KR20070049943A - Method for fabricating the oled display panel - Google Patents

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KR20070049943A
KR20070049943A KR1020050125800A KR20050125800A KR20070049943A KR 20070049943 A KR20070049943 A KR 20070049943A KR 1020050125800 A KR1020050125800 A KR 1020050125800A KR 20050125800 A KR20050125800 A KR 20050125800A KR 20070049943 A KR20070049943 A KR 20070049943A
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변병현
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주식회사 대우일렉트로닉스
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Abstract

분리체(separator)와 절연체(insulator)를 동시에 형성할 수 있는 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법이 제공된다. 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법은 (a)기판 상에 하부전극패턴을 형성하는 단계, (b)하부전극패턴이 형성된 기판 상에 절연체 형성용 포지티브 감광막을 형성하는 단계, (c)포지티브 감광막 상에 분리체 형성용 네가티브 감광막을 형성하는 단계, (d)네가티브 감광막을 역테이프형 분리체가 형성되도록 노광하고, 노광후 열처리를 실시하는 단계, (e)분리체 패턴 사이의 포지티브 감광막 중 절연체가 형성될 영역을 부분을 제외한 부분을 노광하는 단계, 및 (f)노광된 포지티브 감광막 및 네가티브 감광막을 현상하여 분리체 및 분리체 하부에 화소영역을 정의하는 절연체를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an LED display panel capable of simultaneously forming a separator and an insulator is provided. The method of manufacturing an LED display panel includes (a) forming a lower electrode pattern on a substrate, (b) forming a positive photoresist film for forming an insulator on a substrate on which a lower electrode pattern is formed, and (c) on a positive photoresist film. Forming a negative photosensitive film for forming a separator, (d) exposing the negative photosensitive film to form a reverse tape type separator, and performing a post-exposure heat treatment, and (e) forming an insulator in the positive photosensitive film between the separator patterns. Exposing a portion excluding the region, and (f) developing the exposed positive photoresist and negative photoresist to form an insulator and an insulator defining a pixel region under the separator.

오엘이디, OLED, 분리체, 절연체, 네가티브 감광막, 포지티브 감광막 OLED, OLED, Separator, Insulator, Negative Photoresist, Positive Photoresist

Description

오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법{Method for fabricating the OLED display panel}Method for fabricating the OLED display panel

도 1a 내지 도 1f는 종래의 오엘이디 디스플레이 패널의 제조공정을 나타내는 단면도이다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional LED display panel.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.2A through 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an LED display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

200: 기판 210: 하부전극패턴200: substrate 210: lower electrode pattern

220: 절연체 221: 포지티브 감광막220: insulator 221: positive photosensitive film

230: 분리체 231: 네가티브 감광막230: Separator 231: negative photosensitive film

본 발명은 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상 세하게는 분리체(separator)와 절연체(insulator)를 한번의 현상공정으로 형성할 수 있어 공정효율을 향상시키고 공정비용을 감소할 수 있는 오엘이디 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an LED display panel, and more specifically, a separator and an insulator can be formed in one development process, thereby improving process efficiency and reducing process costs. The present invention relates to a manufacturing method of an LED display panel.

오엘이디(OLED)라 함은 Organic Light Emitting Diode의 약자로서 발광성(luminescent) 유기화합물을 전기적으로 여기시켜(excited) 발광시키는 자발광형 디스플레이를 말한다.OLED stands for Organic Light Emitting Diode, and refers to a self-luminous display that emits light by electrically exciting a luminescent organic compound.

오엘이디는 낮은 전압에서 구동이 가능하고 박형화, 광시야각, 빠른 응답속도 등 LCD에서 문제로 지적되고 있는 결점을 해소할 수 있으며, 다른 디스플레이 소자에 비해 중형 이하에서는 TFT-LCD와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있다는 점과 제조 공정이 단순하여 향후 가격 경쟁에서 유리하다는 등의 장점을 가진 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.OLED can be operated at low voltage and eliminates the drawbacks of LCDs such as thinning, wide viewing angles, and fast response speeds.It is equivalent to or better than TFT-LCD in medium size and lower than other display devices. It is attracting attention as a next-generation display that has advantages such as being able to have a simple manufacturing process and advantageous in future price competition.

