KR20070036919A - Exposure process - Google Patents
Exposure process Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070036919A KR20070036919A KR1020050091980A KR20050091980A KR20070036919A KR 20070036919 A KR20070036919 A KR 20070036919A KR 1020050091980 A KR1020050091980 A KR 1020050091980A KR 20050091980 A KR20050091980 A KR 20050091980A KR 20070036919 A KR20070036919 A KR 20070036919A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exposure
- layer
- exposure process
- equipment
- reference layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 노광 공정 진행 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정의 노광 공정에서 정렬 오차가 계속 발생하여 재작업이 증가하는 것을 방지하는 노광 공정 진행 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 노광 공정 진행 방법은 반도체 제조 공정의 레이어 중 한 레이어의 노광 공정을 진행한 로트 및 노광 장비의 공정에 대한 정보를 상기 레이어의 정보와 함께 저장하는 단계; 상기 저장된 레이어를 진행한 상기 노광 장비를 확인하는 단계; 및 상기 노광 장비에서 상기 레이어를 진행한 횟수에 따라 샘플 진행 여부를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 기준 레이어 공정에서 노광 장비를 변경하여 진행하는 경우에 이를 서버에 저장하여 변경된 노광 장비에서 노광 공정이 안정화될 때까지 샘플 진행을 실시하도록 설정하여 과도한 재작업이 발생하는 것을 방지하고, 생산성을 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a method of advancing an exposure process, and more particularly, to an exposure process method for preventing an increase in rework due to continuous alignment errors in the exposure process of a semiconductor manufacturing process. The exposure process progress method of the present invention for this purpose comprises the steps of storing the information on the process of the lot and the exposure equipment that has undergone the exposure process of one of the layers of the semiconductor manufacturing process with the information of the layer; Identifying the exposure apparatus that has advanced the stored layer; And determining whether or not to proceed with the sample according to the number of times the layer is advanced in the exposure apparatus. When the exposure equipment is changed in the reference layer process according to the present invention, it is stored in the server and set to proceed with the sample until the exposure process is stabilized in the changed exposure equipment, thereby preventing excessive rework from occurring. There is an effect of improving the productivity.
노광 공정, 노광 장비, 오버레이, 보정 Exposure process, exposure equipment, overlay, calibration
Description
도1은 반도체 제조 장비에서 사용되는 종래의 노광 공정 진행 방법을 보여주는 순서도.1 is a flow chart showing a conventional exposure process proceeding method used in semiconductor manufacturing equipment.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 공정 진행 방법을 보여주는 순서도.2 is a flow chart showing a method of performing an exposure process according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 노광 공정 진행 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정의 노광 공정에서 정렬 오차가 계속 발생하여 재작업이 증가하는 것을 방지하는 노광 공정 진행 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of advancing an exposure process, and more particularly, to an exposure process method for preventing an increase in rework due to continuous alignment errors in the exposure process of a semiconductor manufacturing process.
반도체 소자의 패턴을 형성하기 위한 리소그래피 공정은 반도체 기판에 포토레지스트의 도포, 노광 및 현상에 의해서 이루어진다. 반도체 소자의 집적도를 증가시키기 위하여 패턴이 미세화 됨에 따라 상기 패턴이 형성된 레이어(layer)의 개수도 증가하는 추세이다. 상기 레이어는 하나의 마스크를 이용하여 반도체 기판 위에 형성된 패턴을 말하는 것으로 일반적으로 리소그래피 공정과 식각공정으로 형성된 패턴을 말한다. 반도체 소자는 레이어의 형성을 반복함으로서 그 복잡한 구조를 형성한다. Lithographic processes for forming patterns of semiconductor devices are accomplished by the application, exposure and development of photoresists to semiconductor substrates. As the pattern becomes finer to increase the integration degree of the semiconductor device, the number of layers on which the pattern is formed also increases. The layer refers to a pattern formed on a semiconductor substrate by using a mask, and generally refers to a pattern formed by a lithography process and an etching process. The semiconductor element forms its complicated structure by repeating the formation of the layer.
패턴의 미세화에 따라 충분히 집적도를 증가시키기 위해서는 서로 다른 레이어 사이의 정렬오차를 충분히 작게 유지 관리하는 것이 필수적이다. 이렇게 레이어 사이의 정렬오차를 관리하기 위하여 각 레이어를 형성할 때 적합한 측정패턴을 같이 형성하여 리소그래피 공정을 진행할 때 발생하는 정렬오차를 오버레이 측정 장비에서 측정하여 보정하고 있다. In order to sufficiently increase the degree of integration as the pattern becomes smaller, it is essential to keep the alignment error between the different layers small enough. In order to manage the alignment error between layers, an appropriate measurement pattern is formed together when forming each layer, and the alignment error that occurs during the lithography process is measured and corrected by an overlay measuring device.
도1은 반도체 제조 장비에서 사용되는 종래의 노광 공정 진행 방법을 보여주는 순서도이다.1 is a flow chart showing a conventional exposure process proceeding method used in semiconductor manufacturing equipment.
도1에 도시된 바와 같이, 종래의 노광 공정 진행 방법에 따라 노광 공정을 진행하는 경우 먼저 반도체 제조 공정의 레이어 중에서 한 레이어의 노광 공정을 진행된다. As shown in FIG. 1, in the case of performing an exposure process according to a conventional exposure process proceeding process, an exposure process of one layer among layers of a semiconductor manufacturing process is first performed.
이때 상기 레이어를 진행한 로트 및 노광 장비의 공정에 대한 정보를 서버에 저장한다. 노광 장비의 공정에 대한 정보는 노광 장비의 식별 기호, 상기 레이어를 진행한 누적 사용 횟수 및 공정 순서 등을 포함한다.At this time, the information on the process of the lot and the exposure equipment that has performed the layer is stored in the server. Information on the process of the exposure equipment includes the identification symbol of the exposure equipment, the cumulative number of times of use of the layer and the process order.
이때 상기 레이어는 반도체 제조 공정의 여러 레이어 중에서 기준 레이어인 것이 바람직하다. 기준 레이어는 반도체 제조 공정의 여러 레이어 중에서 오버레이 관점에서 기준이 되는 레이어서로 예를 들어 활성 영역 또는 게이트 등과 같이 후속되는 여러 레이어들을 대부분 정렬시키는 레이어를 의미한다. In this case, the layer is preferably a reference layer among the various layers of the semiconductor manufacturing process. The reference layer refers to a layer that aligns most of several subsequent layers such as, for example, an active region or a gate, as a reference layer in terms of overlay among several layers of a semiconductor manufacturing process.
상기 기준 레이어는 후속되는 여러 레이어들을 기준 레이어에 정렬시키기 때문에, 기준 레이어의 오버레이 정보가 여러 레이어의 정렬 오차에 모두 영향을 준 다. 따라서 기준 레이어의 오버레이 정보를 일정하게 관리하는 것이 정렬 오차를 줄이는데 중요한 요소이다.Since the reference layer aligns subsequent layers with the reference layer, overlay information of the reference layer affects alignment errors of the multiple layers. Therefore, the constant management of overlay information of the reference layer is an important factor in reducing the alignment error.
따라서 기준 레이어에서 진행된 노광 공정의 오버레이 측정 결과를 포함한 노광 공정 결과는 서버에 계속 저장되어 후속 공정에 피드백(feedback)되어 정렬오차를 최소화시키는데 사용된다.Therefore, the exposure process result including the overlay measurement result of the exposure process performed in the reference layer is continuously stored in the server and fed back to the subsequent process to be used to minimize the alignment error.
그리고 기준 레이어의 노광 공정을 실시한 후에 실시되는 후속 레이어의 노광 공정에서 로트를 진행하는 경우 기준 레이어를 진행한 횟수에 따라서 샘플 진행을 할 것인지를 결정하여 후속 레이어를 진행한다.When the lot is processed in the exposure process of the subsequent layer, which is performed after the exposure process of the reference layer, it is determined whether to proceed with the sample according to the number of times that the reference layer is progressed, and then proceeds to the next layer.
종래의 노광 공정 진행 방법에 따라서 노광 공정을 진행하는 경우 서버에 저장된 오버레이 보정 데이터가 안정화되면 더 이상 샘플을 진행하지 않고 생산이 진행된다. In the case of performing the exposure process according to the conventional exposure process, if the overlay correction data stored in the server is stabilized, the production proceeds without proceeding any further samples.
그런데 상기 기준 레이어를 진행하는 노광 장비가 변경되는 경우에 이에 대한 확인 단계가 없기 때문에 서버에 저장된 오버레이 보정 데이터로 후속 레이어들이 계속 진행된다.However, when the exposure equipment that proceeds with the reference layer is changed, there is no checking step, and subsequent layers continue with overlay correction data stored in the server.
그러나 기준 레이어를 진행한 노광 장비가 바뀌면, 노광 장비별로 오버레이 보정 데이터가 변경되기 때문에 정렬 오차가 커지는 것이 필연적이다. 그런데 정렬 오차가 이렇게 커진 것을 알지 못하고 후속 레이어의 노광공정이 계속 진행되어 재작업(rework)이 급격히 증가하는 문제가 발생한다.However, when the exposure equipment that has undergone the reference layer is changed, it is necessary to increase the alignment error because the overlay correction data is changed for each exposure equipment. However, without knowing that the alignment error is so large, the exposure process of the subsequent layer is continued, a problem arises that the rework sharply increases.
이렇게 재작업이 증가하면 과도한 재작업으로 인하여 생산성이 저하되고, 노광 공정의 정렬 오차가 증가하기 때문에 공정의 특성도 저하되어 반도체 소자의 특 성도 나빠지는 문제가 있다.If the rework is increased in this way, productivity is lowered due to excessive reworking, and the alignment error of the exposure process is increased, thereby deteriorating the characteristics of the process and deteriorating the characteristics of the semiconductor device.
따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 노광 공정에서 노광 공정의 변경에 의해서 발생하는 정렬 오차에 의해서 재작업이 과도하게 발생하는 것을 방지하는 노광 공정 진행 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an exposure process progress method that prevents excessive rework due to an alignment error caused by a change in the exposure process in the exposure process. It is.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 노광 공정 진행 방법은 반도체 제조 공정의 레이어 중 한 레이어의 노광 공정을 진행한 로트 및 노광 장비의 공정에 대한 정보를 상기 레이어의 정보와 함께 저장하는 단계; 상기 저장된 레이어를 진행한 상기 노광 장비를 확인하는 단계; 및 상기 노광 장비에서 상기 레이어를 진행한 횟수에 따라 샘플 진행 여부를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a process of performing exposure of one layer of a layer of a semiconductor manufacturing process and information about a process of an exposure apparatus and the process of the exposure equipment are stored together with the information of the layer. Doing; Identifying the exposure apparatus that has advanced the stored layer; And determining whether or not to proceed with the sample according to the number of times the layer is advanced in the exposure apparatus.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 노광 장비의 공정에 대한 정보는 노광 장비의 식별 기호, 누적 사용 횟수 및 공정 순서를 포함하는 것을 특징으로 한다.In a preferred embodiment, the information on the process of the exposure equipment is characterized by including the identification symbol of the exposure equipment, the cumulative number of uses and the process sequence.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 공정 진행 방법을 보여주는 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of performing an exposure process according to an exemplary embodiment of the present invention.
도2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 노광 공정 진행 방법에 따라 노광 공정을 진행하는 경우 먼저 반도체 제조 공정의 여러 레이어 중에서 한 레이어의 노광 공정을 진행된다. As shown in FIG. 2, when the exposure process is performed according to the exposure process progress method of the present invention, an exposure process of one layer is first performed among several layers of a semiconductor manufacturing process.
이때 상기 레이어를 진행한 로트 및 노광 장비의 공정에 대한 정보를 레이어의 정보와 함께 서버에 저장한다. 노광 장비의 공정에 대한 정보는 노광 장비의 식별 기호, 상기 레이어를 상기 노광 장비에서 진행한 누적 사용 횟수 및 공정 순서 등을 포함한다.At this time, the information on the process of the lot and exposure equipment that has performed the layer is stored in the server together with the information of the layer. The information on the process of the exposure equipment includes the identification symbol of the exposure equipment, the cumulative number of times the process is performed in the exposure equipment, the process sequence, and the like.
이때 상기 레이어는 반도체 제조 공정의 여러 레이어 중에서 기준 레이어인 것이 바람직하다. 기준 레이어는 반도체 제조 공정의 여러 레이어 중에서 오버레이 관점에서 기준이 되는 레이어서로 예를 들어 활성 영역 또는 게이트 등과 같이 후속되는 여러 레이어들을 대부분 정렬시키는 레이어를 의미한다. In this case, the layer is preferably a reference layer among the various layers of the semiconductor manufacturing process. The reference layer refers to a layer that aligns most of several subsequent layers such as, for example, an active region or a gate, as a reference layer in terms of overlay among several layers of a semiconductor manufacturing process.
상기 기준 레이어는 후속되는 여러 레이어들을 기준 레이어에 정렬시키기 때문에, 기준 레이어의 오버레이 정보가 여러 레이어의 정렬 오차에 모두 영향을 준다. 따라서 기준 레이어의 오버레이 정보를 일정하게 관리하는 것이 정렬 오차를 줄이는데 중요한 요소이다.Since the reference layer aligns subsequent layers to the reference layer, overlay information of the reference layer affects alignment errors of the various layers. Therefore, the constant management of overlay information of the reference layer is an important factor in reducing the alignment error.
따라서 기준 레이어에서 진행된 노광 공정의 오버레이 측정 결과를 포함한 노광 공정 결과는 기준 레이어를 진행한 노광 장비별로 서버에 계속 저장되어 후속 공정에 피드백(feedback)되어 정렬오차를 최소화시키는데 사용된다.Therefore, the exposure process result including the overlay measurement result of the exposure process performed in the reference layer is continuously stored in the server for each exposure equipment that has undergone the reference layer and fed back to the subsequent process and used to minimize the alignment error.
그리고 기준 레이어의 노광 공정을 실시한 후에 실시되는 후속 레이어의 노광 공정에서 로트를 진행하는 경우 기준 레이어의 노광 공정을 진행한 상기 노광 장비를 확인하고, 상기 노광 장비에서 기준 레이어의 노광 공정을 진행한 횟수에 따라서 샘플 진행을 할 것인지를 결정하여 후속 레이어를 진행한다.When the lot is processed in the exposure process of the subsequent layer, which is performed after the exposure process of the reference layer, the number of times the exposure process of the reference layer is performed by confirming the exposure equipment that performed the exposure process of the reference layer. According to the decision whether to proceed with the sample proceeds to the next layer.
상기 노광 장비에서 기준 레이어를 진행한 횟수가 예를 들어 3회 혹은 5회 이상인 경우에만 샘플을 진행하지 않고 후속 레이어를 진행하는 것이다.Only when the number of times the reference layer is advanced in the exposure apparatus is three or five times or more, for example, the subsequent layer is performed without proceeding with the sample.
즉 현재의 노광 장비에서 진행할 로트의 기준 레이어를 진행한 상기 노광 장비에서 다른 로트들을 정해진 횟수 이상으로 진행한 오보레이 보정 데이터가 축적되어 있지 않으면 정렬 오차가 많이 발생하여 재작업(rework)을 할 가능성이 높기 때문에 이러한 경우에는 미리 샘플 공정을 진행하여 과도한 재작업을 방지하는 것이다.That is, if there is no accumulation of overlay correction data that has progressed other lots more than a predetermined number of times in the exposure equipment that has progressed the reference layer of the lot to be processed in the current exposure equipment, a possibility of rework may occur due to a large number of alignment errors. In this case, the sample process is performed in advance in order to prevent excessive rework.
