KR20070055655A

KR20070055655A - Chamber cleaning system using remote plasma

Info

Publication number: KR20070055655A
Application number: KR1020050113857A
Authority: KR
Inventors: 이명진
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2005-11-26
Filing date: 2005-11-26
Publication date: 2007-05-31
Also published as: KR101150697B1

Abstract

본 발명은, 챔버; 상기 챔버의 외부에 위치하는 다수의 플라즈마 발생기; 상기 각 플라즈마 발생기에서 공급되는 가스를 가스유입관을 통해 모으는 한편 챔버연결관을 통해 상기 챔버로 공급하는 집하실; 상기 집하실의 내부에 설치되어 상기 각 플라즈마 발생기로부터 공급되는 가스의 유동방향을 전환시키는 유도수단을 포함하는 챔버 세정 시스템을 제공한다.The present invention, the chamber; A plurality of plasma generators located outside the chamber; A collecting chamber for collecting the gas supplied from each plasma generator through a gas inlet pipe and supplying the gas to the chamber through a chamber connecting pipe; It is provided in the chamber and provides a chamber cleaning system including induction means for switching the flow direction of the gas supplied from each plasma generator.

본 발명에 따르면, 다수의 원격 플라즈마 발생기에서 활성화된 세정가스가 집하실에서 모이는 과정에서 각 세정가스의 충돌이 방지되고 유동방향도 평행하게 전환되기 때문에 충돌로 인한 재결합 가능성이 최소화되어 세정효율을 크게 높일 수 있다. 또한 이를 통해 세정가스의 사용량을 줄여 원가절감에도 기여할 수 있다.According to the present invention, since the cleaning gas is prevented from colliding with each cleaning gas in the process of collecting the activated cleaning gas from the plurality of remote plasma generators and the flow direction is also changed in parallel, the possibility of recombination due to the collision is minimized, thereby greatly increasing the cleaning efficiency. It can increase. In addition, this can reduce the amount of cleaning gas used to contribute to cost reduction.

세정, 원격 플라즈마, Cleaning, remote plasma,

Description

Chamber cleaning system using remote plasma

도 1은 종래의 챔버 세정시스템을 나타낸 도면 1 is a view showing a conventional chamber cleaning system

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버 세정시스템을 나타낸 도면2 illustrates a chamber cleaning system according to an embodiment of the present invention.

도 3은 곡면을 가지는 유도수단을 나타낸 도면3 is a view showing guide means having a curved surface;

도 4는 플라즈마 발생기가 3개인 경우에 이용되는 유도수단을 예시한 도면4 is a diagram illustrating the induction means used when there are three plasma generators.

도 5는 냉매유로가 설치된 집하실을 나타낸 도면5 is a view showing a cellar in which a refrigerant passage is installed;

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Explanation of symbols for main parts of drawings *

10 : 챔버 20 : 챔버연결관10: chamber 20: chamber connection tube

30 : 제1 원격 플라즈마 발생기 32 : 제1 가스유입관30: first remote plasma generator 32: the first gas inlet pipe

40 : 제2 원격 플라즈마 발생기 42 : 제2 가스유입관40: second remote plasma generator 42: second gas inlet pipe

50 : 집하실 52 : 냉매유로50: house 52: refrigerant flow path

100 : 유도수단 110,120,130 : 제1,2,3 판상부재100: guide means 110,120,130: first, second, third plate member

본 발명은 반도체 소자 또는 평면표시장치를 제조하기 위해 웨이퍼 또는 글래스(이하 '기판'이라 함)를 처리하는 챔버의 내부를 원격 플라즈마를 이용하여 세정하는 챔버 세정 시스템에 관한 것으로서, 특히 2 이상의 원격 플라즈마 발생기를 이용하는 챔버 세정 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chamber cleaning system for cleaning an interior of a chamber for processing a wafer or glass (hereinafter referred to as a 'substrate') using a remote plasma. A chamber cleaning system using a generator.

일반적으로 반도체 소자 또는 평면표시장치를 제조하기 위해서는, 기판에 유전체 물질 등을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 공정챔버에서 진행된다. In general, to manufacture a semiconductor device or a flat panel display device, a thin film deposition process for depositing a dielectric material on a substrate, a photolithography process for exposing or hiding selected areas of the thin films using a photosensitive material, and removing the thin film of the selected area Then, the etching process is patterned as desired, and each of these processes is performed in a process chamber designed for an optimal environment for the corresponding process.

