KR20080056429A - Method of inspecting mask - Google Patents

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KR20080056429A
KR20080056429A KR1020060129319A KR20060129319A KR20080056429A KR 20080056429 A KR20080056429 A KR 20080056429A KR 1020060129319 A KR1020060129319 A KR 1020060129319A KR 20060129319 A KR20060129319 A KR 20060129319A KR 20080056429 A KR20080056429 A KR 20080056429A
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안병설
이병암
임영규
김경범
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삼성전자주식회사
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Abstract

A method for inspecting a mask is provided to improve productivity and to implement an automatic inspection process by automatically comparing a weak pattern region with a reference mask pattern and repeating the comparison process unit an error range satisfies a criteria. A desired reference mask pattern to be formed on a wafer is set(S10). An optical proximity correction is performed on an image of the reference mask pattern to obtain a corrected mask pattern(S20). A simulation image representing a pattern obtained on the wafer is obtained by the corrected mask pattern(S30). The simulation image and the reference mask pattern are compared(S40). In case the comparison result of the simulation image and the reference mask pattern is over an error range, the processes for obtaining the corrected mask pattern and the simulation image and the comparison are repeated.

Description

마스크 검사 방법{Method of Inspecting Mask}Method of Inspecting Mask

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 검사 방법을 나타내는 도면들이다. 1A to 1C are diagrams illustrating a mask inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 검사 방법을 나타내는 흐름도이다. 2 is a flowchart illustrating a mask inspection method according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 로드 포트 120 : 고정부110: load port 120: fixed portion

본 발명은 마스크 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광학 근접 보정을 수행한 후 자동으로 마스크 패턴을 검사하는 마스크 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask inspection method, and more particularly, to a mask inspection method for automatically inspecting a mask pattern after performing optical proximity correction.

급속도로 발전하는 정보화 사회에 있어서 대량의 정보를 보다 빠르게 처리하기 위해 데이터 전송 속도가 높은 고집적 소자가 요구되고 있다. 고집적 반도체 소자를 제조하기 위해서 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)은 급속도로 줄어들고 있다. 따라서, 반도체 소자는 더욱 미세해진 패턴을 요구하고 있다.In a rapidly developing information society, a high-integration device having a high data transfer rate is required to process a large amount of information faster. In order to manufacture highly integrated semiconductor devices, design rules of semiconductor devices are rapidly decreasing. Therefore, semiconductor devices require more finer patterns.

이와 같은 미세 회로 공정 기술의 발달은 일정한 칩 면적에 보다 많은 회로의 집적을 가능하게 하여 칩의 고집적화 및 대용량화는 물론이고 지연 시간의 단축을 통한 능력의 향상을 가져오게 하였다.The development of such fine circuit process technology enables the integration of more circuits in a certain chip area, resulting in higher integration and higher capacity of the chip, as well as improvement in capability through shortening of delay time.

이러한 미세 회로 공정에 있어 가장 기본적인 기술은 포토리소그래피(Photolithography)이다. 상기 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 물질층을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 포토레지스트 막을 형성하기 위하여 상기 포토레지스트 조성물층을 경화시키는 베이크 공정과, 레티클 패턴을 상기 포토레지스트 막으로 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 전사된 레티클 패턴을 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위한 현상 공정을 포함한다.Photolithography is the most basic technique for such microcircuit processes. The photolithography process includes a photoresist coating process for forming a photoresist material layer on a semiconductor substrate, a baking process for curing the photoresist composition layer to form a photoresist film, and a transfer of a reticle pattern to the photoresist film. And a developing step for forming the transferred reticle pattern into a photoresist pattern.

그러나 기존의 포토리소그래피 방법으로 미세 공정을 수행하는 경우, 근접하게 밀집된 패턴을 정확하게 정의할 수 없어 근접 효과(Proximity Effect)가 발생하게 된다. 100nm이하의 미세 패턴을 근접시켜 형성하기 위해서는 기존의 사진 공정에서 위상 반전 마스크(Phase Shifting Mask : PSM), OAI(Off-Axis Illumination) 및 광학 근접 보정(Optical Proximity Correction: OPC) 등의 방법을 적용하고 있다.However, when the micro process is performed by the conventional photolithography method, a close-dense pattern cannot be accurately defined, and thus a proximity effect occurs. In order to form fine patterns of 100nm or less, phase shifting mask (PSM), off-axis illumination (OAI), and optical proximity correction (OPC) are applied in the existing photographic process. Doing.

