KR20070027294A - Chemical mechanical polishing apparatus - Google Patents

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KR20070027294A KR1020050082748A KR20050082748A KR20070027294A KR 20070027294 A KR20070027294 A KR 20070027294A KR 1020050082748 A KR1020050082748 A KR 1020050082748A KR 20050082748 A KR20050082748 A KR 20050082748A KR 20070027294 A KR20070027294 A KR 20070027294A
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Abstract

Chemical mechanical polishing equipment is provided to prevent contamination due to a polishing liquid and a polishing byproduct and degradation of a semiconductor by using a platen with a sloping surface whose outer side edge of the platen is lower than an inner side thereof. A platen(101) has a mounting surface where a polishing pad is mounted. A polishing supplying unit(301) supplies a polishing liquid to the polishing pad. A polishing head(401) supports a semiconductor wafer(W). The polishing head pressurizes and rotates the semiconductor wafer on the polishing pad. A container(701) is arranged to surround the polishing pad. An outer side edge of the platen is lower than an inner side thereof. An edge of the platen had a sloping surface. The edge of the platen has a rounded surface. The edge of the platen is a step type.

Description

화학적 기계적 연마 장비{Chemical Mechanical Polishing Apparatus}Chemical Mechanical Polishing Apparatus

도 1은 종래의 화학적 기계적 연마 장비의 개략적인 정면도이다.1 is a schematic front view of a conventional chemical mechanical polishing equipment.

도 2는 도 1의 플레튼의 확대도이다. FIG. 2 is an enlarged view of the platen of FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 개략적인 정면도이다.3 is a schematic front view of a chemical mechanical polishing equipment according to the present invention.

도 4는 도 3의 플레튼의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a diagram illustrating an example of the platen of FIG. 3.

도 5는 도 3의 다른예를 보여주는 도면이다.5 is a diagram illustrating another example of FIG. 3.

도 6은 도 3의 플레튼의 또 다른예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the platen of FIG.

도 7은 도 3의 플레튼을 구비하는 화학적 기계적 장비에서의 연마액의 흐름을 보여주는 도면이다.7 is a view showing the flow of the polishing liquid in the chemical mechanical equipment with the platen of FIG.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for main parts of drawings *

301: 연마액 공급부 201: 연마 패드301: polishing liquid supply part 201: polishing pad

401: 연마 헤드 701: 용기401: polishing head 701: container

101: 플레튼101: platen

본 발명은 반도체 장비에 관한 것으로, 더 구체적으로는 화학적 기계적 연마 장비에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor equipment, and more particularly to chemical mechanical polishing equipment.

반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 다층 배선 공정이 실용화되고, 이에 따라 층간막의 글로벌(Global) 평탄화의 중요성이 더욱 강조되고 있다. 이러한 가운데 새로운 기술로 주목을 받기 시작한것이 화학적 기계적(Chemical Mecahnical Polishing)장비를 이용한 평탄화 방법이다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, the multi-layered wiring process becomes more practical, and accordingly, the importance of global planarization of the interlayer film is further emphasized. Among these, the new technology has attracted attention as a planarization method using chemical mechanical polishing (Chemical Mecahnical Polishing) equipment.

화학적 기계적장비는 연마패드와 연마액를 이용한 기계적인 방법과 슬러리 (Slurry) 용액 내의 화학적 성분에 의하여 웨이퍼를 연마하는 화학적인 방법을 동시에 이용하는 화학적/기계적 방법을 이용한 장비이다.Chemical mechanical equipment is a chemical / mechanical method using both a mechanical method using a polishing pad and a polishing liquid and a chemical method of polishing a wafer by chemical components in a slurry solution.

일반적으로, 이러한 화학적/기계적 장비는 회전 가능한 원형의 플레튼에 연마패드를 부착하고 연마패드 상단의 소정영역에 연마액, 즉 액체상태의 슬러리를 공급하여 회전하는 원심력에 의하여 도포하는 가운데, 슬러리가 도포되어 있는 연마패드의 상부에서 회전하는 연마헤드에 의하여 고정된 웨이퍼가 연마헤드의 표면에 밀착되어 회전함으로써, 그 마모효과에 의해 반도체 웨이퍼의 표면이 평탄화되는 작동원리를 가지고 있다.Generally, such chemical / mechanical equipment attaches a polishing pad to a rotatable round platen and supplies the polishing liquid, that is, a liquid slurry to a predetermined area on the upper surface of the polishing pad, and applies the slurry by rotating centrifugal force. The wafer fixed by the rotating polishing head on the top of the applied polishing pad has a working principle in which the surface of the semiconductor wafer is flattened by its abrasion effect by rotating in close contact with the surface of the polishing head.

도 1은 종래의 화학적 기계적 연마 장비의 개략적인 정면도이다.1 is a schematic front view of a conventional chemical mechanical polishing equipment.

도 1을 참조하면, 화학적 기계적 장비는 플레튼(10), 연마액 공급부(30), 연마해드(50) 및 용기(70)로 구성된다. 상기 플레튼(10)은 회전 가능하며, 우레탄(Urethane)재질의 연마패드(20)가 부착되어 있다. 상기 연마액 공급부(30)은 상기 연마패드(20)상에 연마액(Slurry)를 공급한다. 상기 연마헤드(50)은 상기 연마패드(20)와 접촉하고 있는 웨이퍼(W)를 고정시키고, 웨이퍼(W)를 연마액이 공급 되는 연마패드(20)상에서 지지, 가압 및 회전 운동시킨다. 연마를 위하여 상기 웨이퍼를 거친 연마액은 상기 용기(70)로 배출된다.Referring to FIG. 1, the chemical mechanical equipment includes a platen 10, a polishing liquid supply unit 30, a polishing head 50, and a container 70. The platen 10 is rotatable and has a polishing pad 20 made of urethane material. The polishing liquid supply unit 30 supplies a polishing liquid on the polishing pad 20. The polishing head 50 fixes the wafer W in contact with the polishing pad 20, and supports, presses, and rotates the wafer W on the polishing pad 20 to which the polishing liquid is supplied. Polishing liquid having passed through the wafer for polishing is discharged into the container 70.

상기 연마패드(20)는 표면에 돌기가 형성된 우레탄 또는 표면이 거친 섬유재질을 사용하고 있으며, 평탄화할 박막의 종류 및 연마액의 특성에 따라 달라진다.The polishing pad 20 uses a urethane or a coarse fiber material having protrusions formed on a surface thereof, and depends on the type of thin film to be planarized and the characteristics of the polishing liquid.

상기 연마액 공급부(30)로 부터 연마액이 공급되어 원심력에 의하여 상기 웨이퍼(W)를 도포하면서, 상기 연마패드(20)의 상부에서 회전하는 상기 연마헤드(50)에 의해 고정된 상기 웨이퍼가 평탄화 될때, 연마액을 포함하는 연마 부산물이 상기 연마패드(20)상에 잔류하고, 상기 플레튼(10)의 회전에 의해 상기 연마 패드(20)로 부터 벗어나서 상기 용기(70)로 배출된다. While the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply unit 30 to apply the wafer W by centrifugal force, the wafer fixed by the polishing head 50 rotating on the polishing pad 20 is When planarized, polishing by-products including the polishing liquid remain on the polishing pad 20 and are discharged from the polishing pad 20 by the rotation of the platen 10 and discharged into the container 70.

도 2는 종래의 화학적/기계적 연마 장비의 회전 가능한 플레튼의 정면도이다. 2 is a front view of a rotatable platen of a conventional chemical / mechanical polishing equipment.

도 2를 참조하면, 종래의 플레튼(10)은 그 상부면이 평평하게 형성되어 있다. 따라서, 도 2에 보인것 처럼, 상기 연마액 공급부(30)로 부터 연마액이 공급되면서 상기 웨이퍼가 연마되는 과정에서 연마액 및 연마 부산물들이 상기 용기(70)에 부딪쳐서 다시 웨이퍼 표면으로 유입되어 스크래치 등의 문제를 유발하는 경우가 종종 발생한다.Referring to Figure 2, the conventional platen 10 has a flat upper surface thereof. Accordingly, as shown in FIG. 2, in the process of polishing the wafer while the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supplying part 30, the polishing liquid and polishing by-products strike the container 70 and flow back into the wafer surface to scratch. Often causes problems such as.

본 발명은 이와같은 문제점을 방지할 수 있는 화학적 기계적 연마 장비를 제공하는데 있다. The present invention is to provide a chemical mechanical polishing equipment that can prevent such a problem.

본 발명은 화학적 기계적 연마 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 화학적/기계적 연마 장치는 플레튼, 연마액 공급부, 연마헤드 및 용기를 포함한다. 상기 플레튼은 연마 패드가 장착되는 장착면을 갖는다. 상기 연마액 공급부는 상기 연마 패드상으로 연마액을 공급한다. 상기 연마헤드는 반도체 웨이퍼를 지지, 가압 및 회전시킨다. 상기 용기는 상기 연마 패드를 감싸도록 배치되어 있다.상기 플레튼의 가장자리부는 외측으로 갈수록 높이가 낮아 지도록 형성된다.The present invention provides a chemical mechanical polishing apparatus. The chemical / mechanical polishing apparatus according to the present invention includes a platen, a polishing liquid supply, a polishing head and a container. The platen has a mounting surface on which the polishing pad is mounted. The polishing liquid supply unit supplies the polishing liquid onto the polishing pad. The polishing head supports, presses, and rotates the semiconductor wafer. The container is arranged to surround the polishing pad. The edge portion of the platen is formed to have a lower height toward the outside.

본 실시예에서, 상기 플레튼의 가장자리는 경사면을 가질 수 있다.In this embodiment, the edge of the platen may have an inclined surface.

본 실시예에서, 상기 플레튼의 가장자리는 라운드진 면을 가질 수 있다.In this embodiment, the edge of the platen may have a rounded surface.

본 실시예에서, 상기 플레튼의 가장자리는 계단형으로 형성될 수 있다.In this embodiment, the edge of the platen may be formed in a step shape.

예컨대, 본 발명의 실시예들은 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예들은 당업계의 평균적인 지식을 가진자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등을 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. For example, the embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. These examples are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a more clear description.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도 3 내지 도 7에 의거하여 상세히 설명한다. 이 실시예들은 본 발명을 예증하기 위한 것으로서 본 발명의 범위를 국한 시키는 것으로 이해되어져서는 안 될 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7. These examples are intended to illustrate the invention and should not be understood as limiting the scope of the invention.

도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 개략적인 정면도이다. 도 4는 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 플레튼의 확대도이다.3 is a schematic front view of a chemical mechanical polishing equipment according to the present invention. 4 is an enlarged view of the platen of the chemical mechanical polishing equipment according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 화학적 기계적 장비는 연마패드(201)상으 로 연마액을 공급하는 연마액 공급부(301), 반도체 웨이퍼를 지지, 가압 및 회전시키는 연마헤드(401) 및 상기 연마 패드(201)가 장착되는 장착면을 가지는 플레튼(100)을 포함한다. Referring to FIG. 3, the chemical mechanical equipment according to the present invention includes a polishing liquid supply unit 301 for supplying a polishing liquid onto a polishing pad 201, a polishing head 401 for supporting, pressing and rotating a semiconductor wafer, and the polishing. The platen 100 has a mounting surface on which the pad 201 is mounted.

상기 화학적 기계적 연마 장비는 본 발명을 이해하기 위한 것으로서 여기에 한정하는 것은 아니다. 당업자라면 각 부품들의 위치 및 모양등을 변형할 수 있음은 당연하다. 상기 화학적 기계적 연마 장비는 상기 연마헤드(401)를 복수개로 형성 되도록 하여 동시에 여러장의 웨이퍼를 연마할 수 있다.The chemical mechanical polishing equipment is for understanding the present invention and is not limited thereto. Of course, those skilled in the art can modify the position and shape of each component. The chemical mechanical polishing equipment may polish a plurality of wafers simultaneously by forming a plurality of polishing heads 401.

상기 연마 패드(201)는 기계적인 연마요소를 가지며, 표면에 미세돌기가 형성되어 있는 우레탄 재질일 수 있으며, 연마할 박막의 종류에 따라 다른 재질의 연마 패드를 사용할 수 있다. 상기 연마헤드(401)은 진공을 이용하여 웨이퍼를 흡착한다.The polishing pad 201 has a mechanical polishing element, may be a urethane material having fine protrusions formed on a surface thereof, and a polishing pad of a different material may be used according to the type of thin film to be polished. The polishing head 401 adsorbs a wafer using a vacuum.

본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 구동방법을 살펴보면, 먼저 연마헤드(401)가 연마할 웨이퍼(W)를 우레탄 재질의 연마패드(201)를 장착한 상기 플레튼(100)으로 이동시킨다.Looking at the driving method of the chemical mechanical polishing equipment according to the present invention, first, the polishing head 401 moves the wafer (W) to be polished to the platen (100) equipped with a urethane polishing pad (201).

계속해서, 상기 연마패드(201)상에 연마액 공급부(301)로 부터 연마액이 공급된다. 상기 연마액을 연마할 박막의 종류에 따라 선택 할 수 있으며, 크게 금속막용 또는 산화막용 연마액으로 구분할 수 있다.Subsequently, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply unit 301 onto the polishing pad 201. The polishing liquid may be selected according to the type of thin film to be polished, and may be broadly classified into a polishing liquid for a metal film or an oxide film.

계속해서, 연마액이 공급되는 동시에 회전운동하는 연마패드(201) 위에서 상기 연마헤드(401)가 상기 웨이퍼(W)를 지지, 가압 및 회전 운동시키므로서 박막을 연마한다. 즉, 상기 웨이퍼(W)와 연마패드(201)는 접촉하게 되고, 이 접촉면 사이 의 미세한 틈사이로 연마액이 유동을 하여 상기 연마액내에 포함되어 있는 연마입자와 상기 연마패드(201)면의 돌기들에 의하여 기계적인 제거 작용이 이루어지며, 상기 연마액의 화학성분에 의해 화학작용이 이루어진다. 이 공정이 계속 진행되면, 상기 연마패드(201)면의 돌기 사이에는 연마액과 박막찌꺼기로 이루어진 연마 부산물이 잔류하게 된다. 그 결과, 연마액이 상기 용기 (701)에 부딪쳐서 다시 상기 웨이퍼(W)로 유입되어 스크래치등을 발생 시킬수 있을뿐만 아니라, 연마 부산물로 인하여 연마패드(201)의 연마 성능을 저하시킨다.Subsequently, the polishing head 401 supports, pressurizes, and rotates the wafer W on the polishing pad 201 that is simultaneously supplied with the polishing liquid to polish the thin film. That is, the wafer W and the polishing pad 201 are brought into contact with each other, and the polishing liquid flows between the minute gaps between the contact surfaces, and the abrasive particles contained in the polishing liquid and the projections of the polishing pad 201 surface. The mechanical removal effect is made by these, and the chemical reaction is performed by the chemical component of the polishing liquid. If this process continues, polishing by-products consisting of a polishing liquid and thin film residues remain between the projections on the surface of the polishing pad 201. As a result, the polishing liquid hits the container 701 and flows back into the wafer W to generate scratches and the like, and deteriorates the polishing performance of the polishing pad 201 due to polishing by-products.

이를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 도 3 및 4를 참조하면, 상기 플레튼(110)의 가장자리(110a)는 외측으로 갈수록 높이가 낮아지도록 형성되어 있다. 따라서,연마액 공급부(30)로부터 연마액이 공급되어 웨이퍼(W)를 도포하고 평탄화 시키는 과정에서 연마액 및 연마액 부산물등이 상기 용기(701)에 부딪쳐서 다시 웨이퍼의 표면으로 유입되지 않고, 상기 플레튼(110)의 하부로 배출 되므로서 연마액 및 연마부산물들로 인한 오염방지가 가능하다. 여기에서, 상기 플레튼(110)의 가장자리(110a)는 기존의 플레이트(110)에 별도로 부착하거나 플레튼 제작시 일체형으로 제작 가능하다.In order to solve this problem, referring to FIGS. 3 and 4 according to the present invention, the edge 110a of the platen 110 is formed to have a lower height toward the outside. Accordingly, in the process of supplying the polishing liquid from the polishing liquid supply unit 30 to apply and planarize the wafer W, the polishing liquid and the polishing liquid by-products, etc., do not hit the container 701 and do not flow back into the surface of the wafer. Since it is discharged to the lower portion of the platen 110, it is possible to prevent contamination due to the polishing liquid and abrasive by-products. Here, the edge 110a of the platen 110 may be separately attached to the existing plate 110 or may be manufactured integrally when the platen is manufactured.

도 5는 본 발명에 따른 플레튼의 다른예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the platen according to the present invention.

도 5를 참조하면, 플레튼(110)의 가장자리가 계단형(110b)으로 형성되어 있다. 이 경우에, 상기 연마액 공급부(301)로부터 연마액이 유입되어 웨이퍼(W)를 도포시키고 평탄화할때, 상기 플레튼(110)의 가장자리가 계단형으로 되어 있으므로 연마액 및 연마 부산물이 상기 용기(701)에 부딪치더라도 다시 상기 웨이퍼로 역으 로 유입되지 않고 하부로 배출된다. 따라서, 연마액 및 연마부산물들의 역유입으로 인한 오염방지가 가능하다. 도 4에서 설명했듯이, 상기 계단형 가장자리(110b)도 별도로 부착 또는 일체로 제작 가능하다.Referring to FIG. 5, the edge of the platen 110 is formed in a stepped shape 110b. In this case, when the polishing liquid flows from the polishing liquid supplying part 301 to apply and planarize the wafer W, the edge of the platen 110 is stepped, so that the polishing liquid and polishing by-products are stored in the container. Even if it hits 701, it is not discharged back to the wafer, but is discharged downward. Therefore, it is possible to prevent contamination due to backflow of the polishing liquid and the polishing byproducts. As described in Figure 4, the stepped edge (110b) can also be attached separately or manufactured integrally.

도 6은 본 발명에 따른 플레튼의 또 다른예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the platen according to the present invention.

도 6를 참조하면, 플레튼(110)의 가장자리가 라운드진 경사면(110c)을 가진다. 상기 플레튼(110)의 가장자리가 라운드지게 형성되어 있므로서, 웨이퍼 평탄화 과정 시 유입되고 발생한 연마액 및 연마 부산물이 상기 플레튼(110)의 하부로 배출된다. 도 3에서 설명했듯이, 상기 웨이퍼(W)를 도포하고 평탄화하는 과정에서 상기 플레튼(110)의 가장자리가 외측으로 갈수록 높이가 낮아지게 형성되어는 곡선형으로 형성되어 있다. 따라서, 가장자리가 라운드진 경사면을 가지는 상기 플레튼(110)은 연마액 및 연마 부산물이 상기 용기(701) 하부로 배출된다. 따라서, 연마액 및 연마부산물이 상기 웨이퍼(W)로 역유입되는 것을 방지할 수 있다. 마찬가지로, 상기 플레튼(130)의 가장자리는 별도로 부착 또는 일체로 가능하다.Referring to FIG. 6, the edge of the platen 110 has a rounded slope 110c. Since the edges of the platen 110 are rounded, the polishing liquid and polishing by-products introduced and generated during the wafer planarization process are discharged to the lower portion of the platen 110. As described with reference to FIG. 3, in the process of coating and planarizing the wafer W, the edge of the platen 110 is formed in a curved shape so that the height thereof becomes lower toward the outside. Accordingly, in the platen 110 having the inclined surface with rounded edges, polishing liquid and polishing by-products are discharged to the lower portion of the container 701. Therefore, it is possible to prevent backflow of the polishing liquid and the polishing byproduct into the wafer (W). Likewise, the edge of the platen 130 may be attached or integrally separately.

본 발명은 상기한 실시예에 한하지 않으며, 본 발명이 속하는 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that various modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit to which the present invention belongs.

도 7은 본 발명에 따른 플레튼을 구비하는 화학적 기계적 장비에서의 연마액의 흐름을 보여주는 도면이다.7 is a view showing the flow of the polishing liquid in chemical mechanical equipment having a platen according to the present invention.

도 7를 참조하면, 본 발명에 따른 플레이트를 장착한 화학적 기계적 연마 장비 구동시, 연마액 공급부(302)로 부터 연마액이 연마 패드(202)상에 공급된다. 동 시에 회전운동하는 연마 패드(202)상에서 연마헤드(401)가 웨이퍼(W)를 지지, 가압 및 회전 운동시켜 박막을 연마한다. 이때, 종래의 화학적 기계적 연마 장비와는 다르게 플레튼(110)의 가장자리(110a)가 외측으로 갈수록 높이가 낮아지게 형성되어 있다. 따라서, 화학적 기계적 연마 동안 발생한 연마액 및 연마 부산물이 용기(701)를 부딪치더라도 웨이퍼(W)로 역 유입되지 않고 플레튼(110)의 하부로 흐르게 된다.Referring to FIG. 7, in driving a chemical mechanical polishing apparatus equipped with a plate according to the present invention, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply unit 302 onto the polishing pad 202. At the same time, the polishing head 401 supports, pressurizes, and rotates the wafer W on the polishing pad 202 which rotates to polish the thin film. At this time, unlike the conventional chemical mechanical polishing equipment, the edge 110a of the platen 110 is formed to have a lower height toward the outside. Therefore, even though the polishing liquid and the abrasive by-products generated during the chemical mechanical polishing impinge on the container 701, the polishing liquid and the abrasive by-products flow into the lower portion of the platen 110 without being introduced into the wafer W.

이와같은 본 발명에 의하면, 본 발명에 따른 화학적 기계적 장비에서 플레튼의 가장자리는 외측으로 갈수록 높이가 낮아지게 형성되어 있다. 따라서, 웨이퍼의 평탄화 과정에서 연마액 및 연마 부산물이 다시 웨이퍼로 유입되는 것을 방지하고, 플레튼의 하부로 배출되므로서 연마액 및 연마 부산물등으로 인한 역 오염을 방지하여 반도체 품질저하를 원천적으로 방지할 수 있다. According to the present invention, in the chemical mechanical equipment according to the present invention, the edge of the platen is formed to have a lower height toward the outside. Therefore, the polishing liquid and the polishing by-products are prevented from flowing back into the wafer during the planarization of the wafer, and are discharged to the lower portion of the platen, thereby preventing back contamination due to the polishing liquid and the polishing by-products, thereby preventing the semiconductor quality deterioration. can do.

Claims (4)

연마 패드가 장착되는 장착면을 갖는 플레튼;A platen having a mounting surface on which a polishing pad is mounted; 상기 연마 패드상으로 연마액을 공급하는 연마액 공급부;A polishing liquid supply unit supplying a polishing liquid onto the polishing pad; 반도체 웨이퍼를 지지하고, 상기 연마패드상에서 상기 반도체 웨이퍼를 가압 및 회전운동 시키는 연마헤드; 및A polishing head which supports the semiconductor wafer and presses and rotates the semiconductor wafer on the polishing pad; And 상기 연마패드를 감싸도록 배치되는 용기를 포함하되, Including a container disposed to surround the polishing pad, 상기 플레튼의 가장자리부는 외측으로 갈수록 높이가 낮아 지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장비.The edge of the platen is chemical mechanical polishing equipment, characterized in that the height is formed to be lowered toward the outside. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 플레튼의 가장자리는 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장비.And the edge of the platen has an inclined surface. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플레튼의 가장자리는 라운드진 면을 가지는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장비.And the edge of the platen has a rounded face. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플레튼의 가장자리는 계단형인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장비. And the edge of the platen is stepped.
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