그런데 이와 같은 박막증착 또는 식각공정을 반복하여 수행하다 보면, 공정챔버의 내벽이나 기판안치대의 주변부 등 원하지 않는 장소에 폴리머 등 부산물의 증착이 발생하게 된다. However, when the thin film deposition or etching process is repeatedly performed, deposition of by-products such as polymers is generated in an undesired place such as the inner wall of the process chamber or the periphery of the substrate stabilizer.

이와 같이 증착된 화합물은 소정 이상의 두께에서 박리되어 챔버 내부의 오염원으로 작용할 뿐만 아니라, 챔버 내부의 임피던스 등 전기적 성질을 변화시키므로, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에서는 플라즈마 밀도 및 박막균일도에도 악영향을 미치게 된다. The compound deposited as described above not only acts as a source of contamination inside the chamber by peeling at a predetermined thickness or more, but also changes electrical properties such as impedance inside the chamber. Go crazy.

이러한 현상을 피하기 위해서는 공정챔버 내부를 주기적으로 세정하여 증착된 오염원을 제거하여야 한다.To avoid this phenomenon, the inside of the process chamber should be periodically cleaned to remove the deposited contaminants.

통상 사용되는 세정방법으로는 플라즈마를 이용하는 건식세정과 세정액을 이용하는 습식세정으로 나눌 수 있는데, 건식세정은 세정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨 다음 이를 챔버 내부에 증착된 화합물과 반응시키는 방법이다. Commonly used cleaning methods may be divided into dry cleaning using plasma and wet cleaning using a cleaning liquid. Dry cleaning is a method in which a cleaning gas is excited in a plasma state and then reacted with a compound deposited in a chamber.

이와 같은 건식세정으로도 챔버 내부를 완벽히 세정하는 데는 한계가 있으므로, 장치를 분해하여 사람이 직접 HF계열의 세정액을 이용하여 세정하는 방법이 습식세정이다. Even with such dry cleaning, there is a limit to completely clean the inside of the chamber. Thus, wet cleaning is a method in which a person disassembles and directly cleans using a HF-based cleaning solution.

습식세정은 세정효과가 뛰어나긴 하지만, 세정 후 장치를 재가동하기 위해서는 불순물 제거를 위해 장시간의 펌핑과정을 거쳐야 하고, 공정 정상화를 위해 수회의 더미(dummy) 공정을 거쳐야 하므로, 장비의 스루풋(throughput)이 크게 저하될 수밖에 없다. Although wet cleaning is very effective in cleaning, the equipment needs to be pumped for a long time to remove impurities and several dummy processes to normalize the process. This can only be greatly reduced.

따라서 통상적으로는 건식세정만을 수행하고, 건식세정을 수회 내지 수십 회 실시한 이후에 습식세정을 실시하고 있다. Therefore, in general, only dry cleaning is performed, and wet cleaning is performed after several to several tens of dry cleanings.

플라즈마를 이용하는 건식세정은 인시튜(in-situ) 세정과, 원격 플라즈마 세정으로 나눌 수 있는데, 전자는 박막증착 또는 식각공정을 수행하는 챔버 내부에서 세정용 플라즈마를 발생시키는 방식이고, 후자의 원격 플라즈마 세정은 챔버 외부에 별도로 설치된 원격 플라즈마 발생기에서 세정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨 다음 활성화된 세정가스를 공정챔버로 유입시켜 세정하는 방식이다. Dry cleaning using plasma can be divided into in-situ cleaning and remote plasma cleaning. The former is a method of generating cleaning plasma inside a chamber which performs thin film deposition or etching process, and the latter remote plasma. Cleaning is a method in which a cleaning plasma is excited in a plasma state in a remote plasma generator installed outside the chamber, and then the activated cleaning gas is introduced into the process chamber for cleaning.

인시튜 세정이 추가설비가 필요 없어 간편하기는 하지만, 세정가스를 여기시키기 위해 인가되는 고주파전력에 의해 플라즈마 전극에 이온충격이 야기되어 전극표면이 열화되거나 박리되는 문제점이 있다. Although in-situ cleaning is simple because no additional equipment is required, there is a problem in that the surface of the electrode is deteriorated or peeled off due to ion shock caused by the high frequency power applied to excite the cleaning gas.

또한 잦은 플라즈마 방전으로 인해 챔버의 내부 부재가 손상되어 유지보수 사이클이 단축될 수밖에 없는 문제점이 있다. In addition, the frequent discharge of the plasma damages the inner member of the chamber, there is a problem that the maintenance cycle must be shortened.

따라서 별도의 플라즈마 발생기와 별도의 RF전원이 필요하다는 단점에도 불구하고 원격 플라즈마 세정방식이 꾸준히 이용되고 있다. Therefore, despite the disadvantage of requiring a separate plasma generator and a separate RF power source, the remote plasma cleaning method is steadily used.

이 경우 원격 플라즈마 발생기는 하나만 설치될 수도 있으나, 기판의 크기가 커지는 추세에 따라 챔버의 용적도 함께 커지고 있기 때문에 최근에는 2개 이상의 원격플라즈마 발생기를 이용하는 경우가 늘어나고 있다.In this case, only one remote plasma generator may be installed. However, as the size of the substrate increases, the volume of the chamber also increases, and thus, two or more remote plasma generators have recently been used.

도 1은 2개의 원격 플라즈마 발생기를 포함하는 챔버 세정 시스템을 나타낸 것으로서, 기판을 처리하는 챔버(10), 상기 챔버(10)의 외부에 위치하며 각각 별도로 플라즈마를 발생시켜 세정가스를 활성화시키는 제1,2 원격 플라즈마 발생기(30,40), 제1,2원격 플라즈마 발생기(30,40)를 거치면서 활성화된 세정가스를 챔버(10)로 공급하기 전에 모으는 집하실(50)을 포함한다.1 illustrates a chamber cleaning system including two remote plasma generators, the chamber 10 processing a substrate and a first chamber positioned outside the chamber 10 and generating plasma separately to activate a cleaning gas, respectively. 2 includes a collecting chamber 50 which collects before supplying the activated cleaning gas to the chamber 10 while passing through the remote plasma generators 30 and 40 and the first and second remote plasma generators 30 and 40.

제1,2 원격 플라즈마 발생기(30,40)는 RF전극 또는 유도안테나를 이용하여 NF₃, SF₆ 등의 세정가스를 반응성이 높은 활성종 또는 이온으로 활성화시키는 역할을 한다.The first and second remote plasma generators 30 and 40 serve to activate cleaning gases such as NF ₃ and SF ₆ as highly reactive active species or ions using RF electrodes or induction antennas.

각 원격 플라즈마 발생기(30,40)는 동일 또는 별도의 세정가스 저장부(미도시)에 연결되며, 제1 원격 플라즈마 발생기(30)와 집하실(50)은 제1 가스유입관(32)에 의해 연결되며 제2 원격 플라즈마 발생기(40)와 집하실(50)은 제2 가스유입 관(42)에 의해 연결된다.Each remote plasma generator (30, 40) is connected to the same or separate cleaning gas storage unit (not shown), the first remote plasma generator 30 and the collector 50 is connected to the first gas inlet pipe (32) The second remote plasma generator 40 and the cellar 50 are connected by the second gas inlet pipe 42.

또한 집하실(50)에 모인 세정가스는 챔버연결관(20)을 통해 챔버 내부로 유입되며, 챔버 내부부재에 증착된 폴리머 등과 반응하여 휘발성 물질로 변환된 후 배출구(미도시)를 통해 배출된다.In addition, the cleaning gas collected in the cellar 50 is introduced into the chamber through the chamber connecting pipe 20, and reacted with a polymer deposited on the chamber inner member to be converted into a volatile material and then discharged through an outlet (not shown). .

그런데 이러한 종래 방식의 챔버 세정 시스템에서는 각 플라즈마 발생기(30,40)를 통과하면서 활성화된 세정가스가 집하실(50)을 통과하는 과정에서 재결합(recombination) 또는 충돌로 인해 반응성이 약한 중성기체로 복귀하는 비율이 높아 세정효율이 크게 저하된다는 문제점이 있다.In the conventional chamber cleaning system, however, the activated cleaning gas passes through the plasma generators 30 and 40 and returns to a neutral gas having low reactivity due to recombination or collision during the passage of the collecting chamber 50. There is a problem that the ratio is high, the cleaning efficiency is greatly reduced.

이는 제1,2 가스유입관(32,42)을 통과한 세정가스가 집하실(50)에 모이는 과정에서 서로 반대방향으로 유동하기 때문에 가스 간의 충돌확률이 높아지기 때문이다.This is because the cleaning gas passing through the first and second gas inflow pipes 32 and 42 flows in opposite directions in the process of collecting the collecting chamber 50, so that the collision probability between the gases is increased.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 원격 플라즈마 발생기에서 활성화된 세정가스가 챔버로 유입되기 전에 충돌로 인한 재결합 가능성을 최대한 낮춤으로써 세정효율을 높일 수 있는 방안을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of increasing the cleaning efficiency by lowering the possibility of recombination due to a collision before the activated cleaning gas is introduced into the chamber.

본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해서, 챔버; 상기 챔버의 외부에 위치 하는 다수의 플라즈마 발생기; 상기 각 플라즈마 발생기에서 공급되는 가스를 가스유입관을 통해 모으는 한편 챔버연결관을 통해 상기 챔버로 공급하는 집하실; 상기 집하실의 내부에 설치되어 상기 각 플라즈마 발생기로부터 공급되는 가스의 유동방향을 전환시키는 유도수단을 포함하는 챔버 세정 시스템을 제공한다.The present invention to achieve this object, the chamber; A plurality of plasma generators located outside the chamber; A collecting chamber for collecting the gas supplied from each plasma generator through a gas inlet pipe and supplying the gas to the chamber through a chamber connecting pipe; It is provided in the chamber and provides a chamber cleaning system including induction means for switching the flow direction of the gas supplied from each plasma generator.

상기 집하실의 외측에는 냉매 유로가 설치될 수 있다.A coolant flow path may be installed outside the collection room.

상기 유도수단은, 측면이 상기 가스유입관을 향하고 일 단부가 상기 챔버연결관 쪽을 향하도록 배치되는 판상(板狀)부재일 수 있으며, 이때 상기 판상부재의 상단부 또는 측단부는 상기 집하실의 내면에 접할 수 있다.The induction means may be a plate-like member having a side facing the gas inlet pipe and one end facing the chamber connecting pipe, wherein the upper end or side end of the plate-shaped member is You can touch the inside.

상기 유도수단은, 상기 집하실의 중심축에 대하여 다수의 판상부재가 대칭적으로 배치되어 서로 결합된 것일 수 있다.The induction means may be a plurality of plate-like members are arranged symmetrically and coupled to each other with respect to the central axis of the collection.

상기 유도수단은 가스의 원활한 방향전환을 위해 측면에 곡면을 포함하는 것이 바람직하다.The induction means preferably includes a curved surface on the side for smooth turning of the gas.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 챔버 세정 시스템의 구성도로서, 기판을 처리하는 챔버(10), 상기 챔버(10)의 외부에 위치하며 각각 별도로 플라즈마를 발생시켜 세정가스를 활성화시키는 제1,2 원격 플라즈마 발생기(30,40), 제1,2 원격 플라즈마 발생기(30,40)를 거치면서 활성화된 세정가스를 챔버(10)로 공급하기 전에 모으는 집하실(50)을 포함하는 점은 종래와 동일하다.2 is a configuration diagram of a chamber cleaning system according to an exemplary embodiment of the present invention, a chamber 10 for processing a substrate and a first location positioned outside the chamber 10 and generating plasma separately to activate a cleaning gas, respectively. 2, the remote plasma generator 30 and 40 and the first and second remote plasma generators 30 and 40 include a collecting chamber 50 that collects before supplying the activated cleaning gas to the chamber 10. Same as before.

