KR20070033206A - Thin wafer transfer apparatus regardless of warpage appeared on wafer - Google Patents

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KR20070033206A KR1020050087658A KR20050087658A KR20070033206A KR 20070033206 A KR20070033206 A KR 20070033206A KR 1020050087658 A KR1020050087658 A KR 1020050087658A KR 20050087658 A KR20050087658 A KR 20050087658A KR 20070033206 A KR20070033206 A KR 20070033206A
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Abstract

A thin wafer transfer apparatus is provided to transfer stably a thin wafer regardless of the warpage of the wafer by moving a chuck table itself mounted with the wafer to and fro between a wafer rear surface polishing apparatus and a tape mounting unit using a guide rail. A thin wafer transfer apparatus includes a guide rail and a chuck table. The guide rail(185) is installed between a wafer rear surface polishing apparatus and a tape mounting unit. The chuck table transfers a thin wafer through the guide rail.

Description

웨이퍼에 발생되는 휨과 무관한 박형 웨이퍼 이송 장치{THIN WAFER TRANSFER APPARATUS REGARDLESS OF WARPAGE APPEARED ON WAFER}THIN WAFER TRANSFER APPARATUS REGARDLESS OF WARPAGE APPEARED ON WAFER}

도 1은 종래기술에 따른 웨이퍼 이송 장치에 의해 웨이퍼가 이송되는 상태를 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view showing a state in which a wafer is transferred by a wafer transfer apparatus according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박형 웨이퍼 이송 장치에 의해 웨이퍼가 이송되는 상태를 보여주는 평면도이다. 2 is a plan view showing a state in which a wafer is transferred by a thin wafer transfer device according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10, 110 : 웨이퍼 후면 연마 장치(wafer back grinding apparatus)10, 110: wafer back grinding apparatus

20, 120 : 턴 테이블(turn table)20, 120: turn table

31, 131 : 대기 테이블(waiting table)31, 131: waiting table

33, 133 : 황삭 테이블(rough grinding table)33, 133: rough grinding table

35, 135 : 정삭 테이블(fine grinding table)35, 135: fine grinding table

37, 137 : 폴리싱 테이블(polishing table)37, 137: polishing table

43, 143 : 황삭기(rough grinder)43, 143: rough grinder

45, 145 : 정삭기(fine grinder)45, 145: fine grinder

47, 147 : 폴리셔(polisher)47, 147: polishers

51, 53, 55, 57, 151, 153, 155, 157 : 웨이퍼(wafer)51, 53, 55, 57, 151, 153, 155, 157: wafer

70, 170 : 웨이퍼 이송 장치(wafer transfer apparatus)70, 170: wafer transfer apparatus

81 : 로봇 암(robot arm)81: robot arm

83 : 흡착 팬(adsorbing fan)83: adsorption fan

185 : 가이드 레일(guide rail)185 guide rail

90, 190 : 테이프 마운팅부(tape mounting part)90, 190: tape mounting part

본 발명은 반도체 패키지 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 후면 연마 장치로부터 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 박형 웨이퍼를 휨(warpage)에 관계없이 테이프 마운팅부로 이송할 수 있는 박형 웨이퍼 이송 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package manufacturing apparatus, and more particularly, to a thin wafer transfer apparatus capable of transferring a thin wafer on which a wafer backside polishing process is completed from a wafer backside polishing apparatus to a tape mounting unit regardless of warpage. .

일련의 웨이퍼 제조 공정이 완료된 웨이퍼는 웨이퍼 후면 연마 공정을 거친다. 웨이퍼 후면 연마 공정은 웨이퍼의 후면을 기계적으로 연마하여 웨이퍼의 두께를 줄이는 공정이다. 이러한 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 웨이퍼는 테이프 마운팅부로 이송되어 웨이퍼의 후면에 접착 테이프가 접착되고 웨이퍼 링(wafer ring)에 의해 고정된다. After a series of wafer fabrication processes, the wafer is subjected to a wafer backside polishing process. Wafer backside polishing is a process of mechanically polishing the backside of a wafer to reduce the thickness of the wafer. After the wafer back polishing process is completed, the wafer is transferred to the tape mounting unit, and the adhesive tape is adhered to the back of the wafer and fixed by a wafer ring.

일반적으로 웨이퍼 후면 연마 공정을 진행하는 웨이퍼 후면 연마 장치(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 대기, 황삭, 정삭 및 폴리싱 단계 순으로 진행하여 웨이퍼의 후면을 연마하는 장치이다. 즉, 이러한 웨이퍼 후면 연마 장치(10)에서, 네 개의 척 테이블(chuck table;31, 33, 35 및 37)이 설치된 턴 테이블(20)이 회전하면, 대기 단계의 척 테이블(31)을 제외한 황삭, 정삭 및 폴리싱 단계의 척 테이블(33, 35 및 37) 상부에 각각 설치된 연마기(grinder;43, 45 및 47)에 의해 척 테이블(33, 35 및 37)에 탑재된 웨이퍼(53, 55 및 57)에 대한 연마 공정이 진행된다. Generally, as shown in FIG. 1, the wafer backside polishing apparatus 10 that performs the wafer backside polishing process is an apparatus for polishing the backside of the wafer in the order of waiting, roughing, finishing, and polishing steps. That is, in this wafer backside polishing apparatus 10, when the turn table 20 provided with four chuck tables 31, 33, 35, and 37 is rotated, roughing except the chuck table 31 in the waiting stage is performed. Wafers 53, 55 and 57 mounted on chuck tables 33, 35 and 37 by grinders 43, 45 and 47 respectively installed on top of chuck tables 33, 35 and 37 in the finishing and polishing stages. The polishing process for) is performed.

이와 같은 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료되면, 폴리싱 단계의 척 테이블(37)에 탑재되어 있는 웨이퍼(57)는 웨이퍼 이송 장치(70)에 의해 테이프 마운팅부(90)로 이송된다. 즉, 로봇 암(81) 단부의 흡착 팬(83)을 이용하여 이송할 웨이퍼(57)를 상부에서 진공 흡착한 다음, 로봇 암(81)의 동작에 따라 흡착 팬(83)이 이동하여 웨이퍼(57)를 이송한다. 이 때, 도시되지는 않았지만, 웨이퍼 이송 장치(70)에 의해 이송되는 웨이퍼(57)는 테이프 마운팅부(90)에 도달하기에 앞서, 별도로 설치된 세정부(도시되지 않음)에서 세정된다. When the wafer back surface polishing process is completed, the wafer 57 mounted on the chuck table 37 in the polishing step is transferred to the tape mounting unit 90 by the wafer transfer device 70. That is, after the vacuum suction of the wafer 57 to be transferred using the suction fan 83 at the end of the robot arm 81 at the top, the suction fan 83 moves according to the operation of the robot arm 81 to move the wafer ( 57) Transfer. At this time, although not shown, the wafer 57 conveyed by the wafer transfer device 70 is cleaned by a separately provided cleaning unit (not shown) before reaching the tape mounting unit 90.

그런데, 이와 같이 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 웨이퍼에는 휨이 발생할 수 있다. 즉, 금속 배선층을 보호하기 위해 웨이퍼 전면에 형성되는 절연막과 웨이퍼가 서로 다른 열팽창 계수(CTE;Coefficient Thermal Expansion)를 갖음으로써, 웨이퍼에 휨이 발생할 수 있다. However, warpage may occur in the wafer on which the wafer backside polishing process is completed. That is, since the insulating film formed on the entire surface of the wafer and the wafer have different coefficients of thermal expansion (CTE) to protect the metal wiring layer, warpage may occur in the wafer.

더욱이, 이러한 휨은 반도체 패키지의 경박화에 따른 웨이퍼의 박형화 추세에 따라서, 웨이퍼 후면 연마량을 증가시킴으로써 획득되는 박형 웨이퍼에 더욱 쉽게 발생한다. Moreover, such warpage is more likely to occur in thin wafers obtained by increasing the wafer backside polishing amount, in accordance with the trend of thinning wafers as the semiconductor package becomes thinner.

이와 같이 휨이 발생한 박형 웨이퍼의 경우, 박형 웨이퍼를 진공 흡착해야 할 흡착 팬과 휨이 발생한 박형 웨이퍼 사이에 들뜸이 발생하여 진공의 누설이 발 생된다. 이에 따라, 종래의 웨이퍼 이송 장치가 휨이 발생한 박형 웨이퍼를 진공 흡착하여 이송하기는 불가능하다. As described above, in the case of the thin wafer having the warpage, lifting occurs between the adsorption fan to vacuum suction the thin wafer and the thin wafer having the warpage, so that vacuum leakage occurs. As a result, it is impossible for the conventional wafer transfer device to vacuum-adsorb and transfer the thin wafer having warpage.

따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 후면 연마 장치로부터 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 박형 웨이퍼를 웨이퍼에 발생되는 휨에 관계없이 이송할 수 있는 웨이퍼에 발생되는 휨과 무관한 박형 웨이퍼 이송 장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a thin wafer transfer apparatus that is independent of warpage generated in a wafer capable of transferring a thin wafer from which a wafer backside polishing process is completed from a wafer backside polishing apparatus, regardless of the warpage generated in the wafer. .

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼의 후면을 연마하는 웨이퍼 후면 연마 장치로부터 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 박형 웨이퍼를 웨이퍼의 후면에 접착 테이프를 접착하고 웨이퍼 링으로 고정하는 테이프 마운팅부로 이송하는 장치로서, 웨이퍼 후면 연마 장치와 테이프 마운팅부 사이에 설치되는 가이드 레일 및 박형 웨이퍼를 탑재한 채로 가이드 레일을 통해 이송하는 척 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼 이송 장치를 제공한다.  In order to achieve the above object, the present invention is a device for transferring a thin wafer from the wafer back polishing apparatus for polishing the back surface of the wafer to the tape mounting portion for adhering the adhesive tape to the back surface of the wafer and fixing it with a wafer ring The present invention provides a thin wafer transfer device including a guide rail installed between a wafer backside polishing apparatus and a tape mounting portion and a chuck table for transferring through a guide rail while mounting a thin wafer.

본 발명의 실시예에 따른 박형 웨이퍼 이송 장치에 있어서, 척 테이블에 탑재된 박형 웨이퍼가 세정되도록 가이드 레일 상이나 테이프 마운팅부 내에 세정부가 위치하는 것이 바람직하다. In the thin wafer transfer apparatus according to the embodiment of the present invention, it is preferable that the cleaning portion is located on the guide rail or in the tape mounting portion so that the thin wafer mounted on the chuck table is cleaned.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박형 웨이퍼 이송 장치에 의해 웨이퍼가 이송되는 상태를 보여주는 평면도이다. 2 is a plan view showing a state in which a wafer is transferred by a thin wafer transfer device according to an embodiment of the present invention.

박형 웨이퍼 이송 장치(170)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 박형 웨이퍼(157)를 웨이퍼 후면 연마 장치(110)로부터 테이프 마운팅부(190)로 이송한다. 이러한 박형 웨이퍼 이송 장치(170)는 가이드 레일(185) 및 척 테이블(137)을 포함한다As shown in FIG. 2, the thin wafer transfer device 170 transfers the thin wafer 157 on which the wafer backside polishing process is completed from the wafer backside polishing apparatus 110 to the tape mounting unit 190. This thin wafer transfer device 170 includes a guide rail 185 and a chuck table 137.

가이드 레일(185)은 박형 웨이퍼(157)가 이송되는 통로로서, 웨이퍼 후면 연마 장치(110)와 테이프 마운팅부(190) 사이에 설치된다. The guide rail 185 is a passage through which the thin wafer 157 is transferred and is installed between the wafer backside polishing apparatus 110 and the tape mounting unit 190.

척 테이블(137)은 박형 웨이퍼(157)를 탑재한 채로 가이드 레일(185)을 통해 이동하여 박형 웨이퍼(157)를 이송한다. 이 때, 척 테이블(137) 상에는 박형 웨이퍼(157)의 후면이 상부를 향하도록 탑재되어 있다. 그리고 척 테이블(137)은 탑재된 박형 웨이퍼(157)를 하부에서 진공 흡착하여 고정시킨다. The chuck table 137 moves through the guide rail 185 with the thin wafer 157 mounted thereon to transfer the thin wafer 157. At this time, the rear surface of the thin wafer 157 is mounted on the chuck table 137 so as to face upward. The chuck table 137 vacuum-adsorbs the mounted thin wafer 157 from the bottom thereof.

한편, 척 테이블(131) 상의 웨이퍼(151) 탑재 및 고정은 웨이퍼 후면 연마 장치(110)에서 이루어지며, 척 테이블(137)로부터의 박형 웨이퍼(157)의 언로딩(unloading)은 테이프 마운팅부(190)에서 이루어진다. On the other hand, mounting and fixing the wafer 151 on the chuck table 131 is performed in the wafer backside polishing apparatus 110, and unloading of the thin wafer 157 from the chuck table 137 is performed by a tape mounting portion ( 190).

웨이퍼 후면 연마 장치(110)는 한 개의 턴 테이블(120) 및 세 개의 연마기(143, 145 및 147)를 포함한다. The wafer backside polishing apparatus 110 includes one turn table 120 and three polishers 143, 145, and 147.

턴 테이블(120)은 회전이 가능하다. 이러한 턴 테이블(120) 상에는 네 개의 척 테이블(131, 133, 135 및 137)이 방사형으로 설치된다. 즉, 턴 테이블(120)이 회전함에 따라서 각각의 척 테이블(131, 133, 135 및 137)도 회전된다. 이러한 턴 테이블(120) 상의 척 테이블(131, 133, 135 및 137)은 위치에 따라서, 대기 테이블(131), 황삭 테이블(133), 정삭 테이블(135) 및 폴리싱 테이블(137)로 구분된다. 이러한 척 테이블(131, 133, 135 및 137)은 시계 방향에 따라서 대기 테이블(131), 황삭 테이블(133), 정삭 테이블(135) 및 폴리싱 테이블(137)의 순서로 위치한다. 그리고 척 테이블(131, 133, 135 및 137)은 턴 테이블(120)로부터 분리되는 것이 가능하다. Turn table 120 is rotatable. Four chuck tables 131, 133, 135, and 137 are radially installed on the turn table 120. That is, as the turn table 120 rotates, the respective chuck tables 131, 133, 135, and 137 also rotate. The chuck tables 131, 133, 135, and 137 on the turn table 120 are divided into the waiting table 131, the roughing table 133, the finishing table 135, and the polishing table 137, depending on the position. These chuck tables 131, 133, 135 and 137 are located in the order of the waiting table 131, the roughing table 133, the finishing table 135 and the polishing table 137 in the clockwise direction. In addition, the chuck tables 131, 133, 135, and 137 may be separated from the turn table 120.

연마기(143, 145 및 147)는 대기 테이블(131)을 제외한 척 테이블(133, 135 및 137) 상의 웨이퍼(153, 155 및 157)의 후면을 기계적으로 연마한다. 이러한 연마기(143, 145 및 147)는 황삭 테이블(133) 상부에 설치되는 황삭기(143)와, 정삭 테이블(135) 상부에 설치되는 정삭기(145)와, 폴리싱 테이블(137) 상부에 설치되는 폴리셔(147)를 포함한다. 각각의 연마기(143, 145 및 147)는 승강 이동이 가능하다. Polishers 143, 145, and 147 mechanically polish the back side of wafers 153, 155, and 157 on chuck tables 133, 135, and 137 except for waiting table 131. The grinders 143, 145, and 147 are installed on the roughing machine 143 installed on the roughing table 133, the finishing machine 145 installed on the finishing table 135, and the polishing table 137. A polisher 147 to be included. Each grinder 143, 145 and 147 is capable of lifting and lowering.

테이프 마운팅부(190)는 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료되어 이송된 박형 웨이퍼(157)의 후면에 접착 테이프를 접착하고 웨이퍼 링으로 고정한다. 이 때, 박형 웨이퍼(157)는 폴리싱 테이블(137)에 탑재된 채로 이송된 다음, 폴리싱 테이블(137)로부터 언로딩된다. The tape mounting unit 190 adheres the adhesive tape to the rear surface of the thin wafer 157 transferred after the wafer rear surface polishing process is completed and fixes the wafer with a wafer ring. At this time, the thin wafer 157 is transferred to the polishing table 137 and then unloaded from the polishing table 137.

그리고 도시되지는 않았지만 박형 웨이퍼 이송 장치(170)에 의해 이송되는 폴리싱 테이블(137)에 탑재된 박형 웨이퍼(157)는 테이프 마운팅부(190)에 도달하기에 앞서, 가이드 레일(185) 상이나 테이프 마운팅부(190) 내에 위치하는 세정부(도시되지 않음)에서 세정된다. Although not shown, the thin wafer 157 mounted on the polishing table 137 transferred by the thin wafer transfer device 170 may be mounted on the guide rail 185 or tape mounting before reaching the tape mounting unit 190. It is cleaned by a cleaning unit (not shown) located in the unit 190.

이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 박형 웨이퍼 이송 장치(170)를 이용한 박형 웨이퍼 이송 방법을 웨이퍼 후면 연마 공정 및 테이프 마운팅 공정과 관련하 여 설명하면 다음과 같다. The thin wafer transfer method using the thin wafer transfer device 170 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to a wafer backside polishing process and a tape mounting process.

먼저, 웨이퍼 후면 연마 공정이 진행된다. 이러한 웨이퍼 후면 연마 공정은, 웨이퍼(151)가 대기 테이블(131)에 탑재되어 대기하는 단계로부터 출발한다. 즉, 웨이퍼 이송기(도시되지 않음)가 하나의 웨이퍼(151)를 대기 테이블(131) 상의 탑재될 위치에 적합하도록 웨이퍼(151)의 위치를 정렬하여 탑재한다. 웨이퍼(151)가 탑재되면, 대기 테이블(131)은 웨이퍼(151)를 진공 흡착하여 고정한다. First, the wafer backside polishing process is performed. This wafer backside polishing process starts from the step where the wafer 151 is mounted on the waiting table 131 and waiting. That is, a wafer transfer machine (not shown) mounts one wafer 151 in alignment with the position of the wafer 151 so as to be suitable for the position to be mounted on the waiting table 131. When the wafer 151 is mounted, the waiting table 131 vacuum-adsorbs and fixes the wafer 151.

다음으로, 황삭하는 단계가 진행된다. 즉, 턴 테이블(120)의 회전에 따라서 웨이퍼(151)가 흡착된 대기 테이블(131)은 시계 방향으로 90° 회전하여 황삭기(143)의 하부로 이동한다. 그리고 황삭기(143)가 하강하여 웨이퍼(153)의 후면을 황삭한다. 황삭 단계가 완료되면, 황삭기(143)가 상승한다. Next, the roughing step proceeds. That is, as the turn table 120 rotates, the standby table 131 to which the wafer 151 is adsorbed is rotated 90 ° clockwise to move to the lower part of the roughing machine 143. Then, the roughing machine 143 descends to rough the back surface of the wafer 153. When the roughing step is completed, the roughing machine 143 is raised.

다음으로, 정삭하는 단계가 진행된다. 즉, 턴 테이블(120)의 회전에 따라서 황삭 단계가 완료된 웨이퍼(153)가 흡착된 황삭 테이블(133)이 90° 회전하여 정삭기(145)의 하부로 이동한다. 그리고 정삭기(145)가 하강하여 웨이퍼(155)의 후면을 정삭한다. 이 때, 웨이퍼(155)는 최종 두께를 갖는다. 정삭 단계가 완료되면, 정삭기(145)가 상승한다. Next, the finishing step is performed. That is, as the turn table 120 rotates, the roughing table 133 on which the roughing step is completed is rotated 90 ° to move to the lower part of the finishing machine 145. The finisher 145 descends to finish the rear surface of the wafer 155. At this time, the wafer 155 has a final thickness. When the finishing step is completed, the finishing machine 145 is raised.

다음으로, 폴리싱하는 단계가 진행된다. 즉, 턴 테이블(120)의 회전에 따라서 정삭 단계가 완료된 웨이퍼(155)가 흡착된 정삭 테이블(135)이 90° 회전하여 폴리셔(147)의 하부로 이동한다. 그리고 폴리셔(147)가 하강하여 웨이퍼(157)의 후면을 폴리싱한다. 이 때, 웨이퍼(157)에는 연마액이 공급된다. 이에 따라, 폴리싱 단계에서, 웨이퍼(157)의 후면은 경면화되고, 박형 웨이퍼(157)가 형성된다. 폴리 싱 단계가 완료되면, 폴리셔(147)가 상승한다. Next, the polishing is performed. That is, according to the rotation of the turn table 120, the finishing table 135 on which the wafer 155 on which the finishing step is completed is adsorbed is rotated 90 ° to move to the lower portion of the polisher 147. The polisher 147 descends to polish the back surface of the wafer 157. At this time, the polishing liquid is supplied to the wafer 157. Accordingly, in the polishing step, the rear surface of the wafer 157 is mirrored, and the thin wafer 157 is formed. When the polishing step is completed, the polisher 147 is raised.

한편, 이러한 웨이퍼 후면 연마 공정은 턴 테이블(120)의 단계적인 회전에 따라서 단계적으로 진행되는 예를 개시하였지만, 턴 테이블(120) 상에서 동시에 진행된다. On the other hand, while the wafer back polishing process has been described an example that proceeds step by step according to the rotation of the turn table 120, it is performed simultaneously on the turn table 120.

이어서, 박형 웨이퍼 이송 공정이 진행된다. 즉, 폴리싱 단계가 완료된 박형 웨이퍼(157)가 탑재된 폴리싱 테이블(137)이 턴 테이블(120)로부터 분리되어 가이드 레일(185)을 통해 테이프 마운팅부(190)로 이송된다. Subsequently, a thin wafer transfer process proceeds. That is, the polishing table 137 on which the thin wafer 157 on which the polishing step is completed is mounted is separated from the turn table 120 and transferred to the tape mounting unit 190 through the guide rail 185.

이 때, 폴리싱 단계가 완료된 이후에 연마액 및 폴리싱 단계에서 발생된 찌꺼기를 제거하기 위해서, 박형 웨이퍼(157)를 세정하는 단계가 이루어진다. 이러한 박형 웨이퍼의 세정은 박형 웨이퍼(157)가 탑재된 폴리싱 테이블(137)이 이송되는 도중에 가이드 레일(185) 상에서 이루어질 수도 있고, 테이프 마운팅부(190)로 이송된 이후에 테이프 마운팅부(190) 내에서 이루어질 수도 있다. At this time, after the polishing step is completed, a step of cleaning the thin wafer 157 is performed to remove the polishing liquid and the debris generated in the polishing step. The cleaning of the thin wafer may be performed on the guide rail 185 while the polishing table 137 on which the thin wafer 157 is mounted is transferred, or the tape mounting unit 190 after being transferred to the tape mounting unit 190. It can also be done within.

계속해서, 테이프 마운팅 공정이 진행된다. 즉, 테이프 마운팅부(190)로 이송된 폴리싱 테이블(137) 상의 박형 웨이퍼(157)에 접착 테이프를 접착시키고 웨이퍼 링으로 고정한다. 그리고 웨이퍼 링으로 고정된 박형 웨이퍼(157)가 폴리싱 테이블(137)로부터 언로딩된다. Subsequently, the tape mounting process proceeds. That is, the adhesive tape is adhered to the thin wafer 157 on the polishing table 137 transferred to the tape mounting unit 190 and fixed with a wafer ring. Then, the thin wafer 157 fixed with the wafer ring is unloaded from the polishing table 137.

마지막으로, 폴리싱 테이블(137)이 회송되는 단계가 진행된다. 즉, 박형 웨이퍼(157)를 언로딩한 폴리싱 테이블(137)은 가이드 레일(185)을 통해 턴 테이블(120)로 회송된다. 이 때, 폴리싱 테이블(137)이 분리되어 있는 동안, 턴 테이블(120)은 정지되어 있으며, 폴리싱 테이블(137)이 회송됨에 따라서 턴 테이블(120) 이 회전한다. Finally, the step of returning the polishing table 137 is performed. That is, the polishing table 137 which unloads the thin wafer 157 is returned to the turn table 120 through the guide rail 185. At this time, while the polishing table 137 is separated, the turn table 120 is stopped, and the turn table 120 rotates as the polishing table 137 is rotated.

한편, 턴 테이블(120)의 회전에 따라서 박형 웨이퍼(157)를 언로딩한 폴리싱 테이블(137)이 대기 테이블(131)의 위치로 이동한다. 그리고 대기 테이블(131)에는 후면을 연마할 다른 웨이퍼(151)가 탑재된다. On the other hand, as the turn table 120 rotates, the polishing table 137 which unloads the thin wafer 157 moves to the position of the waiting table 131. The wait table 131 is equipped with another wafer 151 for polishing the back surface.

본 발명의 구조를 따르면, 휨이 쉽게 발생하는 박형 웨이퍼를 척 테이블에 탑재한 채로 웨이퍼 후면 연마 장치와 테이프 마운팅부 사이에 제공된 가이드 레일을 통해 이송되도록 함으로써, 웨이퍼에 발생되는 휨에 관계없이 박형 웨이퍼를 이송할 수 있다. According to the structure of the present invention, the thin wafer, which easily bends, is mounted on the chuck table and is transferred through the guide rail provided between the wafer backside polishing apparatus and the tape mounting portion, thereby allowing the wafer to be thinned regardless of the warpage generated in the wafer. Can be transferred.

Claims (2)

웨이퍼(wafer)의 후면을 연마하는 웨이퍼 후면 연마 장치(wafer back grinding apparatus)로부터 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 박형 웨이퍼(thin wafer)를 상기 웨이퍼의 후면에 접착 테이프를 접착하고 웨이퍼 링(wafer ring)으로 고정하는 테이프 마운팅부(tape mounting part)로 이송하는 장치로서, From a wafer back grinding apparatus that polishes the back side of the wafer, a thin wafer on which the back side grinding process is completed is bonded to the back side of the wafer, and a wafer ring is attached. A device for transporting to a tape mounting part for fixing, 상기 웨이퍼 후면 연마 장치와 상기 테이프 마운팅부 사이에 설치되는 가이드 레일(guide rail); 및A guide rail installed between the wafer backside polishing apparatus and the tape mounting portion; And 웨이퍼 후면 연마 공정이 완료된 상기 박형 웨이퍼를 탑재한 채로 상기 가이드 레일을 통해 이송하는 척 테이블(chuck table);을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 발생되는 휨과 무관한 박형 웨이퍼 이송 장치.And a chuck table for transporting through the guide rail while mounting the thin wafer on which the wafer backside polishing process is completed. 제 1항에 있어서, 상기 척 테이블에 탑재된 상기 박형 웨이퍼가 세정되도록 상기 가이드 레일 상이나 상기 테이프 마운팅부 내에 세정부가 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 발생되는 휨과 무관한 박형 웨이퍼 이송 장치. The thin wafer transfer apparatus of claim 1, wherein a cleaning unit is disposed on the guide rail or in the tape mounting unit to clean the thin wafer mounted on the chuck table.
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