KR20070064079A - Poly-silicon film manufacturing method and poly-silicon film manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
도 1 은 본 발명에 따른 제조장치를 나타낸 개념도,1 is a conceptual diagram showing a manufacturing apparatus according to the present invention,
도 2 는 니켈분자가 비정질 실리콘층 위에 선점된 점유영역을 가지면서 흡착된 것을 나타낸 개념도, 2 is a conceptual diagram showing that nickel molecules are adsorbed with an occupied area occupied on an amorphous silicon layer;
도 3 은 본 발명에 따른 촉매분포의 형성단계를 나타낸 측면 개념도,3 is a side conceptual view illustrating a step of forming a catalyst distribution according to the present invention;
도 4 는 본 발명에 따른 분포밀도조절단계를 나타낸 측면 개념도,4 is a side conceptual view showing a distribution density adjusting step according to the present invention;
도 5 는 본 발명의 다른 실시예로서, 비정질 실리콘박막 사이에 금속촉매가 분포된 것을 나타낸 제조공정도이다.5 is a manufacturing process diagram showing a metal catalyst distributed between amorphous silicon thin films according to another embodiment of the present invention.
본 발명은 특히 대면적의 유리기판 상에서 금속촉매를 이용한 결정화를 통해 비정질실리콘을 다결정 실리콘으로 전환시키는 다결정실리콘박막 제조방법 및 그 제조장치에 관한 것이다. In particular, the present invention relates to a method for producing a polycrystalline silicon thin film and an apparatus for converting amorphous silicon into polycrystalline silicon through crystallization using a metal catalyst on a large glass substrate.
본 발명이 적용되는 기술분야로서 다결정 실리콘 박막이 사용되는 것으로는 예를 들어, 액정을 이용한 LCD(Liquid Crystal Display) 소자를 들 수 있다.As the technical field to which the present invention is applied, a polycrystalline silicon thin film may be used, for example, an LCD (Liquid Crystal Display) device using a liquid crystal.
이러한 LCD는 CRT와는 달리 자기발광성이 없어 후광이 필요하지만 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고, 무게와 부피 면에서 휴대용으로 쓰일 수 있어 널리 쓰이는 평판 디스플레이이다.Unlike CRTs, these LCDs do not have self-luminous properties and require backlighting. However, they are low power consumption due to their low operating voltage, and are widely used flat panel displays because they can be used in terms of weight and volume.
상기 LCD는 색상을 표현하기 위해서는 컬러필터를 사용하는데, 필터의 픽셀 단위는 RGB의 3개 서브픽셀로 구성되며, 이러한 개개의 셀을 통해 색상을 표현하기 위하여 매트릭스 컨트롤방식이 채택되고 있다.The LCD uses a color filter to express colors. The pixel unit of the filter is composed of three subpixels of RGB, and a matrix control method is adopted to express colors through these individual cells.
이 중 능동 매트릭스(active matrix) 방식 LCD는 각 화소마다 적,녹,청색 신호를 처리할 수 있는 3개의 트랜지스터를 사용함으로써 선명한 색상을 얻으며, TFT(Thin Film Transister) LCD가 대표적이다.Among them, an active matrix LCD uses three transistors capable of processing red, green, and blue signals for each pixel to obtain vivid colors, and a TFT (Thin Film Transister) LCD is typical.
이러한 이유에서 LCD 제조공정은 반도체 제조공정의 그것과 범주를 같이하여, LCD기판의 표면에 예를들어 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막 및 전극패턴을 형성하기 위해 반도체 제조공정의 경우와 같이 포토리소그라피(photo lithography) 기술이 사용되고 있는 것이다. For this reason, the LCD manufacturing process is in the same category as that of the semiconductor manufacturing process, so as to form a thin film and an electrode pattern of, for example, indium tin oxide (ITO) on the surface of the LCD substrate as in the case of the semiconductor manufacturing process, as in the case of the semiconductor manufacturing process. photo lithography is being used.
반면, 웨이퍼와 달리 유리를 기판으로 하는 근본적인 이유로부터 반도체 제조공정과는 차이를 보이게 된다.On the other hand, unlike wafers, the fundamental reason for using glass as a substrate is different from that of a semiconductor manufacturing process.
이를 좀 더 상세히 설명하면, 기판 위에 실리콘막을 형성하기 위한 실리콘 가스(SiH4)의 열분해에 의한 증착은 600℃ 정도의 고온을 요구하는데, 유리기판은 450℃~500℃에서 변형이 일어나게 되므로, 반도체 제조공정의 증착공정을 바로 적용할 수 없다.In more detail, the deposition by thermal decomposition of silicon gas (SiH4) for forming a silicon film on the substrate requires a high temperature of about 600 ℃, glass substrate is a deformation occurs at 450 ℃ ~ 500 ℃, semiconductor manufacturing The deposition process of the process cannot be applied immediately.
이에 따라, 일반적으로 플라즈마 증착(PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapol Deposition)이 수행되며, 이는 350℃ 이내의 온도에서 실리콘을 증착시킬 수 있으므로, 유리기판을 사용할 수 있게 되는 것이다.Accordingly, plasma deposition (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapol Deposition) is generally performed, which can deposit silicon at a temperature within 350 ° C., thereby enabling the use of a glass substrate.
그러나, 이때 형성되는 실리콘 박막은 비정질 실리콘(amorphous-silicon)이라는 한계가 있는데, 이것은 상기 메트릭스 컨트롤방식에 있어서 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 사용하여 화소를 구동하고 있으며, 구동회로는 단결정 실리콘 웨이퍼에 회로를 구성하여 따로 연결시켜야 하는 것이다.However, the silicon thin film formed at this time is limited to amorphous silicon (amorphous-silicon), which drives the pixel using an amorphous silicon thin film transistor in the matrix control method, and the driving circuit constitutes a circuit in a single crystal silicon wafer. To connect separately.
즉, 비정질 실리콘은 전자이동도가 낮아 고속동작 회로에는 사용할 수 없는 문제가 있으며, 비정질 실리콘 TFT를 사용하는 LCD는 기판에 픽셀 트랜지스터를 형성하고 기판 주변에 TCP(Tape Carrier Package) 구동IC를 이용하여 유리기판과 PCB를 연결하여야 하는 것이다.In other words, amorphous silicon has low electron mobility and cannot be used in high-speed operation circuits. LCDs using amorphous silicon TFTs form pixel transistors on a substrate and use a tape carrier package (IC) driver around the substrate. The glass substrate and PCB must be connected.
이러한 경우 구동IC와 실장 비용이 상승하는 문제점과, TCP구동IC와 PCB의 연결부위 또는 TCP구동IC와 유리기판 사이의 연결부위가 기계적, 열적충격에 취약하고 접촉저항이 커지는 문제점이 있으며, LCD 패널의 해상도가 높아짐에 따라 신호선과 주사선의 패드 피치가 짧아져 TCP 본딩 자체가 어려워지는 문제점이 있는 것이다.In this case, there is a problem in that the driving IC and the mounting cost increase, and the connection part between the TCP driver IC and the PCB or the connection part between the TCP driver IC and the glass substrate is vulnerable to mechanical and thermal shock and the contact resistance is increased. As the resolution becomes higher, the pad pitch of the signal line and the scan line becomes shorter, which makes the TCP bonding itself difficult.
