KR20070054422A - Gas manifold having sealing material - Google Patents

Gas manifold having sealing material Download PDF

Info

Publication number
KR20070054422A
KR20070054422A KR1020050112403A KR20050112403A KR20070054422A KR 20070054422 A KR20070054422 A KR 20070054422A KR 1020050112403 A KR1020050112403 A KR 1020050112403A KR 20050112403 A KR20050112403 A KR 20050112403A KR 20070054422 A KR20070054422 A KR 20070054422A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
branch
transfer
sealing member
hole
gas manifold
Prior art date
Application number
KR1020050112403A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정남철
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050112403A priority Critical patent/KR20070054422A/en
Publication of KR20070054422A publication Critical patent/KR20070054422A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

실링 부재를 구비한 가스 매니폴드를 제공한다. 상기 가스 매니폴드는 분기부, 전달부, 및 실링 부재를 구비한다. 상기 분기부는 유입홀과 배출홀이 마련된다. 상기 전달부는 상기 분기부의 배출홀과 대응하는 전달홀이 구비되며, 상기 전달홀과 상기 배출홀이 연통하도록 상기 분기부에 결합된다. 또한, 상기 가스 매니폴드는 상기 분기부와 상기 전달부 사이에 개재되는 실링 부재를 포함하며, 상기 실링 부재는 링 형상이고 몸체와 상기 몸체로부터 단차지게 연장 형성된 플랜지부로 구성됨으로써 상기 분기부와 상기 전달부가 결합될 경우 결합 부위의 밀봉성을 향상시킬 수 있다.A gas manifold having a sealing member is provided. The gas manifold has a branch, a delivery, and a sealing member. The branch part is provided with an inlet hole and an outlet hole. The transfer part includes a transfer hole corresponding to the discharge hole of the branch, and is coupled to the branch so that the transfer hole and the discharge hole communicate with each other. In addition, the gas manifold includes a sealing member interposed between the branch portion and the transfer portion, wherein the sealing member is composed of a ring shape and a flange portion formed stepwise from the body and the branch portion and the When the delivery part is combined, the sealing property of the binding site can be improved.

Description

실링 부재를 구비한 가스 매니폴드{Gas manifold having sealing material}Gas manifold having sealing material

도 1은 본 발명에 따른 가스 매니폴드가 배치된 챔버 리드에 대한 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a chamber lid having a gas manifold according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 가스 매니폴드를 도시한 사시도이다.2 is a perspective view of a gas manifold according to the present invention.

도 3은 가스 매니폴드에 대해 구성 요소의 결합 관계를 보이기 위한 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view for showing the coupling relationship of the components to the gas manifold.

도 4는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ′ 선을 따라 취해진 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 5는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ′ 선을 따라 취해진 분해 단면도이다.5 is an exploded cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

100 : 챔버 리드 102 : 원판형 캡100: chamber lid 102: disc cap

104 : 환형 캡 200 : 가스 매니폴드104: annular cap 200: gas manifold

210 : 분기부 216 : 제 1 환형홈210: branch portion 216: first annular groove

220 : 전달부 230 : 실링 부재220: transmission unit 230: sealing member

본 발명은 공정 챔버의 챔버 리드 상에서 클린 가스를 공급하기 위한 가스 매니폴드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 가스 매니폴드의 분기부와 전달부 사이에 개재되는 실링 부재를 구비한 가스 매니폴드에 관한 것이다.The present invention relates to a gas manifold for supplying clean gas on a chamber lid of a process chamber, and more particularly to a gas manifold having a sealing member interposed between a branch and a delivery of the gas manifold. .

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위하여 반도체 웨이퍼 상에 다양한 물질막들을 증착하는 증착 공정을 수행하거나 웨이퍼 또는 웨이퍼 상의 물질막들을 식각하는 식각 공정 등을 수행한다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, a deposition process for depositing various material layers on a semiconductor wafer or an etching process for etching a material layer on a wafer or a wafer is performed.

상기 증착공정 또는 식각공정 등을 수행하기 위하여 공정 챔버(process chamber) 내에 웨이퍼가 마련된다. 상기 웨이퍼가 마련된 공정 챔버 내로 공정 가스를 주입한다. 공정 수행시 상기 공정 가스들은 소정의 문턱온도 이상에서 서로 반응함으로써 샤워헤드 또는 이동 관로 내부에 응고되어 공정 가스의 공급을 방해할 수 있다. 따라서, 공정 수행시 상기 공정 가스의 공급을 방해할 수 있는 이물질을 제거하기 위해 클린 가스를 공급할 필요가 있다.In order to perform the deposition process or the etching process, a wafer is provided in a process chamber. Process gas is injected into the process chamber provided with the wafer. When the process is performed, the process gases may react with each other at a predetermined threshold temperature or more, thereby solidifying inside the shower head or the moving pipe, thereby preventing supply of the process gas. Therefore, it is necessary to supply a clean gas to remove foreign substances that may interfere with the supply of the process gas when performing the process.

상기의 클린 가스 공급은 챔버 리드 상부의 가스 발생기로부터 가스 매니폴드를 거쳐 공정 챔버 내부로 행해진다. 통상적으로 가스 매니폴드는 상기 챔버 리드 상에 배치된다.The clean gas supply is performed from the gas generator on the upper side of the chamber lid to the inside of the process chamber via the gas manifold. Typically a gas manifold is placed on the chamber lid.

가스 매니폴드는 분기부, 전달부, 및 실링 부재를 구비한다. 상기 분기부는 유입홀과 배출홀이 마련된다. 상기 전달부는 상기 분기부의 배출홀과 대응하는 전달홀이 구비되며, 상기 전달홀이 상기 배출홀과 연통하도록 상기 분기부에 결합된다. 상기 실링 부재는 상기 분기부와 상기 전달부 사이에 개재되며 상기 배출홀의 측부를 감싸도록 형성된 홈에 삽입된다.The gas manifold has a branch, a delivery, and a sealing member. The branch part is provided with an inlet hole and an outlet hole. The transfer part includes a transfer hole corresponding to the discharge hole of the branch, and is coupled to the branch so that the transfer hole communicates with the discharge hole. The sealing member is interposed between the branch portion and the transfer portion and is inserted into a groove formed to surround the side of the discharge hole.

상기 실링 부재는 단면이 원형의 형상을 가지고 있지만 상기 분기부와 상기 전달부 사이에서의 압착되는 면적이 적은 관계로 실제 가스 공급시에 결합 부위 사이의 틈으로 가스가 누출되는 문제점이 있다.The sealing member has a circular cross section, but there is a problem in that gas leaks into a gap between the coupling sites during actual gas supply due to a small compression area between the branch and the delivery unit.

이 경우에, 상기 가스의 누출로 인한 실링 부재와의 마찰에 의해서 상기 실링부재의 마모 속도가 빨라지게 되고, 그에 따라 실링 부재의 교환을 위한 예방 정비 기간도 짧아지게 되므로 공수가 늘어나게 되는 문제가 있다.In this case, the wear rate of the sealing member is increased by friction with the sealing member due to the leakage of the gas, and accordingly, the preventive maintenance period for the replacement of the sealing member is shortened, thereby increasing the number of man-hours. .

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 실링 부재의 형상 변경을 통해 가스 매니폴드의 분기부와 전달부 사이의 접촉 면적을 넓힘으로써 실링 효과를 높인 실링 부재를 구비한 가스 매니폴드를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, the sealing member having a high sealing effect by increasing the contact area between the branch and the delivery portion of the gas manifold by changing the shape of the sealing member. Providing a gas manifold is a technical challenge.

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명에 따른 실링 부재를 구비한 가스 매니폴드는 분기부, 전달부, 및 실링 부재를 구비한다. 상기 분기부는 유입홀과 배출홀이 마련된다. 상기 전달부는 상기 분기부의 배출홀과 대응하는 전달홀이 구비되며, 상기 전달홀이 상기 배출홀과 연통되도록 상기 분기부에 결합된다. 또한, 상기 가스 매니폴드는 상기 분기부와 상기 전달부 사이에 개재되는 실링 부재를 포함하며, 상기 실링 부재는 링 형상의 몸체와 상기 몸체로부터 단차지게 연장 형성된 플랜지부로 구성됨으로써 상기 분기부와 상기 전달부가 결합될 경우 결합 부위의 밀봉성을 향상시킬 수 있다.A gas manifold having a sealing member according to the present invention for realizing such an object includes a branching portion, a delivery portion, and a sealing member. The branch part is provided with an inlet hole and an outlet hole. The transfer part is provided with a transfer hole corresponding to the discharge hole of the branch, and is coupled to the branch portion so that the transfer hole communicates with the discharge hole. In addition, the gas manifold includes a sealing member interposed between the branch portion and the transfer portion, wherein the sealing member is composed of a ring-shaped body and a flange portion extending stepwise from the body, so that the branch portion and the When the delivery part is combined, the sealing property of the binding site can be improved.

상기 몸체는 상기 배출홀의 주변을 둘러싸도록 상기 분기부의 외측면에 형성된 제 1 환형홈에 삽입되고, 상기 플랜지부는 상기 전달홀의 주변을 둘러싸도록 상기 전달부의 외측면에 형성된 제 2 환형홈에 삽입될 수 있다.The body may be inserted into a first annular groove formed on the outer surface of the branch portion to surround the periphery of the discharge hole, and the flange portion may be inserted into a second annular groove formed on the outer surface of the transfer portion to surround the periphery of the transfer hole. have.

또한, 상기 실링 부재는 내열성이 있는 탄성 중합체로 이루어질 수 있다.In addition, the sealing member may be made of an elastomer having heat resistance.

이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 한편, 첨부된 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위해 다소 과장되어진 것으로 이해되는 것이 바람직하며, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. On the other hand, the shape and the like of the elements in the accompanying drawings are preferably understood to be somewhat exaggerated for more clear description, the same reference numerals throughout the specification represent the same components.

도 1은 본 발명에 따른 가스 매니폴드가 배치된 챔버 리드에 대한 개략적인 사시도이다. 도 2는 본 발명에 따른 가스 매니폴드를 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 가스 매니폴드에 대해 구성 요소의 결합 관계를 보이기 위한 분해 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a chamber lid having a gas manifold according to the present invention. 2 is a perspective view showing a gas manifold according to the present invention, Figure 3 is an exploded perspective view for showing the coupling relationship of the components to the gas manifold according to the present invention.

본 발명에 따른 실링 부재를 구비한 가스 매니폴드는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 장치에 적용할 수 있다.Gas manifolds with sealing members according to the present invention can be applied to chemical vapor deposition (CVD) apparatus.

먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 실링 부재를 구비한 가스 매니폴드의 구성을 설명한다.First, referring to FIGS. 1 to 3, a configuration of a gas manifold having a sealing member according to an embodiment of the present invention will be described.

공정 챔버(미도시)의 상부를 덮는 챔버 리드(100)가 배치된다. 상기 챔버 리드(100)는 상면에 가스 매니폴드(200), 공정 가스 매니폴드(106), 원판형 캡(102) 및 상기 원판형 캡(102)의 측부를 감싸는 환형 캡(104) 등을 구비한다. 상기 원판형 캡(102)의 하부에 샤워 헤드부(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 샤워 헤드부의 하부에 웨이퍼(미도시)가 배치될 수 있다. 즉, 공정 챔버 내에 위치하는 웨이퍼(W) 상부에 샤워 헤드부가 위치할 수 있다. 상기 샤워 헤드부는 상기 웨이퍼(W) 상에 공정 가스들 또는 소스 가스들을 분사하는 역할을 한다.A chamber lid 100 is disposed covering an upper portion of a process chamber (not shown). The chamber lid 100 has a gas manifold 200, a process gas manifold 106, a disc cap 102, and an annular cap 104 surrounding the side of the disc cap 102. do. A shower head portion (not shown) may be disposed below the disc shaped cap 102. A wafer (not shown) may be disposed under the shower head. That is, the shower head may be positioned on the wafer W positioned in the process chamber. The shower head portion injects process gases or source gases onto the wafer (W).

상기 공정 가스 매니폴드(106)를 통하여 공정 가스를 공정 챔버 내부로 공급함으로써 공정을 진행한 후에는 샤워 헤드부 또는 가스 공급 관로에 불순물이 침적될 수 있으므로, 불순물을 제거하는 단계가 필요하다. 즉, 상기 가스 매니폴드(200)가 Ar, NF₃같은 가스를 미도시된 클린 가스 발생기로부터 공급받은 후 샤워 헤드부나 공급 관로 등에 공급함으로써 쌓인 불순물을 제거할 수 있다.After the process is performed by supplying the process gas into the process chamber through the process gas manifold 106, impurities may be deposited in the shower head part or the gas supply line, and thus, it is necessary to remove the impurities. That is, the gas manifold 200 may receive impurities such as Ar and NF 3 from a clean gas generator (not shown) and then supply impurities to a shower head or a supply line.

상기 가스 매니폴드(200)는 분기부(210), 전달부(220), 및 실링 부재(230)를 구비한다. 상기 분기부(210)는 상면에 유입홀(212)이 마련되어, 상기 유입홀(212)이 분기부(210)의 상부에 위치한 클린 가스 발생기(미도시)와 연통되도록 체결된다. 또한 상기 분기부(210)는 측면에 배출홀(214)이 마련되어 상기 전달부(220)와 연결된다.The gas manifold 200 includes a branch 210, a delivery unit 220, and a sealing member 230. The branch portion 210 is provided with an inlet hole 212 on the upper surface, the inlet hole 212 is fastened to communicate with a clean gas generator (not shown) located above the branch portion 210. In addition, the branch portion 210 is provided with a discharge hole 214 on the side is connected to the transfer unit 220.

상기 전달부(220)는 전달홀(222)을 구비하고, 상기 전달홀(222)은 분기부(210)의 배출홀(214)과 상호 연통되도록 결합되고, 상기 전달홀(222)은 상기 원판형 캡(102)과 결합되어 챔버 리드(100) 하부의 샤워헤드부와 연통될 수 있다.The transfer unit 220 has a transfer hole 222, the transfer hole 222 is coupled to communicate with the discharge hole 214 of the branch portion 210, the transfer hole 222 is the circle Coupled with the plate cap 102 may be in communication with the shower head portion of the lower chamber lid (100).

상기 배출홀(214)의 주변을 둘러싸도록 상기 분기부(210)의 외측면에 제 1 환형홈(216)이 형성된다. 또한, 상기 전달홀(222)의 주변을 둘러싸도록 상기 전달부(220)의 외측면에 제 2 환형홈(226)이 형성된다.The first annular groove 216 is formed on the outer surface of the branch portion 210 to surround the periphery of the discharge hole 214. In addition, a second annular groove 226 is formed on the outer surface of the transfer part 220 to surround the periphery of the transfer hole 222.

이에 더하여, 상기 분기부(210)의 외측으로 상기 전달부(220)의 관통홀(224)이 위치할 수 있다. 상기 관통홀(224)은 상기 분기부(210)의 체결홀(218)에 대응하여 위치할 수 있다.In addition, the through hole 224 of the transfer unit 220 may be located outside the branch 210. The through hole 224 may be located corresponding to the fastening hole 218 of the branch portion 210.

상기 실링 부재(230)는 링 형상의 몸체(232)와 상기 몸체(232)의 외측면으로부터 단차지게 연장 형성된 플랜지부(234)로 구성된다. 상기 실링 부재(230)는 상기 분기부(210)와 상기 전달부(220) 사이에 개재되며, 상기 분기부(210)와 전달부(220)에 형성된 상기 환형홈(216,226)에 삽입되어 실링 역할을 한다.The sealing member 230 is composed of a ring-shaped body 232 and a flange portion 234 extending stepwise from the outer surface of the body 232. The sealing member 230 is interposed between the branch portion 210 and the transfer portion 220, and is inserted into the annular grooves 216 and 226 formed in the branch portion 210 and the transfer portion 220 to seal the role. Do it.

여기에서 상기 실링 부재(230)는 원형 링, 사각 링, 및 기타 다양한 형태의 링 형상으로 변경되어 사용될 수 있다.Here, the sealing member 230 may be used in a ring shape of a circular ring, a square ring, and various other shapes.

상기 실링 부재(230)는 실링 역할과 고온 상태에서의 가스 공급을 위해 소정의 탄성 및 내열성을 구비한 탄성 중합체로 이루어짐이 바람직하다. 실링 부재(230)의 재질로는 바이톤류나 칼레츠류 등이 있는데, 상기 바이톤류는 가격이 저렴한 대신에 비교적 내열성 및 내화학성이 취약하고, 반면에 상기 칼레츠류는 가격은 고가이지만 내열성 및 내화학성이 높은 장점이 있다.The sealing member 230 is preferably made of an elastomer having a predetermined elasticity and heat resistance for the role of sealing and gas supply at a high temperature. The material of the sealing member 230 is Vitons or Kaletz, etc. The Vitons are relatively inexpensive but relatively poor in heat resistance and chemical resistance, while the Kaletz are expensive but heat resistant and It has the advantage of high chemical resistance.

따라서, 상기 칼레츠류보다는 비용을 절감시키고 상기 바이톤류보다는 내열성 및 내화학성을 높이기 위해서, 상기 실링 부재(230)의 재질을 실리콘으로 하고 실링 부재(230)의 표면을 테프론과 같은 내화학성 수지로 처리할 수 있다.Therefore, in order to reduce the cost than the Kaletz and increase the heat resistance and chemical resistance than the Vitons, the material of the sealing member 230 is made of silicon and the surface of the sealing member 230 is made of a chemical resistant resin such as Teflon. Can be processed.

도 4는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ′ 선을 따라 취해진 단면도이고, 도 5는 도 2의 Ⅰ-Ⅰ′ 선을 따라 취해진 분해 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2, and FIG. 5 is an exploded cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 몸체(232)는 상기 배출홀(214)의 주변을 둘러싸도록 상기 분기부(210)의 외측면에 형성된 제 1 환형홈(216)에 삽입되고, 상기 플랜지부(234)는 상기 전달홀(222)의 주변을 둘러싸도록 상기 전달부(220)의 외측면에 형성된 제 2 환형홈(226)에 삽입된다.4 and 5, the body 232 is inserted into the first annular groove 216 formed in the outer surface of the branch portion 210 so as to surround the periphery of the discharge hole 214, the plan The branch portion 234 is inserted into the second annular groove 226 formed on the outer surface of the transfer portion 220 to surround the periphery of the transfer hole 222.

전술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 의하면, 공정 챔버의 챔버 리드(100) 상에 배치되는 분기부(210)와 전달부(220) 사이에 실링 부재(230)를 개재함으로써 상기 분기부(210)의 배출홀(214)과 상기 전달부(220)의 전달홀(222) 사이에 발생되는 틈을 통해 가스들이 누출되는 것을 억제할 수 있다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the branch portion 210 is provided by interposing a sealing member 230 between the branch portion 210 and the transfer portion 220 disposed on the chamber lid 100 of the process chamber. Gas can be prevented from leaking through the gap generated between the discharge hole 214 of the) and the transfer hole 222 of the delivery unit 220.

이하, 본 발명에 따른 실링 부재(230)를 구비한 가스 매니폴드(200)의 체결 순서에 대해 다시 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the fastening order of the gas manifold 200 having the sealing member 230 according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3 again.

