KR20070050799A

KR20070050799A - Method for manufacturing separator of organic light emitting diode display device

Info

Publication number: KR20070050799A
Application number: KR1020060081926A
Authority: KR
Inventors: 이태훈
Original assignee: 주식회사 대우일렉트로닉스
Priority date: 2006-08-28
Filing date: 2006-08-28
Publication date: 2007-05-16

Abstract

엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽을 형성함으로써 격벽이 안정적인 구조를 갖도록 한 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법이 제공된다. 본 발명에 의한 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법은, 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법에 있어서, 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계; 실리콘 질화막의 적어도 1구역 이상으로 구별되는 어닐링 영역에 서로 다른 세기로 엑시머 레이저 어닐링을 수행하는 단계; 및 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만 남도록 실리콘 질화막을 습식 식각하는 단계를 포함한다.Provided are a method of forming a partition of an LED display device in which a partition has a stable structure by forming a partition of an LED display device using excimer laser annealing. In the method of forming a barrier rib of an LED display device according to the present invention, the method of forming a barrier rib of an LED display element includes: forming a silicon nitride film on a substrate; Performing excimer laser annealing at different intensities on the annealing regions distinguished by at least one zone of the silicon nitride film; And wet etching the silicon nitride film so that only the portion annealed with the excimer laser remains.

오엘이디, 격벽, 엑시머 레이저, 어닐링 OED, bulkhead, excimer laser, annealing

Description

Method for manufacturing separator of organic light emitting diode display device

도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.1A and 1B are diagrams for explaining a barrier rib forming method of an OLED display device according to the prior art.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법을 설명하기 위해 도시한 제조공정도들이다.2A to 2D are manufacturing process diagrams illustrating a method of forming a partition of an LED display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 기판 110: 실리콘 질화막100 substrate 110 silicon nitride film

X: 제1 영역 Y: 제2 영역X: first region Y: second region

Z: 제3 영역 120: 격벽Z: Third Zone 120: Bulkhead

본 발명은 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 을 형성함으로써 격벽이 안정적인 구조를 갖도록 한 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a barrier rib forming method of an LED display device, and more particularly, to a barrier rib forming method of an LED display device in which the barrier rib has a stable structure by forming the barrier rib of the LED display element using excimer laser annealing. It is about.

오엘이디(OLED: Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고 박형화, 광시야각, 빠른 응답속도 등 LCD에서 문제로 지적되고 있는 결점을 해소할 수 있으며, 다른 디스플레이 소자에 비해 중형 이하에서는 TFT-LCD와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있다는 점과 제조 공정이 단순하여 향후 가격 경쟁에서 유리하다는 등의 장점을 가진 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.OLED (Organic Light Emitting Diode) display elements can be driven at low voltages and eliminate the drawbacks of LCD problems such as thinning, wide viewing angles, and fast response speeds. Is attracting attention as a next-generation display that has the same or better image quality than TFT-LCD and its simple manufacturing process is advantageous in future price competition.

이러한 오엘이디 디스플레이 소자는 투명 유리 기판 상에 양전극으로서 ITO 투명 전극 패턴이 형성되어 있는 형태를 가진 하판과 기판 상에 음전극으로서 금속 전극이 형성되어 있는 상판 사이의 공간에 유기 발광성 소재가 형성되어, 투명 전극과 금속 전극 사이에 소정의 전압이 인가될 때 유기 발광성 소재에 전류가 흐르면서 빛을 발광하는 성질을 이용하는 디스플레이 장치이다.The OLED display device is transparent by forming an organic light emitting material in a space between a lower plate having a form in which an ITO transparent electrode pattern is formed as a positive electrode on a transparent glass substrate and a top plate in which a metal electrode is formed as a negative electrode on a substrate. A display device using a property of emitting light with a current flowing through an organic light emitting material when a predetermined voltage is applied between an electrode and a metal electrode.

이와 같은 오엘이디 디스플레이 소자는 음전극층을 분리하기 위해 오버행(Overhang) 구조를 갖는 격벽을 사용하는데, 종래에는 도 1a에 도시한 바와 같이, 네거티브 포토레지스트(Negative Photo Resist)(20)를 기판(10) 상에 코팅하고, 격벽을 형성할 부분만 오픈되어 있는 포토 마스크(30)를 사용하여 노광량과 얼라인 갭(Align Gap)을 조절함으로써, 도 2와 같은 역테이퍼(Reverse Taper) 형상의 격벽(40)을 형성하였다.Such an LED display device uses a partition wall having an overhang structure to separate the negative electrode layer. Conventionally, as illustrated in FIG. 1A, a negative photoresist 20 is formed on a substrate 10. ), And by adjusting the exposure amount and the alignment gap using the photo mask 30, in which only a portion for forming a partition is opened, a partition having a reverse taper shape as shown in FIG. 40) was formed.