특히, 상기 광학 근접 보정 방법은 포토리소그래피 공정을 수행한 후 형성되는 포토레지스트 패턴이 노광 공정 시 사용되는 레티클 패턴(목적하는 패턴)과 다르게 형성되는데, 이 경우에 포토레지스트 패턴이 목적하는 패턴을 갖기 위하여 상기 레티클 패턴을 보정하는 방법이다.In particular, in the optical proximity correction method, the photoresist pattern formed after the photolithography process is formed differently from the reticle pattern (target pattern) used in the exposure process. In this case, the photoresist pattern may have a desired pattern. In order to correct the reticle pattern.

종래의 광학 근접 보정 방법을 이용한 마스크 검사 공정을 살펴보면, 목적하 는 패턴에 대하여 상기와 같은 광학 근접 보정을 하여 보정된 레티클 패턴을 형성한다. 이 경우에 있어서, 목적하는 패턴 상에서 취약한 지점에 대한 시뮬레이션을 진행하여 보정된 레티클 패턴을 형성한다. 이 후, 상기 보정된 레티클 패턴에 따라 실제 포토리소그래피 공정을 수행하여 형성된 포토레지스트 패턴과 목적하는 패턴들의 선폭(Critical Dimension: CD)을 서로 비교하게 된다. Looking at the mask inspection process using a conventional optical proximity correction method, the optical proximity correction as described above for the desired pattern to form a corrected reticle pattern. In this case, simulation of weak spots on the desired pattern is performed to form a corrected reticle pattern. Thereafter, the photoresist pattern formed by performing the actual photolithography process according to the corrected reticle pattern and the critical dimensions (CD) of the desired patterns are compared with each other.

이 때, 상기 취약한 지점에 대하여 이상 유무를 서로 비교하는데, 이 부분의 전산화가 이루어지지 않아 상기 CD 측정을 일일이 수작업을 통해 비교하게 된다. 집적도 향상과 더불어 증가한 검출 포인트에 대한 검출작업 시간이 증가하였고, 약 100 포인트 이상 되는 검출 포인트에 대하여 수작업으로 비교하기 때문에 상당한 시간이 소요되고, 비교 결과 데이터 중 일부가 유실되어 다시 작업을 하여야 하는 문제점이 발생된다. 또한, 상기 비교 결과를 수작업으로 입력하여야 하는 불편이 있다. At this time, the weak point is compared with each other for the presence or absence of each other, the computerization of this portion is not made to compare the CD measurement by hand manually. In addition to the improved integration, the detection time for the increased detection point has been increased, and it takes considerable time because the manual comparison is made for detection points that are about 100 points or more. Is generated. In addition, it is inconvenient to manually input the comparison result.

따라서, 마스크 패턴을 보정하고 이를 검사하는 과정의 자동화가 요구되고 있다.Therefore, there is a need for an automated process of correcting and inspecting a mask pattern.

본 발명의 목적은 광학 근접 보정을 수행한 후 자동으로 마스크 패턴을 검사하는 마스크 검사 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a mask inspection method for automatically inspecting the mask pattern after performing the optical proximity correction.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 마스크 검사 방법은 i) 웨이퍼 상에 형성시키고자 하는 기준 마스크 패턴을 설정하는 단계, ii) 상기 기준 마스크 패턴의 이미지에 대한 광학 근접 보정(optical proximity correction)을 수행하여 보정 마스크 패턴을 획득하는 단계, iii) 상기 보정 마스크 패턴에 의해 상기 웨이퍼 상에 얻어지는 패턴을 나타내는 시뮬레이션 이미지를 획득하는 단계, iv) 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 비교하는 단계를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, a mask inspection method according to the present invention comprises the steps of: i) setting a reference mask pattern to be formed on a wafer, ii) optical proximity correction of an image of the reference mask pattern performing a correction) to obtain a correction mask pattern, iii) obtaining a simulation image representing a pattern obtained on the wafer by the correction mask pattern, iv) comparing the simulation image with the image of the reference mask pattern It includes a step.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 시뮬레이션 이미지를 상기 기준 마스크 패턴과 비교하여 오차 범위를 초과하는 경우 상기 ii) 내지 iv) 단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다. 이 경우에 있어서, 반복 수행하여 상기 보정 마스크 패턴을 획득하는 단계는 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 비교한 결과를 반영하여 광학 근접 보정을 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, when the simulation image is compared with the reference mask pattern and exceeds an error range, steps ii) to iv) may be repeatedly performed. In this case, the step of repeatedly performing the acquisition of the correction mask pattern may be characterized by performing optical proximity correction by reflecting the result of comparing the image of the simulation image and the reference mask pattern.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴을 비교하는 단계는 상기 시뮬레이션 이미지로부터 취약 패턴 영역을 결정하는 단계 및 상기 취약 패턴 영역 상에서 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 자동으로 비교하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우에 있어서, 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 비교하는 단계는 상기 취약 패턴 영역 상에서 패턴의 선폭, 상기 패턴들 사이의 간격 및 상기 패턴들의 위치를 비교하는 것을 특징으로 할 수 있다. According to an embodiment of the present disclosure, the comparing of the simulated image and the reference mask pattern may include determining a weak pattern region from the simulation image, and comparing the simulation image and the reference mask pattern image on the weak pattern region. And comparing automatically. In this case, the comparing of the simulation image and the image of the reference mask pattern may be characterized by comparing the line width of the pattern, the spacing between the patterns and the position of the patterns on the weak pattern region.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 마스크 검사 방법에 따르면, 광학 근접 보정을 수행한 후 자동으로 마스크 패턴을 검사하고 그 결과를 피드백함으로써, 광학 근접 보정을 수행한 후에 취약 패턴 영역에 대하여 기준 마스크 패턴과 자동으로 비교하여 오차 범위를 만족할 때까지 반복함으로써, 생산성을 향상시키고 검사 과정을 자동화시킬 수 있게된다.According to the mask inspection method according to the present invention configured as described above, by automatically inspecting the mask pattern after performing the optical proximity correction and feedback the result, the reference mask pattern and the automatic pattern for the weak pattern region after performing the optical proximity correction By repeating until the error range is satisfied, the productivity can be improved and the inspection process can be automated.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막), 영역, 리세스, 패드, 패턴들 또는 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들 위에 형성되거나 또는 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역, 다른 패드, 다른 패턴 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들이 "제1" 및/또는 "제2"로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, "제1" 및/또는 "제2"는 각 층(막), 영역, 패드, 리세스, 패턴 또는 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments, and those skilled in the art will have the technical idea of the present invention. The present invention may be embodied in various other forms without departing from the scope of the present invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the substrates, layers (films), regions, recesses, pads, patterns or structures are shown to be larger than actual for clarity of the invention. In the present invention, each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure is placed on the "on", "top" or "bottom" of the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. When referred to as being formed, it means that each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure is directly formed on or under the substrate, each layer (film), region, pad or patterns or Other layers (films), other regions, different pads, different patterns or other structures may additionally be formed on the substrate. Further, where each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure is referred to as "first" and / or "second", it is not intended to limit these members but only each layer (film), To distinguish between areas, pads, recesses, patterns or structures. Thus, the "first" and / or "second" may be used selectively or interchangeably for each layer (film), region, pad, recess, pattern or structure, respectively.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 검사 방법을 나타내 는 도면들이다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 검사 방법을 나타내는 흐름도이다. 1A to 1C are diagrams illustrating a mask inspection method according to an exemplary embodiment of the present invention. 2 is a flowchart illustrating a mask inspection method according to an embodiment of the present invention.

도 1a 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 상에 형성시키고자 하는 기준 마스크 패턴을 설정한다. 상기 기준 마스크 패턴은 실제 웨이퍼 상에 형성되는 회로 패턴과 실질적으로 동일하다.(S10)1A and 2, reference mask patterns to be formed on a wafer are set. The reference mask pattern is substantially the same as the circuit pattern formed on the actual wafer (S10).

설정된 상기 기준 마스크 패턴으로부터 이미지를 획득한다. 구체적으로, 상기 기준 마스크 패턴은 CAD 프로그램을 이용하여 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)로 저장된다. 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)는 광학 근접 보정을 수행하는 검사 시스템에 입력된다.Obtain an image from the set reference mask pattern. Specifically, the reference mask pattern is stored as an image 10 of the reference mask pattern using a CAD program. The image 10 of the reference mask pattern is input to an inspection system that performs optical proximity correction.

도 1b 및 도 2를 참조하면, 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)에 대하여 광학 근접 보정을 수행하여 보정 마스크 패턴(20)을 획득한다.(S20)1B and 2, an optical proximity correction is performed on the image 10 of the reference mask pattern to obtain a correction mask pattern 20 (S20).

상기 설계 시스템은 CAD 프로그램에 의해 저장된 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)로부터 패턴의 선폭과, 상기 패턴들 사이의 간격과, 상기 패턴들의 위치 등을 포함하는 정보를 획득한다. 이 후, 상기 획득된 정보로부터 최적의 모델을 생성한 후, 상기 기준 마스크 패턴과 비교하여 광학 근접 보정을 수행하여 상기 보정 마스크 패턴(20)을 생성시킨다.The design system obtains information including the line width of the pattern, the spacing between the patterns, the position of the patterns, and the like from the image 10 of the reference mask pattern stored by the CAD program. Thereafter, an optimal model is generated from the obtained information, and then the optical proximity correction is performed by comparing the reference mask pattern to generate the correction mask pattern 20.

도 1c 및 도 2를 참조하면, 상기 보정 마스크 패턴(20)에 의해 상기 웨이퍼 상에 얻어지는 패턴을 나타내는 시뮬레이션 이미지(30)를 획득한다.(S30)1C and 2, a simulation image 30 representing a pattern obtained on the wafer is obtained by the correction mask pattern 20 (S30).

상기 검사 시스템은 상기 보정 마스크 패턴(20)을 이용하여 실제로 노광 공정을 수행하는 경우 상기 웨이퍼 상에 형성되는 테스트 패턴을 예측하고, 상기 테 스트 패턴을 나타내는 시뮬레이션 이미지(30)를 생성시킨다.The inspection system predicts a test pattern formed on the wafer when the exposure process is actually performed using the correction mask pattern 20, and generates a simulation image 30 representing the test pattern.

종래에는 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼를 스캐너 또는 스텝퍼 내로 로딩하고, 상기 스캐너 또는 스텝퍼 내에 상기 보정 마스크 패턴을 배치시킨다. 상기 보정 마스크 패턴을 이용하여 상기 포토레지스트 막을 축소 노광한다. 상기 노광된 포토레지스트 막을 현상하여 웨이퍼 상에 상기 테스트 패턴을 형성한다. 이 후, SEM(scanning electron microscope)을 이용하여 상기 테스트 패턴이 형성된 웨이퍼의 이미지를 획득한다.Conventionally, a wafer on which a photoresist film is formed is loaded into a scanner or stepper, and the correction mask pattern is placed in the scanner or stepper. The photoresist film is reduced and exposed using the correction mask pattern. The exposed photoresist film is developed to form the test pattern on a wafer. Thereafter, an image of the wafer on which the test pattern is formed is obtained by using a scanning electron microscope (SEM).

본 발명에 따르면, 상기 검사 시스템은 실제로 노광 공정을 수행하지 않고 시뮬레이션 툴(simulation tool)을 이용하여 상기 웨이퍼 상에 형성되는 패턴을 예측하고, 상기 패턴을 나타내는 상기 시뮬레이션 이미지(30)를 획득할 수 있게 된다.According to the present invention, the inspection system may predict a pattern formed on the wafer by using a simulation tool without actually performing an exposure process, and obtain the simulation image 30 representing the pattern. Will be.

