KR20070034200A - Laminated package having adhesive layer and method for manufacturing same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 접착층을 갖는 적층 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 팬-아웃(fan-out) 타입의 보드 온 칩(Board On Chip; BOC) 패키지는 적층하는 과정과 적층 패키지를 기판에 실장하는 과정에서 작용하는 열적 스트레스로 인해 휨이나 솔더 접합 불량이 발생된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated package having an adhesive layer and a method of manufacturing the same. A fan-out board on chip (BOC) package is a process of laminating and mounting a laminated package on a substrate. Thermal stresses in the bonds cause bending and solder joint failures.

본 발명은 상기한 문제를 해소하기 위해서, 하부 패키지의 반도체 칩과 상부 패키지의 수지 봉합부 양쪽의 배선기판 하부면에 열압착으로 개재된 접착층을 갖는 적층 패키지 및 그의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 상부 및 상부 패키지 사이에 접착층을 열압착하는 과정에서 열압착기가 하부 및 상부 패키지의 수평도를 맞추어 주기 때문에, 적층하는 과정에서 작용하는 열적 스트레스에 따른 휨이 발생되는 것을 억제하여 솔더 접합 불량이 발생되는 것을 막을 수 있다. 또한 비록 하부 및 상부 패키지에 휨이 발생되었다 하더라도 접착층을 열압착하는 과정에서 휨을 수정할 수 있다. 그리고 접착층을 갖는 적층 패키지를 모기판이나 모듈용 기판에 솔더 접합할 때, 작용하는 열적 스트레스는 접착층이 흡수하기 때문에, 적층 패키지의 휨이나 솔더 접합 불량이 발생되는 것을 억제할 수 있다.The present invention provides a laminated package having a bonding layer interposed by thermocompression on the lower surface of the wiring board of both the semiconductor chip of the lower package and the resin sealing portion of the upper package, in order to solve the above problems. According to the present invention, since the thermocompressor adjusts the horizontality of the lower and upper packages in the process of thermally compressing the adhesive layer between the upper and upper packages, it is possible to suppress the occurrence of warpage due to the thermal stress acting during the lamination process. Solder joint failure can be prevented. In addition, even if warpage is generated in the lower and upper packages, the warpage may be corrected in the process of thermocompression bonding the adhesive layer. When the laminated package having the adhesive layer is solder-bonded to the mother substrate or the module substrate, the thermal stress acting is absorbed by the adhesive layer, so that warpage of the laminated package and poor solder joint can be suppressed.

비오씨(BOC), 휨, 솔더 접합, 솔더 오픈, 적층 BOC, Bending, Solder Bonding, Solder Open, Lamination

Description

접착층을 갖는 적층 패키지 및 그의 제조 방법{Stack package having adhesive layer and manufacturing method thereof}Stack package having an adhesive layer and a method of manufacturing the same

도 1은 종래기술에 따른 보드 온 칩 패키지들을 적층한 적층 패키지를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a laminated package in which board-on-chip packages according to the prior art are stacked.

도 2의 도 1의 모듈용 기판에 실장된 적층 패키지에서 휨과 솔더 접합 불량이 발생된 상태를 개략적으로 보여주는 측면도이다.FIG. 2 is a side view schematically illustrating a state in which warpage and solder bonding defects are generated in the multilayer package mounted on the module substrate of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 접착층을 갖는 적층 패키지를 보여주는 분해 사시도이다.3 is an exploded perspective view showing a laminated package having an adhesive layer according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of FIG. 3.

도 5는 도 3의 적층 패키지에 사용되는 접착층들을 보여주는 단면도들이다.(4가지)FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating adhesive layers used in the stacking package of FIG. 3.

도 6 내지 도 8은 도 3의 적층 패키지의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 단면도이다.6 to 8 are cross-sectional views illustrating each step according to the method of manufacturing the laminated package of FIG. 3.

도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 필러(filler)를 갖는 접착층을 갖는 적층 패키지를 보여주는 단면도이다.9 is a cross-sectional view showing a laminated package having an adhesive layer having a filler according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *Description of the main parts of the drawing

110 : BOC 패키지 120 : 배선기판110: BOC package 120: wiring board

121 : 상부면 123 : 하부면121: upper surface 123: lower surface

125 : 창 130 : 반도체 칩125: window 130: semiconductor chip

131 : 센터 패드 140 : 본딩 와이어131: center pad 140: bonding wire

150 : 수지 봉합부 151 : 제 1 봉합부150: resin sealing portion 151: first sealing portion

160 : 솔더 볼 170 : 접착층160: solder ball 170: adhesive layer

171 : 제 1 접착층 173 : 제 2 접착층171: first adhesive layer 173: second adhesive layer

175 : 필러 191, 193 : 열압착기175: filler 191, 193: thermocompressor

200, 300 : 적층 패키지200, 300: laminated package

본 발명은 적층 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 보드 온 칩(Board On Chip; BOC) 패키지가 3차원으로 적층된 접착층을 갖는 적층 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laminated package and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a laminated package having an adhesive layer in which a board on chip (BOC) package is laminated in three dimensions and a method for manufacturing the same.

전자기기들의 경박단소화 추세에 따라 그의 핵심 소자인 패키지의 고밀도, 고실장화가 중요한 요인으로 대두되고 있으며, 또한 컴퓨터의 경우 기억 용량의 증가에 따른 대용량의 램(Random Access Memory ; RAM) 및 플래시 메모리(Flash Memory)와 같이 칩의 크기는 자연적으로 증대되지만 패키지는 상기의 요건에 따라 소형화되는 경향으로 연구되고 있다.With the trend toward thinner and shorter electronic devices, high-density and high-mounted packages are becoming important factors, and in the case of computers, large amounts of random access memory (RAM) and flash memory are increasing with increasing storage capacity. Like the Flash Memory, the size of the chip grows naturally, but the package is being studied to be smaller in accordance with the above requirements.

여기서, 패키지의 크기를 줄이기 위해서 제안되어 온 여러 가지 방안 예를 들면, 복수개의 반도체 패키지가 적층된 적층 패키지와, 배선기판의 적어도 일면에 복수개의 반도체 패키지 또는 적층 패키지가 평면적으로 실장된 반도체 모듈 등이 있다.Here, various methods that have been proposed to reduce the size of a package include, for example, a multilayer package in which a plurality of semiconductor packages are stacked, a semiconductor module in which a plurality of semiconductor packages or a multilayer package is mounted on at least one surface of a wiring board, and the like. There is this.

단위 패키지로서 보드 온 칩(Board On Chip; BOC) 패키지를 사용한 종래기술에 따른 적층 패키지가 도 1에 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 적층 패키지(100)는 두 개의 BOC 패키지(10)가 3차원으로 적층된 구조를 갖는다. 이때 상대적으로 아래쪽에 위치하는 BOC 패키지(10a)를 하부 패키지라 하고, 상대적으로 위쪽에 위치하는 BOC 패키지(10b)를 상부 패키지라 한다.A stacked package according to the prior art using a board on chip (BOC) package as a unit package is shown in FIG. 1. Referring to FIG. 1, the stack package 100 according to the related art has a structure in which two BOC packages 10 are stacked in three dimensions. At this time, the BOC package 10a positioned at the lower side is referred to as the lower package, and the BOC package 10b positioned at the upper side is referred to as the upper package.

BOC 패키지(10)는 배선기판의 상부면(21)에 반도체 칩(30)이 실장되고, 배선기판 하부면(23)의 가장자리 부분에 솔더 볼(60)이 형성된 팬-아웃(fan-out) 타입의 반도체 패키지이다.The BOC package 10 has a fan-out in which the semiconductor chip 30 is mounted on the upper surface 21 of the wiring board and the solder balls 60 are formed on the edge of the lower surface 23 of the wiring board. Type of semiconductor package.

이와 같은 BOC 패키지(10)의 적층은 솔더 볼(60)을 이용한 솔더 접합 공정에 의해 이루어진다. 즉 상부 패키지의 솔더 볼(60)에 플럭스를 도포한 상태에서 하부 패키지의 배선기판(20)에 상부 패키지의 솔더 볼(60)이 위치할 수 있도록 탑재한 후, 상부 패키지의 솔더 볼(60)을 용융시켜 하부 패키지의 배선기판(20)에 접합시키게 된다.The stacking of the BOC package 10 is performed by a solder bonding process using the solder balls 60. That is, after the flux is applied to the solder ball 60 of the upper package, the solder ball 60 of the upper package is mounted on the wiring board 20 of the lower package, and then the solder ball 60 of the upper package is mounted. Melt is bonded to the wiring board 20 of the lower package.

그리고 적층 패키지(100)의 두께를 최소화하기 위해서, 하부 패키지의 반도체 칩(30)에 근접하게 상부 패키지의 수지 봉합부(50)가 위치할 수 있도록 BOC 패키지들(10)이 적층된다.In order to minimize the thickness of the stacked package 100, the BOC packages 10 may be stacked such that the resin encapsulation unit 50 of the upper package may be positioned close to the semiconductor chip 30 of the lower package.

이와 같은 적층 패키지(100)는 BOC 패키지(10)의 적층이 솔더 접합 공정에 의해 이루어진다. BOC 패키지들(10)은 아래쪽에서부터 순차적으로 적층된다. BOC 패키지들(10)을 수직으로 정렬시킨 상태에서 솔더 볼(60)을 용융시킴으로써 상부 패키지의 솔더 볼(60)이 하부 패키지의 배선기판(20)에 접합된다. 이와 같은 과정이 반복적으로 진행되어 적층 패키지(100)가 제조된다.In the stacked package 100, the BOC package 10 is laminated by a solder bonding process. The BOC packages 10 are stacked sequentially from the bottom up. The solder balls 60 of the upper package are bonded to the wiring board 20 of the lower package by melting the solder balls 60 while the BOC packages 10 are vertically aligned. This process is repeatedly performed to manufacture a laminated package 100.

그런데 종래의 적층 패키지(100)는 제조하는 과정에 있어서, BOC 패키지(10)의 적층 과정에서 솔더 볼(60)을 용융시키기 위하여 200℃이상의 열이 BOC 패키지(10)의 적층이 이루어질 때마다 가해진다. 이에 따라 적층 패키지(100)의 구성 부품들에 열적 스트레스(thermal stress)가 가해져 구성 부품이 손상되는 경우가 많이 발생되고 있다.By the way, in the manufacturing process of the conventional laminated package 100, in order to melt the solder ball 60 during the lamination process of the BOC package 10, heat of 200 ° C. or more is applied every time the lamination of the BOC package 10 is performed. All. As a result, thermal stress is applied to the component parts of the multilayer package 100, and thus many component parts are damaged.

예를 들어 솔더 볼이 떨어지거나 이웃하는 솔더 볼간의 단락이 발생하는 등의 문제가 발생된다. 이와 같은 문제는 적층되는 단위 패키지의 개수가 많을수록 더욱 더 심하게 나타난다. 특히 4층 이상으로 단위 패키지가 적층되는 경우에서 심하게 나타난다.For example, problems such as falling solder balls or shorting between neighboring solder balls occur. This problem is more severe as the number of unit packages stacked. This is especially true when the unit package is stacked in four or more layers.

배선기판의 휨(warpage)에 의한 볼 들뜸과 같은 불량도 발생된다. 적층 패키지의 구성 부품들, 즉 배선기판, 성형 수지, 반도체 칩 등은 서로 열팽창계수가 다르기 때문에, 솔더 접합 공정과 같은 고온 공정을 여러 번 거칠 때 가해지는 열적 스트레스에 의해 배선기판이 휘어지는 현상이 생긴다. 따라서, 상대적으로 휨 현상이 심하게 발생하는 배선기판 양쪽 끝 부분에서는 솔더 볼이 들떠서 아래쪽 배선기판과 연결이 떨어지는 불량이 발생된다.Defects such as ball lifting due to warpage of the wiring board also occur. Since the components of the multilayer package, that is, the wiring board, the molding resin, and the semiconductor chip, have different thermal expansion coefficients, the wiring board may be bent due to thermal stress applied when the high temperature process such as the solder bonding process is performed several times. . Therefore, at both ends of the wiring board where the warpage phenomenon occurs relatively, the solder balls are excited, resulting in a poor connection with the lower wiring board.

한편 종래의 적층 패키지 제조 단계에서 양품으로 판정된 적층 패키지는 단 독으로 모기판에 실장되어 사용되거나, 도 2에 도시된 바와 같이, 모듈용 기판(81)에 실장하여 반도체 모듈(80)의 부품으로 사용될 수 있다. 이때 적층 패키지들(100)은 모듈용 기판(81)의 일면에 솔더 접합 방법으로 실장된다.Meanwhile, the laminate package, which is determined to be good in the conventional laminate package manufacturing step, is used by being mounted on a mother substrate by itself, or as shown in FIG. 2, by mounting on the module substrate 81 to form a part of the semiconductor module 80. Can be used as At this time, the stack packages 100 are mounted on one surface of the module substrate 81 by solder bonding.

이와 같은 반도체 모듈(80)도 전술된 적층 패키지(100)에서 지적한 바와 같이, 적층 패키지(100)가 솔더 접합 방법으로 모듈용 기판(81)에 실장되기 때문에, 열적 스트레스에 따른 문제를 그대로 안고 있다. 즉 상대적으로 휨 현상이 심하게 발생하는 적층 패키지(100)의 양쪽 끝 부분에서는 솔더 볼(60)이 들떠서 아래쪽 모듈용 기판(81)에 솔더 접합되지 못하는 불량이 발생된다.As the semiconductor module 80 is also pointed out in the above-described laminated package 100, since the laminated package 100 is mounted on the module substrate 81 by a solder bonding method, the semiconductor package 80 has a problem due to thermal stress. . That is, at both ends of the multilayer package 100 in which the warpage phenomenon occurs relatively, the solder balls 60 are excited and a defect that cannot be solder-bonded to the lower module substrate 81 occurs.

따라서, 본 발명의 목적은 BOC 패키지를 적층하는 과정에서 작용하는 열적 스트레스로 인해 발생되는 불량을 억제할 수 있도록 하는 데 있다.Therefore, an object of the present invention is to be able to suppress the defect caused by the thermal stress acting in the process of laminating the BOC package.

본 발명의 다른 목적은 적층 패키지를 모기판이나 모듈용 기판에 실장하는 과정에서 작용하는 열적 스트레스로 인해 발생되는 불량을 억제할 수 있도록 하는 데 있다.Another object of the present invention is to be able to suppress the defects caused by the thermal stress acting in the process of mounting the laminated package on the mother substrate or module substrate.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 배선기판의 상부면에 반도체 칩이 실장되고, 반도체 칩 외측의 배선기판 하부면에 솔더 볼들이 형성된 단위 패키지들이 솔더 볼을 매개로 3차원으로 적층된 적층 패키지에 있어서, 하부 패키지의 반도체 칩과 상부 패키지의 배선기판 사이에 개재된 접착층을 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a multilayer package in which a semiconductor chip is mounted on an upper surface of a wiring board, and unit packages in which solder balls are formed on a lower surface of the wiring board outside the semiconductor chip are stacked in three dimensions by solder balls. An adhesive layer is disposed between a semiconductor chip of a lower package and a wiring board of an upper package.

이때 단위 패키지로는 BOC 패키지가 사용될 수 있으며, 접착층은 하부 패키 지의 반도체 칩과 상부 패키지의 수지 봉합부 양쪽의 배선기판 하부면 사이에 개재된다.In this case, the BOC package may be used as the unit package, and the adhesive layer is interposed between the semiconductor chip of the lower package and the lower surface of the wiring board on both sides of the resin seal of the upper package.

본 발명에 따른 적층 패키지에 있어서, 접착층은 배선기판의 하부면에 접착되는 제 1 접착층과, 제 1 접착층 아래에 위치하며 반도체 칩의 상부면에 접착되며 솔더 볼의 용융 온도에서 접착성을 갖는 제 2 접착층을 포함한다. 이때 제 2 접착층에는 접착층을 중심으로 상하로 위치하는 반도체 칩과 수지 봉합부 사이의 간격을 유지할 수 있는 크기의 필러들이 포함될 수 있다.In the laminated package according to the present invention, the adhesive layer comprises a first adhesive layer adhered to the lower surface of the wiring board, a first adhesive layer positioned below the first adhesive layer and adhered to the upper surface of the semiconductor chip and having adhesiveness at the melting temperature of the solder ball 2 adhesive layers. In this case, the second adhesive layer may include fillers having a size capable of maintaining a gap between the semiconductor chip and the resin encapsulation portion positioned up and down with respect to the adhesive layer.

본 발명은 접착층을 갖는 적층 패키지의 제조 방법을 제공한다. 즉 본 발명은 (a) 배선기판의 상부면에 반도체 칩이 실장되고, 반도체 칩 외측의 배선기판 하부면에 솔더 볼들이 형성된 단위 패키지들을 준비하는 단계와; (b) 단위 패키지들 중 최하부 패키지 상부에 적층될 단위 패키지들의 배선기판 하부면에 접착층을 접착하는 단계와; (c) 최하부 패키지의 상부에 접착층이 형성된 단위 패키지들을 3차원으로 탑재하는 단계와; (d) 단위 패키지들을 열압착시켜 솔더 볼을 매개로 단위 패키지들을 솔더 접합시키고 접착층의 하부면을 반도체 칩의 배면에 접착시키는 단계를 포함하는 접착층을 갖는 적층 패키지의 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a method for producing a laminated package having an adhesive layer. That is, (a) preparing a unit package in which a semiconductor chip is mounted on an upper surface of a wiring board and solder balls are formed on a lower surface of the wiring board outside the semiconductor chip; (b) adhering an adhesive layer to the lower surface of the wiring boards of the unit packages to be stacked on the lowermost package among the unit packages; (c) mounting the unit packages in which the adhesive layer is formed on the lowermost package in three dimensions; (d) thermally compressing the unit packages to solder-bond the unit packages through solder balls and adhering the lower surface of the adhesive layer to the back surface of the semiconductor chip.

본 발명에 따른 적층 패키지의 제조 방법에 있어서, (b) 단계에서 접착층은 열압착 방법으로 배선기판의 하부면에 접착된다.In the method of manufacturing a laminated package according to the present invention, in step (b), the adhesive layer is bonded to the lower surface of the wiring board by a thermocompression bonding method.

본 발명에 따른 적층 패키지의 제조 방법에 있어서, 접착층은 배선기판의 하부면에 접착되며 200℃ 이하에서 진행되는 (b) 단계에서 접착성을 갖는 제 1 접착층과, 반도체 칩의 상부면에 접착되며 솔더 볼의 용융 온도에서 진행되는 (d) 단계 에서 접착성을 갖는 제 2 접착층을 포함한다.In the method of manufacturing a laminated package according to the present invention, the adhesive layer is bonded to the lower surface of the wiring board and adhered to the first adhesive layer having adhesiveness in the step (b) proceeding at 200 ° C. or lower, and the upper surface of the semiconductor chip. It includes a second adhesive layer having an adhesive in step (d) to proceed at the melting temperature of the solder ball.

본 발명에 따른 적층 패키지의 제조 방법에 있어서, 제 2 접착층에는 접착층을 중심으로 상하로 위치하는 반도체 칩과 수지 봉합부 사이의 간격을 유지할 수 있는 크기의 필러들이 포함될 수 있다.In the method of manufacturing a laminated package according to the present invention, the second adhesive layer may include fillers of a size capable of maintaining a gap between the semiconductor chip and the resin encapsulation portion positioned up and down with respect to the adhesive layer.

그리고 본 발명에 따른 적층 패키지의 제조 방법에 있어서, (d) 단계는 180℃ 내지 260℃의 에어 챔버에서 접착층에 200℃ 내지 260℃의 열과 일정 압력을 작용한 상태에서 진행된다.In the method of manufacturing a laminated package according to the present invention, step (d) is performed in a state in which heat and a constant pressure of 200 ° C to 260 ° C are applied to the adhesive layer in an air chamber of 180 ° C to 260 ° C.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

제 1 실시예First embodiment

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 접착층(170c)을 갖는 적층 패키지(200)를 보여주는 분해 사시도이다. 도 4는 도 3의 단면도이다.3 is an exploded perspective view showing the laminated package 200 having the adhesive layer 170c according to the first embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view of FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 적층 패키지(200)는 두 개의 BOC 패키지(110)가 접착층(170c)을 매개로 3차원으로 적층된 구조를 갖는다.3 and 4, the stack package 200 according to the first embodiment has a structure in which two BOC packages 110 are stacked in three dimensions through the adhesive layer 170c.

BOC 패키지(110)는 배선기판(120)의 상부면(121)에 반도체 칩(130)이 실장되고, 배선기판 하부면(123)의 가장자리 부분에 솔더 볼(160)이 형성된 팬-아웃(fan-out) 타입의 반도체 패키지이다. 즉 BOC 패키지(110)는 배선기판(120)의 중심 부분에 형성된 창(125; window)에 반도체 칩의 센터 패드(131)가 노출되게 배선기판의 상부면(121)에 반도체 칩(130)의 활성면이 접착된 구조를 갖는다. 배선기판의 창(125)을 통하여 센터 패드(131)와 배선기판(120)은 본딩 와이어(140)로 연결된다. 창(125)에 노출된 센터 패드(131)와 본딩 와이어(140)는 배선기판의 하부면(123)에 연질의 실리콘 계열의 성형 수지로 형성된 수지 봉합부(150)에 의해 보호된다. 그리고 수지 봉합부(150) 외측의 배선기판 하부면(123)에 외부접속용 솔더 볼들(160)이 형성되어 있다.The BOC package 110 has a fan-out in which the semiconductor chip 130 is mounted on the upper surface 121 of the wiring board 120 and the solder balls 160 are formed on the edge of the lower surface 123 of the wiring board. -out) type semiconductor package. That is, the BOC package 110 may include the semiconductor chip 130 on the upper surface 121 of the wiring board so that the center pad 131 of the semiconductor chip is exposed on the window 125 formed at the center portion of the wiring board 120. The active surface has a bonded structure. The center pad 131 and the wiring board 120 are connected to each other by a bonding wire 140 through the window 125 of the wiring board. The center pad 131 and the bonding wire 140 exposed to the window 125 are protected by a resin encapsulation unit 150 formed of a soft silicone-based molding resin on the lower surface 123 of the wiring board. The solder balls 160 for external connection are formed on the lower surface 123 of the wiring board outside the resin encapsulation part 150.

이때 배선기판의 상부면(121)에 접착된 반도체 칩(130)은 외부에 노출되어 있으며, 솔더 볼(160)은 모기판, 모듈용 기판 또는 다른 BOC 패키지에 적층할 수 있도록 수지 봉합부(150)보다는 높게 형성된다.In this case, the semiconductor chip 130 adhered to the upper surface 121 of the wiring board is exposed to the outside, and the solder ball 160 may be laminated on the mother substrate, the module substrate, or another BOC package. It is formed higher than).

특히 접착층(170c)은 하부 패키지의 반도체 칩(130)과 상부 패키지의 배선기판(120) 사이에 열압착으로 개재되며, 바람직하게는 하부 패키지의 반도체 칩(130)과 상부 패키지의 수지 봉합부(150) 양쪽의 배선기판(120) 하부면에 개재하는 것이다.In particular, the adhesive layer 170c is interposed by thermocompression bonding between the semiconductor chip 130 of the lower package and the wiring board 120 of the upper package. Preferably, the semiconductor chip 130 of the lower package and the resin encapsulation portion of the upper package ( It is interposed on the lower surface of both wiring boards 120.

제 1 실시예에 따른 접착층(170c)은 배선기판의 하부면(123)에 접착되는 제 1 접착층(171)과, 제 1 접착층(171) 아래에 위치하며 반도체 칩(130)의 배면에 접착되는 제 2 접착층(173)을 포함한다. 이때 제 1 접착층(171)으로는 200℃ 이하에서 접착성을 갖는 접착제가 사용될 수 있으며, 제 2 접착층(173)으로는 솔더 볼(160)의 용융 온도인 200℃ 내지 260℃에서 접착성을 갖는 접착제가 사용될 수 있다. 제 1 및 제 2 접착층(171, 173)의 소재로는 접착 테이프 또는 액상의 접착제가 사용될 수 있다.The adhesive layer 170c according to the first embodiment is disposed on the first adhesive layer 171 adhered to the bottom surface 123 of the wiring board, and is disposed below the first adhesive layer 171 and adhered to the back surface of the semiconductor chip 130. The second adhesive layer 173 is included. In this case, an adhesive having an adhesive property at 200 ° C. or less may be used as the first adhesive layer 171, and an adhesive may be used at 200 ° C. to 260 ° C., which is a melting temperature of the solder ball 160, as the second adhesive layer 173. Adhesives can be used. As a material of the first and second adhesive layers 171 and 173, an adhesive tape or a liquid adhesive may be used.

접착층으로는, 도 5에 도시된 바와 같은, 접착층(170a, 170b, 170c, 170d)이 사용될 수 있다. 즉 도 5의 (c)에 도시된 바와 같은 제 1 실시예에 따른 접착층(170c)을 비롯하여, 도 5의 (d)에 도시된 바와 같은 필러들(175)이 포함된 제 2 접착층(173)을 갖는 접착층(170d)이 사용될 수 있다. 또는 도 5의 (a)에 도시된 바와 같은 하나의 접착제로 구성된 접착층(170a)이 사용되거나, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같은 접착제(173)에 필러들(175)이 포함된 접착층(170b)이 사용될 수 있다. 이때 필러(175)는 접착층(170b, 170d)을 중심으로 상하로 위치하는 수지 봉합부와 반도체 칩 사이의 간격을 유지할 수 있는 크기의 필러들을 사용하는 것이 바람직하다. 도 5의 (a) 및 (b)의 접착층(170a, 170b)의 접착제로는 제 2 접착층의 소재를 사용하는 것이 바람직하다.As the adhesive layer, adhesive layers 170a, 170b, 170c, 170d, as shown in FIG. 5, may be used. That is, the second adhesive layer 173 including the fillers 175 as illustrated in FIG. 5D, including the adhesive layer 170c according to the first exemplary embodiment as illustrated in FIG. 5C. An adhesive layer 170d may be used. Alternatively, an adhesive layer 170a composed of one adhesive as shown in FIG. 5A is used, or an adhesive layer including fillers 175 in the adhesive 173 as shown in FIG. 5B. 170b may be used. In this case, the filler 175 may preferably use fillers having a size capable of maintaining a gap between the resin encapsulation portion and the semiconductor chip, which are positioned up and down with respect to the adhesive layers 170b and 170d. It is preferable to use the material of a 2nd contact bonding layer as an adhesive agent of the contact bonding layers 170a and 170b of FIG. 5 (a) and (b).

접착층(170c)은 BOC 패키지(110)의 적층에 따른 솔더 접합이 가능하고, 하부 패키지의 반도체 칩(130)이 상부 패키지의 수지 봉합부(150)에 기계적인 스트레스를 작용하지 않는 간격을 유지할 수 있는 두께로 형성하는 것이 바람직하다.The adhesive layer 170c may be solder-bonded according to the stacking of the BOC package 110, and maintain the gap at which the semiconductor chip 130 of the lower package does not exert mechanical stress on the resin encapsulation 150 of the upper package. It is preferable to form to the thickness which is.

따라서 접착층(170c)은 하부 패키지의 반도체 칩(130)과 상부 패키지의 수지 봉합부(150) 양쪽의 배선기판(120) 하부면에 개재되어 접착되기 때문에, 솔더 접합되는 과정에서 하부 및 상부 패키지(110a, 110b)의 휨이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 또한 이로 인해 솔더 접합 불량이 발생되는 것을 억제할 수 있다.Therefore, since the adhesive layer 170c is bonded to the lower surface of the semiconductor chip 130 of the lower package and the lower surface of the wiring board 120 on both sides of the resin encapsulation part 150 of the upper package, the lower and upper packages ( It is possible to suppress occurrence of warpage of 110a and 110b. Moreover, it can suppress that a solder joint defect arises by this.

이와 같은 적층 패키지(200)를 모기판이나 모듈용 기판에 솔더 접합할 때, 작용하는 열적 스트레스는 접착층(170c)이 흡수하기 때문에, 적층 패키지(200)의 솔더 접합 신뢰성을 확보할 수 있다.When the laminated package 200 is solder bonded to the mother substrate or the module substrate, the thermal stress acting is absorbed by the adhesive layer 170c, thereby ensuring the solder joint reliability of the laminated package 200.

한편 제 1 실시예에서는 두 개의 BOC 패키지(110)가 적층된 예를 개시하였지 만, 이에 한정되는 것은 아니며, BOC 패키지들(110) 사이에 접착층(170c)을 개재하여 3개 이상의 BOC 패키지(110)를 적층할 수 있음은 물론이다.Meanwhile, the first embodiment discloses an example in which two BOC packages 110 are stacked, but is not limited thereto. Three or more BOC packages 110 may be interposed between the BOC packages 110 through an adhesive layer 170c. ) Can be laminated, of course.

이와 같은 제 1 실시예에 따른 적층 패키지의 제조 방법을 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도면을 통틀어 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.A method of manufacturing the laminated package according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 8 as follows. The same reference numerals denote the same components throughout the drawings.

먼저 적층 공정을 진행할 하부 패키지, 상부 패키지 및 접착층을 준비하는 단계로부터 출발한다.First, starting from the step of preparing the lower package, the upper package and the adhesive layer to proceed the lamination process.

다음으로 도 6에 도시된 바와 같이, 상부 패키지(110b)의 하부면에 접착층(170c)을 접착하는 단계를 진행한다. 수지 봉합부(150) 양쪽의 배선기판의 하부면(123)에 접착층(170c)을 열압착기(191)로 열압착으로 접착한다. 열압착 공정은 솔더 볼(160)의 용융이 일어나지 않는 200℃ 이하에서 일정 압력을 작용하여 배선기판의 하부면(123)에 접착층(170c)을 접착한다. 이때 접착층(170c)은 솔더 볼(160)과 수지 봉합부(150) 사이의 영역에 접착된다.Next, as shown in Figure 6, the step of adhering the adhesive layer 170c to the lower surface of the upper package (110b). The adhesive layer 170c is bonded to the bottom surface 123 of the wiring boards on both sides of the resin encapsulation part 150 by thermocompression bonding with the thermocompressor 191. In the thermocompression bonding process, the adhesive layer 170c is adhered to the lower surface 123 of the wiring board by applying a predetermined pressure at 200 ° C. or less at which melting of the solder ball 160 does not occur. At this time, the adhesive layer 170c is bonded to the region between the solder ball 160 and the resin encapsulation part 150.

그리고 접착층(170c)을 접착시키기 위해서 열압착기(191)로 상부 패키지(110b)를 열압착하는 과정에서 상부 패키지(110b)의 수평도를 맞추어 주기 때문에, 상부 패키지(110b)에 휨이 발생되었다면 접착층(170c)을 접착하는 과정에서 휨이 수정되는 효과를 기대할 수 있다.In addition, since the horizontalness of the upper package 110b is adjusted in the process of thermocompressing the upper package 110b with the thermocompressor 191 to bond the adhesive layer 170c, if the bending occurs in the upper package 110b, the adhesive layer In the process of bonding the (170c) can be expected to effect the correction of the warpage.

다음으로 도 7에 도시된 바와 같이, 하부 패키지(110a)의 상부에 상부 패키지(110b)를 정렬하여 탑재하는 단계가 진행된다. 즉 상부 패키지의 솔더 볼(160)이 접합될 하부 패키지의 배선기판 상부면(121)에 플럭스(161)를 도포한 후 하부 패키지(110a)의 상부에 상부 패키지(110b)를 정렬하여 탑재시킨다.Next, as shown in FIG. 7, the upper package 110b is aligned and mounted on the upper portion of the lower package 110a. That is, after the flux 161 is applied to the upper surface 121 of the lower substrate to which the solder balls 160 of the upper package are to be bonded, the upper package 110b is aligned and mounted on the upper portion of the lower package 110a.

이때 플럭스(161)는 상부 패키지의 솔더 볼(160)에 도포한 후 하부 패키지(110a)의 상부에 정렬하여 탑재할 수도 있다.In this case, the flux 161 may be applied to the solder balls 160 of the upper package and then aligned and mounted on the upper portion of the lower package 110a.

다음으로 도 8에 도시된 바와 같이, 열압착으로 BOC 패키지(110)를 적층하는 단계가 진행된다. 즉 하부 패키지(110a)에 상부 패키지(110b)가 탑재된 반제품을 에어 챔버에 로딩한다. 그리고 에어 챔버 내부를 솔더 볼(160)의 용융 온도 이상으로 가열하여 솔더 볼(160)을 변형 가능한 상태로 가열한 후, 일정 온도로 가열된 열압착기(193)로 하부 및 상부 패키지(110a, 110b)를 열압착시켜 솔더 볼(160)을 매개로 솔더 접합시키고 접착층(170c)의 하부면을 하부 패키지의 반도체 칩(130) 배면에 접착시킨다.Next, as shown in FIG. 8, the step of stacking the BOC package 110 by thermocompression is performed. That is, the semi-finished product having the upper package 110b mounted on the lower package 110a is loaded into the air chamber. Then, the inside of the air chamber is heated above the melting temperature of the solder ball 160 to heat the solder ball 160 in a deformable state, and then the lower and upper packages 110a and 110b are heated using a thermocompressor 193 heated to a predetermined temperature. ) Is thermally compressed and solder bonded to each other through the solder ball 160, and the lower surface of the adhesive layer 170c is attached to the back surface of the semiconductor chip 130 of the lower package.

이때 에어 챔버 내부는 180℃ 내지 260℃로 가열되고, 열압착기(193)는 200℃ 내지 260℃로 가열된 상태에서 열압착 공정이 진행된다. 즉 한번의 열압착 공정으로 솔더 접합 공정과 접착층 접착 공정을 동시에 진행할 수 있는 온도 범위에서 열압착 공정이 진행된다.At this time, the inside of the air chamber is heated to 180 ° C to 260 ° C, the thermocompressor 193 is a thermocompression process is performed in a state heated to 200 ° C to 260 ° C. That is, the thermocompression process is performed in a temperature range in which the solder bonding process and the adhesive layer bonding process may be simultaneously performed by one thermocompression process.

그리고 접착층(170c)을 접착시키기 위해서 열압착기(193)로 하부 및 상부 패키지(110a, 110b)를 열압착하는 과정에서 적층된 하부 및 상부 패키지(110a, 110b)의 수평도를 맞추어 주기 때문에, 적층하는 과정에서 열적 스트레스에 따른 휨이 발생되는 것을 억제하여 솔더 접합 불량이 발생되는 것을 막을 수 있다. 또한 하부 및 상부 패키지(110, 110b)에 휨이 발생되었다면 접착층(170c)을 열압착하는 과정에서 휨을 수정할 수 있다.In order to bond the adhesive layer 170c, the lower and upper packages 110a and 110b are laminated in the process of thermocompression bonding the lower and upper packages 110a and 110b with the thermocompressor 193, so that the lamination is performed. In this process, the bending caused by the thermal stress can be suppressed to prevent the occurrence of solder joint defects. In addition, if warpage occurs in the lower and upper packages 110 and 110b, the warpage may be corrected in the process of thermocompressing the adhesive layer 170c.

아울러 접착층(170c)은 하부 패키지의 반도체 칩(130)과 상부 패키지의 수지 봉합부(150) 양쪽의 배선기판(120) 하부면에 개재되어 접착되기 때문에, 솔더 접합되는 과정에서 하부 및 상부 패키지(110a, 110b)의 휨이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 또한 이로 인해 솔더 접합 불량이 발생되는 것을 억제할 수 있다.In addition, since the adhesive layer 170c is bonded to the lower surface of the semiconductor chip 130 of the lower package and the lower surface of the wiring board 120 on both sides of the resin encapsulation part 150 of the upper package, the lower and upper packages ( It is possible to suppress occurrence of warpage of 110a and 110b. Moreover, it can suppress that a solder joint defect arises by this.

마지막으로 에어 챔버에서 열압착 공정이 완료된 반제품을 언로딩함으로써, 도 4에 도시된 바와 같은 적층 패키지(200)를 얻을 수 있다.Finally, by unloading the semi-finished product after the thermocompression process is completed in the air chamber, the laminated package 200 as shown in FIG. 4 may be obtained.

제 2 실시예Second embodiment

본 발명의 제 1 실시예에서는 접착층으로, 도 5의 (b)에 도시된 접착층(170c)이 사용된 예를 개시하였지만, 도 5의 (b) 및 도 9에 도시된 바와 같이, 필러(175)를 갖는 접착층(170b)을 개재하여 적층 패키지(300)를 구현할 수 있다. 제 2 실시예에 따른 적층 패키지(300)는 필러(175)를 갖는 접착층(170b)이 개재된 것을 제외하면 제 1 실시예와 동일한 구조를 갖기 때문에, 접착층(170b)을 중심으로 설명하도록 하겠다.In the first exemplary embodiment of the present invention, an example in which the adhesive layer 170c shown in FIG. 5B is used as the adhesive layer is disclosed, but as shown in FIGS. 5B and 9, the filler 175 The laminated package 300 may be implemented through the adhesive layer 170b having the. Since the laminated package 300 according to the second embodiment has the same structure as the first embodiment except that the adhesive layer 170b having the filler 175 is interposed, the adhesive package 170b will be described.

접착층(170b)은 접착제(173) 내에서 필러들(175)이 포함된 구조를 가지며, 필러(175)는 접착층(173)을 중심으로 상하로 위치하는 반도체 칩(130)과 수지 봉합부(150) 사이의 간격을 유지할 수 있는 크기의 필러(175)를 사용하는 것이 바람직하다. 따라서 접착층(170b)에 포함된 필러들(175)로 인하여, BOC 패키지(110)를 적층하는 과정에서 반도체 칩(130)과 수지 봉합부(150) 사이에 기계적인 간섭이 발생되는 것을 억제할 수 있다.The adhesive layer 170b has a structure in which the fillers 175 are included in the adhesive 173, and the filler 175 has the semiconductor chip 130 and the resin encapsulation part 150 positioned up and down with respect to the adhesive layer 173. It is preferable to use a filler 175 of a size that can maintain the spacing between. Therefore, due to the fillers 175 included in the adhesive layer 170b, mechanical interference between the semiconductor chip 130 and the resin encapsulation 150 may be suppressed in the process of stacking the BOC package 110. have.

아울러 필러들(175)은 접착층(170b)을 상부 패키지(110b)에 접착하는 과정에서 또는 BOC 패키지들(110)을 적층하는 과정에서 BOC 패키지(110)의 휨을 보상하는 역할을 더욱 안정적으로 수행할 수 있도록 한다.In addition, the fillers 175 may more stably serve to compensate for the warpage of the BOC package 110 in the process of adhering the adhesive layer 170b to the upper package 110b or in the process of stacking the BOC packages 110. To be able.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. 한편 본 발명의 실시예에서는 단위 패키지로 BOC 패키지를 예를들어 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며 팬-아웃 타입의 볼 그리드 어레이(Ball Grid Package) 패키지가 단위 패키지로 사용될 수 있다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition to the embodiments disclosed herein, it is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention may be implemented. Meanwhile, although the BOC package is described as an example in the embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto, and a fan-out ball grid array package may be used as the unit package.

따라서, 본 발명에 따르면 접착층은 하부 패키지의 반도체 칩과 상부 패키지의 수지 봉합부 양쪽의 배선기판 하부면에 열압착으로 개재되기 때문에, 열압착과 함께 진행되는 솔더 접합 과정에서 작용하는 열적 스트레스에 따른 하부 및 상부 패키지의 휨이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 또한 이로 인해 솔더 접합 불량이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 즉 상부 및 상부 패키지 사이에 접착층을 열압착하는 과정에서 열압착기가 하부 및 상부 패키지의 수평도를 맞추어 주기 때문에, 하부 및 상부 패키지에 휨이 발생되었다 하더라도 접착층을 접착하는 과정에서 휨을 수정할 수 있다.Therefore, according to the present invention, since the adhesive layer is interposed by thermocompression on the lower surface of the semiconductor chip of the lower package and the wiring boards on both sides of the resin encapsulation part of the upper package, the adhesive layer is subjected to the thermal stress acting in the solder bonding process performed with the thermal compression. It is possible to suppress occurrence of warping of the lower and upper packages. Moreover, it can suppress that a solder joint defect arises by this. That is, since the thermocompressor adjusts the horizontality of the lower and upper packages in the process of thermocompressing the adhesive layer between the upper and upper packages, the warpage may be corrected in the process of adhering the adhesive layer even if the lower and upper packages are warped.

그리고 적층 패키지를 모기판이나 모듈용 기판에 솔더 접합할 때, 작용하는 열적 스트레스는 접착층이 흡수하기 때문에, 적층 패키지의 솔더 접합 신뢰성을 확보할 수 있다.In addition, since the adhesive layer absorbs the thermal stress applied when soldering the laminated package to the mother substrate or the module substrate, the solder joint reliability of the laminated package can be secured.

Claims (9)

배선기판의 상부면에 반도체 칩이 실장되고, 상기 반도체 칩 외측의 상기 배선기판 하부면에 솔더 볼들이 형성된 단위 패키지들이 상기 솔더 볼을 매개로 3차원으로 적층된 적층 패키지에 있어서,In a laminated package in which a semiconductor chip is mounted on an upper surface of a wiring board, and unit packages in which solder balls are formed on a lower surface of the wiring board outside the semiconductor chip are stacked three-dimensionally through the solder ball. 하부 패키지의 반도체 칩과 상부 패키지의 배선기판 사이에 개재된 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지.An adhesive layer interposed between the semiconductor chip of the lower package and the wiring board of the upper package. 제 1항에 있어서, 상기 단위 패키지는,The method of claim 1, wherein the unit package, 중심 부분에 길게 창이 형성된 배선기판과;A wiring board having a window formed in the center portion thereof; 상기 창에 센터 패드들이 노출되게 상기 배선기판의 상부면에 접착되는 반도체 칩과;A semiconductor chip bonded to an upper surface of the wiring board such that center pads are exposed to the window; 상기 창을 통하여 상기 센터 패드와 배선기판을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어와;A bonding wire electrically connecting the center pad and the wiring board through the window; 상기 창을 중심으로 상기 배선기판의 하부면의 중심 부분을 봉합하여 상기 창에 노출된 상기 센터 패드들과 본딩 와이어를 보호하는 수지 봉합부와;A resin encapsulation portion for sealing a center portion of a lower surface of the wiring board around the window to protect the center pads and a bonding wire exposed to the window; 상기 반도체 칩 외측의 상기 배선기판 하부면에 형성된 복수 개의 솔더 볼; 을 포함하며,A plurality of solder balls formed on a lower surface of the wiring board outside the semiconductor chip; Including; 상기 접착층은 상기 하부 패키지의 반도체 칩과 상기 상부 패키지의 수지 봉합부 양쪽의 배선기판 하부면 사이에 개재된 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지.And the adhesive layer is interposed between the semiconductor chip of the lower package and the lower surface of the wiring board on both sides of the resin encapsulation part of the upper package. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 접착층은,The method according to claim 1 or 2, wherein the adhesive layer, 상기 배선기판의 하부면에 접착되는 제 1 접착층과;A first adhesive layer adhered to a lower surface of the wiring board; 상기 제 1 접착층 아래에 위치하며 상기 반도체 칩의 상부면에 접착되며, 상기 솔더 볼의 용융 온도에서 접착성을 갖는 제 2 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지.And a second adhesive layer disposed below the first adhesive layer and adhered to an upper surface of the semiconductor chip, wherein the second adhesive layer has adhesiveness at a melting temperature of the solder balls. 제 3항에 있어서, 상기 제 2 접착층에는 상기 접착층을 중심으로 상하로 위치하는 반도체 칩과 수지 봉합부 사이의 간격을 유지할 수 있는 크기의 필러들이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지.The stack package according to claim 3, wherein the second adhesive layer includes fillers having a size capable of maintaining a gap between the semiconductor chip and the resin encapsulation portion positioned up and down about the adhesive layer. (a) 배선기판의 상부면에 반도체 칩이 실장되고, 상기 반도체 칩 외측의 상기 배선기판 하부면에 솔더 볼들이 형성된 단위 패키지들을 준비하는 단계와;(a) preparing a unit package in which a semiconductor chip is mounted on an upper surface of a wiring board and solder balls are formed on a lower surface of the wiring board outside the semiconductor chip; (b) 상기 단위 패키지들 중 최하부 패키지 상부에 적층될 단위 패키지들의 배선기판 하부면에 접착층을 접착하는 단계와;(b) adhering an adhesive layer to lower surfaces of the wiring boards of the unit packages to be stacked on the lowermost package among the unit packages; (c) 상기 최하부 패키지의 상부에 상기 접착층이 형성된 단위 패키지들을 3 차원으로 탑재하는 단계와;(c) mounting unit packages in which the adhesive layer is formed on the lowermost package in three dimensions; (d) 상기 단위 패키지들을 열압착시켜 상기 솔더 볼을 매개로 상기 단위 패키지들을 솔더 접합시키고 상기 접착층의 하부면을 반도체 칩의 배면에 접착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층을 이용한 적층 패키지의 제조 방법.(d) thermally compressing the unit packages to solder-bond the unit packages through the solder balls and attaching the lower surface of the adhesive layer to the back surface of the semiconductor chip; Method of preparation. 제 5항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 접착층은 열압착 방법으로 상기 배선기판의 하부면에 접착되는 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지의 제조 방법.The method of claim 5, wherein the adhesive layer is bonded to the lower surface of the wiring board by a thermocompression bonding method in the step (b). 제 6항에 있어서, 상기 접착층은,The method of claim 6, wherein the adhesive layer, 상기 배선기판의 하부면에 접착되며, 200℃ 이하에서 진행되는 상기 (b) 단계에서 접착성을 갖는 제 1 접착층과;A first adhesive layer adhered to a lower surface of the wiring board and having adhesiveness in the step (b) which proceeds at 200 ° C. or less; 상기 반도체 칩의 상부면에 접착되며, 상기 솔더 볼의 용융 온도에서 진행되는 상기 (d) 단계에서 접착성을 갖는 제 2 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지의 제조 방법.And a second adhesive layer adhered to an upper surface of the semiconductor chip, the adhesive layer having adhesiveness in the step (d) performed at the melting temperature of the solder ball. 2. 제 7항에 있어서, 상기 제 2 접착층에는 상기 접착층을 중심으로 상하로 위치하는 반도체 칩과 수지 봉합부 사이의 간격을 유지할 수 있는 크기의 필러들이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지의 제조 방법.The multilayer package of claim 7, wherein the second adhesive layer includes fillers having a size that can maintain a gap between the semiconductor chip and the resin encapsulation portion positioned up and down about the adhesive layer. Manufacturing method. 제 5항 내지 제 8항의 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계는 180℃ 내지 260℃의 에어 챔버에서 상기 접착층에 200℃ 내지 260℃의 열과 일정 압력을 작용한 상태에서 진행되는 것을 특징으로 하는 접착층을 갖는 적층 패키지의 제조 방법.The method of claim 5, wherein the step (d) is performed in a state in which heat and a constant pressure of 200 ° C. to 260 ° C. are applied to the adhesive layer in an air chamber at 180 ° C. to 260 ° C. 10. The manufacturing method of the laminated package which has an adhesive layer to make.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN105609492A (en) * 2014-11-18 2016-05-25 普罗科技有限公司 Method for manufacturing package on package
CN105609446A (en) * 2014-11-18 2016-05-25 普罗科技有限公司 A manufacture device for a laminated semiconductor package body
US10043789B2 (en) 2016-08-26 2018-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor packages including an adhesive pattern

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