상기와 같이 구성되는 챔버 리드(100) 상에 제 1 환형홈(216)이 형성된 분기부(210) 및 제 2 환형홈(226)이 형성된 전달부(220)가 안착된다. 상기 제 1 안착홈(216)에는 실링 부재(230)의 몸체(232)가 삽입된다. 상기 분기부(210)의 측면과 상기 전달부(220)의 측면이 서로 접촉한다. 이 경우에, 상기 전달부(220)는 상기 분기부(210)의 배출홀(214)과 상기 전달부(220)의 전달홀(222)이 일치하도록 배치된다.On the chamber lid 100 configured as described above, a branch 210 having a first annular groove 216 and a delivery part 220 having a second annular groove 226 are seated. The body 232 of the sealing member 230 is inserted into the first seating groove 216. The side of the branch 210 and the side of the delivery unit 220 is in contact with each other. In this case, the transfer part 220 is disposed so that the discharge hole 214 of the branch 210 and the transfer hole 222 of the transfer part 220 coincide.

한편, 상기 전달부(220)는 제 2 환형홈(226)에 의해 상기 몸체(232)의 외측면으로부터 단차지게 연장 형성된 플랜지부(234)를 압착할 수 있다. 즉, 상기 플 랜지부(234)는 상기 분기부(210)와 전달부(220) 사이에 개재될 수 있다. 그 결과, 상기 배출홀(214)과 상기 전달홀(222) 사이에 발생하는 틈이 상기 플랜지부(232)에 의해 밀봉될 수 있다.Meanwhile, the transmission part 220 may compress the flange part 234 extending stepwise from the outer surface of the body 232 by the second annular groove 226. That is, the flange part 234 may be interposed between the branch part 210 and the delivery part 220. As a result, a gap generated between the discharge hole 214 and the transfer hole 222 may be sealed by the flange portion 232.

이에 더하여, 상기 전달부(220)의 베이스 플레이트(225) 내에 위치하는 관통홀(224)을 통해 볼트(226)가 삽입된다. 상기 관통홀(224)에 삽입된 볼트(226)는 상기 베이스 플레이트(225)를 관통하여 그 단부가 상기 분기부(210)의 체결홈(218)을 통해 삽입된다. 그 결과, 전달부(220)는 상기 분기부(210)에 결합된다. 이 경우에, 상기 전달부(220)와 분기부(210)의 밀착에 의해 상기 분기부(210)와 전달부(220) 사이에 개재된 실링 부재(230)가 압착된다. 그 결과, 상기 분기부(210)의 배출홀(214)과 상기 전달부(220)의 전달홀(222) 사이에 발생하는 틈이 상기 압착된 실링 부재(230)에 의해 밀봉된다.In addition, the bolt 226 is inserted through the through hole 224 positioned in the base plate 225 of the transfer part 220. The bolt 226 inserted into the through hole 224 penetrates through the base plate 225 and an end thereof is inserted through the fastening groove 218 of the branch 210. As a result, the delivery unit 220 is coupled to the branch 210. In this case, the sealing member 230 interposed between the branch portion 210 and the transfer portion 220 is compressed by the close contact between the transfer portion 220 and the branch portion 210. As a result, a gap generated between the discharge hole 214 of the branch portion 210 and the transfer hole 222 of the transfer part 220 is sealed by the compressed sealing member 230.

본 발명에 따른 가스 매니폴드는 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 가스 매니폴드의 분기부와 전달부 사이에 개재되는 실링 부재에 있어서, 상기 실링 부재는 링 형상의 몸체와 상기 몸체의 외측면으로부터 단차지게 연장 형성되는 플랜지부를 구비하고, 상기 분기부와 전달부의 결합에 의해 압착되게 함으로써 실링 효과를 높일 수 있다.The gas manifold according to the present invention has been devised to overcome the disadvantages of the prior art, in the sealing member interposed between the branch and the delivery portion of the gas manifold, the sealing member is a ring-shaped body and The flange portion is formed to extend stepwise from the outer surface of the body, it is possible to increase the sealing effect by being pressed by the combination of the branch portion and the transmission portion.

Claims (3)

유입홀과 배출홀이 마련된 분기부;A branch having an inlet hole and an outlet hole; 상기 배출홀과 대응하는 전달홀을 구비하고, 상기 전달홀이 상기 배출홀과 연통되도록 상기 분기부에 결합되는 전달부; 및A transfer part having a transfer hole corresponding to the discharge hole and coupled to the branch part so that the transfer hole communicates with the discharge hole; And 상기 분기부와 상기 전달부 사이에 개재되는 실링 부재를 포함하며, 상기 실링 부재는 링 형상의 몸체와 상기 몸체의 외측면으로부터 단차지게 연장 형성된 플랜지부로 구성됨을 특징으로 하는 가스 매니폴드.And a sealing member interposed between the branch portion and the transfer portion, wherein the sealing member comprises a ring-shaped body and a flange portion extending stepwise from an outer surface of the body. 제 1항에 있어서, 상기 몸체는 상기 배출홀의 주변을 둘러싸도록 상기 분기부의 외측면에 형성된 제 1 환형홈에 삽입되고, 상기 플랜지부는 상기 전달홀의 주변을 둘러싸도록 상기 전달부의 외측면에 형성된 제 2 환형홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 가스 매니폴드.According to claim 1, wherein the body is inserted into the first annular groove formed in the outer surface of the branch portion to surround the discharge hole, the flange portion is formed on the outer surface of the transfer portion to surround the periphery of the transfer hole Gas manifold, characterized in that inserted into the annular groove. 제 1항에 있어서, 상기 실링 부재는 내열성을 갖는 탄성 중합체인 것을 특징으로 하는 가스 매니폴드.The gas manifold of claim 1, wherein the sealing member is an elastomer having heat resistance.
KR1020050112403A 2005-11-23 2005-11-23 Gas manifold having sealing material KR20070054422A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050112403A KR20070054422A (en) 2005-11-23 2005-11-23 Gas manifold having sealing material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050112403A KR20070054422A (en) 2005-11-23 2005-11-23 Gas manifold having sealing material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070054422A true KR20070054422A (en) 2007-05-29

Family

ID=38276232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050112403A KR20070054422A (en) 2005-11-23 2005-11-23 Gas manifold having sealing material

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070054422A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012102986A3 (en) * 2011-01-27 2013-01-17 Wabtec Holding Corp. Manifold joint seal

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012102986A3 (en) * 2011-01-27 2013-01-17 Wabtec Holding Corp. Manifold joint seal
CN103477089A (en) * 2011-01-27 2013-12-25 西屋气动刹车技术公司 Manifold joint seal
US9114788B2 (en) 2011-01-27 2015-08-25 Wabtec Holding Corp. Manifold joint seal
CN103477089B (en) * 2011-01-27 2016-02-24 西屋气动刹车技术公司 Manifold joint seal

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100629358B1 (en) Shower head
US5632820A (en) Thermal treatment furnace in a system for manufacturing semiconductors
KR101137545B1 (en) Integrated Wafer Tray
KR101647958B1 (en) Sealing apparatus for a process chamber
EP0959150A2 (en) Apparatus for depositing thin films
JP3816920B2 (en) Reaction vessel for thin film deposition
KR20120002359U (en) Atomic layer deposition chamber and components
KR100831198B1 (en) Welding type showerhead
KR20070054422A (en) Gas manifold having sealing material
CN101876389B (en) Bag-type blockage non-stop construction technique for fuel gas cast iron pipe and its special clip tee joint
KR20020066086A (en) Gas distribution apparatus of semiconductor eqipment
TW200910449A (en) Gas supplying apparatus and equipment for etching substrate edge having the same
JP2016176584A (en) Gas introduction pipe connection structure and substrate treating device using the same
KR100789251B1 (en) Connecting structure of gas injecting pipe
KR100697267B1 (en) A chemical vapor deposition apparatus
KR20070033783A (en) Fastening structure of gas manifold and chamber lid with sealing unit
KR200455917Y1 (en) Atomic layer deposition chamber and components
KR20200121443A (en) Piping connection assembly
KR20120000326A (en) Packing for valve
US7055212B2 (en) Clean gas injector system for reactor chamber
KR200169709Y1 (en) Chamber assembly for etching apparatus
JP3806386B2 (en) Vacuum processing equipment
CN116875960A (en) Binary channels spray set and film deposition equipment
TWM512591U (en) Thin-film deposition apparatus
JPS6339961Y2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid