KR20070032342A - 플라즈마 주입을 위한 에칭 및 침전 제어 - Google Patents
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Abstract
기판에의 이온 주입을 위한 방법은 적어도 하나의 주입 종을 구비한 적어도 하나의 주입 재료로부터 플라즈마를 형성하는 단계와, 기판의 표면으로 적어도 하나의 주입 종을 주입하는 단계와, 플라즈마와 관련된 표면 손상을 감소시키기 위해 표면에 적어도 하나의 표면 변경 종을 지향시키는 단계를 포함한다. 이온 주입 장치는 상기 방법을 실시하도록 구성된다.
이온 주입, 플라즈마, 표면 변경 종, 주입 재료, 반도체, 도판트, 플라즈마
Description
본 발명은 재료 처리용 이온 주입에 관한 것으로, 특히 반도체 기반 장치의 제조용 도판트의 플라즈마 주입을 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체의 전기적 특성을 제어하기 위해 반도체로 불순물을 첨가하는 공정은 "도핑(doping)"으로 공지되어 있고, 바람직한 불순물은 도판트(dopants)로 공지되어 있다. 몇몇 초기 도핑 기술은 기판의 형성 중 또는 기판과 접촉하고 있는 기상 또는 고상의 재료로부터 기판으로의 도판트 확산 중 도판트의 혼합과 관련된다. 확산을 기반으로 하는 기술은 기판에서 만족할 만한 도판트 확산률을 얻기 위해 온도를 상승시키는 것과 관련된다.
이온 주입 기술은 도판트의 공간적 균일성 및 농도에 걸쳐 보다 정밀한 제어에 대한 요구에 응답하여 개발되었다. 전형적인 이온 주입기는 이온 공급원 내의 도판트를 이온화하고, 도판트 이온은 규정된 에너지의 이온 빔을 형성하도록 중량이 선택되어 가속되고, 이온 빔은 웨이퍼 또는 다른 기판의 표면에서 지향된다. 빔의 활력 이온(energetic ion)은 반도체 웨이퍼의 벌크를 천공할 수 있고, 양호한 도전성의 영역을 형성하도록 반도체 재료의 투명한 격자에 매립될 수 있다. 전형 적으로, 상기 웨이퍼는 주입된 도판트를 활성화 시키도록 즉, 도판트의 전기적 활동이 이루어지도록 주입 이후에 풀림 처리되어야 한다.
이온 주입 시스템은 보통 기상 또는 고상의 재료를 잘 한정된 이온 빔으로 변환시키는 이온 공급원을 포함한다. 주입기 매스(implanter mass)는 바람직하지 못한 종(species)을 제거하도록 이온 빔을 분석하고, 양호한 종을 양호한 에너지로 가속시키고, 기판의 목표 지점에 빔을 지향시킨다. 상기 빔은 예를 들어, 빔 주사, 목표 이동 또는 빔 주사와 목표 이동의 조합에 의해 목표 영역에 걸쳐 분산된다. 따라서, 상기 주입기는 도판트 종, 도판트 이온 주입 에너지 및 도판트 위치의 정밀한 제어를 제공할 수 있다. 그러나, 불행하게도 전형적인 이온 빔 주입기는 복잡하고 고가의 기계이며, 제한된 작업 처리량을 가질 수 있다.
섀로우 접합 포메이션(shallow junction formation)에서의 현재의 추세에 따라, 기술자들은 전형적인 이온 빔 주입기가 저 에너지 빔 조건에서 낮은 빔의 전류를 제공한다는 점을 알고 있다. 예를 들어, 섀로우 접합 포메이션에 요구될 수 있는 것으로써, 10 keV 미만의 에너지에서는 웨이퍼 작업 처리량이 손해를 입을 수 있다. 저가 및 저 에너지에서 높은 처리량을 갖는 주입기에 대한 요구에 응답하여 플라즈마 이머젼 이온 주입기(PIII)같은 플라즈마 주입 기술이 해결책으로서 제안되었다. 플라즈마 주입에서, 기판 및 플라즈마는 전형적으로 공정 챔버를 공유한다. 상기 기판은, 예를 들어 저 에너지에서 높은 분량의 비율로 도판트 주입을 제공하는 인접한 플라즈마에 노출된다. 또한, 플라즈마 주입은 비교적 저렴한 설비로 실행될 수 있다.
플라즈마 주입은 연속적인 또는 단속적인 플라즈마를 이용할 수 있다. 단속적인 플라즈마를 사용하는 플라즈마 도핑 시스템의 하나의 타입에서, 반도체 웨이퍼는 플라즈마 도핑 챔버에 위치되고, 음극으로써의 기능을 하는 도전성 플래튼(platen) 상에 배치된다. 양호한 도판트 재료를 함유한 이온화 가능 가스는 챔버로 도입되고, 전압 펄스는 웨이퍼의 부근에서 플라즈마 시스(sheath)를 갖는 글로 방전 플라즈마(glow-discharge plasma)를 형성하도록 플래튼과 양극 사이에 인가된다. 인가된 전압 펄스는 플라즈마 내부 이온이 플라즈마 시스를 가로지르고 웨이퍼 내부로 주입되게 한다. 주입 깊이는 웨이퍼와 양극 사이에 인가된 전압과 관련된다. 매우 낮은 주입 에너지를 얻을 수 있다.
플라즈마에 이머젼(immersion)을 발생시키는 PIII에서, 연속식 또는 펄스식 무선 주파수(RF)전압이 전형적으로 연속식 또는 펄스식 플라즈마를 생성하도록 인가된다. 때때로, 플라즈마의 플러스 도판트 이온이 웨이퍼를 향해 가속되도록 높은 전압 펄스가 플래튼에 인가된다. 마이너스 전압 펄스는 플라즈마로부터 플러스 대전된 도판트 원자를 추출하여 이온을 웨이퍼로 주입하도록 인가된다.
이온 빔 주입법과 달리, PIII 및 다른 주입 기술들은 양호한 도판트 종에 부가하여 다른 플라즈마 이온 종을 주입하는 경향이 있다. 또한, 기판의 중성 플라즈마(plasma neutrals)로의 노출로 인해 특정 화학 반응의 기능 및 특정 주입 공정에 사용된 작동 조건에 따라 바람직하지 못한 침전 및/또는 에칭이 일어날 수 있다. 예를 들어, 도판트 가스로써 BF3을 사용할 경우, 플루오르와 관련된 플라즈마 요소들은 원하지 않는 에칭을 발생시킬 수 있다. 이러한 효과들은 전력 레벨, 가스 압력 및 가스 유량 같은 공정 파라미터의 적절한 선택에 의해 감소될 수 있다. 그러나, 공정 파라미터를 제어할 필요성은 만족스러운 공정 윈도우(process window)를 제한할 수 있다.
본 발명은 바람직하지 못한 에칭을 감소시킬 수 있고 그리고/또는 침전의 축적을 감소시킬 수 있는 표면 변경 종(surface-modifying species)에 플라즈마 도핑 처리되는 표면이 노출될 수 있다는 이해로부터 비롯된 것이다. 표면 변경 종은 기판 표면으로부터 보호 표면 차단물 및/또는 에칭 침전물을 제공할 수 있다. 예로써, 미량 가스(trace gas)는 플라즈마에 공급되는 도판트 가스에 부가될 수 있다. 미량 가스는 에칭으로부터 표면을 보호할 수 있도록 표면을 페시베이트(passivate) 할 수 있는 종을 제공하고 그리고/또는 표면 침전물을 제거할 수 있는 종을 제공하도록 선택될 수 있다. 본 발명의 특징은, 플라즈마 도핑 도구, 예로써 펄스식 또는 연속식 플라즈마에 기판을 노출시키는 도구에 적용될 수 있다. 페시베이팅 종은 예로써, 기판의 표면 원자와의 화합물을 형성하거나 또는 표면에 접합되는 것일 수 있다. 표면 침전물을 제거하는 에칭 종은, 예를 들어 바람직하지 못한 침전물을 화학적으로 에칭 및/또는 스퍼터(sputter) 에칭하는 것일 수 있다.
따라서 제1 관점에서, 본 발명은 플라즈마 도핑과 같은 기판으로의 플라즈마 주입을 위한 방법을 특징으로 한다. 상기 방법은 하나 이상의 주입 재료로부터 플라즈마를 형성하는 단계와, 하나 이상의 주입 종을 기판의 표면에 주입시키는 단계와, 플라즈마와 관련된 표면 손상을 감소시키기 위해 표면에서 하나 이상의 표면 변경 종을 지향시키는 단계를 포함한다. 주입 재료는 적어도 한 가지 도판트 종을 제공할 수 있고, 표면 변경 재료는 하나 이상의 표면 변경 종을 제공할 수 있다. 상기 기판은, 예를 들어 플라즈마로부터 주입 종을 제공하기 위해 플라즈마에 침지되거나 또는 플라즈마 근처에 위치될 수 있고, 상기 플라즈마는 주입 재료 및 표면 변경 재료 모두로부터 형성될 수 있다.
상기 표면 손상은, 예를 들어 플라즈마에 의해 발생되는 표면 침전 및/또는 표면 손상과 관련된다. 표면 변경 종은 표면에 페시베이션을 제공할 수 있거나 또는 바람직하지 않은 표면 침전물의 에칭을 지원할 수 있다. 페시베이션은 예를 들어, 표면 및/또는 반응 표면층과 접합된 원자 또는 분자를 포함할 수 있는, 예로써 표면 차단물의 형성에 의해 제공될 수 있다. 상기 에칭은, 예를 들어 화학적 및/또는 물리적 에칭과 관련된다.
제2 관점에서, 본 발명은 이온 주입용 장치를 특징으로 한다. 상기 장치는 플라즈마를 함유한 용기와, 플라즈마에 침지될 수 있는 하나 이상의 기판을 포함한다. 또한, 상기 장치는 하나 이상의 주입 재료 공급부와, 용기 내의 플라즈마로 재료를 공급하는 하나 이상의 표면 변경 재료 공급부를 포함한다. 상기 장치는 플라즈마로 공급되는 표면 변경 재료와 주입 재료의 혼합물을 제어하는 하나 이상의 재료 공급 제어 유닛을 포함한다.
첨부 도면들은, 비례적으로 그려진 것은 아니다. 도면에서, 다양한 도면에 도시된 각각의 동일한 또는 대략 동일한 구성 요소들은 유사한 도면 부호로 나타낸다. 명확하게 위해, 모든 도면에 모든 구성 요소들을 도면 부호로 표시하지는 않았다.
도1은 본 발명의 원리에 따른 기판의 이온 주입 방법의 실시예의 흐름도이다.
도2는 본 발명의 원리에 따른 이온 주입 장치의 실시예의 단면도이다.
본 발명은 아래의 설명에 기재된 또는 도면에 도시된 구성 요소들의 구조 및 배치의 상세 내용에 적용되는 것으로 이로 제한되는 것은 아니다. 본 발명은 다른 실시예일 수 있고 다양한 방식으로 실행 또는 성취될 수 있다. 또한, 본 명세서에 사용된 표현 및 용어는 설명의 목적으로 사용되고, 제한으로서 고려되어서 안 된다. 본 명세서에서 "포함(including)", "구성(comprising)", 또는 "구비(having)", "함유(containing)", "관련(involving)" 및 그 파생어의 사용은 이후의 목록화된 아이템과 부가적인 아이템 및 그 균등물을 포함하는 것을 의미한다.
"플라즈마(plasma)"라는 단어는 본 명세서에서의 전자, 원자 또는 분자 이온, 원자 또는 래디컬 종[즉,활성 뉴트럴(activated neutrals)], 그리고 중성 원자 및 분자의 일부 또는 전체를 포함하는 가스형 위상을 일컫는 넓은 의미로 사용된다. 전형적으로, 플라즈마는 대략 제로인 순전하(net charge)를 갖는다. 예를 들어, 플라즈마는, 차례로 유도 결합 및/또는 용량 결합으로 전력 공급원에 의해 자극될 수 있는 하나 이상의 재료로부터 이온화 및/또는 해리에 의해 형성될 수 있 다.
"플라즈마 주입(plasma implantation)"이라는 문구는 종래의 빔 주입기의 질량 선택(mass selection)의 특성없이 플라즈마로부터의 주입을 사용하는 주입기술을 언급하도록 본 명세서에서 사용된다. 플라즈마 주입기는 전형적으로 기판 및 플라즈마 모두를 동일한 챔버에 위치시킨다. 따라서, 플라즈마는 기판에 인접할 수 있거나 또는 기판에 매립될 수 있다. 전형적으로, 플라즈마로부터 다양한 종가 기판으로 주입될 수 있다.
도1은 본 발명의 원리에 따른 기판의 이온 주입을 위한 방법(100)의 실시예의 흐름도이다. 방법(100)은 적어도 하나의 주입 재료로부터 플라즈마를 형성하는 단계(단계 110)와, 플라즈마로부터 적어도 하나의 주입 종을 주입하는 단계(단계 120)와, 플라즈마와 관련된 표면 손상을 감소시키기 위해 표면에 적어도 하나의 표면 변경 종을 지향시키는 단계(단계 130)를 포함한다.
적어도 하나의 주입 재료는, 예를 들어 하나 이상의 도판트 종을 제공하는 임의의 재료일 수 있다. 상기 하나 이상의 도판트 종은 기판, 예로써 실리콘 기반의 기판으로 주입될 수 있다(단계 120). 몇몇 적절한 도판트 재료는, 예로써 ASH3, PH3, BF3, ASF5, PF3, B5H9, B2H6을 포함한다.
BF3 주입 재료 거동에 대한 이하 설명에서는 본 발명의 원리들을 설명한다. 이온 주입 분야에서 통상의 기술을 가진 사람은 설명된 예들은 제한적인 것은 아니고, 본 발명의 원리는 주입 재료 및 주입 종의 광범위한 범위에 적용될 수 있다는 점을 알 수 있다.
BF3로부터 형성된 플라즈마는, 비여기식 BF3 및 다른 분자 및 원자에 부가하여, 예를 들어 BF3, BF2, BF, B 및 F의 래디컬과, BF2, BF, B 및 F의 플러스 이온과, 전자를 포함할 수 있다. 전형적으로 상기 플라즈마는, 대부분의 구성 요소로서, 가스 및 에칭 부산물 분자와, 래디컬의 더 작은 요소와, 이온 및 전자의 더 작은 구성 요소를 포함한다. 플라즈마의 다른 이온 및 B 이온은, 예를 들어 플라즈마 이머전 주입 또는 다른 플라즈마 주입 접근법을 통해 주입될 수 있다(단계 120).
플라즈마 주입에 있어서, 플라즈마는 양호한 B 주입 종의 공급원으로서 기능할 수 있고, 전형적인 플루오르 기반 반응식 이온 에칭을 이르게 할 수 있다. 통상적으로, 래디컬 F 원자 같은 반응식 래디컬은 기판의 에칭에 기여할 수 있다. BF2, BF, B와 같은 다른 래디컬 및 래디컬의 클러스터는 기판 표면에의 침전에 기여할 수 있다. BF3, BF2, BF, B 및 F 같은 이온은 기판으로의 이온 주입에 기여할 수 있고, 기판의 스퍼터 에칭에 기여할 수 있다.
화학적 에칭은, 예를 들어 각각 SiF4 또는 BF3를 형성하도록 기판 상에 침전된 B 함유 구성 요소 또는 기판의 실리콘과 반응하는 래디컬 F 원자로부터 발생될 수 있다. 이러한 반응물은 휘발성일 수 있어 기판의 표면으로부터 이탈할 수 있다. 또한, 플라즈마로부터의 이온은, 예를 들어 상기 언급된 SiF4 또는 BF3 같은 반응 부산물들의 탈착 및 F 래디컬의 흡착을 용이하게 함으로써 에칭을 개선할 수 있다.
또한, 기판 상의 비휘발성 재료의 이온 충격은 표면을 새로운 화학적 침범에 노출시킬 수 있다. BF2, BF, B에서와 같은 래디컬 및 래디컬의 클러스터로부터 발생되는 침전 같은 비휘발성 재료의 침전이 발생될 때, 침전 부산물은 기판 표면 상에 축적될 수 있다.
B 주입 및 다른 주입 종의 주입과 관련된 에칭 및/또는 침전 효과를 완화시키기 위하여, 하나 이상의 표면 변경 종은 에칭 침범에 대항하여 표면 페시베이트를 하기 위해 그리고/또는 침전 재료를 제거하기 위하여 기판으로 지향된다(단계 130). 표면 변경 종은 표면 변경 재료로부터 유도될 수 있다. 또한, 플라즈마는 주입 종 및 표면 변경 종을 제공하기 위해 하나 이상의 주입 재료(단계 101)와, 하나 이상의 표면 변경 종(단계 102)으로부터 플라즈마는 형성될 수 있다.(단계 110) 예를 들어, 기상 표면 변경 재료는 플라즈마 주입(단계 120)에 사용된 플라즈마에 혼합 가스를 공급하기 전에 기상 주입 재료에 부착될 수 있다. 이후, 하나 이상의 표면 변경 종은 플라즈마 주입을 통한 주입(단계 120)으로부터 발생되는 표면의 침전 또는 에칭 손상을 감소시키기 위하여 플라즈마로부터 기판에서 지향된다.(단계 130)
예를 들어, 표면 변경 재료는 에칭 손상을 감소시킬 수 있는 표면 페시베이션을 제공하는 표면 페시베이션 재료일 수 있다. 표면 페시베이션 재료는, 예를 들어 N2, O2, SiH4, SiF4, 테라에톡실라인, CXHy 또는 CXHyOZ일 수 있다. 상기 재료들은 B, C, Si, N 및 O와 같이 플라즈마로부터 표면에서 지향될 수 있는 표면 페시베이션 종을 제공할 수 있다. 표면 페시베이션 종은 에칭 차단물을 형성하도록 기판에 부착되거나 반응할 수 있다. 에칭 차단물은 에칭 전구 물질(precursors)이 표면을 침범하거나 또는 (에칭) 표면 재료를 제거하는 것을 방지함으로써 기판 표면의 침범은 방해될 수 있다.
차단물은, 예를 들어 실리콘 기판 표면 상에 부착되는 B, Si 및/또는 C 같이, 기판 표면에 부착된 종에 의해 형성될 수 있다. 차단물은, 예를 들어 실리콘 기판의 표면 상에 SiO2를 형성하는 O 및/또는 Si3N4를 형성하는 N과 같이, 표면과 반응하는 종에 의해 형성될 수 있다. 에칭 차단물은, 예를 들어 BF3 기반 플라즈마에 의해 생산된 래디컬 F로부터 표면을 보호할 수 있다.
상기 언급한 바와 같이, 표면 변경 재료는 기판 표면 상에 침전되어진 플라즈마 부산물들을 에칭할 수 있는 에칭 종을 제공하는 에칭 재료일 수 있다. 에칭 재료는, 예를 들어 화학적 에칭 재료 및/또는 스퍼터 에칭 재료일 수 있다. 예를 들어, 화학적 에칭 재료는 H2, NH3, NF3, F2 및 CXFXHZ일 수 있다. 상기 재료들은 H, F 및 CI와 같이 플라즈마로부터 표면에 지향될 수 있는 화학적 에칭 종을 제공할 수 있다. 상기 반응 종은, 예를 들어 침전된 재료와 휘발성 화합물을 형성함으로써 재료의 제거에 조력하도록 침전된 재료와 결합할 수 있다. 예를 들어, H, F 및 Cl는 BF2, BF, B의 래디컬 또는 래디컬의 클러스터로부터 유도된 침전물을 화학적으로 침범할 수 있다.
유도된 스퍼터 에칭 재료는, 예를 들어 He, Ne, Ar 또는 Xe 같은 불활성 기체일 수 있다. 예를 들어, 아르곤 이온은 샘플 표면 상에서 에칭 침전물을 스퍼터하도록 이머젼 또는 다른 인접한 플라즈마로부터 동일 평면에서 지향될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 예를 들어 약 1 mTorr 내지 약 50 mTprr의 범위 의 압력에서 가스는 플라즈마로 공급된다. 주입 기상 재료는, 예를 들어 약 5 sccm 내지 약 5000 sccm 범위의 유량으로 공급될 수 있다. 표면 변경 기상 재료는, 예를 들어 약 0.1 sccm 내지 약 500 sccm 범위의 유량으로 공급될 수 있다. 가스로부터 형성된 플라즈마는, 예를 들어 약 100 watts 내지 약 500 watts 범위의 전력에서 작동될 수 있다.
도2를 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예는 플라즈마 도핑과 같은 플라즈마 주입용 장치에 대해 설명한다. 도2는, 예를 들어 상기 기술한 방법(100)을 수행하는 데에 사용될 수 있는 장치(200)의 실시예이다. 장치(200)는 플라즈마(310)와, 플라즈마에 노출될 수 있는 하나 이상의 기판(320)을 구비할 수 있는 용기(210)를 포함한다. 또한, 장치(200)는 하나 이상의 주입 재료 공급부(220)와, 하나 이상의 표면 변경 재료 공급부(230)와, 유동 제어기(250)와, 하나 이상의 재료 공급 제어 유닛(240)을 포함한다.
재료 공급부(220, 230)는 플라즈마의 형성 및 유지를 위해 용기(210)에 재료 를 공급한다. 유량 제어기(250)는, 예를 들어 용기(210)로 전달되는 기상 재료의 압력을 제어하기 위하여 공급부(220, 230)로부터 재료의 유동을 조절한다. 재료 공급 제어 유닛(240)은, 예를 들어 유동 제어기(250)와 연통함으로써 용기(210)에 공급되는 표면 변경 재료 및 주입 재료의 혼합물을 제어하도록 구성된다. 따라서, 방법(100)에 대해 상기에 언급한 본 발명의 원리에 따라서, 장치(200)는, 예를 들어 플라즈마와 관련된 바람직하지 못한 침전 또는 에칭으로 인한 기판의 손상을 감소시키면서 기판에 플라즈마 도핑하는 데에 사용될 수 있다.
따라서, 설명한 본 발명의 적어도 일 실시예의 몇몇 관점을 설명하였지만, 이 기술 분야의 숙련자는 다양한 변경, 개조 및 개선을 용이하게 할 수 있다는 점을 알 수 있다. 이러한 변경, 개조 및 개선은 본 기재 내용의 일부일 수 있고 본 발명의 기술 사상 및 범위에 속할 수 있다. 따라서, 상기 설명 및 도면은 단지 예시를 위한 것일 뿐이다.
Claims (19)
- 기판의 이온 주입에 대한 방법이며,적어도 하나의 주입 종을 포함하는 적어도 하나의 주입 재료로부터 플라즈마를 형성하는 단계와,상기 플라즈마 주입에 의해 적어도 하나의 주입 종을 기판의 표면으로 주입하는 단계와,상기 플라즈마와 관련된 표면 손상을 감소시키기 위해 표면에서 적어도 하나의 표면 변경 종을 지향시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 형성 단계는 적어도 하나의 표면 변경 종을 구비하는 적어도 하나의 표면 변경 재료 및 적어도 하나의 주입 재료로부터 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 주입 재료 및 적어도 하나의 표면 변경 재료는 가스이고, 플라즈마를 형성하기 전에 적어도 하나의 표면 변경 재료의 미량을 적어도 하나의 주입 재료와 혼합하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 표면 손상은 표면의 에칭을 포함하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 표면 변경 종은 적어도 하나의 표면 페시베이션 종을 포함하고, 상기 지향 단계는 표면의 에칭을 감소시키기 위하여 표면에 적어도 하나의 표면 페시베이션 종을 갖는 에칭 차단물을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 적어도 하나의 페시베이션 종은 B, C, Si, N 및 O로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 요소를 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, N2, O2, SiH4, SiF4, 테트라에톡실라인, CXHy 및 CXHyOZ 로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 재료로부터 적어도 하나의 표면 페시베이션 종을 유도하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 표면 손상은 표면의 침전을 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 표면 변경 종은 적어도 하나의 에칭 종을 포함하고, 상기 지향 단계는 적어도 하나의 에칭 종이 표면 침전의 적어도 일부를 에칭하게 하는 단계를 포함하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에칭 종은 적어도 하나의 화학적 에칭 재료와 관련된 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 적어도 하나의 화학적 에칭 재료는 H2, NH3, NF3, F2 및 CXFXHz로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 적어도 하나의 에칭 종은 적어도 하나의 스퍼터링 재료와 관련된 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스퍼터링 재료는 불활성 가스로 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 침전은 플라즈마를 형성하여 적어도 하나의 주입 종을 주입하는 단계와 관련된 적어도 하나의 부산물을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 주입 및 지향 단계는 적어도 부분적으로 동시에 일어나는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 주입 재료는 적어도 하나의 도판트 종을 포함하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 도판트 종은 B, P, As 및 Sb로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 주입 재료는 ASH3, PH3, BF3, ASF5, PF3, B5H9 및 B2H6 으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 글로우 플라즈마 및 RF 플라즈마로 구성된 그룹으로부터 선택된 형태인 방법.
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (2)
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| US10/874,944 | 2004-06-23 | ||
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Family Applications (1)
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2005
- 2005-06-21 KR KR1020077001503A patent/KR20070032342A/ko not_active Application Discontinuation
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