KR20070059351A - 전기 도금 장치 - Google Patents
전기 도금 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070059351A KR20070059351A KR1020050118099A KR20050118099A KR20070059351A KR 20070059351 A KR20070059351 A KR 20070059351A KR 1020050118099 A KR1020050118099 A KR 1020050118099A KR 20050118099 A KR20050118099 A KR 20050118099A KR 20070059351 A KR20070059351 A KR 20070059351A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode assembly
- space
- membrane filter
- upper electrode
- wafer
- Prior art date
Links
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 29
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/06—Filtering particles other than ions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
전기 도금 장치를 제공한다. 이 전기 도금 장치는 공정 챔버를 구비한다. 상기 공정 챔버의 상부 영역에 웨이퍼를 장착할 수 있는 하부면을 갖는 상부 전극 조립체가 제공된다. 상기 공정 챔버의 하부 영역에 하부 전극 조립체가 제공된다. 상기 하부 전극 조립체와 상기 상부 전극 조립체 사이에 멤브레인 필터가 제공된다. 상기 상부 전극 조립체와 상기 멤브레인 필터 사이의 공간을 적어도 두 개의 공간부들로 분할하는 격리막이 제공된다. 여기서, 상기 공간부들의 각각은 상기 멤브레인 필터와 접하는 영역을 갖는다.
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전기 도금 장치를 나타낸 개략적인 단면도이다.
본 발명은 반도체 설비에 관한 것으로, 특히 전기 도금 장치에 관한 것이다.
반도체소자의 집적도가 증가함에 따라, 다층 금속배선들(multi-layered metal interconnection lines)을 채택하는 기술이 널리 사용되고 있다. 특히, 상기 다층 금속배선들은 상기 반도체소자의 성능(performance)을 향상시키기 위하여 낮은 비저항(low resistivity) 및 높은 신뢰성(high reliability)을 갖는 금속막으로 형성되어야 한다. 이러한 금속막으로 구리막이 널리 사용되고 있다. 이와 같은 구리막을 채택하는 금속 배선 공정에 대한 요구가 최근 반도체 소자의 고집적화 및 고성능화 경향에 따라 더욱 엄격해지고 있다. 구리막을 채택하는 금속 배선은 전기 도금 또는 전기 증착을 이용하는 반도체 공정을 진행함으로써 형성할 수 있다.
통상의 전기 도금 장치는 구리 물질을 제공하기 위한 화학 용액을 수용할 수 있는 공간부와 전기 도금을 위한 전류를 제공하기 위한 상부 전극 및 하부 전극을 포함할 수 있다. 이 경우에, 전기 도금 대상인 웨이퍼는 상기 상부 전극의 하부면에 장착될 수 있다. 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이의 전류 밀도는 불균일 할 수 있다. 예를 들어, 전기 도금이 수행되는 경우에, 상기 상부 전극의 하부면에 장착된 웨이퍼 가장자리 영역의 하부 영역에서의 전류 밀도가 그 웨이퍼 중앙 영역의 하부 영역에서의 전류 밀도보다 높을 수 있다. 일반적으로, 전류 밀도가 상대적으로 높게 형성되는 영역에서의 구리 물질의 이동이 높아질 수 있다. 따라서, 상기 전기 도금에서는 상기 웨이퍼의 가장 자리 영역에서의 도금층, 즉 구리막의 두께가 그 웨이퍼의 중앙 영역에서의 구리막의 두께보다 두꺼울 수 있다. 따라서, 이와 같이 형성된 구리막은 그 두께가 일정하지 않을 수 있다.
이와 같이, 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 구리막의 두께가 일정하지 않은 것은 반도체소자의 신뢰성(reliability)을 저하시킬 수 있다. 그 결과, 반도체 소자의 성능을 열화 시킬 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼 상에 균일한 도금층을 형성할 수 있는 전기 도금 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 태양은 웨이퍼 상에 균일한 도금층을 형성할 수 있는 전기 도금 장치를 제공한다. 이 전기 도금 장치는 공정 챔버를 구비한다. 상기 공정 챔버의 상부 영역에 웨이퍼를 장착할 수 있는 하부면을 갖는 상부 전극 조립체가 제공된다. 상기 공정 챔버의 하부 영역에 하부 전극 조립체가 제공된다. 상기 하부 전 극 조립체와 상기 상부 전극 조립체 사이에 멤브레인 필터가 제공된다. 상기 상부 전극 조립체와 상기 멤브레인 필터 사이의 공간을 적어도 두 개의 공간부들로 분할하는 격리막이 제공된다. 여기서, 상기 공간부들의 각각은 상기 멤브레인 필터와 접하는 영역을 갖는다.
상기 공간부들은 상기 상부 전극 조립체의 중앙 영역과 상기 멤브레인 필터의 중앙 영역 사이의 제1 공간부와 상기 상부 전극 조립체의 가장자리 영역과 상기 멤브레인 필터의 가장자리 영역 사이의 제2 공간부로 이루어질 수 있다.
상기 제1 공간부 내에 제1 화학 용액을 공급하기 위해 상기 제1 공간부와 연결된 제1 공급 라인 및 상기 제2 공간부 내에 제2 화학 용액을 공급하기 위해 상기 제2 공간부와 연결된 제2 공급라인을 더 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 및 제2 화학 용액들의 각각은 구리 이온 및 불순물 용액을 포함하되, 상기 제1 화학 용액의 불순물 농도와 상기 제2 화학 용액의 불순물 농도는 서로 다를 수 있다. 여기서, 상기 불순물 용액은 황산 용액일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전기 도금 장치를 나타낸 개략적인 단면도이다.
우선, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 전기 도금 장치를 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 전기 도금 장치는 공정 챔버(1)를 구비한다. 상기 공정 챔버(1)의 하부 영역에 설치된 하부 전극 조립체(10)가 제공된다. 상기 공정 챔버(1)의 상부 영역에 설치되어 하부면에 웨이퍼(30)를 장착할 수 있는 상부 전극 조립체(20)가 제공된다. 상기 상부 전극 조립체(20)는 음극 조립체일 수 있고, 상기 하부 전극 조립체(10)는 양극 조립체일 수 있다.
상기 상부 전극 조립체(20)와 상기 하부 전극 조립체(10) 사이에 설치된 멤브레인 필터(50)가 제공된다. 상기 상부 전극 조립체(20)와 상기 멤브레인 필터(50) 사이에 설치된 디퓨져(diffuser; 55)가 제공될 수 있다. 상기 상부 전극 조립체(20) 하부면에 장착되는 상기 웨이퍼(30)의 가장 자리 영역을 둘러싸는 블로킹부(35)가 제공될 수 있다. 이 경우에, 상기 블로킹부(35)는 상기 웨이퍼(30)의 가장자리 영역과 이격되도록 설치될 수 있다. 여기서, 상기 디퓨져(55)는 상기 블로킹부(35)와 상기 멤브레인 필터(50) 사이에 위치할 수 있다. 이와는 달리, 도면에 도시된 바와 같이, 상기 디퓨져(55)는 상기 블로킹부(35)의 소정 영역에 고정되도록 설치될 수 있다.
상기 하부 전극 조립체(10)의 중앙을 관통하며 상기 멤브레인 필터(50)와 상기 디퓨져(55) 사이의 공간으로 연장된 플레이팅 솔루션(plating solution; 40)이 제공될 수 있다. 상기 플레이팅 솔루션(40)을 통하여 상기 상부 전극 조립체(20)와 상기 멤브레인 필터(50) 사이의 공간에 첨가제가 포함된 화학 용액을 공급할 수 있 다. 구리 도금 공정이 진행되는 경우, 상기 첨가제는 상기 웨이퍼(30) 상에 구리 도금층을 형성하기 위한 촉진제 역할을 할 수 있다.
상기 멤브레인 필터(50)와 상기 하부 전극 조립체(10) 사이의 공간을 적어도 두 개의 공간부들로 분할하는 격리막(45)이 제공된다. 상기 공간부들의 각각은 상기 멤브레인 필터(50)와 접하는 영역을 가질 수 있다. 상기 격리막(45)에 의해 분할된 상기 공간부들은 상기 하부 전극 조립체(10)의 중앙 영역과 상기 멤브레인 필터(50)의 중앙 영역 사이에 제공된 제1 공간부(A)와 상기 하부 전극 조립체(10)의 가장 자리 영역과 상기 멤브레인 필터(50)의 가장 자리 영역 사이에 제공된 제2 공간부(B)로 이루어질 수 있다.
상기 제1 공간부(A) 내에 제1 화학 용액을 공급하기 위해 상기 제1 공간부(A)와 연결된 제1 공급 라인(60) 및 상기 제2 공간부(B) 내에 제2 화학 용액을 공급하기 위해 상기 제2 공간부(B)와 연결된 제2 공급 라인(65)이 제공될 수 있다. 상기 제1 공급 라인(60) 및 상기 제2 공급라인(65)은 구리 도금 공정을 진행하기 위한 화학 용액들을 공급하기 위해 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 화학 용액들의 각각은 구리 이온 및 불순물 용액을 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 화학 용액의 불순물 농도와 상기 제2 화학 용액의 불순물 농도는 서로 다를 수 있다. 여기서, 상기 불순물 용액은 황산 용액일 수 있다.
다음으로, 도 1의 전기 도금 장치를 사용하여 웨이퍼에 전기 도금 공정을 수행하는 것을 설명하기로 한다.
먼저, 웨이퍼(30)를 상기 전기 도금 장치의 상기 공정 챔버(1) 내부로 로딩 한다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(30)는 상기 상부 전극 조립체(20)의 하부면에 장착될 수 있다. 상기 웨이퍼(30)가 장착된 전기 도금 장치의 상기 제1 공간부(A) 내에 상기 제1 공급 라인(60)을 통하여 제1 화학 용액을 공급한다. 이와 동시에 상기 제2 공간부(B) 내에 상기 제2 공급 라인(65)을 통하여 제2 화학 용액을 공급할 수 있다. 이와 같이 공급된 상기 제1 및 제2 화학 용액들은 구리 이온 및 불순물 용액을 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 불순물 용액은 황산 용액일 수 있다. 상기 제1 화학 용액은 제1 전기 전도도를 가지며, 상기 제2 화학 용액은 상기 제1 전기 전도도와 다른 제2 전기 전도도를 갖도록 제공될 수 있다.
구리 도금이 수행된 웨이퍼의 중앙 영역에서의 구리 도금층의 두께와 그 가장자리 영역에서의 구리 도금층의 두께가 서로 다른 경우에, 상기 황산 용액의 농도 및 상기 구리 이온의 농도를 적절하게 조절하여 상기 제1 공간부 또는 상게 제2 공간부 내에 공급되는 황산 용액에서의 구리 이온들이 흐름을 조절하여 웨이퍼의 여러 부분들에 형성되는 구리 도금층의 두께를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 불순물 용액, 즉 황산 용액의 농도를 적절히 조절하여 일정한 전기 전도도를 갖는 화학 용액을 형성할 수 있다. 즉, 황산 용액의 농도가 증가하면 화학 용액의 전기 전도도는 증가할 수 있다. 따라서, 서로 다른 전기전도도를 갖는 상기 제1 및 제2 화학 용액들을 상기 제1 공간부 및 상기 제2 공간부에 상기 제1 및 제2 공급라인들을 통하여 공급함으로써, 이와 같은 화학 용액들을 사용하는 전기 도금 방법에 의하여 웨이퍼 상에 형성된 구리 도금층은 균일한 두께를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 전기 도금 장치를 사용하여 웨이퍼에 구리 도금층을 형성하는 경우에, 웨이퍼의 여러 부분들에 형성되는 구리 도금층의 두께를 조절할 수 있다. 따라서, 웨이퍼에 형성되는 구리 도금층을 균일한 두께를 갖도록 형성할 수 있다. 그 결과, 이와 같이 형성된 구리 도금층을 이용하여 형성된 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 화학 용액을 함유하는 챔버를 다중 구조로 하는 전기 도금 장치를 제공한다. 이와 같은 다중 구조의 챔버 내에 서로 다른 전기 전도도를 갖는 화학 용액들을 공급할 수 있다. 따라서, 구리 이온들의 분포를 조절할 수 있기 때문에, 웨이퍼의 여러 부분들에 형성되는 구리 도금층들의 두께를 조절할 수 있다. 더 나아가, 웨이퍼의 여러 부분들에 증착되는 구리 도금층들은 균일한 두께로 형성될 수 있다.
Claims (5)
- 공정 챔버를 갖는 전기 도금 장치에 있어서,상기 공정 챔버의 상부 영역에 설치되어 하부면에 웨이퍼를 장착할 수 있는 상부 전극 조립체;상기 공정 챔버의 하부 영역에 설치된 하부 전극 조립체;상기 하부 전극 조립체와 상기 상부 전극 조립체 사이에 설치된 멤브레인 필터; 및상기 상부 전극 조립체와 상기 멤브레인 필터 사이의 공간을 적어도 두 개의 공간부들로 분할하는 격리막을 포함하되,상기 공간부들의 각각은 상기 멤브레인 필터와 접하는 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 도금 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공간부들은 상기 상부 전극 조립체의 중앙 영역과 상기 멤브레인 필터의 중앙 영역 사이의 제1 공간부와 상기 상부 전극 조립체의 가장자리 영역과 상기 멤브레인 필터의 가장자리 영역 사이의 제2 공간부로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기 도금 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제1 공간부 내에 제1 화학 용액을 공급하기 위해 상기 제1 공간부와 연결된 제1 공급 라인 및 상기 제2 공간부 내에 제2 화학 용액을 공급하기 위해 상기 제2 공간부와 연결된 제2 공급라인을 더 포함하는 전기 도금 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제1 및 제2 화학 용액들의 각각은 구리 이온 및 불순물 용액을 포함하되, 상기 제1 화학 용액의 불순물 농도와 상기 제2 화학 용액의 불순물 농도는 서로 다른 것을 특징으로 하는 전기 도금 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 불순물 용액은 황산 용액인 것을 특징으로 하는 전기 도금 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050118099A KR20070059351A (ko) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | 전기 도금 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050118099A KR20070059351A (ko) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | 전기 도금 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070059351A true KR20070059351A (ko) | 2007-06-12 |
Family
ID=38355668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050118099A KR20070059351A (ko) | 2005-12-06 | 2005-12-06 | 전기 도금 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070059351A (ko) |
-
2005
- 2005-12-06 KR KR1020050118099A patent/KR20070059351A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6402923B1 (en) | Method and apparatus for uniform electroplating of integrated circuits using a variable field shaping element | |
JP4955942B2 (ja) | 電気メッキヘッド及びその操作方法 | |
TWI662160B (zh) | 非等向性高電阻離子電流源 | |
US8419906B2 (en) | Electroplating systems | |
JP3255145B2 (ja) | めっき装置 | |
US9752246B2 (en) | Film formation apparatus and film formation method forming metal film | |
KR20100028069A (ko) | 직접 구리 도금을 이용하여 전자 디바이스를 제조하는 방법 | |
US20220415710A1 (en) | Interconnect structure with selective electroplated via fill | |
US20050189228A1 (en) | Electroplating apparatus | |
JP4794598B2 (ja) | メッキ装置 | |
US20050189229A1 (en) | Method and apparatus for electroplating a semiconductor wafer | |
KR100747132B1 (ko) | 반도체 제조를 위한 원격의 제 2 애노드를 갖는 도금 시스템 | |
US20040178058A1 (en) | Electro-chemical deposition apparatus and method of preventing cavities in an ECD copper film | |
US20080029402A1 (en) | Electrochemical processing apparatus and method of processing a semiconductor device | |
KR20070059351A (ko) | 전기 도금 장치 | |
US20050173241A1 (en) | Apparatus having plating solution container with current applying anodes | |
US6768194B2 (en) | Electrode for electroplating planar structures | |
JP4794599B2 (ja) | メッキ装置 | |
CN112831821A (zh) | 晶圆的电镀装置及电镀方法 | |
KR20100050970A (ko) | 전기도금 장치 및 이를 이용한 전기도금 방법 | |
KR101142323B1 (ko) | 기판 도금 장치 | |
CN110777412B (zh) | 在基板上形成电镀结构的电镀装置及电镀方法 | |
KR100698063B1 (ko) | 전기화학 도금 장치 및 방법 | |
KR101146740B1 (ko) | 주석 도금 장치 | |
KR20150057194A (ko) | 도금 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |