KR20070040655A - Liquid crystal display and the method of fabricating the same - Google Patents

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KR20070040655A KR1020050096216A KR20050096216A KR20070040655A KR 20070040655 A KR20070040655 A KR 20070040655A KR 1020050096216 A KR1020050096216 A KR 1020050096216A KR 20050096216 A KR20050096216 A KR 20050096216A KR 20070040655 A KR20070040655 A KR 20070040655A
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홍성환
손지원
최낙초
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Abstract

잔상을 방지하고, 투과율을 향상시키는 액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는 하부 절연 기판 위에 형성된 화소 전극 및 화소 전극 상에 형성된 컬러 필터를 포함하는 제1 기판, 하부 절연 기판과 대향하는 상부 절연 기판에 화소를 둘 이상으로 분할하는 능선을 포함하며, 능선을 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 멀어질수록 두께가 얇아지는 경사진 구조의 선경사막을 포함하는 제2 기판 및 제1 기판과 제2 기판의 사이에 개재된 액정층을 포함한다.A liquid crystal display device which prevents afterimages and improves transmittance is provided. The liquid crystal display includes a first substrate including a pixel electrode formed on the lower insulating substrate and a color filter formed on the pixel electrode, and a ridge line that divides the pixel into two or more portions on the upper insulating substrate facing the lower insulating substrate. And a second substrate including a pretilt film having an inclined structure that becomes thinner toward both sides or one side toward the center, and a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate.

액정 표시 장치, 선경사막, COA Liquid Crystal Display, Pretilt Film, COA

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{Liquid crystal display and the method of fabricating the same}Liquid crystal display and its manufacturing method {Liquid crystal display and the method of fabricating the same}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치용 제1 기판의 배치도이다.1 is a layout view of a first substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치용 제2 기판의 배치도이다.2A is a layout view of a second substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 IIb-IIb'선을 따라 절단한 단면도이다. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIb-IIb ′ of FIG. 2A.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.3A is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a의 IIIb-IIIb'선을 따라 절단한 단면도이다.3B is a cross-sectional view taken along the line IIIb-IIIb ′ of FIG. 3A.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 제1 기판의 배치도이다.4 is a layout view of a first substrate for a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.5A is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5b는 도 3a의 Vb-Vb'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line Vb-Vb ′ of FIG. 3a.

도 6 내지 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 제1 기판의 단계별 공정 단면도이다. 6 to 8B are cross-sectional views of steps of a first substrate in a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 9a 및 도 9b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 제2 기판의 단계별 공정 단면도이다. 9A and 9B illustrate step-by-step process cross-sectional views of a second substrate in a method of manufacturing a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 10 내지 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 제1 기판의 단계별 공정 단면도이다. 10 through 11B are step-by-step process cross-sectional views of a first substrate in a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

(도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명)(Explanation of symbols about main parts of drawing)

10: 하부 절연 기판 22: 게이트선10: lower insulating substrate 22: gate line

26: 게이트 전극 30: 게이트 절연막26 gate electrode 30 gate insulating film

40: 반도체층 55, 56: 저항성 접촉층40: semiconductor layer 55, 56 resistive contact layer

62: 데이터선 65: 소스 전극62: data line 65: source electrode

66: 드레인 전극 70: 보호막66: drain electrode 70: protective film

80: 화소 전극 90, 92: 컬러 필터80: pixel electrode 90, 92: color filter

210: 상부 절연 기판 220: 블랙 매트릭스210: upper insulating substrate 220: black matrix

230: 공통 전극 240: 선경사막230: common electrode 240: pretilt film

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 잔상을 방지하고, 투과율을 향상시키는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device for preventing afterimages and improving transmittance and a method of manufacturing the same.

액정 표시 장치는 일반적으로 화소 전극 등이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판과 공통 전극 등이 형성되어 있는 공통 전극 기판 사이에 액정 물질을 주입해 놓고 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 전계를 형성하여 액정층의 액정 분자들의 배열을 변경시키고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절함으로써 화상을 표시하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device forms an electric field by injecting a liquid crystal material between a thin film transistor substrate having a pixel electrode or the like and a common electrode substrate having a common electrode or the like and applying different potentials to the pixel electrode and the common electrode. By changing the arrangement of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer, thereby adjusting the light transmittance through the device to display an image.

그 중에서도 전계가 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 기판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 모드 액정 표시 장치는 대비비가 크고 넓은 기준 시야각 구현이 용이하여 각광받고 있다. Among them, the vertical alignment mode liquid crystal display in which the long axes of the liquid crystal molecules are arranged perpendicular to the upper and lower substrates without an electric field applied thereto, has gained much attention due to its large contrast ratio and easy implementation of a wide reference viewing angle.

수직 배향 모드 액정 표시 장치에서 광시야각을 구현하기 위한 수단으로는 전계 생성 전극에 절개부를 형성하는 방법과 전계 생성 전극 위에 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 이 방법은 절개부 또는 돌기를 이용하여 하나의 화소를 다수의 도메인으로 분할한 후, 프린지 필드(fringe field)를 이용하여 액정 분자들이 기울어지는 방향을 조절함으로써 시야각을 넓히는 방법이 있다. Means for implementing a wide viewing angle in a vertical alignment mode liquid crystal display include a method of forming a cutout in the field generating electrode and a method of forming a protrusion on the field generating electrode. In this method, a pixel is divided into a plurality of domains using an incision or a protrusion, and then a fringe field is used to adjust the direction in which the liquid crystal molecules are inclined to widen the viewing angle.

이와 같이 광시야각을 얻기 위해 화소 전극을 다수의 도메인으로 분할하는 경우, 절개부 또는 돌기부 주위의 액정 분자들은 기울어지는 속도가 빠르나, 절개부 또는 돌기부로부터 멀리 위치된 액정 분자들은 기울어지는 속도가 느리다. 이를 개선하기 위하여 공통 전극 상에 선경사막을 추가로 형성함으로써 액정 분자에 기울기를 부여하는 방안이 모색되고 있다. When the pixel electrode is divided into a plurality of domains in order to obtain a wide viewing angle as described above, the liquid crystal molecules around the cutout or the protrusion are inclined at a high speed, but the liquid crystal molecules positioned far from the cutout or the protrusion are at a slow inclination. In order to improve this problem, a method of providing a slope to the liquid crystal molecules by additionally forming a pretilt film on the common electrode has been sought.