또한 각 원격 플라즈마 발생기(30,40)는 동일 또는 별도의 세정가스 저장부(미도시)에 연결되고, 제1 원격 플라즈마 발생기(30)와 집하실(50)은 제1 가스유입관(32)에 의해 연결되며 제2 원격 플라즈마 발생기(40)와 집하실(50)은 제2 가스유입관(42)에 의해 연결된다. 또한 집하실(50)에 모인 세정가스는 챔버연결관(20)을 통해 챔버 내부로 유입된다.In addition, each remote plasma generator (30, 40) is connected to the same or separate cleaning gas storage unit (not shown), the first remote plasma generator 30 and the collection chamber 50 is the first gas inlet pipe (32) The second remote plasma generator 40 and the collection chamber 50 are connected by the second gas inlet pipe 42. In addition, the cleaning gas collected in the collecting chamber 50 is introduced into the chamber through the chamber connecting pipe 20.

본 발명에 따른 챔버 세정 시스템은 제1,2 원격 플라즈마 발생기(30,40)에서 공급되는 세정가스가 서로 충돌하는 것을 방지하는 한편, 가스의 유동방향을 챔버연결관(20) 쪽으로 전환시키는 유도수단(100)을 집하실(50)의 내부에 설치한 점에 특징이 있다.The chamber cleaning system according to the present invention prevents the cleaning gas supplied from the first and second remote plasma generators 30 and 40 from colliding with each other, while inducing means for switching the flow direction of the gas toward the chamber connecting pipe 20. There is a feature in that the 100 is installed in the interior of the base 50.

상기 유도수단(100)은 여러 가지 형태로 제공될 수 있으나, 가장 간단하게는 도 2에 도시된 바와 같이 집하실(50)의 내부에 설치되어 제1,2 가스유입관(32,42)의 출구를 서로 마주보지 않도록 가릴 수 있는 판상(板狀)의 부재인 것이 바람직하다.The induction means 100 may be provided in various forms, but most simply, the guide means 100 is installed inside the collecting chamber 50, as shown in FIG. It is preferable that it is a plate-shaped member which can cover an exit so that it may not mutually face.

이때 가스가 상기 유도수단(100)을 넘어 반대쪽으로 유동하는 것을 방지하는 것이 바람직하므로, 유도수단(100)의 상단부 및 측단부가 집하실(50)의 내면에 접하도록 설치되는 것이 바람직하다. At this time, since it is preferable to prevent the gas from flowing in the opposite direction beyond the induction means 100, it is preferable that the upper end and side end portions of the induction means 100 are in contact with the inner surface of the collecting chamber 50.

유도수단(100)의 하단부가 제1,2 가스유입관(32,42)의 연결부보다는 아래쪽에 위치하여야 가스의 충돌을 방지할 수 있다. 또한 방향이 전환되어 평행하게 유동하는 양쪽의 가스는 집하실(50)의 하부에 결합된 챔버연결관(20)으로 유입되어야 하므로 유도수단(100)의 하단부는 집하실(50)의 저면과는 접하지 않는 것이 바람직하다.The lower end of the induction means 100 should be located below the connection portion of the first and second gas inlet pipes 32 and 42 to prevent the collision of gas. In addition, both sides of the gas flowing in parallel with the change of direction should be introduced into the chamber connecting pipe 20 coupled to the lower portion of the collecting chamber 50, so that the lower end of the induction means 100 is different from the bottom of the collecting chamber 50. It is preferable not to touch.

한편 제1,2 가스유입관(32,42)을 통해 유입된 가스가 유도수단(100)에 충돌한 후 방향전환을 하는 과정에서 요동(turbulence)이 심하게 발생하면 활성화된 세정가스의 재결합 비율이 높아져 세정효율이 저하될 우려가 있다.On the other hand, if the turbulence occurs in the course of changing the direction after the gas introduced through the first and second gas inflow pipes 32 and 42 collides with the induction means 100, the recombination ratio of the activated cleaning gas is increased. There exists a possibility that it may become high and a washing efficiency may fall.

이를 방지하기 위해서는 도 3에 도시된 바와 같이 유도수단(100)의 측면부에 곡면을 형성하는 것이 바람직하다. 측면부가 곡면으로 형성되면 가스의 요동이 줄어들고 방향전환이 원활하게 이루어질 수 있기 때문이다.In order to prevent this, it is preferable to form a curved surface on the side portion of the guide means 100 as shown in FIG. If the side portion is formed to be curved because the fluctuation of the gas is reduced and the direction can be made smoothly.

전술한 유도수단(100)은 2개의 플라즈마 발생기(30,40)가 집하실(50)에 연결된 경우에 사용될 수 있는 것이며, 3개 이상의 플라즈마 발생기를 이용하는 경우에는 이와 다른 형태의 유도수단을 이용하여야 한다.The above-described induction means 100 may be used when two plasma generators 30 and 40 are connected to the collecting chamber 50, and when three or more plasma generators are used, a different type of induction means should be used. do.

도 4는 3 방향에서 유입되는 세정가스의 충돌을 방지하기 위한 유도수단을 예시한 것으로서, 제1,2,3 판상부재(110,120,130)가 중심축에 대하여 대칭적으로 결합된 형태를 가지며 상단부는 집하실(50)의 내부에 고정되는 것이 바람직하다. 4 illustrates an induction means for preventing a collision of the cleaning gas flowing in three directions, in which the first, second, and third plate members 110, 120, and 130 are symmetrically coupled with respect to the central axis, and the upper end is housed. It is preferable to be fixed to the inside of the chamber 50.

세정가스는 각 판상부재(110,120,130)의 사이 공간으로 유입된 후 하부 또는 챔버연결관 방향으로 방향이 전환되어 서로 평행하게 유동하게 된다. 이때에도 가스의 요동을 방지하기 위하여 각 판상부재(110,120,130)의 경계면 또는 측면은 곡면을 포함하는 것이 바람직하다. 4방향 이상에서 세정가스가 유입되는 경우에는 상기 판상부재의 개수를 그에 대응하여 증가시킴으로써 같은 효과를 얻을 수 있다.The cleaning gas flows into the space between the plate members 110, 120, and 130, and then is turned in the direction of the lower or chamber connecting pipe to flow in parallel with each other. In this case, in order to prevent the fluctuation of the gas, it is preferable that the boundary surface or the side surface of each plate member 110, 120, 130 includes a curved surface. When the cleaning gas is introduced in more than four directions, the same effect can be obtained by increasing the number of the plate members correspondingly.

한편, 제1,2 원격 플라즈마 발생기(30,40)에서 활성화된 세정가스는 고온 상태이므로 그대로 챔버 내부로 유입되면 열충격으로 인해 챔버 내부 부재가 손상될 위험이 있으므로 이를 적절히 냉각시킬 필요가 있다. 이를 위해 본 발명에서는 도 5에 도시된 바와 같이 집하실(50)의 외부에 냉매가 유동할 수 있는 냉매유로(52)를 형성한다. On the other hand, since the cleaning gas activated by the first and second remote plasma generators 30 and 40 is in a high temperature state, the cleaning gas activated by the first and second remote plasma generators 30 and 40 may be damaged by the thermal shock. To this end, in the present invention, as shown in FIG. 5, a coolant flow path 52 through which a coolant flows is formed outside the collection room 50.

상기 냉매유로(52)는 집하실(50)의 외부에 설치할 수도 있고 집하실(50)의 측벽에 내장된 형태로 설치할 수도 있다. The coolant flow path 52 may be installed outside the collection room 50 or may be installed in a form embedded in the sidewall of the collection room 50.

Claims

chamber;

A plurality of plasma generators located outside the chamber;

A collecting chamber for collecting the gas supplied from each plasma generator through a gas inlet pipe and supplying the gas to the chamber through a chamber connecting pipe;

Induction means installed in the interior of the cellar to switch the flow direction of the gas supplied from each plasma generator

Chamber cleaning system comprising a

The method of claim 1,

Chamber cleaning system, characterized in that the coolant flow path is provided on the outer side of the collection chamber

The method of claim 1,

The guide means is a chamber cleaning system, characterized in that the side member is disposed toward the gas inlet pipe and one end toward the chamber connecting pipe side

The method of claim 3,

Chamber cleaning system, characterized in that the upper end or side end portion of the plate-like member in contact with the inner surface of the collection chamber

The method of claim 1,

The guide means, the chamber cleaning system, characterized in that a plurality of plate-like members are arranged symmetrically with respect to the central axis of the collection chamber are coupled to each other

The method of claim 1,

The guide means comprises a chamber cleaning system including a curved surface on the side for smooth turning of the gas