그러나, 종래와 같은 방식으로 격벽을 형성하는 경우, 공정 조건의 미세한 변화에 의해 역테이퍼 구조의 각도에 큰 영향을 미치고, 또한 격벽 하부로 갈수록 그 폭이 점점 좁아져 무너지게 되는 불량을 야기할 수 있다. 실제로, 오엘이디 디스플레이 소자를 만드는 공정에서 가장 불량률이 높은 부분이 음극 격벽 형성 부분이다.However, when the partition wall is formed in the same manner as in the prior art, a slight change in the process conditions greatly affects the angle of the reverse taper structure, and the width thereof becomes narrower toward the lower part of the partition wall, thereby causing a failure. have. In fact, in the process of making the LED display element, the portion with the highest defect rate is the cathode partition wall forming portion.

따라서, 안정적인 구조를 가지는 격벽을 형성하는 방법이 요구되고 있다.Therefore, there is a demand for a method of forming a partition wall having a stable structure.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽을 형성함으로써 격벽이 안정적인 구조를 갖도록 한 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법을 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a method for forming a partition of an LED display device in which a partition has a stable structure by forming a partition of an LED display device using excimer laser annealing.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법은, 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법에 있어서, 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 질화막의 적어도 1구역 이상으로 구별되는 어닐링 영역에 서로 다른 세기로 엑시머 레이저 어닐링을 수행하는 단계; 및 상기 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만 남도록 상기 실리콘 질 화막을 습식 식각하는 단계를 포함한다.In order to solve the above technical problem, a barrier rib forming method of an LED display device includes: forming a silicon nitride film on a substrate; Performing excimer laser annealing at different intensities in an annealing region that is distinguished into at least one region of the silicon nitride film; And wet etching the silicon nitride layer so that only the portion annealed with the excimer laser remains.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 엑시머 레이저 어닐링은 상기 실리콘 질화막의 제2 영역, 제1 영역, 제 3영역 순으로 에너지의 강도를 세게 하여 수행하는 것이 바람직하다.In an embodiment of the present invention, the excimer laser annealing is preferably performed by increasing the intensity of energy in the order of the second region, the first region, and the third region of the silicon nitride film.

상기 기판 상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계는 상온 스퍼터링 방법에 의해 진행되는 것이 바람직하다.Forming the silicon nitride film on the substrate is preferably carried out by a room temperature sputtering method.

상기 실리콘 질화막을 습식 식각하는 단계는 버퍼 산화 식각액 또는 불산 식각액에 의해 진행될 수 있다.The wet etching of the silicon nitride layer may be performed by using a buffer oxide etchant or a hydrofluoric acid etchant.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

또한, 도면에서 층과 막 또는 영역들의 크기 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어 기술된 것이며, 어떤 막 또는 층이 다른 막 또는 층의 "상에" 형성된다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막 또는 층이 상기 다른 막 또는 층의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막 또는 층이 개재될 수도 있다.In addition, in the drawings, the size and thickness of layers and films or regions are exaggerated for clarity of description, and when any film or layer is described as being formed "on" of another film or layer, It may be directly on top of the other film or layer, and a third other film or layer may be interposed therebetween.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법을 설명하기 위한 제조공정도들이다.2A to 2D are manufacturing process diagrams illustrating a method for forming a partition of an LED display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 2a를 참조하면, 기판(100) 상에 실리콘 질화막(SiNx)(110)을 격벽을 형성할 높이만큼 형성한다. 이때, 실리콘 질화막(110)은 상온 스퍼터링 방법에 의해 형성되는데, 이러한 상온 스퍼터링 방법을 이용해 실리콘 질화막(110)을 기판(100) 상에 형성할 경우, 실리콘 질화막(110)은 800℃ 이상의 고온 노(Furnace)에서 증착된 실리콘 질화막(110)과 유사한 특성을 가지게 된다.First, referring to FIG. 2A, a silicon nitride film (SiNx) 110 is formed on the substrate 100 to a height to form a partition wall. At this time, the silicon nitride film 110 is formed by a room temperature sputtering method, when the silicon nitride film 110 is formed on the substrate 100 by using the room temperature sputtering method, the silicon nitride film 110 is a high temperature furnace (800 ℃ or more) It has similar characteristics to the silicon nitride film 110 deposited in the furnace).

따라서, 실리콘 질화막(110)은 이후의 공정에서 수행되는 습식 식각 시 습식 식각액에 의한 저항성이 커지며, 이러한 실리콘 질화막(110)이 형성된 기판(100)에 대해 습식 식각을 진행하게 되면 어닐링(Anealing)이 진행되지 않은 부분의 실리콘 질화막(110)만 식각된다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.Therefore, the silicon nitride film 110 has a high resistance due to the wet etching solution during the wet etching performed in a subsequent process, and when the wet etching is performed on the substrate 100 on which the silicon nitride film 110 is formed, annealing is performed. Only the silicon nitride film 110 of the portion that is not advanced is etched. Detailed description thereof will be described later.