이 후, 상기 시뮬레이션 이미지(30)는 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)와 비교된다.(S40) 상기 검사 시스템은 연산 장치를 이용하여, 상기 시뮬레이션 이미지(30)가 상기 마스크 패턴에 대하여 일정한 오차 범위 내에서 일치하는 지 여부를 자동으로 연산하게 된다.Thereafter, the simulation image 30 is compared with the image 10 of the reference mask pattern. (S40) The inspection system uses an arithmetic device, whereby the simulation image 30 has a constant error with respect to the mask pattern. It automatically calculates whether a match is made within the range.

구체적으로, 먼저 상기 시뮬레이션 이미지(30)로부터 취약 패턴 영역(A, B)을 결정한다. 상기 취약 패턴 영역은 DRC(Design Rule Control)등과 같은 소프트웨어를 이용하여 최소 스페이스/라인 등을 찾아낸다. 상기 웨이퍼 상의 한 중(Column/Row)를 순차적 또는 선택적으로 검사를 진행하고, 정상 조건에서는 검출이 되지 않지만 특정 조건에서는 형성되어지는 패턴이 정상 조건의 지역보다 더 굵 거나 얇게 되어 브릿지 또는 개방이 상대적으로 더 심하게 발생하게 되므로 보다 쉽게 어느 부분이 취약한 부분인지 쉽게 검출이 가능하게 된다. Specifically, first, the weak pattern regions A and B are determined from the simulation image 30. The weak pattern region finds a minimum space / line using software such as DRC (Design Rule Control). Column / Row of the wafer is sequentially or selectively inspected, and under normal conditions, but not detected under certain conditions, the pattern to be formed is thicker or thinner than the area under normal conditions so that the bridge or opening is relatively As it occurs more severely, it is easier to detect which part is vulnerable.

상기 취약 패턴 영역은 상기 웨이퍼 상에 전사되는 패턴의 밀집도와 패턴 크기에 따라 광의 회절, 산란 및 간섭이 상대적으로 크게 나타나는 영역이다. 따라서, 선폭이 상대적으로 밀집되는 부분, 패턴의 가장자리 부분, 패턴의 라운드되는 부분, 다양한 패턴 형상 중에서 밀집된 부분 등이 상기 취약 패턴 영역이 될 수 있다. The fragile pattern region is a region where diffraction, scattering, and interference of light are relatively large according to the density and pattern size of the pattern transferred onto the wafer. Accordingly, the fragile pattern region may include a portion where the line width is relatively dense, an edge portion of the pattern, a round portion of the pattern, and a dense portion among various pattern shapes.

상기 취약 패턴 영역 상에서 상기 시뮬레이션 이미지(30)와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)를 자동으로 비교한다. 상기 연산 장치는 상기 취약 패턴 영역 상에서 상기 시뮬레이션 이미지(30)가 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)에 대하여 일정한 오차 범위 내에서 일치하는 지 여부를 자동으로 연산하게 된다. The simulation image 30 and the image 10 of the reference mask pattern are automatically compared on the weak pattern region. The computing device automatically calculates whether the simulation image 30 coincides within a certain error range with respect to the image 10 of the reference mask pattern on the weak pattern region.

상기 연산 장치는 상기 시뮬레이션 이미지(30)를 상기 기준 마스크 패턴과 비교하여 일정한 오차 범위를 초과하는 경우에 상기 시뮬레이션 이미지(30)를 광학 근접 보정을 수행하는 상기 검사 시스템에 피드백 시키고(S50), 전술한 과정을 반복 수행하게 된다.The computing device compares the simulation image 30 with the reference mask pattern and feeds back the simulation image 30 to the inspection system performing optical proximity correction when exceeding a predetermined error range (S50). You will repeat the process.

이 때, 상기 검사 시스템은 상기 시뮬레이션 이미지(30)와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)를 비교한 결과를 반영하여 다시 상기 기준 마스크 패턴의 이미지(10)에 대하여 광학 근접 보정을 수행하여 보정 마스크 패턴(20)을 획득한다. At this time, the inspection system reflects the result of comparing the simulation image 30 and the image 10 of the reference mask pattern, and performs optical proximity correction on the image 10 of the reference mask pattern again to correct the mask. Obtain the pattern 20.

이 후의 검사 과정은 전술한 바와 같이 이루어지게 된다. Subsequent inspection proceeds as described above.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마스크 검사 방법은 광학 근접 보정을 수행한 후 자동으로 마스크 패턴을 검사하고 그 결과를 피드백함으로써, 광학 근접 보정을 수행한 후에 취약 패턴 영역에 대하여 기준 마스크 패턴과 자동으로 비교하여 오차 범위를 만족할 때까지 반복함으로써, 생산성을 향상시키고 검사 과정을 자동화시킬 수 있게된다.As described above, the mask inspection method according to the preferred embodiment of the present invention automatically inspects the mask pattern after performing the optical proximity correction and feeds back the result, thereby making reference to the weak pattern region after performing the optical proximity correction. By automatically comparing with the mask pattern and iterating until the margin of error is met, productivity can be improved and the inspection process can be automated.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (5)

i) 웨이퍼 상에 형성시키고자 하는 기준 마스크 패턴을 설정하는 단계;i) setting a reference mask pattern to be formed on the wafer; ii) 상기 기준 마스크 패턴의 이미지에 대한 광학 근접 보정(optical proximity correction)을 수행하여 보정 마스크 패턴을 획득하는 단계;ii) performing optical proximity correction on the image of the reference mask pattern to obtain a correction mask pattern; iii) 상기 보정 마스크 패턴에 의해 상기 웨이퍼 상에 얻어지는 패턴을 나타내는 시뮬레이션 이미지를 획득하는 단계;iii) acquiring a simulation image representing the pattern obtained on the wafer by the correction mask pattern; iv) 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 비교하는 단계를 포함하는 마스크 검사 방법.iv) comparing the simulated image with the image of the reference mask pattern. 제 1 항에 있어서, 상기 시뮬레이션 이미지를 상기 기준 마스크 패턴과 비교하여 오차 범위를 초과하는 경우 상기 ii) 내지 iv) 단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 마스크 검사 방법.The mask inspection method of claim 1, wherein steps ii) to iv) are repeated when the simulation image is compared with the reference mask pattern to exceed an error range. 제 2 항에 있어서, 반복 수행하여 상기 보정 마스크 패턴을 획득하는 단계는 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 비교한 결과를 반영하여 광학 근접 보정을 수행하는 것을 특징으로 하는 마스크 검사 방법. The method of claim 2, wherein the repetitively obtaining the correction mask pattern reflects a result of comparing the simulation image with the image of the reference mask pattern to perform optical proximity correction. 제 1 항에 있어서, 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴을 비교하는 단계는 The method of claim 1, wherein the comparing of the simulated image and the reference mask pattern comprises: 상기 시뮬레이션 이미지로부터 취약 패턴 영역을 결정하는 단계; 및Determining a weak pattern region from the simulation image; And 상기 취약 패턴 영역 상에서 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 자동으로 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 검사 방법.And automatically comparing the simulation image with the image of the reference mask pattern on the weak pattern region. 제 4 항에 있어서, 상기 시뮬레이션 이미지와 상기 기준 마스크 패턴의 이미지를 비교하는 단계는 상기 취약 패턴 영역 상에서 패턴의 선폭, 상기 패턴들 사이의 간격 및 상기 패턴들의 위치를 비교하는 것을 특징으로 하는 마스크 검사 방법. 5. The mask inspection of claim 4, wherein the comparing of the simulation image and the image of the reference mask pattern comprises comparing a line width of the pattern, a spacing between the patterns, and positions of the patterns on the weak pattern region. Way.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US11054736B2 (en) 2017-11-28 2021-07-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask for lithography and associated methods

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