결국, 대면적화 고화질화되는 평판표시소자의 추세로 볼 때 비정질 실리콘 TFT는 속도가 느리고 크기가 커서 이러한 요구조건을 만족시키는 데 한계가 있다.As a result, in view of the trend of flat panel display devices having a large size and high image quality, amorphous silicon TFTs are slow in size and large in size, and thus have limitations in satisfying these requirements.
이에 따라, 관건은 유리기판위에 형성된 비정질 실리콘을 결정질 실리콘으로 전환하는 것이며, 공연실시된 수단으로는 고상결정화(SPC), 레이저 결정화(ELC), 금속유도결정화(MIC),금속유도측면 결정화(MILC) 방식이 있다.Accordingly, the key is to convert the amorphous silicon formed on the glass substrate into crystalline silicon, and the performing methods include solid state crystallization (SPC), laser crystallization (ELC), metal induction crystallization (MIC), and metal induced side crystallization (MILC). ) There is a way.
이 중 생산성과 기판의 대면적화에서 현재 주목받고 있는 것은 금속유도결정화나 금속유도측면 결정화 방식과 같은 특정한 종류의 금속층을 비정질실리콘에 증착하거나 첨가한 후, 열처리하여 유리기판이 손상되지 않는 저온에서도 비정질실리콘을 결정화하는 것이다.Among them, the current attention in productivity and large area of the substrate is that a specific type of metal layer such as metal induction crystallization or metal induction side crystallization is deposited or added to amorphous silicon, and then heat treated to amorphous glass at low temperatures where the glass substrate is not damaged. To crystallize silicon.
이때 금속입자 자체인 결정핵에 의한 것을 MIC라 칭하고, 이 MIC에 의하여 결정화된 실리콘의 바운더리가 새로운 결정핵으로 작용하여 실리콘의 결정화가 측면으로 진행되면서 이루어지는 것을 MILC라 칭하는 것이다.At this time, the crystal nuclei, which are the metal particles themselves, are referred to as MIC, and the boundary of silicon crystallized by the MIC acts as a new crystal nucleus so that crystallization of silicon proceeds to the side.
이때, 금속촉매를 비정질 실리콘박막상에 분포시키기 위하여, 일반적으로 스퍼터링이 수행되며, 스퍼터링은 공정공간에 타겟인 니켈패널을 배치시키고, 기판 사이에 플라즈마를 형성시켜 기판으로 분해된 니켈입자가 흡착되는 것을 이용하고 있다.In this case, in order to distribute the metal catalyst on the amorphous silicon thin film, sputtering is generally performed, and sputtering is performed by placing a target nickel panel in a process space, forming a plasma between the substrates, and adsorbing the nickel particles decomposed into the substrate. We are using thing.
그러나, 이러한 금속촉매의 분포에 있어서, 특히 니켈을 타겟으로 할 경우 대면적화되는 표시기판에 대응할 수 없다는 문제점이 있다.However, in the distribution of such a metal catalyst, there is a problem in that it is not possible to cope with a display substrate having a large area, especially when targeting nickel.
즉, 스퍼터링은 공정공간(진공)으로 아르곤 가스가 도입되고, 전자기장에 의해 기판으로 니켈입자가 흡착되는데, 니켈자체가 강자성체이어서 공정공간 내부에 자기장을 형성시키는 것이 곤란하다.That is, in sputtering, argon gas is introduced into the process space (vacuum), and nickel particles are adsorbed to the substrate by the electromagnetic field. Since the nickel itself is a ferromagnetic material, it is difficult to form a magnetic field inside the process space.
이를 개선하기 위하여 타겟(니켈)의 자장 도메인을 수직으로 배열하여, 공정공간으로 자장이 형성되도록 한 것이 공연실시되어 있으나, 이러한 타겟은 300mm 정도가 초과되는 변의 길이를 갖게 형성하는 것이 현행 기술로는 곤란한 것으로 알려져 있는 것이다.In order to improve this, the magnetic field of the target (nickel) is arranged vertically so that a magnetic field is formed in the process space, but such a target is formed to have a side length exceeding about 300 mm. It is known to be difficult.
더욱이, 다결정화를 위한 적절한 금속촉매의 분포가 어려우며, 이는 금속유도측면결정화 공정을 진행하기 위하여 스퍼터링에 의한 박막을 형성하여야 하는 오류로부터 문제가 기인된다.Moreover, the distribution of suitable metal catalysts for polycrystallization is difficult, which results from the problem of forming a thin film by sputtering in order to proceed with the metal-induced side crystallization process.
즉, 박막의 형성이 아니라 결정화핵을 분포시키는 정도면 충분하며, 이 결정화핵으로부터 측면유도가 진행되고, 이에 따라 비정질실리콘이 다결정실리콘으로 결정화된다.In other words, it is sufficient to distribute the crystallization nuclei instead of the formation of a thin film, and the lateral induction proceeds from the crystallization nucleus, whereby amorphous silicon is crystallized into polycrystalline silicon.
이때, 결정화핵 즉, 금속입자(원소)는 유리기판 전역에 걸쳐 골고루 분포될 필요가 있으며, 이를 수행하기 위해 유리기판 전역에 걸쳐 막을 형성하는 스퍼터링은 결정화핵의 분포라는 금속유도측면결정화 공정에 있어서는 과도한 공정 및 장치인 것으로서, 스퍼터링에 의해 제공된 금속촉매는 오히려 실리콘 박막내에 불순물로 작용하여 결정화된 실리콘 박막의 특성을 저하시키는 요인으로 작용되고 있음이 알려져 있는 것이다.At this time, the crystallization nuclei, that is, the metal particles (elements) need to be evenly distributed throughout the glass substrate. In order to accomplish this, sputtering to form a film over the glass substrate is called the distribution of crystallization nuclei. As an excessive process and apparatus, it is known that the metal catalyst provided by sputtering acts as an impurity in the silicon thin film, thereby degrading the characteristics of the crystallized silicon thin film.
또한 이에 관련되어, 다결정 실리콘 상으로의 바람직한 그레인(grain) 조절이 어렵게 되며, 이것은 스퍼터링이나 기타 박막형성을 통하여는 그레인의 크기 조절을 위한 촉매로서 금속입자의 분포농도를 조절할 수 없기 때문이다.Also related to this, it is difficult to control the desired grain (grain) onto the polycrystalline silicon, because it is not possible to control the distribution concentration of the metal particles as a catalyst for controlling the grain size through sputtering or other thin film formation.
아울러, 이러한 금속층의 형성과 측면유도결정화공정은 서로 분리되어 공정의 연속성이 절단되고, 그 공정대기시간에 의해 생산성이 하락된 다는 문제점도 크다.In addition, the formation of the metal layer and the side-induced crystallization process is separated from each other, the continuity of the process is cut off, the process waiting time is also a problem that the productivity is lowered.
즉, 스퍼터링을 수행하기 위한 공정공간을 제공하는 반응챔버와 이에 따른 공정장치가 마련되고, 이와 별도로 측면유도결정을 수행하기 위한 열처리장치는 따 로 마련되는 것이어서, 공정장치와 이에 수반되는 장치 예를 들어, 기판 스테이지와 이송실 대기실 등이 별도로 추가되어야 하는 것이며, 스퍼터링 장치에서 유리기판 배출 후 다시 열처리장치로의 투입과 배출은 공정시간의 추가를 야기시키게 된다.That is, a reaction chamber for providing a process space for performing sputtering and a process apparatus according thereto are provided, and a heat treatment apparatus for performing side induction determination is provided separately, so that a process apparatus and an accompanying apparatus are provided. For example, the substrate stage and the transfer room waiting room should be added separately, and the introduction and discharge of the glass substrate from the sputtering apparatus to the heat treatment apparatus again will cause an additional process time.