다음에, 도 2b를 참조하면, 기판(100) 상에 형성된 실리콘 질화막(110)의 제1 내지 제3 영역(X, Y, Z)에 서로 다른 세기로 엑시머 레이저 어닐링(Eximer Laser Annealing)을 수행한다. 보다 상술하면, 실리콘 질화막(110)의 세 영역(X, Y, Z) 중, 제2 영역(Y)에 가장 약한 에너지 크기로 엑시머 레이저 어닐링을 수행하고, 제1 영역(X)에 제2 영역(Y)보다 큰 에너지 크기로 엑시머 레이저 어닐링을 수행하고, 제3 영역(Z)에 제2 영역(Y)보다 큰 에너지 크기로 엑시머 레이저 어닐링을 수행한다.Next, referring to FIG. 2B, excimer laser annealing is performed on the first to third regions X, Y, and Z of the silicon nitride film 110 formed on the substrate 100 at different intensities. do. More specifically, among the three regions X, Y, and Z of the silicon nitride film 110, the excimer laser annealing is performed with the weakest energy magnitude in the second region Y, and the second region in the first region X. The excimer laser annealing is performed with an energy size larger than (Y), and the excimer laser annealing is performed with an energy size larger than the second region Y in the third region Z.

즉, 엑시머 레이저 어닐링은 실리콘 질화막(110)의 제2 영역(Y), 제1 영 역(X), 제3 영역(Z) 순으로 에너지의 강도를 세게 하여 수행한다. 이와 같이 실리콘 질화막(110)에 엑시머 레이저 어닐링을 실시함으로써, 실리콘 질화막(110)의 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만이 습식 식각에 대한 저항력이 증가하게 되어 이상적인 오버행(Overhang) 구조를 갖는 격벽을 형성할 수 있는 기초를 마련하게 된다.That is, the excimer laser annealing is performed by increasing the intensity of energy in the order of the second region Y, the first region X, and the third region Z of the silicon nitride film 110. By performing excimer laser annealing on the silicon nitride film 110 as described above, only the portion annealed by the excimer laser of the silicon nitride film 110 increases resistance to wet etching to form a barrier rib having an ideal overhang structure. It will lay the foundation for you.

다음에, 도 2c 및 도 2d를 참조하면, 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만 남도록 실리콘 질화막(110)을 습식 식각한다. 이를 좀더 구체적으로 설명하면, 엑시머 레이저로 어닐링된 실리콘 질화막(110)이 형성된 기판(100)을 버퍼 산화 식각액(Buffered Oxide Etchant) 또는 불소 식각액(HF Etchant)을 이용하여 습식 식각한다.Next, referring to FIGS. 2C and 2D, the silicon nitride film 110 is wet etched so that only the portion annealed by the excimer laser remains. In more detail, the substrate 100 on which the silicon nitride layer 110 annealed by the excimer laser is formed is wet-etched using a buffered oxide etchant or a fluorine etchant.

이처럼, 실리콘 질화막(110)을 습식 식각하게 되면, 실리콘 질화막(110)의 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만 남게 되는데, 이는 앞서 언급한 바와 같이 실리콘 질화막(110)의 엑시머 레이저로 어닐링된 부분만 습식 식각에 대한 저항력이 증가하기 때문이다.As such, when wet etching the silicon nitride layer 110, only the portion annealed by the excimer laser of the silicon nitride layer 110 is left, which is wet etching only the portion annealed by the excimer laser of the silicon nitride layer 110. This is because the resistance to the increase.

이에 따라, 이상적인 오버행 구조를 갖는 격벽(120)이 완성된다.Thus, the partition wall 120 having an ideal overhang structure is completed.

이상 첨부된 도면 및 표를 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings and tables, the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various forms, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. Those skilled in the art can understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 격벽 형성 방법에 의하면, 엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 격벽을 형성함으로써, 격벽이 안정적인 오버행 구조를 갖도록 할 수 있다. 이에 따라, 포토 마스크를 이용하여 형성한 기존의 격벽에 비해, 구조적으로 보다 견고하고 음전극층을 보다 확실하게 분리함으로써 격벽 역할을 보다 안정적으로 수행할 수 있는 이점이 있다. According to the method of forming a partition of an LED display device according to an embodiment of the present invention, the partition may be formed by using excimer laser annealing, so that the partition may have a stable overhang structure. Accordingly, there is an advantage that the role of the partition wall can be more stably performed by structurally more robust and reliably separating the negative electrode layer, compared to the existing partition wall formed using the photo mask.

Claims

In the method of forming a partition of the ODL display element,

Forming a silicon nitride film on the substrate;

Performing excimer laser annealing at different intensities in an annealing region that is distinguished into at least one region of the silicon nitride film; And

And wet etching the silicon nitride layer so that only the portion annealed with the excimer laser remains.

The method of claim 1,

And the annealing region is formed of first to third regions.

The method of claim 2,

The excimer laser annealing is performed by increasing the intensity of energy in the order of the second region, the first region, and the third region of the silicon nitride film.

The method of claim 1,

The method of forming a silicon nitride film on the substrate is a partition wall forming method of an LED display device, characterized in that the proceed by the room temperature sputtering method.

The method of claim 1,

The wet etching of the silicon nitride layer is performed by a buffer oxide etchant or a hydrofluoric acid etchant.