그러나, 선경사막은 감광성 있는 유기물로 이루어져 있어, 선경사막을 형성하는 단계에서 감광성 있는 유기물이 자외선을 조사받고 경화되는 동안에 음극성을 띠는 작용기가 선경사막에 잔존하게 된다. 이러한 음극성 작용기는 선경사막에 축적되어 전계 생성 전극인 화소 전극과 공통 전극 사이에 인가되는 전압의 극성이 교대로 바뀜에 따라 액정층에 인가되는 전압의 절대값이 변동한다. 이러한 액정층에 인가되는 전압이 일정치 않아 잔류 전압을 발생하여 액정 표시 장치에서 잔상으 로 시인된다. However, the pretilt film is composed of a photosensitive organic material, so that the negative functional groups remain in the pretilt film while the photosensitive organic material is irradiated with ultraviolet rays and cured in the step of forming the pretilt film. As the negative functional groups are accumulated in the pretilt film, the absolute value of the voltage applied to the liquid crystal layer varies as the polarities of the voltages applied between the pixel electrode, which is the field generating electrode, and the common electrode, are alternately changed. Since the voltage applied to the liquid crystal layer is not constant, a residual voltage is generated and it is recognized as an afterimage in the liquid crystal display.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 잔상을 방지하고, 투과율을 향상시키는 액정 표시 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which prevents afterimages and improves transmittance.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 잔상을 방지하고, 투과율을 향상시키는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device which prevents afterimages and improves transmittance.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 하부 절연 기판 위에 형성된 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 컬러 필터를 포함하는 제1 기판, 상기 하부 절연 기판과 대향하는 상부 절연 기판에 화소를 둘 이상으로 분할하는 능선을 포함하며, 상기 능선을 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 멀어질수록 두께가 얇아지는 경사진 구조의 선경사막을 포함하는 제2 기판 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 개재된 액정층을 포함한다.A first substrate including a pixel electrode formed on a liquid crystal display lower insulating substrate and a color filter formed on the pixel electrode according to an embodiment of the present invention, an upper insulating substrate facing the lower insulating substrate A second substrate including a sloping line dividing the pixel into two or more, and including a pretilt film having an inclined structure that becomes thinner toward both sides or one side with respect to the ridge line; and the first substrate and the second substrate. It includes a liquid crystal layer interposed between the substrate.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 하부 절연 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 상에 감광성 수지물을 도포하고, 상기 감광성 수지물을 패터닝하여 컬러 필터를 형성하는 단계, 상기 하부 절연 기판과 대향하는 상부 절연 기판 위에 감광 성 유기 물질을 도포하는 단계, 상기 감광성 유기 물질을 패터닝하여 화소를 둘 이상으로 분할하는 능선을 포함하며, 상기 능선을 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 멀어질수록 두께가 얇아지는 경사진 구조의 선경사막을 형성하는 단계 및 상기 상부 절연 기판과 상기 하부 절연 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, the method including forming a pixel electrode on a lower insulating substrate, coating a photosensitive resin on the pixel electrode, and forming the photosensitive resin. Patterning water to form a color filter, applying a photosensitive organic material onto the upper insulating substrate facing the lower insulating substrate, patterning the photosensitive organic material to divide the pixel into two or more, And forming a pretilt film having an inclined structure in which the thickness becomes thinner as the distance between the ridgeline and the both sides becomes, and forming a liquid crystal layer between the upper insulating substrate and the lower insulating substrate.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의"아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다. The spatially relative terms " below ", " beneath ", " lower ", " above ", " upper " It may be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. Spatially relative terms are to be understood as including terms in different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the figures. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can encompass both an orientation of above and below. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하 도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and those skilled in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 이와 대향하는 제2 기판 및 이들 사이에 형성되어 있는 액정층을 포함한다.Hereinafter, a liquid crystal display and a manufacturing method thereof according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the substrate, and a liquid crystal layer formed therebetween.

먼저 도 1, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 제1 기판에 대하여 상세히 설명한다.First, a first substrate will be described in detail with reference to FIGS. 1, 3A, and 3B.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치용 제1 기판의 배치도이며, 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 3b는 도 3a의 IIIb-IIIb'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 1 is a layout view of a first substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment. FIG. 3A is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment. FIG. 3B is IIIb-IIIb ′ of FIG. 3A. Sectional view cut along the line.

투명한 유리 등으로 이루어진 하부 절연 기판(10) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선(22, 24, 26, 27, 28)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22), 게이트선(22)의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 게이트 신호를 인가받아 게이트선으로 전달하는 게이트 끝단(24), 게이트선(22)에 연결되며 확장되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26), 게이트선(22)과 평행하게 형성되어 있는 유지 전극선(27) 및 유지 전극(28)을 포함한다. 유지 전극(28a, 28b, 28c, 28d)은 화소 영역의 가장자리에서 게이트선(22)과 나란하게 뻗어 있는 유지 전극선(27)에 연결되어 있다. 유지 전극(28a, 28b, 28c, 28d)은 유지 전극선(27)에 서로 연결되어 있는 세로부(28a, 28b) 및 화소 전극(80)의 절개부 (82, 81)와 중첩하여 위치하며 세로부(28a, 28b)를 연결하는 사선부(28c, 28d)를 포함한다. 이와 같은 유지 전극선(27) 및 유지 전극(28)의 모양 및 배치 등은 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.A plurality of gate wirings for transmitting a gate signal are formed on the lower insulating substrate 10 made of transparent glass or the like. The gate wires 22, 24, 26, 27, and 28 are connected to the ends of the gate line 22 and the gate line 22 extending in the horizontal direction, and receive gate signals from the outside and transfer them to the gate line. 24, a gate electrode 26 of the thin film transistor that is connected to the gate line 22 and is extended, a storage electrode line 27 and a storage electrode 28 formed in parallel with the gate line 22. The storage electrodes 28a, 28b, 28c, and 28d are connected to the storage electrode lines 27 extending parallel to the gate lines 22 at the edges of the pixel region. The storage electrodes 28a, 28b, 28c, and 28d overlap the vertical portions 28a and 28b connected to the storage electrode lines 27 and the cutouts 82 and 81 of the pixel electrode 80, respectively. And diagonal lines 28c and 28d connecting 28a and 28b. The shape and arrangement of the sustain electrode line 27 and the sustain electrode 28 may be modified in various forms, and may be omitted as necessary.

게이트 배선(22, 24, 26, 27, 28)은 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 배선(22, 24, 26, 27, 28)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 하나의 도전막은 게이트 배선(22, 24, 26, 27, 28)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(또는 그 합금), 은(또는 그 합금), 구리(또는 그 합금) 등으로 이루어진다. 다른 도전막은 하나의 도전막과 접촉 특성이 우수한 물질, 예컨대 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 게이트 배선(22, 24, 26, 27, 28)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다. 또한 이중막 구조로 제한되지 않으며, 삼중막 이상의 다층 구조를 가질 수 있다.The gate wirings 22, 24, 26, 27, 28 are, for example, aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta) or Or an alloy thereof. In addition, the gate wirings 22, 24, 26, 27, and 28 may have a multi-layer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films may be formed of a low resistivity metal such as aluminum (or an alloy thereof) or silver (or a metal) so as to reduce signal delay or voltage drop of the gate wirings 22, 24, 26, 27, and 28. The alloy), copper (or the alloy), and the like. The other conductive film may be made of a material having excellent contact properties with one conductive film, such as molybdenum, chromium, titanium, tantalum or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the gate wirings 22, 24, 26, 27, and 28 may be made of various metals and conductors. In addition, the present invention is not limited to a double layer structure, and may have a multilayer structure of triple layer or more.

게이트 배선(22, 24, 26, 27, 28)의 위에는 질화 규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다. A gate insulating film 30 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the gate wirings 22, 24, 26, 27, and 28.

게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체층(40)이 형성되어 있다. 이러한 반도체층(40)은 다양한 형상을 가질 수 있는데, 예를 들어 본 실시예에서와 같이 게이트 전극(26) 상에 섬형으로 형성될 수 있으 며, 또한 데이터선(62) 아래에 위치하여 게이트 전극(26) 상부까지 연장된 선형으로 형성될 수 있다.On the gate insulating film 30, a semiconductor layer 40 made of a semiconductor such as hydrogenated amorphous silicon is formed. The semiconductor layer 40 may have various shapes. For example, the semiconductor layer 40 may be formed in an island shape on the gate electrode 26 as in the present exemplary embodiment, and may be positioned below the data line 62 to form the gate electrode. (26) It may be formed linearly extending to the top.

