 내의 스위치를 활성화시켜 픽셀을 선택하고, 해당 픽셀의 광 전류가 전압 신호로 변환되는 것을 포함하여 구동하는 씨모스 이미지 센서.
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