KR20070062130A - Low temperature co-fired ceramic - Google Patents
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Abstract
Description
도 1 은 종래의 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판의 구성도,1 is a block diagram of a low-temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the related art,
도 2 는 본 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판의 구성도, 2 is a block diagram of a low-temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the present invention;
도 3 은 본 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판의 측면도이다.3 is a side view of a low temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
10 : 제 1 공진기 11 : 제 1 스트립라인부10: first resonator 11: first strip line part
12 : 제 2 스트립라인부 13 : 비아12: second strip line portion 13: via
20 : 제 2 공진기 21 : 제 3 스트립라인부20: second resonator 21: third strip line portion
22 : 제 4 스트립라인부 23 : 비아22: fourth strip line portion 23: vias
본 발명은 저온 동시소성 세라믹 다층기판에 관한것으로서, 특히 커플링 패드(coupling pad) 결합을 이루는 공진기를 각각 서로 다른 그린시트(greensheet)에 형성시키고 상기 그린시트(greensheet)의 두께를 조절하여 공진기의 결합 정도를 조정하여 대역통과필터의 소형화가 가능하도록 한 저온 동시소성 세라믹 다층기판에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
저온 동시소성 세라믹 다층기판(LTCC : Low Temperature Co-fired Ceramic) 기술은 세라믹과 금속의 동시 소성이 가능한 공정 특징에 따라 모듈내부에 저항, 인덕터, 캐패시터 등의 수동소자를 구현할 수 있는 장점을 가지고 있으므로 부품들간의 고집적화와 경박단소화를 가능하게 한다.Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) technology has the advantage of implementing passive devices such as resistors, inductors, and capacitors in the module according to the process characteristics that enable simultaneous firing of ceramic and metal. It enables high integration and light and small size reduction between parts.
도 1 은 종래의 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판의 구성도이다.1 is a block diagram of a low-temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the related art.
종래의 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판은 대역통과필터를 형성시, 커플링 패드(coupling pad)결합을 형성하는 제 1 공진기(1) 및 제 2 공진기(2)와, 상기 제 1 공진기(1) 와 제 2 공진기(2)가 형성되는 그린시트(greensheet : 3)를 포함하여 구성된다.The low-temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the related art has a
도 1에 도시된 바와같이, 상기 제 1 공진기(1)와 제 2 공진기(2)를 구성하는 스트립라인(Stripline)이 짝을 이뤄 커플링 패드(coupling pad)결합을 형성하는데 이때, 상기 제 1 공진기(1)와 제 2 공진기(2)는 동일한 그린시트(3)에 형성된다.As shown in FIG. 1, a stripline constituting the
또한, 상기 제 1 공진기(1)와 제 2 공진기(2)간의 간격(S1, S2)에 따라서 상호 공진기간의 커플링 패드(coupling pad) 결합의 정도가 결정되며, 상기 제 1 공진기(1)와 제 2 공진기(2)의 폭과 길이(Q1, Q2)에 따라서 임피던스(impedance)가 결정된다.In addition, the coupling pad coupling degree of the mutual resonance period is determined according to the intervals S1 and S2 between the
그러나, 종래의 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판은 대역통과필터 를 구성할 때에, 커플링 패드(coupling pad) 결합을 형성하는 공진기가 동일한 그린시트에 형성되므로, 공진기간의 간격을 조절하여 소형화하는 데에 물리적인 제약이 있었다.However, the low-temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the related art has a resonator forming a coupling pad coupling in the same green sheet when constructing a band pass filter. There were physical limitations to doing so.
따라서, 저온 동시소성 세라믹 다층기판에서는 스트립라인(Stripline) 형태의 공진기를 이용한 대역통과필터를 대체하여, 추가적인 칩 필터(Chip Filter), SAW 필터(Surface Acoustic Wave Filter), 유전체 필터 등을 사용해야 하는 문제점이 있다.Therefore, in the low-temperature cofired ceramic multilayer board, there is a problem of using an additional chip filter, surface acoustic wave filter, dielectric filter, etc. in place of the bandpass filter using a stripline type resonator. There is this.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 커플링 패드(coupling pad) 결합을 이루는 공진기를 각각 서로 다른 그린시트(greensheet)에 형성시키고 상기 그린시트(greensheet)의 두께를 조절하여 공진기의 결합 정도를 조정하여 대역통과필터의 소형화가 가능하도록 한 저온 동시소성 세라믹 다층기판을 제공하는 데에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, by forming a resonator forming a coupling pad (coupling pad) coupling in each of the different green sheets (greensheet) and by adjusting the thickness of the green sheet (greensheet) It is an object of the present invention to provide a low-temperature cofired ceramic multilayer substrate that enables miniaturization of a band pass filter by adjusting the coupling degree of a resonator.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판은 대역통과필터의 구현을 위하여 공진기 회로 패턴이 인쇄되는 그린시트로 구성되는 저온 동시소성 세라믹 다층기판에 있어서, 상기 공진기 회로 패턴은 서로 다른 그린 시트에 형성되는 것을 특징으로 한다.The low temperature cofired ceramic multilayer board according to the present invention for solving the above problems is a low temperature cofired ceramic multilayer board composed of a green sheet on which a resonator circuit pattern is printed to realize a bandpass filter. It is characterized in that formed on different green sheets.
저온 동시소성 세라믹 다층기판(LTCC : Low Temperature Co-fired Ceramic)은 주로 글라스 세라믹(Glass-Ceramic)재료를 기반으로 이루어진 다수의 그린 시트(GreenSheet)층에 주어진 회로를 구현하기 위한 소자를 전기전도도가 우수한 금속을 사용하는 스크린 프린팅 공정으로 구현하고, 각층을 적층 한 후 세라믹과 금속 도체를 동시 소성하여 MCM(Multi-Chip Module) 및 다중 칩 패키지(Multi-Chip Package)를 한 기판이다.Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) is a device that implements a circuit to implement a given circuit in a number of green sheet layers, which are mainly made of glass-ceramic materials. It is a substrate that is realized by screen printing process using excellent metal, and laminated each layer and then firing ceramic and metal conductor simultaneously to make Multi-Chip Module and Multi-Chip Package.
본 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판(LTCC)은 도 2에 도시된 바와 같이, 그린시트(greensheet : 미도시)에 형성되는 제 1 공진기(10)와, 상기 제 1 공진기(10)와 커플링(coupling)을 이루며 서로 다른 그린시트(greensheet)에 형성되는 제 2 공진기(20)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2, the low-temperature cofired ceramic multilayer substrate (LTCC) according to the present invention has a
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2 는 본 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판의 구성도이고, 도 3 은 본 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판의 측면도이다.2 is a block diagram of a low-temperature cofired ceramic multilayer board according to the present invention, and FIG. 3 is a side view of a low-temperature cofired ceramic multilayer board according to the present invention.
상기 제 1 공진기(10)는 제 1 스트립라인부(11)와 제 2 스트립라인부(12)로 구성되며, 상기 제 2 공진기(20)는 제 3 스트립라인부(21)와 제 4 스트립라인부(22)로 구성된다.The
이때, 각 상기 제 1 스트립라인부(11), 제 2 스트립라인부(12), 제 3 스트립라인부(21), 제 4 스트립라인부(22)는 각각 다른 그린시트(greensheet)층에 형성된다.In this case, each of the first
또한, 제 1 공진기(10)의 제 1 스트립라인부(11)와 제 2 스트립라인부(12)는 제 1 비아(Via : 13)를 통하여 전기적으로 연결되며, 제 2 공진기(20)의 제 3 스트립라인부(21)와 제 4 스트립라인부(22)는 제 1 비아(Via : 13)를 통하여 전기적으로 연결된다.In addition, the first
이와 같이, 제 1 공진기(10)를 구성하는 제 1 스트립라인부(11)와 제 2 스트립라인부(12), 제 2 공진기(20)를 구성하는 제 3 스트립라인부(21)와 제 4 스트립라인부(22)를 각각 다른 그린시트(greensheet)위에 형성시키고 상기 그린시트(greensheet)의 두께를 달리함으로써, 상기 제 1 공진기(10)와 제 2 공진기(20)사이의 간격(S10, S20)이 조절된다.In this way, the first
상기 제 1 공진기(10)와 제 2 공진기(20)사이의 간격(S10, S20) 즉, 상기 제 1 스트립라인부(11), 제 2 스트립라인부(12), 제 3 스트립라인부(21)가 형성되는 각 그린시트(greensheet)의 두께에 따라서, 공진기간의 커플링(coupling)결합 정도가 결정되며 전자계 특성을 이용한 대역통과필터가 구현된다.Intervals S10 and S20 between the
이때, 상기 그린시트(greensheet)를 구성하는 물질에 따라서 필요한 상기 그린시트 두께의 설계를 달리할 수 있다.In this case, the design of the thickness of the green sheet required may vary depending on the material constituting the green sheet.
또한, 상기 제 1 스트립라인부(11), 제 2 스트립라인부(12), 제 3 스트립라인부(21), 제 4 스트립라인부(22)의 길이(Q10, Q20)와 폭(미도시)의 조절에 의하여, 상기 제 1 공진기(10)와 제 2 공진기(20)의 임피던스(Impedance)가 보상된다. In addition, the lengths Q10 and Q20 and the widths of the
따라서, 커플링 패드(coupling pad) 결합을 이루는 공진기를 각각 서로 다른 그린시트(greensheet)에 형성시키고 상기 그린시트(greensheet)의 두께를 조절함으 로써, 저온 동시소성 세라믹 다층기판 내부의 대역통과필터의 소형 경량화가 가능하다.Therefore, by forming the resonator forming the coupling pad (coupling pad) coupling in each of the different greensheet (greensheet) and by controlling the thickness of the greensheet (greensheet), the band pass filter inside the low-temperature cofired ceramic multilayer substrate Small size and light weight is possible.
또한, 기존의 저온 동시소성 세라믹 다층기판내부에, 대역통과필터의 소형화가 불가능하여 사용되던 칩 필터(Chip Filter), SAW 필터(Surface Acoustic Wave Filter), 유전체 필터가 필요하지 않으므로 비용을 절감할 수 있다. In addition, the chip filter, surface acoustic wave filter, and dielectric filter used in the existing low-temperature cofired ceramic multilayer substrate cannot be miniaturized, thereby reducing costs. have.
이상과 같이 본 발명에 의한 저온 동시소성 세라믹 다층기판을 예시된 도면을 참조로 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명은 한정되지 않고, 기술사상이 보호되는 범위 이내에서 응용될 수 있다. As described above, the low-temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the present invention has been described with reference to the illustrated drawings. However, the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, and may be applied within the scope of the technical idea. Can be.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 저온 동시소성 세라믹 다층기판은 커플링 패드(coupling pad) 결합을 이루는 공진기를 각각 서로 다른 그린시트(greensheet)에 형성시키고 상기 그린시트(greensheet)의 두께를 조절하여 공진기의 결합 정도를 조정함으로써, 저온 동시소성 세라믹 다층기판 내부의 대역통과필터의 소형 경량화가 가능하며 별도의 필터 장착이 불필요하여 비용을 절감하는 효과가 있다. The low-temperature cofired ceramic multilayer substrate according to the present invention configured as described above forms a resonator forming a coupling pad coupling in different green sheets and adjusts the thickness of the green sheet. By adjusting the coupling degree of the resonator, it is possible to reduce the size and weight of the bandpass filter inside the low-temperature cofired ceramic multilayer board, and it is unnecessary to install a separate filter, thereby reducing the cost.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020050121870A KR20070062130A (en) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | Low temperature co-fired ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020050121870A KR20070062130A (en) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | Low temperature co-fired ceramic |
Publications (1)
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KR20070062130A true KR20070062130A (en) | 2007-06-15 |
Family
ID=38357662
Family Applications (1)
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KR1020050121870A KR20070062130A (en) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | Low temperature co-fired ceramic |
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KR (1) | KR20070062130A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100922576B1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-10-21 | 한국전자통신연구원 | Ultra-high frequency transition apparatus for improving transmission characteristics at millimeter wAve band |
-
2005
- 2005-12-12 KR KR1020050121870A patent/KR20070062130A/en not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100922576B1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-10-21 | 한국전자통신연구원 | Ultra-high frequency transition apparatus for improving transmission characteristics at millimeter wAve band |
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