따라서, 대면적화되는 표시기판에서는 금속층의 형성에 있어서, 스퍼터링의 대체방법이 적용되어야 할 것이 요구되고 있는 것이다.Therefore, in a large-area display substrate, it is required that an alternative method of sputtering be applied in forming the metal layer.
이에 본 발명은 상기 문제점을 개선하기 위하여 안출된 것으로, LCD기판과 같이 대면적의 유리기판상으로 충분한 적용이 가능하며 저농도의 분포와 이것의 단계별 중첩에 의한 촉매의 분포농도조절이 가능하고 이를 통해 그레인의 조절이 가능한 다결정실리콘박막 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to improve the above problems, it is possible to apply enough on a large area glass substrate, such as LCD substrate, it is possible to control the distribution concentration of the catalyst by the low concentration distribution and the overlapping step by step of grain Its purpose is to provide a polysilicon thin film manufacturing method capable of controlling the.
또한, 하나의 장치에서 촉매의 분포공정과 결정 열처리공정이 연속되어 수행되며, 이에 따라 공정시간을 단축시켜 생산성을 향상시킨 다결정실리콘박막 제조방법 및 그 장치를 제공함에 그 목적이 있는 것이다.In addition, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for producing a polysilicon thin film which improves productivity by shortening the process time by performing a catalyst distribution process and a crystal heat treatment process in one apparatus.
이하, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 이 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다. 이 발명의 목적, 작용효과를 포함하여 기타 다른 목적들, 특징점들, 그리고 동작상의 이점들이 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. . Other objects, features, and operational advantages, including the purpose, working effects, and the like of the present invention will become more apparent from the description of the preferred embodiment.
참고로 여기에서 개시되는 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것일뿐, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 변경 및 균등한 타의 실시예가 가능한 것이다.For reference, the embodiments disclosed herein are only presented by selecting the most preferred examples to help those skilled in the art from the various possible examples, the technical spirit of the present invention is not necessarily limited or limited only by this embodiment, Various changes, modifications, and other equivalent embodiments may be made without departing from the spirit of the present invention.
예시도면 도 1 은 본 발명에 따라 촉매로서 금속핵을 유리기판에 분포시키기기 위해 응용되는 ALD(Atomic Layer Deposition) 장치를 나타낸 개념도이고, 예시도면 도 2 는 니켈분자가 비정질 실리콘층 위에 소정의 점유영역을 가지면서 흡착된 것을 나타낸 개념도이며, 예시도면 도 3 은 본 발명에 따른 금속층의 형성단계를 나타낸 측면 개념도이다.Exemplary Drawing FIG. 1 is a conceptual view showing an ALD (Atomic Layer Deposition) apparatus which is applied to distribute a metal nucleus on a glass substrate as a catalyst according to the present invention. FIG. 2 is an illustration of nickel molecules occupying a predetermined amount on an amorphous silicon layer. Figure 3 is a conceptual diagram showing the adsorption while having a region, Figure 3 is a side conceptual view showing the step of forming a metal layer according to the present invention.
그리고, 예시도면 도 4 는 본 발명에 따른 분포밀도조절단계를 나타낸 측면 개념도이며, 예시도면 도 5 는 본 발명의 다른 실시예로서, 비정질 실리콘박막 사이에 금속촉매가 분포된 것을 나타낸 제조공정도이다.And, Figure 4 is a side conceptual view showing a distribution density control step according to the present invention, Figure 5 is another embodiment of the present invention, a manufacturing process diagram showing that the metal catalyst is distributed between the amorphous silicon thin film.
본 발명은 일실시예로서, 유리기판상에 비정질 실리콘을 증착한 다음 이를 결정화 시키기 위하여 금속층을 형성시키는 공정이 포함되어 이루어진 다결정실리콘박막 제조방법에 있어서:In one embodiment, a method of manufacturing a polysilicon thin film comprising depositing amorphous silicon on a glass substrate and then forming a metal layer to crystallize it:
비정질 실리콘이 형성된 유리기판이 배치된 공정공간으로 기상의 금속화합물로서 Ni(Cp)2를 도입하여 상기 금속화합물에 함유된 금속핵을 촉매로서 흡착시키는 금속핵 흡착단계:A metal nucleus adsorption step of adsorbing a metal nucleus contained in the metal compound as a catalyst by introducing Ni (Cp) 2 as a gaseous metal compound into a process space in which a glass substrate having amorphous silicon is formed:
상기 금속핵의 흡착에 의한 자기제한에 의해 금속핵이 포함되는 금속화합물 이 선점한 점유 평면경계영역으로 다수의 비정질 실리콘 입자들이 포함되어, 상기 금속분자의 점유영역에 의해 하나의 상기 금속핵당 다수의 실리콘 입자들을 포함하는 군집영역을 형성시키는 금속핵 분포영역 형성단계: The planar boundary area occupied by the metal compound containing the metal nucleus due to magnetic limitation by the adsorption of the metal nucleus contains a plurality of amorphous silicon particles. A metal core distribution region forming step of forming a cluster region including silicon particles:
금속분포영역 형성단계에서 흡착되지 않은 잉여가스를 퍼지하여 제거하는 잉여가스 제거단계가 포함되어 이루어진 다결정실리콘박막 제조방법이다.It is a method for producing a polysilicon thin film comprising a surplus gas removal step of purging by removing the excess gas that is not adsorbed in the metal distribution region forming step.
한편, 다른 실시예로서 본 발명은 유리기판상에 비정질 실리콘을 증착한 다음 이를 결정화시키기 위하여 금속층을 형성시키는 공정이 포함되어 이루어진 다결정실리콘박막 제조방법에 있어서,On the other hand, in another embodiment of the present invention is a method of manufacturing a polysilicon thin film comprising a step of forming a metal layer to deposit amorphous silicon and then crystallized on a glass substrate,
일부의 두께로 비정질 실리콘층이 형성된 유리기판이 배치된 공정공간으로 기상의 금속화합물을 도입하여 상기 금속화합물에 함유된 금속핵을 촉매로서 흡착시키는 금속핵 흡착단계:A metal nucleus adsorption step of adsorbing a metal nucleus contained in the metal compound as a catalyst by introducing a gaseous metal compound into a process space in which a glass substrate on which an amorphous silicon layer is formed to a part thickness is disposed:
상기 금속핵의 흡착에 의한 자기제한에 의해 금속핵이 포함되는 금속화합물이 선점한 점유 평면경계영역으로 다수의 비정질 실리콘 입자들이 포함되어, 상기 금속분자의 점유영역에 의해 하나의 상기 금속핵당 다수의 실리콘 입자들을 포함하는 군집영역을 형성시키는 금속핵 분포영역 형성단계: Occupying a planar boundary region occupied by a metal compound containing a metal nucleus due to magnetic limitation by the adsorption of the metal nucleus, the plurality of amorphous silicon particles are included, A metal core distribution region forming step of forming a cluster region including silicon particles:
금속분포영역 형성단계에서 흡착되지 않은 잉여가스를 퍼지하여 제거하는 잉여가스 제거한 다음, 상기 금속화합물의 열분해 또는 반응가스를 도입하여 비정질 실리콘과 흡착된 니켈 금속핵 외의 라디칼과 반응시킨 다음 이를 퍼지 제거하여 금속핵만을 배치시키는 금속핵배치단계:In the step of forming the metal distribution region, the excess gas that is not adsorbed is removed by purging the excess gas that is not adsorbed, and then pyrolysis of the metal compound or the reaction gas is introduced to react with radicals other than the amorphous silicon and the adsorbed nickel metal nucleus, followed by purge removal. Metal nucleation step of placing only the metal nuclei:
상기 금속핵배치단계에서 일부의 두께로 형성된 비정질실리콘층위에 배치된 금속핵의 분포위에 나머지 잔여두께의 비정질실리콘층을 형성하는 금속촉매 포함 비정질실리콘층 형성단계로 이루어진 다결정실리콘박막 제조방법이다.The polysilicon thin film manufacturing method comprising a metal catalyst-containing amorphous silicon layer forming step of forming an amorphous silicon layer of the remaining remaining thickness on the distribution of the metal core disposed on the amorphous silicon layer formed to a part of the thickness in the metal core arrangement step.
이에 따라 본 발명은 예시도면 도 1b와 같이 다결정실리콘박막 제조장치를 제공하며, 본 발명은 공정공간인 반응챔버가 마련되어 유리기판상에 비정질실리콘을 증착하기 위한 증착장치가 설치되고, 이 증착장치와는 별도로 공정공간인 반응챔버가 마련되어 비정질 실리콘이 형성된 유리기판에 금속핵을 도포하는 금속핵 도포장치에 의해 금속층이 공정처리되는 다결정실리콘박막 제조장치에 있어서,Accordingly, the present invention provides a polysilicon thin film manufacturing apparatus as shown in Figure 1b, the present invention is provided with a reaction chamber which is a process space is provided a deposition apparatus for depositing amorphous silicon on a glass substrate, and the deposition apparatus and In the polysilicon thin film manufacturing apparatus in which the metal layer is processed by a metal nucleus coating device which is provided with a reaction chamber, which is a process space, to apply a metal nucleus to a glass substrate on which amorphous silicon is formed,
공정공간을 제공하는 반응챔버(1)에 비정질실리콘을 증착하기 위한 증착가스공급장치(12)와 더불어 금속핵을 흡착시키기 위한 기상의 금속화합물을 공급하는 소스가스공급장치(10)와 상기 반응된 증착가스와 잉여 소스가스 배출을 위한 가스배출장치(14)가 마련되고, 상기 반응챔버(1)에는 상기 비정질실리콘의 증착을 위한 열분해 온도환경과 더불어 금속핵의 흡착을 위한 열분해 온도환경을 제공하는 공용의 히팅장치(16)가 장착되며, 상기 반응챔버(1)는 상기 증착가스 공급장치(12)와 소스가스공급장치(10)와 공용된 배출장치(14) 및 히팅장치(16)에 의해 비정질실리콘의 증착공정과 연속되어 금속핵 흡착을 동일공정공간에서 수행하는 연속공정반응챔버로서 포함된 것을 특징으로 하는 다결정실리콘박막 제조장치이다.The reaction gas and the source
상기 실시예들에서 공통적으로, 금속핵 분포영역 형성단계는 ALD에 의해 수행되며, 잉여가스 제거단계를 통해 잉여가스를 제거한 다음, NiCp의 열분해 또는 반응가스를 도입하여 비정질 실리콘과 흡착된 니켈 금속핵 외의 라디칼과 반응시킨 다음 이를 퍼지 제거하여 NiCp가 이루는 군집영역을 해제시키고 선점된 니켈 금속 핵 사이로 NiCp를 흡착시켜 금속핵의 분포밀도를 조절하는 분포밀도 조절단계가 더 포함된 것을 특징으로 한다.Commonly in the above embodiments, the metal core distribution region forming step is performed by ALD, and the excess gas is removed through the excess gas removing step, and then pyrolysis of NiCp or a reaction gas is introduced to introduce amorphous silicon and the adsorbed nickel metal core. After the reaction with the other radicals and purge it to remove the cluster region formed by NiCp and characterized in that it further comprises a distribution density adjustment step of adjusting the distribution density of the metal nucleus by adsorbing NiCp between the preoccupied nickel metal nucleus.
여기서, 공정공간은 130℃~300℃의 온도환경이 조성된 것을 특징으로 한다.Here, the process space is characterized in that the temperature environment of 130 ℃ ~ 300 ℃ is created.
여기서, Ni(Cp)2는 10Torr~300Torr의 압력으로 공급되는 것을 특징으로 한다.Here, Ni (Cp) 2 is characterized in that supplied at a pressure of 10 Torr ~ 300 Torr.
아울러, 본 발명은 상기와 같이 다결정실리콘의 특성향상을 위해 금속핵을 분포시킨뒤 동일 제조장치내에서 결정화처리공정을 수행하기 위한 또 다른 실시예를 제공하며, 본 발명은 상기 잉여가스 제거단계와 연속하여 동일 공정공간인 반응챔버에서 결정화를 위해 열처리를 수행하는 다결정 공정처리단계가 더 포함되어 이루어진 다결정 박막트랜지스터 표시기판의 제조방법이다.In addition, the present invention provides another embodiment for performing a crystallization process in the same manufacturing apparatus after distributing the metal nucleus for the improvement of the characteristics of the polycrystalline silicon as described above, the present invention is to remove the excess gas and A method of manufacturing a polycrystalline thin film transistor display substrate further includes a polycrystalline processing step of sequentially performing heat treatment for crystallization in a reaction chamber which is the same process space.
여기서, 다결정 공정처리단계에는 NiCp에서 열분해된 Cp를 퍼지하여 제거하는 Cp퍼지단계가 더 포함될 수 있다.Here, the polycrystal processing step may further include a Cp purge step of purging and removing Cp pyrolyzed in NiCp.
이에 따라 본 발명은 다결정실리콘박막 제조장치를 제공하며, 본 발명은 공정공간인 반응챔버가 마련되어 비정질 실리콘이 형성된 유리기판에 금속핵을 도포하는 금속핵 도포장치가 마련되고, 이 금속핵 도포장치와는 별도로 공정공간인 반응챔버가 마련되어 금속핵이 도포된 유리기판에 열처리를 수행하여 결정화 공정처리되는 다결정실리콘박막 제조장치에 있어서:Accordingly, the present invention provides a polysilicon thin film manufacturing apparatus, the present invention is provided with a metal core coating apparatus for applying a metal nucleus to a glass substrate on which amorphous silicon is formed by providing a reaction chamber as a process space, In the polycrystalline silicon thin film manufacturing apparatus which is provided with a reaction chamber, which is a process space, and is subjected to a crystallization process by performing heat treatment on a glass substrate coated with a metal core:
공정공간을 제공하는 반응챔버에 금속핵을 흡착시키기 위한 기상의 금속화합물, 예를 들어 Ni(Cp)2 가스를 공급하는 소스가스공급장치(10)와 잉여가스 배출을 위한 가스배출장치(14)가 마련되고, 상기 반응챔버(1)에는 상기 금속핵의 흡착을 위한 열분해 온도환경과 더불어 결정화을 위한 열처리 환경을 제공하는 히팅장치(16)가 장착되며, 상기 반응챔버(1)는 금속핵을 형성하기 위한 소스가스공급 및 배출장치와 공용된 히팅장치(16)에 의해 유리기판상에 금속핵이 흡착됨에 연속되어 결정 열처리를 동일공정공간에서 수행하는 연속공정반응챔버로서 포함된 것을 특징으로 하는 다결정실리콘박막 제조장치이다.Source
이것은 RTP(Rapid Thermal Process)에 의해 구현되며, ALD가 응용됨에 따라 반응챔버를 동일공정으로 공용할 수 있기 때문이다.This is implemented by RTP (Rapid Thermal Process), because the ALD can be used to share the reaction chamber in the same process.
한편, 분리된 공정공간으로도 본 발명의 조합적인 배치가 가능하며, 이것은 예시도면 도 1c 와 같이 복수의 결정공정 반응챔버와 하나의 분포공정 반응챔버로 조합된다.On the other hand, the combined arrangement of the present invention is possible in a separate process space, which is combined into a plurality of crystal process reaction chamber and one distributed process reaction chamber as shown in Figure 1c.
이것은 금속촉매의 분포공정과 결정화 열처리공정을 대비할때, 열처리공정시간이 소요됨에 따라, 전체 처리공정시간을 조합하기 위함이고, 상기 RTP(Rapid Thermal Process)에 의해 진행되지 않는 경우이다.This is a case where the heat treatment process takes time, in contrast to the metal catalyst distribution process and the crystallization heat treatment process, in order to combine the entire treatment process time, and is not progressed by the rapid thermal process (RTP).
즉, 본 발명은 공정공간인 반응챔버가 마련되어 비정질 실리콘이 형성된 유리기판에 금속핵을 도포하는 금속핵 도포장치가 마련되고, 이 금속핵 도포장치와는 별도로 공정공간인 반응챔버가 마련되어 금속핵이 도포된 유리기판에 열처리를 수행하여 결정화 공정처리되는 다결정실리콘박막 제조장치에 있어서:That is, the present invention provides a metal nucleus coating apparatus for applying a metal nucleus to a glass substrate on which amorphous silicon is formed by providing a reaction chamber which is a process space, and providing a reaction chamber which is a process space separately from the metal nucleus coating apparatus. In the polycrystalline silicon thin film manufacturing apparatus subjected to the crystallization process by heat treatment to the coated glass substrate:
공정공간을 제공하는 분포공정 반응챔버(1)에 금속핵을 흡착시키기 위한 기상의 금속화합물을 공급하는 소스가스공급장치(12)와 잉여가스 배출을 위한 가스배출장치(14) 및 흡착을 위한 히팅장치(16)가 마련됨과 아울러, 상기 분포공정 반응 챔버(1)와 별도로 복수의 다른 반응챔버로서 결정화공정처리를 위한 히팅장치(16)가 설치된 결정공정 반응챔버(18)가 설치되고, 이 복수의 결정공정 반응챔버(18)는 분포공정 반응챔버(1)로부터 공정처리된 유리기판(100)의 열처리가 수행되도록 로딩/언로딩을 수행하는 엔드이펙터(22)가 설치된 로드락실(20)을 매개로 상기 분포공정 반응챔버(1)와 연결된 것을 특징으로 하는 다결정실리콘박막 제조장치이다.Source
상술된 바와 같이 본 발명은 비정질 실리콘층에서 결정화핵을 형성하기 위한 금속입자의 적절한 분포를 유지하는 금속촉매층의 형성시킴으로써, 저농도의 금속입자 분포도를 갖으면서도 균일한 분포도를 갖게 유리기판상에 금속촉매층을 형성시켜 금속불순물의 오염을 근본적으로 경감시킨 다결정실리콘박막 제조방법이 제공된다.As described above, the present invention forms a metal catalyst layer that maintains an appropriate distribution of metal particles for forming a crystallization nucleus in an amorphous silicon layer, thereby providing a metal catalyst layer on a glass substrate with a uniform concentration even though a low concentration of metal particle distribution. There is provided a method for producing a polysilicon thin film which is formed to fundamentally reduce contamination of metal impurities.
즉, 전술된 바와 같이, 저온 열처리를 수행하기 위하여 비정질실리콘의 금속촉매층의 형성은 불가피하고, 이때 투입 촉매금속은 채널영역의 오염물질로서 작용하는 필연적인 조건하에서 가장 기초적으로 접근되어야할 과제는, 비정질 실리콘층에서 결정화핵을 형성하기 위한 금속입자의 적절한 분포를 유지하는 금속촉매층의 형성이다.That is, as described above, in order to perform the low temperature heat treatment, the formation of the metal catalyst layer of amorphous silicon is inevitable, and the problem that the input catalyst metal should be approached most fundamentally under the inevitable conditions acting as a contaminant in the channel region, The formation of a metal catalyst layer that maintains an appropriate distribution of metal particles for forming crystallization nuclei in an amorphous silicon layer.
이에 본 발명은 유리기판에 금속입자를 증착시키되, 금속분자의 크기를 이용하여 금속분자가 선점하여 점유하는 영역으로 다수의 비정질 실리콘 입자들의 군집영역을 확정시킴으로써, 하나의 금속핵이 다수의 비정질 실리콘 입자들을 포함하는 고른 분포가 형성되도록 한 것이다.Accordingly, the present invention deposits metal particles on a glass substrate, but determines a cluster region of a plurality of amorphous silicon particles by occupying the metal molecules by occupying the metal molecules using the size of the metal molecules. It is intended to form an even distribution containing the particles.
또한, 흡착방식을 이용하여 특히 니켈금속층이 적용될 경우 스퍼터링에서 얻 을 수 없는 대면적화에 충분히 대응될 수 있는 방법을 제공한다.In addition, the adsorption method provides a method that can sufficiently cope with the large area that cannot be obtained in sputtering, especially when a nickel metal layer is applied.
아울러, 동일공간인 반응챔버에서 유리기판의 비정질 실리콘상에 금속핵을 분포시키는 공정과 이를 열처리하여 결정화를 연속하여 수행하는 제조장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a process for distributing a metal nucleus on amorphous silicon of a glass substrate in a reaction chamber in the same space, and a manufacturing apparatus for continuously performing crystallization by heat treatment thereof.
이것은 본 발명이 소정의 두께를 갖는 금속층(박막)의 형성이 아니라, 결정화핵으로서 니켈핵(입자)을 비정질실리콘막에 분포시키는 근본적인 이유로부터 출발된다.This is because the present invention does not form a metal layer (thin film) having a predetermined thickness but originates from a fundamental reason for distributing nickel nuclei (particles) to an amorphous silicon film as crystallization nuclei.
따라서, 박막을 형성시킬 목적하에서의 스퍼터링 등에 치중되지 않으며, 이를 탈피함으로써 동일공정공간에서 금속핵의 분포와 결정화를 연속하여 진행한다.Therefore, it is not focused on sputtering etc. for the purpose of forming a thin film, and it removes this and continuously distributes and crystallizes a metal nucleus in the same process space.
종래의 문제점을 다시 한번 살펴보면 이는 비정질실리콘의 결정화 공정을 진행하기 위하여 스퍼터링에 의한 박막을 형성하여야 하는 오류로부터 문제가 기인된다.Looking at the conventional problem once again, this is caused by a problem that must form a thin film by sputtering in order to proceed with the crystallization process of amorphous silicon.
즉, 박막의 형성이 아니라 결정화핵을 분포시키는 정도면 충분하며, 이 결정화핵으로부터 결정이 진행되고, 이에 따라 비정질실리콘이 다결정실리콘으로 결정화된다.In other words, it is sufficient to distribute the crystallization nuclei instead of forming the thin film, and crystallization proceeds from the crystallization nucleus, whereby amorphous silicon crystallizes into polycrystalline silicon.
이때, 결정화핵 즉, 금속입자(원소)는 유리기판 전역에 걸쳐 골고루 분포될 필요가 있으며, 이를 수행하기 위해 유리기판 전역에 걸쳐 막을 형성하는 스퍼터링은 결정화핵의 분포라는 필요성 대비 과도한 공정 및 장치인 것이다.At this time, the crystallization nuclei, that is, the metal particles (elements) need to be evenly distributed throughout the glass substrate. In order to accomplish this, sputtering to form a film over the glass substrate is an excessive process and device compared to the necessity of the distribution of crystallization nuclei. will be.
따라서, 본 발명에서는 이러한 결정화핵을 대면적의 유리기판에 골고루 분포시키기 위하여 ALD공정의 표면반응을 이용한다.Therefore, in the present invention, the surface reaction of the ALD process is used to evenly distribute the crystallization nuclei on a large-area glass substrate.
즉, 금속핵생성(분포)을 위한 금속입자의 도포는 유리기판 표면위에서 원자의 흡착과 확산에 의해서 진행된다.That is, the application of metal particles for metal nucleation (distribution) proceeds by adsorption and diffusion of atoms on the glass substrate surface.
흡착되는 금속핵들은 유리기판의 선점된 영역을 형성하며, 이들의 성장은 반응가스로부터 직접적으로 그리고 표면의 노출된 부분을 통한 표면확산으로부터 각각의 원자 에디션에 의해 진행된다.The adsorbed metal nuclei form a preoccupied region of the glass substrate, and their growth proceeds by each atomic edition directly from the reaction gas and from surface diffusion through the exposed portions of the surface.
이러한 성장프로세스 동안 원자의 에디션은 일반적으로 킨크(kink)같은 최저자유에너지부분에서 미소결정을 형성하도록 진행되는 것이며, 이러한 ALD가 반응챔버와 반응가스 공급 및 배출장치를 가지고, 결정화를 위한 공정장치 역시 반응챔버와 공정가스 공급 및 배출장치를 가지는 서로의 공정장치가 중복됨에 따라, 하나의 장치에서 금속핵의 분포공정과 결정공정이 수행될 수 있는 것이다.During this growth process, the edition of atoms typically proceeds to form microcrystals in the lowest free energy portion, such as a kink, and this ALD has a reaction chamber and a reaction gas supply and discharge device, and the process equipment for crystallization also As the process chambers and the process apparatuses having the process gas supply and discharge devices overlap with each other, the metal nucleus distribution process and the crystal process may be performed in one apparatus.
또한, 비정질실리콘의 증착과 금속핵 분포공정이 동일공정에서 수행될 수 있다.In addition, the deposition of amorphous silicon and the metal core distribution process may be performed in the same process.
이러한 본 발명을 비정질실리콘층 위에 니켈금속층을 형성하기 위한 실시예를 통해 설명하면, 먼저 본 발명에 따른 금속층을 형성하기 위한 장치는 예시도면 도 1a 와 같은 ALD(Atomic Layer Deposition) 장치가 응용된다.When explaining the present invention through an embodiment for forming a nickel metal layer on the amorphous silicon layer, first, an ALD (Atomic Layer Deposition) device as shown in Figure 1a is applied to the device for forming a metal layer according to the present invention.
즉, 공정공간을 제공하는 반응챔버(1)가 형성되고, 여기에 금속분자를 흡착시키기 위한 소스가스와 흡착된 금속분자가 열분해되어 반응되기 위한 반응가스를 반응챔버(1)로 공급하기 위한 소스가스 공급장치(12)가 설치된다.That is, a
여기서, 소스가스 공급장치(12)는 유리기판(100)에 흡착되지 않은 잉여가스를 제거하기 위한 퍼지가스 공급장치(미도시)와 유리기판(100)에 흡착된 금속화합 물에서 예를 들어 니켈을 제외한 다른 라디칼과 반응하여 이를 제거하기 위한 반응가스 공급장치(미도시)를 포함하는 전체장치로서의 의미이다.Here, the source
이러한 각 공급장치와 반응챔버(1)는 공급관으로 연결되며, 미세 박막을 흡착시키기 위하여 하이스피드 밸브(미도시)가 매개된다.Each supply device and the
그리고, 잉여 가스 또는 반응가스를 배출하기 위한 가스배출장치(14)가 반응챔버(1)에 설치된다.Then, a
한편, 반응챔버(1)에는 유리기판(100)의 열분해를 수행하기 위한 히팅장치(16)가 설치되며, 보트는 반응챔버(1)로의 유리기판(100) 투입을 위해 승강장치(미도시)가 설치된다.Meanwhile, a
그리고, 반응챔버에는 환원물질을 여기시키기 위하여 플라즈마 환경을 조성하기 위하여 반응성 가스 발생장치가 장착될 수 있다.In addition, the reaction chamber may be equipped with a reactive gas generator to create a plasma environment to excite the reducing material.
그러나, 본 발명이 이러한 장치 개념에 반드시 국한되는 것은 아니고, 예를 들어 캐리어 가스를 이용할 경우, 각 가스 공급장치가 달라질 것이고, 도시된 것은 그 개념을 설명하기 위한 유리기판 한매를 처리하는 매엽식의 처리장치이나, 다수의 유리기판을 처리하기 위한 배치식 처리장치가 적용될 경우, 가열장치나 보트의 구조가 달라질 것이다.However, the present invention is not necessarily limited to such a device concept, and for example, when using a carrier gas, each gas supply device will be different, and the illustrated is a single sheet of glass substrate for processing a glass substrate for explaining the concept. If a treatment device or a batch treatment device for treating a plurality of glass substrates is applied, the structure of the heating device or the boat will be different.
이러한 본 발명에 따라 금속촉매가 유리기판(100)으로 도포됨에 의해, 다른 공정과 연속되는 공정공간이 제공될 수 있다.By applying the metal catalyst to the
즉, 본 발명에 따른 금속핵의 분포는 크게 CVD(Chemical Vapor Deposition)에 포함되고, 실리콘 열분해환경에서의 비정질 실리콘층의 형성 역시 CVD에 포함된 다.That is, the distribution of metal nuclei according to the present invention is largely included in CVD (Chemical Vapor Deposition), and the formation of an amorphous silicon layer in a silicon pyrolysis environment is also included in CVD.
이에 따라, 비정질 실리콘층의 형성과 금속핵의 분포공정이 동일공정공간에서 연속되어 수행될 수 있으며, 본 발명에서는 상기 실시예에서와 같이 일부의 비정질실리콘층, 예를 들어 절반의 비정질 실리콘층을 형성하고 그 위에 촉매로서 금속핵을 분포시키며, 이 위에 다시 절반의 비정질 실리콘층을 형성시키는 공정이 가능하며, 이를 위한 제조장치가 제공될 수 있는 것이다.Accordingly, the formation of the amorphous silicon layer and the distribution process of the metal nucleus may be continuously performed in the same process space. In the present invention, as shown in the above embodiment, some amorphous silicon layer, for example, half of the amorphous silicon layer Forming and distributing the metal nucleus as a catalyst thereon, and the process of forming a half of the amorphous silicon layer on it again, it is possible to provide a manufacturing apparatus for this.
즉, 공정공간을 제공하는 반응챔버(1)에 비정질실리콘을 증착하기 위한 증착가스공급장치(12)와 더불어 금속핵을 흡착시키기 위한 기상의 금속화합물을 공급하는 소스가스공급장치(10)와 상기 반응된 증착가스와 잉여 소스가스 배출을 위한 가스배출장치(14)가 마련되고, 상기 반응챔버(1)에는 상기 비정질실리콘의 증착을 위한 열분해 온도환경과 더불어 금속핵의 흡착을 위한 열분해 온도환경을 제공하는 공용의 히팅장치(16)가 장착되며, 상기 반응챔버(1)는 상기 증착가스 공급장치(12)와 소스가스공급장치(10)와 공용된 배출장치(14) 및 히팅장치(16)에 의해 비정질실리콘의 증착공정과 연속되어 금속핵 흡착을 동일공정공간에서 수행하는 연속공정반응챔버로서 포함되는 것이다.That is, a source
이러한 본 발명을 통해 예를 들어, 니켈금속핵이 본 발명에 따라 비정질 실리콘층 위에 분포되는 것을 살펴보면, 예시도면 도 2 는 Ni(Cp)2, 구체적으로는 Ni(C5H5)2에 의해 니켈분자가 비정질 실리콘 위에 선점된 점유영역을 가지면서 흡착된 것을 나타낸 개념도이고, 예시도면 도 3 은 본 발명에 따른 니켈핵의 형성단계를 나타낸 측면 개념도이다.Through the present invention, for example, looking at the nickel metal core is distributed on the amorphous silicon layer according to the present invention, Figure 2 is Ni (Cp) 2, specifically Ni (C 5 H 5) 2 by the nickel molecule 3 is a conceptual view showing an adsorbed state having an occupied area occupied on amorphous silicon, and FIG. 3 is a side conceptual view showing a step of forming a nickel core according to the present invention.
즉, 가열장치에 의해 약 130℃ 내지 300℃로 반응챔버의 환경이 조성된 상태에서 금속소스가스, 예를 들어 Ni(CP)2가 반응챔버로 유입되면, 유리기판 구체적으로는 비정질실리콘층위로 흡착된다.That is, when a metal source gas, such as Ni (CP) 2, is introduced into the reaction chamber while the reaction chamber is formed at about 130 ° C. to 300 ° C. by a heating device, the glass substrate is specifically placed on an amorphous silicon layer. Is adsorbed.
이때, 자기제한(Self-Limitted Mechansm)에 의해 1 Layer 이하의 니켈분자층이 흡착되며, 흡착되지 않은 잉여 가스를 공정공간 외부로 배출하기 위하여 퍼지(purge)가스가 도입되어 배출된다.At this time, the nickel-molecule layer having one layer or less is adsorbed by the self-limiting mechanism, and a purge gas is introduced and discharged in order to discharge the unadsorbed excess gas to the outside of the process space.
여기서, 잉여 가스는 흡착되지 않은 가스를 의미하며, 퍼지가스를 통해 이를 제거함으로써, 상기 자기제한에 의한 니켈분자층의 분포로 비정질실리콘층(유리기판:100) 위에는 균일한 니켈분자가 배치된다.Here, the surplus gas means a gas that is not adsorbed, and by removing it through the purge gas, a uniform nickel molecule is disposed on the amorphous silicon layer (glass substrate: 100) by the distribution of the nickel molecule layer by the magnetic limitation.
그리고, 하나의 니켈분자는 비정질실리콘층위에 그 크기에 의해 점유영역을 갖고 배치된다.One nickel molecule is disposed on the amorphous silicon layer with an occupied area by its size.
이에 의해 비정질 실리콘층위에 배치된 하나의 니켈분자는 평면상의 영역(D)으로 다수의 비정질 실리콘 입자(26)들을 포함하게 된다.As a result, one nickel molecule disposed on the amorphous silicon layer includes the plurality of
즉, 자기제한에 의해 흡착된 하나의 니켈 금속핵이 군집영역(D)에 다수의 비정질 실리콘입자들을 포함하게 된다.That is, one nickel metal nucleus adsorbed by self-limiting includes a plurality of amorphous silicon particles in the cluster region (D).
이러한 흡착의 특성에 따라 본 발명에서는 군집영역의 형성단계를 포함하게 되며, 상기 군집영역은 균일하게 분포되어 저농도 영역에서 그 농도조절이 가능하며 균일한 분포를 갖는 하나의 금속입자당 군집영역을 형성시킬 수 있는 것이다.According to the characteristics of the adsorption, the present invention includes a step of forming a clustered area, the clustered areas are uniformly distributed so that the concentration can be controlled in a low concentration area and form a clustered area per one metal particle having a uniform distribution. It can be done.
한편, 기존 ALD 공정에서는 상기 자기제한 특성과 금속분자에 따른 고밀도의 박막을 충분히 기대할 수 없고, 이를 보완하기 위하여 다수의 층을 중첩시키게 되 지만, 본 발명에서는 이러한 특성을 장점으로 전환하여 상기 군집영역을 금속입자의 농도에 맞추어 조절하게 되는 것이다.On the other hand, in the existing ALD process, the high-density thin film according to the self-limiting properties and the metal molecules cannot be expected sufficiently, and in order to compensate for this, a plurality of layers are overlapped. It is to be adjusted to the concentration of the metal particles.
이에 따라 본 발명은 잉여가스 제거단계를 통해 잉여가스를 제거한 다음, NiCp의 열분해 또는 반응가스를 도입하여 비정질 실리콘과 흡착된 니켈 금속핵 외의 라디칼과 반응시킨 다음 이를 퍼지 제거하여 NiCp가 이루는 군집영역을 해제시키고 선점된 니켈 금속핵 사이로 NiCp를 흡착시켜 금속핵의 분포밀도를 조절하는 분포밀도 조절단계가 더 포함된 것을 특징으로 한다.(도 4 참조)Accordingly, the present invention removes the surplus gas through the step of removing the surplus gas, and then thermally decomposes NiCp or introduces a reaction gas, reacts with radicals other than the amorphous silicon and the adsorbed nickel metal nucleus, and purges it to remove the community region formed by NiCp. It is characterized in that it further comprises a distribution density adjusting step of adjusting the distribution density of the metal core by adsorbing NiCp between the released and preempted nickel metal cores (see Fig. 4).
여기서, 반응가스는 H2, NH3같은 환원성 가스,Ar, N2등 불활성가스, O2,N2O등 산화성가스, 또는 플라즈마로 여기된 가스이며, 이 반응가스와 CP가 반응하여, 결국 금속입자가 비정질 실리콘층의 상기 군집영역에 잔유되고, 부산물인 mCnH2n+2가 생성되어 퍼지됨으로써 제거된다.Here, the reaction gas is a reducing gas such as H2 or NH3, an inert gas such as Ar or N2, an oxidizing gas such as O2 or N2O, or a gas excited by plasma, and the reaction gas reacts with the CP so that the metal particles eventually form an amorphous silicon layer. Residues in the clustered region of and by-product mCnH2n + 2 are generated and removed by purging.
이에 따라, 예를 들어 1싸이클 공정에 의해 형성된 NiCp가 이루는 군집영역이 해체되고, 니켈핵만이 실리콘과 결합된 상태이며, 이 니켈핵사이의 공간은 또 다른 NiCp가 선점될 조건을 제공하게 된다.Accordingly, for example, the cluster region formed by the NiCp formed by the one-cycle process is dismantled, and only the nickel nuclei are bonded to silicon, and the space between the nickel nuclei provides a condition for preserving another NiCp. .