반도체층(40)의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n+ 수소화 비정질 규소 등의 물질로 이루어지며, 상부의 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)과 하부의 반도체층(40)의 접촉 저항을 낮추는 저항성 접촉층(55, 56)이 형성되어 있다. 본 실시예의 저항성 접촉층(55, 56)은 섬형 저항성 접촉층으로 드레인 전극(66) 및 소스 전극(65)의 하부에 위치한다. The upper part of the semiconductor layer 40 is made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon doped with silicide or n-type impurities at a high concentration, and the upper source electrode 65 and the drain electrode 66 and the lower semiconductor layer 40 are formed. Resistive contact layers 55 and 56 are formed to lower the contact resistance. The ohmic contacts 55 and 56 of the present exemplary embodiment are island type ohmic contacts and are disposed under the drain electrode 66 and the source electrode 65.

저항성 접촉층(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 데이터 배선(62, 65, 66, 68)이 형성되어 있다. 데이터 배선(62, 65, 66, 68)은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 교차하는 데이터선(62), 데이터선(62)의 분지이며 저항성 접촉층(55)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65), 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 끝단(68) 및 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26) 또는 박막 트랜지스터의 채널부에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽 저항성 접촉층(56) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(66)을 포함한다. The data lines 62, 65, 66, and 68 are formed on the ohmic contacts 55 and 56 and the gate insulating layer 30. The data lines 62, 65, 66, and 68 are formed in the vertical direction and branch to the data line 62 and the data line 62 crossing the gate line 22 and extend to the upper portion of the ohmic contact layer 55. Connected to one end of the source electrode 65, the data line 62, and separated from the data end 68 and the source electrode 65 to which an image signal from the outside is applied, and a channel of the gate electrode 26 or the thin film transistor. And a drain electrode 66 formed over the ohmic contact layer 56 opposite the source electrode 65.

데이터 배선(62, 65, 66, 68)은 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 데이터 배선(62, 65, 66, 68)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 이중막 또는 삼중막의 구조를 가질 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 데이터 배선(62, 65, 66, 68)은 다양한 여 러 가지 금속과 도전체로 이루어진 다중막 구조일 수 있다.The data wires 62, 65, 66, and 68 may be formed of, for example, aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), or a combination thereof. Alloy and the like. The data lines 62, 65, 66, and 68 may have a double layer or triple layer structure including two conductive layers (not shown) having different physical properties. However, the present invention is not limited thereto, and the data lines 62, 65, 66, and 68 may have a multilayer structure composed of various metals and conductors.

소스 전극(65)은 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩되고, 드레인 전극(66)은 게이트 전극(26)을 중심으로 소스 전극(65)과 대향하며 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩된다. The source electrode 65 overlaps at least a portion of the semiconductor layer 40, and the drain electrode 66 faces the source electrode 65 around the gate electrode 26 and at least partially overlaps the semiconductor layer 40. do.

데이터 배선(62, 65, 66, 68) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(40) 상부에는 평탄화 특성이 우수하며 감광 특성을 갖는 유기 물질, a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 또는 질화 규소 등으로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다. 보호막(70)에는 드레인 전극(66) 및 데이터선 끝단(68)을 각각 드러내는 컨택홀(76, 78)이 형성되어 있으며, 보호막(70)과 게이트 절연막(30)에는 게이트선 끝단(24)을 드러내는 컨택홀(74)이 형성되어 있다. On the data lines 62, 65, 66, 68 and the upper part of the semiconductor layer 40 which is not covered by these, organic materials having excellent planarization characteristics and photosensitivity, a-Si: C: O, a-Si: O: F, and the like A protective film 70 made of a low dielectric constant insulating material, silicon nitride, or the like is formed. In the passivation layer 70, contact holes 76 and 78 are formed to expose the drain electrode 66 and the data line end 68, respectively, and the gate line end 24 is formed in the passivation layer 70 and the gate insulating layer 30. Exposed contact holes 74 are formed.

보호막(70) 위에는 컨택홀(76)을 통하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되며 화소마다 위치하는 화소 전극(80) 및 컨택홀(71, 72)을 통하여 상하로 이웃하는 유지 전극(28a)과 유지 전극선(27)을 연결하는 연결 부재(85)가 형성되어 있고, 컨택홀(74, 78)을 통하여 각각 게이트 끝단(24) 및 데이터 끝단(68)과 연결되어 있는 보조 게이트 끝단(84) 및 보조 데이터 끝단(88)이 형성되어 있다. On the passivation layer 70, the contact electrode 76 is electrically connected to the drain electrode 66, and the pixel electrode 80 positioned for each pixel and the storage electrode 28a vertically neighboring through the contact holes 71 and 72. And a connection member 85 connecting the storage electrode line 27 to the storage electrode line 27, and the auxiliary gate end 84 connected to the gate end 24 and the data end 68 through the contact holes 74 and 78, respectively. And ancillary data end 88 is formed.

화소 전극(80)에는 전계를 왜곡하여 액정 분자(5)의 운동 방향을 제어하는 역할을 하는 절개부(81a, 81b, 81c)가 형성되어 있다. 절개부(81a, 81b, 81c)는 화소 전극(80)을 상하로 반분하는 위치에서 왼쪽 방향으로 파고 들어간 형상으로, 입구가 대칭적으로 확장되어 있는 가로 절개부(81b) 및 가로 절개부(81b)에 의해 반분된 화소 전극(80)의 상하 부분에 각각 사선 방향으로 형성되어 있는 사선 절개부 (81a, 81c)를 포함한다. 사선 절개부(81a, 81c)는 프린지 필드(fringe field)를 4방향으로 고르게 분산시키기 위해 서로 수직으로 형성되어 있다. 화소 전극(80)의 절개부(81a, 81b, 81c)는 상부의 공통 전극의 절개부와 함께 액정 분자(5)를 분할 배향하는 도메인 규제 수단으로서 작용한다.Cutouts 81a, 81b, and 81c are formed in the pixel electrode 80 to distort an electric field to control a direction of movement of the liquid crystal molecules 5. The cutouts 81a, 81b, and 81c are recessed in the left direction at positions halfway up and down the pixel electrode 80, and the horizontal cutouts 81b and the horizontal cutouts 81b in which the entrances are symmetrically extended. Diagonal cutouts 81a and 81c formed in diagonal directions, respectively, on the upper and lower portions of the pixel electrode 80 divided by half. The diagonal cuts 81a and 81c are formed perpendicular to each other to evenly distribute the fringe fields in four directions. The cutouts 81a, 81b, 81c of the pixel electrode 80 function as domain regulating means for splitting and aligning the liquid crystal molecules 5 together with the cutout of the upper common electrode.

이와 같은 화소 전극(80), 연결 부재(85), 보조 게이트 및 데이터 끝단(86, 88)은 ITO 등의 투명한 도전성 물질이나 알루미늄(또는 그 합금), 은(또는 그 합금)과 같은 반사성이 우수한 불투명 도전체로 이루어진다.The pixel electrode 80, the connection member 85, the auxiliary gates, and the data ends 86 and 88 may be made of a transparent conductive material such as ITO, or an excellent reflectivity such as aluminum (or an alloy thereof) or silver (or an alloy thereof). It is made of an opaque conductor.

화소 전극(80) 및 보호막(70) 상부에는 컬러 필터(90)가 형성된다. 컬러 필터(90)는 화소마다 적, 녹, 청색들로 교대로 이루어질 수 있으며, 소정의 파장을 갖는 광만을 선택적으로 투과시키는 역할을 한다. 또한, 컬러 필터(90)는 후술하는 컬러 필터(90)의 형성 과정에서 발생된 음극성 작용기를 생성하고, 이러한 음극성 작용기에 의해 선경사막(240)에서 잔존하는 음극성 작용기로 인하여 액정층(3)에 과충전되는 전압이 상쇄된다. 이하 컬러 필터(90)에 대하여 이후에 상세히 설명한다. The color filter 90 is formed on the pixel electrode 80 and the passivation layer 70. The color filter 90 may be alternately composed of red, green, and blue colors for each pixel, and selectively transmits only light having a predetermined wavelength. In addition, the color filter 90 generates a negative functional group generated during the formation of the color filter 90 to be described later, and due to the negative functional group, the negative functional group remaining in the pretilt film 240 causes the liquid crystal layer ( The voltage overcharged in 3) is canceled. Hereinafter, the color filter 90 will be described in detail.

컬러 필터(90) 위에는 액정층을 배향할 수 있는 배향막(12)이 도포될 수 있다.An alignment layer 12 may be coated on the color filter 90 to align the liquid crystal layer.

이하, 도 2a 내지 도 3b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제2 기판에 대해 설명한다. Hereinafter, a second substrate of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 3B.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치용 제2 기판의 배치도이고, 도 2b는 도 2a의 IIb-IIb'선을 따라 절단한 단면도이다. 2A is a layout view of a second substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIb-IIb ′ of FIG. 2A.

유리 등의 투명한 절연 물질로 이루어진 상부 절연 기판(210)의 아래 면에 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220)는 빛샘을 방지하여 화질을 개선하는 역할을 한다. A black matrix 220 is formed on a lower surface of the upper insulating substrate 210 made of a transparent insulating material such as glass to prevent light leakage. The black matrix 220 improves image quality by preventing light leakage.

블랙 매트릭스(220)의 아래에는 ITO 또는 IZO 등으로 이루어진 공통 전극(230)이 형성되어 있다. Under the black matrix 220, a common electrode 230 made of ITO, IZO, or the like is formed.

공통 전극(230) 아래에는 테이퍼 구조로 경사면을 가지며, 유기 물질을 포함하는 선경사막(260)이 형성되어 있다. 선경사막(240)은 도 2b에 도시된 바와 같이, 능선(242)을 중심으로 한쪽 또는 양쪽으로 점진적으로 얇아지는 경사진 구조로서, 능선(242)으로부터 공통 전극(230)과 대향하는 화소 전극(80)의 절개부(81a, 81b, 81c)에 인접할수록 점진적으로 얇은 두께를 가진다. 선경사막(240)은 능선(242)의 양단에 표시 특성을 향상시키기 위하여 다양한 형태를 취할 수 있다. 공통 전극(230)이 절개부를 가지지 않더라도 선경사막(240)의 능선(242)을 이용하여 화소 전극(80)의 절개부(81a, 81b, 81c)와 액정 분자(310)를 다수의 도메인으로 분할할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 공통 전극이 절개부를 포함하고 있지 않으나, 선경사막의 능선에 대응되어 공통 전극에 절개부가 형성될 수 있다. A pretilt film 260 is formed under the common electrode 230 to have an inclined surface in a tapered structure and includes an organic material. As shown in FIG. 2B, the pretilt film 240 is an inclined structure gradually thinning toward one side or both sides of the ridge line 242. The pretilt layer 240 faces the common electrode 230 from the ridge line 242. Adjacent to the cutouts 81a, 81b, 81c of 80, the thickness is gradually thinner. The pretilt film 240 may take various forms in order to improve display characteristics at both ends of the ridge line 242. Although the common electrode 230 does not have an incision, the incisions 81a, 81b, and 81c of the pixel electrode 80 and the liquid crystal molecules 310 are divided into a plurality of domains using the ridge line 242 of the pretilt film 240. can do. In the embodiment of the present invention, the common electrode does not include the cutout, but the cutout may be formed in the common electrode corresponding to the ridge line of the pretilt film.

선경사막(240)은 후술하는 형성 과정에서 음극성의 작용기를 포함하게 된다. 이는 화소 전극(80)과 공통 전극(230) 사이에서 극성이 교대로 바뀌는 전압이 인가될 경우, 이러한 음극성의 작용기는 선경사막(240)에 축적되어 있어 액정층(3)에 걸리는 전압이 예정된 전압보다 더 인가되어 잔류 전압이 발생한다. 여기서 컬러 필터(90)는 PAC(Photo Activated Compound) 및 베이스 폴리머(polymer) 등을 포함 하고, 여기서 폴리머는 후술하는 컬러 필터(90)의 공정 단계에서 노광, 현상 및 경화를 거쳐 생성되는 것으로서, 이 생성 과정에서 음극성의 작용기들이 다수 존재하게 된다. 이때, 컬러 필터(90)를 화소 전극(80) 상에 형성함으로써 컬러 필터(90)에서 생성하는 작용기는 화소 전극(80)과 공통 전극(230) 사이에서 극성이 교대로 바뀌는 전압이 인가되더라도 액정층(3) 상, 하부에서 발생하는 각각의 음극성 작용기는 액정 분자(310)에 분극되는 극성에 의해 상쇄된다. 즉, 선경사막(240)에 잔존한 음극성의 작용기로 인하여 액정층(3)에 미치는 영향을 컬러 필터(90)에서 생성된 작용기에 의해 줄일 수 있다. 따라서, 화소 전극(80)과 공통 전극(230) 사이에 인가되는 전압의 극성이 교대로 바뀜에도 불구하고, 액정층(3)에 충전되는 전압보다 더 큰 전압이 충전되어 생기는 잔류 전압이 발생하지 않으므로 잔상이 발생하지 않는다. The pretilt film 240 includes a negative functional group in the formation process described later. This is because when a voltage having an alternating polarity is applied between the pixel electrode 80 and the common electrode 230, such negative functional groups are accumulated in the pretilt film 240 so that the voltage applied to the liquid crystal layer 3 is a predetermined voltage. More is applied to generate a residual voltage. Here, the color filter 90 includes a PAC (Photo Activated Compound), a base polymer, and the like, wherein the polymer is produced through exposure, development, and curing in the process steps of the color filter 90 described later. In the production process, a large number of negative functional groups exist. At this time, the functional groups generated by the color filter 90 by forming the color filter 90 on the pixel electrode 80 may be applied to the liquid crystal even if a voltage having an alternating polarity is applied between the pixel electrode 80 and the common electrode 230. Each of the negative functional groups occurring on and under the layer 3 is canceled by the polarization polarized on the liquid crystal molecules 310. That is, the effect on the liquid crystal layer 3 due to the negative functional groups remaining in the pretilt film 240 can be reduced by the functional groups generated in the color filter 90. Therefore, even though the polarities of the voltages applied between the pixel electrode 80 and the common electrode 230 alternately change, residual voltages generated by charging a voltage larger than the voltage charged in the liquid crystal layer 3 do not occur. Therefore, no afterimage occurs.

선경사막(240) 아래에는 액정층을 배향할 수 있는 배향막(212)이 도포될 수 있다.An alignment layer 212 may be coated under the pretilt layer 240 to align the liquid crystal layer.

제1 기판(1) 및 제2 기판(1) 사이에는 액정 분자(310)가 개재되어 액정층(3)을 이룬다. 액정 분자(310)는 배향 특성을 갖는 선경사막(240) 및 컬러 필터(90)에 수직하게 배향된다. 이때, 화소 전극(80)과 공통 전극(230) 사이에 전계가 형성될 경우, 선경사막(240)의 능선(242)과 화소 전극(80)의 절개부(81a, 81b, 81c)는 전계를 왜곡하여 액정 분자(310)의 거동 방향이 제어된다. 이러한 액정 분자(310)가 전계에 의해 거동되는 방향이 같은 영역을 도메인이라 하며, 선경사막(240)의 능선(242)과 화소 전극(80)의 절개부(81a, 81b, 81c)는 도메인 분할 수단이다. 여기서, 액정 분자(310)는 선경사막(240)에 의해 기울어진 배향력 및 선경사막(240) 두께 차이에 기인된 셀갭 차에 의한 등전위선의 변화 등으로 인하여 도메인이 분할되는 방향으로 선경사각을 가지고 눕게 된다. 따라서, 화소 전극(80)과 공통 전극(230) 사이에 전계가 형성될 때, 선경사막(240)의 능선(242)에 인접되지 않은 액정 분자(310)들의 눕는 방향이 결정되게 되므로, 액정 분자(310)들이 빠르게 구동되어 응답 속도가 빨라진다. Liquid crystal molecules 310 are interposed between the first substrate 1 and the second substrate 1 to form the liquid crystal layer 3. The liquid crystal molecules 310 are aligned perpendicular to the pretilt film 240 and the color filter 90 having the alignment characteristic. In this case, when an electric field is formed between the pixel electrode 80 and the common electrode 230, the ridge lines 242 of the pretilt film 240 and the cutouts 81a, 81b, and 81c of the pixel electrode 80 form an electric field. By distorting, the direction of behavior of the liquid crystal molecules 310 is controlled. The region where the liquid crystal molecules 310 behave in the same direction by the electric field is called a domain, and the ridge lines 242 of the pretilt film 240 and the cutouts 81a, 81b, and 81c of the pixel electrode 80 are divided into domains. Means. Here, the liquid crystal molecules 310 have a pretilt angle in a direction in which the domain is divided due to the change of the equipotential line due to the cell gap difference caused by the alignment force inclined by the pretilt film 240 and the difference in the thickness of the pretilt film 240. I will lie down. Therefore, when an electric field is formed between the pixel electrode 80 and the common electrode 230, the lying direction of the liquid crystal molecules 310, which is not adjacent to the ridge line 242 of the pretilt film 240, is determined. The 310 are driven fast, resulting in a faster response.

이러한 제1 기판(1), 제2 기판(2) 및 액정층(3)의 기본 구조에 편광판, 백라이트, 보상판 등의 요소들을 배치함으로써 액정 표시 장치가 이루어진다.The liquid crystal display is formed by disposing elements such as a polarizing plate, a backlight, and a compensation plate on the basic structures of the first substrate 1, the second substrate 2, and the liquid crystal layer 3.

이하, 도 4 내지 도 5b를 참조하여, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 설명한다. Hereinafter, a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 5B.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치용 제1 기판의 배치도이며, 도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 5b는 도 5a의 Vb-Vb'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 4 is a layout view of a first substrate for a liquid crystal display according to another exemplary embodiment. FIG. 5A is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment. FIG. 5B is Vb-Vb ′ of FIG. 5A. Sectional view cut along the line.

설명의 편의상, 도 1 내지 도 3b에서 설명한 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다. 본 실시예의 액정 표시 장치는, 도 4 내지 도 5b에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치와 다음을 제외하고는 기본적으로 동일한 구조를 갖는다.For convenience of description, members having the same functions as the members shown in the drawings of the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 3B are denoted by the same reference numerals, and thus description thereof is omitted. 4 to 5B, the liquid crystal display of the present embodiment has the same structure as the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention except for the following.

컬러 필터(92)는 화소 전극(80)의 절개부(81a, 81b, 81c)에서 능선을 가지며, 절개부(81a, 81b, 81c)를 중심으로 양쪽 또는 한쪽 방향으로 갈수록 점진적으 로 얇은 두께를 가진다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 컬러 필터(92)의 능선은 절개부(81a, 81b, 81c)와 대응하여 형성됨으로써, 화소에서 선경사막(240)의 능선(242)과 교대로 형성된다. The color filter 92 has ridges at the cutouts 81a, 81b, and 81c of the pixel electrode 80, and gradually decreases in thickness in both or one directions with respect to the cutouts 81a, 81b, and 81c. Have As illustrated in FIG. 5B, the ridge lines of the color filter 92 are formed to correspond to the cutouts 81a, 81b, and 81c, and are alternately formed with the ridge lines 242 of the pretilt film 240 in the pixel.

이때 액정 분자(310)는 상기한 바와 같은 제2 기판(2)의 선경사막(240) 및 제1 기판(1)의 선경사진 컬러 필터(92)에 의해 유도된 기울어진 배향력 및 선경사막(240) 및 컬러 필터(90)의 두께의 차이에 기인된 셀갭 차에 의한 등전위선의 변화 등으로 인하여 도메인이 분할되는 방향으로 선경사각을 가지고 눕게 되며, 공통 전극(230)과 하부의 화소 전극(80)에 전압을 인가하였을 때 절개부(81a, 81b, 81c)에 인접하지 않는 액정 분자(310)들의 눕는 방향이 결정되게 된다. 여기서 본 실시예는 본 발명의 다른 실시예와는 달리 제1 기판(1)의 컬러 필터(90)도 선경사진 구조를 가짐으로써, 제2 기판(2)의 선경사막(240)에 인접한 액정 분자(310)뿐만 아니라 제1 기판(1)의 컬러 필터(90)에 인접한 액정 분자(310)도 선경사지게 하는 배향력이 강하여, 제1 기판(1) 및 제2 기판(2) 사이의 액정 분자(310)들이 전체적으로 선경사각을 갖게 된다. 따라서 액정 분자(310)들이 더욱 빠르게 구동되어 응답 속도가 더욱 빨라진다.In this case, the liquid crystal molecules 310 are inclined alignment force and pretilt film induced by the pretilt film 240 of the second substrate 2 and the pretilted color filter 92 of the first substrate 1 as described above. Due to the difference in the equipotential lines due to the cell gap difference caused by the difference in the thickness of the color filter 90 and the color filter 90, the pretilt angles lie in the direction in which the domain is divided, and the common electrode 230 and the lower pixel electrode 80 are disposed. When a voltage is applied, the lying direction of the liquid crystal molecules 310 that are not adjacent to the cutouts 81a, 81b, and 81c is determined. In this embodiment, unlike the other embodiment of the present invention, the color filter 90 of the first substrate 1 also has a pretilted structure, so that the liquid crystal molecules adjacent to the pretilt film 240 of the second substrate 2 are formed. The alignment force for pretilting not only the 310 but also the liquid crystal molecules 310 adjacent to the color filter 90 of the first substrate 1 is strong, so that the liquid crystal molecules between the first substrate 1 and the second substrate 2 are strong. The 310 have a pretilt angle as a whole. Therefore, the liquid crystal molecules 310 are driven faster, and the response speed is even faster.

이하, 도 6 내지 도 10b를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 10B.

먼저, 도 6 내지 도 8b를 참조하여, 본 발명의 일 실시예 중 제1 기판의 제조 방법에 대해 설명한다.First, referring to FIGS. 6 to 8B, a method of manufacturing a first substrate in one embodiment of the present invention will be described.

도 6에 도시된 바와 같이, 먼저 하부 절연 기판(10) 상에 스퍼터링 (sputtering) 등의 방법으로 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금의 적어도 하나를 적층한 다음 패터닝하여 게이트 전극(26)을 포함하는 게이트 배선(22, 24, 26)을 형성한다. As shown in FIG. 6, first, aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), or the like may be sputtered onto the lower insulating substrate 10. At least one of titanium (Ti), tantalum (Ta), or an alloy thereof is stacked and then patterned to form gate wirings 22, 24, and 26 including the gate electrode 26.

이어서, 기판 전면에 질화 규소 등을 예컨대, 화학 기상 증착법을 이용하여 증착하여 게이트 절연막(30)을 형성한다.Subsequently, silicon nitride or the like is deposited on the entire surface of the substrate by, for example, chemical vapor deposition to form the gate insulating film 30.

이어서, 진성 비정질 규소 및 도핑된 비정질 규소를 예컨대, 화학 기상 증착법을 이용하여 연속 증착하고, 진성 비정질 규소층과 도핑된 비정질 규소층을 사진 식각하여 게이트 전극(26) 상부의 게이트 절연막(30) 위에 섬 모양의 반도체층(40)과 도핑된 비정질 규소층을 형성한다. Subsequently, intrinsic amorphous silicon and doped amorphous silicon are continuously deposited using, for example, chemical vapor deposition, and the intrinsic amorphous silicon layer and the doped amorphous silicon layer are photo-etched on the gate insulating layer 30 on the gate electrode 26. An island-like semiconductor layer 40 and a doped amorphous silicon layer are formed.

이어서, 게이트 절연막(30), 노출된 반도체층(40) 및 저항성 접촉층(55, 56) 위에 스퍼터링 등의 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금의 적어도 하나를 적층한 다음 패터닝하여 게이트 전극(26)을 중심으로 서로 이격되어 있는 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함하는 데이터 배선(62, 65, 66, 68)을 형성한다.Subsequently, aluminum (Al) such as sputtering, copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), and chrome (on the gate insulating film 30, the exposed semiconductor layer 40, and the ohmic contacts 55 and 56). At least one of Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta), or an alloy thereof is stacked and patterned to include a source electrode 65 and a drain electrode 66 spaced apart from each other about the gate electrode 26. The data wirings 62, 65, 66, and 68 are formed.

이어서, 데이터 배선(62, 65, 66, 68)으로 가리지 않는 도핑된 비정질 규소층을 식각하여 게이트 전극(26)을 중심으로 서로 이격되어 있는 저항성 접촉층(55, 56)을 형성하고 그 사이의 반도체층(40)을 노출시킨다. Next, the doped amorphous silicon layer not covered by the data lines 62, 65, 66, and 68 is etched to form the ohmic contacts 55 and 56 spaced apart from each other about the gate electrode 26. The semiconductor layer 40 is exposed.

이로써 박막 트랜지스터 등을 완성한다.This completes a thin film transistor and the like.

이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판 결과물 상에 보호막(70)을 형성하고, 보호막(70) 위에는 ITO 또는 IZO 등을 적층하고 패터닝하여 절개부(81a, 81b, 81c)를 포함하는 화소 전극(80)을 형성한다. 여기서 보호막(70)은 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 무기물 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등으로 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 7, the passivation layer 70 is formed on the substrate, and the ITO or IZO or the like is stacked and patterned on the passivation layer 70 to include the cutouts 81a, 81b, and 81c. Form 80. The passivation layer 70 may include a low dielectric constant insulation such as a-Si: C: O, a-Si: O: F, or the like formed of inorganic or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) made of silicon nitride or silicon oxide. Material and the like.

이어서, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 안료 타입의 적색 감광성 수지물(94)을 패터닝하여 적색 컬러 필터(90)를 형성한다. 자세히 설명하면, 도 8a에 도시된 바와 같이, 안료 타입의 적색 감광성 수지물(94)을 스핀 코팅법 등을 이용하여 도포한 후, 투과부(410)와 차광부(420)를 포함하는 마스크(400)를 이용하여 노광한다. 계속해서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 수용성 알칼리 현상액 등을 사용하여 현상하여 미노광부분의 감광성 수지물(94)은 제거되어 적색 컬러 필터(90)를 형성한다. Subsequently, as shown in FIGS. 8A and 8B, the red photosensitive resin material 94 of the pigment type is patterned to form a red color filter 90. In detail, as shown in FIG. 8A, after applying the pigment-type red photosensitive resin 94 using a spin coating method or the like, the mask 400 including the transmissive part 410 and the light blocking part 420 is provided. To be exposed. Subsequently, as shown in FIG. 8B, the photosensitive resin material 94 of the unexposed portion is removed by developing using a water-soluble alkaline developer or the like to form a red color filter 90.

여기서, 안료 타입의 감광성 수지물(94)은 안료, 바인더, 모노머(monomer) 및 광중합 개시제 등을 포함한다. 안료 타입의 감광성 수지물(94)은 노광되어 광중합 개시제에서 라디칼을 발생하여 모노모를 베이스 폴리머로의 연쇄 중합 반응을 촉진시킨다. 베이스 폴리머는 현상 및 경화 공정을 거치면서 다수의 음의 극성을 갖는 작용기를 포함한다. 이러한 작용기가 상술한 바와 같이 선경사막(240)의 음극성의 작용기로 인한 잔류 전압을 상쇄시키는 역할을 한다. 또한, 컬러 필터(90)가 하부 절연 기판(10) 상에 형성됨으로써, 제1 기판(1)과 제2 기판(2)의 정렬시에 얼라인(align) 불량이 나지 않고, 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킨다.Here, the pigment-type photosensitive resin 94 contains a pigment, a binder, a monomer, a photoinitiator, etc. The pigment type photosensitive resin 94 is exposed to generate radicals in the photopolymerization initiator to promote the chain polymerization reaction of monomo to the base polymer. The base polymer contains a plurality of negative polar functional groups through development and curing processes. As described above, the functional group cancels the residual voltage due to the negative functional group of the pretilt film 240. In addition, since the color filter 90 is formed on the lower insulating substrate 10, alignment defects do not occur when the first substrate 1 and the second substrate 2 are aligned, and thus, Improve transmittance.

이어서 도면에 도시되지 않았으나, 하부 절연 기판(10)의 전면에 녹색 감광 성 수지물을 도포하고, 노광 및 현상하여 녹색 컬러 필터를 형성한다. 또한, 청색 컬러 필터도 이와 같은 공정으로 진행한다.Subsequently, although not shown in the drawing, a green photosensitive resin is coated on the entire surface of the lower insulating substrate 10, and exposed and developed to form a green color filter. The blue color filter also proceeds in such a process.

본 발명의 실시예에서는 네거티브 타입의 감광성 수지물을 이용하여 컬러 필터를 형성하는 것을 예로 들고 있으나, 포지티브 타입의 감광성 수지물을 이용하여 컬러 필터를 형성할 수 있으며, 이 경우 마스크의 투과부와 차광부의 위치를 바꾸어 정렬하여 노광부분의 감광성 수지물이 컬러 필터로 형성된다. 또한 컬러 필터의 형성 순서로서 적, 녹, 청색의 순서를 예시하였지만, 다른 순서로 형성할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, a color filter is formed using a negative photosensitive resin, but the color filter may be formed using a positive photosensitive resin. In this case, the transparent part and the light blocking part of the mask may be formed. The photosensitive resin material of an exposed part is formed by the color filter by changing the position of. Moreover, although red, green, and blue order was illustrated as a formation order of a color filter, it can form in another order.

이하 도 9 내지 도 10b를 참조하여 본 발명의 일 실시예 중 제2 기판의 제조 방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a second substrate in one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 10B.

도 9에 도시된 바와 같이, 상부 절연 기판(210) 상에 크롬 등의 불투명 물질을 증착하고 패터닝하여 블랙 매트릭스(220)를 형성한다. 이어서, ITO 또는 IZO 등을 순차적으로 적층하여 공통 전극(230)을 형성한다. As illustrated in FIG. 9, an opaque material such as chromium is deposited and patterned on the upper insulating substrate 210 to form a black matrix 220. Subsequently, ITO, IZO, or the like is sequentially stacked to form a common electrode 230.

이어서, 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 감광성 유기 물질(242)을 도포하고 마스크를 이용하여 선경사막(240)을 형성한다. 자세히 설명하면, 도 10a에 도시된 바와 같이, 공통 전극(230) 상에 감광성 유기 물질(242)을 전면으로 증착하고, 감광성 유기 물질(242) 상에 슬릿 패턴을 갖는 마스크(400)를 배치한다. 여기서 마스크(400)의 슬릿 패턴은 차광부(410)가 조밀한 부분과 소한 부분을 포함하며, 조밀한 부분으로부터 소한 부분으로 갈수록 점점 더 소해지는 패턴을 갖도록 한다. 이때, 마스크(400)의 차광부(410)의 밀한 영역이 선경사막(240)의 능선(242)에 대응하도록 정렬한다. 이어서, 마스크(400)를 이용하여 노광한다. Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, the photosensitive organic material 242 is coated and a pretilt film 240 is formed using a mask. In detail, as illustrated in FIG. 10A, the photosensitive organic material 242 is deposited on the common electrode 230 to the front, and the mask 400 having a slit pattern is disposed on the photosensitive organic material 242. . Here, the slit pattern of the mask 400 includes the light blocking portion 410 having a dense portion and a small portion, and has a pattern that gradually decreases from the dense portion to the small portion. At this time, the dense area of the light blocking part 410 of the mask 400 is aligned to correspond to the ridge line 242 of the pretilt film 240. Next, it exposes using the mask 400.

도 10b에 도시된 바와 같이, 노광된 감광성 유기 물질(242)을 수용성 알칼리 현상액을 사용하여 현상한다. 그러면, 슬릿 패턴에 대응하는 영역은 차광부(420)의 조밀도에 따라 잔류량이 달라지게 된다. 즉, 차광부(420)가 조밀한 영역에 대응하는 상대적으로 적은 양의 빛에 노출되어 상대적으로 많은 양의 감광성 유기 물질(242)이 잔류하고, 소한 영역에 대응하는 영역은 상대적으로 적은 양의 감광성 유기 물질(242)이 잔류하게 된다. 따라서 감광성 유기 물질(242)이 가장 많이 잔류한 부분이 능선(242)을 이루어 능선(242)을 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 점진적으로 얇아지는 경사진 구조를 가지는 선경사막(240)을 형성한다. As shown in FIG. 10B, the exposed photosensitive organic material 242 is developed using a water-soluble alkaline developer. Then, the remaining amount of the region corresponding to the slit pattern is changed depending on the density of the light blocking portion 420. That is, the light blocking part 420 is exposed to a relatively small amount of light corresponding to the dense area, so that a relatively large amount of the photosensitive organic material 242 remains, and the area corresponding to the small area is relatively small. Photosensitive organic material 242 remains. Accordingly, the portion where the photosensitive organic material 242 remains most forms the ridge line 242 to form a pretilt film 240 having an inclined structure that gradually becomes thinner on both sides of the ridge line 242.

본 발명의 실시예에서는 공통 전극이 절개부를 포함하고 있지 않고 있으나, 선경사막의 능선에 대응하여 공통 전극에 절개부가 형성될 수 있다. In the exemplary embodiment of the present invention, the common electrode does not include the cutout, but the cutout may be formed on the common electrode to correspond to the ridge line of the pretilt film.

이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 하부 절연 기판(10)의 컬러 필터(90) 및 상부 절연 기판(210)의 선경사막(240) 상에 배향막(12, 212)을 형성하고, 제1 기판(1)과 제2 기판(2)을 정렬하여 실(seal) 재를 이용하여 접합한 다음 액정 분자(310)를 주입하여 액정층(3)을 형성한다. 이렇게 형성된 액정 표시 장치의 기본 구조에 편광판, 백라이트, 보상판 등의 요소들을 배치함으로써 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치가 이루어진다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3B, alignment layers 12 and 212 are formed on the color filter 90 of the lower insulating substrate 10 and the pretilt film 240 of the upper insulating substrate 210, and the first substrate. The liquid crystal layer 3 is formed by aligning (1) and the second substrate 2, bonding them using a seal material, and then injecting liquid crystal molecules 310. The liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention is formed by disposing elements such as a polarizing plate, a backlight, and a compensation plate on the basic structure of the liquid crystal display device thus formed.

도 11a 및 도 11b를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 본 발명의 일 실시예에서의 제조 방법 중 컬러 필터의 제조 공정을 제외하고는 본 발명의 일 실시예와 기본적으로 동일하다. A method of manufacturing a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11A and 11B. Except for the manufacturing process of the color filter in the manufacturing method in one embodiment of the present invention is basically the same as the embodiment of the present invention.

도 11a에 도시된 바와 같이, 적색 감광성 수지물(94)을 화소 전극(80) 상에 전면 도포한다. 다음, 적색 감광성 수지물(94) 상에 선경사진 컬러 필터(90)를 형성하기 위한 슬릿 패턴을 갖는 마스크(400)를 배치한다. 여기서 슬릿 패턴의 마스크(400)는 도 8a에서 설명한 마스크를 사용할 수 있다. 이때, 마스크(400)의 차광부(420)가 소한 영역이 화소 전극(80)의 절개부(81a, 81b, 81c)에 대응되도록 정렬한다. 이어서, 마스크(400)를 이용하여 노광한다.As shown in FIG. 11A, a red photosensitive resin 94 is entirely coated on the pixel electrode 80. Next, a mask 400 having a slit pattern for forming the pretilted color filter 90 on the red photosensitive resin 94 is disposed. Here, the mask 400 of the slit pattern may use the mask described with reference to FIG. 8A. In this case, the regions where the light blocking portion 420 of the mask 400 is small correspond to the cutouts 81a, 81b, and 81c of the pixel electrode 80. Next, it exposes using the mask 400.

이어서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 노광된 적색 감광성 수지물(94)을 수용성 알칼리 수용액을 사용하여 현상한다. 도 8b에서 설명한 것과 달리, 차광부(420)가 조밀한 영역에 대응하는 상대적으로 적은 양의 빛에 노출되어 상대적으로 많은 양의 적색 감광성 수지물(94)이 잔류하고, 소한 영역에 대응하는 영역은 상대적으로 많은 양의 적색 감광성 수지물(94)이 잔류하게 된다. 따라서 적색 감광성 수지물(94)이 가장 많이 잔류한 부분이 능선을 이루어 능선을 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 점진적으로 얇아지는 경사진 적색 컬러 필터(92)를 형성한다. 이때, 능선은 화소에서 선경사막(240)의 능선(242)과 교대로 형성되도록 한다. 도면에 도시되지 않았으나, 녹색, 청색 컬러 필터 또한 이러한 공정으로 진행된다.Subsequently, as shown in FIG. 11B, the exposed red photosensitive resin 94 is developed using an aqueous aqueous alkali solution. Unlike in FIG. 8B, the light blocking part 420 is exposed to a relatively small amount of light corresponding to a dense area, so that a relatively large amount of red photosensitive resin 94 remains, and the area corresponding to a small area. The relatively large amount of red photosensitive resin 94 remains. Therefore, the portion where the red photosensitive resin 94 most remains forms a ridgeline to form an inclined red color filter 92 that gradually becomes thinner on both sides or one side of the ridgeline. In this case, the ridge lines are alternately formed with the ridge lines 242 of the pretilt film 240 in the pixel. Although not shown in the figure, green and blue color filters also proceed in this process.

본 발명의 다른 실시예에 따른 컬러 필터(92)를 형성할 경우에도 감광성 수지물(94)이 노광, 현상 및 경화로 인해 음극성의 작용기가 생성된다. Even when the color filter 92 is formed according to another embodiment of the present invention, the photosensitive resin material 94 generates negative functional groups due to exposure, development, and curing.

이상, 본 발명의 실시예들에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법으로서 제1 기판 및 제2 기판을 제조하고, 그 사이에 액정층을 형성하는 단계를 차례로 설명하였지만, 이러한 순서에 제한받는 것은 아니며, 제2 기판을 먼저 제조하거나, 제1 기판과 동시에 제조할 수도 있다. 또, 액정층의 경우에도 제1 기판 또는 제2 기판을 먼저 제조한 다음 액정층을 형성하고, 이후에 다른 기판을 제공하여 결합시키는 순서로 형성할 수도 있다. 이는 당업자의 입장에서 자명한 것이며, 본 발명의 범위를 일탈하는 것이 아니다.As described above, the steps of manufacturing the first substrate and the second substrate and forming the liquid crystal layer therebetween as a manufacturing method of the liquid crystal display according to the exemplary embodiments of the present invention are described in sequence, but the present invention is not limited to this order. The second substrate may be manufactured first or simultaneously with the first substrate. In the case of the liquid crystal layer, the first substrate or the second substrate may be prepared first, and then the liquid crystal layer may be formed, and then, another substrate may be provided in the order of bonding. This is obvious to those skilled in the art and does not depart from the scope of the present invention.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상기한 바와 같은 본 발명의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 따르면 하나 이상의 효과가 있다.According to the liquid crystal display of the present invention and a method of manufacturing the same as described above has one or more effects.

화소 전극 상에 유기 물질로 이루어진 컬러 필터를 형성함으로써 공통 전극 하부의 유기 물질로 이루어진 선경사막에서 발생하는 음극성을 가지는 작용기로 인한 화소 전극과 공통 전극 사이에 극성이 교대로 바뀌어 전압이 인가되더라도 양 전극 사이에서 음극성을 서로 상쇄시킴으로 인해 잔상을 방지할 수 있다.By forming a color filter made of an organic material on the pixel electrode, the polarity is alternately changed between the pixel electrode and the common electrode due to the negative functionalities generated in the pretilt film made of the organic material under the common electrode, so that a positive voltage is applied. The afterimage can be prevented by canceling the negative polarities between the electrodes.

화소 전극 상에 컬러 필터를 형성함으로써 제2 기판 상에 컬러 필터를 형성하는 경우보다 제조 단계에서 기판 간의 결합시 미스 얼라인을 줄일 수 있고, 투과율을 향상시키며, 투과율을 증가시킬 수 있다. By forming the color filter on the pixel electrode, the misalignment may be reduced, the transmittance may be increased, and the transmittance may be increased when the substrates are bonded to each other in the manufacturing step than when the color filters are formed on the second substrate.

Claims (12)

하부 절연 기판 위에 형성된 화소 전극 및 상기 화소 전극 상에 형성된 컬러 필터를 포함하는 제1 기판;A first substrate including a pixel electrode formed on the lower insulating substrate and a color filter formed on the pixel electrode; 상기 하부 절연 기판과 대향하는 상부 절연 기판에 화소를 둘 이상으로 분할하는 능선을 포함하며, 상기 능선을 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 멀어질수록 두께가 얇아지는 경사진 구조의 선경사막을 포함하는 제2 기판; 및A second slit including a ridge line for dividing the pixel into two or more on the upper insulating substrate facing the lower insulating substrate, and including a pretilt film having an inclined structure in which a thickness becomes thinner toward both sides or one side with respect to the ridge line; Board; And 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정 표시 장치.And a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 화소 전극은 도메인 분할 수단인 절개부를 구비하는 액정 표시 장치.The pixel electrode includes a cutout that is a domain dividing means. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 절개부는 상기 화소 전극과 대향하는 상기 선경사막의 능선의 사이에 대응하여 형성되는 액정 표시 장치.And the cutout portion is formed between the ridge lines of the pretilt film that faces the pixel electrode. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 컬러 필터는 상기 절개부를 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 멀어질수록 두께가 얇아지는 경사지는 액정 표시 장치.And the color filter is inclined to become thinner toward both sides or one side of the cutout. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 선경사막은 유기 물질로 이루어지는 액정 표시 장치.The pretilt film is a liquid crystal display device made of an organic material. 하부 절연 기판 상에 화소 전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode on the lower insulating substrate; 상기 화소 전극 상에 감광성 수지물을 도포하고, 상기 감광성 수지물을 패터닝하여 컬러 필터를 형성하는 단계;Coating a photosensitive resin material on the pixel electrode and patterning the photosensitive resin material to form a color filter; 상기 하부 절연 기판과 대향하는 상부 절연 기판 위에 감광성 유기 물질을 도포하는 단계;Applying a photosensitive organic material on the upper insulating substrate facing the lower insulating substrate; 상기 감광성 유기 물질을 패터닝하여 화소를 둘 이상으로 분할하는 능선을 포함하며, 상기 능선을 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 멀어질수록 두께가 얇아지는 경사진 구조의 선경사막을 형성하는 단계; 및 Forming a pretilt film having an inclined structure including a ridge line for dividing the pixel into two or more by patterning the photosensitive organic material, the thickness of which becomes thinner as the distance from each side or one side of the ridge line is increased; And 상기 상부 절연 기판과 상기 하부 절연 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Forming a liquid crystal layer between the upper insulating substrate and the lower insulating substrate. 제6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 화소 전극은 도메인 분할 수단인 절개부를 구비하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The pixel electrode includes a cutout that is a domain dividing means. 제7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 절개부는 상기 화소 전극과 대향하는 상기 선경사막의 능선의 사이에 대응하여 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법.And the cutout is formed between the ridge lines of the pretilt film facing the pixel electrode. 제7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 컬러 필터는 상기 절개부를 중심으로 양쪽 또는 한쪽으로 멀어질수록 두께가 얇아지는 경사지는 액정 표시 장치의 제조 방법.And the color filter is inclined to become thinner toward both sides or one side of the cutout. 제9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 컬러 필터를 형성하는 단계는 슬릿 패턴을 포함하는 마스크를 이용하여 노광 및 현상하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The forming of the color filter may include exposing and developing using a mask including a slit pattern. 제6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 감광성 수지물은 안료 타입의 감광성 수지물을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The said photosensitive resin material is a manufacturing method of the liquid crystal display device containing the photosensitive resin material of a pigment type. 제6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 선경사막을 형성하는 단계는 슬릿 패턴을 포함하는 마스크를 이용하여 노광 및 현상하는 단계로 이루어진 액정 표시 장치의 제조 방법.The forming of the pretilt film comprises exposing and developing using a mask including a slit pattern.
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