이러한 오엘이디는 투명 유리 기판 상에 양전극으로서 ITO 투명 전극 패턴이 형성되어 있는 형태를 가진 하판과 기판 상에 음전극으로서 금속 전극이 형성되어 있는 상판 사이의 공간에 유기 발광성 소재가 형성되어, 상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 소정의 전압이 인가될 때 유기 발광성 소재에 전류가 흐르면서 빛을 발광하는 성질을 이용하는 디스플레이 장치이다.The OLED is formed of an organic luminescent material in a space between a lower plate having a form in which an ITO transparent electrode pattern is formed as a positive electrode on a transparent glass substrate and an upper plate in which a metal electrode is formed as a negative electrode on the substrate. And a display device that emits light while a current flows through the organic light emitting material when a predetermined voltage is applied between the metal electrode and the metal electrode.

도 1a 내지 도 1f는 종래의 오엘이디 디스플레이 패널의 제조공정을 나타내는 단면도이다.1A to 1F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional LED display panel.

오엘이디 디스플레이 패널을 제조하기 위해서는 먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 하부전극패턴(110)을 형성한다.In order to manufacture an LED display panel, first, a lower electrode pattern 110 is formed on a substrate 100 as shown in FIG. 1A.

다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이 절연체(insulator) 형성용 포지티브 감광막(positive photoresistor)을 형성하고, 도 1c에 도시된 바와 같이 노광(exposure) 및 현상(development) 공정을 거쳐 절연체(120)를 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 1B, a positive photoresistor for forming an insulator is formed, and the insulator 120 is subjected to an exposure and development process as shown in FIG. 1C. Form.

그 후, 도 1d에 도시된 바와 같이 절연체(120) 상에 콘포말(conformal)하게 분리체(separator) 형성용 네가티브 감광막(negative photoresistor)을 형성하고, 도 1e에 도시된 바와 같이 분리체(130)의 패턴대로 노광하는 공정 및 도 1f에 도시된 바와 같이 현상 공정을 거쳐 분리체(130)을 완성하게 된다.Thereafter, a negative photoresistor for forming a separator is formed conformally on the insulator 120 as shown in FIG. 1D, and the separator 130 is shown in FIG. 1E. Separator 130 is completed through a process of exposing as a pattern of) and a developing process as shown in FIG. 1F.

상기에서 설명한 바와 같이 종래의 오엘이디 디스플레이 패널의 제조공정은 절연체(120)와 분리체(130)를 각각 별도의 단계에서 형성하기 때문에, 이들 각각을 형성하기 위하여 적어도 2회의 노광 및 현상공정을 필요로 하게 된다.As described above, the conventional process of manufacturing an LED display panel forms the insulator 120 and the separator 130 in separate steps, and thus requires at least two exposure and development processes to form each of them. Done.

일반적으로 반도체 공정 또는 디스플레이 소자 제조공정에 있어서 노광 또는 현상 공정을 하나 줄일 경우 약 10% 이상의 공정효율의 증가를 가져오게 되며, 이는 제조단가의 하락으로 이어지게 된다.In general, reducing one exposure or development process in a semiconductor or display device manufacturing process results in an increase in process efficiency of about 10% or more, which leads to a decrease in manufacturing cost.

따라서, 본 발명에서는 종래에 오엘이디 디스플레이 패널을 제조함에 있어서, 특히 분리체(separator)와 절연체(insulator)를 한 번의 단계에서 동시에 형성할 수 있는 기술을 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention is to provide a technology that can form a separator and an insulator at the same time in one step in the conventional manufacturing of the LED display panel.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 분리체(separator)와 절연체(insulator)를 한번의 현상공정으로 동시에 형성할 수 있는 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a method for manufacturing an OLED display panel, which can simultaneously form a separator and an insulator in a single development process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법은 (a)기판 상에 하부전극패턴을 형성하는 단계, (b)하부전극패턴이 형성된 기판 상에 절연체 형성용 포지티브 감광막을 형성하는 단계, (c)포지티브 감광막 상에 분리체 형성용 네가티브 감광막을 형성하는 단계, (d)네가티브 감광막을 역테이프형 분리체가 형성되도록 노광하고, 노광후 열처리를 실시하는 단계, (e)분리체 패턴 사이의 포지티브 감광막 중 절연체가 형성될 영역을 부분을 제외한 부분을 노광하는 단계, 및 (f)노광된 포지티브 감광막 및 네가티브 감광막을 현상하여 분리체 및 분리체 하부에 화소영역을 정의하는 절연체를 형성하는 단계를 포함한다.In order to solve the above technical problem, a method of manufacturing an LED display panel according to an embodiment of the present invention includes (a) forming a lower electrode pattern on a substrate, and (b) forming an insulator on the substrate on which the lower electrode pattern is formed. Forming a positive photosensitive film for use, (c) forming a negative photosensitive film for forming a separator on the positive photosensitive film, (d) exposing the negative photosensitive film to form an inverse tape type separator, and performing a post-exposure heat treatment, (e) exposing a portion of the positive photoresist film between the separator patterns except for a portion of the region where the insulator is to be formed, and (f) developing the exposed positive photoresist film and the negative photoresist film to form a pixel region under the separator and the separator. Forming an insulator to define.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형 태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only these embodiments are intended to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

또한, 도면에서 층과 막 또는 영역들의 크기 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어 기술된 것이며, 어떤 막 또는 층이 다른 막 또는 층의 "상에" 형성된다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막 또는 층이 상기 다른 막 또는 층의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막 또는 층이 개재될 수도 있다.In addition, in the drawings, the size and thickness of layers and films or regions are exaggerated for clarity of description, and when any film or layer is described as being formed "on" of another film or layer, It may be directly on top of the other film or layer, and a third other film or layer may be interposed therebetween.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.2A through 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an LED display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널을 제조하기 위해서는 먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 기판(200) 상에 하부전극패턴(210)을 형성한다.In order to manufacture an LED display panel according to an embodiment of the present invention, first, as shown in FIG. 2A, a lower electrode pattern 210 is formed on a substrate 200.

기판(200)은 본 발명의 오엘이디 디스플레이 패널(20)의 베이스층(base layer)이 되는 것으로, 하부발광형(bottom emission)과 양방향발광형(dual emission) 오엘이디 디스플레이 패널의 경우에는 유리로 된 투명기판이 사용되고, 상부발광형(top emission)의 경우에는 실리콘기판이 사용된다.The substrate 200 becomes a base layer of the OLED display panel 20 of the present invention, and in the case of a bottom emission type and a dual emission OLED display panel, the substrate 200 is made of glass. Transparent substrates are used, and in the case of top emission, silicon substrates are used.

하부전극패턴(210)은 애노드(anode)로 사용되는 전극으로서 상기 기판(200)에 스트라이프(stripe) 패턴을 가지고 형성된다.The lower electrode pattern 210 is an electrode used as an anode and is formed with a stripe pattern on the substrate 200.

하부전극패턴(210)은 하부발광형과 양방향발광형의 경우에는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명재질로 형성되나, 상부발광형의 경우에는 금속재질을 이용하여 형성된다.The lower electrode pattern 210 is formed of a transparent material such as indium tin oxide (ITO) in the case of the bottom emission type and the bidirectional emission type, but is formed using a metal material in the case of the top emission type.

하부전극패턴(210)을 형성하기 위해서는 기판(200) 상에 전체적으로 전도성물질을 도포하고 이를 일정한 패턴을 가지도록(스트라이프 패턴) 포토-에칭 공정을 이용하여 패터닝해 주게 된다.In order to form the lower electrode pattern 210, a conductive material is coated on the entire substrate 200 and patterned using a photo-etching process to have a predetermined pattern (stripe pattern).

다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 하부전극패턴(210)이 형성된 투명기판(200) 상에 절연체 형성용 포지티브 감광막(positive photoresistor;221)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 2B, a positive photoresistor 221 for forming an insulator is formed on the transparent substrate 200 on which the lower electrode pattern 210 is formed.

포지티브 감광막(221)은 노광 단계에서 빛을 받는 부분의 구조가 약해져(softening) 현상공정 시 제거가 되는 감광막을 말한다.The positive photoresist film 221 refers to a photoresist film which is removed during a development process by softening a structure of a portion receiving light in an exposure step.

포지티브 감광막(221)은 일반적으로 스핀코팅(spin coating)을 이용하여 도포된다.The positive photoresist film 221 is generally applied using spin coating.

다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이 포지티브 감광막(221) 상에 분리체(separator) 형성용 네가티브 감광막(231)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 2C, a negative photosensitive film 231 for forming a separator is formed on the positive photosensitive film 221.

네가티브 감광막(231)은 노광 단계에서 빛을 받는 부분의 구조가 강해져(hardening) 현상공정 시 빛을 받지 않은 부분이 제거되는 감광막을 말한다.The negative photosensitive film 231 refers to a photosensitive film in which a portion of the portion that is not lighted during the development process is removed by hardening the structure of the portion receiving the light in the exposure step.

다만, 이러한 네가티브 감광막(231)은 빛을 받은 부분이라고 무조건 현상공정에서 제거되는 것이 아니라, 노광 후 열처리(Post Exposure Baking; PEB) 공정을 거쳐 노광된 부분의 고분자 감광막에 크로스링크(cross-link)가 일어나야 현상공정시 제거되지 않는 막으로 변하게 된다. 따라서, 네가티브 감광막(231)에서 빛을 받은 부분이라도 노광후 열처리 공정을 거치지 않게 되면 현상 공정시 제거된다.However, the negative photoresist film 231 is a light-received portion and is not removed in the development process unconditionally, but cross-linked to the polymer photoresist film of the exposed portion through a post exposure baking (PEB) process. Must occur to become a film that is not removed during the development process. Therefore, even if the portion of the negative photosensitive film 231 that receives the light does not go through the post-exposure heat treatment process is removed during the development process.

그리고, 상기의 포지티브 감광막(221) 및 네가티브 감광막(231)을 형성하는 공정 후에, 약 90~120℃의 온도에서 소프트 베이킹(soft baking)을 실시하여 액체 상태의 감광막들을 다소 고형화(solidification)된 상태로 만들어 주는 단계를 두는 것이 일반적이다.After the process of forming the positive photoresist film 221 and the negative photoresist film 231, soft baking is performed at a temperature of about 90 ° C. to 120 ° C. to slightly solidify the liquid photoresist films. It is common to have steps to make it into

다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이 포토마스크(photo mask)를 이용하여 네가티브 감광막(231)에 노광을 실시하여, 역테이퍼(reverse taper)형 분리체(230)영역을 형성하여 준다. 이와 같이 노광을 실시한 후 노광후 열처리(PEB) 공정을 실시하여 노광된 분리체(230) 부분의 감광막 고분자에 크로스링크(cross link)를 형성하여 준다.그 결과, 분리체(230) 부분은 현상공정을 거치더라도 제거되지 않는 영역으로 남아 있게 된다.Next, as shown in FIG. 2D, the negative photosensitive film 231 is exposed using a photo mask to form a reverse taper type separator 230. After the exposure is carried out, a post-exposure heat treatment (PEB) process is performed to form a cross link in the photoresist polymer of the exposed separator 230. As a result, the separator 230 is developed. The process remains as an area that cannot be removed.

다음으로, 도 2e에 도시된 바와 같이 분리체(230) 사이의 포지티브 감광막(221) 중 절연체가 형성될 영역(분리체 하부)을 제외한 부분(이 부분은 후에 화소영역으로 정의됨)에 노광을 실시한다.Next, as shown in FIG. 2E, exposure is performed to a portion of the positive photoresist film 221 between the separators 230, except for a region where the insulator is to be formed (under the separator), which is later defined as a pixel region. Conduct.

이때, 노광은 네가티브 감광막(231)을 통해 포지티브 감광막(221) 중 하부전극패턴(210)과 접하는 영역까지 충분히 깊숙히 노광이 진행되며, 그 결과 노광된 포지티브 감광막(221)의 영역은 구조가 약해(softening)지게 된다.At this time, the exposure is exposed deep enough to the area of the positive photoresist layer 221 in contact with the lower electrode pattern 210 through the negative photoresist layer 231. As a result, the exposed region of the positive photoresist layer 221 has a weak structure ( softening).

다만, 본 노광공정 단계는 네가티브 감광막(231)을 통해서 이루어지게 되므로, 네가티브 감광막(231)도 빛을 받아 그 구조가 강해질(hardening) 수 있으나, 앞서 설명한 바와 같이 본 단계에서는 노광후 열처리(PEB) 공정을 거치지 않기 때문에, 본 단계의 노광에 의해 빛에 노출된 네가티브 감광막(231)은 후에 현상공정 에서 제거될 수 있다.However, since the exposure process step is performed through the negative photoresist film 231, the negative photoresist film 231 may also receive light to harden its structure, but as described above, in this step, post-exposure heat treatment (PEB) Since the process is not performed, the negative photosensitive film 231 exposed to light by the exposure of this step can be later removed in the developing process.

다음으로, 도 2f에 도시된 바와 같이 현상공정(development)을 통해 강하지 않은 조직의 네가티브 감광막(231) 및 포지티브 감광막(221)을 제거해준다.Next, as shown in FIG. 2F, the negative photoresist film 231 and the positive photoresist film 221 of the non-strong tissue are removed through a development process.

네가티브 감광막(231) 중 노광 및 노광 후 열처리 공정을 거친 분리체(230) 부분은 남게 되고, 노광공정후 열처리 공정을 거치지 않은 부분은 제거된다.The portion of the negative electrode 230 which has undergone the exposure and post-exposure heat treatment steps of the negative photoresist film 231 remains, and the portion not subjected to the heat treatment process after the exposure process is removed.

포지티브 감광막(221) 중 빛을 받은 부분은 제거되고, 분리체(230) 하부의 빛을 받지 않은 부분은 남아 있게 되며, 분리체(230) 하부의 빛을 받지 않은 포지티브 감광막(221)부분은 절연체(insulator; 220)가 된다.The light-receiving portion of the positive photoresist film 221 is removed, and the light-received portion of the lower portion of the separator 230 remains, and the portion of the positive photoresist film 221 not receiving the light under the separator 230 is an insulator. (insulator; 220).

그 후, 약 100~130℃의 온도에서 하드 베이킹(hard baking) 해주는 단계를 거쳐 보다 단단한 조직의 분리체(230) 및 절연체(220)를 얻을 수 있다.Thereafter, a hard baking step may be performed at a temperature of about 100 to 130 ° C. to obtain a separator 230 and an insulator 220 having a harder structure.

마지막으로, 하드 베이킹을 완료한 후 포지티브 감광막(221) 및 네가티브 감광막(231)에 잔류하는 이물질, 예컨대 수분 또는 유기물들을 완전히 제거해주기 위해 약 200~300℃의 오븐(oven)에서 큐어링(curing) 해주는 단계를 거치게 되면, 본 발명에 의한 분리체(230) 및 절연체(220)가 완성된다.Finally, curing is completed in an oven at about 200 ° C. to 300 ° C. to completely remove foreign substances, such as moisture or organic substances, remaining in the positive photoresist 221 and the negative photoresist 231 after the hard baking is completed. When the step is performed, the separator 230 and the insulator 220 according to the present invention are completed.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments but may be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법에 의하면 분리체(separator)와 절연체(insulator)를 한번의 현상공정만으로 형성할 수 있어 공정효율을 높일 수 있고, 이로 인해 제조단가의 하락이 가능해 진다.According to the method of manufacturing an OLED display panel according to an embodiment of the present invention, a separator and an insulator can be formed in only one developing process, thereby increasing process efficiency, and thus, a decrease in manufacturing cost. It becomes possible.

Claims (3)

(a) 기판 상에 하부전극패턴을 형성하는 단계;(a) forming a lower electrode pattern on the substrate; (b) 상기 하부전극패턴이 형성된 상기 기판 상에 절연체 형성용 포지티브 감광막을 형성하는 단계;(b) forming a positive photoresist film for forming an insulator on the substrate on which the lower electrode pattern is formed; (c) 상기 포지티브 감광막 상에 분리체 형성용 네가티브 감광막을 형성하는 단계;(c) forming a negative photosensitive film for forming a separator on the positive photosensitive film; (d) 상기 네가티브 감광막을 역테이프형 분리체가 형성되도록 노광하고, 노광후 열처리를 실시하는 단계;(d) exposing the negative photosensitive film to form a reverse tape type separator and performing post-exposure heat treatment; (e) 상기 분리체 사이의 상기 포지티브 감광막 중 절연체가 형성될 영역을 부분을 제외한 부분을 노광하는 단계; 및(e) exposing a portion of the positive photoresist film between the separators except for a portion of the region where an insulator is to be formed; And (f) 노광된 상기 포지티브 감광막 및 네가티브 감광막을 현상하여 분리체 및 상기 분리체 하부에 화소영역을 정의하는 절연체를 형성하는 단계를 포함하는 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법.and (f) developing the exposed positive photoresist film and the negative photoresist film to form a separator and an insulator defining a pixel region under the separator. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (b)단계와, 상기 (c) 단계 후에 90~120℃의 온도에서 소프트 베이킹 해주는 단계를 두는 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법.And (b) and soft baking at a temperature of 90 ° C. to 120 ° C. after the step (c). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 (f) 단계 후에 100~130℃의 온도에서 하드 베이킹 해주는 단계; 및Performing hard baking at a temperature of 100 to 130 ° C. after the step (f); And 상기 감광막들에 잔류하는 이물질을 제거해 주기 위해 200~300℃의 오븐에서 큐어링 해주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 패널의 제조방법.The method of manufacturing an LED display panel further comprising the step of curing in an oven at 200 ~ 300 ℃ to remove the foreign matter remaining in the photosensitive film.
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