이에 따라 2싸이클 ALD공정이 진행되면 니켈핵사이로 NiCp가 흡착되면서 그 선점된 다른 군집영역을 형성하게 되며, 이에 따라 금속핵의 분포밀도가 증가되는 것이다.Accordingly, when the two-cycle ALD process proceeds, NiCp is adsorbed between the nickel nuclei to form another preoccupied cluster region, thereby increasing the distribution density of the metal nucleus.
다음으로, 예시도면 도 5 는 본 발명에 따른 다른 실시예를 나타낸 측면개념도로서, 이것은 절반의 비정질실리콘층 상에 금속핵을 배치시킨 다음, 다시 절반의 비정질실리콘층을 형성시켜 금속핵을 비정질실리콘층사이에 고정되도록 한 것이다.Next, Figure 5 is a side conceptual view showing another embodiment according to the present invention, which is a metal core is placed on the half of the amorphous silicon layer, and then the half of the amorphous silicon layer to form a silicon core of amorphous silicon It is to be fixed between the layers.
물리적으로는 비정질실리콘층 내부에 금속핵이 배치됨으로써, 흡착된 금속핵의 물리적인 이탈을 근본적을 방지시키게 되며, 이러한 촉매를 통한 금속핵의 생성시 전체적인 비정질실리콘 층의 중간에 배치되어 결정화가 진행되므로, 그 속도와 균일성을 더욱 증가시킬 수 있는 것이다.By physically disposing the metal core inside the amorphous silicon layer, the physical nucleation of the adsorbed metal nucleus is fundamentally prevented, and the formation of the metal nucleus through such a catalyst is disposed in the middle of the entire amorphous silicon layer and crystallization proceeds. Therefore, the speed and uniformity can be further increased.
이러한 본 발명은 상기 일실예에서 금속핵 분포영역형성단계와 잉여가스 퍼지 및 라디칼 제거단계를 통해 금속핵만이 획득된 상태에서 다시 절반의 비정질실리콘층이 형성되어 이루어진다.The present invention is made by forming the amorphous silicon layer of the second half in the state in which only the metal nucleus is obtained through the metal nucleus distribution region forming step and the surplus gas purge and radical removing step in the exemplary embodiment.
이러한 실시예들을 통해 비정질 실리콘 상에 고른 분포영역으로 니켈핵이 형성되며, 잉여가스가 충분히 퍼지되어 제거된 상태에서 결정화를 위한 열처리공정이 진행된다.Through these embodiments, a nickel nucleus is formed in an evenly distributed region on amorphous silicon, and a heat treatment process for crystallization is performed while the excess gas is sufficiently purged and removed.
열처리가 진행되는 도중 NiCp에서 열분해되며, 이에 따라 Cp를 퍼지하여 제거하는 Cp퍼지단계가 더 포함될 수 있다.Pyrolysis in NiCp during the heat treatment may further include a Cp purge step of purging and removing Cp.
여기서, 상기된 이유와 같은 맥락에서, 본 발명은 CVD장치가 응용되어 그 조건에 포함됨에 따라, 동일공정공간에서 결정화 열처리공정이 수행될 수 있다.Here, in the same context as the above-described reason, the present invention can be carried out in the same process space as the CVD apparatus is included in the conditions, the crystallization heat treatment process.
즉, CVD에서는 증착환경을 제공하는 히팅장치가 필수적이므로, 이 히팅장치를 이용하여 결정화 열처리공정이 동일공정에 수행될 수 있는 것이다.That is, in CVD, a heating apparatus for providing a deposition environment is essential, so that the crystallization heat treatment process can be performed in the same process using this heating apparatus.
이러한 열처리장치는 종래 스퍼터링장치와는 공용될 수 없는 것이며, 본 발명에서 각 공정의 조건이 공용될 수 있음에 따라 수행되는 것이다.Such a heat treatment apparatus is not to be shared with the conventional sputtering apparatus, and is performed as the conditions of each process may be shared in the present invention.
즉, 예시도면 도 1a 및 1b에 적용될 수 있는 것으로, 본 발명은 공정공간을 제공하는 반응챔버에 금속핵을 흡착시키기 위한 기상의 금속화합물, 예를 들어 Ni(Cp)2 가스를 공급하는 소스가스공급장치(10)와 잉여가스 배출을 위한 가스배출장치(14)가 마련되고, 상기 반응챔버(1)에는 상기 금속핵의 흡착을 위한 열분해 온도환경과 더불어 결정화을 위한 열처리 환경을 제공하는 히팅장치(16)가 장착되며, 상기 반응챔버(1)는 금속핵을 형성하기 위한 소스가스공급 및 배출장치와 공용된 히팅장치(16)에 의해 유리기판상에 금속핵이 흡착됨에 연속되어 결정 열처리를 동일공정공간에서 수행하는 연속공정반응챔버로서 포함되는 것이다.That is, the present invention may be applied to FIGS. 1A and 1B, and the present invention provides a source gas for supplying a gaseous metal compound, such as Ni (Cp) 2 gas, for adsorbing a metal nucleus to a reaction chamber providing a process space. The
여기서, 히팅장치(16)는 이것은 RTP(Rapid Thermal Process)에 의해 구현되며, ALD가 응용됨에 따라 반응챔버를 동일공정으로 공용할 수 있기 때문이다.Here, the
한편, 분리된 공정공간으로도 본 발명의 조합적인 배치가 가능하며, 이것은 예시도면 도 1c 와 같이 복수의 결정공정 반응챔버와 하나의 분포공정 반응챔버로 조합된다.On the other hand, the combined arrangement of the present invention is possible in a separate process space, which is combined into a plurality of crystal process reaction chamber and one distributed process reaction chamber as shown in Figure 1c.
이것은 금속촉매의 분포공정과 결정화 열처리공정을 대비할때, 열처리공정시간이 소요됨에 따라, 전체 처리공정시간을 조합하기 위함이고, 상기 RTP(Rapid Thermal Process)에 의해 진행되지 않는 경우이다.This is a case where the heat treatment process takes time, in contrast to the metal catalyst distribution process and the crystallization heat treatment process, in order to combine the entire treatment process time, and is not progressed by the rapid thermal process (RTP).
상술된 바와 같이 본 발명에 따르면, 비정질 실리콘층에서 결정화핵을 형성하기 위한 금속입자의 적절한 밀도로서 금속핵을 분포시키는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, there is an effect of distributing the metal core as an appropriate density of the metal particles for forming the crystallization nucleus in the amorphous silicon layer.
또한, 흡착에 의한 금속층의 형성이 채택됨으로써, 기존의 스퍼터링방법으로 불가능한 대면적인 유리기판 상으로 금속핵을 분포시키는 효과가 있다.In addition, since the formation of the metal layer by adsorption is adopted, there is an effect of distributing the metal nucleus onto a large-area glass substrate that is impossible with the conventional sputtering method.
아울러, 하나의 장치에서 비정질실리콘층의 증착공정과 금속핵의 분포공정과 결정화 열처리공정이 연속되어 수행되며, 이에 따라 공정시간이 단축되며 생산성이 향상되는 효과가 있다.In addition, in one device, the deposition process of the amorphous silicon layer, the metal nucleus distribution process, and the crystallization heat treatment process are performed in succession, thereby reducing the process time and improving productivity.
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