KR20070043473A - Reflective-transmissive type display substrate, and liquid crystal display having the same - Google Patents

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Abstract

표시 품질을 향상시키기 위한 반사-투과형 표시 기판 및 이를 구비한 액정 표시 패널이 개시된다. 화소부는 제1 광을 투과하는 투과 영역과 제2 광을 반사하는 반사 영역을 갖는다. 스위칭 소자는 화소부에 형성되어 게이트 배선과 소스 배선에 연결된다. 투명 전극은 스위칭 소자와 전기적으로 연결되어 화소부에 형성된다. 반사 전극은 반사 영역에 대응하는 투명 전극 위에 형성된다. 보호막은 반사 전극 위에 절연물질로 형성되어, 반사 영역과 투과 영역의 전위를 서로 다르게 한다. 이에 따라서, 반사 영역에 보호막을 형성함으로써 이중 전극 구조를 구현하여 제조 공정을 간단화 할 수 있고, 단일 셀 갭 구조를 갖으면서도 이중 셀갭 구조와 유사한 광 특성을 낼 수 있다. A reflection-transmissive display substrate and a liquid crystal display panel having the same for improving display quality are disclosed. The pixel portion has a transmission region that transmits the first light and a reflection region that reflects the second light. The switching element is formed in the pixel portion and connected to the gate wiring and the source wiring. The transparent electrode is electrically connected to the switching element and formed in the pixel portion. The reflective electrode is formed on the transparent electrode corresponding to the reflective region. The protective film is formed of an insulating material on the reflective electrode, so that the potentials of the reflective and transmissive regions are different. Accordingly, by forming a protective film in the reflective region, a double electrode structure may be implemented to simplify the manufacturing process, and may have optical characteristics similar to those of the double cell gap structure while having a single cell gap structure.

보호막, 반사 전극, AMO, 반사부, 투과부, VA모드, 이중 전극 Protective film, reflective electrode, AMO, reflector, transmissive part, VA mode, double electrode

Description

반사-투과형 표시 기판 및 이를 구비한 액정 표시 패널{REFLECTIVE-TRANSMISSIVE TYPE DISPLAY SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING THE SAME}REFLECTIVE-TRANSMISSIVE TYPE DISPLAY SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING THE SAME}

도 1은 종래의 이중 전극 방식의 반사-투과형 액정 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional double-electrode reflection-transmissive liquid crystal display device.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사-투과형 액정 표시 패널을 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 대향 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 4A to 4C are process diagrams for describing a method of manufacturing the opposing substrate illustrated in FIG. 3.

도 5a 내지 도 5c는 도 3에 도시된 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 5A through 5C are process diagrams for describing a method of manufacturing the display substrate illustrated in FIG. 3.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 표시 기판 104 : 유기막100 display substrate 104 organic film

155, 165 : 제1,제2 스위칭소자 156 : 콘택홀155, 165: first and second switching elements 156: contact hole

157, 167 : 제1, 제2 투과 전극 158, 168 : 제1, 제2 반사 전극157 and 167: first and second transmission electrodes 158 and 168: first and second reflection electrodes

159 : 보호막 200 : 대향 기판159: protective film 200: opposing substrate

220 : 컬러필터층 240 : 공통 전극220: color filter layer 240: common electrode

300 : 액정층 LH : 라이트 홀300: liquid crystal layer LH: light hole

RA : 반사 영역 TA : 투과 영역 RA: reflection area TA: transmission area

본 발명은 반사-투과형 표시 기판 및 이를 구비한 액정 표시 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광효율을 최적화하고 제조 공정을 간단하게 하기 위한 표시 기판 및 액정 표시 패널에 관한 것이다. The present invention relates to a reflective-transmissive display substrate and a liquid crystal display panel having the same, and more particularly, to a display substrate and a liquid crystal display panel for optimizing light efficiency and simplifying a manufacturing process.

일반적으로 반사-투과형 액정 표시 장치는 실내나 외부 광원이 존재하지 않는 어두운 곳에서는 표시소자 자체의 내장 광원을 이용하여 디스플레이하는 투과 모드와, 실외의 고조도 환경에서는 외부의 입사광을 반사시켜 디스플레이하는 반사 모드를 갖는다. In general, the reflection-transmissive liquid crystal display is a transmission mode for displaying in a dark place where an indoor or external light source does not exist, using a built-in light source of the display device itself, and reflecting and displaying external incident light in an outdoor high-light environment. Has a mode.

상기 투과 모드에 대응하는 전압-투과율(V-T) 곡선과 반사 모드에 대응하는 전압-반사율(V-R) 곡선은 서로 다르다. 이에 따라, 반사 영역에서의 셀 갭과 투과 영역에서의 셀 갭을 서로 다르게 형성하여 투과 모드에서의 광 손실을 방지할 수 있는 이중 셀 갭의 반사-투과형 액정 표시 장치가 개발되었다. 그러나, 이러한 이중 셀 갭 방식은 셀 갭의 균일성을 확보하기가 어렵고, 투과 영역의 셀 갭의 절반 정도가 되는 낮은 셀 갭을 갖는 반사 영역에서 대향 기판과 하부 기판이 쇼트되는 불량이 발생할 수 있다.The voltage-transmittance (V-T) curve corresponding to the transmission mode and the voltage-reflectance (V-R) curve corresponding to the reflection mode are different from each other. Accordingly, a double-cell gap reflection-transmissive liquid crystal display device having a cell gap in the reflective region and a cell gap in the transmissive region to prevent light loss in the transmissive mode has been developed. However, such a double cell gap method is difficult to ensure uniformity of the cell gap, and shortage of the opposing substrate and the lower substrate may occur in the reflective region having a low cell gap which is about half of the cell gap of the transmission region. .

도 1은 종래의 이중 전극 방식의 반사-투과형 액정 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional double-electrode reflection-transmissive liquid crystal display device.

도 1을 참조하면, 이중 전극 방식의 반사-투과형 액정 표시 장치는 하부 기판(10), 상기 하부 기판(10)에 대향하여 구비된 대향 기판(50) 및 상기 하부 기판(10)과 대향 기판(50) 사이에 개재된 액정층(40)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a dual-electrode reflection-transmissive liquid crystal display device includes a lower substrate 10, an opposite substrate 50 provided to face the lower substrate 10, and a lower substrate 10 and an opposite substrate ( And a liquid crystal layer 40 interposed therebetween.

상기 하부 기판(10)은 제1 기판(11) 상에 게이트 절연막(14), 유기 절연막(26), 투과 전극(30) 및 반사 전극(32)을 구비한다.The lower substrate 10 includes a gate insulating layer 14, an organic insulating layer 26, a transmissive electrode 30, and a reflective electrode 32 on the first substrate 11.

상기 제1 기판(11) 상에는 다수의 박막 트랜지스터(도시하지 않음)가 구비된다. 상기 게이트 절연막(14)은 상기 박막 트랜지스터를 형성하는 구성 요소의 하나로서 상기 제1 기판(11) 상에 형성된다.A plurality of thin film transistors (not shown) are provided on the first substrate 11. The gate insulating layer 14 is formed on the first substrate 11 as one of the components forming the thin film transistor.

상기 유기 절연막(26) 상에 상기 유기 절연막(26)을 관통하는 비어홀(도시하지 않음)을 통해 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 투과 전극(30) 및 반사 전극(32)이 순차적으로 적층된다.Transmissive electrodes 30 and reflective electrodes 32 electrically connected to the thin film transistors are sequentially stacked on the organic insulating layer 26 through via holes (not shown) passing through the organic insulating layer 26.

상기 반사 전극(32)은 상기 투과 전극(30) 상에 상기 투과 전극(30)의 일부분을 노출하는 투과창을 갖고 형성된다. 따라서, 반사-투과형 액정 표시 장치는 반사 전극(32)이 구비된 반사 영역(RA)과 투과창이 형성된 투과 영역(TA)으로 구분된다.The reflective electrode 32 is formed with a transmission window exposing a portion of the transmission electrode 30 on the transmission electrode 30. Therefore, the reflection-transmissive liquid crystal display device is divided into a reflection area RA provided with the reflection electrode 32 and a transmission area TA formed with the transmission window.

상기 대향 기판(50)은 제2 기판(51) 상에 컬러 필터층(52), 제1 절연막(56), 공통 전극(58) 및 제2 절연막(60)을 순차적으로 구비한다.The opposing substrate 50 includes a color filter layer 52, a first insulating layer 56, a common electrode 58, and a second insulating layer 60 on the second substrate 51.

상기 컬러필터층(52)은 R(red), G(Green), B(Blue) 색화소를 포함하며, 상기 반사 영역(RA) 내에서 제2 기판(51)을 노출하는 라이트 홀(54)을 갖는다. The color filter layer 52 includes red (R), green (G), and blue (B) color pixels, and includes a light hole 54 exposing the second substrate 51 in the reflection area RA. Have

상기 제1 절연막(56)은 투과 영역(TA)에 대응하여 형성되며, 상기 반사 영역 (RA)에 대응하는 공통 전극(58) 상에는 제2 절연막(60)이 형성된다. 상기 제1 및 제2 절연막(56)은 유기막으로 이루어지며, 동일한 두께로 형성된다. 따라서, 상기 액정층(40)은 상기 반사 영역(RA)과 투과 영역(TA)에서 동일한 셀 갭을 갖는다. The first insulating layer 56 is formed to correspond to the transmission area TA, and the second insulating layer 60 is formed on the common electrode 58 corresponding to the reflection area RA. The first and second insulating layers 56 are formed of an organic layer and have the same thickness. Therefore, the liquid crystal layer 40 has the same cell gap in the reflection area RA and the transmission area TA.

상술한 이중 전극 방식의 반사-투과형 액정 표시 장치는 공통 전극(58)의 단차를 이용하여 반사 전극(32)과 공통 전극(58) 사이의 제1 거리(d1)를 투과 전극(30)과 공통 전극(58) 사이의 제2 거리(d2)보다 크게 유지한다. 따라서, 반사 영역(RA)에 구비된 액정층과 투과 영역(TA)에 구비된 액정층이 서로 다른 전위를 가짐으로써 반사율 및 투과율을 모두 향상시킨다. In the above-described double-electrode reflection-transmissive liquid crystal display device, the first distance d1 between the reflective electrode 32 and the common electrode 58 is shared with the transmission electrode 30 by using the step of the common electrode 58. It is kept larger than the second distance d2 between the electrodes 58. Therefore, the liquid crystal layer provided in the reflection area RA and the liquid crystal layer provided in the transmission area TA have different potentials, thereby improving both reflectance and transmittance.

상기 이중 전극 방식의 반사-투과형 액정 표시 장치는 공통 전극(58)의 단차를 형성하기 위해 대향 기판(50)에 제1 및 제2 유기막(56,60)을 형성하기 위해 두 번이상의 사진 식각 공정이 필요하다. 이에 따라 반사-투과형 액정 표시 장치의 제조 공정이 복잡해지는 문제점을 갖는다. In the dual-electrode reflection-transmissive liquid crystal display, at least two photolithography processes are performed to form the first and second organic layers 56 and 60 on the opposing substrate 50 to form the step of the common electrode 58. The process is necessary. Accordingly, there is a problem that the manufacturing process of the reflection-transmissive liquid crystal display device becomes complicated.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 제조 공정을 간단화 하기 위한 반사-투과형 표시 기판을 제공하는 것이다. Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve this problem, and an object of the present invention is to provide a reflective-transmissive display substrate for simplifying the manufacturing process.

본 발명의 다른 목적은 상기 반사-투과형 표시 기판을 구비한 액정 표시 패널을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel having the reflection-transmissive display substrate.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 기판은 기판 , 화소부, 스위칭 소자, 투명 전극, 반사 전극 및 보호막을 포함한다. 상기 화소부는 제1 광을 투과하는 투과 영역과 제2 광을 반사하는 반사 영역을 갖는다. 상기 스위칭 소자는 상기 화소부에 형성되어 게이트 배선과 소스 배선에 연결된다. 상기 투명 전극은 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되어 상기 화소부에 형성된다. 상기 반사 전극은 상기 반사 영역에 대응하는 상기 투명 전극 위에 형성된다. 상기 보호막은 상기 반사 전극 위에 절연물질로 형성되어 상기 반사 영역과 투과 영역의 전위를 서로 다르게 한다. A display substrate according to an exemplary embodiment for realizing the object of the present invention includes a substrate, a pixel portion, a switching element, a transparent electrode, a reflective electrode, and a protective film. The pixel portion has a transmission region that transmits first light and a reflection region that reflects second light. The switching element is formed in the pixel portion and is connected to a gate line and a source line. The transparent electrode is electrically connected to the switching element and formed in the pixel portion. The reflective electrode is formed on the transparent electrode corresponding to the reflective region. The passivation layer is formed of an insulating material on the reflective electrode to change potentials of the reflective and transmissive regions.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 액정 표시 패널은 표시 기판, 대향 기판 및 액정층을 포함한다. 상기 표시 기판은 제1 광을 투과하는 투과 영역과 제2 광을 반사하는 반사 영역을 갖는 화소부와, 상기 화소부에 형성된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되어 상기 화소부에 형성된 투명 전극과 상기 반사 영역에 대응하는 상기 투명 전극 위에 형성된 반사 전극 및 상기 반사 전극 위에 절연물질로 형성된 보호막을 포함한다. 상기 대향 기판은 상기 표시 기판과 결합하여 액정층을 수용하고, 상기 투명 전극 및 반사 전극과 대향하는 면에 공통전극이 형성된다.A liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment for realizing another object of the present invention includes a display substrate, an opposing substrate, and a liquid crystal layer. The display substrate may include a pixel portion having a transmission region that transmits first light and a reflection region that reflects second light, a switching element formed on the pixel portion, and a transparent portion electrically connected to the switching element. And a reflective electrode formed on an electrode, the reflective electrode corresponding to the reflective region, and a protective film formed of an insulating material on the reflective electrode. The opposing substrate is combined with the display substrate to accommodate the liquid crystal layer, and a common electrode is formed on a surface of the opposing substrate facing the transparent electrode and the reflective electrode.

이러한 반사-투과형 표시 기판 및 이를 구비한 액정 표시 패널에 의하면, 반사 전극 위에 반사 전극과 동시에 패터닝되어 형성된 보호막의 두께 조정을 통해 액정층에 인가되는 반사 영역의 제1 전위와 투과 영역의 제2 전위를 서로 다르게 함으로써 이중 전극 구조를 구현할 수 있다. 이에 의해 기존의 이중 전극 구조를 갖는 반사-투과형 액정표시장치보다 간단한 제조 공정을 가질 수 있다. According to the reflection-transmissive display substrate and the liquid crystal display panel having the same, the first potential of the reflective region and the second potential of the transmissive region applied to the liquid crystal layer by adjusting the thickness of the protective film formed by patterning the reflective electrode on the reflective electrode at the same time. By different from the can be implemented a double electrode structure. As a result, it is possible to have a simpler manufacturing process than a reflection-transmissive liquid crystal display having a conventional double electrode structure.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반사-투과형 액정 표시 패널에 대한 평면도이다. 2 is a plan view of a reflective-transmissive liquid crystal display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 반사-투과형 액정 표시 패널은 서로 인접한 제1 화소부(P1)와 제2 화소부(P2)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the reflection-transmissive liquid crystal display panel includes a first pixel portion P1 and a second pixel portion P2 adjacent to each other.

상기 제1 화소부(P1)는 서로 인접한 소스 배선들(DLm-1, DLm)과 게이트 배선(GLn-1, GLn)에 의해 정의된다. The first pixel portion P1 is defined by the source lines DLm-1 and DLm and the gate lines GLn-1 and GLn adjacent to each other.

상기 제1 화소부(P1)는 표시 기판에 형성된 제1 스위칭 소자(155)와 상기 제1 스위칭 소자(155)와 연결된 제1 투과 전극(157)을 포함한다. 또한, 상기 제1 투과 전극(157) 위의 일부 영역에 제1 반사 전극(158)이 형성되고, 상기 제1 반사 전극(158)에 의해 상기 제1 화소부(P1)는 투과 영역(TA)과 반사 영역(RA)으로 정의된다. 상기 제1 반사 전극(158) 위에는 반사율을 향상시키기 위한 제1 보호막(미도시)이 형성된다. 상기 제1 보호막은 상부의 액정층의 굴절율 보다 큰 절연물질로 형성되며, 바람직하게 상기 절연물질은 이산화 티타늄( TiO₂) 및 이산화 지르코늄( ZrO₂)을 포함한다. 상기 제1 보호막은 제1 반사 전극(158)과 동시에 패터닝되어 형성되며, 제1 보호막의 두께를 통해 액정층에 인가되는 반사 영역(RA)의 제1 전위와 투과 영역(TA)의 제2 전위를 서로 다르게 조정함으로써 이중 전극 구조를 구현한다. The first pixel portion P1 includes a first switching element 155 formed on a display substrate and a first transmission electrode 157 connected to the first switching element 155. In addition, a first reflective electrode 158 is formed in a partial region on the first transmission electrode 157, and the first pixel portion P1 is formed in the transmission region TA by the first reflection electrode 158. And a reflection area RA. A first passivation layer (not shown) is formed on the first reflective electrode 158 to improve reflectance. The first passivation layer is formed of an insulating material larger than the refractive index of the upper liquid crystal layer. Preferably, the insulating material includes titanium dioxide (TiO₂) and zirconium dioxide (ZrO₂). The first passivation layer is patterned and formed simultaneously with the first reflective electrode 158, and the first potential of the reflection region RA and the second potential of the transmission region TA are applied to the liquid crystal layer through the thickness of the first passivation layer. By adjusting the differently to implement a double electrode structure.

상기 제2 화소부(P2)는 서로 인접한 소스 배선들(DLm, DLm+1)과 게이트 배선 들(GLn-1, GLn)에 의해 정의된다. The second pixel portion P2 is defined by source lines DLm and DLm + 1 and gate lines GLn-1 and GLn adjacent to each other.

상기 제2 화소부(P2)는 표시 기판에 형성된 제2 스위칭 소자(165)와 상기 제2 스위칭 소자(165)와 연결된 제2 투과 전극(167)을 포함한다. 또한, 상기 제2 투과 전극(167) 위에 일부 영역에 제2 반사 전극(168)이 형성되고, 상기 제2 반사 전극(168)에 의해 상기 제2 화소부(P2)는 투과 영역(TA)과 반사 영역(RA)으로 정의된다. 상기 제2 반사 전극(168) 위에는 반사율을 향상시키기 위한 제2 보호막(미도시)이 형성된다. 상기 제2 보호막은 상기 제1 보호막과 동일한 재질로 형성된다. The second pixel portion P2 includes a second switching element 165 formed on the display substrate and a second transmission electrode 167 connected to the second switching element 165. In addition, a second reflective electrode 168 is formed on a portion of the second transmission electrode 167, and the second pixel portion P2 is formed by the second reflection electrode 168. It is defined as the reflection area RA. A second passivation layer (not shown) is formed on the second reflection electrode 168 to improve reflectance. The second passivation layer is formed of the same material as the first passivation layer.

상기 제2 보호막은 제2 반사 전극(168)과 동시에 패터닝되어 형성되며, 상기 제2 보호막의 두께를 통해 액정층에 인가되는 제2 화소부(P2)의 반사 영역(RA)의 제1 전위와 투과 영역(TA)의 제2 전위를 서로 다르게 조정하여 이중 전극 구조를 구현한다. The second passivation layer is formed at the same time as the second reflection electrode 168 and is formed, and the first potential of the reflection region RA of the second pixel portion P2 applied to the liquid crystal layer through the thickness of the second passivation layer. The second potential of the transmission area TA is adjusted differently to implement the double electrode structure.

상기 제1 및 제2 화소부(P1, P2)에는 공통으로 연결된 스토리지 공통배선(STL)이 형성된다. 상기 스토리지 공통배선(STL)은 상기 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)을 각각 커버하도록 형성된다. The storage common wiring STL is commonly connected to the first and second pixel units P1 and P2. The storage common line STL is formed to cover the source lines DLm-1, DLm, and DLm + 1, respectively.

상기 제1 및 제2 화소부(P1, P2)의 반사 영역(RA)에는 라이트 홀(LH)이 형성된다. 상기 라이트 홀(LH)은 후면으로부터 출사되는 광을 그대로 투과시킴으로써 투과광과 반사광의 휘도차를 보상한다. 즉, 반사 영역(RA)에 입사된 외부광을 상기 제1 및 제2 반사 전극(158, 168)에 의해 반사되어 컬러필터 패턴을 여러 번 통과하게 되는 반면, 상기 투과 영역(TA)에 입사된 내부광은 컬러필터 패턴을 한번 통과하게 된다. 이에 의해 상대적으로 반사 영역(RA)의 광은 상기 컬러필터 패턴을 여 러 번 통과함에 따라 휘도가 저하되며, 상기 라이트 홀(LH)은 저하된 휘도를 보상한다. Light holes LH are formed in the reflective regions RA of the first and second pixel units P1 and P2. The light hole LH compensates for the luminance difference between the transmitted light and the reflected light by transmitting the light emitted from the rear surface as it is. That is, the external light incident on the reflective area RA is reflected by the first and second reflective electrodes 158 and 168 to pass through the color filter pattern several times, while the incident light is incident on the transmissive area TA. The internal light passes through the color filter pattern once. As a result, the light in the reflective area RA passes through the color filter pattern several times, and the luminance decreases, and the light hole LH compensates for the decreased luminance.

도 3는 도 2에 도시된 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 반사-투과형 액정 표시 패널은 표시 기판(100), 상기 표시 기판(100)에 대향하는 대향 기판(200), 상기 표시 기판과 대향 기판(100, 200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다. 2 and 3, the reflective-transmissive liquid crystal display panel includes a display substrate 100, an opposing substrate 200 facing the display substrate 100, and a gap between the display substrate and the opposing substrates 100 and 200. It includes a liquid crystal layer 300 interposed therein.

상기 표시 기판(100)은 제1 베이스 기판(101)을 포함한다. The display substrate 100 includes a first base substrate 101.

상기 제1 베이스 기판(101) 위에는 게이트 금속패턴으로 스위칭 소자들(155, 165)의 게이트 전극들(151, 161)과, 스토리지 공통배선(170) 및 게이트 배선(GLn)이 형성된다. 상기 스토리지 공통배선(170)은 상기 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)을 충분히 덮을 수 있는 크기로 형성됨에 따라 상기 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)에 대응하여 대향 기판(200)에 형성되는 차광패턴을 형성하지 않을 수도 있다. The gate electrodes 151 and 161 of the switching elements 155 and 165, the storage common line 170 and the gate line GLn are formed on the first base substrate 101 in a gate metal pattern. The storage common wiring 170 is formed to have a size enough to cover the source wirings DLm-1, DLm, and DLm + 1, and thus corresponds to the source wirings DLm-1, DLm, and DLm + 1. As a result, the light shielding pattern formed on the counter substrate 200 may not be formed.

상기 게이트 금속패턴 위에는 게이트 절연층(102)이 형성되고, 게이트 절연층(102) 위에 아몰퍼스 실리콘층(152a) 및 인 시튜(in-situ)도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘층(152b)을 순차적으로 형성하여 채널층(152)을 형성한다. 도시되지는 않았으나, 제2 스위칭 소자의 채널층도 형성된다. A gate insulating layer 102 is formed on the gate metal pattern, and an amorphous silicon layer 152a and an in-situ doped n + amorphous silicon layer 152b are sequentially formed on the gate insulating layer 102. The channel layer 152 is formed. Although not shown, a channel layer of the second switching element is also formed.

상기 채널층(152) 위에 소스 금속패턴이 형성된다. 상기 소스 금속패턴은 스위칭 소자들(155, 165)의 소스 전극들(153, 163)과, 드레인 전극들(154, 164) 및 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)을 포함한다.A source metal pattern is formed on the channel layer 152. The source metal pattern includes source electrodes 153 and 163 of the switching elements 155 and 165, drain electrodes 154 and 164, and source wirings DLm-1, DLm, and DLm + 1. .

상기 소스 금속패턴 위에 패시베이션층(103)을 형성하고 상기 패시베이션층 위에 상기 유기막(104)을 순차적으로 형성한다. The passivation layer 103 is formed on the source metal pattern, and the organic layer 104 is sequentially formed on the passivation layer.

상기 유기막(104)에는 상기 드레인 전극들(154, 164)의 일부영역을 각각 노출시키는 콘택홀들(156, 166)이 형성된다. Contact holes 156 and 166 exposing partial regions of the drain electrodes 154 and 164 are formed in the organic layer 104, respectively.

상기 유기막(104) 위에는 투과 전극들(157, 167)이 형성된다. 일반적으로 각각의 투과 전극은 하나의 화소 영역 전체에 걸쳐 형성하거나, 혹은 투과 영역에 대응하여 일부 영역에 형성할 수 있다. 상기 투과 전극은 광을 투과시키는 투명 전극으로서, 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide;ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide;IZO) 물질이 사용된다. Transmissive electrodes 157 and 167 are formed on the organic layer 104. In general, each transmission electrode may be formed over one pixel area or may be formed in a partial area corresponding to the transmission area. The transparent electrode is a transparent electrode that transmits light, and indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) materials are used.

상기 투과 전극들(157, 167) 위에는 반사 전극들(158, 168)이 형성된다. 상기 반사 전극들(158, 168)은 광을 반사시키는 일종의 금속패턴으로 은-몰리브덴 합금(Ag-Mo alloy)이 사용된다. Reflective electrodes 158 and 168 are formed on the transmissive electrodes 157 and 167. The reflective electrodes 158 and 168 are a kind of metal pattern that reflects light, and a silver-molybdenum alloy is used.

상기 반사 전극들(158, 168)위에는 보호막이 형성된다. 상기 반사 전극(158) 위에 형성된 상기 보호막(159)은 상기 액정층(300)의 굴절율 보다 큰 절연물질로 형성되며, 바람직하게 이산화 티타늄( TiO₂) 및 이산화 지르코늄( ZrO₂)을 포함한다. 상기 보호막은 반사 전극과 동시에 패터닝하기 위해 상기 반사 전극(158)의 식각액인 인산, 질산, 초산 ,옥살산 등에 의해 식각 가능한 재질로 형성한다.A passivation layer is formed on the reflective electrodes 158 and 168. The passivation layer 159 formed on the reflective electrode 158 is formed of an insulating material larger than the refractive index of the liquid crystal layer 300, and preferably includes titanium dioxide (TiO₂) and zirconium dioxide (ZrO₂). The protective layer is formed of a material which can be etched by phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, oxalic acid, etc., which are etching liquids of the reflective electrode 158 to simultaneously pattern the reflective electrode.

상기 보호막(159)은 절연물질로 형성되므로 일정 화소 전압이 화소부(P1)에 인가되었을 때 상기 보호막(159)에 의해 상기 반사 전극(158)과 공통 전극(240)사 이는 상기 소스 배선(DLm)으로 전달된 화소 전압보다 낮은 제1 전위(V1)가 형성되고, 상기 투과 영역의 투과 전극(157)과 공통 전극(240) 사이에는 상기 화소 전압에 대응하는 제2 전위가 형성된다. 결과적으로 반사 영역의 상기 제1 전위(V1)는 투과 영역의 제2 전위 보다 낮다. 이와 같이, 상기 보호막(159)의 두께는 투과 영역의 액정층(300) 위상차 λ/2에 대해 반사 영역의 액정층(300)의 위상차가 λ/4 가 되도록 설계한다. Since the passivation layer 159 is formed of an insulating material, when the predetermined pixel voltage is applied to the pixel portion P1, the source layer DLm is separated between the reflective electrode 158 and the common electrode 240 by the passivation layer 159. A first potential V1 lower than the pixel voltage transferred to the second voltage is formed, and a second potential corresponding to the pixel voltage is formed between the transmission electrode 157 and the common electrode 240 of the transmission region. As a result, the first potential V1 of the reflection area is lower than the second potential of the transmission area. As described above, the thickness of the passivation layer 159 is designed such that the phase difference of the liquid crystal layer 300 in the reflection region becomes λ / 4 with respect to the phase difference λ / 2 in the liquid crystal layer 300 in the transmission region.

또한, 상기 유기막(104)의 표면은 바람직하게 요철 패턴된다. 상기 반사 영역(RA)에 대응하는 요철은 반사 전극들(158, 168)을 마이크로 반사 렌즈 역할을 하여 외부광을 산란시킨다. 하지만, 당업자라면 상기한 유기막의 표면을 평탄화할 수도 있다.In addition, the surface of the organic film 104 is preferably an uneven pattern. The unevenness corresponding to the reflective region RA serves as a micro reflective lens for the reflective electrodes 158 and 168 to scatter external light. However, those skilled in the art may planarize the surface of the organic film described above.

상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(201)을 포함한다. 상기 제2 베이스 기판(201)위에는 차광층(210)이 형성된다. 상기 차광층은 일반적으로 표시 기판(100)의 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)과 게이트 배선(GLn-1, GLn)에 대응하는 영역에 형성된다.The opposing substrate 200 includes a second base substrate 201. The light blocking layer 210 is formed on the second base substrate 201. The light blocking layer is generally formed in regions corresponding to the source wirings DLm-1, DLm, and DLm + 1 and the gate lines GLn-1 and GLn of the display substrate 100.

여기서는 상기 소스 배선들의 아래에 형성된 스토리지 공통배선(170)이 상기 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1) 각각을 충분히 커버할 수 있는 정도의 크기로 형성됨에 따라서, 상기 차광층은 상기 게이트 배선들에 대응하여 형성된다. 물론, 상기 차광층은 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)에 대응하여 형성할 수도 있다. Here, as the storage common wiring 170 formed under the source wirings is formed to a size sufficient to sufficiently cover each of the source wirings DLm-1, DLm, and DLm + 1, the light blocking layer may be formed. It is formed corresponding to the gate wirings. Of course, the light blocking layer may be formed to correspond to the source wirings DLm-1, DLm, and DLm + 1.

상기 차광층이 형성된 제2 베이스 기판(201) 위에 컬러필터층(220)을 형성한다. 상기 컬러필터층(220)은 각각의 화소부에 대응하여 레드, 그린 및 블루 필터패 턴들을 포함한다. The color filter layer 220 is formed on the second base substrate 201 on which the light blocking layer is formed. The color filter layer 220 includes red, green, and blue filter patterns corresponding to each pixel unit.

상기 컬러필터층(220)의 일부분, 즉 상기 반사 영역(RA)에 해당하는 컬러필터층(220)의 일부분에는 상기 컬러필터층(220)이 제거되어 라이트 홀(LH)이 형성된다.The color filter layer 220 is removed from a portion of the color filter layer 220, that is, a portion of the color filter layer 220 corresponding to the reflective region RA, to form a light hole LH.

상기 컬러 필터층(220) 위에는 유기막(230)이 형성되고, 상기 유기막 위에는 공통전극층(240)이 형성된다. The organic layer 230 is formed on the color filter layer 220, and the common electrode layer 240 is formed on the organic layer.

상기 액정층(300)은 상기 표시 기판(100) 및 대향 기판(200) 사이에 형성되는 전기장에 의해 배열각이 변하며, 이에 의해 투과되는 광의 휘도에 의해 영상을 표시한다. 상기 액정층(300)은 상기 표시 기판(100) 및 대향 기판(200)에 등전위가 형성되는 경우 액정 분자가 수직 배향되는 VA(Vertical Alignment) 모드가 바람직하다. The liquid crystal layer 300 has an arrangement angle changed by an electric field formed between the display substrate 100 and the counter substrate 200, and displays an image by the luminance of light transmitted therethrough. The liquid crystal layer 300 preferably has a vertical alignment (VA) mode in which liquid crystal molecules are vertically aligned when the equipotential is formed on the display substrate 100 and the counter substrate 200.

다음의 [표 1]은 보호막의 재질에 따른 굴절률과 두께와의 관계를 나타낸 표이다. [Table 1] is a table showing the relationship between the refractive index and the thickness of the protective film material.

제 1예    Example 1 제 2예   Second example 계산식    formula 입사광의 파장 Wavelength of incident light 500 nm    500 nm 500nm    500 nm 굴절률    Refractive index 2.3    2.3 2.05    2.05 d=[λ/(2*n2)] d = [λ / (2 * n2)] 두께     thickness 1090Å    1090Å 1220Å   1220 yen

상기 [표 1]을 참조하면, 제1 예로서 상기 보호막(159)의 재질이 굴절률이 2.3인 이산화티타늄( TiO₂)으로 형성된 경우, 반사 전극에 입사된 광의 파장(λ)이 500㎚일 때, 상기 보호막의 두께는 표1의 계산식에 의해 1090Å이 된다. Referring to [Table 1], when the material of the protective film 159 is formed of titanium dioxide (TiO₂) having a refractive index of 2.3 as a first example, when the wavelength λ of the light incident on the reflective electrode is 500 nm, The thickness of the protective film is 1090 kPa by the formula shown in Table 1.

또한, 제 2예로서 상기 보호막(159)의 재질이 굴절률이 2.05인 이산화 지르코늄( ZrO₂)으로 형성된 경우, 반사 전극에 입사된 광의 파장(λ)이 500㎚일 때 상기 보호막의 두께는 표1의 계산식에 의해 1220Å이 된다.In addition, as a second example, when the material of the protective film 159 is formed of zirconium dioxide (ZrO₂) having a refractive index of 2.05, the thickness of the protective film is shown in Table 1 when the wavelength λ of the light incident on the reflective electrode is 500 nm. It is 1220 ms by a calculation formula.

상기와 같이 보호막의 두께 조정을 통해 반사 영역의 제1 전위(V1)와 투과 영역의 제2 전위(V2)를 서로 다르게 함으로써, 단일 셀 갭 구조를 유지하면서 이중 전극 구조를 구현할 수 있다.As described above, by adjusting the thickness of the passivation layer, the first potential V1 of the reflection region and the second potential V2 of the transmission region are different from each other, thereby maintaining the single cell gap structure, thereby realizing a double electrode structure.

따라서 기존 이중 전극 구조의 경우는 컬러필터 기판에 절연막을 형성하기 위해 마스크 공정이 2번 추가적으로 필요하였으나, 본 발명은 표시 기판에 보호막을 형성함으로써 마스크 공정 1번만으로도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 따라서 반사-투과형 액정표시장치의 제조 공정을 간단화 할 수 있다. Therefore, in the conventional double electrode structure, the mask process is additionally required twice to form an insulating film on the color filter substrate. However, the present invention can obtain the same effect by only the mask process 1 by forming a protective film on the display substrate. Therefore, the manufacturing process of the reflection-transmissive liquid crystal display device can be simplified.

도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 대향 기판(200)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 4A to 4C are process diagrams for describing a manufacturing method of the counter substrate 200 illustrated in FIG. 3.

먼저, 도 3 및 도 4a를 참조하면, 상기 대향 기판(200)은 제2 베이스 기판(201)을 포함하며, 상기 제2 베이스 기판(201)은 투명한 재질의 유리 기판이 바람직하다. First, referring to FIGS. 3 and 4A, the opposing substrate 200 includes a second base substrate 201, and the second base substrate 201 is preferably a glass substrate made of a transparent material.

상기 차광층인 블랙 매트릭스 패턴(210)은 제2 베이스 기판(201)의 상면에 형성된다. 블랙 매트릭스 패턴(210)은 크롬 박막, 산화 크롬 박막 및 크롬 박막과 실질적으로 동일한 광 흡수율을 갖는 블랙 유기 박막 등으로 이루어질 수 있다.The black matrix pattern 210, which is the light blocking layer, is formed on an upper surface of the second base substrate 201. The black matrix pattern 210 may be formed of a chromium thin film, a chromium oxide thin film, and a black organic thin film having substantially the same light absorption as the chromium thin film.

상기 블랙 매트릭스 패턴(210)은 크롬 박막, 산화 크롬 박막 및 블랙 유기 박막을 사진-식각 공정에 의하여 패터닝함으로써 형성된다. . 패터닝된 블랙 매트릭스 패턴(210)은 상기 표시 기판(100)의 화소부에 대응하는 내부공간을 정의한다. The black matrix pattern 210 is formed by patterning a chromium thin film, a chromium oxide thin film and a black organic thin film by a photo-etch process. . The patterned black matrix pattern 210 defines an internal space corresponding to the pixel portion of the display substrate 100.

다음으로, 도 3 및 도 4b를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스 패턴(210)에 의해 정의된 내부공간에 제2 베이스 기판(201) 위에 칼러필터층(220)을 형성한다. 상기 컬러필터층(220)은 레드필터패턴, 그린필터패턴 및 블루필터패턴을 포함한다. 구체적으로 레드필터패턴은 레드 포토레지스트층을 형성하고 패터닝하여 레드필터패턴을 형성하고, 이어, 그린 필터패턴 및 블루 필터패턴을 순차적으로 형성한다. Next, referring to FIGS. 3 and 4B, the color filter layer 220 is formed on the second base substrate 201 in an inner space defined by the black matrix pattern 210. The color filter layer 220 includes a red filter pattern, a green filter pattern, and a blue filter pattern. In detail, the red filter pattern forms a red photoresist layer and is patterned to form a red filter pattern, followed by sequentially forming a green filter pattern and a blue filter pattern.

이어, 상기 표시 기판(100)의 반사 영역(RA)에 대응하는 상기 컬러필터층(220)의 일부분을 제거하여 라이트 홀(LH)을 형성하며, 투과 영역(TA)에 대응하는 컬러필터층(220)의 두께는 반사 영역(RA)의 컬러필터층(220)보다 상대적으로 두껍게 하여 투과 영역(TA)의 색재현성을 보상하여 상기 투과 영역(TA)과 반사 영역(RA)의 색재현성을 실질적으로 동일하게 한다. Subsequently, a portion of the color filter layer 220 corresponding to the reflective area RA of the display substrate 100 is removed to form a light hole LH, and the color filter layer 220 corresponding to the transmission area TA. The thickness of R is relatively thicker than the color filter layer 220 of the reflective area RA to compensate for the color reproducibility of the transmission area TA to substantially equal the color reproducibility of the transmission area TA and the reflection area RA. do.

마지막으로, 도 3 및 도 4c를 참조하면, 상기 컬러필터층(220) 위에 오버 코트층(230)을 형성한다. 상기 오버 코트층(230)이 형성된 제2 베이스 기판(201) 위에 투명 전도성 물질을 형성하여 공통 전극층(240)을 형성한다. 상기 투명 전도성 물질은 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide;ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide;IZO) 물질을 포함한다.Finally, referring to FIGS. 3 and 4C, an overcoat layer 230 is formed on the color filter layer 220. The common electrode layer 240 is formed by forming a transparent conductive material on the second base substrate 201 on which the overcoat layer 230 is formed. The transparent conductive material includes indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) materials.

도 5a 내지 도 5c는 도 3에 도시된 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 5A through 5C are process diagrams for describing a method of manufacturing the display substrate illustrated in FIG. 3.

도 3 및 도 5a를 참조하면, 상기 표시 기판(100)은 제1 베이스 기판(101)을 포함한다. 3 and 5A, the display substrate 100 includes a first base substrate 101.

상기 제1 베이스 기판(101) 위에는 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)과 게이트 배선들(GLn-1, GLn)과, 제1 및 제2 스위칭 소자들(155, 165) 및 스토리지 공통배선(170)이 각각 형성된다.Source wires DLm-1, DLm, DLm + 1 and gate lines GLn-1, GLn, first and second switching elements 155 and 165 are disposed on the first base substrate 101. The storage common wiring 170 is formed, respectively.

상기 스위칭 소자들(155, 165)의 소스 및 드레인 전극들(153, 154, 163, 164)과 소스 배선들(DLm-1, DLm, DLm+1)이 형성된 제1 베이스 기판(101) 위에는 패시베이션층(103)이 형성된다. Passivation is performed on the first base substrate 101 on which the source and drain electrodes 153, 154, 163, and 164 of the switching elements 155 and 165 and the source wirings DLm-1, DLm, and DLm + 1 are formed. Layer 103 is formed.

도 3 및 도 5b를 참조하면, 상기 패시베이션층(103)이 형성된 제1 베이스 기판(101) 위에 유기막(104)을 형성한 후, 상기 드레인 전극들(154, 164)의 일부분의 유기막(104)을 식각하여 콘택홀들(156, 166)을 형성한다. 3 and 5B, after the organic layer 104 is formed on the first base substrate 101 on which the passivation layer 103 is formed, an organic layer (part of the drain electrodes 154 and 164) is formed. 104 is etched to form contact holes 156 and 166.

이후, 상기 유기막(104) 위에 투명 전도성 물질을 형성하고 패터닝하여 화소 전극(157, 167)을 형성한다. 일반적으로 각각의 화소 전극은 하나의 화소 영역 전체에 걸쳐 형성하거나, 혹은 투과 영역에 대응하여 일부 영역에 형성할 수 있다. 상기 투명 도전성 물질은 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide;ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide;IZO) 물질을 포함한다. Thereafter, a transparent conductive material is formed and patterned on the organic layer 104 to form pixel electrodes 157 and 167. In general, each pixel electrode may be formed over an entire pixel area or in a partial area corresponding to the transmission area. The transparent conductive material includes indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) materials.

도 3 및 도 5c를 참조하면, 상기 화소 전극들(157, 167) 위에 반사물질을 형성하고, 패터닝하여 반사 전극들(158, 168)을 반사 영역에 형성한다. 상기 반사물질은 광을 반사시키는 일종의 금속물질로서, 알루미늄, 알루미늄-네오디뮴 합금을 포함한다. 3 and 5C, a reflective material is formed on the pixel electrodes 157 and 167 and patterned to form the reflective electrodes 158 and 168 in the reflective region. The reflective material is a kind of metal material that reflects light, and includes aluminum and aluminum-neodymium alloys.

이후, 상기 반사 전극들(158, 168) 위에 보호막(159)을 형성한다. 상기 보호막은 상부의 액정층(미도시)의 굴절율 보다 큰 절연물질로 형성되며, 상기 절연물질은 이산화 티타늄( TiO₂) 및 이산화 지르코늄( ZrO₂)을 포함한다. Thereafter, a passivation layer 159 is formed on the reflective electrodes 158 and 168. The passivation layer is formed of an insulating material larger than the refractive index of the upper liquid crystal layer (not shown), and the insulating material includes titanium dioxide (TiO₂) and zirconium dioxide (ZrO₂).

한편, 보호막(159)의 절연성으로 인해서 액정층에 인가되는 화소 전압이 반사 영역과 투과 영역에서 상이하게 된다. 상기 보호막(159)의 두께를 조절하여 투과 영역(TA)의 액정층(300)의 위상차는 λ/2에 대해 상기 반사 영역(RA)의 액정층(300)의 위상차가 λ/4 가 되도록 설계한다. On the other hand, due to the insulating property of the protective film 159, the pixel voltage applied to the liquid crystal layer is different in the reflection region and the transmission region. By adjusting the thickness of the passivation layer 159, the phase difference of the liquid crystal layer 300 of the transmission area TA is designed such that the phase difference of the liquid crystal layer 300 of the reflection area RA becomes λ / 4 with respect to λ / 2. do.

본 발명은 보호막(159)의 두께 조정을 통해 반사 영역과 투과 영역의 액정층에 인가되는 전위를 다르게 하여, 단일 셀 갭 구조를 유지하면서 이중 전극 구조를 구현할 수 있다.The present invention may implement a double electrode structure while maintaining a single cell gap structure by varying the potential applied to the liquid crystal layers of the reflective and transmissive regions by adjusting the thickness of the protective layer 159.

따라서 기존 이중 전극 구조의 경우는 컬러필터 기판에 절연막을 형성하기 위해 마스크 공정이 2번 추가적으로 필요하였으나 , 본 발명은 표시 기판에 보호막을 형성함으로써 마스크 공정 1번만으로도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 따라서 반사-투과형 액정 표시 장치의 제조 공정을 간단화 할 수 있다. Therefore, in the conventional double electrode structure, the mask process is additionally required twice to form an insulating film on the color filter substrate. However, the present invention can obtain the same effect by only the mask process 1 by forming a protective film on the display substrate. Therefore, the manufacturing process of the reflection-transmissive liquid crystal display device can be simplified.

더불어, 단일 셀 갭 구조를 갖으면서도 이중 셀갭 구조와 유사한 광 특성을 내어 반사광 특성을 향상시킬 수 있다. In addition, while having a single cell gap structure, it is possible to improve the reflected light characteristics by providing optical characteristics similar to those of the double cell gap structure.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반사-투과형 액정 표시 패널에서 일정 두께를 갖는 보호막(159)을 절연물질로 하여 반사 전극(158) 위에 형성하여 이중 전극 구조의 반사-투과형 액정 표시 장치를 구현할 수 있다.As described above, according to the present invention, a reflective-transmissive liquid crystal display device having a double electrode structure may be formed by forming a protective film 159 having a predetermined thickness as an insulating material on the reflective electrode 158 in the reflective-transmissive liquid crystal display panel. Can be.

이에 의해 기존 이중 전극 구조의 경우는 컬러필터 기판에 절연체를 도입할 경우 마스크 공정이 2번 추가적으로 필요하나 , 본 발명은 표시 기판에 보호막을 형성함으로써 마스크 공정 1번만으로도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 따라서 반사- 투과형 액정표시장치의 제조 공정을 간단화 할 수 있다.  Accordingly, in the case of the existing double electrode structure, when the insulator is introduced into the color filter substrate, the mask process is additionally required twice, but the present invention can obtain the same effect by using only the mask process once by forming a protective film on the display substrate. Therefore, the manufacturing process of the reflection-transmissive liquid crystal display device can be simplified.

더불어, 보호막의 재질에 따른 굴절률과 두께와의 관계를 이용하여 반사 영역(RA)에 구비된 액정층과 투과 영역(TA)에 구비된 액정층이 서로 다른 전위를 가짐으로써 반사율 및 투과율을 모두 향상시킨다. In addition, by using the relationship between the refractive index and the thickness of the protective film material, the liquid crystal layer provided in the reflective region RA and the liquid crystal layer provided in the transmission region TA have different potentials, thereby improving both reflectance and transmittance. Let's do it.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

Claims (9)

제1 광을 투과하는 투과 영역과 제2 광을 반사하는 반사 영역을 갖는 화소부;A pixel portion having a transmission region for transmitting the first light and a reflection region for reflecting the second light; 상기 화소부에 형성되어 게이트 배선과 소스 배선에 연결된 스위칭 소자;A switching element formed in the pixel portion and connected to a gate line and a source line; 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되어 상기 화소부에 형성된 투명 전극;A transparent electrode electrically connected to the switching element and formed in the pixel portion; 상기 반사 영역에 대응하는 상기 투명 전극 위에 형성된 반사 전극; 및 A reflective electrode formed on the transparent electrode corresponding to the reflective region; And 상기 반사 전극 위에 절연물질로 형성되어, 상기 반사 영역과 투과 영역의 전위를 서로 다르게 하는 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 표시 기판.And a passivation layer formed of an insulating material on the reflective electrode so as to have different potentials of the reflective and transmissive regions. 제1항에 있어서, 상기 반사 전극은 은-몰리브덴 합금(Ag-Mo alloy)으로 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 표시 기판.The reflective-transmissive display substrate of claim 1, wherein the reflective electrode is formed of a silver-molybdenum alloy. 제1항에 있어서, 상기 절연 물질은 TiO₂및 ZrO₂를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 표시 기판.The reflective-transmissive display substrate of claim 1, wherein the insulating material comprises TiO 2 and ZrO 2. 제1 광을 투과하는 투과 영역과 제2 광을 반사하는 반사 영역을 갖는 화소부와, 상기 화소부에 형성된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되어 상기 화소부에 형성된 투명 전극과 상기 반사 영역에 대응하는 상기 투명 전극 위에 형성된 반사 전극 및 상기 반사 전극 위에 절연물질로 형성된 보호막을 포함하는 표시 기판; 및 A pixel portion having a transmission region that transmits first light and a reflection region that reflects second light, a switching element formed on the pixel portion, a transparent electrode electrically connected to the switching element, and the reflection portion formed on the pixel portion A display substrate including a reflective electrode formed on the transparent electrode corresponding to an area and a protective film formed of an insulating material on the reflective electrode; And 상기 표시 기판과 결합하여 액정층을 수용하고, 상기 투명 전극 및 반사 전극과 대향하는 면에 공통전극이 형성된 대향 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.And a counter substrate coupled to the display substrate to accommodate a liquid crystal layer and having a common electrode formed on a surface facing the transparent electrode and the reflective electrode. 제4항에 있어서, 상기 액정층은 VA 모드인 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The liquid crystal display panel according to claim 4, wherein the liquid crystal layer is in VA mode. 제4항에 있어서, 상기 반사 영역의 반사 전극과 공통 전극 간의 제1 전위차와 상기 투과 영역의 투명 전극과 공통 전극 간의 제2 전위차는 서로 다른 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflection-transmissive liquid crystal display panel of claim 4, wherein a first potential difference between the reflective electrode of the reflective region and the common electrode and a second potential difference between the transparent electrode of the transparent region and the common electrode are different from each other. 제6항에 있어서, 상기 제2 전위차는 상기 제1 전위차 보다 큰 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.7. The reflection-transmissive liquid crystal display panel of claim 6, wherein the second potential difference is greater than the first potential difference. 제4항에 있어서, 상기 반사 전극은 은-몰리브덴 합금(Ag-Mo alloy)으로 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널The reflective-transmissive liquid crystal display panel of claim 4, wherein the reflective electrode is formed of silver-molybdenum alloy. 제4항에 있어서, 상기 보호막의 굴절율은 상기 액정층 보다 큰 것을 특징으 로 하는 반사-투과형 액정 표시 패널.The reflection-transmissive liquid crystal display panel of claim 4, wherein a refractive index of the passivation layer is larger than that of the liquid crystal layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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