이상에서 설명한 본 발명의 노광 공정 진행 방법은 노광 공정을 관리하는 생산 소프트웨어에 적용하여 그대로 사용하는 것이 바람직하다.It is preferable to apply the exposure process progress method of this invention demonstrated above to production software which manages an exposure process, and to use it as it is.
즉 기준 레이어를 진행한 장비에서의 로트 진행 횟수를 확인하여 샘플 진행을 [판단하는 메뉴를 첨가하여 자동으로 이러한 본 발명의 노광 공정 진행 방법을 진행하도로 하는 것이 바람직하다.That is, it is preferable to automatically proceed with the exposure process proceeding method of the present invention by adding a menu for determining the progress of the sample by checking the number of lot progresses in the equipment which has progressed the reference layer.
이상에서, 본 발명의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상 및 특허청구 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the present invention have been shown in accordance with the above description and drawings, but this is merely described, for example, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit and scope of the present invention. Of course.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 노광 공정 진행 방법을 적용하면 기준 레이어 공정에서 노광 장비를 변경하여 진행하는 경우에 이를 서버에 저장하여 변경된 노광 장비에서 노광 공정이 안정화될 때까지 샘플 진행을 실시하도록 설정하여 과도한 재작업이 발생하는 것을 방지하고, 생산성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, when the exposure process proceeding method according to the present invention is applied, when the exposure equipment is changed in the reference layer process and stored, it is stored in a server so that the sample proceeds until the exposure process is stabilized in the changed exposure equipment. By setting it, it is possible to prevent excessive reworking and improve productivity.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050091980A KR20070036919A (en) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | Exposure process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050091980A KR20070036919A (en) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | Exposure process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070036919A true KR20070036919A (en) | 2007-04-04 |
Family
ID=38158904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050091980A KR20070036919A (en) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | Exposure process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070036919A (en) |
-
2005
- 2005-09-30 KR KR1020050091980A patent/KR20070036919A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8440475B2 (en) | Alignment calculation | |
| US8500950B2 (en) | Exposure condition setting method, substrate processing apparatus, and computer program | |
| TWI410822B (en) | Advanced process control method and system | |
| US20030054642A1 (en) | Production method of semiconductor device and production system of semiconductor device | |
| CN109643640B (en) | Method and computer program product for controlling the positioning of a pattern on a substrate in a process | |
| US20220359313A1 (en) | Thin-film non-uniform stress evaluation | |
| KR100807229B1 (en) | How to correct design pattern of mask | |
| KR100539279B1 (en) | Method for overlay measurement | |
| KR20180119503A (en) | Method of monitoring and device manufacturing method | |
| KR20070036919A (en) | Exposure process | |
| US20100104962A1 (en) | Patterning method, exposure system, computer readable storage medium, and method of manufacturing device | |
| KR100677995B1 (en) | Control method of photolithography process | |
| US10788806B2 (en) | Initializing individual exposure field parameters of an overlay controller | |
| KR100714266B1 (en) | Image correction method in manufacturing process of semiconductor device | |
| KR20070056197A (en) | How to set exposure conditions | |
| KR20070036347A (en) | How to set exposure conditions | |
| US10203596B2 (en) | Method of filtering overlay data by field | |
| US7046332B2 (en) | Exposure system and method with group compensation | |
| KR100818388B1 (en) | Pattern Threshold Control Method of Semiconductor Device | |
| JP2000294489A (en) | Pattern overlapping method and aligner | |
| KR20080056429A (en) | Mask inspection method | |
| KR20030016458A (en) | method for inter-locking tool induce shift data in overlay measuring apparatus | |
| KR100724187B1 (en) | How to control photo process CD in APC system | |
| JP2000306812A (en) | Alignment method | |
| KR20060061095A (en) | Overlay measurement method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20050930 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |